Scribd
Importer
707 vues2 pages

TD2-Etude Dynamique Du Transistor Bipolaire

Ce document contient deux exercices sur l'étude d'amplificateurs à transistors bipolaires. L'exercice 1 porte sur l'étude statique et dynamique d'un amplificateur à un seul transistor NPN. L'exercice 2 concerne l'étude d'un amplificateur à deux étages constitué de deux transistors.

Transféré par

abdo solo
Copyright
© © All Rights Reserved
Nous prenons très au sérieux les droits relatifs au contenu. Si vous pensez qu’il s’agit de votre contenu, signalez une atteinte au droit d’auteur ici.
Formats disponibles
Téléchargez aux formats PDF, TXT ou lisez en ligne sur Scribd
707 vues2 pages

TD2-Etude Dynamique Du Transistor Bipolaire

Ce document contient deux exercices sur l'étude d'amplificateurs à transistors bipolaires. L'exercice 1 porte sur l'étude statique et dynamique d'un amplificateur à un seul transistor NPN. L'exercice 2 concerne l'étude d'un amplificateur à deux étages constitué de deux transistors.

Transféré par

abdo solo
Copyright
© © All Rights Reserved
Nous prenons très au sérieux les droits relatifs au contenu. Si vous pensez qu’il s’agit de votre contenu, signalez une atteinte au droit d’auteur ici.
Formats disponibles
Téléchargez aux formats PDF, TXT ou lisez en ligne sur Scribd

Electronique analogique 2 2023-2024

Transistors bipolaires : Travaux Dirigés


Série 2

Exercice 1 :
On considère le montage amplificateur de la figure ci-dessous utilisant un transistor NPN au
silicium. On donne Vcc = 12 V, β = 100 et VBE = 0.6 V. Les condensateurs utilisés ont des
impédances nulles à la fréquence de travail.

Etude statique :
1. Tracer le schéma équivalent du montage en régime statique.
2. On souhaite polariser le transistor de sorte que VCEQ = 8.91 V et ICQ = 0.56 mA. On choisira
187 × IB
R1 et R2 telles que Ip = . Calculer les valeurs des résistances R1, R2, RC et RE
8
permettant d’obtenir ce point de fonctionnement. On donne VE = 0.448 V.
3. Tracer la droite de charge statique.
Etude dynamique :
En régime dynamique, le transistor est caractérisé par les paramètres hybrides suivants : h11 =
4.6 kΩ, h21 = β = 100 et h22 = h12 = 0.
1. Donner le schéma équivalent en régime petits signaux de cet amplificateur.
2. Calculer le gain en tension et les résistances d’entrée et de sortie de l’amplificateur.
3. On considère le montage chargé par RL = 2 kΩ.
3.1. Donner le schéma équivalent du montage en régime dynamique.
3.2. Calculer le gain en courant Ai.

2AP-EMSI Rabat Pr. ZEDAK


Electronique analogique 2 2023-2024

Exercice 2 :
Soit le montage suivant constitué de deux transistors T1 et T2 caractérisés par les paramètres
suivants : β = h21 = 100, h11 = 1.31 kΩ et h12 = h22 = 0.

Le point de fonctionnement de chaque transistor est défini comme suit :


VCE1 = 1.07 V, IC1 = 1.98 mA et VCE2 = 8.03 V, IC2 = 1.98 mA. On donne VBE = 0.7 V.
1. Déterminer les résistances R2, R3 et RC.
2. Donner le schéma équivalent du montage en régime petits signaux. Déterminer le type de
chaque étage de cet amplificateur.
3. Calculer le gain en tension Av et les impédances d’entrée Ze et de sortie Zs.
4. Calculer le gain en tension à vide et donner le schéma synoptique de l’amplificateur.

2AP-EMSI Rabat Pr. ZEDAK

Vous aimerez peut-être aussi