Département de physique

SMP S5 – 2020/2021
Correction du TD n◦ 3

Exercice I :
1. Le schéma dynamique faibles signaux du montage est représenté sur la figure 1.
ib1 ib2

h11 βib1 RC RC βib2 h11

vs

v1

u e v2

βib1 i0
RE
βib2

s iq
h y
Figure 1:

p
2. En mode différentiel on a :
d e vd

Le gain différentiel s’écrit :

ép v1 = −v2 =
2

d vs
v2
2vs
Ad =
=−
vd

M
D’après la symétrie du montage et puisque v1 = −v2 on a :

S ib1 = −ib2 d’où i0 = 0

S
On a d’après le schéma dynamique (figure 1) :

F vs = −RC β ib2 et v2 = h11 ib2

Ainsi
RC β
Ad = −
h11
A.N. Ad = − 40

3. En mode commun on a :
v1 = v2 = vc
Le gain en mode commun s’écrit :
vs vs
Ac = =
v2 vc

FSSM/SMP – S5 1
Électronique analogique Travaux dirigés

D’après la symétrie du montage et puisque v1 = v2 on a :

ib1 = ib2 d’où i0 = 2 β ib1 = 2 β ib2
On a d’après le schéma dynamique (figure 1) :
vs = −RC β ib2

v2 = h11 ib2 + RE i0
= h11 ib2 + 2β RE ib2 (1)
Donc :
RC β
Ac = −
h11 + 2β RE
A.N. Ac = − 0, 23

u e
4. le Taux de Réjection en Mode Commun TRMC s’écrit :

TRMC =
Ad
s iq
=
Ac
− RhC11β
h y
− h11R+2β
Cβ

2β RE
RE
p
e
=1+
h11

d
A.N. TRMC = 173 La résistance d’entrée différentielle est donnée par :

p
vd
Red =

é
ie
Avec ie = ib1

d
Or en mode différentiel on a :
vd
2
= v1 = h11 ib1

SM
Alors
Red = 2h11

FS
A.N. Red = 10 kΩ

5. En mode commun on a :
v1 = v2 = vc
Donc le schéma équivalent peut être écrit sous la forme (figure 2).
On a
ie = ib1 + ib2 = 2ib2
Donc la résistance d’entrée en mode commun sécrit :
vc v2
Rec = =
ie 2ib2
D’où on peut déduire, d’après l’équation (1), que :
h11 + 2β RE
Rec =
2
A.N. Rec = 432, 5 kΩ

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Électronique analogique Travaux dirigés

ib1 ib2

h11 βib1 RC RC βib2 h11

βib1 βib2
RE

ie
ib1

u e
vc (v1 = v2 = vc )
ib2

s iq
Figure 2:

h y
p
Exercice
Étude statique :
II :

d e
ép
1. En régime statique, on relie les deux générateurs de l’entrée à la masse : v1 = v2 = 0 et
le montage devient (figure 3).
Calcul de R1 :
On a d’après la loi des mailles : d
SM VCC = R1 I1 + VBE4 − VCC

FS
D’où :
2VCC − VBE
R1 =
I1
Or les courants des bases des transistors Q3 et Q4 sont négligeables alors :

I1 = IC4

Puisque les transistors Q3 et Q4 sont identiques et VBE3 = VBE4 alors

IC3 = IC4 = I3

D’où
I1 = I3 = 400 µA
Ainsi
R1 = 73, 25 kΩ

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Électronique analogique Travaux dirigés

+VCC +VCC +VCC

RC RC

IC1 IC2
RB IB IB2 RB R1
1
Q1 VCE1 VCE2 Q2

VBE1 ≃ IC1 ≃ IC2 VBE2

I3

u eI1

IC4

s iq
Q3
IB3

h y IB4
Q4

p
VBE3 VBE4

d e −VCC

ép Figure 3:

Calcul de RC :
D’après la loi des mailles on a :d
SM VCC − RC IC1 − VCE1 + VBE1 + RB IB1 = 0

FS
Donc
RC =
VCC − VCE1 + VBE1 + RB
IC1
IC1
β

Comme on est en régime statique v1 = v2 = 0, on a d’après la symétrie du montage :

IC1 = IC2

Or on a I3 = IC1 + IC2 , alors :

I3 = 2IC1 = 2IC2
D’où on a :
I3
IC1 = IC2 = = 200 µA
2
A.N. RC = 28, 6 kΩ
Étude dynamique :

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2. Les deux transistors Q3 et Q4 sont identiques et ont une tension Early VA = 50 V, donc
h22 6= 0. D’où le schéma dynamique faibles signaux du miroir de courant (figure 4).

Q i3 ib3 2ib3 (β + 2)ib3

ib4

1 1
h223 βib3 h113 h114 βib4 h224 R1

Figure 4:
u e
s iq
ib3 = ib4
h y
3. On a h113 = h114 car les deux transistors Q3 et Q4 sont identiques, donc :

Donc : p
D’où
−
 1
h224


e

//R1 β + 2 ib3 = h113 //h114 2ib3

d
h 1

é
h224 p 

i
//R1 β + 2 + 2 h113 //h114 ib3 = 0

d
| {z }
6=0

D’où on doit avoir :

M
ib3 = 0 ⇒ ib4 = 0

SS
Ainsi, en dynamique, le miroir de courant est équivalent à la figure 5.

i3

F 1
h223

Figure 5:

D’où la résistance interne :

1
Ri =
h223
A.N. Ri = 125 kΩ

4. Le schéma dynamique faibles signaux du montage est représenté sur la figure 6.

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ib1 RB RB ib2

h11 βib1 RC RC βib2 h11

vs2

v1 v2

βib1 i3 βib2
Ri

u e
Figure 6:

s iq
5.
5.1. En mode différentiel v1 = −v2 et ib1 = −ib2 . Donc
h y
i3 = 0 p
D’où :
d e
v2 = (RB + h11 ) ib2
Et on a :

ép vs2 = −RC β ib2

Alors
d vs2
Ad = =
−RC β

M
v2 RB + h11

S
Puisque les transistors Q1 et Q2 sont identiques et on a VT = 25 mV et β = 100, alors :

FS
A.N. h11 = 12, 5 kΩ et donc
h11 =
VT
IB
=β

Ad = −127, 1
VT
IC

5.2. En mode commun on a v1 = v2 et ib1 = ib2 et donc i3 6= 0.

Or
v2 = (RB + h11 + Ri 2 β) ib2
et
vs2 = −RC β ib2
Alors le gain en mode commun s’écrit :
RC β
Acm = −
RB + h11 + 2 β Ri
A.N. Acm = −0, 11

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5.3. Le TRMCdB est donné par :

 A 
d
TRMCdB = 20 log
Acm
A.N. TRMCdB = 61, 2 dB
5.4. La résistance d’entrée différentielle est donnée par :
vd
Rd =
ib
vd
Or en mode différentiel on a : v1 = −v2 = 2
alors :

Rd =
2v1
ib
u e
Or d’après le montage de la figure 6, et puisque i3 = 0, on a :

v1 = (h11 + RB ) ib1
s iq
Alors :
h y
A.N. Rd = 45 kΩ
Rd = 2 (h11 + RB )
p
5.5.

d e
La résistance d’entrée en mode commun est donnée par :
vc

ép Rcm =
2ib1

Or on a
d 
vc = RB + h11 + 2 (β + 1)
1
h223

ib

M
Alors :

S Rcm
1h
= RB + h11 + 2 (β + 1) Ri
i

S
2
A.N. Rcm = 12, 6 MΩ

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