Etude de l’interaction laser-matière en régime

d’impulsions ultra-courtes : application au micro-usinage

de matériaux à destination de senseurs
Yoan Di Maio

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Yoan Di Maio. Etude de l’interaction laser-matière en régime d’impulsions ultra-courtes : application
au micro-usinage de matériaux à destination de senseurs. Autre. Université Jean Monnet - Saint-
Etienne, 2013. Français. �NNT : 2013STET4004�. �tel-00994999�

HAL Id: tel-00994999

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abroad, or from public or private research centers. publics ou privés.
 Université Jean Monnet de Saint-Étienne

THÈSE

présentée pour obtenir le grade de

Docteur en optique photonique hyperfréquences

par
Yoan DI MAIO

Étude de l’interaction laser-matière en

régime d’impulsions ultra-courtes :
Application au micro-usinage de
matériaux à destination de senseurs

Soutenue le 31 Mai 2013 devant la commission d’examen :

Rapporteurs M. SENTIS Directeur de recherche CNRS, lab. LP3

Y.J. BELLOUARD Professeur à l’université d’Eindhoven
Examinateurs L. BERTHE Chargé de recherche, lab. PIMM
F. PIGEON Directeur, lab. Hubert Curien
J.P. COLOMBIER Co-directeur, lab. Hubert Curien
C. MAUCLAIR Co-encadrant, lab. Hubert Curien
Invité M. LAHIRIGOYEN Ingénieur d’étude SAGEM-DS
 Résumé

Étude de l’interaction laser-matière en régime d’impul-

sions ultra-courtes : Application au micro-usinage de maté-
riaux à destination de senseurs

Le laser à impulsions ultra-courtes constitue un procédé innovant et très avantageux

pour la découpe de céramiques piézoélectriques PZT. Grâce à un fort confinement spatio-
temporel de l’énergie au cours de l’interaction, ce système minimise les dégâts collatéraux
et préserve l’intégrité physique du matériau sur des échelles micrométriques.
Néanmoins, une propagation de faisceau mal maîtrisée, associée à des mécanismes
d’interaction complexes fonction de la cible irradiée, peuvent impliquer de fortes disparités
sur la qualité d’usinage. Dans le cadre d’une application industrielle donnée, ces travaux
nous ont donc permis d’approfondir les principales étapes d’optimisation d’un tel procédé
selon des critères de reproductibilité, de qualité et de rapidité.
Pour cela, nous avons tout d’abord souligné l’influence des propriétés gaussiennes des
faisceaux et de leur perturbation afin de définir la distribution énergétique au niveau des
plans de focalisation. Aussi, la quantification de l’interaction via les critères de seuil et
de taux d’ablation, d’incubation et de saturation a contribué à comprendre la réaction
du matériau de manière macroscopique. Les problèmes méthodologiques inhérents à leurs
calculs ont été mis en évidence et ont permis par la suite d’anticiper les formes d’usinage
ainsi que les temps de procédé.
Dans un second temps, l’optimisation des paramètres laser s’est appuyée sur des carac-
térisations aussi bien qualitatives pour l’aspect visuel que quantitatives avec l’estimation
de la stœchiométrie et des contraintes résiduelles au niveau des flancs d’usinage. Nous
avons en outre tiré profit de la piézoélectricité afin de développer une méthode d’ob-
servation in situ de la réponse à l’onde de choc laser contribuant à la compréhension
des fissurations apparentes. Nous proposons au terme de ce travail un jeu de paramètres
optimal pour la découpe de PZT assurant une bonne répétabilité du procédé tout en mini-
misant les défauts d’usinage comme la fissuration, les dépôts de surface et les irrégularités
de bords.
Des essais sur la mise en forme spatio-temporelle de faisceau sont enfin abordés princi-
palement en tant que perspective d’accélération du procédé et encouragent son utilisation
pour une future industrialisation.

Mots clés :

Impulsions laser ultra-courtes Interaction laser-céramique

Optimisation découpe laser Mise en forme de faisceau
Onde de choc laser Contrainte matériau irradié
Seuil et taux d’ablation PZT piézoélectrique
 Abstract

Laser matter interaction study with ultrashort laser pulses :

Application to the cutting of materials used in sensors

Lasers delivering ultrashort pulses are innovative and very attractive tools for cutting
piezoelectric PZT ceramics. Thanks to an efficient spatiotemporal confinement of the
energy during the interaction, these systems reduce collateral damage and preserve the
physical integrity of the material on a micrometric scale.
Nevertheless, uncontrolled beam propagation associated with complex interaction me-
chanisms depending on the irradiated target can involve large disparities on machining
quality. In the context of an industrial application, this study describes the main steps of
optimization of such a process according to criteria of reproducibility, quality and speed.
To this purpose, we first pointed out the influence of Gaussian beam properties and
their disturbance to define the energy distribution at focal planes. Thus, the quantifi-
cation of the interaction with the ablation threshold, the ablation rate, incubation and
saturation helped to understand the reaction of the material macroscopically. Methodolo-
gical issues coming from their calculations have been highlighted while machining shapes
and processing times were anticipated.
Secondly, the optimization of laser parameters was based on both qualitative and
quantitative characterizations. Electronic microscopy was rather used for visual appre-
ciations whereas stoichiometry and residual stress estimations were employed to quantify
the quality of side walls. We also took benefit from piezoelectricity to develop an in situ
observation method which succeeded in detecting the electrical response to the laser shock
wave and mainly contributed to the understanding of visible cracks. We finally propose
an optimum set of parameters for cutting PZT ensuring good repeatability of the process
while minimizing machining defects such as cracking, surface recast and jagged sides.
Tests with spatiotemporal beam shaping were finally presented primarily as perspec-
tives of processing time decrease so as to promote its use for future industrialization.

Key words :

Ultrashort laser pulses Laser-ceramic interaction

Laser cutting optimization Spatiotemporal beam shaping
Laser shock wave Irradiated material stress
Ablation threshold and rate Piezoelectric PZT

ii
 Le doute est le commencement de la sagesse.

Aristote
(384 - 322 av. J.C.)

L’ignorant affirme, le savant doute, le sage réfléchit.

Aristote
(384 - 322 av. J.C.)

Le savant est fier d’avoir tant appris ;

Le sage est humble d’en savoir si peu.

William Cowper
(1731 - 1800)
 Remerciements

Ces travaux de doctorat ont été réalisé conjointement entre le laboratoire Hubert
Curien de Saint-Étienne et l’entreprise Sagem Défense et Sécurité dont la composante
R&D est majoritairement basée sur Paris. A ce titre, de nouvelles interactions ont pu
être initiée, permettant dès lors aux compétences scientifiques stéphanoises de rayonner
dans un milieu industriel de pointe.

Je suis fier d’avoir pu participer à un tel transfert technologique, transfert qui n’aurait
pu aboutir sans les multiples échanges entre les différents acteurs du projet.

Malgré de multiples perturbations en matière de management au sein de la Sagem,

je tiens à remercier chaleureusement l’ensemble de mes responsables industriels m’ayant
encadré au mieux au cours de ces 3 années : José Beitia, porteur initial du projet sans
qui je ne serai pas ou je suis aujourd’hui ; Guillaume Rochat, qui assura la transition
avec intelligence ; Paul Cazottes, qui a su allier exigence et bienveillance à l’égard de mes
réalisations ; Béatrice Bourgeteau, qui a accordé une grande confiance et écoute quant à
mon expertise et Maité Lahirigoyen, qui m’accompagna avec assurance jusqu’au terme de
cette aventure. Je tiens également à mentionner l’ensemble des personnes de l’entreprise
avec qui j’ai eu à échanger de manière étroite pour mes besoins techniques ou humains :
Florent Rampillon, Stéphane Rayet, Nicolas Blanzat, Pierre Loisel, Paul Vandebeuque,
Pilar Laurent, Carole Labonne...

La majorité de mon emploi du temps s’étant déroulé au sein du laboratoire, j’ai ainsi
pu y développer de multiples relations, certaines d’autant plus amicales que profession-
nelles.
Malgré un départ remarqué sur la fin de mes travaux, je souhaite en premier lieu
remercier mon directeur de thèse, Mr Eric Audouard qui m’a épaulé personnellement et
orienté professionnellement depuis mon stage de fin d’étude. J’ai de ce fait fortement
apprécié sa façon de m’encadrer, alliant écoute et soutien dans les moments de doute,
exigence et rigueur dans les périodes de résultats.
Je souhaite aussi remercier chaleureusement mon co-directeur, Jean Philippe Colom-
bier, une des rares personnes à m’avoir suivi de bout en bout et qui a poursuivi dans la
continuité la responsabilité de mes travaux après l’absence de mon directeur. Il a éga-
lement su être un support scientifique de confiance, une oreille des plus attentive ainsi
qu’un estimable conseiller d’orientation !
Je souhaite aussi remercier vivement Cyril Mauclair qui, à la force des choses, a
dû fortement s’impliquer, de la rédaction de mon manuscrit et la finalisation de ma
soutenance.
Bien évidemment, je remercie toute l’équipe de la plateforme femtoseconde (scienti-
fiques et industriels avec la société Impulsion) pour la bonne humeur et la complicité qui
découlèrent de nos échanges : Nicolas Faure, David Pietroy, Benjamin Dusser, Sébastien
Landon, David Bruneel, Aurélien Bernard, Julien Granier, Gregory Egaud, Hervé Soder,
Romain Jouglet, Anthony Da Silva...
Un grand merci également aux membres du laboratoire avec qui il m’a été donné de
travailler et/ou d’interagir : Sabine Palle et l’équipe confocale, Aziz Boukenter, Youcef
Ouerdane, Razvan Stoian, Frederic Celle, Claude Pedri, Gerard Bernaud... ainsi que toute
l’équipe administrative et informatique.

Un merci particulier à l’ensemble des membres du jury pour avoir pris le temps de
corriger mon mémoire et leur participation à ma soutenance, ainsi qu’au directeur du
laboratoire, Mr Florent Pigeon, pour avoir pris l’initiative d’encadrer mon doctorat à
défaut de présence de Mr Audouard.

Enfin, un merci sincère à ma famille, ma compagne et mes amis pour leur présence
et leur soutien. Ils ont su m’accompagner, que ce soit jour après jour ou ponctuelle-
ment,entre les joies, les colères, les doutes et les motivations qui ont jalonné cette période
très formatrice de ma vie.

Encore une fois, merci à tous !

vi
 Communications

Publications scientifiques
1. Di Maio, Y. Colombier, J.P. Cazottes, P. Audouard, E., "Ultrafast laser ablation
characteristics of PZT ceramic : Analysis methods and comparison with metals.",
Optics and Lasers in Engineering, 50(11) : 1582-1591, Novembre 2012.

2. Pietroy, D. Di Maio, Y. Moine, B. Baubeau, E. Audouard, E., "Femtosecond laser

volume ablation rate and threshold measurements by differential weighing.", Optics
Express, 20(28) : 29900-29908, Décembre 2012.

3. Di Maio, Y. Colombier, J.P. Audouard, E., "Estimation of generated stress under

femtosecond irradiation by piezoelectric response.", en cours.

4. Di Maio, Y. Mauclair, C. Audouard, E., "Ultrafast laser cutting with multi-spot

beam shaping.", en cours.

Conférences / Séminaires
1. Oral + Poster : "Étude de l’interaction laser-PZT en régime d’impulsions ultra-
courtes.", Séminaire interne SAGEM SAFRAN, Argenteuil, 7-8 Décembre 2010.

2. Oral : "An investigation of piezoelectric cutting by femtosecond laser", SPIE Pho-

tonics West, San Francisco USA, 22-27 Janvier 2011

3. Poster : "Micro-usinage de matériau céramique piézoélectrique par laser femtose-

conde", Journée de la recherche, Saint Etienne, 19 Mai 2011.

4. Poster + Proceeding : "Femtosecond laser optimization of piezoceramic cutting",

Di Maio, Y. Colombier, J.P. Cazottes, P. Audouard, E., ISOT International Sym-
posium on Optomechatronic Technologies, Hong Kong, 1-3 Novembre 2011.

5. Oral + Poster : "Étude de l’interaction laser matière en régime d’impulsions ultra-

courtes : Application au micro usinage de matériaux à destination de senseurs",
Séminaire interne SAGEM SAFRAN, Massy, 20-21 Mars 2012.

vii
 Table des matières

Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

1 Les lasers femtosecondes comme outils de découpe . . . . . . . . . . . 7

1.1 Le milieu concurrentiel de la découpe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

1.1.1 Micro-usinage par ablation mécanique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.1.2 L’électro-érosion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.1.3 L’attaque chimique ou "etching" . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.1.4 Usinage par radiation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Radiation non laser. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Radiation laser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.1.5 Méthodes hybrides . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

1.2 Physique des lasers ultra-brefs et interaction avec la matière . . . . . . 18

1.2.1 Principes de génération d’impulsions femtosecondes . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.2.2 Propriétés spatiales des faisceaux lasers et propagation . . . . . . . . . . . . . . 21
Équations de propagation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
Approximation gaussienne et notion de fluence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
Focalisation et plan d’usinage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
1.2.3 Interaction laser - matière dans les milieux diélectriques . . . . . . . . . . . . . 30
Mécanismes d’absorption dans les milieux diélectriques . . . . . . . . . . . . 31
Modèle à 2 températures : ionique et électronique . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
Profondeur de pénétration et zone affectée thermiquement . . . . . . . . . 33

1.3 Application aux céramiques ferroélectriques PZT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

1.3.1 De la matière cristalline à la notion de ferroélectricité . . . . . . . . . . . . . . . 34

ix
TABLE DES MATIÈRES

1.3.2 La piézoélectricité sur mesure : le cas du PZT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Cristallographie. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
Structure de bande . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
1.3.3 Absorption optique et simulation de la profondeur de pénétration . . . 41

1.4 Conclusion partielle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

2 Contexte et paramétrisation des usinages . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

2.1 Problématique industrielle d’usinage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

2.2 Banc d’usinage laser et caractérisation in-situ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

2.2.1 Gestion de la puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
2.2.2 Durée d’impulsion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
2.2.3 Analyse spatiale de faisceau . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
2.2.4 Visualisation de la zone d’usinage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

2.3 Paramétrisation de l’usinage laser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

2.3.1 Seuils d’usinage et phénomènes associés . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
État de l’art et définitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
Méthodologie employée et résultats . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
2.3.2 Taux d’ablation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
Métrologie de surface . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
Taux d’ablation volumique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
Taux d’ablation en profondeur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
2.3.3 Accumulation d’impulsions : incubation et saturation . . . . . . . . . . . . . . . . 78
Incubation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
Saturation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
Comparaison des résultats statiques et dynamiques . . . . . . . . . . . . . . . . 80
2.3.4 Découpes estimées et simulées . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82

2.4 Caractérisation de la qualité de coupe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85

2.4.1 Techniques usuelles de caractérisation post-mortem. . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
2.4.2 Développement d’un moyen de mesure in-situ : réponse piézoélec-
trique transitoire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
Expérimentation de la détection d’onde de choc . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
Modèle équivalent à la piézoélectricité . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
Réponse transitoire simulée et expérimentale d’un impact . . . . . . . . . . 92
Application à la mesure de contrainte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97

2.5 Conclusion partielle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97

x
 TABLE DES MATIÈRES

3 Optimisation des paramètres de découpe et perspectives . . . 100

3.1 Jeu de paramètres du faisceau gaussien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
3.1.1 Pré-requis sur le positionnement et l’inclinaison du wafer . . . . . . . . . . . . 101
3.1.2 Influence des électrodes en nickel-phosphore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
3.1.3 Effets de la focalisation et du plan d’usinage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
3.1.4 Effets de la polarisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
3.1.5 Effets de la durée d’impulsion et de la longueur d’onde . . . . . . . . . . . . . . 112
3.1.6 Effets de la puissance et de la fluence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
3.1.7 Effets du recouvrement sur la qualité . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
3.1.8 Analyses complémentaires des méthodes d’usinage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127

3.2 Accélération de procédé par mise en forme de faisceau. . . . . . . . . . . . . 129

3.2.1 Mise en forme temporelle par double impulsion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
3.2.2 Mise en forme spatiale de faisceau . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 133

3.3 Multiplication des lignes d’usinage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137

3.4 Conclusion partielle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138

Conclusion générale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140

A Principes généraux d’émission laser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146

Amplification par émission stimulée . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146
Intensité de saturation et cavité résonnante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148

B Interface d’analyses des mesures confocales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152

Affichage 3D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
Traitement des volumes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 154
Traitement des profondeurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 154

C Interface de simulation des seuils et diamètres d’ablation . 156

D Interface de calcul des taux d’ablation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158

Bibliographie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160

xi
 Introduction

Les domaines de l’aéronautique et de la défense excellent dans le contrôle du mou-

vement au travers de systèmes de navigation ultra-compacts et perfectionnés. Outre la
navigation absolue dépendante de références externes telles que les satellites ou les amers
marins, la navigation à l’estime s’articule autour de centrales inertielles qui exploitent
la propriété de certains phénomènes physiques à être immuable dans l’espace, servant
dès lors de référentiels absolus. L’accélération, la rotation et la vitesse angulaire sont ré-
pertoriées au travers d’accéléromètres, de gyroscopes et de gyromètres dans 3 directions
orthogonales, permettant ainsi d’en déduire position, altitude, direction et vitesse de dé-
placement.

En particulier, la technologie embarquée dans les gyroscopes et gyromètres est res-

ponsable de leur performance en matière de précision et se quantifient principalement
en vitesse de dérive (degrés par heure °/h). On distingue alors les classes basses perfor-
mances (de 1000 °/h à 10 °/h) avec le pilotage automatique, la stabilisation de véhicules
et les optiques d’imagerie ou encore les capteurs de mouvement pour le divertissement
multimédia. Les classes à très hautes performances peuvent descendre jusqu’à 10−5 °/h et
interviennent dans des applications plus critiques de l’aéronautique, de l’aérospatiale et de
la défense comme le guidage missile ou la navigation satellitaire et sous-marine (Fig. 1) [1].

D’un point de vue physique, c’est Léon Foucault en 1851 qui démontra pour la pre-
mière fois que le plan d’oscillation de son célèbre pendule restait fixe dans un référentiel
galiléen par rapport au référentiel terrestre. En 1852, il inventa le gyroscope à toupie dont
l’axe de rotation est également fixe dans l’espace. Encore de nos jours, cette découverte
est à la base de nombreuses technologies inertielles visant à mesurer l’écart angulaire
entre un référentiel mobile et l’axe de rotation d’une telle toupie. Les précisions peuvent
atteindre 10−2 à 10−4 °/h tandis que leur fabrication et leur maintenance restent com-
plexes et coûteuses. L’effet Sagnac découvert en 1913 est quant à lui exploité dans les
gyrolasers et les gyromètres à fibre [2]. Le principe réside dans la différence de marche
générée par un système de deux faisceaux parcourant en sens inverse un circuit fermé.
Bien que sa mise en œuvre reste relativement simple, les phénomènes optiques permettent
d’atteindre des précisions de l’ordre de 10-3 °/h.
Néanmoins, les besoins d’intégration, de réduction des coûts et d’accroissement des
performances ont conduit à la définition de nouvelles technologies toujours plus efficaces.

1
Introduction

C’est ainsi que s’est développée dans les années 1950 une nouvelle famille de gyroscopes
mécaniques, les gyroscopes vibrants, basés sur les principes de Coriolis [1]. Alors qu’un
corps est maintenu dans un état de résonance initiale selon un mode donné, son entraî-
nement par rotation engendre un transfert d’énergie vers un nouveau mode de vibration,
détectable par la simple mesure des écarts relatifs. La force de ces nouvelles technologies
réside dans la multitude de designs envisageables, offrant une plus grande flexibilité d’in-
tégration et un accroissement des performances.

En particulier chez Sagem Défense et Sécurité, le Quapason est un gyroscope monoli-

thique simple et fiable, constitué de quatre poutres métalliques en oscillation. Sa petitesse
et sa robustesse en font un élément industriellement exploitable au fort potentiel applica-
tif à basses performances, pouvant atteindre des précisions de l’ordre de 300 °/h selon le
modèle. Les modes d’oscillation sont entretenus et détectés par 16 pastilles de céramique
Pb(Zr1−x Tix )O3 (PZT) brasées uniformément sur chacune des faces externes des poutres.
Ces pastilles sont reliées par bonding à un circuit intégré 3D disposé au pied du Quapason,
le tout étant mis sous vide pour limiter au maximum les dérives dues à l’amortissement.

En effet, le PZT est un matériau diélectrique piézoélectrique, il a donc la capacité

de se déformer sous l’action d’un champ électrique (effet piézoélectrique inverse) ou de
générer un déplacement de charges électriques en réponse à une contrainte mécanique
(effet piézoélectrique direct) [3]. Cet effet résulte du caractère anisotrope de sa structure
cristalline au sein de laquelle les ions peuvent se déplacer relativement les uns des autres
et ainsi induire une polarisation macroscopique. La ferroélectricité est une sous classe
de la piézoélectricité à laquelle appartient cette céramique, ce qui implique qu’elle peut
afficher des propriétés de polarisation permanente.
La première démonstration de l’effet piézoélectrique direct est attribuée aux frères Cu-
rie en 1880 sur des cristaux naturels de quartz, tourmaline, topaze et sel de Rochelle [4].
40 ans plus tard, en 1921, c’est au tour de l’effet ferroélectrique d’être découvert par Vala-
shek sur le sel de Rochelle [5]. Pourtant aucune répercussion importante ne fit suite à ces
travaux, longtemps considérés comme spécifiques au matériau et difficilement reproduc-
tibles de par la disparition de ces propriétés lors de faibles fluctuations stœchiométriques.
Il faudra attendre une vingtaine d’années avec l’avènement des oxydes ferroélectriques de
type pérovskite tel que le titanate de plomb (PbTiO3 ) ou le titanate de baryum (BaTiO3 )
pour voir apparaître les premières interprétations théoriques avec Kurchatov en 1933 [6]
et phénoménologiques avec Ginzburg en 1945 [7]. Ces matériaux aux propriétés cristallo-
graphiques simplifiées rendent compte d’un potentiel important et ouvrent ainsi la voie
aux céramiques industrielles (on parle également de céramiques techniques).

Parmi elles, les premières PZT furent synthétisées dès 1954 avec pour objectifs l’amé-
lioration des propriétés capacitives et piézoélectriques comparativement aux matériaux
déjà existants [8]. De nos jours, elles sont massivement présentes dans de nombreux do-
maines tels que l’électronique avec notamment les analyseurs de bruit, les filtres "SAW",
les mémoires, les dalles tactiles ou les hauts parleurs. Elles sont exploitées pour la géné-
ration de micro-déplacements en mécanique ou de vibrations à hautes fréquences pour les
échographies et "Ablatherm" en médecine. Nous citerons également leur utilisation dans
le nettoyage ultrasonique, les alarmes, les capteurs de gaz et de pression... La défense
et l’aérospatial restent enfin des milieux fortement demandeurs pour les accéléromètres,
les gyroscopes, les sonars ou l’imagerie, bien que de nouveaux matériaux toujours plus

2
 Introduction

Figure 1 – Classes de précision et principales applications des senseurs gyroscopiques.

extraordinaires font leur apparition (PMN-PT, PZN-PT, PVDF. . . ).

En particulier dans notre application pour les senseurs inertiels, la qualité des signaux
émis et réceptionnés est fortement liée à la qualité de ces lames piézoélectriques en PZT.

Une des directions d’amélioration des performances du capteur a été de développer

de nouveaux procédés d’usinage afin de limiter les dégradations dues à leur usinage. His-
toriquement, un wafer brut revêtu d’électrodes de Nickel-Phosphore (NiP) était découpé
par scie mécanique alors que des études ont montré un effet traumatisant sur les lames
finales avec l’apparition de fissurations détériorant les performances de fonctionnement
sous vide. La découpe par impulsions femtosecondes a dès lors été envisagée. Cette techno-
logie résulte de la rapide évolution des procédés lasers qui, depuis le succès expérimental
de Mainman en 1960, ont su se diversifier et ainsi répondre à de nombreux domaines
d’application [9].

Les lasers se basent sur l’amplification de la lumière par émission stimulée dans des
milieux à gain qui peuvent être aussi bien solides (Nd :YAG à 1064 nm, Ytterbium :YAG
à 1030 nm, Ti :Saphir à 780 nm, fibre dopée Erbium à 1540 nm... ), liquides (lasers à
colorant accordables) ou gazeux (Hélium-Néon à 632.8 nm ; Argon à 364, 488, 514 nm ;
CO2 à 10.6 µm, lasers à excimères ArF à 193 nm ou XeCl à 308 nm...). Les plages de
longueur d’onde d’émission, les dimensions des systèmes ainsi que les puissances crêtes
accessibles définissent leurs utilisations [10]. Par exemple, les lasers à semi-conducteur
associent forte intégration et faibles énergies pour ainsi être exploités dans le transport de
l’information (télécommunications, spectroscopie, multimédia CD/DVD/BD...) ou pour
le pompage des lasers solides. On distingue également les applications à basse énergie,
purement artistiques ou de pointage, tandis que les lasers de hautes intensités s’imposent

3
Introduction

pour le micro-usinage de matériaux inorganiques et biologiques. Notons que ces derniers

sont dans la plupart des cas des lasers pulsés dont le but est de générer d’autant plus
d’ablation que l’énergie est concentrée dans des durées d’impulsions courtes [11].
C’est au cours des années 70 que les premières impulsions ultra-courtes font leur appa-
rition grâce à l’approche par "Mode locking" [12,13]. Associées au "Chirping" les amplifiant
davantage, des puissances crêtes instantanées de l’ordre du GW peuvent être atteintes,
suffisantes pour générer des effets non linéaires toujours à l’étude comme l’effet Kerr, l’au-
tofocalisation, la génération de seconde harmonique ou l’absorption multiphotonique...La
médecine avec le Lasik, la biologie avec la microscopie à 2 photons et l’avènement de
la femto-chimie, le nucléaire avec la fusion inertielle (Laser Méga-Joule en France et le
National Ignition Facility aux États-Unis) ou encore l’environnemental avec le Lidar Te-
ramobile font partie des récents développements des lasers ultra-brefs en plus de leur fort
attrait dans les milieux de la recherche [14]. Dans le domaine du micro-usinage, il a été
démontré que l’interaction ultra-brève engendrée par de telles durées et intensités crêtes
autorise l’ablation de tout type de matériau avec des endommagements collatéraux mi-
nimisés en comparaison des lasers usuels [15].

Ce travail de thèse se centre sur l’optimisation de la découpe de matériaux piézo-

électriques à destination de senseurs par laser femtoseconde. Le laser utilisé est un laser
Bright de chez Thalès émettant des impulsions à une longueur d’onde centrale de 780 nm,
cadencées à 5 kHz sur des durées moyennes de 150 fs.

Ce manuscrit s’articule autour de trois parties principales :

Dans la première partie, nous nous intéressons au secteur concurrentiel de la découpe

en y recensant les différentes technologies accessibles, qu’elles soient de type abrasif, ultra-
sonique, chimique ou radiatif. Nous y situons ainsi le procédé laser grâce à un comparatif
non exhaustif des caractéristiques de chacune. La génération d’impulsions femtosecondes
est ensuite abordée avec les descriptions succinctes du "Q-switching", du "Mode-locking"
et du "Chirping". L’interaction laser-matière est en outre fortement dépendante des carac-
téristiques spatio-temporelles des faisceaux. Les propriétés spatiales de leur propagation
jusqu’au point d’impact après focalisation permet de se rendre compte de l’évolution de
la forme du faisceau et des paramètres influents. D’un autre côté, les temps ultra-brefs
de l’interaction impliquent des mécanismes d’échanges radiatifs spécifiques, en particulier
dans les matériaux diélectriques comme le PZT où des effets non linéaires comme l’ionisa-
tion par avalanche et l’absorption multiphotonique prédominent. Des simulations simples
d’absorption optique dans le PZT sont enfin proposées après avoir défini les propriétés
cristallographiques de ce matériau.

Dans la deuxième partie, nous introduisons les objectifs propres à l’étude de la découpe
de PZT par lasers à impulsions ultra-courtes ainsi que les principaux moyens mis à dis-
position pour son optimisation. En particulier, nous détaillons les méthodes de contrôle,
qu’elles précèdent l’usinage comme l’analyse spatio-temporelle du faisceau, ou qu’elles lui
succèdent. Parmi ces dernières, nous distinguons les caractérisations qualitatives telles
que les observations microscopiques, des caractérisations quantitatives comme l’estima-
tion des contraintes résiduelles, de la cristallinité ou de la composition chimique des flancs
d’usinage. Un protocole de détection des ondes de pression se propageant après irradia-
tion est également proposé comme procédé original rendant compte de l’effet de certains

4
 Introduction

paramètres lasers sur le matériau. Aussi, nous introduisons le lecteur à la paramétrisation

de l’interaction laser-matière avec le seuil d’ablation, le taux d’ablation et le facteur d’in-
cubation afin d’identifier quantitativement les propriétés de l’interaction. Des simulations
d’usinage en sont déduites après avoir débattu des problèmes méthodologiques inhérents
à leur définition.

La dernière partie traite de l’optimisation de l’usinage en soi étayée par les résultats
des méthodes de caractérisation décrites dans le chapitre précédent. Les paramètres ac-
cessibles y sont testés tels que la puissance, le plan d’usinage, la polarisation, la focale ou
la vitesse d’usinage et des plages optimisées de découpe sont proposées. Des perspectives
de mise en forme de faisceau permettent enfin d’évoquer les possibilités d’accélération
du procédé. Le parallel-processing, obtenu par modulation de phase ou par sélection de
polarisation, démultiplie spatialement le faisceau afin de tirer profit d’une plus grande
partie des capacités de puissance du laser. Dans le domaine temporel, le dédoublement
de l’impulsion est également analysé dans cette optique mais aussi du fait de la possible
amélioration de la vitesse d’usinage et de sa qualité en jouant sur les propriétés de l’in-
teraction.

Nous concluons enfin sur les réussites et défauts liés à ces travaux puis recensons les
perspectives entrevues, qu’elles soient d’ordre scientifique pour la recherche, ou technolo-
gique pour l’industriel.

5
 CHAPITRE 1

Les lasers femtosecondes comme outils de découpe

Dès la fin du XXème siècle, le monde industriel a su mettre à disposition des produits

toujours plus perfectionnés et polyvalents intégrés sur des dimensions sans cesse réduites,
posant la question des limites expérimentales des micro-systèmes les composant. De cette
tendance est née la micro/nano-science qui peut être définie comme l’ensemble des études
de ces dispositifs à l’échelle micronique et sub-micronique. A titre d’exemple, les motifs
des transistors constituant les processeurs de dernières générations (2012) atteignent dé-
sormais 22 nm [16] et peuvent être perturbés par des signaux aussi faibles que le rayon-
nement cosmique.

Cette évolution ne serait envisageable sans l’avancée parallèle des méthodes de fabri-
cation et de caractérisation toujours plus résolues spatialement. En outre, deux procédés
de fabrication se complètent : l’assemblage de pièces minimalistes et l’usinage de maté-
riaux massifs dans lequel l’émergence d’une multitude de technologies a pu être constatée.
Parmi elles, la famille des lasers et en particulier les systèmes picosecondes et femtose-
condes ont été reconnus pour leur précision d’usinage et leur polyvalence. Nous verrons
dans la suite de ce chapitre que la nature particulière de l’interaction laser matière dans
ce dernier régime autorise l’usinage de tout type de matériau en limitant grandement les
effets thermiques notoires. Certes les échelles microniques atteintes restent plus limitées
qu’avec d’autres méthodes mais la flexibilité des paramètres en fait un procédé néanmoins
compétitif sur certaines applications, ce pourquoi des versions industrielles matures sont
désormais proposées. La découpe de céramiques piézoélectriques PZT destinées aux sen-
seurs inertiels en constitue un exemple.

1.1 Le milieu concurrentiel de la découpe

Il existe une multitude de technologies d’usinage ayant chacune leurs avantages et in-
convénients sur des critères aussi variés que le panel de matériaux usinables, leur degré de
dégradation, les dimensions et la précision atteintes, la vitesse d’exécution, la complexité
du mécanisme et surtout leur coût d’utilisation [18, 19]. Aucune ne répond à toutes ces
sollicitations, c’est pourquoi il est nécessaire de bien sélectionner la méthode à employer

7
Chapitre 1 Les lasers femtosecondes comme outils de découpe

Figure 1.1 – Récapitulatif non exhaustif des principales techniques de découpe recensées dans
la littérature. Classement selon la nature de leur interaction. Inspiré de [17].

en fonction du besoin. Dans cette partie, nous ferons un bref état de l’art des techniques
avec une attention particulière pour le domaine des céramiques tout en nous efforçant
d’identifier les forces et faiblesses de chacune. La démarche entreprise pour la comparai-
son distingue la nature des interactions entre l’outil et le matériau : mécanique (abrasive),
chimique, électrique ou radiative avec enfin un bref aparté sur les technologies hybrides
qui tentent de tirer profit de plusieurs techniques conventionnelles simultanément (Fig.
1.1). Leur évolution avec les années est au cœur du progrès technologique et croît aussi
rapidement que les produits se perfectionnent. Aussi est-il nécessaire de garder à l’esprit
que ce comparatif n’est en rien exhaustif mais se base sur une littérature existante et
sujette à de constantes améliorations.

1.1.1 Micro-usinage par ablation mécanique

Les matières abrasives sont au cœur de ces techniques. Ce sont des particules très dures
et très résistantes qui, au contact de l’échantillon, génèrent suffisamment de contraintes
pour arracher la matière par rupture. On y retrouve notamment la découpe à la scie méca-
nique ("saw dicing machining"), le fraisage ("grinding machining"), l’usinage ultrasonique
("ultrasonic machining") et par jet d’eau ("abrasive waterjet machining") ou encore le
micro sablage ("sandblasting machining"). Les matériaux principalement utilisés comme
abrasifs sont le diamant et des céramiques de dureté très élevée comme le carbure de
silicium SiC, le nitrure de silicium Si3 N4 et l’alumine Al2 O3 . Deux méthodes ressortent :
soit ces matières sont fixées sur un outil de forme adaptée (Scie et fraise), soit elles sont

8
 1.1 Le milieu concurrentiel de la découpe

Figure 1.2 – Principe d’usinage par scie mécanique (SD). (a) Vue d’ensemble ; (b) Zoom sur
la zone d’interaction entre l’abrasif et le matériau à usiner avec apparition de micro-défauts en
régime non ductile. Inspiré de [20].

projetées par différents moyens comme les ultrasons, l’eau ou encore l’air comprimé.

Scies et fraises. La première famille présente l’intérêt principal de réaliser des motifs
en lien direct avec la forme de l’outil (Fig. 1.2). Les scies les plus fines peuvent actuelle-
ment atteindre la dizaine de microns de largeur et permettent d’usiner dans une direction
des rainures inférieures à la cinquantaine de µm avec une excellente précision [21,22]. Les
micro-fraises ont un diamètre plus large, autour de 100 µm au minimum mais peuvent
épouser des trajectoires plus complexes [23].
Les inconvénients sont néanmoins nombreux : ce sont des technologies coûteuses du
fait de l’usure de l’outil dont la taille et la précision joueront nécessairement sur le prix
d’achat. De par leur principe, elles induisent des fissurations dans la profondeur du maté-
riau, des déformations plastiques et d’importantes contraintes résiduelles [24,25]. La plus
grande quantité de ces micro fractures inter et/ou trans-granulaires à l’extrême surface
de la région d’usinage est appelée pulvérisation et résulte de contraintes de compression
et de cisaillement élevées. B. Zhang et al. soulignent qu’à ces micro fissures s’ajoutent
des micro cavités qui peuvent apparaître jusqu’à 30 µm sous la zone usinée sur des cé-
ramiques polycristallines [26]. La friabilité du matériau et la taille des grains de l’abrasif
sont mis en avant, sachant qu’un matériau sera d’autant moins endommagé que l’abrasif
sera fin et la vitesse de rotation rapide [27]. Des simulations s’appuyant sur des mesures
électriques de matériaux actifs estiment entre autre qu’une zone affectée thermiquement
adjacente de 10 µm subsiste tandis que les propriétés piézoélectriques sont grandement
affectée sur 5 µm.
Le concept d’abrasion en régime ductile, pour palier à ces endommagements, a dès
lors suscité de nombreux efforts [26, 28]. Il suppose qu’une déformation plastique existe
localement pour de faibles volumes ablatés en maintenant des conditions optimales et une
densité stable de particules abrasives. La technologie actuellement la plus aboutie est la
technologie ELID ("Electrolytic In Process Dressing") qui permet d’atteindre des rugosi-
tés de surface proches miroir par fraisage sur des matériaux même sensibles et friables
comme le PZT [20].

9
Chapitre 1 Les lasers femtosecondes comme outils de découpe

Figure 1.3 – Principe d’usinage par ultrason (USM). L’abrasif est propulsé sans contact sur
le matériau par l’ultrason généré par l’outil sonotrode (ici de forme arbitraire). Inspiré de [29]
et [30].

Ultrasons. Bien que basée sur la même méthode d’abrasion, la technologie ultraso-
nique est particulièrement bien adaptée pour les matériaux friables, durs et non conduc-
teurs tels que les céramiques mais aussi les métaux [29]. Une énergie électrique à haute
fréquence est convertie en vibrations mécaniques par transduction et focalisée par un
outil appelé sonotrode (Fig. 1.3). Une onde longitudinale d’environ 20 kHz transmet son
énergie à une matière abrasive en suspension dans un mélange d’eau ou d’huile qui est
dès lors accélérée en direction de la cible [30]. Bien que l’ablation se produise par micro-
écaillage (matériau dur, [31]) ou déformation plastique (matériau ductile), un minimum
d’endommagement thermique et de contraintes semble en résulter. La chimie du maté-
riau et les propriétés physiques n’en sont également que peu affectées. La forme d’usinage
dépend directement de la forme de la sonotrode constituée de matériaux de haute dureté
comme le carbure de tungstène.
L’inconvénient principal réside donc dans cet outil propre au besoin et nécessitant une
maintenance importante du fait d’une usure rapide au contact de l’abrasif. Ce procédé
est relativement long avec une vitesse d’ablation moyenne d’environ 50 mm3/min [30].
La finition de la surface dépend principalement de la taille de l’abrasif et du matériau
usiné. La largeur minimale moyenne d’un motif est d’environ 100 µm et sa profondeur
peut excéder le mm bien que l’état de l’art évoque la possibilité d’usiner des trous de
5 µm de diamètre [32]. Boy et al. présentent des structures cylindriques dans le PZT de
280 µm de large sur 6 mm de long avec une conicité réduite grâce au contrôle de l’usure
de la sonotrode [33]. Cette technologie offre d’intéressantes perspectives pour l’usinage
de matériaux céramiques type PZT mais nécessite tout de même d’approfondir l’impact
du procédé sur les propriétés physiques en bord de coupe.

Jet d’eau. Le jet d’eau exploite le principe d’érosion en projetant à haute vitesse sur la
cible de la matière abrasive contenue dans un filet d’eau. Cette technique est équivalente
à l’ultrason en matière de procédé d’ablation bien que moins précise et plus violente. Les
derniers progrès permettent cependant d’atteindre théoriquement des largeurs de coupe
concurrentielles d’environ 100 µm avec une précision de 10 µm. Tout comme l’ultrason,
l’embouchure de l’outil est sujette à usure du fait de son contact avec les particules abra-

10
 1.1 Le milieu concurrentiel de la découpe

sives baignant dans l’eau sous pression. C’est une technologie moins coûteuse et rapide
qui engendre tout de même des défauts typiques de l’abrasion comme la fracturation. A
cela s’ajoute la saturation en profondeur pour de petits motifs, probablement due aux
interactions entre la matière sortante et la matière entrante. La forme de l’usinage, la
conicité, la rugosité peuvent être améliorées en fonction de la pression de l’eau, la vi-
tesse de déplacement, la distance à l’échantillon, l’abrasif et les dimensions du jet [34,35].
Une étude comparative entre jet d’eau et scie mécanique montre que bien que le taux
d’ablation fusse 20 fois plus important que celui de la scie, la finition y est d’un ordre
de grandeur supérieure (3 µm par jet d’eau vs 0.3 µm par scie) [36]. Comparé au laser
CO2 , le jet d’eau est également plus coûteux et plus grossier (200 µm de diamètre au
laser contre 600 µm au jet d’eau) bien que les effets thermiques soient moindres et les
profondeurs usinées plus importantes [37]. Une autre étude donne un point de vue dif-
férent sur des matériaux composites trop endommagés par laser [38]. Finalement, le jet
d’eau abrasif a longtemps été exploité pour des usinages davantage macroscopiques que
microscopiques. La qualité y reste grossière à ces échelles bien que d’importants progrès
en termes dimensionnels soient à constater.

Micro-sablage. La technologie par micro-sablage est une technologie récente qui pré-
sente de bonnes perspectives dans le domaine de la micro-découpe et de la micro-texturation.
Le principe tient dans la projection de particules de céramiques neutres à 200 m/s à par-
tir d’un stylet. Ces particules se heurtent à un masque adapté au besoin et permettant
d’usiner sélectivement les zones d’intérêt selon des trajectoires plus ou moins complexes.
La taille minimale des usinages rivalisent avec l’ultrason avec 100 µm de largeur et une
précision de 10 µm tandis que l’angularité des flancs ne peut être inférieure à 15°. Le pro-
cédé peut être parallélisé, ce qui induit une réduction importante des coûts de fabrication
et est adaptable à de nombreux matériaux comme le verre, le silicium, la céramique, le
métal, les plastiques durs et les matières composites.

Le principal défaut de ces techniques d’abrasion réside finalement dans la généra-

tion de contraintes locales dues aux chocs avec les abrasifs et provoquant fissurations
et écaillages. Les matériaux polycristallins en céramique y sont d’autant plus sensibles
qu’ils sont friables et cassants. Certaines d’entre elles comme l’ultrason sont tout de
même proposées pour l’usinage efficace de matériaux fragiles, ce qui tend à prouver que
de nombreuses études doivent encore être menées dans ce domaine.

1.1.2 L’électro-érosion
L’électro-erosion ("electro discharge machining") est une technique bien établie dans
l’industrie depuis 1943 et permet d’usiner sans contact des matériaux très durs sous di-
verses formes [19,39]. Son inconvénient majeur réside dans l’usinage de matériaux conduc-
teurs ayant des résistances maximales de l’ordre de 100 Ω.cm. Elle est donc peu recom-
mandée pour le micro-usinage de céramiques diélectriques, bien que certaines études aient
été menées dans ce sens [40, 41].
Son principe se base sur celui de la foudre : le matériau chargé est baigné dans un
fluide diélectrique auquel on approche une électrode en opposition de charges à une dizaine
de µm. La différence de potentiel associée à des intensités élevées (dizaines d’ampères)
engendre la formation d’une multitudes d’étincelles des suites du claquage du fluide di-

11
Chapitre 1 Les lasers femtosecondes comme outils de découpe

Figure 1.4 – Principe d’usinage par Electro-érosion à fil (WEDM). (a) Vue d’ensemble ; (b)
Zoom sur la zone d’interaction avec ablation par décharges électriques.

électrique. Les particules libres, ions et électrons, sont alors accélérées à de très hautes
vitesses et forment un chemin conducteur d’électricité entre les deux électrodes dont une
est le matériau à usiner. Parmi les théories existantes, la multitude de collisions fait
alors monter la température autour des 10000 °C fondant la matière environnante tan-
dis qu’un plasma se forme ainsi que des bulles de vapeur (Fig. 1.4(b)). Dès lors que le
courant pulsé sur la dizaine de kHz est coupé, la température et la pression chutent, le
plasma s’effondre et les bulles de gaz implosent de sorte qu’une partie de la matière fon-
due soit éjectée dans le diélectrique. Selon certaines études, 60 % de la matière modifiée
serait néanmoins resolidifiée dans la zone d’ablation. Le fluide est constamment renouvelé
afin d’éliminer les résidus mais également afin de conserver les propriétés diélectriques
stabilisant la précision d’usinage.

L’électro-érosion s’emploie dans une multitude de configurations : perçage, rectifica-

tion, fraisage, découpe avec des vitesses d’ablation variant de 400 mm3 /min à 2 mm3 /min
pour les applications les plus précises. L’électrode peut être de 2 types : massive, épou-
sant la forme de l’usinage ou filaire, adaptée à la découpe (Fig 1.4(a), on parle de WEDM
pour "wire electro discharge machining" [42]). Les électrodes à fil peuvent atteindre une
dizaine de µm de diamètre au minimum, avec une moyenne standard de 150 µm. En consé-
quence, elles permettent des découpes relativement fines sur de fortes épaisseurs avec une
très faible conicité et un ratio d’aspect (profondeur/diamètre) pouvant atteindre 100. De
même, les perçages les plus fins peuvent atteindre jusqu’à 5 µm de diamètre [32]. Associée
à des systèmes de translations-rotations, l’électro-érosion est capable d’usiner des objets
aux géométries 3D complexes avec une rugosité de surface inférieure au µm [43].

Cette technologie présente certes du potentiel pour les matériaux conducteurs mais
reste inexploitable pour les isolants. De plus, la zone affectée thermiquement au passage
de l’électrode modifie clairement la structure du matériau qui devient amorphe. Des
défauts d’usinage comme des cratères ou des fissurations induites par les étincelles peuvent
modifier la rugosité de surface et la finition sur des échelles micrométriques [44]. Enfin,
l’usure de l’outil est à prendre en considération et pose la question du coût à long terme.

12
 1.1 Le milieu concurrentiel de la découpe

1.1.3 L’attaque chimique ou "etching"

Cette méthode d’ablation repose sur la décomposition de matière par réaction chi-
mique avec des acides, bases et autres composants. Le matériau, initialement trempé
dans un bain de réactifs, est protégé par un masque à l’image de l’usinage (souvent
imprimé par réactions photosensibles sur une résine), les zones non cachées étant pré-
férentiellement attaquées. Elle est utilisée sur une grande variété de métaux avec des
profondeurs ne dépassant pas quelques millimètres d’épaisseur. Une des applications les
plus connues et des plus simples est la gravure de circuits intégrés pour l’électronique.
Elle peut être exploitée par extension au cas de la découpe. Elle a comme principaux
avantages une ablation relativement douce, l’absence de modification des propriétés mé-
caniques, l’absence de déformations et de contraintes intrinsèques au procédé ainsi qu’une
rugosité de surface faible. Elle est cependant longue, le taux de dissolution par réaction
chimique étant relativement faible, et nécessitant beaucoup de consommables à renouve-
ler. Baude et al. montrent la possibilité d’attaquer le PZT avec une solution de HCl-HF
avec des taux de dissolution d’environ 5 µm/min mais avec des finitions relativement
grossières [45]. Une quinzaine d’année plus tard, Cai et al. exploitent les propriétés de
nouveaux mélanges et parviennent à graver des motifs de 5 µm de large avec des taux
allant de 10 à 600 nm/min en fonction des concentrations et de la température [46].
Bien qu’intéressante, l’attaque chimique reste anecdotique dans le cadre de la micro-
découpe car complexe à mettre en place. Les réactifs à employer dépendent des matériaux
à usiner dont la structure doit être bien connue et nécessite dès lors de perpétuelles
optimisations de procédés afin de profiter d’un taux de dissolution suffisamment grand
pour être industriellement exploitable.

1.1.4 Usinage par radiation

L’usinage par radiation peut tout d’abord être scindé en deux procédés principaux :
direct et indirect. Nous retrouvons dans le premier cas les procédés lasers dont les den-
sités d’énergies après focalisation seront capables d’éjecter la matière. Dans le second, la
lumière est diffuse et permet simplement d’activer des réactions chimiques comme c’est
le cas pour la photolithographie. L’industrie des semiconducteurs utilise cette technologie
afin de designer des motifs électroniques très fins comme les transistors suite à la réaction
entre des résines photosensibles et les rayonnements UV. Elle a été employée avec succès
dans l’usinage de structures nanométriques de PZT, dont la composition sous forme de
gel était sensible à l’UV [47].
L’usinage par radiation est un procédé qui s’affranchit de l’usure de l’outil, des forces
de contact et des vibrations mécaniques. Elle résulte de l’interaction préférentiellement
thermique entre des particules incidentes et la pièce à usiner et peut donc poser le pro-
blème de la modification du matériau à proximité de la zone ablatée sur des échelles
micrométriques. Cependant, le développement important de ces technologies ainsi que
la compréhension de l’interaction permettent désormais de mieux appréhender les méca-
nismes d’usinage et donc d’optimiser les procédés selon les besoins.

Radiation non laser

D’autres technologies plus récentes mais coûteuses et peu développées exploitent des
particules différentes des photons et se centrent davantage sur l’échelle nano que micro. Il

13
Chapitre 1 Les lasers femtosecondes comme outils de découpe

s’agit des électrons que l’on retrouve dans les canons à électrons des microscopes électro-
niques et les ions utilisés dans les FIB ("Focused Ion Beam", faisceau d’ions focalisé) [18].
La lithographie par faisceau d’électrons repousse les limites de la diffraction de la lumière
atteinte par photolithographie dans le domaine des semiconducteurs. Elle est générale-
ment associée au procédé de microfabrication LIGA [48] utilisant initialement des rayons
X synchrotron comme méthode d’irradiation lithographique et permettant d’atteindre
des ratios d’aspect de 100, des angles très abrupts et une rugosité de surface de l’ordre
de 10 nm pour des dimensions de dizaines de nanomètres. Les faisceaux d’ions sont uti-
lisés principalement dans la préparation d’échantillon pour la microscopie. Il est tout de
même nécessaire de les citer puisque cette méthode est destructive (due à l’implantation
ionique agissant schématiquement comme un abrasif infinitésimal et de très haute énergie)
et permet d’atteindre des dimensions extrêmement petites de l’ordre du nanomètre [18].

Radiation laser
La majorité des lasers commerciaux comme le laser ruby, l’hélium-néon, le CO2 , le
Nd :Yag, l’ion-argon ou les excimers, sont apparus entre les années 1960 et 1980 et se sont
vus attribués un panel d’applications extrêmement varié [49,50]. Deux grandes catégories
d’utilisation se distinguent néanmoins : les applications nécessitant de hautes énergies
visant à interagir avec un matériau et les applications basses énergies où la lumière émise
est exploitée comme un moyen d’éclairement, de mesure ou de transport/lecture d’infor-
mations.

Longueur d’onde. Parmi les technologies à hautes énergies se trouve la catégorie des
usinages où les lasers sont très compétitifs et polyvalents. Les possibilités d’usinage des
matériaux ne reposent non plus sur leurs propriétés mécaniques mais sur leurs propriétés
optiques et/ou thermiques. Dès lors, les céramiques, même isolantes et de hautes duretés
peuvent être irradiées par des lasers adaptés [17]. En particulier, sur des échelles où la
densité d’énergie ne permet pas la génération d’effets non linéaires (nous verrons plus
tard que ce n’est pas le cas des lasers ultra-brefs), la longueur d’onde d’émission λ du
laser doit pouvoir coïncider avec l’énergie nécessaire pour dépasser la bande interdite du
matériau notée Egap :
hc
Elaser = hν = ≥ Egap , (1.1)
λ
avec ν la fréquence de l’onde lumineuse (Hz), c la célérité de la lumière (≈ 3 × 108 m/s)
et h la constante de Planck (6.63×10−34 J.s). Un matériau semiconducteur comme le
silicium de bande interdite 1.12 eV requiert une radiation de longueur d’onde maximale
de 1100 nm pour que celle-ci soit absorbée. Le diamant, isolant de bande interdite 5.5 eV,
n’est absorbant qu’à l’UV, en dessous de 226 nm, ce qui explique en partie sa transparence
dans le domaine du visible (400-800 nm). Bien que particulièrement vrai pour les diélec-
triques et les semiconducteurs, les métaux eux ne souffrent pas de cette propriété sachant
que cette bande interdite leur est par définition inexistante. Les photons sont absorbés
par les électrons libres qui à leur tour transmettent leur énergie au réseau. L’énergie lumi-
neuse est finalement transformée en agitation thermique qui conduira à l’ablation. Leur
découpe peut donc être réalisée avec des lasers de faible énergie photonique comme les
lasers à CO2 très exploités dans le milieu industriel. Ils émettent sur 2 plages de longueurs
d’onde : 9.4 µm et 10.6 µm, ce qui équivaut à 0.13 eV et 0.11 eV. Ce sont les lasers les
plus puissants du marché pouvant atteindre une puissance moyenne d’une centaine de

14
 1.1 Le milieu concurrentiel de la découpe

kW dans l’infrarouge et sont particulièrement appréciés pour la coupe ou la soudure de

tôles industrielles. Ils génèrent un fort échauffement dans la zone d’éclairement jusqu’à ce
que le matériau rentre en fusion puis en ébullition, portant les dégâts collatéraux sur des
dizaines de µm autour de la surface irradiée. Les lasers Nd :YAG émettent à des longueurs
d’onde de 1064 nm (ainsi que plusieurs autres moins courantes) et sont également large-
ment utilisés dans ces domaines mais offrent la possibilité supplémentaire d’être adaptés
en longueur d’onde par doublage ou triplage fréquentiel [51].
L’usinage, à l’inverse d’être photothermique comme décrit précédemment, peut deve-
nir photochimique lorsque les photons ont suffisamment d’énergie pour venir briser les
liaisons des molécules [52] plutôt que de les exciter par chauffage. Les lasers excimers qui
émettent dans l’UV constituent le principal moyen d’y parvenir [53, 54]. Les effets ther-
miques sont réduits au minimum ainsi que l’endommagement résiduel dans le matériau,
pendant et après l’ablation. Une seconde option pour atteindre ces niveaux d’énergie se
base sur des phénomènes non linéaires ou plusieurs photons viennent s’additionner pour
autoriser le passage inter-bande. C’est l’absorption multiphotonique, permise à partir
d’intensités crêtes extrêmement élevées de l’ordre du GW de certains lasers pulsés [55].

Durée d’impulsion. De manière générale, les lasers pulsés constituent la majeure

partie des lasers conventionnels utilisés dans l’industrie. L’énergie est concentrée dans
des impulsions plus ou moins longues, allant de la seconde à la femtoseconde (10−15 s).
Cependant, la génération d’impulsion attoseconde (10−18 s) a déjà été démontrée en
laboratoire.
La durée de l’impulsion laser a une forte influence sur la qualité d’usinage [56]. Un
laser nanoseconde ne peut atteindre que de faibles intensités crêtes sur une longue durée
à puissance moyenne et énergie constante. L’impulsion étant temporellement plus longue
que les échanges thermiques dans le matériau, ceux-ci sont donc entretenus au cours de
l’interaction et créent un endommagement local. De plus, le plasma résultant de l’ablation
interagit avec le laser et crée un phénomène d’écrantage dégradant soit la qualité du
faisceau incident, soit le taux d’usinage [15]. Les lasers à impulsions ultra-courtes dont
le fonctionnement et les avantages seront détaillés dans la seconde partie de ce chapitre
évitent ces problèmes : l’interaction avec la matière s’effectue avant le transfert de chaleur
par les électrons tandis que l’expansion du plasma n’a pas débutée [57, 58]. Les hautes
intensités générées et transmises en premier lieu aux électrons permettent de plus de
chauffer très rapidement le matériau de sorte que la quantité de matière éjectée devienne
très importante et limite le transfert de la chaleur dans le matériau. L’excellente qualité
d’usinage obtenue par de tels lasers ultra-brefs devient alors équivalente à une ablation
photochimique engendrée par les lasers UV de plus longues durées d’impulsions [59].

Cadence. La fréquence des impulsions est également un facteur affectant la qualité

d’usinage : un régime kHz laissera un délai de l’ordre de la milliseconde au matériau
pour se relaxer tandis qu’un régime MHz peut engendrer une accumulation de chaleur
par palier [60].

Alors que nous venons d’entrevoir les effets principaux de la longueur d’onde, de la
durée d’impulsion et de la cadence qui restent des paramètres intrinsèques au cristal
laser et à la technologie employée, d’autres critères peuvent affecter la qualité et la pré-
cision d’usinage. La polarisation, la focalisation, la puissance, la vitesse de translation

15
Chapitre 1 Les lasers femtosecondes comme outils de découpe

du faisceau, la dynamique d’usinage, l’environnement en font entre autre partie et sont

fortement relatés dans la littérature [54, 61–64].

Polarisation. A titre d’exemple, la polarisation du faisceau affecte l’absorption de la

radiation lumineuse en fonction de l’angularité entre les flancs d’usinage et le faisceau
incident [65–67]. Des travaux ont conduit à des structures de polarisation très spécifiques
permettant de mettre en évidence son impact sur la conicité des flancs et l’efficacité de
découpe. Aussi, elle est à priori responsable de la formation de nanostructurations de
surface appelées ripples dont l’origine fait toujours débat [68].

Focalisation et densité d’énergie. La focalisation, qui permet de réduire la taille

du faisceau sur l’échantillon et d’augmenter la densité d’énergie, engendre des structures
d’une finesse de l’ordre de la limite théorique de diffraction donnée par le rayon de la
tache d’Airy : rAiry = 1.22λf /2D où D est le diamètre du faisceau à l’entrée de la lentille
de distance focale f . Plusieurs degrés d’endommagement résultent de la densité d’énergie
appliquée sur le matériau : seuil de modification (oxydation, amorphisation, changement
d’indice optique), seuil de marquage, de fonte, d’ablation [69]. . . La limite théorique de la
dimension d’usinage peut être dépassée en jouant sur ces seuils de sorte que seule la partie
la plus énergétique du faisceau interagisse avec le matériau. Des structures de centaines
de nanomètres de diamètre ont déjà été démontrées.
Dans les milieux scientifiques et industriels, un point d’honneur est porté sur les
moyens de quantifier l’interaction et d’estimer les vitesses d’usinage. Il y est décrit entre
autre que : l’usinage est d’autant plus rapide que la densité d’énergie est grande jusqu’à
saturation ; l’environnement sous vide accélère l’usinage qui n’est plus gêné par l’absorp-
tion et l’écrantage du plasma chaotique d’ionisation de l’air ; l’accumulation d’impulsions
en un point réduit les seuils d’endommagement. . . Remarquons aussi que l’utilisation
de focales plus courtes génère des saturations en profondeur plus rapides par effet de
diffraction au cours de l’usinage [70].

Procédé. La qualité et la vitesse d’usinage sont également fortement dépendantes du

procédé utilisé. Dans le cas de l’usinage de cavités, on pourra par exemple utiliser la
percussion où le faisceau sera fixe ou la trépanation où le faisceau se déplacera sur le
pourtour de la cavité [60]. Ce dernier engendre des cavités plus uniformes sur la profondeur
par rabotage des bords et s’applique à d’autres formes comme pour le rainurage.
Le ratio d’aspect, généralement faible avec un faisceau classique à cause de la satura-
tion de forme gaussienne de l’usinage est actuellement étudié grâce à la mise en forme de
faisceau. Les faisceaux de Bessel atteignent actuellement dans le verre des ratios proches
de 100 en une impulsion. La vitesse d’usinage y est alors de 30 µm par impulsion sur un
diamètre de moins de 500 nm [71, 72]. D’autres techniques de mise en forme de faisceaux
sont exploitées pour augmenter ces performances. Cela peut aller de la simple image d’un
masque [60, 73] à l’utilisation de technologies plus ambitieuses comme les SLM (Spatial
light modulator) où l’amplitude et/ou la phase de l’onde lumineuse sont modulées par
réflexion ou transmission dans des matrices de cristaux biréfringents. Des faisceaux car-
rés, triangulaires, en forme de donut, voire même la parallélisation de procédé sont dès
lors accessibles grâce à cette technologie [74, 75].

Dans le domaine laser, la vitesse d’usinage, le ratio d’aspect et la qualité peuvent être
très variables en fonction de tous ces paramètres et il est difficile de tirer des tendances

16
 1.1 Le milieu concurrentiel de la découpe

générales connaissant la nature dépendante de l’interaction avec le matériau. Chaque pièce

à usiner présente son seuil propre à une longueur d’onde et une durée d’impulsion données.
La profondeur d’usinage peut aller de la dizaine de nanomètre pour les applications les
plus fines et de basse énergie et atteindre plusieurs µm/impulsion pour le micro-usinage.
Elle peut néanmoins être encore plus importante sur des lasers à CO2 qui rivalisent
de vitesse mais au détriment d’effets thermiques et mécaniques collatéraux inadaptés à
l’échelle du micromètre.
Les lasers constituent finalement la technologie d’usinage la plus polyvalente mais
nécessitent une optimisation fine des conditions d’irradiation. Il existe une multitude de
lasers dont l’interaction avec les matériaux diffère tandis que chacun d’entre eux possède
une grande quantité de paramètres internes à optimiser [76]. Néanmoins, ils peuvent
usiner n’importe quel type de matériau, sans contact, et sur des critères de qualités et
d’efficacité extrêmement variables. La connaissance des propriétés de ces faisceaux mais
aussi des matériaux contribue à la compréhension des mécanismes d’absorption et au
développement de ces technologies au fort potentiel d’adaptation.

1.1.5 Méthodes hybrides

Parmi les technologies évoquées précédemment, il arrive que certaines soient associées
afin de pallier leurs défauts respectifs. Évoquons quelques-unes de ces combinaisons de
manière non exhaustive.
Tout d’abord, l’érosion électro-chimique ("electro chemical discharge machining") est
présentée comme un moyen d’usiner des matériaux de haute dureté et non conducteurs
comme les céramiques [19, 40, 77]. Le matériau est baigné dans un électrolyte et la for-
mation locale d’étincelles aux abords de la zone à usiner avec l’électrode outils provoque
l’ablation de la matière. Cette technique reste cependant peu efficace, la majorité de
l’énergie étant employée pour la génération de ces étincelles qui ne transmettent pas l’in-
tégralité de leur énergie à l’ablation. L’électro-érosion peut également être associée à un
usinage mécanique où l’action conjointe de l’abrasif et des décharges permettent d’atta-
quer la matière même non conductrice [78]. Yan et al. exploitèrent l’électro-érosion pour
la fabrication d’un outil utilisé ensuite pour l’usinage de trous à l’ultrason dans une seule
et même procédure [79]. L’ultrason peut assister les procédés abrasifs, comme résumés
pour le rodage ou pour la découpe à la scie [80,81]. Le faible taux d’ablation de l’ultrason
est amélioré de 40 à 200% par Choi et al. qui fragilisèrent le matériau par attaque d’un
acide fluorhydrique avant abrasion [82]. Un laser adapté peut également venir remplacer
le solvant. La technologie C3M utilise une attaque chimique afin de modifier en surface les
propriétés du matériau après quoi un outil mécanique vient raboter de manière ductile la
matière [83]. Elle évite les remontées de matière en bord d’usinage, limite la fracturation
et rend les flancs plus abrupts. L’usinage laser peut être associé à des liquides réactifs ou
non afin de limiter les zones affectées thermiquement et évacuer la matière ablatée [84,85].
Bellouard et al. réalisèrent des usinages sur SiO2 aux forts ratios d’aspect après que celui-
ci fut irradié par un laser ultra-bref suivi d’une attaque à l’acide fluorhydrique [86]. Hibi et
al. démontrèrent la possibilité de faire du poli miroir sur des céramiques dures et friables
comme le SiC par interaction entre de l’eau déionisée et un laser à excimères [87]. L’eau
est aussi exploitée en tant que guide d’onde à basse pression pour améliorer la conicité
des usinages laser en maintenant une trajectoire rectiligne dans le matériau sans générer
de contraintes mécaniques [88]. Des essais ont enfin été faits par association de l’ablation
laser avec la vibration ultrasonique du matériau [89]. Il semble en outre que les dépôts

17
Chapitre 1 Les lasers femtosecondes comme outils de découpe

Figure 1.5 – Comparatif des techniques principales d’après les critères de coûts d’achat et
d’entretien, d’usure de l’outil, de qualité des réalisations, d’adaptabilité en matière de matériaux
et de formes d’usinage, de vitesse, de précision et d’endommagements à l’échelle microscopique.
Le laser femtoseconde et l’ultrason se distinguent en particulier pour l’usinage de matériaux
durs et fragiles comme les céramiques.

de matière soient moins importants lors de la vibration de l’échantillon et que le taux

d’usinage soit amélioré de 15%.

En conclusion de cette revue, la Fig. 1.5 offre une vue qualitative des avantages et
inconvénients des techniques conventionnelles vis à vis du micro-usinage de matériaux
diélectriques. Alors que les lasers femtosecondes et l’ultrason ressortent positivement,
l’électro-érosion et la scie mécanique cumulent les inconvénients.

1.2 Physique des lasers ultra-brefs et interaction avec

la matière
Les impulsions ultra-courtes sont issues de la manipulation des propriétés des systèmes
lasers déjà existants. Alors que nous ne reviendrons pas sur leurs principes initiaux d’émis-
sion (voir Annexe A), nous insisterons cependant sur la théorie et les moyens spécifiques
à la génération de faisceaux impulsionnels, en particulier à très courtes durées et à très
hautes puissances instantanées. Les caractéristiques de propagation jusqu’au matériau à
usiner y seront ensuite détaillées pour enfin terminer sur les mécanismes d’interaction
avec la matière.

1.2.1 Principes de génération d’impulsions femtosecondes

A partir d’un laser traditionnel, trois étapes sont nécessaires à l’obtention d’un fais-
ceau femtoseconde : le "Q-switching", le "Mode-locking" et le "Chirping". Alors que le
premier est responsable du cadencement et indépendant des origines du faisceau, nous

18
 1.2 Physique des lasers ultra-brefs et interaction avec la matière

verrons que le "Mode-locking" et le "Chirping" tirent partie de la largeur spectrale d’émis-

sion permise par le milieu amplificateur. En outre, une impulsion sera d’autant plus brève
et intense que la radiation sera polychromatique.

A l’allumage d’un laser, le pompage par une source externe initie l’excitation d’un
milieu amplificateur à l’origine de l’effet d’émission stimulée. Associée à une inversion de
population et à une cavité résonante, la radiation laser se stabilise en un état d’équilibre
dépendant des propriétés du système (flux d’excitation, vitesse de décroissance du niveau
excité, dimensions de la cavité). Dans la plupart des lasers solides cependant, l’intensité
de saturation ne coïncide pas avec la densité maximale de population du niveau excité
Nu accessible. En d’autres termes, le milieu amplificateur pourrait émettre un faisceau
encore plus intense. La densité de photons peut donc être théoriquement améliorée en
entretenant l’amplification avec minimisation des pertes puis en expulsant cette forte
densité sous forme d’impulsion très énergétique.

Q-switching. Le "Q-switching" est représentatif de ce principe où Q est le rapport

entre l’énergie stockée et l’énergie dissipée. Le système oscille alors entre un fort puis un
faible facteur Q en ouvrant et fermant la cavité (lorsque la cavité est fermée, l’énergie
stockée augmente tandis que l’énergie dissipée est presque nulle et inversement). Ce prin-
cipe permet d’atteindre des impulsions au mieux de l’ordre de la nanoseconde [11] selon
diverses méthodes dites passives ou actives. Les absorbants saturables sont des moyens
passifs, c’est à dire qu’ils engendrent le "Q-switching" sans intervention mécanique ou
électrique mais seulement par évolution de leurs propriétés devant l’intensité du faisceau.
La transmission de ces matériaux augmente dès lors que l’intensité dépasse un certain
seuil. Il existe à l’inverse une multitude de technologies actives de "Q-switching". Nous
distinguons les miroirs rotatifs dont la vitesse de rotation est liée au taux de décroissance
du niveau excité ou les systèmes jouant sur la polarisation du faisceau. Parmi ces derniers,
les shutters électro-optiques et les cellules de Pockels sont capables de faire tourner la po-
larisation à chaque traversée dans la cellule. Associé à des cristaux aux extrémités usinées
avec des angles de Brewster (transmission si polarisation dans le plan d’incidence, sinon
réflexion), le changement de polarisation permet ou non d’évacuer la lumière et donc de
passer d’un fort facteur Q à un faible facteur Q.

Mode-locking. Pour atteindre des durée d’impulsions encore plus faibles, le "Mode-
locking" exploite la mise en phase des modes longitudinaux de la cavité laser. En effet, ses
dimensions n’autorisent l’entretien que de certaines longueurs d’onde vérifiant la relation
(A.18) donnée en annexe. De plus, un laser n’est jamais purement monochromatique
mais émet sur une plage de longueur d’onde ∆λ dépendante des propriétés du cristal
amplificateur. Nous supposons donc qu’il existe N modes de fréquence νn qui oscillent
librement dans la cavité, ce nombre étant limité par la largeur spectrale ∆λ. Chaque mode
peut être représenté par un champ électrique sinusoïdal E(t) de fréquence variable :
N −1
E(t) = E0 ei(2πνn t + φn ) , (1.2)
X

n=0

avec φn déphasage de l’onde n, νn+1 −νn = c/2nd d’après l’éq. (A.18) et φn+1 −φn aléatoire.

19
Chapitre 1 Les lasers femtosecondes comme outils de découpe

En fixant φn = φ0 , des interférences constructives apparaissent en certains points de

la cavité à l’image de la Fig. 1.6 [12, 13]. L’intensité, liée au carré du module du champ
électrique I(t) = |E(t)|2 , vaut alors N E02 dans le cas où le déphasage est aléatoire alors
qu’elle sera modulée dans le second cas selon l’équation :

2 sin (N ∆ωt/2)
2
I(t) = E0 , (1.3)
sin (∆ωt/2)
2

avec ∆ω = 2π(νn+1 − νn ), l’écart entre deux pulsations successives (Hz). Nous en

déduisons alors que les maxima apparaissent pour ∆ωt/2 = kπ, soit avec une période de
T = 2nd/c.
Surtout, la largeur temporelle de ces pics d’intensités vaut ∆t = 2π/∆ωN , ce qui
est équivalent à l’inverse de la bande spectrale du milieu amplificateur. Une impulsion
mode-lockée est donc d’autant plus courte que la plage d’émission du cristal est grande, ce
pourquoi les lasers Ti :Saphir sont particulièrement adaptés puisqu’ils émettent sur une
plage importante de longueurs d’onde d’environ 200 nm. La durée minimale théorique de
ces impulsions ultra-courtes approche alors la femtoseconde.
Expérimentalement, la mise en phase des modes longitudinaux est réalisée de façon
équivalente au "Q-switching" avec l’utilisation d’un obturateur actif ou passif à l’intérieur
de la cavité.

Figure 1.6 – Principe du Mode Locking. De haut en bas : 3 modes longitudinaux de pulsation
ω à 3ω, les trois modes regroupés et intensité totale I(t) = |E(t)|2 . Les modes sont en phase à
chaque marque d’abscisse, l’intensité y est maximale en ces points.

Chirping. Après "Mode-locking", l’énergie contenue dans une impulsion ultra-courte

devient insuffisante pour permettre un usinage efficace de la matière après focalisation.
Or son amplification pose également problème du fait de sa durée excessivement courte.
En effet, les puissances crêtes instantanées deviennent très importantes de sorte que le
faisceau risque d’endommager un éventuel cristal amplificateur.
Pour amplifier néanmoins ces impulsions, Strickland et Mourou développèrent en 1985
une technique d’amplification appelée "Chirping" et qui exploite à nouveau la propriété de
polychromatisme des impulsions ultra-brèves [90]. L’impulsion est étirée temporellement

20
 1.2 Physique des lasers ultra-brefs et interaction avec la matière

grâce à une paire de réseaux arrangée de sorte à ce que les basses fréquences soient en
avance devant les hautes fréquences. L’allongement résultant est estimée entre 103 et 105
par rapport à l’impulsion originale. L’énergie étant conservée, la puissance crête devient
largement réduite afin d’éviter les problèmes d’endommagement. Une amplification sup-
plémentaire d’un facteur 106 ou plus à la traversée de milieux actifs complémentaires peut
désormais être réalisée suivie enfin d’une recombinaison des fréquences par un système
de réseaux semblable à l’étirement.

La forme temporelle finale de l’impulsion étant assimilable à une gaussienne, elle

s’exprime en matière de puissance par :

t2
−4ln(2) 2
P (t) = Pmax e τF W HM , (1.4)

avec τF W HM pour "Full Width Half Maximum", largeur temporelle à mi-hauteur. Or la

mesure de puissance donnée par un puissance-mètre est constante car moyennée sur une
grande quantité d’impulsions. Nous pouvons donc en conclure que l’énergie contenue dans
une impulsion, soit l’intégrale de l’éq. (1.4), est égale à l’énergie issue du produit entre la
puissance moyenne Pmoy et l’écart temporel T ′ entre 2 impulsions (T ′ ≫ F W HM ) :

t2 t2
Z T ′ /2 −4ln(2) 2 Z ∞ −4ln(2) 2
Pmax e τF W HM dt ≈ Pmax e τF W HM dt (1.5)
−T ′ /2 −∞
s
τF W HM π
= Pmax (1.6)
2 ln(2)
= Pmoy T ′ . (1.7)

Nous pouvons dès lors en conclure que :

Pmax τF W HM ≈ 0.94Pmoy T ′ ≈ Pmoy T ′ . (1.8)

Finalement, les impulsions ultra-courtes amplifiées en sortie d’un laser commercial

atteignent en moyenne des durées allant d’une dizaine à plusieurs centaines de femtose-
condes, des énergies Ep de l’ordre du dixième de mJ pour des puissances moyennes de
l’ordre du W, à des cadences ∆ν = 1/T ′ oscillant autour du kHz. Pour un faisceau de
diamètre D = 1 cm émettant des impulsions de 100 fs cadencées à 1 kHz et de puissance
moyenne 1 W, les puissances et intensités crêtes instantanées Pmax et Icrête atteignent
alors respectivement 10 GW et 13 GW/cm2 , rendant aisément accessibles de nombreux
effets non-linéaires exploités dans les milieux scientifiques et industriels.

1.2.2 Propriétés spatiales des faisceaux lasers et propagation

Équations de propagation
En 1864, Maxwell définit pour la première fois la lumière comme une onde électro-
~ et magnétiques B
magnétique [91] dont les propagations des champs électriques E ~ sont
régis par 4 lois bien connues : Maxwell-Gauss, Maxwell-Thomson, Maxwell-Faraday et
Maxwell-Ampère. La manipulation de ces équations locales dans le vide permet de déduire

21
Chapitre 1 Les lasers femtosecondes comme outils de découpe

l’équation de propagation de Helmholtz dans laquelle interviennent les composantes spa-

tiales et temporelles de chacun des champs. En particulier dans le système de coordonnées
~ s’exprime selon :
cartésiennes (x, y, z) et temporelle t, le vecteur E

~ θ, z, t)
∂ 2 E(r,
~ E(x,
∆ ~ y, z, t) − µ0 ǫ0 = ~0 , (1.9)
∂2t
1 ~ désigne un Laplacien vectoriel.
où µ0 ǫ0 = et ∆
c2
L’équation de Helmholtz admet en outre pour solution l’onde sphérique divergente de
la forme :

E0 −ikr iωt
E(x, y, z, t) = e e , (1.10)
r

q 2πc 2π ω
avec r = x2 + y 2 + z 2 ; ω = 2πν = et k = = . (1.11)
λ λ c
r symbolise la distance au point d’observation et ω la pulsation de l’onde lumineuse,
reliée à sa fréquence ν. k est appelé vecteur d’onde et est inversement proportionnel à la
longueur d’onde à 2π près.

Nous nous plaçons dans le cas où la propagation s’effectue sur une direction z, x et y
décrivant le plan transverse à cette direction. Dans le cadre de l’approximation paraxiale,
l’observation s’effectue à proximité de l’axe optique, ce qui implique que les coordonnées
x et y restent très petites devant z. Un développement limité au voisinage de zéro nous
permet finalement de réécrire r par :
s
x2 + y 2 x2 + y 2
r =z 1+ ≈0 z + . (1.12)
z2 2z

Le champ électrique de l’éq. (1.10) s’exprime alors par :

x2 + y 2
E0 −ikz −ik
Eparaxial (x, y, z, t) = e e 2z eiωt . (1.13)
z

Approximation gaussienne et notion de fluence

Les faisceaux lasers peuvent généralement être modélisés par des faisceaux gaussiens,
solutions approchées de l’équation de Helmholtz dans le cadre de l’approximation pa-
raxiale [92]. Ils ont pour origine l’utilisation des cavités résonantes utilisées pour l’am-
plification et n’autorisant que certains modes de propagations. En outre, nous avons vu
précédemment qu’il existait des modes longitudinaux dans une telle cavité. La réalité est
légèrement plus complexe puisqu’un autre type de mode existe, dit transverse et noté
T EMij . Pour i = j = 0, la répartition d’éclairement est une gaussienne de révolution,
mode naturel le plus commun aux émissions lasers. Le champ électrique du T EM00 suit
alors la solution (1.13) avec en coordonnées cylindriques (r, θ, z) où r vaut désormais

22
 1.2 Physique des lasers ultra-brefs et interaction avec la matière

q
x2 + y 2 ) une partie spatiale égale à :

E(r, θ, z) = E(r, z) (1.14)

2
r
−ik
= Ez eiζ(z) e 2q(z) e−ikz (1.15)
r2 r2
ω0 iζ(z) −ik −
= E0 e e 2R(z) e nω 2 (z) e−ikz , (1.16)
ω(z)
1 1 λ 1
où = − i= . (1.17)
q(z) R(z) nπω (z) 2 q0 + z

Décrivons les différents termes de l’éq. (1.16) :

– E0 est l’amplitude du champs électrique en z = r = 0.
ω0
– est un terme de normalisation, l’amplitude du champ électrique variant indi-
ω(z)
rectement avec la propagation z à partir de ω qui n’est ici pas la pulsation lumineuse
mais le rayon de la gaussienne spatiale en e−2 .
– eiζ(z) est un terme de déphasage absolu dit de "Gouy".
r2
−ik
– e 2R(z) est représentatif de la phase spatiale de l’onde dont R(z) est le rayon
de courbure réel.
r2
− 2
– e nω (z) traduit la forme gaussienne du champ dans le plan transverse à la direc-
tion de propagation z et de rayon ω(z).
– Enfin, e−ikz est le terme définissant la direction de propagation en z.

q(z) donné à l’éq. (1.17) est appelé rayon de courbure complexe. En z = 0, le rayon
transverse ω0 de la gaussienne est minimal, on parle alors de waist, et le rayon de courbure
de la phase spatiale vaut R0 = ∞. Nous en déduisons la valeur de q(0) puis en associant
les parties réelles et imaginaires de cette même équation, l’évolution de ω(z) et R(z) :
s
z2
ω(z) = ω0 1 + , (1.18)
zR2
zR2
R(z) = z + . (1.19)
z

nπω02 √
zR = est la distance de Rayleigh pour laquelle ω(zR ) = 2ω0 . La surface du
λ
faisceau est alors doublée par rapport à sa valeur en z = 0. L’indice de réfraction n est
fixé à 1 pour simplifier l’étude. Nous remarquons que pour z ≪ zR , le rayon de courbure
tend vers l’infini et s’approche d’une onde plane progressive. A l’opposé, lorsque z ≫ zR ,
ω(z) croît, le rayon de courbure tend vers z et la phase s’assimile à celle d’une onde
sphérique.
La divergence θ loin du waist ω0 définit l’ouverture angulaire du faisceau :

2ω(z) 2λ
θ = lim = . (1.20)
z→+∞ z πω0

23
Chapitre 1 Les lasers femtosecondes comme outils de découpe

Figure 1.7 – A droite : évolution du rayon d’un faisceau gaussien ω(z) avec la distance z. A
gauche : variations de la distribution gaussienne en intensité en z = 0 et z arbitraire.

L’intensité (W/cm2 ) d’une telle onde est enfin reliée au carré du module du champ
électrique, d’où :
r2
ω0
!2
−2
e ω (z) .
2
I(r, z) = I0 (1.21)
ω(z)
Les caractéristiques de propagation d’un faisceau gaussien parfait sont résumées Fig.
1.7.

Nous définissons la fluence F comme la densité d’énergie par unité de surface, exprimée
en J/cm2 :
r2
−2 2
F (r, z) = F (z)e ω (z) .
crête (1.22)
La fluence moyenne Fmoy en un plan transverse à z fixé est calculée à partir de la puissance
moyenne Pmoy , la cadence laser ∆ν, et la taille du faisceau ω(z) de sorte que :

Ep Pmoy
Fmoy (z) = = . (1.23)
∆νπω (z)
2 ∆νπω 2 (z)

L’énergie contenue dans ce plan est aisément déductible en coordonnées cylindriques

par un changement de variable judicieux du type u = r2 :
Z +∞ πω 2 (z)
Ep = F (r, z).2πr dr = Fcrête (z) . (1.24)
0 2

Nous obtenons finalement la relation liant la fluence moyenne Fmoy à la fluence crête
Fcrête :
2Ep
Fcrête (z) = = 2Fmoy (z) . (1.25)
πω 2 (z)
La propagation des faisceaux gaussiens T EM00 selon les équations vues ci-dessus
constitue le cas idéal en limite de diffraction. La grande majorité des lasers présentent ce-
pendant d’autres modes d’ordre supérieur qui ne se propagent pas de manière gaussienne.
Un paramètre, noté M 2 , rend néanmoins compte de l’écart entre un faisceau théorique

24
 1.2 Physique des lasers ultra-brefs et interaction avec la matière

parfaitement gaussien et un faisceau laser réel. On utilise pour cela le produit ouverture
angulaire × waist :

2λ
θréel ωréel = M 2 θth ωth = M 2
, (1.26)
π
πω02
Egalement, zR = 2 . (1.27)
M λ
Le M 2 d’un faisceau gaussien est généralement compris entre 1 et 2, 1 étant le cas par-
fait. Un faisceau laser de M 2 supérieur à 1 aura un waist ω0 plus grand, une distance de
Rayleigh zR plus courte et une divergence θ plus importante qu’un faisceau idéal.

Enfin, il arrive que les faisceaux en sortie des lasers soient entachés de défauts dus par
exemple à de la diffraction sur les bords suite à des problèmes d’alignement interne. On
utilise dès lors des diaphragmes afin de filtrer la partie centrale. Dans l’hypothèse d’un
faisceau parfaitement collimaté, sa taille est alors clairement définie par le diamètre de
ce diaphragme. Belland et al. démontrèrent qu’un diaphragme peut grandement modifier
les propriétés de propagation d’un faisceau gaussien en fonction du rapport a/ωa où a est
le rayon de l’ouverture et ωa celui du faisceau dans le même plan [93]. Il conclut que pour
un ratio a/ωa > 3, les effets de diffraction sont négligeables et les propriétés du faisceau
gaussien sont inchangées. Si 1.6 < a/ωa < 3, le faisceau présente des caractéristiques
légèrement différentes alors qu’un rapport inférieur à 1.6 implique que le profil ne soit
plus gaussien mais présente des effets de diffraction importants.

Focalisation et plan d’usinage

Considérons un laser femtoseconde présentant des caractéristiques similaires à celui
de notre étude : cadence d’impulsions de 5 kHz ; puissance moyenne de 1 W ; faisceau
collimaté de 7 m de diamètre. L’éq. (1.25) nous permet d’estimer une fluence crête de
1.04 × 10−3 J/cm2 . Comme il le sera remarqué plus tard dans ce document, les seuils
d’usinage de la majorité des matériaux inorganiques employés dans l’industrie sont dans
le cas d’impulsions ultra-brèves davantage de l’ordre de 0.1 J/cm2 voire supérieurs. La
fluence requise pour une découpe est donc insuffisante, ce pourquoi il est nécessaire pour
la plupart des applications de focaliser le faisceau en vue de concentrer son énergie. La
focalisation par des lentilles minces convergentes peut produire des aberrations chroma-
tiques si la source possède plusieurs longueurs d’onde (source polychromatique), c’est à
dire que chaque longueur d’onde ne va pas être focalisée au même point. L’énergie s’en
retrouverait donc étalée et la fluence au plan focale, inférieure à la valeur attendue. Or
nous avons vu précédemment que les impulsions femtosecondes sont d’autant plus brèves
que la bande d’émission en longueur d’onde est grande. Ces aberrations peuvent être
réduites grâce à l’emploi de doublets achromatiques, ou achromats, qui sont constitués
d’un couple de lentilles convexes et concaves accolées l’une à l’autre.

Les matrices ABCD sont un moyen simple et pratique de traduire l’évolution des
propriétés des rayons lumineux lors de leur propagation et de leur interaction avec divers
éléments optiques. Elles se caractérisent par :
    
r
 2 = 
A B   r1 
, (1.28)
θ2 C D θ1

25
Chapitre 1 Les lasers femtosecondes comme outils de découpe

Figure 1.8 – Principe de focalisation d’un faisceau gaussien par une lentille mince convergente.

où r et θ sont respectivement la distance et la direction angulaire par rapport à l’axe

optique, les indices 1 et 2, l’état initial et l’état final. Plusieurs types de matrices ABCD
peuvent finalement être définis comme par exemple :

Translation Dioptre Lentille mince

   
1 0 1 0
 
1 d
n1   1  ,
  
0

0 1 − 1
 
n2 f

où d est la distance parcourue, n1 et n2 sont les indices optiques avant et après le

dioptre et f la focale de la lentille (f > 0 pour une lentille convergente et f < 0 pour une
lentille divergente).
L’évolution des faisceaux gaussiens au cours de leur propagation peut être également
décrite par les matrices ABCD moyennant la relation reliant les nouvelles caractéristiques
du rayon de courbure du faisceau q2 (z) par rapport aux caractéristiques initiales q1 (z) :

Aq1 (z) + B
q2 (z) = . (1.29)
Cq1 (z) + D

D’après (1.17), q1 (z) et q2 (z) peuvent avoir des rayons de courbures R1 (z) et R2 (z)
ainsi que des rayons transverses ω1 (z) et ω2 (z) différents. A l’image de la Fig. 1.8, la fo-
calisation par une lentille convergente de focale f est précédée et suivie de propagations
dans l’air. Notons que l’étude est simplifiée à une lentille mince plutôt qu’à un doublet
achromatique. Connaissant les propriétés du faisceau dans le plan du waist ω01 , les nou-
velles propriétés en ω02 peuvent être déterminées en multipliant entre elles les matrices
des différents systèmes rencontrés :

d2 d1 d2
 
1 − d1 + d2 −
 
1 0 1 d
   
A B 1 d2   1 f f 

= 1  =  . (1.30)

1 d1

0 1 − 1 0 1
 
C D 
− 1 −

T OT ALE f f f

Les plans distants de d1 et d2 correspondent aux largeurs minimales 2ω01 et 2ω02

et l’onde y est plane. Nous pouvons donc négliger la partie réelle de q1 (z) et q2 (z) en
considérant R1 (z) = R2 (z) ≈ ∞. En distinguant les parties réelles et imaginaires de l’éq.

26
 1.2 Physique des lasers ultra-brefs et interaction avec la matière

Figure 1.9 – Graphiques des caractéristiques de propagation d’un faisceau gaussien focalisé
d’après les éq. (1.31) et (1.32). Évolution de la position du plan focal d2 à gauche et de la taille
du waist image ω02 à droite en fonction de la position du waist objet d1 pour différentes valeurs
du paramètre zR1 /f .

(1.29), nous obtenons finalement :

d2 d1 /f − 1
=1+ , (1.31)
f (1 − d1 /f )2 + (zR1 /f )2
ω02 1
=q . (1.32)
ω01 (1 − d1 /f )2 + (zR1 /f )2

La Fig. 1.9 représente ces relations sous forme de famille de courbes paramétrées par
le facteur zR1 /f . Le plan dans lequel le faisceau est le plus étroit et où la fluence est la plus
importante est le plan focal image. Il est à noter que dans la majorité des cas, zR1 ≫ f .
Au vue de la Fig. 1.9, les fluctuations de d2 et ω02 sont beaucoup moins marquées et nous
pouvons en déduire une estimation du waist image en simplifiant le dénominateur de l’éq.
(1.32) :
λf λ
ω02 ≈ ≈ , (1.33)
πω01 π(N A)
où N A est l’ouverture numérique de la lentille, équivalente à d/2f avec d estimable à 2ω01
dans le cas d’un faisceau ayant une très faible divergence. Cette relation est très employée
car elle permet d’estimer la taille de la tache focale avec une bonne approximation.
Néanmoins, une mesure expérimentale est toujours préconisée lorsque les variations de
fluence sont critiques pour l’application visée.
Les simulations de la Fig. 1.10 décrivent l’évolution de la distribution de fluence au-
tour du plan focal en fonction de la présence ou non d’un diaphragme en amont. Les
données principales ont été obtenues grâce au logiciel de tracés optiques Zemax et mises
en forme avec le logiciel de traitements numériques Matlab. Les paramètres considérés
sont les suivants : λ = 780 nm, ω01 = 2.2 mm, M 2 = 1.46, f = 50.8 mm, Pmoy = 1 W,
a = 2.7 mm. Ils font suite aux diverses analyses expérimentales et ont été identifiés comme
correspondant aux paramètres du faisceau au moment de l’étude. Remarquons que les
simulations présentées ne prennent pas en compte le M 2 de 1.46, exploitable sous Zemax

27
Chapitre 1 Les lasers femtosecondes comme outils de découpe

préférentiellement sous format numérique que graphique. ω(z) avec le M2 est néanmoins
tracé en bleu pour comparaison. Du fait de l’élargissement du faisceau avec ce facteur, les
amplitudes sont sensiblement différentes de la simulation théorique tandis que les formes
transverses de faisceau ne sont pas affectées.

Comme souligné plus haut par les travaux de Belland et al. [93], un diaphragme
peut grandement modifier les propriétés de propagation d’un faisceau gaussien. Nous
montrons ici ces variations autour du point de focalisation. ωa au niveau du diaphragme
a été mesuré expérimentalement à 3.7 mm, ce qui implique que le ratio a/ωa ≈ 0.7, et
donc que les effets diffractifs ne sont plus négligeables. La Fig. 1.10(c) indique clairement
que la distribution de la fluence en plusieurs plans n’est plus du tout gaussienne lors
de la présence de ce diaphragme alors qu’elle reste fidèle à la théorie en son absence.
Un comparatif succinct des Fig. 1.10(a) et (b) indiquent aussi une forte dispersion de
l’énergie, un élargissement et un éloignement de la tache focale ainsi qu’une baisse de
sa fluence crête. Cet élargissement peut théoriquement s’expliquer par la relation (1.33)
puisque la dimension du faisceau en entrée de la lentille est réduite par le diaphragme.

28
 1.2 Physique des lasers ultra-brefs et interaction avec la matière

Figure 1.10 – Simulation de propagation d’un faisceau gaussien de M 2 = 1 après focalisation

par un doublet achromatique de 50.8 mm. (a) Sans présence d’un diaphragme filtrant avant
focalisation. (b) Avec présence d’un diaphragme de 5.4 mm de diamètre ≈ 4 m avant focalisation.
Les tracés bleus représentent ω(z) pour un M 2 = 1.46 et 1. (c) Coupes transverses des formes
de faisceau pour 3 plans des cas (a) et (b).

L’énergie totale étant constante en chaque plan, la fluence crête diminue donc à me-
sure que le faisceau s’élargit. La distribution d’énergie au plan focal où la fluence crête
y est maximale n’est plus tout à fait gaussienne comme le montre la Fig. 1.10(c) et des

29
Chapitre 1 Les lasers femtosecondes comme outils de découpe

"pieds" parasites apparaissent suite aux phénomènes de diffraction. Aussi, même si le fais-
ceau est gaussien, nous pouvons approximer l’existence d’un plan image du diaphragme
après la lentille de focalisation par conjugaison selon les lois de Newton-Descartes appli-
cables en optique géométrique. Si le diaphragme est suffisamment petit, nous considérons
souvent que la distribution d’énergie en ce plan est non plus gaussienne mais tophat, c’est
à dire que cette distribution est constante sur un diamètre défini par la taille de l’objet.
Cette propriété est exploitée en particulier en marquage laser dans le but d’uniformiser
un usinage, mais reste peu employée en découpe. En effet, le plan image est unique et ne
se vérifie pas dans la profondeur, il est de forme approximative et fortement dépendant
de la diffraction. Sa fluence crête est aussi rapidement limitée sachant que le diamètre du
faisceau y est bien plus large qu’au plan focal. Le plan image estimé par les lois de l’op-
tique géométrique est donné sur la Fig. 1.10(c) pour le plan 2. Effectivement, le faisceau
n’est plus gaussien mais s’uniformise au niveau de la fluence maximale avec des flancs
plus abrupts.

L’effet d’un diaphragme très réducteur affecte fortement la propagation du faisceau. Le

plan focal y est toujours exploitable, même si ses caractéristiques sont moins intéressantes
qu’en l’absence de filtrage. L’existence d’un plan image proche d’une distribution tophat
peut être attrayante dans certaines applications mais pas en découpe, celui-ci n’ayant
pas de sens sur la profondeur. A l’inverse, le faisceau évolue peu sur la distance de
Rayleigh autour du plan focal. La réalité d’usinage montre cependant qu’il reste très
souvent nécessaire de filtrer les bords du laser. Un diaphragme le plus large possible est
donc recommandé pour simplifier au mieux la zone de focalisation en évitant les effets de
diffraction.

1.2.3 Interaction laser - matière dans les milieux diélectriques

La base de l’usinage laser et en particulier la découpe s’appuie sur un retrait de ma-
tière plus ou moins conséquent dans la zone d’éclairement. En outre, cette ablation ne
peut être possible que si l’énergie radiative est efficacement absorbée par la cible. Les pro-
priétés uniques des lasers ultra-brefs, à savoir des durées d’impulsion et des puissances
crêtes respectivement de l’ordre de 10−15 s et 109 W, permettent d’optimiser à la fois l’ab-
sorption par effets non linéaires mais également l’ablation en évitant l’interaction avec le
plasma d’usinage.

Les matériaux inorganiques sont organisés selon 3 classes principales : les métaux,
les semi-conducteurs et les diélectriques. Ils se distinguent par des structures en bandes
d’énergie relativement différentes, comme il l’a été entrevu dans la première partie.

En particulier, les métaux possèdent à l’équilibre une grande quantité d’électrons

libres puisque les bandes de valence et de conduction sont en partie superposées. Dans
le cas des semi-conducteurs, ces bandes sont distinctes mais relativement proches. Avec
l’ajout volontaire d’impuretés, le matériau présente une quantité plus limitée mais non
moins existante d’électrons libres. L’absorption de la lumière s’effectue essentiellement
par excitation de ces électrons dans ces matériaux. Le nuage électronique qui n’est pas ou
peu soumis aux forces d’attraction atomique peut ainsi graviter sans contrainte et associé
à une faible masse, reste très sensible aux hautes fréquences des ondes électromagnétiques.
Au cours de l’interaction, il en résulte alors un échauffement local, puis une liquéfaction

30
 1.2 Physique des lasers ultra-brefs et interaction avec la matière

qui conduira enfin à l’éjection de matière à supposer que la température atteigne le seuil
de vaporisation du matériau. Nous considérons pour ces deux types de matériaux que
l’absorption radiative y est linéaire.

Mécanismes d’absorption dans les milieux diélectriques

Dans les matériaux diélectriques, il n’existe pas ou très peu d’électrons libres dans
la bande de conduction. Pour en générer, il faut exciter la matière et fournir une éner-
gie supérieure à la bande interdite pour faire traverser les électrons dans la bande de
conduction. Il est possible de satisfaire linéairement cette excitation via l’éq. (1.1) mais
la fréquence de la radiation doit être relativement élevée, limitant le choix des lasers
pour l’usinage. Dans le cas contraire, le matériau est transparent à la longueur d’onde et
n’absorbe pas.
Les lasers à impulsions ultra-brèves autorisent néanmoins cette absorption malgré une
énergie photonique inférieure à la bande interdite. Ce passage d’un état non absorbant
à un état absorbant est appelé claquage optique. Bien que ce phénomène soit complexe,
des hypothèses cohérentes avec l’expérience et basées sur des mécanismes non linéaires
semblent être majoritairement acceptées par la communauté scientifique [55, 57, 94]. On
distingue en particulier deux processus de génération d’électrons libres : l’ionisation mul-
tiphotonique et l’ionisation par avalanche.

Figure 1.11 – Principaux mécanismes de génération d’électrons libres dans les matériaux
diélectriques : (a) Absorption multiphotonique. (b) Ionisation par avalanche.

En réalité, il existe toujours quelques électrons libres provenant essentiellement des

impuretés dans le matériau. Alors qu’une faible intensité lumineuse ne devrait pas pertur-
ber cette petite population, il existe une probabilité pour que certains électrons absorbent
par effet "Bremsstrahlung" inverse. Celui-ci suppose qu’une charge puisse interagir avec
la matière environnante moyennant une modification de sa vitesse et de sa direction, ces
changements pouvant impliquer soit un rayonnement (effet direct) lors d’un freinage soit
une absorption (effet inverse) lors d’une accélération. Dès lors, ces électrons accroissent
leur énergie cinétique malgré de faibles intensités jusqu’à atteindre une énergie supérieure
à l’énergie d’ionisation.
Aux très fortes intensités accessibles en régime femtoseconde, les électrons de la bande
de valence peuvent être directement ionisés par absorption multiphotonique (Fig 1.11(a)).
Schématiquement, l’énergie de plusieurs photons s’additionnent et complètent la bande

31
Chapitre 1 Les lasers femtosecondes comme outils de découpe

interdite pour le transfert dans la bande de conduction. Il est donc possible d’usiner
n’importe quel matériau, qu’il soit transparent ou non à la longueur d’onde de travail.
L’ensemble des électrons libres générés peuvent également contribuer à l’accroissement
de leur population via l’ionisation par avalanche (Fig. 1.11(b)). Les électrons libres ayant
une énergie cinétique supérieure à l’énergie nécessaire pour l’ionisation peuvent en effet
en transmettre une partie à un électron lié avec lequel ils entrent en collision. Bien que
chaque électron se retrouve avec une énergie cinétique relativement faible, ce mécanisme
contribue à augmenter le nuage électronique libre dans le matériau. D’après Stuart et al.,
l’ionisation multiphotonique reste prépondérante face aux autres mécanismes lors d’un
usinage avec un laser à impulsions ultra-brèves [94] alors que le mécanisme majoritaire
sera l’ionisation par avalanche avec des impulsions longues. Enfin, un plasma se forme,
pouvant dépasser la densité critique d’électrons (ηc = 1.7 × 1021 e− /cm3 à 800 nm), le
matériau devient fortement absorbant et l’ablation s’opère. On considère souvent qu’à ce
stade, le matériau diélectrique est proche d’un métal en matière de mécanisme d’ablation.

Modèle à 2 températures : ionique et électronique

L’énergie accumulée par les électrons libres est transmise au réseau par collisions,
ce qui permet son échauffement jusqu’à l’ablation. Les électrons libres sont capables
d’absorber l’énergie lumineuse très rapidement, de l’ordre de la dizaine de femtosecondes,
tandis que leur relaxation dans le réseau oscille entre 1 et 10 ps. L’emploi d’impulsions
ultracourtes inférieures à ces temps de transfert supposent donc un découplage entre les
températures électroniques Te et ioniques Ti pour la première fois évoqué par Kaganov
[95]. Les équations régissant ces transferts énergétiques sont :
!
∂Te ∂ ∂Te
Ce = ke − γ(Te − Ti ) + S(z, t) , (1.34)
∂t ∂z ∂z
" !#
∂Ti ∂ ∂Ti
Ci = γ(Te − Ti ) + ki , (1.35)
∂t ∂z ∂z
avec Ce et Ci les capacités calorifiques volumiques électroniques et ioniques, ke la conduc-
tivité thermique de l’électron, S(z, t) la forme de l’irradiation au contact avec le matériau
et γ le coefficient de couplage électron-phonon régissant les échanges entre les électrons
et le réseau. Nous négligeons en particulier la diffusion thermique des ions symbolisée par
le second terme de l’équation régissant la variation de Ti . Nous retrouvons bien les hypo-
thèses selon lesquelles les électrons sont responsables en premier lieu de l’absorption avec
le terme S(z, t) et que l’augmentation de température est transmise au sein du réseau
par le couplage γ.

Pour des durées d’impulsion supérieures à la dizaine de picosecondes (nous générali-

serons aux impulsions nanosecondes), on ne distingue qu’un seul régime électron-réseau
en équilibre et porté à une température T [96]. L’ablation est lente et passe clairement
par une étape de fusion avant l’éjection de matière. Une partie importante de la chaleur
est diffusée dans le matériau et constitue la principale source de perte énergétique.

Pour des durées d’impulsions de l’ordre du femtoseconde à quelques picosecondes, les

températures Te et Ti sont théoriquement dissociées. Il faut également souligner que la
capacité calorifique des électrons Ce est bien plus faible que celle du réseau Ci , ce qui
explique que la température électronique puisse être très importante, supérieure à 104 K.

32
 1.2 Physique des lasers ultra-brefs et interaction avec la matière

Également, l’inertie du système cristallin implique que le chauffage se limite tout d’abord
aux électrons. C’est seulement à partir de leur relaxation après environ 1 ps que l’énergie
est transférée à la matrice via une efficacité de couplage définie par γ et qui vient aug-
menter sa température sur une dizaine de picosecondes. L’échauffement n’est ici non plus
entretenu par la durée de l’impulsion mais par les processus de transfert. Les pertes par
diffusion sont notamment fortement réduites. La matière récupère localement l’énergie
des électrons ayant accumulé une énergie suffisante pour permettre sa vaporisation sans
que le régime de fusion ne soit prépondérant. Il est souvent considéré que ces durées d’im-
pulsions offrent dès lors un usinage presque athermique du fait du processus d’ablation
quasi direct de solide à vapeur [97].
Il faut souligner enfin que l’impulsion femtoseconde est terminée pendant cette relaxa-
tion de l’énergie contrairement au régime nanoseconde et donc que l’expansion du plasma
résultant de l’ablation n’est pas gênée. Réciproquement, l’impulsion laser n’est pas per-
turbée par le plasma pouvant devenir absorbant et constituer une source supplémentaire
de perte d’énergie et donc d’efficacité d’usinage.

Profondeur de pénétration et zone affectée thermiquement

La décroissance de l’intensité lumineuse avec la profondeur est régie par le coefficient
d’atténuation Γ (m−1 ) selon la loi de Beer-Lambert :

I(λ, z) = I0 (λ)e−Γz , (1.36)

où I0 est l’intensité transmise dans le matériau (W/m2 ), et z la profondeur. Ce coefficient

d’atténuation englobe 2 phénomènes distincts, à savoir l’absorbance (coefficient d’absorp-
tion α) et la diffusion (coefficient de diffusion τ ). L’absorbance est le processus par lequel
l’énergie radiative est absorbée par le matériau avant d’être libérée sous une autre forme
comme par effet Joule avec libération de chaleur. La diffusion résulte de la déviation aléa-
toire de la lumière par réflexion sur les particules du milieu de sorte qu’aucun signal ne
soit mesuré en sortie du matériau. Elle est généralement négligée dans les cas simples, ce
pourquoi le coefficient d’atténuation est souvent confondu avec le coefficient d’absorption.
La profondeur de pénétration δ ou profondeur de peau est la distance critique à par-
tir de laquelle l’intensité se retrouve inférieure à I0 /e2 (on distingue aussi la longueur
d’atténuation qui caractérise la profondeur critique en I0 /e). Alors qu’elle n’excède pas
la dizaine de nanomètre dans les métaux, elle est beaucoup plus profonde dans les diélec-
triques pouvant ainsi atteindre plusieurs µm.

A partir de la zone d’absorption de l’énergie lumineuse, la chaleur se diffuse dans

toutes les directions, que ce soit longitudinalement dans la profondeur du matériau, ou
transversalement autour de la zone d’impact.
Dans l’épaisseur du matériau z, la chaleur
q se propage selon une profondeur de diffusion
déduite de l’équation de la chaleur ddif f = 4Dt tdif f où tdif f est le temps de diffusion. Dt
est la diffusivité thermique (m2 /s) exprimée par λc /(ρC) avec λc la conductivité thermique
(Wm−1 K−1 ), ρ la masse volumique (kg.m−3 ) et C la chaleur massique (Jkg−1 K−1 ). La
diffusivité thermique, qui représente en quelque sorte la vitesse de propagation de la
chaleur, est grande pour un métal ( 100×10−6 m2 /s) comparativement à un diélectrique
( 0.5 ×10−6 m2 /s). Ceci s’explique en particulier par le fait que le transfert de la chaleur
est rapidement porté par les électrons libres dans le métal tandis que ce sont les vibrations

33
Chapitre 1 Les lasers femtosecondes comme outils de découpe

du réseau qui en sont responsables dans les diélectriques, celui-ci ayant une inertie bien
plus importante.
La zone affectée thermiquement (ZAT ou HAZ en Anglais pour "Heat Affected Zone")
constitue la région périphérique transverse à l’usinage. Dans le cas d’une découpe, elle est
d’autant plus critique qu’elle traduira des défauts de bords plus ou moins importants. Ce-
pendant dans la gamme d’impulsions ultra-courtes, cette diffusion reste très négligeable
d’après les principes de l’interaction ultra-brève évoqués plus haut. Valette et al. mesu-
rèrent par EBSD ("Electron Backscattered Diffraction") une ZAT de 25 µm en régime
nanoseconde comparativement à 1.5 µm en régime femtoseconde dans un mono-cristal
d’aluminium [98]. Également, la taille des grains dans de l’aluminium poly-cristallin a
permis à Le Harzic et al. d’identifier des ZAT de 40 et 2 µm autour d’usinages respecti-
vement nanosecondes et femtosecondes [99]. Ces observations expérimentales coïncident
avec les simulations de Ihtesham et al. sur le transfert de chaleur des lasers femtosecondes
dans les métaux [100]. Ses résultats montrent que le fort échauffement quasi instantané
du réseau par les électrons conduit à un "super-chauffage" au cours duquel la matière
entrée en fusion dépasse son seuil d’ébullition. A des températures suffisamment élevées,
le liquide devient très instable et dégénère en une mixture liquide vapeur. Cette état
dit d’explosion de phase semble être a priori atteint même à fluence moyenne pour des
impulsions très courtes (≈ 1 J/cm2 ).
L’interaction laser matière à ces durées d’impulsions apporte donc des avantages consi-
dérables en termes de qualité et de polyvalence (usinage de tout type de matériau) mais
aussi en termes d’efficacité d’usinage. Stuart et al. démontrèrent que les seuils de réactions
sont fortement réduits à mesure que la durée d’impulsion ∆t diminue [94], √ confirmé par
Kautek et al. [101]. Au delà de 10 ps, le seuil de fluence est proportionnel à ∆t mais se
stabilise à un minimum pour des durées inférieures. Également, l’ablation y est plus effi-
cace comme le souligne Yang et al. sur les métaux [102] et Zeng et al. sur le silicium [103].
Finalement, la communauté scientifique s’est fortement intéressée aux différences quali-
tatives et quantitatives entre les régimes d’impulsion et a engendré de nombreuses publi-
cations avec dans la grande majorité des cas des constats similaires [15, 104, 105].

1.3 Application aux céramiques ferroélectriques PZT

Avant d’entrer dans le détail de l’usinage laser, il est nécessaire de comprendre les
caractéristiques du matériau d’étude car la nature de l’interaction en sera dépendante.
De plus, les PZT sont des matériaux ayant une propriété active atypique qu’est la ferro-
électricité. Il faut donc garder à l’esprit qu’un endommagement important serait critique
pour l’application visée.

1.3.1 De la matière cristalline à la notion de ferroélectricité

La ferroélectricité naît de la nature cristalline de certains matériaux diélectriques [106].
Un solide peut être considéré comme un ensemble neutre de particules électriquement
chargées telles que les ions ou les électrons, classables en deux catégories : charges libres
et charges liées. Il existe dans un conducteur une grande quantité de charges libres sus-
ceptibles de se déplacer sous l’action d’un champ électrique E. ~ A l’inverse, un matériau
diélectrique, ou isolant électrique, contient une majorité de charges liées, si bien que l’ac-
tion d’un champ extérieur n’a aucune influence ou ne génère qu’un déplacement relatif

34
 1.3 Application aux céramiques ferroélectriques PZT

Figure 1.12 – Classes cristallines et positionnement de la ferroélectricité.

de ces charges, essentiellement ioniques. Ce phénomène de dissociation est appelé po-

larisation. Un exemple classique de polarité mais électronique est celui de la molécule
d’eau. Bien que globalement neutre, l’oxygène est légèrement plus électronégative que
l’hydrogène et attire les électrons des liaisons covalentes. La molécule accumule donc en
moyenne davantage de charges négatives vers l’atome d’oxygène et davantage de charges
positives vers les atomes d’hydrogène et constitue dès lors une molécule dipolaire.
La cristallinité d’un matériau est due à la constitution régulière et organisée de sa
structure atomique en motifs primitifs. Il existe 32 classes de symétries cristallines dé-
pendantes des rapports de longueurs et d’angularité au sein d’une même maille et qui
furent regroupées par Bravais en 14 réseaux aux propriétés similaires en 1848. Sur ces 32
classes, 21 ne sont pas centrosymétriques (matériau anisotrope) dont la grande majorité
présente des caractéristiques piézoélectriques (Fig. 1.12) [1]. Si on applique une force de
compression sur de tels matériaux, la maille cristalline se déforme de telle sorte que les
barycentres des charges positives et négatives des ions s’éloignent. Leur mobilité rela-
tive engendre dès lors un moment dipolaire qui se manifeste macroscopiquement par une
accumulation de charges de signes opposés sur les électrodes en surface. C’est l’effet pié-
zoélectrique direct (Fig. 1.13(a)). Si au contraire il est volontairement créé une différence
de potentiel aux bornes des deux surfaces externes, la maille s’auto-déforme pour équi-
librer la distribution des charges. C’est l’effet piézoélectrique inverse (Fig. 1.13(b)). La
piézoélectricité est donc finalement une pure conversion d’énergie mécanique en énergie
électrique, représentée par plusieurs équations d’états, dont les plus connues :

S = sE T + dE , (1.37)

D = εT E + dT , (1.38)
avec S, la déformation mécanique relative, D le déplacement électrique (C/m2 ) en fonction
de T, la contrainte mécanique (Pa) et E, le champ électrique (V/m). Les coefficients sE
[compliance (m2 /N)], d [constante de charge (Vm)] et εT [constante diélectrique (F/m)]
sont des tenseurs représentatifs du matériau piézoélectrique. La direction d’observation et
la direction de la perturbation (électrique ou mécanique) en fonction de la direction de la

35
Chapitre 1 Les lasers femtosecondes comme outils de découpe

Figure 1.13 – Principe de la piézoélectricité. (a) Génération d’une tension aux bornes des
électrodes sous l’effet d’une contrainte ; (b) Déformation du matériau sous l’effet d’un champ
électrique.

polarisation impliquent que ces coefficients ne garderont pas les mêmes valeurs du fait de
l’anisotropie. Aussi nous ne nous intéresserons pas au détail de ces équations tensorielles
dans ce manuscrit, bien décrites dans de nombreux ouvrages [107].
L’allume-gaz en est une des applications courantes utilisant la force de pression dans le
but de produire des étincelles. Ce phénomène permet également de mesurer la pression par
conversion en tension électrique ou d’entretenir des pulsations régulières comme dans les
montres à quartz. La multiplicité des applications, militaires ou civiles, permet d’estimer
à plus de 15 milliards de dollars les recettes engendrées par ce marché depuis 2010.
Parmi ces classes piézoélectriques, la moitié est dite pyroélectrique. Du grec pyr (feu),
ces matériaux ont la capacité de se polariser et donc de générer des charges en fonction
non plus seulement de la pression exercée mais des variations de température. Parmi leurs
multiples utilisations, certains sont optimisés pour répondre aux besoins des capteurs
infrarouges ou dans la production d’électricité.
En l’absence de contrainte, leur polarisation peut être considérée comme nulle sur
une échelle macroscopique. Il est une classe cependant où la polarisation peut être per-
manente : la ferroélectricité, dernière classe issue de la pyroélectricité. A titre d’exemple
dans un matériau PZT de structure cubique centrée à faces centrées, la taille relative des
ions Ti4+ (ou Zr4+ ) et O2− est telle que l’ ion Ti4+ n’occupe pas exactement le centre de
la maille alors que les ions O2− ne se trouvent pas exactement au centre des faces (Fig.
1.16(a)). Il s’ensuit que le centre de gravité des charges positives ne coïncide pas avec celui
des charges négatives, ce qui fait qu’un dipôle ionique existe dans la maille élémentaire.
Aussi, chaque grain est constitué d’une multitude de mailles polarisées selon certaines di-
rections privilégiées dépendantes de la cristallographie. Les régions de même orientation
présentent une polarisation spontanée et sont appelées domaines de Weiss. Les interfaces
séparant ces zones sont des parois qui par extension peuvent également inclure les joints
de grain [106]. Bien que la somme vectorielle de toutes ces directions s’annule au premier
abord, l’action d’un champ électrique intense, de plusieurs milliers de V/m, peut venir

36
 1.3 Application aux céramiques ferroélectriques PZT

Figure 1.14 – Orientation des domaines ferroélectriques.(a) A l’état initial, en l’absence de

champ électrique, l’orientation est quasi aléatoire et la polarisation macroscopique quasi nulle ;
(b) Réorientation des domaines en présence d’un champ électrique ; (c) Polarisation rémanente
suite à un champ électrique intense.

Figure 1.15 – Courbe d’hystérésis de la polarisation en fonction du champ électrique d’un

matériau ferroélectrique. PS : Polarisation de saturation ; PR : Polarisation rémanente ; EC :
Champ coercitif.

37
Chapitre 1 Les lasers femtosecondes comme outils de découpe

Figure 1.16 – (a) Structure cristalline de la maille pérovskyte de PZT (b) Image MEB de la
structure polycristalline du PZT d’étude fabriqué par frittage.

réorienter ces domaines dans la même direction (on rappelle que P~ = χε0 E ~ où χ est la
susceptibilité en régime linéaire, ε et ε0 sont la permittivité du matériau et du vide res-
pectivement) de sorte à ce qu’une polarisation macroscopique permanente persiste après
contrainte (Fig. 1.14).
Le matériau rentre alors dans un cycle d’hystérésis. A fort champ, la polarisation at-
teint une polarisation maximale notée PS , polarisation de saturation où tous les domaines
sont orientés dans la même direction. Lorsque le champ est annulé, certains domaines se
réorientent tout de même, diminuant la polarisation jusqu’à atteindre une polarisation
permanente PR dite polarisation rémanente. L’annulation de cette polarisation est enfin
permise une fois le champ coercitif atteint, noté EC (Fig. 1.15).

La ferroélectricité ne peut être maintenue que sur une plage de température inférieure
à la température dite de Curie, après quoi soit un désordre soit une modification de la
structure cristallographique s’opère. La polarisation rémanente disparaît et le matériau
devient alors para-électrique. A titre d’exemple, le quartz piézoélectrique en phase α perd
cette caractéristique en phase β passée la température critique de Curie de 573°C.

1.3.2 La piézoélectricité sur mesure : le cas du PZT

La céramique PZT sur laquelle est basée cette étude est un matériau polycristallin fer-
roélectrique qui n’existe pas à l’état naturel. Elle fait partie de la famille des céramiques
techniques synthétisées industriellement afin de répondre à une pluralité d’applications.
Elle se caractérise en particulier par une permittivité relative (=constante diélectrique)
et des coefficients de couplage électro-mécanique très élevés, surpassant une grande partie
des matériaux de classe équivalente comme le quartz ou le PVDF. Elle attire par la grande
modularité de ses propriétés en fonction de sa stœchiométrie, des éléments dopants et par
son coût de fabrication relativement faible. Un dopage en accepteurs (PZT dur) limite le
mouvement des domaines, ce qui a pour effet de diminuer les pertes diélectriques mais
aussi les constantes piézoélectriques tandis que l’inverse se produit avec un dopage en

38
 1.3 Application aux céramiques ferroélectriques PZT

donneurs (PZT doux). Le PZT est généralement élaboré sous forme massique mais peut
se dériver en films minces ou en gel polymérisé [47, 108]. Des méthodes de fabrication
diversifiées ont en outre été déployées afin de tirer profit des meilleures performances du
matériau sur des dimensions variées [109].

La version massique de cette céramique résulte principalement du procédé de fabri-

cation par frittage (Fig. 1.16(b)). Des poudres de PbO, TiO2 , ZrO2 et éventuellement
dopants sont au préalable enrobées d’une solution aqueuse d’alcool polyvinylique (APV)
facilitant leur agglomération et leur manipulation. Après plusieurs séchages et compac-
tages permettant entre autre d’éliminer le liant, l’ensemble est porté à environ 1000° en
vue de permettre la coagulation des différents constituants. Le profil de température et
de pression ainsi que l’atmosphère utilisés lors du frittage influent directement sur la
dimension des grains, la densité et l’homogénéité du matériau. La matière résultante est
ensuite mise en forme, entourée éventuellement d’électrodes et polie avant les tests de
validation.

Cristallographie

La céramique PZT de formule Pb(Zr1−x Tix )O3 est composée en réalité de deux solu-
tions solides de PbZrO3 et PbTiO3 en proportion normalisée et possédant toutes deux
une structure cristallographique de type pérovskyte ABO3 (Fig. 1.16(a)). Les cations A
(Pb2+ ) sont situés sur les huit angles de la maille. Les anions d’oxygène (O2− ) sont eux
disposés au centre des faces tandis que le centre de la maille est occupé par le cation
B (Zr4+ ou Ti4+ ). En fonction de la température et de la proportion de Zr et Ti dans
le matériau, la forme du cristal varie (Fig. 1.17) [110], ce qui nous permet de distinguer
selon la proportion x de PbTiO3 :
– x>0.55 : riche en titane ; la cristallisation est de forme quadratique (a = b 6= c ; α =
β = γ = 90°) (voir Fig. 1.16(a)) ;
– x<0.45 : riche en zirconium ; la cristallisation est de forme rhomboédrique (a = b =
c ; α = β = γ 6= 90°) ;
– 0.45<x<0.55 : Zone d’équilibre des deux réseaux appelée frontière de phase mor-
photropique. C’est dans cette région que les propriétés piézoélectriques et ferro-
électriques des PZT sont les plus intéressantes. De récents travaux ont cependant
mis en évidence la présence d’une phase monoclinique au niveau de cette jonction
(a 6= b 6= c ; α = γ = 90°6= β) ;
– x indifférent mais T>Tc : Région paraélectrique du PZT de structure cristallo-
graphique cubique (a = b = c ; α = β = γ = 90°) ;). Le matériau est dès lors
centro-symétrique, les propriétés de piézoélectricité disparaissent.
En fonction des conditions de fabrication, une phase de type pyrochlore A2 B2 O6 peut
être présente et peut diminuer les propriétés piézoélectriques du matériau [111].

Bien que la composition du matériau d’étude soit inconnue en première approxima-

tion, des essais par diffraction de rayons X (XRD : "X-Ray Diffraction") ont permis de
montrer que le matériau était essentiellement de structure quadratique en accord avec
les bases de donnée pour x=0.48 ou x=0.56. Les dimensions de la maille sont estimées
à a = 4.03106 nm et c = 4.12734 nm. Nous pouvons donc supposer à juste titre que
la composition du matériau est bien dans la zone morphotropique, là où les propriétés
piézoélectriques sont les plus fortes.

39
Chapitre 1 Les lasers femtosecondes comme outils de découpe

Figure 1.17 – Diagramme de phase du PZT. La zone morphotropique produit les propriétés
piézoélectriques les plus intéressantes.

Structure de bande

D’après la littérature, la structure de bandes du PZT est équivalente à celle d’un

matériau diélectrique [112]. Les simulations présentées Fig. 1.18 montrent des bandes de
conduction et de valence bien distinctes avec une bande interdite variant en moyenne
entre 2.5 et 6 eV. A titre comparatif, le band gap du silicium, semi-conducteur, se situe
autour de 1.15 eV tandis que celui du diamant, isolant, oscille autour de 5.5 eV. Nous
pouvons également remarquer que pour un même vecteur d’onde au point Γ, les deux
solutions sont à band gap direct, c’est-à-dire que le maximum d’énergie de la bande de
valence coïncide avec le minimum de la bande de conduction. L’évolution du band gap en
fonction de la proportion en zirconium est simulée Fig. 1.18(c) et est maximale dans la
zone morphotropique. Finalement, pour qu’une radiation lumineuse puisse être absorbée
linéairement dans la céramique, il faudrait qu’elle soit bien plus énergique que celle du
laser d’étude à 780 nm :

λ = 780 nm ⇒ E = 1.59 eV ⇒ 3 photons = 4.77 eV > Egapx=0.5 ≈ 3.9 eV .

L’absorption multiphotonique de l’interaction laser matière en régime ultra-bref est alors

un mécanisme prépondérant. Les intensités crêtes très élevées engendrent des effets non
linéaires qui permettent de faire passer les électrons de la bande de valence à la bande
de conduction bien que l’énergie d’un photon soit insuffisante. En réalité, 3 photons
simultanés sont nécessaires. Théoriquement donc, de tels lasers devraient pouvoir être
capable de rivaliser avec les qualités d’usinage des lasers UV connus pour leur ablation
davantage photochimique que photothermique.

40
 1.3 Application aux céramiques ferroélectriques PZT

Figure 1.18 – Diagramme de bandes du (a) PbTiO3 et (b) PbZrO3 avec bande interdite
directe en Γ. (c) Simulation de l’évolution des passages inter-bandes autorisés en fonction de la
composition du PZT [112].

1.3.3 Absorption optique et simulation de la profondeur de pé-

nétration
La Fig. 1.19 présente le spectre de Transmission-Réflexion du PZT d’étude obtenu
par Spectrométrie UV-Vsible-IR. A 780 nm, longueur d’onde du laser employé, nous
constatons que l’atténuation est d’environ 50%, bien qu’aucune information ne puisse
être déduite sur la proportion d’absorption et de diffusion. Cependant, le matériau est
polycristallin et légèrement transparent à l’observation, ce qui suppose que la diffusion
ne soit pas totalement négligeable devant l’absorption. Nous négligerons néanmoins cette
composante dans notre simulation afin d’avoir un ordre d’idée de la profondeur de péné-
tration optique du laser.
La permittivité ε et l’indice optique n d’un matériau sont définis dans le cas général
par des valeurs complexes de la forme :

ε = ε1 − iε2 , (1.39)
√
n = η − ik = ε , (1.40)

où η est l’indice de réfraction couramment employé et k est le coefficient d’extinction lié à

l’absorption dans un milieu. ε1 est la permittivité du milieu et ε2 est associée aux pertes
diélectriques, bien inférieure à ε1 pour un matériau diélectrique, sa conductivité restant

41
Chapitre 1 Les lasers femtosecondes comme outils de découpe

Figure 1.19 – Graphique de transmission / réflexion réalisé par spectrométrie UV-Visible-IR

du PZT étudié. A 780 nm, les coefficients d’atténuation et de réflexion sont proches.

très faible. Ces équations sont liées les unes aux autres par :

ε1 = η 2 − k 2 , (1.41)
ε2 = 2ηk . (1.42)

Les coefficients de Fresnel r et t interviennent dans la description des phénomènes

de réflexion-transmission des ondes électromagnétiques à l’interface avec un milieu en se
basant sur les principes de réfraction de Snell-Descartes :
Er Et
r= et t = , (1.43)
Ei Ei
où Ei Er et Et sont respectivement les amplitudes de l’onde incidente, réfléchie et trans-
mise. Dans notre étude, le faisceau laser se propage dans l’air et est toujours en incidence
normale par rapport à la cible. Il est donc possible d’en déduire deux relations particu-
lières de réflexion/transmission en intensité :

(η − 1)2 + k 2 4η
R = |r|2 = et T = |t|2 = . (1.44)
(η + 1) + k
2 2 (η + 1)2 + k 2

La puissance moyenne par unité de volume dissipée par effet Joule dans le matériau
s’exprime en fonction du champ électrique transmis Et et de la conductivité électrique σ
du matériau par :

P = Re(σ)|Et |2 = ε0 ω0 ε2 |Et |2 = 2ηkε0 ω0 |Et |2 , (1.45)

avec ε0 et ω0 respectivement la permittivités du vide (8.8542 × 10−12 m−3 kg−1 s4 ) et la

pulsation de l’onde. Notons que σ est également un nombre complexe dont seule la partie
réelle intervient ici. |Et |2 est proportionnel à |Ei |2 par le coefficient de transmission T et

42
 1.3 Application aux céramiques ferroélectriques PZT

décroît avec la propagation dans le matériau d’après la loi de Beer-Lambert (1.36). |Ei |2
est proportionnel à l’intensité laser I selon :
2I
|Ei |2 = . (1.46)
cε0
La distribution radiale de I à l’interface avec le matériau est connue comme étant de
forme gaussienne et donnée par l’éq. (1.21). Enfin le coefficient d’absorption définit dans
l’éq. (1.36) s’exprime en fonction de k et est dépendant de la longueur d’onde λ, tout
comme la longueur de peau δ, selon :
4πk λ
α= et δ = . (1.47)
λ 2πk
Finalement, nous pouvons simuler la pénétration optique dans le PZT en fonction de
son indice de réfraction η et de son coefficient d’extinction k et à partir de conditions
initiales sur le faisceau telles que sa dimension et son intensité crête.

P (r, z) = 2ηkε0 ω0 T |Ei (r)|2 e−Γz (1.48)

4η 2I(r)
= 2ηkε0 ω0 × × × e−αz (1.49)
(η + 1)2 + k 2 cε0
r2
−2 2
= CI e ω (z0 ) e−2z/δ ,
crête,z0 (1.50)

16η 2 kω0 Pmoy

avec C = et Icrête,z0 = .
c[(η + 1) + k ]
2 2 ∆ν τF W HM πω 2 (z0 )
ω(z0 ) est le rayon du faisceau laser à l’interface air-matériau tandis que ω0 est la
pulsation de la radiation. η et k sont déduits des permittivités ε1 et ε2 simulées dans
l’étude [112] et sont estimées respectivement à 6.015 et 0.075 m−3 kg−1 s4 . Les condi-
tions initiales laser sont : λ = 780 nm, FWHM=150 fs, ∆ν = 5 kHz, Pmoy = 500 mW,
ω(z0 ) = 10 µm. La variation d’intensité résultante est présentée Fig. 1.20 ainsi que les
résultats obtenus sur le nickel, le cuivre et le silicium à titre de comparaison.

Comme attendu, la pénétration optique du PZT est supérieure à celle des métaux
qui oscille autour de la dizaine de nanomètres. Il faut cependant garder à l’esprit que
cette simulation prend en considération une absorption linéaire de la radiation, ce qui
peut être relativement différent en régime ultra-court. Également, la valeur du coefficient
d’extinction est largement approximée graphiquement alors que sa fluctuation influence
beaucoup les propriétés de pénétration. Cette simulation nous permet néanmoins d’abor-
der les échelles de profondeur d’absorption optique en fonction du matériau irradié à la
longueur d’onde λ d’étude. La diffusion de chaleur à partir de cette surface engendre enfin
une zone affectée thermiquement qui, bien que fortement réduite par laser femtoseconde,
reste visible sous fort grossissement et potentiellement problématique pour un usinage de
qualité.

43
Chapitre 1 Les lasers femtosecondes comme outils de découpe

Figure 1.20 – Simulation de la pénétration optique dans le PZT d’étude. Paramètres lasers :
λ = 780 nm, FWHM=150 fs, ∆ν = 5 kHz, Pmoy = 500 mW, ω(z0 ) = 10 µm. Un comparatif
avec les longueurs de peau obtenues sur d’autres matériaux est également proposé.

1.4 Conclusion partielle

Chaque matériau et chaque besoin peut trouver une technologie de micro usinage
adaptée. Un matériau non friable et non fragile pourra aisément être usiné par des mé-
thodes abrasives comme la scie mécanique, le jet d’eau, le sablage ou l’ultrason tandis
qu’un matériau conducteur pourra être attaqué par l’électro-érosion. L’attaque chimique
nécessite de bien connaître la composition chimique du matériau alors que le procédé
laser réclame la connaissance de ses propriétés optiques. Ces solutions sont perpétuel-
lement soumises à amélioration en termes de qualité, précision, vitesse. . . et tendent à
devenir plus polyvalentes avec le temps. Des tests combinant certaines d’entre elles per-
mettent de neutraliser leurs principaux défauts au détriment de leur complexification.
D’autres n’ont pas encore révélées toutes leurs possibilités. C’est le cas en particulier
des lasers qui, bien que récents, ouvrent sans cesse de nouveaux champs d’investigations.
Les durées d’impulsions ultra-courtes constituent une des perspectives de micro-usinage
concurrentielles.
Ces technologies sont basées sur des lasers conventionnels dont certaines propriétés ont
été exploitées et retravaillées en vue d’en tirer de meilleures performances. La cavité réso-
nante dans laquelle s’effectue l’amplification laser voit apparaître des obturateurs dont les
objectifs sont de générer des impulsions d’intensité plus élevée qu’en mode continu. Bien
utilisés, ils permettent également de réduire les durées d’impulsion sur des échelles tem-
porelles infimes grâce au Mode locking, et amplifiées par la suite par Chirping. Les lasers
émettent des ondes électromagnétiques gaussiennes ayant des propriétés de propagation
légèrement différentes de celles connues en optique géométrique. Il est donc nécessaire
de bien connaître les lois associées afin de pouvoir anticiper au mieux les concentrations
d’énergie après focalisation. En particulier, la disposition de diaphragmes sur le trajet,
placés dans le but d’améliorer l’allure du faisceau, peut avoir des effets diffractifs très
importants et donc modifier la distribution d’énergie au plan d’usinage.

44
 1.4 Conclusion partielle

L’interaction laser-matière dans ce régime offre de nombreux avantages : ablation de

tout type de matériau, zone affectée thermiquement minimale, amélioration de la vitesse
d’ablation et réduction des seuils de réaction. Comparativement aux autres lasers, les
impulsions ultra-courtes sont finalement particulièrement adaptées pour le micro usinage
en minimisant les effets notoires sur des échelles micrométriques tout en améliorant l’ef-
ficacité de l’interaction.
Les lasers sont des techniques dont l’efficacité dépend des propriétés optiques du maté-
riau cible. Les céramiques PZT sont des matériaux diélectriques polycristallins, fabriqués
industriellement afin d’exploiter leurs propriétés ferroélectriques. D’après leur structure
de bande, l’absorption multiphotonique permise par la dynamique non linéaire de ce ré-
gime d’interaction semble être le mécanisme prépondérant de l’absorption. La pénétration
optique à la longueur d’onde d’étude est estimée à une dizaine de µm alors que la diffusion
de la chaleur est considérée comme inférieure au micromètre suite à l’ablation ultra-brève.

Alors que le contexte des travaux, les caractéristiques du laser et les propriétés du
matériau ont été clairement identifiés, nous pouvons aborder la problématique ainsi que
les conditions expérimentales spécifiques à l’étude.

45
 CHAPITRE 2

Contexte et paramétrisation des usinages

Quel est l’objectif de l’étude ? Que cherche-t-on à optimiser et par quels moyens ?
Telles sont les quelques questions auxquelles il nous est tout d’abord nécessaire de ré-
pondre. La définition préliminaire du contexte des travaux rend plus efficace la démarche
d’optimisation en conjuguant modification d’un paramètre et caractérisation associée. Il
en résulte également une plus grande maîtrise de par la connaissance fine des facteurs,
contrôlés ou non, impactant sur la reproductibilité du procédé. La définition claire des
caractéristiques de l’interaction permet enfin d’identifier mais également d’anticiper de
manière plus efficace les plages d’usinage à analyser.
Dans ce chapitre, nous nous intéressons aux attentes vis à vis de la découpe de PZT
par laser ultra-bref ainsi qu’aux moyens de contrôle des usinages. Nous discutons des
seuils et taux d’ablation du PZT grâce à des modèles déterministes dans ce régime d’im-
pulsions, tout en soulignant dans un état de l’art l’ambiguïté de leur définition. Enfin,
nous décrivons les moyens mis à disposition et les outils développés pour la caractérisa-
tion des qualités de coupe. L’exploitation de ces méthodes pour l’optimisation sera traitée
dans le chapitre suivant, ce qui nous permettra d’insister davantage sur l’influence globale
de chaque paramètre d’usinage plutôt que sur les résultats propres à chaque technique.

2.1 Problématique industrielle d’usinage

La céramique industrielle PZT joue un rôle clé dans le fonctionnement du Quapason
qui constitue un des gyrosocopes proposés dans la gamme de produits de Sagem Défense
et Sécurité (Fig. 2.1(b)). Elle se présente sous la forme d’un wafer de 40 mm de côté et
de 170 µm d’épaisseur. Ses surfaces sont recouvertes de couches conductrices en nickel-
phosphore (NiP) d’environ 5 µm pour l’emploi et la mesure des tensions résultantes des
principes de piézoélectricité. N éléments rectangulaires de 1.25 mm × 2.5 mm doivent y
être découpés de manière identique et selon les critères suivants :
– Dispersions autorisées de 2 µm dans la longueur et 1 µm dans la largeur ;
– Un minimum de 320 lames doit résulter de la découpe complète d’un wafer ;
– Le procédé doit être compatible avec une cadence de plusieurs dizaines de wafers
par mois ;

46
 2.1 Problématique industrielle d’usinage

Figure 2.1 – Contexte de l’étude. (a) Principe simplifié de l’usinage laser d’un wafer de PZT.
(b) Lames PZT découpées disposées sur le produit final de Sagem.

– Absence de fentes, fissures ou d’écaillages sur les flancs ;

– Absence d’éclats, de rayures et de changements de couleur du revêtement ;
– Conicité des flancs inférieure à 15°.
Ces critères démontrent clairement que l’optimisation devra jouer à la fois sur la vitesse
des usinages, leur qualité, leur reproductibilité et leur rentabilité. Afin d’éviter le mou-
vement des lames une fois découpées, les wafers de PZT sont au préalable collés sur un
support en silicium de 800 µm d’épaisseur.
Jusqu’à ce jour, les découpes étaient réalisées par une scie mécanique de 100 µm
de large et usinant en 1 passage une profondeur de 600 µm aux vitesses de translation-
rotation respectivement de 2 mm/s et 30000 tours/min. Plusieurs problèmes sont apparus
à la suite de ces découpes : l’abrasion à l’origine de l’ablation engendrait suffisamment
de contraintes pour provoquer des amorces de fissures et un décollement du revêtement
de NiP. Des essais parallèles ont alors été entrepris en vue de trouver une méthode de
découpe plus à même de satisfaire à la fragilité inhérente au matériau. Il en vint le choix
de se porter sur une technologie non abrasive, le laser, et en particulier dans un régime
d’impulsions où les effets thermiques sont grandement limités, la gamme femtoseconde
(Fig. 2.1(a)). Néanmoins, l’absence d’optimisation a permis de constater que ces lasers
pouvaient engendrer des résultats très contrastés : parmi les défauts recensés, nous distin-
guons des irrégularités des tranches (Fig. 2.2(a)), un fort dépôt de matière (Fig. 2.2(b)),
un écaillage de la surface d’entrée (Fig. 2.2(c)) ou des flancs (Fig. 2.2(d)) des suites de la
propagation de fissures trop importantes. Ainsi, une étude plus approfondie a été sollici-
tée afin de mieux comprendre les caractéristiques de l’interaction et de définir des plages
de paramètres adaptés répondant aux exigences définies plus haut.

Nous ne retrouvons que très peu d’études d’usinage laser sur PZT dans la littérature,
et en particulier pour des durées d’impulsions ultra-brèves. Les quelques travaux publiés
traitent essentiellement de l’interaction avec des lasers à excimères (ArF, 193 nm à 20 ns
[54], KrF, 248 nm à 30 ns [113]) ou UV (Nd :YAG triplé, 355 nm à 60 ns [52]). Seuls
Uppal et al. ont proposé une étude avec un laser proche de celui utilisé dans le cadre de
nos travaux et dont un des objectifs était de déterminer le seuil d’ablation du PZT pour
la découpe de roues micrométriques [114].

47
Chapitre 2 Contexte et paramétrisation des usinages

Figure 2.2 – Observations MEB des principaux défauts rencontrés par usinage laser. (a) Vue
de dessus d’un usinage laser aux bords de coupe irréguliers. (b) Vue de dessus d’une rainure
laser ayant engendrée de forts dépôts en surface. (c) Vue de coté d’une découpe laser avec
soulèvement de la couche NiP. (d) Flanc de découpe laser avec un fort écaillage des bords.

2.2 Banc d’usinage laser et caractérisation in-situ

Le laser industriel Bright de chez Thalès émet des trains d’impulsions de 150 fs de
durée à une cadence de 5 kHz. La longueur d’onde d’émission est de 780 nm et le mode
dominant est le TEM00 gaussien. Il délivre une puissance moyenne entre 1.5 et 2 W non
modifiable, soit une énergie de 0.2 mJ par impulsion.
La plateforme sur laquelle les études ont été réalisées est composée de plusieurs sta-
tions de travail prototypes designées dans la modularité afin de répondre à des demandes
à la fois scientifiques et industrielles. Le faisceau peut y être démultiplié et son trajet
jusqu’à l’usinage est éventuellement entrecoupé de miroirs flip-flop F Fi (miroirs rabat-
tables) et de lames dichroïques LDi (lames de réflexion ou transmission en fonction de la
longueur d’onde) utilisés pour le contrôle du procédé (Fig. 2.3).
Parmi les stations disponibles, celle employée dans cette étude présente un portique
permettant de rendre le faisceau vertical pour l’usinage. Le matériau à usiner est posi-
tionné sur des platines de translation xyz Schneeberger d’une répétabilité de 1 µm pour
des vitesses maximales de 20 mm/s (Fig. 2.4(a)). Une seconde platine de translation Ae-
rotech employée pour le nano-usinage est également disponible sur une deuxième station
avec une répétabilité bien supérieure de 50 nm pour des vitesses maximales de 33 mm/s.
Deux méthodes d’usinage peuvent être employées sur la première station : soit le faisceau
est dirigé sur un doublet achromatique et le matériau est déplacé par translation des
platines ; soit le faisceau est dirigé dans un scanner (Scanlab, 1 m/s de vitesse maximale,
focales de 88 mm ou 160 mm) qui prend en charge les déplacements du faisceau tandis
que le matériau reste statique. Il a été choisi dans cette étude de travailler davantage sur

48
 2.2 Banc d’usinage laser et caractérisation in-situ

Figure 2.3 – Plan d’expérience simplifié. Mi : Miroirs. Mi−j abrège les distances entre miroirs ;
λ/2 : lame demi-onde ; CP : Cube polarisant ; D : Diaphragme ; F Fi : Miroirs flip-flop ; DA :
Doublet achromatique d’usinage ; Li : Lentilles convergentes ; AF : Analyseur de faisceau ; AC :
Autocorrélateur ; LDi : Lames dichroïques ; P : Pointeur laser ; CM OS : Caméra ; SB : Source
en lumière blanche ; E : Echantillon à usiner.

les platines de translation de par la plus grande flexibilité des paramètres de focalisation
analysables dans le cadre d’une optimisation.

2.2.1 Gestion de la puissance

Le laser émettant une puissance constante, sa gestion au niveau de l’échantillon doit
être réalisée par un module extérieur, composé ici du couple λ/2 − CP indiqué Fig. 2.3.
Grâce aux propriétés de biréfringence des matériaux les composant, la lame demi-onde
permet de contrôler la rotation de la polarisation rectiligne du faisceau tandis que le cube
polariseur projette cette dernière sur deux axes orthogonaux, un premier transmettant le
signal et le second le réfléchissant.

2.2.2 Durée d’impulsion

La durée des impulsions est mesurée par un autocorrélateur (AC) pulseCheck de chez
APE. Sa résolution est inférieure à 1 fs et peut mesurer des impulsions allant de 150 fs à
15 ps. Pour mesurer de telles durées, ce système utilise les principes d’un interféromètre
de Michelson : le faisceau est divisé en deux puis focalisé dans un cristal non linéaire avec
la même polarisation. L’autocorrélation est obtenue par mesure de la puissance moyenne
du signal doublé en fréquence. Ce dernier est maximal quand les deux impulsions génèrent
des interférences constructives. L’amplitude totale du champ électrique est alors doublée
par rapport à une unique impulsion, soit quadruplée en terme d’intensité, et enfin ×16
après le doublage de fréquence. Par opposition, lorsque la différence de marche est trop
importante et que les interférences disparaissent, l’intensité après le doublage de fréquence
ne sera que de ×8. La variation de ces amplitudes permet finalement de définir les limites
de la durée de l’impulsion.

49
Chapitre 2 Contexte et paramétrisation des usinages

Figure 2.4 – Photographies : (a) Platines de translation xyz Schneeberger. Le portique à

proximité permet d’amener le faisceau verticalement jusqu’à l’échantillon ; (b) Banc d’analyse
de faisceau positionné sur les platines.

2.2.3 Analyse spatiale de faisceau

L’analyse spatiale permet de déterminer les principales caractéristiques du faisceau :
forme, dimension, propriétés de propagation. Elle peut être réalisée en deux temps, à
savoir avant et après focalisation. La plus courante se situe après la focalisation car elle
mesure la valeur exacte de la taille du faisceau et sa forme au niveau du plan d’usinage.
Pour cela, un banc d’analyse a été développé exclusivement à cet effet en vue d’être
déplaçable sur chacune des stations de travail. Ce banc est représenté schématiquement
Fig. 2.3 par l’ensemble [L2 − L1 − AF ] et en photographie sur la Fig. 2.4(b). L’analyseur
de faisceau (AF ) est une caméra Newport LPB Series dédiée à ce genre d’analyse et
constituée d’un capteur CCD de 720×576 pixels de dimensions 9.0515 × 8.3 µm. La
taille relativement large de ces pixels implique une faible résolution au niveau du plan
focal où les dimensions ne dépassent généralement pas quelques dizaines de microns.
Un grossissement est dès lors nécessaire, satisfait par le couple (L2 − L1 ) : L2 est une
lentille boule de distance focale très courte tandis que L1 est une lentille convergente
de 100 mm. L’ensemble équivaut à un grossissement de ×4.5 à ×5 dans les conditions
normales d’utilisation et est remesuré à chaque expérience, les optiques étant sujettes à
de possibles déplacements sur le banc. Une comparaison relative des translations entre
la réalité des platines et l’observation sur le capteur permet une estimation simple et
rapide de ce grossissement. Une variation de la position du capteur autour du plan focal
permet d’observer l’élargissement de la taille du faisceau d’après l’éq. (1.18) moyennant
l’intégration du M 2 introduit par (1.27). Une régression polynomiale du second degré
associe les diverses constantes :
ω02
ω(z)2 = (z − z0 )2 + ω02 , (2.1)
zR2
!2 !2  !2 
2 2ω0 M 2 λ 2ω0 M 2 λ 2 2ω0 M 2 λz0
[2ω(z)] = z 2 − 2z0 z + (2ω0 ) +  (2.2)
πω02 πω02 πω02
= az 2 + bz + c . (2.3)

Nous pouvons déduire de cet ajustement et de sa dérivée les caractéristiques principales

du faisceau connaissant (1.26) :

50
 2.2 Banc d’usinage laser et caractérisation in-situ

Figure 2.5 – Résultats d’analyse de faisceau à la sortie du laser (graphiques (a) (b), au 08/2010)
et après focalisation (graphiques (c) (d) au 06/2011). (a) Variation de la puissance transmise
au détecteur en fonction du décalage du cache par la méthode dite du couteau. (b) Dérivée de
la courbe (a) associée à 3 fonctions d’ajustement : Gaussienne en bleu, Lorentzienne en rouge,
de Voigt en violet. (c) Tracé du diamètre de faisceau au carré autour du plan focal en z0 d’une
lentille de 50 mm et régression polynomiale équivalente. (d) Évolution de l’ellipticité du faisceau
autour du plan focal pour cette même lentille.

√ b πθréel ωréel
θréel = a z0 = − M2 = .
2a 2λ
La Fig. 2.5(c) montre les résultats de diamètres de faisceau obtenus après focalisa-
tion d’une lentille de 50 mm ainsi que la régression associée. Le M 2 étant indépendant
de la focalisation contrairement à θ, nous ne donnerons que la valeur déduite pour ce
premier qui est d’environ 1.3. Celui-ci peut aisément fluctuer en fonction des conditions
environnementales ou des interventions de maintenance, impliquant une divergence plus
ou moins prononcée au cours de la propagation. La taille du faisceau à l’entrée du doublet
achromatique de focalisation pourra dès lors être différente, ce qui aura pour conséquence
un changement de la tache focale au niveau de l’échantillon, approximé par l’éq. (1.33).
L’ellipticité tracée Fig. 2.5(d) est donnée par la différence entre le waist (ou diamètre)
mesuré entre une direction et sa perpendiculaire selon l’équation :
ωHor. (z)
" #
E(z) = 100 × 1 − . (2.4)
ωV ert. (z)
Nous remarquons que le faisceau présente une ellipticité constante d’environ -5% loin du
plan focal, se déforme fortement à proximité et est quasiment circulaire en ce plan.

51
Chapitre 2 Contexte et paramétrisation des usinages

Pour des analyses spatiales en sortie de laser non focalisé, les dimensions de la ca-
méra sont trop petites pour contenir l’intégralité du faisceau. Une seconde méthode, dite
du couteau, est préférentiellement employée. Elle consiste à écranter progressivement et
transversalement à l’axe de propagation le faisceau au cours d’une mesure de puissance.
En fonction de la position du cache, la photodiode ne verra que partiellement le fais-
ceau, d’où une baisse des valeurs de mesures, comme illustrée Fig. 2.5(a). La puissance
moyenne mesurée n’est autre que l’intégrale de la forme gaussienne, il suffit donc de déri-
ver la courbe obtenue pour trouver la forme et les dimensions du faisceau. La Fig. 2.5(b)
résulte de la dérivation de la Fig. 2.5(a). Le diamètre du faisceau en 1/e2 est d’environ
7 mm et révèle de légers défauts de bords probablement dus à des effets diffractifs. Il a
donc été décidé d’utiliser un diaphragme de 7 mm afin de limiter ces défauts. Bien que le
ratio défini par Belland et al. soit ici de 1, il n’est pas constaté de perturbations notables
au plan focal qui tend toujours vers une forme gaussienne.
Ces mesures permettent de conclure qu’il est essentiel pour un procédé laser répétable
de bien connaître les propriétés du faisceau au minimum au niveau du plan d’usinage qui
peut être largement modifié en fonction d’une fluctuation du M 2 , de la qualité du faisceau
en sortie du laser, ou de problèmes d’astigmatisme à l’origine de l’ellipticité.

2.2.4 Visualisation de la zone d’usinage

La visualisation de la zone d’intérêt est permise par l’ensemble des éléments situé
dans l’encadré de la Fig. 2.3. Elle comprend une diode laser P servant de pointeur de
premier réglage et émettant dans le rouge visible. Elle est assistée d’une caméra CMOS
monochrome Thorlabs faisant l’image de la zone d’impact au niveau du plan focal par la
lentille L3 . L’ensemble est éclairé par une source blanche SB non collimatée.
Le positionnement de l’échantillon au niveau du plan focal laser peut finalement être
obtenu de deux manières. Soit nous nous fions à l’élargissement du faisceau autour du
plan focal comme décrit par la courbe 2.5(c) et usinons un matériau test permettant de
détecter l’impact de plus faible diamètre. Soit nous nous basons sur la netteté de la caméra
de visualisation positionnée de sorte que le contraste soit optimal au plan focal. Dans nos
travaux, la première méthode à été préférentiellement exploitée. L’image de l’usinage est
reproduite sur un matériau test nous permettant d’avoir une vérification supplémentaire
de la forme de l’impact et pouvant légèrement différer de la forme du faisceau enregistrée
au préalable. Aussi, le champ de netteté de la caméra lors de l’utilisation d’une longue
focale est trop important de sorte que l’estimation du positionnement du plan focal est
nettement moins précise.

2.3 Paramétrisation de l’usinage laser

Les caractéristiques de l’interaction entre le laser femtoseconde et la céramique PZT
peuvent être regroupées en 3 critères principaux : la fluence seuil, le taux d’ablation et
le facteur d’incubation. Ils traduisent à une longueur d’onde, une durée d’impulsion et
une cadence données, l’évolution des dimensions et des vitesses d’usinage en fonction des
paramètres principaux d’influence, à savoir la densité d’énergie, le nombre d’impulsions
ou la forme de faisceau. Pour un procédé, leur connaissance est essentielle car ils per-
mettent de justifier des paramètres d’ablation choisis et d’anticiper les temps de procédé.

52
 2.3 Paramétrisation de l’usinage laser

Cependant, nous verrons dans cette section que leur définition n’est pas toujours claire
et peut donc engendrer des erreurs d’interprétation.

2.3.1 Seuils d’usinage et phénomènes associés

État de l’art et définitions

Le procédé laser étant un procédé radiatif, il est évident d’affirmer qu’aucune modi-
fication ne sera engendrée sur un matériau irradié tant que la densité d’énergie au point
d’impact sera trop faible. A mesure que celle-ci est augmentée, la matière franchit diffé-
rents seuils critiques dont chacun trouve un panel varié d’applications industrielles. Bien
que ces seuils n’existent pas pour tous types de matériau du fait de différences struc-
turelles, nombre d’entre eux restent universels et peuvent être obtenus grâce à la forme
gaussienne du faisceau comprenant différents niveaux de fluence. C’est ce que constatèrent
Bonse et al. dans leur étude sur la réactivité du silicium avec des impulsions femtosecondes
et sur laquelle nous baserons notre état de l’art [69].

Nettoyage. Le seuil de plus faible fluence considéré est le seuil de nettoyage, résultant
de l’effet photomécanique que l’onde de choc liée au plasma crée au voisinage de la
surface. Les particules peu adhérentes sont alors expulsées ou repoussées à proximité de
la zone d’impact comme le prouve le positionnement des débris d’usinage d’aluminium
des travaux de Yang et al. [102].

Marquage. A plus forte fluence, le matériau subit un endommagement irréversible de

sa structure. Sur le silicium, l’amorphisation est définie comme le seuil à partir duquel
l’élévation de température est suffisante pour générer la fonte du matériau mais trop
faible de sorte que la vitesse de refroidissement ne permettent pas sa recristallisation. Le
matériau est alors dans un état amorphe. Le seuil de recristallisation peut être néanmoins
atteint en augmentant davantage la fluence. Ces deux seuils sont rarement distingués sur
d’autres matériaux probablement dû à des mécanismes d’interaction différents. Néan-
moins, nous distinguons toujours un seuil de marquage où la matière est modifiée sans
pour autant qu’il y ait d’ablation prononcée.
A ces densités, le phénomène le plus relaté dans la littérature est sans nul doute
celui des nanostructures auto-organisées périodiques couramment appelées "Laser Indu-
ced Periodic Surface Structures" (LIPSS) ou ripples et illustrées sur inox et PZT Fig.
2.6 [115]. Favorisées par des durées d’impulsions courtes, elles présentent des propriétés
très singulières comme leur apparition sur la grande majorité des matériaux usinés, une
orientation dépendante de la polarisation incidente ou encore une périodicité variable
en fonction des paramètres du faisceau. Citons par exemple les travaux de Wang et al.
qui recensèrent de tels motifs sur des métaux comme le cuivre, l’argent et l’or à partir
d’impulsions de 60 fs à 800 nm ou encore Dusser et al. qui exploitèrent leurs propriétés
diffractives en colorimétrie [116–118]. Sur semi-conducteurs et diélectriques, nous cite-
rons également Borowiec et al. ainsi que Costache et al. pour leurs fortes contributions à
l’étude de telles structures [119–121].
Nous verrons plus tard dans ce manuscrit que ces ripples pourront être exploités
comme marqueurs de qualité, témoins d’usinages à basse fluence dans le contexte de la
découpe des céramiques PZT.

53
Chapitre 2 Contexte et paramétrisation des usinages

Figure 2.6 – Nanostructurations de surface "ripples" ou "Laser Induced Periodic Surface Struc-
tures" (LIPSS). (a) Sur Inox 316L. (b) Amorces sur le PZT d’étude.

Ablation. Le dernier seuil qui nous intéresse tout particulièrement est le seuil d’abla-
tion, à partir duquel la fluence est suffisamment importante pour éjecter la matière.
Plusieurs méthodes de détermination ont cependant été reportées dans la littérature, ce
pourquoi des résultats différents peuvent apparaître pour des matériaux similaires. De
plus, l’ablation étant au préalable précédée des seuils que nous venons d’énumérer, il est
bien souvent difficile de définir une valeur clairement identifiée.
En 1982, Liu et al. interpolèrent pour la première fois un seuil d’ablation qu’ils identi-
fièrent comme l’énergie à l’origine d’un diamètre nul à partir de la régression du diamètre
d’ablation au carré en fonction du logarithme de l’énergie sur des faisceaux gaussiens [122].
Jee et al. introduisirent en 1988 une méthode innovante statistique basée sur la probabi-
lité d’obtenir une surface endommagée [123, 124]. 2 seuils en furent déduits : le premier
de probabilité nulle où aucun endommagement n’est constaté ; le second de probabilité
égale à 1 où l’intégralité des impacts était visible. Une plage d’environ 1 J/cm2 sépare ces
deux seuils, témoignant de la grande incertitude de leur détermination et des disparités
obtenues entre les différentes techniques. Plus tard, Kautek et al. observèrent la formation
de speckle résultant de la transmission / réflexion d’un laser He-Ne focalisé dans la zone
d’interaction [101] alors que Lenzner et al. proposèrent un seuil à partir duquel un volume
de retrait de matière pouvait être mesuré [125]. Rosenfeld et al. exploitèrent quant à eux
les propriétés de diffusion de la matière en milieu transparent pour visualiser les premiers
endommagements de surface après irradiation laser [126]. Hashida et al. conclurent des
courbes de taux d’ablation que plusieurs seuils étaient identifiables en considérant les
effets de l’absorption multiphotonique [127]. Cette méthode fut enfin largement reprise
et simplifiée à une unique extrapolation à basse fluence sur les métaux où l’absorption
est linéaire [104].

Méthodologie employée et résultats

Le choix d’estimation du seuil d’ablation du PZT avec le laser d’étude s’est porté sur
la méthode de Liu pour plusieurs raisons :
– Elle s’appuie sur les propriétés gaussiennes du faisceau et est donc indépendante de

54
 2.3 Paramétrisation de l’usinage laser

Figure 2.7 – Impact laser sur le PZT d’étude. La forme gaussienne théorique du faisceau y
est représentée ainsi que les paramètres de fluence crête Fcrête , fluence seuil d’ablation Fth et
diamètre d’ablation Da .

l’éventuelle évolution de la réaction du matériau ;

– Elle est largement utilisée dans la littérature sur tout type de matériaux et sous
hypothèse d’une réponse quasi-linéaire à l’irradiation : métaux [128–131], semi-
conducteurs [132–134], diélectriques [114, 135–137].

Nous rappelons tout d’abord l’équation de la forme gaussienne du faisceau vue éq.
(1.22) au niveau du plan focal z0 :

r2
−2 2
F (r, z0 ) = Fcrête (z0 )e ω0 . (2.5)
Le seuil de fluence Fth est atteint dès lors que l’ablation cesse, soit en r = ra = Da /2 où
Da est le diamètre d’ablation de l’usinage. Une illustration est donnée Fig. 2.7. L’équation
de la gaussienne peut se réécrire dans ce cas particulier par :

1 Da
 2
−
Fth = Fcrête (z0 )e 2 ω0 . (2.6)
En exprimant le diamètre d’impact en fonction de la fluence crête incidente, nous
trouvons que :

Da2 = 2ω02 ln(Fcrête ) − 2ω02 ln(Fth ) (2.7)

ou Da2 = 2ω02 ln(Ep ) − 2ω02 ln(Eth ) . (2.8)

Finalement, nous obtenons une relation linéaire entre le diamètre d’impact au carré
et le logarithme de la fluence ou de l’énergie de l’impulsion. Une bonne estimation peut
être déduite pour Da = 0 où la fluence crête Fcrête devient alors directement égale à
la fluence seuil Fth . La pente de la droite est proportionnelle au carré du rayon au plan

55
Chapitre 2 Contexte et paramétrisation des usinages

d’usinage, ce qui permet de la comparer avec les mesures faites par l’analyseur de faisceau.

Rappelons que cette équation n’est valable qu’avec un faisceau parfaitement gaussien.
Des défauts de bords engendreront des problèmes inévitables de linéarité. De même un
faisceau tophat aura par nature un diamètre constant quelle que soit la fluence appliquée
et ne permettra donc pas l’estimation d’un seuil par cette méthode. Le plan ayant la plus
grande probabilité de s’approcher de la forme gaussienne pure est donc le plan focal.
La diminution du diamètre d’impact avec la fluence offre en outre la possibilité de
dépasser la limite de diffraction en réduisant la fluence. Des structures très fines, de l’ordre
de la centaine de nanomètres, deviennent accessibles à forte focalisation en jouant sur le
ratio Fcrête /Fth [138].
Enfin, la mesure se fait préférentiellement en conditions statiques, c’est à dire sans
déplacement de faisceau. Les impulsions sont accumulées en un même impact de sorte
que chaque point du matériau voit la même fluence entre chacune d’elles. Nous verrons
dans la partie incubation que certains matériaux, et en particulier leur seuil d’ablation,
peuvent être influencés par le nombre d’impulsions vues au cours de l’interaction. Dans
le cas ou le diamètre d’impact serait déterminé après un usinage dynamique (une rainure
par exemple), il sera difficile de déterminer l’effet de chaque impulsion en chaque point
irradié du fait de l’évolution de la fluence de forme gaussienne à chaque nouvelle transla-
tion. Pour simplifier l’analyse, il est donc fortement conseillé de rester au plan focal avec
des usinages statiques.

La Fig. 2.8 présente des résultats comparatifs de régression linéaire entre le PZT et
le nickel avec une lentille de focalisation de 250 mm.

Figure 2.8 – Détermination de la fluence seuil par la méthode de Liu [122] : tracé du diamètre
d’impact au carré en fonction du logarithme de la fluence crête sur PZT et nickel. Focale de
250 mm, 50 impulsions pour le PZT et 70 impulsions pour le nickel.

Ce second matériau a été utilisé ici à titre de comparateur car l’interaction laser-
matière sur les métaux est plus connue et mieux maîtrisée que sur le PZT où il n’existe

56
 2.3 Paramétrisation de l’usinage laser

aucun résultat pour des durées d’impulsions ultra-brèves. Notons une excellente linéarité
entre 0.5 et 15 J/cm2 dans les deux cas. L’abscisse à l’origine nous permet d’exprimer les
seuils d’ablation du PZT et du nickel :

Nickel : Fth = 0.13 J/cm2 < PZT : Fth = 0.38 J/cm2 .

Le seuil obtenu pour le nickel est en accord avec celui obtenu par Hashida et al. pour
une impulsion de 70 fs [127]. De manière générale, les seuils d’ablation des métaux oscil-
lent entre 0.1 et 0.2 J/cm2 , comme le confirme les travaux de Mannion et al.(0.16 J/cm2
pour l’inox, 0.146 J/cm2 pour le niobium,0.102 J/cm2 pour le titane) [128]. Le seuil
d’ablation du PZT est supérieur à ces valeurs. Cela peut être relié à l’interaction diffé-
rente des diélectriques où une absorption non linéaire des photons précède à l’ablation
et où des intensités plus importantes sont nécessaires. Une comparaison des résultats sur
d’autres diélectriques confirme cette tendance : seuil supérieur à 1.5 J/cm2 pour le verre
borosilicaté et l’alumine, et supérieur à 0.5 J/cm2 pour l’AlN [135, 137].

Le waist du faisceau ω0 au plan d’usinage peut être déduit de la pente de la droite et

comparé aux autres mesures obtenues au cours de l’étude :

Méthode de mesure ω0 (µm)

Analyseur de faisceau 27
Simulation Zemax 26.25
Régression linéaire 22.5

Table 2.1 – Estimation du waist ω0 du faisceau au plan focal selon plusieurs méthodes :
l’analyse de faisceau, la simulation de propagation sous Zemax et la régression linéaire par la
méthode de Liu [122].

Première constatation : la simulation Zemax est très proche de l’analyse de faisceau.

Cela suppose donc que l’approximation des caractéristiques du laser lors du paramétrage
du logiciel coïncide avec la réalité. En second lieu, la régression linéaire donne une valeur
encore inférieure aux deux précédentes, posant le problème de la conversion en fluence du
seuil d’ablation avec une question simple : quelle surface de faisceau donnera la fluence
seuil la plus proche de la réalité ? Il existe alors deux possibilités de calcul : Soit la mé-
thode de Liu est exploitée en fonction de l’énergie selon l’éq. (2.8). Le seuil en fluence
est ensuite déduit du rapport entre le seuil extrapolé en énergie et la surface du faisceau
dont le waist est estimé par la pente de la régression linéaire. Soit la méthode de Liu est
directement exploitée en fluence grâce à des analyses de faisceau antérieures et son seuil
déduit instantanément. Pour notre part, nous avons choisi d’employer la seconde hypo-
thèse, considérant qu’une mesure indépendante du matériau serait plus réaliste qu’une
interaction non maîtrisée.

Bien que cette méthode soit dédiée à l’estimation du seuil d’ablation, la recherche du
taux d’ablation nous conduira également à des valeurs de seuils que nous traiterons dans
la partie suivante à titre comparatif.

57
Chapitre 2 Contexte et paramétrisation des usinages

Enfin, nous avons évoqué précédemment la possibilité d’une non-linéarité de ces

courbes. Celle-ci est rarement mise en évidence dans la littérature mais les travaux de
Kim et al. présentent néanmoins ce phénomène que nous avons également pu observer au
cours des premiers essais [135]. A partir d’une certaine fluence, non constante en fonction
des conditions d’usinage, la croissance du diamètre d’ablation s’accélère de sorte que la li-
néarité ne soit plus valable. Nous avons tenté d’expliquer ce phénomène par des défauts de
forme de faisceau qui ne serait pas exactement gaussien. Pour cela, nous avons développé
une interface sous environnement Matlab permettant, à partir des formes de faisceau
calculées sous Zemax à l’identique de la Fig. 1.10, de déduire les dimensions du diamètre
d’ablation en fonction de la fluence, moyennant le pré-paramétrage de l’interaction.
L’Annexe (C) présente cette interface. La simulation en exemple montre que tout
d’abord l’évolution de la largeur des impacts tend vers 0 loin du plan focal. En effet,
le faisceau y est de plus en plus large et l’énergie étant constante en chaque plan, la
fluence crête diminue jusqu’à devenir inférieure au seuil. Les paramètres de fluence seuil
et d’incubation sont arbitraires, bien que proches de la réalité. La simulation Zemax
considérée est celle sans de diaphragme, donc proche d’une propagation gaussienne avec
un M2 de 1.46 (valeur mesurée au début des travaux). La focale est identique à la Fig. 1.10
et vaut 50.8 mm. Le résultat du tracé de la méthode de Liu montre de manière évidente
une dérive du diamètre d’impact à très forte fluence. Dans cette simulation, seule la forme
du faisceau entre en jeu. Une déviation du profil de faisceau par rapport à la gaussienne,
infime soit-elle au niveau des pieds (voir la Fig. 1.10(c) où il n’apparaît a priori aucun
défaut), engendre donc ce type d’effet. Bien qu’elle n’explique pas toute la complexité
de cette dérive, cette étude a le mérite d’apporter une ébauche d’explication. Évoquons
par exemple l’effet non linéaire d’autofocalisation comme seconde cause possible à forte
fluence et qui se traduit par un rapprochement du plan focal par rapport à la lentille,
élargissant le faisceau en un plan constant d’usinage

2.3.2 Taux d’ablation

Le taux d’ablation quantifie la proportion de matière éjectée ramenée à une seule im-
pulsion et s’exprime en unité spatiale par impulsion. Il dépend à la fois des paramètres du
procédé (fluence, focale, nombre d’impulsions...) mais également des propriétés du ma-
tériau (structure électronique et cristallographique, absorptions optique et thermique...).
De ce fait, il permet de recenser les principales caractéristiques macroscopiques de l’abla-
tion et se trouve être un moyen efficace pour l’estimation des vitesses de découpe. Dans
un cadre plus scientifique et tout comme le seuil d’ablation, il aide à mieux appréhender
les mécanismes d’interaction par observation de son évolution avec les paramètres mais
également par comparaison avec les diverses classes de matériaux. Deux catégories de
taux se distinguent dans la littérature :
– le taux d’ablation en profondeur, que nous nommerons simplement taux d’abla-
tion et où l’intérêt se porte essentiellement sur la profondeur maximale atteinte
(µm/impulsion) ;
– le taux d’ablation en volume, que nous nommerons taux volumique et où l’évo-
lution du diamètre est également prise en compte (µm3 /impulsion).
Comme nous le détaillerons, le taux volumique se calcule sans ambiguïté alors que
le taux d’ablation soulève des questions méthodologiques en fonction du procédé utilisé.
Par exemple, comment calculer le nombre d’impulsions vu en un point du matériau cible
lors d’un rainurage par un faisceau de forme gaussienne ? Au lieu de les résoudre, la

58
 2.3 Paramétrisation de l’usinage laser

littérature existante met en évidence des divergences de méthodes qui peuvent amener à
une disparité dans les résultats, amplifiée par des incertitudes expérimentales et physiques
inhérentes à la discipline.
Une partie importante de notre travail a donc été d’analyser ces variantes, tenter
de les simuler pour enfin proposer nos propres solutions. En parallèle, des méthodes de
caractérisation adaptées ont été développées afin de pouvoir satisfaire aux mesures de
profondeurs, critiques pour l’estimation de ces données. A terme, les taux d’ablation en
profondeur et en volume du PZT ont pu être mesurés avec une plus grande confiance et
de meilleures estimations. Tout comme le seuil d’ablation, ces résultats ont également été
comparés à d’autres matériaux, métalliques ou non.

Métrologie de surface
Il existe actuellement un grand nombre de moyens de caractérisation destinés aux
analyses spatiales pour le micro et le nano-usinage. Leur résolution est variable et forte-
ment dépendante des technologies mécaniques, optiques ou électriques employées. Nous
recensons brièvement et de manière non exhaustive quelques unes de ces techniques et en
particulier celles ayant été testées pour la mesure de profondeur sur le PZT.

Profilométrie mécanique. La profilométrie mécanique utilise un palpeur à pointe

diamantée venant épouser la forme du matériau au cours d’un balayage sur une surface
déterminée par l’opérateur. Un tel système est disponible sur la plateforme de travail
(AltiSurf 500 de chez Altimet) et dispose de 2 stylets diamantés de conicité et largeur
minimale respective de 90° pour 5 µm et 45° pour 2 µm. Plusieurs problèmes naissent de
cette technique : des rayures peuvent dégrader les échantillons ductiles et la forme de la
pointe diamant limite sa pénétration dans de petits motifs. Cette dernière se traduit par
la profondeur maximale accessible dans les conditions d’expérience (Fig. 2.9). Bien que la
pointe de 45° permette de pénétrer plus en profondeur à diamètre équivalent, des risques
non négligeables de rupture sont à constater. Un effort a été fait avec le fournisseur pour
définir une pointe nouvellement accessible en tungstène en vue de palier aux défauts du
diamant. Ce matériau présente les avantages d’être dur et de se manipuler très finement,
de sorte que les pointes se transforment en aiguilles de conicité inférieure à 10° avec
une largeur minimale inférieure au micron. Or en plus de sa grande fragilité, il a été
constaté malgré optimisation que la pointe devenait trop élastique et sautait les aspérités
de surface, engendrant de nombreux points non mesurés et une déformation de la surface.

Profilométrie à aberration chromatique. Elle tient dans l’utilisation d’une source

multi-spectrale où chaque longueur d’onde va se focaliser après la lentille sur des plans
différents. La réflexion d’une de ces longueurs d’onde sur la surface du matériau est
captée par un spectromètre qui déduira la hauteur du matériau en rapport avec cette
longueur d’onde. Le problème réside dans l’intensité de la fraction de lumière réémise.
Parmi toutes les raies de la source blanche, seule une infime fraction est réfléchie. Bien
que cela convienne pour des métaux souvent fortement réfléchissants, les matériaux absor-
bants et diffusants tels que le PZT ne permettent pas de réfléchir suffisamment d’énergie
pour que celle-ci soit captée.

Interférométrie en lumière blanche. L’interférométrie en lumière blanche reste

une des techniques les plus résolues avec en latéral 0.5 µm et en vertical 2 nm environ.

59
Chapitre 2 Contexte et paramétrisation des usinages

Figure 2.9 – Profondeur maximale mesurée par les pointes profilométriques en fonction du
diamètre d’ablation. L’encart donne un grossissement des valeurs proches de 0.

Elle se base sur la détection de figures d’interférences très localisées verticalement dues
à l’utilisation de ce type de source. Le problème de cette technique bien que très rapide
réside dans la nécessité d’un état de surface très peu accidenté. Cette technique est capable
de détecter de très petits défauts comme des fissurations, mais comme la profilométrie
optique à lumière blanche, la détection de lumière réfléchie est très rapidement estompée
par la rugosité du matériau.

Microscopie à force atomique (AFM). L’AFM est la technologie la plus pointue

en termes de précision de mesure. Une pointe en silicium de 5 nm de diamètre vient balayer
la surface et l’enregistrement de la déflexion du micro-levier par laser permet de capter des
ondulations extrêmement fines, de l’ordre du nanomètre. Deux modes sont généralement
proposés, avec et sans contact. Dans le premier, le fonctionnement du palpeur ressemble à
celui d’un palpeur mécanique tandis que le second résulte d’une interaction par les forces
de Van der Waals. La pointe ne touche alors plus le matériau, évitant ainsi usure de l’outil
et dégradation du matériau. Le problème de cette technique tient dans la limitation des
balayages, que ce soit en largeur ou en hauteur : une profondeur maximum de 5 µm et une
surface maximum de 100 µm2 limitent grandement la plage mesurable sur les échantillons.

Enrobage+microscopie. L’enrobage exploite les propriétés des polymères qui viennent

pénétrer dans les usinages. Il peut être exploité de deux manières : la première l’utilise
comme moyen de mesure du fait de la forme inverse des usinages que ce matériau épouse.
La mesure est donc simplifiée et réalisée sur des hauteurs plutôt que sur des profon-
deurs [139]. Bien que non testée, il semble que cette technique requiert un protocole
complexe vis à vis de la fabrication du polymère dont les propriétés ont une influence
importante sur la qualité du moulage. La seconde exploite simplement ce modelage en
vue de rigidifier l’échantillon. L’observation des profils suite à la découpe et au polissage

60
 2.3 Paramétrisation de l’usinage laser

transverse donne ainsi une information nette et visuelle sur la forme et la profondeur
des motifs usinés. Cependant, le polissage reste critique dans certaines conditions car la
contrainte appliquée par le grain abrasif peut provoquer le fluage des matériaux ductiles
tels que les métaux et dès lors engendrer des modifications de structure. En plus des grains
abrasifs libres qui peuvent polluer la surface et du polymère pas toujours adhérent, les
faibles profondeurs (inférieures à 5 µm) sont souvent peu résolues et difficilement acces-
sibles. La quantité de matière retirée par polissage est également inconnue, ce pourquoi
ce sont la plupart du temps les usinages dynamiques tels que le rainurage ou le surfa-
çage qui sont analysés par cette technique. Or l’observation d’un profil unique comme
représentatif reste très réducteur et peut fausser les interprétations.

Microscopie confocale. Enfin, des essais en microscopie confocale ont permis de

constater l’adaptabilité de cet outil pour la métrologie de surface bien qu’essentiellement
exploité en biologie et minéralogie [140, 141]. Des structures de dizaines de microns sont
accessibles sans contact et sur des matériaux diversifiés comme les métaux ou les cé-
ramiques. De plus en plus d’outils de caractérisation l’exploitent, tendant à démontrer
ses possibilités et sa pertinence dans ce domaine. Le principe du confocal réside dans la
focalisation d’un laser sur un échantillon à travers un système de microscopie. En mode
réflexion, celui-ci est capté en retour par un détecteur auparavant filtré d’un diaphragme
et permettant de sélectionner uniquement la zone focale sachant que plus l’ouverture sera
étroite, plus la résolution sera grande mais au détriment de l’éclairement. La translation
du faisceau par des miroirs galvanométriques internes permet finalement de balayer une
surface XY dont seuls les points situés au plan focal seront visibles. Cette étape est répé-
tée en différents plans Z et permet de constituer une pile d’images pour la reconstitution
3D. Bien qu’elle ne soit pas la plus précise, cette méthode de caractérisation peut at-
teindre une résolution latérale inférieure à 100 nm sur des champs de plusieurs centaines
de microns selon l’objectif utilisé ainsi qu’une résolution axiale de l’ordre du micron prin-
cipalement dépendante de la distance de Rayleigh intrinsèque à la focalisation laser. Elle
est donc particulièrement pertinente pour nos mesures allant de 0 et 50 µm en profondeur
pour une cinquantaine de micromètres de large. Aussi, le grand choix de paramètres de
réglages tel que la longueur d’onde laser, sa puissance, le contraste ou le gain, etc... en
fait une technique souple et très adaptable pour de nombreux matériaux.
Le laboratoire dispose d’un tel système de type Leica SP2 dédié à la biologie et
couplé à plusieurs sources lasers dont une femtoseconde pour la microscopie confocale à
deux photons. L’intérêt y est multiple : disponibilité et formation sur le site de travail
ainsi que développement de nos propres outils informatiques pour la caractérisation de
surface. Sur PZT, les meilleurs résultats ont été obtenus avec un laser Argon de longueur
d’onde 543 nm couplé à un objectif ×40 à immersion à eau et d’ouverture numérique
0.8 (résolutions axiales et latérales résultantes de 250 nm et 2.1 µm). Les métaux ont
également été testés mais donnent des résultats moins satisfaisants bien que suffisants
du fait du fort contraste entre la surface polie saturée en réflexion et le motif sombre et
peu réfléchissant. Les traitements informatiques ont été réalisés sur ImageJ et Matlab.
ImageJ permet la détection et la conversion aisées des images Leica, leur affichage 3D, la
mesure de volumes et le moyennage des profils pour l’estimation des profondeurs moyennes
sous Matlab. L’annexe (B) détaille ces différents traitements et la Fig. 2.10 montre des
exemples de rainures de PZT et nickel. Les excellents résultats des profils obtenus nous
ont finalement incité à exploiter cette technique pour la détermination des profondeurs
avec comme objectif final l’estimation des taux d’ablation.

61
Chapitre 2 Contexte et paramétrisation des usinages

Figure 2.10 – Images 3D reconstituées à partir d’analyses confocales sur (a) PZT et (b) Nickel
ainsi que leurs profils moyens. Les rainures ont été usinées à 7 J/cm2 , 4.6 mm/s sur PZT et
2.3 mm/s sur nickel.

Taux d’ablation volumique

L’analyse du taux volumique est tout d’abord simplifiée par la caractérisation en 3
dimensions de l’énergie absorbée par un matériau, soit la considération simultanée des
profondeurs, des diamètres et de la forme des usinages. Elle est donc relativement proche
de la réalité, à supposer que l’erreur de mesure soit négligeable devant sa dimension.
Néanmoins, l’inconvénient majeur réside justement dans l’absence de mesure clairement
définie de la profondeur, paramètre essentiel pour une estimation de vitesse de découpe.

Le taux volumique est moins recensé dans la littérature que le taux d’ablation,
très probablement pour la raison citée précédemment mais également vis à vis de la
méthode de caractérisation devant accéder à des analyses précises en volume. A titre
d’exemple, l’AFM est souvent employé pour la caractérisation de cavités laser [124, 142].
Il reste pourtant rapidement limité par sa plage de tolérance, réduite à un volume
largeur×longueur×profondeur de 10×10×5 µm, et par son incapacité à détecter au-delà
de fortes irrégularités comme peuvent le montrer les coupes MEB de Kara et al. à fortes
fluences [143]. Perrie et al. employèrent une technique optique par microscopie interféro-
métrique pour caractériser le volume de rainures sur de l’alumine [144]. Son efficacité est
très dépendante du matériau qui doit avoir une rugosité de surface faible et une bonne
réflectivité afin de pouvoir discerner les franges d’interférence de surface. Nous pouvons
citer également les travaux de Gonzales et al. où le volume est obtenu indirectement par

62
 2.3 Paramétrisation de l’usinage laser

Figure 2.11 – Procédé d’usinage et d’analyse du taux volumique.

observation des dimensions d’entrée-sortie sur une feuille de métal, estimant la propaga-
tion dans le matériau selon une forme conique [145].

Dans notre étude, nous nous sommes intéressés à une troisième technique, celle de la
mesure de masse, qui semble cohérente avec l’objectif d’estimer la quantité de matière
ablatée, et connaissant les fortes avancées de la micro-pesée développée majoritairement
pour la chimie pharmaceutique. Elle a été très brièvement évoquée dans les domaines
nanoseconde et picoseconde, du mg au g, pour la détermination de masses ablatées et
de vitesses d’ablation en masse [146, 147]. Or ni ses caractéristiques en matière de mé-
thodologie et de performance, ni son utilisation pour l’estimation des seuils d’ablation
sous impulsions ultra-courtes, n’ont été décrites à ce jour. Ces travaux se sont centrés
sur l’évolution avec la fluence qui constitue le paramètre le plus influent sur la vitesse
d’usinage et ont donné lieu à la fois à une publication scientifique mais également au vue
des excellents résultats obtenus, à l’achat d’une micro-balance Mettler Toledo XP26 de
précision 1 µg sur 22 g de gamme de mesure.

Afin de mesurer une masse suffisamment élevée devant la précision du moyen de

caractérisation estimée à 3 µg, une série de rainures à fluence fixe ont été usinées à la
vitesse v = 5 mm/s sur des cibles séparées. Une douzaine d’échantillons ont permis de
balayer des fluences crêtes allant de 0.2 à 15 J/cm2 . Comme le souligne les étapes du
procédé Fig. 2.11, le rainurage est précédé et suivi d’étapes de nettoyages ultrasoniques
et de pesées. Connaissant la cadence du laser ∆ν = 5 kHz et la longueur totale usinée
Ltot , il nous est aisé de remonter au nombre d’impulsions Np accumulées sur le matériau :

∆νLtot
Np = . (2.9)
v

Le taux volumique τvol peut finalement être déduit connaissant la masse totale ablatée

63
Chapitre 2 Contexte et paramétrisation des usinages

∆m et la masse volumique ρ du matériau cible :

∆V ∆m v
τvol = = . (2.10)
Np ρ ∆ν Ltot

Plus la masse ablatée sera importante, plus la précision sera bonne. Deux choix s’offrent
donc : soit nous augmentons le nombre de passages par rainure, soit à l’inverse, nous aug-
mentons le nombre de rainures. Le choix le plus judicieux reste le second car nous avons
brièvement évoqué lors de la discussion sur le seuil d’ablation que le nombre d’impulsions
en un point du matériau pouvait modifier les caractéristiques de l’interaction (voir sec-
tion sur l’incubation). Ainsi proche du seuil, un grand nombre de rainures est nécessaire
pour détecter une faible variation de masse. Cette technique a donc comme avantage de
satisfaire à la détermination du seuil d’ablation avec une précision dépendante du temps
de procédé. Dans notre étude, la plage de mesure s’est étalée entre 7 µg et 11 mg environ
sur des métaux comme l’aluminium, l’inox et le nickel, la céramique PZT et le polymère
PMMA. Les résultats obtenus sont donnés Fig. 2.12.

Figure 2.12 – Evolution des taux volumiques avec la fluence sur 5 matériaux : Al, Ni, Inox,
PZT, PMMA. Valeurs obtenues sur (a) les métaux, inférieures aux valeurs de (b) sur le PZT et
le PMMA.

Remarquons que les métaux sont dissociés du PZT et du PMMA du fait de leur taux
volumique bien inférieur. En effet, alors que l’aluminium reste un métal plus tendre que
le nickel ou l’inox, il ne dépasse pas 103 µm3 / impulsion à 14 J/cm2 alors que le PZT
et le PMMA atteignent des valeurs 3 à 10 fois plus élevées. La plage d’observation en
fluence montre également une nette linéarité avec un léger fléchissement pour les métaux
autour des 2 J/cm2 . Les premiers points de mesures sont utilisés pour extrapoler les seuils
d’ablation résumés dans le tableau suivant :

64
 2.3 Paramétrisation de l’usinage laser

Inox Aluminium Nickel PZT PMMA

Mmax (µg) 1628 1348 2020 11370 6161
ρ (kg/m3 ) 7900 2700 8900 7600 1177
Vmax (mm3 ) 0.206 0.499 0.227 1.50 5.23
Fth (J/cm2 ) 0.126 0.254 0.178 0.26 0.59

Table 2.2 – Résultats en matière de masse et de volume équivalent ablatés ainsi que le seuil
d’ablation obtenus à partir des expériences de taux volumique sur plusieurs matériaux.

A fluence crête max, le PZT présente une masse ablatée très importante reliée à sa
forte densité. Le volume équivalent reste compris entre les volumes faibles métalliques
et le fort volume du PMMA. Le seuil d’ablation extrapolé est aussi bien inférieur à la
valeur obtenue par la méthode de Liu. Nous pouvons également constater que le PZT et
le PMMA débutent leur ablation à des fluences plus élevées que sur les métaux mais dès
lors que le seuil est atteint, la croissance avec la fluence est nettement plus prononcée.
Cela peut être une conséquence de la nature diélectrique de ces matériaux qui nécessitent
de fortes fluences pour initier les phénomènes non linéaires de l’interaction après quoi
l’ablation se poursuit selon une tendance dépendante de la structure de la cible. Enfin,
les seuils obtenus sur les métaux sont proches des valeurs citées dans la littérature excepté
pour l’aluminium où notre estimation est supérieure [127, 128, 130].

L’utilisation du taux volumique pour l’estimation des proportions d’usinage et des

seuils d’ablation présente plusieurs intérêts : la mesure différentielle de masse est indis-
cutable, le calcul est simple, d’autant plus précis que la quantité de matière ablatée est
grande et les variations avec la fluence tendent à être linéaires, facilitant l’extrapolation
des seuils d’ablation. La microscopie confocale offre des valeurs équivalentes en matière
de volume mais est limitée pour de fortes ablations. Le gros inconvénient de la mesure de
masse touche les profondeurs qui ne sont pas définies à moins de les approximer à partir
des formes de faisceau. Or il n’y a pas nécessairement proportionnalité entre fluence et va-
leur du taux d’ablation (en profondeur), ce qui signifie que la forme du faisceau n’épouse
souvent pas de manière exacte la forme de l’usinage. Ces travaux comparatifs sont tou-
jours en cours d’étude mais à terme, cette technique pourrait être exploitée en temps réel
au cours d’un usinage : connaissant la variation de masse et la forme de faisceau, il serait
alors aisé d’en déduire la profondeur résultante sur l’échantillon. Aussi, un palier dans la
courbe de masse au cours d’une découpe indiquerait que la rainure est débouchante, à
supposer que les deux matériaux en regard n’aient pas du tout les même seuils et vitesses
d’ablation.

Taux d’ablation en profondeur

Pour l’heure, la majorité des études se base sur des courbes de taux d’ablation afin
de quantifier la vitesse d’usinage en profondeur en fonction des paramètres lasers et
environnementaux et dont la fluence en constitue le principal. Ce taux fait le lien entre
la profondeur ablatée P et le nombre d’impulsions totales N ayant irradiées un point
de l’échantillon, soit :
P P
τabl = = , (2.11)
N Npass Npu

65
Chapitre 2 Contexte et paramétrisation des usinages

où N est le produit du nombre d’impulsions accumulées en un passage Npu × le nombre

de passages Npass . Pour la plupart des matériaux et en particulier les métaux, le taux
d’ablation évolue selon trois stades à fluence croissante (Fig. 2.13) [148]. A basse fluence,
proche du seuil d’ablation Fth , celui-ci croît lentement et est associé à l’interaction pho-
tomécanique liée au coefficient d’absorption optique α :
Fcrête
 
τabl = α −1
ln . (2.12)
Fth

Passée un certain seuil empirique Fth ′

, l’ablation subit une croissance plus forte et est
gouvernée par la diffusion électronique ddif f dans le matériau avec une tendance identique
à la précédente : !
Fcrête
τabl = ddif f ln ′
. (2.13)
Fth
Enfin, à très haute fluence, une saturation se dessine où le taux d’ablation tend à se sta-
biliser. Le modèle du piston fut proposé pour expliquer cet effet qui se baserait sur une
resolidification de la matière avant son éjection [149]. Une autre hypothèse fut également
proposée par Colombier et al. considérant qu’une partie importante de l’énergie incidente
était perdue à cause du panache d’ablation qui comprimerait la matière contrainte dans
la cavité ablatée, limitant ainsi l’efficacité d’éjection [150].

Figure 2.13 – Courbure typique du taux d’ablation distinguant régime basse fluence, haute
fluence et saturation.

Parmi les paramètres d’influence, nous remarquons celui du milieu d’interaction sur
l’efficacité d’ablation. Sous vide, l’ablation est améliorée du fait de la réduction des effets
non linéaires tels que l’autofocalisation modifiant le plan de travail ou le claquage de l’air
absorbant une partie du faisceau et perturbant sa propagation. La simulation de l’inter-
action s’en retrouve simplifiée [151]. Également, les dépôts en surface issus des retombées
de matière éjectées sont fortement réduits. Le panache d’ablation peut se développer li-
brement sans entrer en collision avec les molécules en suspension présentes à pression
ambiante [148, 152]. D’après Wynne et al., les taux instantanés (écart entre 2 mesures

66
 2.3 Paramétrisation de l’usinage laser

de profondeur successives) en début d’usinage sur inox et aluminium restent semblables,

que ce soit sous vide ou sous air [153]. Or des essais de perçage sur 1 mm indiquent des
temps bien plus brefs sous vide, amenant l’auteur à conclure sur l’amélioration probable
de la géométrie et la structure des cavités, mais aussi des effets du dépôt et du plasma
d’ablation.
L’usage de l’eau comme environnement se justifie principalement par la volonté de
limiter la propagation de chaleur et les dépôts adhérents aux abords de la zone d’impact.
Les conséquences sont pourtant nombreuses : le taux d’ablation est réduit, le seuil équi-
valent augmente, une partie de l’énergie est absorbée et la propagation est légèrement
perturbée à l’interface [63]. Aussi la matière usinée reste en suspension, augmentant l’ab-
sorption de l’eau tandis que des structures inhabituelles peuvent venir peupler la zone
d’usinage [154]. Par exemple, sous laser Nd :YAG de durée 180 ns, le PZT révèle des
plaquettes d’une centaine de nanomètres d’épaisseur et correspondant grossièrement au
matériau initial [155].
Enfin, des milieux gazeux spécifiques peuvent être utilisés afin de favoriser l’ablation.
Des gaz inertes évitent certaines interactions dans la zone d’usinage [63] ou à l’inverse,
des environnements spécifiques sont exploités pour leur participation comme cela peut
être le cas avec le PbO pour palier à la volatilité du plomb lors de l’usinage de PZT.
Malgré tout, notre étude est restée focalisée sur la découpe de PZT sous air car
l’objectif du partenaire industriel est de définir un procédé simple et peu coûteux. Les
équipements sous vide ne conviennent donc pas à moins d’investissements conséquents
et l’utilisation de gaz supplémentaires nécessite l’achat de matière et la conception de
circuits de traitement. Enfin des essais succincts sous eau ont été rapidement abandonnés
du fait de la forte baisse d’efficacité de la découpe.

Nous distinguons également plusieurs variantes dans le choix du plan de travail ainsi
que du procédé d’usinage. La majorité des expérimentateurs usine des cavités au plan
focal ce qui certifie de fluences identiques à chaque impulsion sur une épaisseur d’environ
la distance de Rayleigh [131]. Des moyens de caractérisation performants sont nécessaires
pour parvenir à mesurer leur profondeur maximale. Sur les métaux, l’interférométrie op-
tique et la microscopie à force atomique sont préférées du fait de la faible rugosité de
surface, de la bonne réflectivité mais également des taux d’ablation peu élevés de ces ma-
tériaux [127–130]. Bonse et al. utilisèrent la microscopie optique sur le semi-conducteur
InP alors que Li et al. observèrent les sections transverses de cavités prédécoupées d’alu-
mine [132, 156].
En vue de simplifier les mesures ou de se rapprocher des conditions de procédés finaux,
il arrive que le faisceau ne soit plus statique mais soit déplacé sur l’échantillon. Que ce
soit par trépanation [135] ou par rainurage [104, 157], il semble alors évident qu’au plan
focal où le faisceau est gaussien, chaque impulsion n’aura pas le même impact sur le
matériau à mesure que le faisceau se translate. Bruneel et al. et Borowiec et al. tentèrent
dans leurs travaux d’adapter cette variable en jouant sur le calcul du nombre d’impul-
sions [133, 158]. Afin d’éviter ce type de calculs, Nolte et al. choisirent de se positionner
au plan image d’un diaphragme où le faisceau est estimé comme tophat [148]. Ainsi même
au cours d’une translation chaque impulsion interagit sur le matériau avec la même effi-
cacité. L’inconvénient majeur est que cette forme tophat n’est en réalité que théorique et
ressemble davantage à une figure de diffraction aux bords plus abrupts qu’une gaussienne.
Ce plan est également unique et même avec une analyse de faisceau dédiée, sa position
exacte reste difficile à discerner. Enfin, certaines études sont réalisées en des plans inter-

67
Chapitre 2 Contexte et paramétrisation des usinages

médiaires : Wynne et al. placèrent leurs échantillons en amont du plan focal de sorte à
avoir un diamètre constant de 150 µm tandis que Desbiens et al. se positionnèrent après
ce plan pour optimiser l’angularité des flancs [54, 153]. Ces derniers employèrent des rai-
nures pour estimer les taux d’ablation et leur calcul de nombre d’impulsions équivalent
montre clairement que leur faisceau est approximé par un tophat bien que celui-ci soit
gaussien, en plus d’un front d’onde non plan en cette position.

Les différentes méthodes de détermination des taux d’ablation citées précédemment

montrent qu’il est nécessaire de bien comprendre la nature de l’interaction en fonction
de la forme du faisceau afin de ne pas se méprendre sur leur interprétation. Nous nous
sommes en particulier intéressés à cette problématique méthodologique et avons tenté de
les comparer par simulation. En particulier, nous avons considéré comme vrai et donc
comme référence l’usinage statique, c’est à dire avec un faisceau fixe ou le nombre d’im-
pulsions vu par le matériau est clairement identifié. L’idée est donc dans le cas d’un
usinage dynamique (trépanation, rainurage, surfaçage...) de retrouver le taux d’ablation
statique avec une méthode de calcul adaptée et indépendante de la forme de faisceau.
Le tableau suivant recense les procédures vues dans la littérature avec leurs avantages et
inconvénients :

Protocole Mesure de Complexité de

Procédure
expérimental profondeur calcul
Statique G/TH + - +
Dynamique G + + -
Dynamique TH - + +

Table 2.3 – Avantages et inconvénients des procédures de calcul du taux d’ablation en pro-
fondeur en fonction de trois critères : le protocole expérimental qui tient compte de la mise en
place de l’échantillon et du procédé d’usinage ; la complexité de la mesure de profondeur et du
calcul permettant la déduction du taux. G : Gaussien ; TH : TopHat.

Les usinages statiques sont les plus cohérents et posent un minimum de problèmes
méthodologiques dans un protocole simplifié au maximum par l’accumulation d’impacts
au même endroit. Les profondeurs ne sont cependant pas toujours mesurables et il est
souvent difficile de certifier que la méthode de caractérisation parvienne jusqu’au fond des
motifs. Dans un cas dynamique avec faisceau gaussien (G), la difficulté de la mesure peut
être palliée par exemple en faisant une coupe transverse de l’usinage. Le plan focal est
également le plan le plus simple à trouver après une lentille et l’erreur de positionnement
autorisée équivaut à la distance de Rayleigh. Comme nous l’avons remarqué, l’inconvé-
nient réside principalement dans l’analyse du recouvrement au cours de la translation du
faisceau. Enfin, le cas dynamique avec faisceau tophat (TH) reste le cas théorique avec
lequel il est le plus simple de travailler, à supposer que ce plan soit trouvé et qu’il s’ap-
proche au maximum de la forme parfaite attendue.

Intéressons-nous désormais aux différentes estimations du recouvrement au cours de

ces procédés et en particulier à leur erreur respective. Nous définissons comme recouvre-
ment le nombre d’impulsions N irradiant un unique point du matériau situé au centre d’un
usinage. Nous restons en particulier localisés au plan focal où les propriétés du faisceau

68
 2.3 Paramétrisation de l’usinage laser

Figure 2.14 – Représentation du recouvrement d’impulsions translatées au cours d’un usinage

dynamique.(a) Cas d’un faisceau tophat ou le taux d’ablation (rouge) est constant sur toute la
largeur du faisceau. (b) Cas d’un faisceau gaussien où le taux d’ablation (rouge) varie propor-
tionnellement à la fluence (méthode dite proportionnelle gaussienne développée par Bruneel et
al. [158]).

sont les mieux maîtrisées et où nous avons basé notre optimisation de la découpe de PZT.

Dans le cas statique, N est tout simplement égal au nombre d’impulsions appliquées
par l’opérateur grâce au logiciel de gestion du laser.

Dans le cas dynamique tophat TH, N est directement proportionnel à la cadence laser
∆ν et la vitesse de déplacement v (Fig. 2.14(a)) :
∆ν
Ntophat = D. (2.14)
v
Le paramètre D peut être de 2 natures : soit il représente le diamètre du faisceau 2ω0 , fixé
par la lentille de focalisation et indépendant des paramètres lasers. Soit il est égal au dia-
mètre d’ablation en supposant que la fluence en dessous du seuil d’ablation n’intervient
pas au cours de l’interaction. Dans ce second cas, D varie avec la fluence. Finalement,
v/∆ν n’est autre que la distance parcourue entre deux impulsions ou distance inter-spot.
Divisée par le diamètre D, elle nous donne le nombre d’impulsions accumulées sur cette
largeur.

Dans le cas dynamique gaussien G, soit le faisceau est estimé comme tophat afin de
simplifier les calculs [54], soit le nombre d’impulsions est adapté à mesure que la fluence
évolue [158]. Dans les travaux de Bruneel et al., celui-ci est directement calculé à partir de
la forme gaussienne : l’hypothèse est qu’une impulsion complète équivaut à la fluence crête
et que les fluences inférieures constituent des fractions de cette impulsion. Finalement,
l’accumulation N n’est autre que la somme des valeurs d’une gaussienne normalisée et

69
Chapitre 2 Contexte et paramétrisation des usinages

échantillonnée par la distance inter-spot v/∆ν :

!2
kv
X −2 ω ∆ν
+∞
Ngauss = e 0 . (2.15)
k=−∞

Cette méthode sera appelée proportionnelle gaussienne (PG) et est schématisée Fig.
2.14(b). Jusqu’à présent, elle constituait le principal moyen de détermination des taux
d’ablation au sein de notre équipe. Or cette correction certes ingénieuse au premier abord
ne résout pas correctement le problème d’évolution du taux d’ablation au cours de la
translation. En effet, prenons l’exemple d’un point cible étant successivement irradié par
la crête d’une gaussienne puis par la moitié de celle-ci après décalage du faisceau. D’après
la théorie PG, le matériau aura donc accumulé une impulsion plus une demi-impulsion.
D’après (2.11), la profondeur P sera donc égale à un taux d’ablation plus la moitié de sa
valeur. L’hypothèse selon laquelle le nombre d’impulsions est proportionnel à la fluence
appliquée implique donc que le taux d’ablation soit lui-même proportionnel à la fluence,
ce qui n’est vrai que dans certains matériaux ou dans des gammes de fluences proches du
seuil.
La Fig. 2.15 reprend cette analyse dans un cas plus concret. Nous posons dans cette
simulation une forme arbitraire de taux d’ablation. Supposons que nous réalisions une
rainure sur ce matériau avec les paramètres suivants : ∆ν = 5 kHz, Fcrête = 10 J/cm2 ,
v = 5 mm/s, ω0 = 10 µm et que nous connaissions également la valeur du taux d’ablation
à cette fluence crête (par exemple ici : 100 nm/impulsion). Quelle est dès lors la profon-
deur de la rainure ? Tout d’abord, la distance inter-spot vaut v/∆ν = 1 µm et la fluence
équivalente à ce faisceau est symbolisé par les étoiles de la Fig. 2.15. Les taux d’ablation
réels à ces fluences sont en rouge tandis que ceux de la méthode PG, proportionnels au
taux à la fluence crête, sont en bleu. La profondeur totale est finalement la somme de
chaque taux de chaque méthode : 1.25 µm avec la méthode PG contre 1.8 µm dans le
cas réel. L’écart n’est donc pas négligeable avec une erreur de 30% alors que la théorie
voudrait que la même profondeur soit obtenue.

Par réflexion inverse, le même taux d’ablation est censé être retrouvé que nous soyons
en régime statique ou en régime dynamique avec les mêmes paramètres d’interaction. Ce-
pendant dans la réalité, la différence de procédé peut provoquer des effets annexes jouant
sur l’efficacité d’ablation tels que la modification de la forme de l’interface après plusieurs
impulsions ou l’interaction avec le panache d’ablation. En négligeant ces derniers en par-
ticulier pour des fluences et une accumulation inférieures à 20 J/cm2 et 100 impulsions,
nous nous sommes appliqués à définir une méthode d’analyse qui permettrait de retrouver
le taux d’ablation statique au cours d’un usinage dynamique gaussien. Elle se base sur
un calcul matriciel plus élaboré mais reprend l’idée de linéarisation de la méthode PG.
Nous la nommerons méthode GM pour gaussienne matricielle :
    
P1 a
 11
a12 ··· ··· ··· a1p  τ1
   
P   a21 a22 ··· ··· ··· a2p  τ2 

 2 
 .. .. ... ... ... .. 
 .   
.

 .  .. 
 
 .   . . .  
=  
(2.16)

 .
 .. .. .. .. ..    .
 
 Pi  . . aij . .   jτ
   
 ..  .. 

 .. .. ... ... ... .. 
   
 .   . . .

  . 
    
Pm am1 am2 · · · ··· · · · amp τp

70
 2.3 Paramétrisation de l’usinage laser

Figure 2.15 – Schématisation de l’échantillonnage du taux d’ablation au cours d’un usinage

dynamique simulé mettant en évidence l’écart entre les valeurs théoriques et celles obtenues par
la méthode PG. Le graphique inférieur représente une gaussienne spatiale en fluence tournée
de 90° afin d’associer visuellement les fluences échantillonnées avec les taux correspondants.
L’estimation grossière d’un tophat de fluence crête égale à la fluence moyenne et de diamètre 2ω0
est également représentée. Le taux théorique possède une courbure arbitraire censée représenter
le taux d’ablation statique d’un matériau quelconque. Les paramètres d’usinage fixés dans cette
simulation sont proches de la réalité : ∆ν = 5 kHz, Fcrête = 10 J/cm2 , v = 5 mm/s, ω0 = 10 µm
et Fth = 0.1 J/cm2 .

Dans cette méthode, un ensemble de m rainures de profondeur Pi à mesurer est usiné

à fluence croissante Fi,crête . A est une matrice connue grâce aux paramètres d’usinage
et relie ces profondeurs aux p taux d’ablation à définir. Ces derniers sont également à
fluence croissante de sorte que chaque profondeur Pi soit une combinaison linéaire des
taux inférieurs τi→0 . La matrice A devient une matrice triangulaire inférieure.
Simplifions la compréhension en ne considérant que m taux à définir et représentant
chacun les taux d’ablation des fluences crêtes de chaque rainure. Dans ce cas, plus il y
aura de rainures, plus nous pourrons en déduire de points de la courbe d’ablation. Un
exemple simple de traitement est présenté Fig. 2.16 avec 3 gaussiennes de fluence crête
différente permettent l’usinage théorique de 3 rainures. Seules les demi-gaussiennes sont
affichées pour plus de clarté. Chaque crête est donc associée à un taux d’ablation que
nous cherchons à déterminer. Comme nous l’avons remarqué précédemment, la transla-
tion du laser au cours d’un usinage dynamique équivaut en un point fixe de la cible à
échantillonner la forme gaussienne du faisceau à un taux égal à la distance inter-spot. Ils

71
Chapitre 2 Contexte et paramétrisation des usinages

Figure 2.16 – Principe de calcul de la méthode GM : 3 gaussiennes de fluences crêtes différentes

sont représentées. L’échantillonnage par la distance inter-spot (valeur arbitraire) issu de la
translation de faisceau est associé à des combinaisons linéaires des taux d’ablation aux fluences
crêtes.

sont représentés sur chacune des gaussiennes de la Fig. 2.16 avec une distance inter-spot
arbitraire. Or il est logique de constater que la majorité de ces points ne correspond pas
nécessairement aux taux τi que nous cherchons à identifier. Notre hypothèse de linéarisa-
tion entre alors en jeu : tous les points situés entre deux fluences crêtes Fi,crête − Fi+1,crête
seront décomposés en une combinaison linéaire des taux τi − τi+1 . La linéarisation n’est
donc que locale, c’est à dire entre 2 taux d’ablation. Seul l’échantillonnage de plus faible
énergie ne peut être encadré. Exclusivement dans ce cas, la méthode PG est employée sa-
chant que l’erreur y est minimisée. La matrice finale de la Fig. 2.16 complétée en italique
donne alors :

1 + 0.9 + 0.65 + 0.38 + (0.2+0.05+0.01) 0 0

 

A=
 0.2 + 0.7 + 0.75 + (0.35+0.15+0.05) 1 + 0.8 + 0.33 0  (2.17)
 
 .
0.05 + 0.85 + 0.53 + (0.2+0.07) 0.3 + 0.95 + 0.15 1 + 0.7

Après mesure des profondeurs obtenues avec ces fluences, il suffit de résoudre l’équation
inverse τ = A−1 P pour récupérer la valeur des taux d’ablation aux différentes fluences
crêtes.
Si nous posons maintenant les équations générales, les fluences vues par un point fixe

72
 2.3 Paramétrisation de l’usinage laser

du matériau au cours d’un usinage dynamique sont de la forme de l’éq. (2.15) :

!2
kv
−2
Fk = Fi+1,crête e ω0 ∆ν . (2.18)

Ici, k représente le k ième déplacement de faisceau, donc varie pour i constant sachant
0 ≤ i ≤ m − 1. Dans la Fig. 2.16, ce sont les points de couleur identique. Ces fluences
sont associées à des taux d’ablation τk de sorte que ces derniers soient composés de com-
binaisons linéaires des taux d’ablation à déterminer τj . En particulier, cette combinaison
ne prendra en compte que deux termes : une fraction du taux τj de fluence juste inférieure
Fj et une fraction du taux τj+1 de fluence Fj+1 juste supérieure à Fk . Il y a donc linéarité
entre deux taux d’ablation τj et τj+1 à déterminer :
τj+1 − τj
τk = τ (Fk ) = τj + (Fk − Fj ) (2.19)
Fj+1 − Fj
Fk − Fj Fj+1 − Fk
= τj+1 + τj (2.20)
Fj+1 − Fj Fj+1 − Fj
= αk τj+1 + βk τj . (2.21)

Conditions de validité : j ∈ N ∗, 1 ≤ j ≤ jmax−1 , Fj < Fk ≤ Fj+1 .

L’indice max correspond au nombre de taux d’ablation à déterminer, qui n’est pas
nécessairement égal aux nombre de rainures usinées (contrairement à notre exemple où
max = m). Enfin, les coefficients aij de la matrice symbolisant l’influence du taux τj sur
la iième rainure à Fi,crête sont égaux à :

aij = αk + (2.22)
X X
βk .
k k
Fj <Fk ≤Fj+1 Fj−1 <Fk ≤Fj

Cette méthode a l’avantage de réduire théoriquement les erreurs de linéarisation. Ex-

périmentalement cependant, des incertitudes de mesure sur la profondeur ou sur la dimen-
sion de faisceau peuvent engendrer un autre type d’erreur qui se propagera par oscillation
sur les résultats d’ablation du fait du calcul matriciel. La matrice A est uniquement dé-
pendante des paramètres d’usinage, ce pourquoi la connaissance des caractéristiques du
faisceau est primordiale. Un autre inconvénient réside enfin dans la non détermination
d’un nombre d’impulsions à des fins comparatives avec d’autres procédés.

La Fig. 2.17 compare les différentes méthodes d’estimation des taux d’ablation vues
jusqu’ici. Elle reprend les paramètres de la Fig. 2.15 ainsi que le taux d’ablation statique
arbitraire (taux théorique). Dans cette simulation, nous usinons virtuellement non plus
une mais 10 rainures avec des fluences crêtes allant de 1 à 10 J/cm2 par pas de 1 J/cm2 .
Ayant fixé au préalable la forme vraie du taux d’ablation avec la fluence (taux théorique)
ainsi que les paramètres d’usinage, nous sommes donc capables d’estimer leur profondeur
comme il l’a déjà été fait plus haut. Désormais, nous nous basons sur ces profondeurs et
appliquons les différentes méthodes permettant de retrouver le taux d’ablation :

– Méthode TH : chaque profondeur est divisée par N , calculé selon l’éq. (2.14) pour
deux diamètres différents : 2ω0 , diamètre du faisceau au plan focal ; Da , diamètre
d’impact sur le matériau.

73
Chapitre 2 Contexte et paramétrisation des usinages

– Méthode PG : chaque profondeur est divisée par N , calculé selon l’éq. (2.15) en ne
considérant soit aucun seuil, soit Fth . Dans le premier cas, la somme devient infinie
mais tend vers une limite alors que l’échantillonnage est borné dans le second.

– Méthode GM : Toutes les profondeurs sont traitées simultanément par multiplica-

tion avec la matrice A inversée, initialement complétée d’après les paramètres de
fluences crêtes appliquées et des distance inter-spots.

Figure 2.17 – Simulation comparative des méthodes de détermination des taux d’ablation en
régime dynamique. Le taux théorique ainsi que les paramètres de la Fig. 2.15 sont utilisés pour
simuler l’usinage de rainures à fluence variable. Les profondeurs déduites sont ensuite traitées
dans le but de retrouver le taux théorique initial au moyen des méthodes vues précédemment :
TH : méthode TopHat ; PG : méthode Proportionnelle Gaussienne ; GM : méthode Gaussienne
Matricielle.

Les résultats sont visuellement parlants : en ne considérant que la forme du faisceau,

seule la méthode GM développée dans cette étude permet de retrouver le vrai taux
d’ablation.
Le nombre d’impulsions calculé par la méthode TH est trop grand, d’où une sous-
estimation, amplifiée par le choix du diamètre d’impact sachant Da > 2ω0 au vu de nos
paramètres. Cette erreur est intrinsèque à cette méthode et le seul moyen d’y remédier
serait d’adapter la largeur du faisceau tophat.
Bien que la tendance à faible fluence soit cohérente avec le taux initial, la méthode PG
diverge fortement au-delà d’une certaine valeur. La considération ou non du seuil ne paraît
pas avoir d’incidence notable sur le comportement de la courbe. Le problème réside donc
bien dans la méthodologie de calcul de l’accumulation : le taux initial peut être approximé
par une droite jusqu’à environ 4 J/cm2 , ce pourquoi cette méthode fonctionne bien en
dessous de cette valeur. Dès lors que la saturation apparaît, la linéarisation implique que
le nombre d’impulsions calculées devient trop faible, résultant d’un taux bien supérieur
à notre base de travail.

74
 2.3 Paramétrisation de l’usinage laser

Théoriquement donc, la méthode GM génère peu d’erreur dans un cas simple et bien
maîtrisé contrairement aux autres méthodes. Il s’agit maintenant de l’appliquer à des cas
concrets d’usinage afin de tester sa robustesse.

Figure 2.18 – Taux d’ablation statiques sur (a) le nickel (100 impulsions) et (b) le PZT (50
impulsions) avec la lentille de 250 mm. La forme typique des usinages est également illustrée.
Paramètres de la littérature : Hashida et al., lentille de 100 mm, 70 fs , 1 impulsion [127] ;
M.U.L.I.C : 100 fs, 1 kHz, 800 nm [159].

Intéressons-nous tout d’abord aux usinages statiques du nickel et du PZT (Fig. 2.18).
Ils ont été obtenus par une lentille de longue focale, 250 mm, permettant de réaliser
des impacts larges et relativement faciles à analyser par une méthode de caractérisation
adaptée. 100 impulsions par impact ont été appliquées sur le nickel pour mesurer des
profondeurs suffisantes tandis que celles-ci sont bien plus profondes sur le PZT, d’où

75
Chapitre 2 Contexte et paramétrisation des usinages

le choix de 50 impulsions par impact dans ce cas. Nous appliquons sur ces courbes les
théories résumées dans les éq. (2.12) et (2.13) et comparons si possible nos résultats avec
la littérature.
Comme observé sur les métaux, nous retrouvons deux tendances d’ablation pour le
nickel, une à basse fluence guidée par l’absorption optique, et une à haute fluence guidée
par la diffusion électronique. La profondeur de pénétration optique α−1 est estimée à
14.8 nm sur le nickel et à 158.1 nm sur le PZT. Aucune donnée n’existe sur le PZT mais
cette valeur reste très éloignée de celle simulée en fin de premier chapitre. Le nickel quant
à lui est proche de la littérature, que ce soit pour α−1 [104,160] ou pour sa courbure avec
la fluence [127]. Les seuils d’ablation sont dans les deux cas légèrement inférieurs à ceux
obtenus par la méthode de Liu. Cela peut être dû au manque de précision lors de l’estima-
tion de la profondeur à proximité du seuil et à la linéarisation qui donnera intuitivement
une valeur de seuil minimisée. A l’identique des résultats de taux volumique, le seuil du
PZT et son taux sont plus élevés que sur le nickel. La différence d’interaction entre les
deux matériaux s’observe également sur la forme des usinages : à partir de 3.5 J/cm2
sur le nickel, une remontée de matière apparaît clairement au centre de l’usinage puis se
décale sur ses bords, comme si elle dépendait d’un seuil spécifique. Après liquéfaction de
la surface du métal, des effets capillaires peuvent être générés sur les bords d’usinage,
amplifiés par la pression du plasma ambiant [161]. La céramique PZT ne fond quant à
elle que très localement de par son faible coefficient de diffusion et aucune remontée de
matière n’est observée.

Maintenant que nous avons déterminé des valeurs statiques, observons la différence
à l’issu d’un usinage dynamique par rainurage, dont les résultats sont présentés Fig.
2.19. Les vitesses sur PZT et nickel étaient respectivement de 4.6 mm/s et 2.3 mm/s en
vue d’effectuer une comparaison à recouvrement équivalent. N est estimé à 120 et 75
impulsions sur le nickel, respectivement avec l’éq. (2.14) de la méthode tophat et l’éq.
(2.15) de la méthode proportionnelle gaussienne (D = 2ω0 ). L’accumulation est deux fois
plus faible sur le PZT.
L’analyse TH révèle de nouveau des taux d’ablation plus faibles que les valeurs sta-
tiques du fait d’une surestimation du nombre d’impulsions.
Elle en est pourtant plus proche sur le PZT que sur le nickel. L’inflexion du taux
peut en partie expliquer cette proximité : alors que le faisceau est gaussien, les fluences
supérieures à environ 6 J/cm2 engendrent un taux relativement constant. La forme d’usi-
nage tendrait donc davantage vers une forme tophat à fluence croissante tandis que la
forme gaussienne serait préservée sur le nickel du fait de la proportionnalité du taux avec
la fluence. La méthode PG est donc plus appropriée sur ce dernier avec une très bonne
concordance avec le cas statique.

Finalement, les méthodes TH et PG ne sont valables que pour des formes de taux
d’ablation spécifiques bien qu’elles soient employées pour justement les déterminer. La
méthode alternative GM n’en est quant à elle pas dépendante. Pour les deux matériaux,
ses résultats sont proches des valeurs statiques. La méthode fonctionne donc même ex-
périmentalement bien que nous notions de forts écarts à faible fluence, nécessitant un
approfondissement méthodologique. Pour l’estimation du nombre d’impulsions, notre hy-
pothèse est la suivante : la méthode TH ou PG qui sera la plus adaptée sera utilisée
pour le calcul. Pour le PZT, N résultera donc de la méthode TH (60 impulsions) alors
que la méthode PG est plus adaptée pour le nickel (75 impulsions). Bien évidemment,

76
 2.3 Paramétrisation de l’usinage laser

un calcul commun est préférable mais n’a pas été traité et constitue une des perspectives
méthodologiques de ces travaux.
Le logiciel présenté en Annexe (D) a été développé afin de gérer les différents moyens
de détermination des taux d’ablation tout en rendant transparent leur calcul.

Figure 2.19 – Comparatif expérimental des différentes méthodes de détermination des taux
d’ablation en régime dynamique sur (a) le nickel et (b) le PZT. TH : méthode TopHat ; PG :
méthode Proportionnelle Gaussienne ; GM : méthode Gaussienne Matricielle. La méthode PG
se rapproche des résultats statiques sur nickel contrairement au PZT où la méthode TH est la
plus cohérente. A l’inverse, la méthode GM développée dans le cadre de ces travaux coïncide
avec les données statiques indépendamment du matériau.

77
Chapitre 2 Contexte et paramétrisation des usinages

En conclusion de cette étude sur les taux d’ablation, l’usinage statique par impacts est
préférable car s’affranchissant des problèmes méthodologiques. Les usinages dynamiques
sont néanmoins courants dans la littérature et se basent sur des méthodes de calcul
approximant le nombre d’impulsions d’après la forme du faisceau. Nous avons démontré
cependant que ces méthodes, nommées TH et PG, ne sont adaptées que pour des courbes
d’ablation spécifiques, inconnues au moment de leur détermination.
Une nouvelle méthode par analyse matricielle a été développée et paraît pertinente
théoriquement et expérimentalement. Les taux d’ablation du PZT en régime statique et
dynamique coïncident finalement et tendent à prouver que la déposition spatiale d’énergie
est le facteur principal affectant les profondeurs hors saturation. Le calcul du taux volu-
mique, bien que ne permettant pas actuellement de retrouver les profondeurs, apparaît
comme une méthode alternative plus précise mais pas encore mûre. A terme, elle pourrait
améliorer l’estimation des seuils d’ablation et contrôler l’évolution des procédés en temps
réel par mesure de masse ablatée.

2.3.3 Accumulation d’impulsions : incubation et saturation

Incubation
L’incubation est associée à la modification des propriétés de l’interaction avec l’ac-
cumulation et peut affecter les seuils et taux d’ablation qui ne resteront pas constants
malgré des fluences d’usinage fixées. En outre, Jee et al. estimèrent l’influence du nombre
d’impulsions N sur la fluence seuil par une relation empirique introduisant le paramètre
ε appelé coefficient d’incubation :

Fth (N ) = Fth (1)N ε−1 . (2.23)

Plusieurs cas en fonction des valeurs de ε se distinguent alors :

– ε = 1, le seuil est indépendant du nombre d’impulsion ;
– ε < 1, le seuil diminue avec un nombre d’impulsions croissant. C’est le cas de la
grande majorité des matériaux où l’ablation apparaît à des fluences de plus en plus
faibles, jouant sur la dimension du faisceau lorsqu’il est gaussien.
– ε > 1, le matériau devient résistant à l’ablation avec une fluence seuil qui augmente
avec les impulsions. A notre connaissance, aucune publication ne fait référence à
des matériaux ayant de telles propriétés en régime ultra-bref.
Afin de déterminer ε avec une plus grande facilité, cette équation est remanipulée pour
atteindre la forme :
ln [N Fth (N )] = εln(N ) + ln [Fth (1)] . (2.24)
En échelle logarithmique, nous obtenons donc une droite de pente ε et dont l’ordonnée à
l’origine est fonction du seuil d’ablation à la première impulsion. De plus, en combinant
les éq. (2.7) et (2.23), nous pouvons définir l’évolution du diamètre d’impact en fonction
de N : v !
F
u
crête
Da = ω0 t2ln (2.25)
u
.
Fth (1)N ε−1
Ces équations sont largement utilisées sur les métaux et les semi-conducteurs car
cohérentes avec les mesures expérimentales. Sur des lasers équivalents à celui de notre
étude, Mannion et al. estimèrent ε à 0.86 ± 0.03 sur l’inox 316L [130], Semaltianos et al.
à 0.72 ± 0.03 sur un alliage à base de nickel [129] et Bonse et al. à 0.87 sur du nitrure de

78
 2.3 Paramétrisation de l’usinage laser

titane TiN [134]. Ni et al. et Güdde et al. ont respectivement obtenu 0.765 et 0.922 sur
des films minces d’or. Cet écart peut être associé à la différence de longueur d’onde entre
ces deux études (800 nm pour Ni et 400 nm pour Güdde) impliquant des différences en
termes d’absorption et de mécanisme d’interaction [131, 162]. Les résultats publiés par
Bonse et al. et Borowiec et al. sur le semi-conducteur InP sont similaires (ε = 0.78 et
0.74 ± 0.09) bien que les cadences d’usinage soient de 10 Hz et 1 kHz. A ces échelles, la
fréquence n’a a priori pas d’incidence alors qu’elle peut engendrer des effets thermiques
accumulatifs en régime MHz, et donc provoquer des fluctuations dans les résultats d’in-
cubation. Enfin sur les céramiques, Kim et al. recensèrent des facteurs d’incubation de
0.7 et 0.46 sur l’alumine Al2 O3 et le nitrure d’aluminium AlN. Les travaux de Uppal et
al. sur le PZT ne présentent pas de valeur de ε mais peut être déduite des multiples seuils
de fluence calculés pour des quantités d’impulsions variables [114]. Nous déduisons donc
par nos moyens des valeurs de 0.88 pour le PZT dur et 0.86 pour le PZT doux. Notons
cependant qu’une seconde équation développée par Ashkenasi et al. a été reportée comme
plus adaptée aux matériaux diélectriques [163]. Elle fut brièvement exploitée par Wang
et al. pour caractériser l’ablation du saphir [136] et par Machado et al. afin d’optimiser
un procédé dynamique [164].

Figure 2.20 – Évolution du diamètre d’ablation Da en fonction du nombre d’impulsions sur

PZT pur et régression associée. Paramètres appliqués : f = 250 mm (ω0 = 27 µm) ; Fcrête = 7
J/cm2 .

Alors que cette dernière requiert davantage de paramètres libres, nous avons pré-
féré utiliser sur le PZT l’éq. (2.23) et en particulier l’évolution du diamètre d’ablation
avec l’accumulation (voir éq. (2.25)). D’après la Fig. 2.20, à 7 J/cm2 avec la lentille de
250 mm (ω0 = 27 µm), nous déduisons un coefficient d’incubation ε de 0.80 équivalent
au complément d’analyse des travaux de Uppal et al., bien que les seuils d’ablation de
nos deux études soient différents. Également, nous déduisons un seuil initial pour la pre-
mière impulsion de 1.76 J/cm2 . En appliquant ces valeurs à (2.23) pour déduire le seuil
d’ablation après une cinquantaine d’impulsions, nous constatons un écart significatif avec

79
Chapitre 2 Contexte et paramétrisation des usinages

la méthode de Liu (0.38 J/cm2 vs 0.8 J/cm2 ). Bien que cet écart ne soit pas clairement
identifié, nous supposons qu’il provient majoritairement de l’incertitude de mesure sur
les diamètres d’ablation dont la délimitation peut être très approximative.

Saturation
La saturation s’associe à la baisse de l’efficacité d’usinage. Tout comme l’incubation,
elle a pour origine l’accumulation d’un grand nombre d’impulsions dont l’influence portera
cette fois-ci sur la géométrie de l’interface d’interaction. Par conséquent, la distinction de
ces deux effets peut s’avérer relativement difficile, ce pourquoi la saturation s’observera
préférentiellement sur une variation de profondeur alors que l’incubation se déduira d’une
évolution des caractéristiques de la surface d’impact.
Dans l’étude sur les taux d’ablation, nous avons insisté sur le fait de comparer les
résultats d’un même matériau avec des paramètres identiques et en particulier le nombre
d’impulsions N . Alors que pour N faible, la profondeur P lui est proportionnelle via un
taux d’ablation constant, il apparaît généralement une décroissance de ce taux après une
forte accumulation. Dans le domaine ultra-bref, Bonse et al. ne constatèrent pourtant
aucune fluctuation sur TiN après 200 impulsions alors que Wynne et al. identifièrent clai-
rement cet effet sur l’aluminium après 5000 impulsions [142,153]. 200 impulsions suffisent
néanmoins sur les céramiques Al2 O3 et AlN, voire 20 impulsions sur le semi-conducteur
InP [133, 135]. Des résultats similaires sont obtenus lors d’usinages de Al2 O3 -TiC, Pyrex,
SiC et PZT par lasers à excimères avec des durées d’impulsions de 20 ns [54, 165].

Un comparatif des mesures sur PZT et nickel est présenté Fig. 2.21 à 7 J/cm2 . En
statique, l’évolution de la profondeur sur le métal démontre d’une excellente linéarité avec
l’accumulation, impliquant en conséquence un taux d’ablation quasi-constant de 90 nm
sur la plage d’étude. Par opposition, le taux d’ablation du PZT décroît de 1 µm/impulsion
à 250 nm/impulsion et implique une baisse de la vitesse d’usinage en profondeur. Le
procédé d’usinage reste donc difficile à optimiser car la découpe évolue avec la profondeur
et des variations complémentaires de paramètres tels que la puissance ou la focalisation
risquent d’influer sur cette courbure. D’après nos observations et des premiers résultats
de notre équipe de recherche, la décroissance du taux d’ablation dépendrait en majorité
du ratio entre la profondeur ablatée et le diamètre d’ablation. Passé une valeur critique,
le faisceau laser sature et perd en efficacité par réflexions sur les bords de la cavité ou
par écrantage du panache d’ablation absorbant et réfléchissant une partie de l’énergie
incidente. Cette hypothèse est également cohérente avec la littérature : parmi les travaux
cités précédemment, l’InP est le matériau usiné avec le plus petit diamètre (2ω = 10 µm)
et sature le plus rapidement, suivi de l’AlN, le TiN et enfin l’aluminium ou le diamètre
est de 150 µm. Dans notre étude, le diamètre de faisceau utilisé pour le nickel et le PZT
est identique mais les profondeurs sont différentes. Le PZT s’usine plus vite et va donc
saturer plus rapidement.

Comparaison des résultats statiques et dynamiques

Aux résultats statiques et toujours à 7 J/cm2 , nous avons superposé des estimations
dynamiques afin de vérifier ou non l’hypothèse de calcul du nombre d’impulsions N pos-
tulée avec les taux d’ablation : N = Ngauss selon la méthode PG et l’éq. (2.15) est utilisé
pour des courbes d’ablation linéaires avec la fluence (cas du nickel) ; N = Ntophat selon la
méthode TH et l’éq. (2.14) est utilisé pour des courbes d’ablation saturant avec la fluence

80
 2.3 Paramétrisation de l’usinage laser

(cas du PZT). Pour tester l’effet du nombre d’impulsions en dynamique, deux paramètres
ont été testés séparément :

– La vitesse d’usinage v, de 1 à 10 mm/s par pas de 1 mm/s pour un seul passage ;

– Le nombre de passages Npass , de 1 à 10 par pas de 1 pour une vitesse de 5 mm/s.

Figure 2.21 – (a) Profondeurs d’usinage et (b) taux d’ablation du PZT et nickel en fonction
du nombre d’impulsions à 7 J/cm2 . Les résultats statiques (bleu) sont comparés aux résultats
dynamiques (rouge, variation de la vitesse v et vert, variation du nombre de passages Npass ).
Les procédés se recoupent pour un calcul du nombre d’impulsions en accord avec la dynamique
d’ablation du matériau considéré.

Ces résultats sont également tracés sur la Fig. 2.21. Le nombre d’impulsions équivalent
à la rainure de 5 mm/s a ensuite été déterminé empiriquement, les autres paramètres lui
étant proportionnels, de sorte à ce que les points dynamiques s’ajustent au mieux avec
les valeurs statiques. N a été ainsi identifié comme égal à 46 impulsions pour le PZT et
26 impulsions pour le nickel, surprenant lorsque nous savons que les deux matériaux ont

81
Chapitre 2 Contexte et paramétrisation des usinages

été usinés avec exactement les même paramètres. Or lorsque nous calculons le nombre
d’impulsions résultant des éq. (2.15) et (2.14) avec les paramètres v = 5 mm/s, ∆ν =
5 kHz et ω0 = 23 µm, nous obtenons 46 impulsions avec la méthode TH et 28 impulsions
avec la méthode PG. Malgré l’écart entre le rayon de faisceau théorique de 23 µm et
expérimental de 27 µm, les ordres de grandeurs sont bien corrélés et nos hypothèses
valables.

2.3.4 Découpes estimées et simulées

Le taux d’ablation, la fluence seuil et l’incubation/saturation peuvent être associés
pour estimer les temps d’usinage. La Fig. 2.22(a) représente une simulation de l’évolu-
tion du taux d’ablation en 3 dimensions extrapolée à partir des deux courbes en régime
statique des Fig. 2.18(b) et 2.21(b) en fonction de la fluence et du nombre d’impulsions.
Les points représentent les valeurs d’ablation théoriquement accumulées en un point fixe
du matériau lors d’une découpe par faisceau gaussien à 7 J/cm2 et 5 mm/s. A chaque
nouvelle impulsion, la fluence croît puis décroît du fait de la translation du faisceau. Ce
schéma se reproduit finalement pour Npass jusqu’à ce que la profondeur de 180 µm soit
usinée. Le graphique comparatif entre les valeurs théoriques et expérimentales pour dif-
férents jeux de paramètres est donné Fig. 2.22(b).

A premières vues, les tendances d’évolution théoriques du nombre de passages en

fonction de la fluence et de la vitesse sont en accord avec les résultats expérimentaux :
décroissance du nombre de passages avec la fluence et augmentation avec la vitesse. Ce-
pendant, un écart important est à noter, en particulier pour de faibles fluences où le
nombre de passages nécessaire pour la découpe s’accroît. Cela s’explique par l’accumula-
tion des erreurs d’extrapolation, d’autant plus conséquente que la simulation est répétée
quand l’usinage est long. Également, nous remarquons qu’en utilisant seulement 2 courbes
pour l’extrapolation, l’évolution de la fluence seuil suit une tendance à l’opposé de ce qui
a été obtenu expérimentalement et augmente avec le nombre d’impulsions. Nous pouvons
donc en conclure que pour un paramétrage différents (par exemple τabl = f (Fcrête ) pour
N =5000 impulsions), la courbure du taux change légèrement. Or ces valeurs restent diffi-
cilement accessibles par expérience du fait des fortes profondeurs, ce pourquoi elles n’ont
pas pu être testées expérimentalement. Aussi pour une optimisation il apparaît comme
déconseillé de se placer à faible fluence où le nombre de passages varie beaucoup. Si une
incertitude existe en termes de vitesse ou de fluence au moment du procédé, il y aura
une forte probabilité pour que la découpe n’aboutisse pas. Entre 5 et 7 J/cm2 , le temps
d’usinage commence à se stabiliser tandis que le rendement est maximisé par rapport aux
plus hautes fluences.
Le temps de procédé total pour la découpe de N lames rectangulaires de 2.5×1.25 mm
à partir du wafer carré de 4 cm de côté est estimé à partir du nombre de passages Npass
d’une seule rainure. Théoriquement, 40/2.5(16) × 40/1.25(32) = 512 lames peuvent être
obtenues au maximum. Or la largeur x de la découpe mesurée du côté le plus fin en face
de sortie doit être prise en compte, approximée expérimentalement comme inférieure à
30 µm (465 lames équivalentes par wafer). A cela il faut également ajouter des marges l
d’une centaine de µm de part et d’autre du wafer afin de certifier de sa découpe complète.
Nous ne considérons ici que le temps d’ouverture de faisceau, les temps de positionnement
étant relativement rapide. Finalement, pour une vitesse d’usinage v (mm/s), le temps de
procédé tproc équivaut au produit entre le temps pour un passage, le nombre de passages

82
 2.3 Paramétrisation de l’usinage laser

par rainure et le nombre de rainures :

tproc = t1pass × Nrainures × Npass (2.26)

40 + 2l 40 40
     
= × E +E + 2 × Npass , (2.27)
v 2.5 + x 1.25 + x

où "E" représente la partie entière et "+2" indique qu’il y a une rainure de plus qu’il n’y
a de lames dans chacune des directions d’usinage. Nous pouvons ainsi appliquer cette
formule à la Fig. 2.22(b) pour l = 200 µm et x = 15 µm fixés arbitrairement, ce qui nous
permet d’estimer les temps de procédé globaux recensés pour des couples de paramètres
fluence-vitesse dans le tab. (2.4).

Fluence Vitesse
Fcrête 2 mm/s 5 mm/s 9 mm/s
J/cm2 exp. th. exp. th. exp. th.
3.5 1 :53 4 :10 2 :25 3 :43 2 :45 3 :35
5.2 1 :29 2 :17 1 :24 2 :00 1 :30 2 :00
7.0 1 :05 1 :29 1 :18 1 :28 1 :05 1 :30
8.7 0 :57 1 :13 1 :01 1 :14 1 :01 1 :14
10.5 0 :40 1 :13 0 :52 1 :08 0 :54 1 :03

Table 2.4 – Temps de procédé (h :min) estimé pour la découpe complète d’un wafer en fonction
de la fluence et de la vitesse d’usinage. Les valeurs théoriques obtenues via les considérations
du taux d’ablation et de l’incubation sont comparées aux mesures expérimentales basées sur le
nombre de passages d’une rainure débouchante.

Nous retrouvons effectivement un fort écart entre théorie et expérience à 3.5 J/cm2 ,
écart qui s’atténue à plus forte fluence et haute vitesse. Également, l’erreur d’interpo-
lation se retrouve sur les tendances d’évolution avec la vitesse : alors qu’en théorie, le
temps de procédé semble diminuer avec celle-ci, l’expérience tend à indiquer au contraire
qu’une légère décélération du procédé a lieu. Néanmoins, nos approximations sont dans la
majorité cohérentes et donnent un bon ordre de grandeur des temps de découpe oscillant
entre 1 et 2 h en fonction des paramètres appliqués.

Finalement, nous ne réussirons à n’avoir qu’une estimation quantitative grossière du

temps de procédé par simulation. En contrepartie, les principales caractéristiques inter-
venant dans le procédé d’interaction laser-matière telles que le seuil d’ablation, le taux
d’ablation ou l’incubation sont comprises et maîtrisées avec 2 publications résultant de
ces travaux. Cependant, ces critères ne définissent en rien la qualité des découpes. Si
seul le temps d’usinage importait, la Fig. 2.22(b) nous indique clairement qu’augmenter
la fluence permet de réduire drastiquement le nombre de passages (qu’il faut ramener à
une vitesse équivalente pour comparer des temps de procédé). Or nous verrons dans la
suite de ces travaux qu’augmenter ce paramètre induit des effets notoires sur le PZT. Un
compromis sous la forme de plages de paramètres acceptables est donc à définir pour une
optimisation simultanée entre le temps et la qualité d’usinage.

83
Chapitre 2 Contexte et paramétrisation des usinages

Figure 2.22 – Estimation du nombre de passages pour la découpe de 170 µm de PZT pur avec
une focale f = 250 mm (ω0 ≈ 27 µm). (a) Extrapolation 3D de l’évolution du taux d’ablation
en fonction du nombre d’impulsions et de la fluence. L’évolution des valeurs du taux d’ablation
lors d’une découpe à 7 J/cm2 et 5 mm/s est également affiché à titre d’exemple. (b) Comparatif
théorique et expérimental du nombre de passages pour la découpe en fonction de plusieurs
paramètres de vitesse et de fluence.

84
 2.4 Caractérisation de la qualité de coupe

2.4 Caractérisation de la qualité de coupe

La qualité est souvent associée à un critère subjectif basé sur une observation appréciée
par l’opérateur. Parmi les exigences, nous savons que la découpe doit être régulière et
surtout exempte de défauts tels que des fissurations ou un écaillage du NiP. A cela
s’ajoute l’effet de conicité, c’est à dire l’écart angulaire qu’auront des flancs réels par
rapport à des flancs parfaitement perpendiculaires à la surface d’entrée. Dans le cas
d’une découpe laser, la largeur d’usinage tend à réduire avec la profondeur, dont les
origines proviennent très certainement de la forme du faisceau, de difficultés d’absorption
et d’un début de saturation. Cette conicité existe toujours pour un faisceau gaussien mais
l’utilisation récente de faisceaux diffractées comme les faisceaux de Bessel semble palier
en partie à cette problématique [71]. Outre l’observation microscopique des usinages, nous
avons tenté ici de quantifier la qualité des découpes par des paramètres, des outils et des
méthodes dédiées de caractérisation. Cette démarche est censée permettre à l’industriel de
tester la reproductibilité de ces découpes en se basant non plus sur de simples observations
mais sur des valeurs contribuant à l’affinement de la plage de paramètres acceptables pour
la découpe du PZT.

2.4.1 Techniques usuelles de caractérisation post-mortem

Les premières investigations des usinages ont été principalement qualitatives, basées
sur des observations par microscopie optique et électronique indépendantes du matériau.
La seconde approche s’intéresse à la quantification de l’endommagement inhérent à l’ir-
radiation et repose en grande partie sur le choix des caractéristiques physiques mises en
jeu dans le procédé. Elle doit pouvoir s’adapter à n’importe quelle méthode d’usinage, ce
qui implique qu’elle ne soit non pas dépendante du procédé selon que celui-ci puisse être
amené à changer ou évoluer, mais du matériau d’étude. De plus elle doit pouvoir répondre
aux critères d’exigences du demandeur. Pour Sagem, la présence de défauts recensés pour
la majorité dans la Fig. 2.2 et comprenant des bords de coupe irréguliers, un dépôt de
surface conséquent, une fissuration et un écaillage des flancs de PZT et des électrodes
de NiP, restent des critères rédhibitoires dans la sélection des bons composants. Alors
que les deux premiers peuvent rester visuels, la fissuration sur les flancs témoigne de
modifications structurelles de la surface ou de l’accumulation de contraintes jusqu’à la
rupture. La mesure de contraintes résiduelles associée à une quantification de la chimie
et de la cristallinité du matériau sont donc apparues comme des solutions pertinentes à
notre étude. Recensons ici les principaux moyens de caractérisation utilisés dans le cadre
de ces travaux.

Outre l’emploi ponctuel de la microscopie optique sous Axio Imager (Carl Zeiss),
nos observations se sont grandement appuyées sur le système de microscopie électronique
à balayage (MEB) Nova NanoSEM développé par la société MEI Company et pouvant
générer un grossissement jusqu’à x500000 pour une résolution de l’ordre du nanomètre.
Il est équipé d’une sonde EDX capable de capter les rayons X émis à partir d’une poire
de diffusion de l’ordre du µm3 lors de l’interaction entre le matériau observé et le fais-
ceau d’électrons focalisé. L’EDX constitue donc un moyen simple de quantification des
éléments chimiques sur ces volumes et reste intéressante pour notre étude afin d’observer
les fluctuations stœchiométriques sur la surface des flancs d’usinage.

85
Chapitre 2 Contexte et paramétrisation des usinages

Notons également la préparation des échantillons par enrobage de polymère, suivi

d’un polissage dans le but d’observer les coupes transverses et en particulier la conicité.
Le PZT étant un matériau dur, l’abrasion due au polissage n’affecte pas les usinages
contrairement aux matériaux ductiles comme les métaux. Le polissage est obtenu à par-
tir d’une polisseuse manuelle le cube de chez Presi avec l’emploi successif d’abrasifs de
grains 120-240-600-1200 et d’une suspension diamantée de 3 µm.

La diffraction des rayons X (ou XRD pour "X-Ray Diffraction") a également permis
d’analyser à la fois la cristallinité, la proportion des éléments et la contrainte résiduelle
du matériau brut. La Fig. 2.23(a) présente le spectre du PZT d’étude identifiant sa phase
et la proportion des éléments (vues Section (1.3.2)). La contrainte résiduelle équivalente
a été estimée à -41.9 ± 10.8 MPa (compression) par la méthode donnée Fig (2.23b) qui
ne sera pas détaillée dans ces travaux. Notons aussi que les matériaux céramiques frittés
acceptent mieux les contraintes compressives participant à la cohésion des cristaux plutôt
que les contraintes en tension intervenant dans les ruptures des joints de grain. Cependant,
cette méthode montre des inconvénients non négligeables comme la nécessité de disposer
d’une surface importante, de l’ordre du mm2 au cm2 pour la mesure de contrainte, bien
trop grande devant les 180 µm de large des découpes.

Figure 2.23 – (a) Spectres expérimental et simulé de diffraction RX du PZT brut. (b) Encart
montrant le principe d’estimation de la contrainte résiduelle.

La spectroscopie Raman apparaît comme une solution alternative à ces limites et fut
plus intensivement exploitée. Elle se base sur le principe de l’effet Raman issu de la dif-
fusion inélastique d’un photon par un milieu. Cette inélasticité signifie que la lumière
diffusée n’aura plus la longueur d’onde du photon incident : en effet, lors des échanges
énergétiques, une partie est directement transmise au milieu avec la création ou la sup-
pression d’un phonon optique qui n’est autre qu’un quantum d’énergie vibrationnel de la
molécule. Un décalage vers de plus grandes longueurs d’onde implique la création d’un
phonon et est appelé décalage Stokes. A l’inverse, un décalage anti-Stokes est associé à
l’absorption d’un phonon et donc à la diffusion d’une longueur d’onde plus courte. Les

86
 2.4 Caractérisation de la qualité de coupe

Figure 2.24 – Mesure de référence obtenue par spectroscopie Raman sur un flanc de PZT brut
non usiné. L’ajustement de la courbe ramenée à 0 résulte de la somme des modes vibrationnels
principaux sous forme gaussienne.

propriétés de ces raies Raman -position, largeur, amplitude...- sont caractéristiques de la

composition chimique, de la structure cristalline ainsi que des propriétés électroniques.
Chaque spectre de matériau est donc associé à une signature unique. Cependant, dans
les cas amorphes ou aucune symétrie cristalline n’existe, la lumière diffusée n’est pas
amplifiée préférentiellement selon certaines énergies et aucun pic Raman n’est détecté.
En allant plus loin, la modification des contraintes internes à un matériau influe sur
la structure cristalline et se manifeste par un décalage de certaines raies Raman plus
sensibles. C’est ce principe associé à l’intensité des pics que nous emploierons dans le
chapitre suivant en vue d’identifier les contraintes résiduelles ainsi que l’évolution de la
cristallinité en fonction des paramètres d’usinage.
Le microscope LabRAM ARAMIS de Horiba Scientific mis à disposition au labora-
toire est un microscope de type confocal dédié à la caractérisation Raman. Il s’appuie sur
la focalisation d’un faisceau laser (Argon à 488 nm avec objectif ×50 dans notre étude),
atteignant ainsi des surfaces d’analyse d’une centaine de µm2 bien inférieures à la dif-
fraction RX. Les mesures sur les flancs de découpe du PZT sont dès lors accessibles. Le
prétraitement des résultats est fait grâce au logiciel libre Fityk qui nous permet aisément
de filtrer le bruit de mesure et de réaliser des courbes d’ajustement multi-gaussiennes,
courantes à la méthode [166].
La Fig. 2.24 montre le spectre obtenu pour un flanc de PZT non usiné ainsi que son
interpolation par des gaussiennes. Ces dernières s’appuient sur les modes théoriques de
vibration du matériau estimés grâce à la littérature [167]. Parmi les paramètres sensibles,
la stœchiométrie, la structure cristalline, l’épaisseur du matériau ou encore les conditions
de fabrication peuvent influencer le positionnement et l’intensité de ces pics, rendant leur

87
Chapitre 2 Contexte et paramétrisation des usinages

localisation approximative [168–171].

Certaines technologies potentiellement intéressantes n’ont cependant pas été testées

mais peuvent présenter d’intéressantes perspectives :

– L’EBSD quantifie et cartographie la cristallinité locale avec une résolution infé-

rieure au micromètre. Elle analyse les figures de diffraction par les plans cristallins
des électrons rétrodiffusés qui ne sont autres que les électrons incidents (MEB) res-
sortant avec peu de pertes énergétiques suite à des interactions élastiques dans le
matériau [98, 172]. Il est donc possible de discerner l’évolution des propriétés du
matériau avec la profondeur, ce qui en fait une méthode très intéressante. Cepen-
dant, des limites technologiques n’ont pu être franchies car l’échantillon se devait
d’être parfaitement poli et plan pour des mesures fiables, ce qui n’était pas le cas
d’un matériau dur, polycristallin et friable comme le PZT. Okayasu et al. réussirent
néanmoins à réaliser une telle analyse et constatèrent l’évolution de la cristallinité
du PZT lorsque celui-ci est soumis à des tests de flexion-compression [173]. Un
approfondissement de cette technologie pourrait donc constituer une perspective
logique de démonstration de l’effet laser sur le matériau.

– La nano-indentation a également été évoquée pour déterminer l’évolution des pro-

priétés mécaniques des flancs. En particulier, la dureté ainsi que les amorces de
fissures sont supposées changer en fonction des paramètres d’usinage. Toujours
dans les travaux d’Okayasu et al., cette méthode a permis de constater une pro-
pagation différente des fissures en fonction de l’orientation de la polarisation du
matériau [173]. Grâce à des résultats complémentaires par spectroscopie Raman,
Deluca et al. affirmèrent que lorsqu’une fissure se propage dans la même direction
que cette polarisation, une réorientation des cristaux s’opère perpendiculairement
à cette direction et s’oppose localement à sa propagation [174]. La contrainte en
tension qui est à l’origine de la fissure est ainsi diminuée par compression, d’où une
résistance amplifiée. Par opposition, les fissures tendent à se propager davantage
dans le cas d’un PZT non polarisé ou dans une direction déjà perpendiculaire à
la polarisation sachant qu’aucune réorientation cristallographique ne sera générée
dans ce cas.

2.4.2 Développement d’un moyen de mesure in-situ : réponse

piézoélectrique transitoire
La contrainte cette fois-ci non plus résiduelle mais consécutive à l’impact est respon-
sable de l’écaillage ou de la possible fissuration lors de l’usinage. Intuitivement, plus cette
contrainte sera conséquente, plus le matériau sera mécaniquement endommagé par la
propagation d’ondes de compression-dilatation dont l’amplitude atteindrait les limites de
rupture de la cible [175]. En outre, le laser focalisé n’est pas uniquement absorbé, transmis
ou réfléchi optiquement. Selon une approche hydrodynamique, la montée en température
des électrons lors de l’interaction puis celle des ions provoque l’expansion rapide d’une
phase liquide à l’extrême surface du matériau. Les différents coefficients de dilatation
entre les phases en présence provoquent alors un gradient de pression qui se propage
de proche en proche en vue de retrouver un état d’équilibre [150]. Cette instabilité ne

88
 2.4 Caractérisation de la qualité de coupe

peut finalement se relaxer qu’après son amortissement à la suite d’une distance parcourue
suffisamment longue ou par son évacuation partielle en face de sortie du matériau.
Ce domaine de recherche est fortement étudié puisque qu’il vise à comprendre et à
quantifier l’effet mécanique lié à l’interaction laser ultra-bref/matière. Outre les simula-
tions théoriques, des moyens expérimentaux ont été développés pour la détection de ces
ondes, avec en particulier la technologie VISAR ("Velocity Interferometer System for Any
Reflector") [176]. Développée en 1972 par Barker et Hollenbach, elle utilise un interfé-
romètre mesurant le déplacement fréquentiel du faisceau d’observation alors que celui-ci
est réfléchi sur une surface en mouvement [177]. Nous pouvons également citer la caméra
streak qui est exploitée pour sa très haute résolution temporelle (> 100 fs) [178]. Une
troisième solution que nous exploitons ici consiste à générer un courant proportionnel à
l’amplitude de la pression dans les matériaux piézoélectriques [179].

Expérimentation de la détection d’onde de choc

Comme mentionné dans le Chapitre 1, l’effet piézoélectrique direct se résume par une
accumulation de charges aux bornes d’un matériau aux propriétés cristallines spécifiques
et soumis à une déformation. Dans le cas de mesures de contraintes laser sur métal, le
quartz est ainsi souvent employé comme substrat afin de récupérer les vibrations et les
convertir quasi instantanément en courant [180, 181].

Figure 2.25 – Protocole expérimental de détection de l’onde de choc et signal brut associé
pour une impulsion à 10.6 J/cm2 .

Dans notre cas, nous cherchons à déterminer l’évolution de la contrainte instantanée

dans le matériau piézoélectrique lui-même qui sert à la fois de cible et de détecteur. Le

89
Chapitre 2 Contexte et paramétrisation des usinages

protocole expérimental utilisé est proche de celui de Romain et al. et nous permet de me-
surer des signaux de formes similaires à celui de la Fig. 2.25 [181]. Le laser femtoseconde
est focalisé au centre du wafer de PZT avec la lentille de longue focale de 250 mm. Le
choc se rapproche ainsi d’une onde davantage plane que sphérique et le faisceau devient
suffisamment large pour la mesure tout en évitant les hautes fluences risquant d’endom-
mager la céramique. Malgré tout, les tests en énergie génèrent des ablations qui peuvent
éventuellement perturber certains résultats.

Les grandes dimensions du wafer devant la surface d’impact (4 cm vs 69.4 µm au

moment de la mesure) offrent l’avantage de supprimer les signaux issus des réflexions
de bords des ondes transverses au cours de l’acquisition tandis que la symétrie limite
l’apparition de fréquences parasites. Les revêtements métalliques de NiP de part et d’autre
servent d’électrodes visant à collecter les charges lors de la déformation. La mesure est
réalisée en surface de sortie, à la verticale de l’impact, par l’intermédiaire d’un disque de
NiP isolé au préalable grâce à un surfaçage laser ayant retiré la matière conductrice. La
densité de charge étant proportionnelle à la surface, la mesure différentielle de tension
sera donc d’autant plus importante que la zone d’intérêt sera petite et la référence stable.
Ainsi, la surface de la pastille est réduite à un diamètre de 1 mm, minimum technologique
atteint par nos moyens, alors que la masse constitue toute la partie restante. La mesure
de tension est obtenue via une sonde passive compensée et un oscilloscope Lecroy LT372
de caractéristiques données tab. (2.5).

Oscilloscope Sonde
Bande passante 500 MHz Bande passante 500 MHz
Echantillonnage 4 GS/s Multiplicateur x10
Mémoire 500 kpts Résistance Rs 10 MΩ
Mode DC Capacité Cs 8 pF
Résistance Ro 1 MΩ
Capacité Co 16 pF

Table 2.5 – Caractéristiques techniques du matériel électronique employé pour la détection

d’ondes de choc.

Modèle équivalent à la piézoélectricité

L’expérience a montré que les formes des réponses en tension, supposées être à l’image
des perturbations évoluant dans le PZT, ne correspondaient pas aux attentes. En effet,
théories et expérimentations convergent à dire qu’à la suite d’un impact laser, une onde
de compression conséquente se propage dans la profondeur du matériau suivie par une
onde de détente plus ou moins intense [150, 181]. Comme illustrée sur la Fig. 2.25, la
réponse obtenue à travers le système cible-détecteur PZT correspond davantage à une
oscillation amortie avec le temps. Nous avons donc entrepris de comprendre l’origine de
ce signal et de filtrer si possible les signaux parasites avant toute exploitation.

La première hypothèse de simulation qui s’est avérée assez satisfaisante a été de se

baser sur un des modèles électriques équivalents à la piézoélectricité [183]. La Fig. 2.26

90
 2.4 Caractérisation de la qualité de coupe

Figure 2.26 – Modèle équivalent électrique de la piézoélectricité [182].

fait en outre le lien entre la partie diélectrique (Rd et Cd ) et la partie résonante mécanique
(Rm , Lm et Cm ) du matériau avec en particulier :
– Rd : Résistance associée aux pertes diélectriques (négligeable sur PZT à faible ex-
citation) ;
– Cd : Capacité statique réelle reliée à la surface S du condensateur, son épaisseur e
T
et à sa permittivité diélectrique relative K33 :

T
K33 ε0
Cd = S = 0.0625 nF/mm2 × S . (2.28)
e

– Rm : Résistance associée aux pertes mécaniques (quelques dizaines de Ohms), me-

surée expérimentalement ;
– Lm : Inductance symbolisant la masse équivalente approximée par le produit de la
masse volumique ρ par le volume S e. ρ vaut 7600 g/m3 d’après la Datasheet [183]
tandis que les mesures sur 6 échantillons de volume connu nous donne la moyenne
de 7936 kg/m3 :
Lm ≈ ρ S e . (2.29)

– Cm : Capacité associée à la raideur du matériau (inférieure à Cd ), déterminée ex-

périmentalement ;

Alors que Rd est négligée dans la suite des travaux, l’impédance globale du système
devient :
Rm
p2 + p + ωr2
Lm
Z=  , (2.30)
Rm

pCd p2 + + ωa2
Lm
avec ωr et ωa les pulsations de résonance et d’antirésonance telles que :

ωr 1
= fr = q , (2.31)
2π 2π Lm Cm
1 1 1 1
s
ωa
 
= fa = + . (2.32)
2π 2π Lm Cm Cd

Les fréquences caractéristiques fr et fa peuvent être estimées empiriquement en étu-

diant le diagramme de Bode d’un montage simple présenté Fig.2.27(a) [183] et dont

91
Chapitre 2 Contexte et paramétrisation des usinages

Figure 2.27 – (a) Montage électrique expérimental dédié au calcul des fréquences de coupure
fr et fa du matériau piézoélectrique PZT. (b) Diagramme de Bode associé au montage avec un
comparatif entre théorie et expérience.

l’impédance vaut :
V2 10
Z2 = = (2.33)
V1 10 + Z
Rm 2
p + ωa2
p3 +
Lm
= . (2.34)
1 Rm 2 Rm 1
   
p3 + + p + + ωa2 p + ωr2
10Cd Lm 10Cd Lm 10Cd
Bien que fr soit théoriquement de 9.56 MHz [183], des mesures dédiées sur une lame
de PZT de surface S = 2.7 mm ×5.4 mm nous donnent (Fig. 2.27(b)) :

fr = 10.5 MHz et fa = 13 MHz . (2.35)

fr et fa sont estimées respectivement au niveau des premier et second changements de

pente du module. Afin de confirmer ces valeurs, la courbure expérimentale du diagramme
de Bode est comparée à l’expression théorique de Z2 avec les valeurs fr = 10.5 MHz ;
fa = 13 MHz ; Lm = 19.7 µH d’après (2.29) avec ρ = 7936 kg.m3 , S = 14.6 × 10−6 m2 ,
e = 170 µm ; Cd = 911.2 pF d’après (2.28) et Rm = 50 Ω arbitraire. Les deux courbes se
confondent malgré des écarts en amplitude associés à l’erreur de mesure et aux approxi-
mations du modèle qui traduit néanmoins bien le fonctionnement électrique du matériau.

Réponse transitoire simulée et expérimentale d’un impact

Au cours d’un impact laser, la déformation induite par l’onde de choc engendre une
contrainte interne qui génère une accumulation de charges sur les électrodes par effet
piézoélectrique direct. Par un jeu de propagation-réflexion dans le matériau, des varia-
tions de pression-dilatation sont observables localement et en particulier sur la pastille de
mesure, d’où une oscillation du signal électrique à l’image des perturbations. Alors qu’un
matériau inactif amortira rapidement le choc, l’effet piézoélectrique facilite son entretien

92
 2.4 Caractérisation de la qualité de coupe

Figure 2.28 – Modèle électrique simplifié du protocole expérimental de mesure d’onde de choc.

tel un ressort du fait du couplage charge-contrainte, amplifié par un circuit de mesure

fermé ne permettant qu’une évacuation des charges via un amortissement lent dans le
matériau. Finalement, le signal associé est considéré comme équivalent à une réponse
transitoire à un pic de tension, conditions déjà étudiées expérimentalement et théori-
quement par Chang et al. [184, 185]. Selon ce modèle, la réponse est de forme oscillante
amortie de fréquence fa telle que :

V (t) = Ae−t/tdc + Be−t/tac cos(ωa t − ϕ) . (2.36)

Vérifions numériquement et graphiquement que ce modèle coïncide avec notre signal
expérimental.

Le montage électrique ayant pour solution transitoire cette équation est très proche
de notre cas dans lequel le modèle piézoélectrique est directement relié au couple sonde-
oscilloscope (Fig. 2.28). En vue de simplifier ce montage, ce dernier peut être ramené à
une résistance Rso et une capacité Cso en parallèle de sorte que :
Rso = Rs + Ro = 11 MΩ , (2.37)
Ro Co
Cso = = 1.45 pF . (2.38)
R o + Rs
Remarquons que la sonde à été initialement compensée et donc que les couples Rs Cs et

93
Chapitre 2 Contexte et paramétrisation des usinages

Ro Co sont théoriquement égaux. De même, Req et Ceq s’expriment sous la forme :

Rso Rpot
Req = , (2.39)
Rso + Rpot
Ceq = Cso + Cd . (2.40)

En reprenant l’éq. (2.36), nous pouvons en déduire les valeurs de tac et tdc qui représentent
respectivement le temps caractéristique de décroissance de l’oscillation à la fréquence fa
et le temps caractéristique de décroissance du signal total [184] :

tdc = Req Ceq (2.41)

2Lm
tac = ≪ tdc pour Rpot = +∞ (2.42)
Rm
Rpot est ajouté dans le but d’éliminer la décharge équivalente à un circuit RC et qui vient
parasiter le signal oscillant (expérimentalement, tdc de l’ordre de la milliseconde tandis
que tac de l’ordre de la microseconde). Ce signal quasi constant au cours de l’oscillation
ne nous intéressant pas, nous réduisons drastiquement tdc en fixant Rpot à 1 kΩ.

Dans le cadre de l’expérience présentée (2.25), la surface équivalente au condensateur

vaut S = Spastille = πr2 = π(0.5)2 = 0.785 m2 . Comparons dès lors les données théoriques
et expérimentales du circuit, ces dernières étant déduites de la droite tdc = f (Req ) de l’éq.
(2.41) à partir d’une variation de Rpot :

Théorie Expérience Remarques

Ceq 50.54 pF 77.3 pF
Req 11 MΩ 16.3 MΩ
sans Rpot
tdc 0.56 ms 1.26 ms
Req 1 kΩ
avec Rpot = 1 kΩ
tdc 0.051 µs 0.077 µs

Table 2.6 – Comparaison des valeurs numériques théoriques et expérimentales des constantes
du circuit équivalent au montage d’onde de choc. L’influence de Rpot sur les temps de décrois-
sance caractéristiques est également mis en évidence pour deux valeurs limites.

Les Fig. 2.29(a) à 2.29(d) mettent en évidence l’influence de Rpot sur le temps de
décroissance du signal ainsi que sur la multiplication des impulsions. En effet, sans po-
tentiomètre, la décharge du circuit, phénomène purement électrique, est suffisamment
longue pour impliquer une amplification du signal à chaque nouvelle impulsion, syno-
nyme en première approximation d’un effet d’accumulation. Or la durée des échanges
thermiques jusqu’au retour à l’équilibre ne dépasse pas la microseconde et est donc bien
inférieure à une cadence laser de 5 kHz (200 µs entre 2 impulsions). Il est peu probable
qu’un tel effet ait lieu dans le matériau comme le confirme la Fig. 2.29(d) dès lors que
le temps de décharge est éliminé. Les Fig. 2.29(e) et 2.29(f) montrent un signal plus
ou moins grossi sans la partie dc avec Rpot = 1 kΩ. La régression associée est égale-
ment tracée à partir de (2.36) afin de montrer que l’allure du signal est bien comprise
et cohérente avec les attentes. La périodicité des oscillations expérimentales coïncident

94
 2.4 Caractérisation de la qualité de coupe

avec la simulation tout comme leur amortissement malgré un aspect plus irrégulier de
la mesure. Des signaux parasites persistent donc et peuvent intuitivement trouver leur
origine dans la structure polycristalline du matériau qui favoriserait la naissance d’ondes
supplémentaires interférant les unes avec les autres.
fr , fa et Ceq étant désormais connus, Rm , Lm et Cm sont déduits des éq. (2.31), 2.32
et (2.42) moyennant la détermination empirique de tac , ϕ et le remplacement de Cd par
Ceq . Les valeurs d’ajustement finalement appliquées sont :

A B tac fr fa ϕ
0 ? 0.5 µs 10.5 MHz 13 MHz −π/2

Req Ceq Rm Lm Cm
16.3 MΩ 77.3 pF 22.27 Ω 5.57 µH 41.3 pF

Table 2.7 – Valeurs numériques appliquées à la simulation des signaux d’ondes de choc dans
le PZT et adaptées aux conditions expérimentales de l’étude.

Le paramètre B est obtenu à partir de la valeur crête du signal à étudier ; Rm coïncide

avec les hypothèses de quelques dizaines de Ohms ; Lm est de l’ordre du µH, proche de
la masse du matériau prise sur la taille de la pastille (1.06 µg) ; Cm est inférieure à Ceq
comme attendu.

Finalement, nous avons bien une cohérence entre les mesures expérimentales obtenues
au cours des différents essais et les simulations en régime transitoire issues des modèles
électriques du matériau piézoélectrique. En supposant que la résolution temporelle est
suffisante pour détecter les premières crêtes du signal, une approche de la contrainte
instantanée en sortie du matériau est désormais accessible.

95
Chapitre 2 Contexte et paramétrisation des usinages

Figure 2.29 – Réponse piézoélectrique transitoire après choc laser. (a) 1 impact à 10.6 J/cm2
sans potentiomètre ; (b) 1 impact à 10.6 J/cm2 avec Rpot = 1 MΩ ; (c) Accumulation de 5
impacts à 4.2 J/cm2 sans potentiomètre ; (d) Accumulation de 3 impacts à 10.6 J/cm2 avec
Rpot = 1 kΩ ; (e) 1 impact à 10.6 J/cm2 avec Rpot = 1 kΩ ainsi que la simulation équivalente ;
(f) Zoom du graphique (e) mettant en évidence la forme des oscillations et l’écart à l’estimation.

96
 2.5 Conclusion partielle

Application à la mesure de contrainte

D’après la section précédente, l’oscillation du signal ne peut être supprimée, ce qui
implique que la forme réelle du choc ne pourra être distinguée. Il se pose également le
problème de la résolution temporelle limitée par la vitesse d’acquisition de l’oscilloscope et
pouvant jouer sur l’exactitude de la forme enregistrée. Néanmoins, son amplitude initiale,
définie par le premier pic de tension, est clairement proportionnelle à la contrainte due à
l’interaction. Connaissant les constantes piézoélectriques reliant déformation et tension,
un rapide calcul permet finalement de retrouver les contraintes instantanées générées par
le faisceau :
F Uf aisceau
σ= = , (2.43)
Sf aisceau e g33
où Uf aisceau est la tension réelle sur la surface du faisceau Sf aisceau (πω02 = 3.78×10−9 m2 ),
e est l’épaisseur du matériau (170 µm) et g33 est une constante piézoélectrique quanti-
fiant la tension mesurée par unité de force appliquée (21 × 10−3 V.m/Newton). L’indice
33 indique que la déformation est dans la direction de l’épaisseur et que la mesure se
fait perpendiculairement à cette déformation, soit au niveau des électrodes de NiP. La
tension n’est de plus pas prise sur la surface d’impact Sf aisceau mais au niveau de la
pastille Spastille usinée à cette effet. Uf aisceau étant inconnue, il est donc nécessaire de se
ramener à la tension au niveau de la pastille Upastille , et en particulier à sa valeur crête.
La relation Sf aisceau Uf aisceau = Upastille Spastille a été vérifiée expérimentalement en variant
la dimension de la pastille, ce qui implique :

2Upastille Spastille Spastille

σ = = 2 |Upastille | (2.44)
e g33 Sf aisceau e g33 πω02
= 116.3(M P a/V ) × |Upastille | (V ) . (2.45)

Les estimations initiales de contrainte sont des moyennes sur les surfaces considérées,
ce pourquoi un facteur 2 est ajouté pour avoir la valeur au niveau de la crête de la gaus-
sienne.

Finalement, connaissant la tension crête mesurée sur la pastille de NiP après un

impact laser, il nous sera possible de remonter à la contrainte instantanée engendrée
par l’impulsion laser en sortie du matériau, et donc d’étudier son évolution en fonction
des paramètres d’usinage. Ces résultats seront exploités dans le chapitre suivant qui
met davantage l’accent sur l’influence de ces paramètres laser, analysés au travers d’une
multitude de caractérisations dont la contrainte par onde de choc.

2.5 Conclusion partielle

Dans ce chapitre, nous avons apprécié les besoins du partenaire industriel et mis en
place les moyens nécessaires pour une analyse en cohérence avec ses attentes. L’optimi-
sation de la découpe de PZT par laser femtoseconde doit impliquer une reproductibilité
ainsi qu’une stabilité du procédé en termes de durée et de qualité.

Divers outils de contrôle pré- et post-procédé ont donc été décrits et développés en vue
de certifier du maintien des conditions optimales d’usinage. Technologiquement parlant,
le banc d’usinage dispose d’un puissance mètre, d’un autocorrélateur, d’un analyseur de

97
Chapitre 2 Contexte et paramétrisation des usinages

faisceau ainsi que d’une caméra de visualisation permettant de connaître rapidement le

positionnement de l’échantillon vis à vis de la lentille de focalisation, la forme spatio-
temporelle du faisceau ainsi que sa fluence. Une stabilité de ces premiers paramètres
avant usinage serait déjà extrêmement bénéfique à un procédé répétable.

La vérification de la qualité fait quant à elle appel à une batterie de caractérisations :

l’aspect qualitatif est assuré par la microscopie optique et électronique à balayage qui
rendent compte de la présence visuelle ou non de défauts rédhibitoires au cahier des
charges tels que des irrégularités de bords, une conicité trop élevée ou des fissurations sur
les flancs de coupe. Une attention particulière a aussi été portée à l’estimation quantitative
de la découpe. Pour cela, une caractérisation matériau est privilégiée avec en particulier
la mesure de contrainte. Seule la spectroscopie Raman permet a priori de répondre au
besoin en matière de résolution et de surface d’analyse sur des échelles micrométriques.
Outre l’estimation d’une contrainte résiduelle sur les flancs, cette technologie offre d’autres
atouts comme la révélation de la cristallinité ou de la composition du matériau selon l’am-
plitude de la réponse spectrale. L’EDX, l’EBSD ou encore la nano-indentation peuvent
également donner de telles informations mais n’ont pas été traitées dans cette étude. La
contrainte instantanée générée par le faisceau au moment de l’interaction a également été
envisagée comme critère d’optimisation. Grâce à la réponse piézoélectrique du matériau,
la déformation due à l’onde de choc provoque la génération d’une tension dont l’ampli-
tude est proportionnelle à la violence de l’impact. Cette approche originale permet de
comparer en temps réel et en régime statique l’effet des paramètres laser et ouvre la voie
à la compréhension des fissurations induites sur les flancs.
L’exploitation de ces diverses techniques pour l’optimisation sera ainsi traitée dans le
chapitre suivant.

Enfin, le paramétrage de l’interaction laser-PZT avec les définitions du seuil d’abla-

tion, du taux d’ablation et de l’incubation introduisent cette optimisation en mettant en
avant les caractéristiques de réaction du matériau. Les propriétés diélectriques font que le
seuil d’ablation est supérieur à celui des métaux (0.38 J/cm2 ) mais que une fois dépassée,
l’ablation y est plus rapide. L’utilisation du taux volumique ou du taux d’ablation en pro-
fondeur afin de quantifier la vitesse d’usinage a été comparée en soulignant les problèmes
méthodologiques inhérents à ces paramètres. Les effets d’incubation et de saturation sont
quant à eux assez marqués dans le cas du PZT, ce qui signifie que le taux d’ablation
réduit de manière conséquente avec l’accumulation d’impulsions. La connaissance de ces
paramètres suffit à extrapoler les vitesses d’usinage en matière de nombre de passages
pour une découpe de 180 µm d’épaisseur, en accord partiel avec l’expérience. Certes, les
hautes fluences réduisent le temps de procédé, mais aucune investigation sur la qualité
n’a encore été envisagée à ce stade. Comme nous le soulignons dans le chapitre suivant, de
trop hautes fluences induisent des fissurations et un écaillage des flancs, d’où la nécessité
d’un compromis entre vitesse de procédé et qualité de découpe, qui constitue l’objectif
final de l’optimisation.

98
 CHAPITRE 3

Optimisation des paramètres de découpe et perspectives

L’optimisation du procédé de découpe s’articule autour de trois points principaux :

la durée de procédé, la répétabilité et la qualité d’usinage. Elle fait intervenir un grand
nombre de paramètres macroscopiques tels que la focale, la puissance, le positionnement
de l’échantillon ou la vitesse de déplacement qui influent sur les caractéristiques de l’in-
teraction définies précédemment comme le seuil d’ablation, le taux d’ablation ou le taux
de recouvrement. Cette imbrication a pour conséquence l’absence d’une unique plage op-
timisée mais plutôt d’une multitude de jeux de paramètres pouvant aboutir à un résultat
similaire. Également, l’optimisation s’appuie sur des compromis eux-mêmes basés sur les
priorités que nous appliquons aux besoins. A titre d’exemple, un temps de procédé mi-
nimal ne pourra donner la meilleure qualité ou la meilleure répétabilité. Alors que cette
dernière reste un critère essentiel à la reproductibilité du processus industriel, la qualité
jouera davantage sur les performances du produit tandis que le temps d’usinage aura un
impact direct sur les coûts de fabrication. Trois critères pour trois impacts différents.
Dans notre étude, nous favorisons tout d’abord la répétabilité du procédé sans laquelle
aucune production n’est envisageable. La seconde priorité est ensuite portée sur la qualité,
sachant que la problématique initialement proposée mettait l’accent sur les multiples
défauts d’usinage. Notons enfin que les vitesses de découpe conviennent généralement en
matière de cadence de production, mais pas nécessairement vis à vis des coûts en temps
laser. La réduction des temps de procédé est donc tout de même considérée avec comme
objectif la rentabilité de la découpe.
Notre procédure s’appuie sur une analyse complète des effets engendrés par la variation
d’un unique paramètre d’usinage en fonction des trois critères précédemment cités. En
particulier, nous exploitons l’ensemble des méthodes de caractérisation introduites dans
le chapitre précédent visant à quantifier visuellement et numériquement l’évolution de
la qualité des découpes. Elle comprend les dépôts de surface adhérents, la régularité
des contours, l’écaillage du NiP, la stœchiométrie et la cristallographie des flancs, leur
fissuration et leur conicité. Ces défauts ne sont pas recensés dans leur intégralité pour
chaque paramètre testé et seules les variations les plus notables sont décrites ici.
Nous nous appliquons aussi à résumer sous forme de tableaux l’influence de chaque
paramètre en fonction de chacun des critères considérés.
La première partie traite de l’optimisation sur un faisceau classique de type gaussien

100
 3.1 Jeu de paramètres du faisceau gaussien

tandis que la seconde partie teste la mise en forme de faisceau dans l’objectif d’accélérer
le procédé. Nous concluons enfin par la plage de paramètres finaux choisis, associée au
dédoublement des lignes de découpe pour une accélération du procédé.

3.1 Jeu de paramètres du faisceau gaussien

Nous nous intéressons ici à l’utilisation du faisceau gaussien traditionnel en sortie de
laser. Nous détaillons ici les effets des paramètres standards propres au laser tels que la
puissance, la focale, la polarisation, le plan d’usinage et la vitesse de translation, avec un
bref retour sur les effets de la durée d’impulsion et de la longueur d’onde.

3.1.1 Pré-requis sur le positionnement et l’inclinaison du wafer

Nous tentons ici de définir les limites théoriques de positionnement de l’échantillon
afin de pouvoir certifier de l’uniformité de la découpe.
Le PZT étudié est enrobé de part et d’autre d’électrodes de NiP, l’ensemble ayant une
épaisseur globale e de 180 µm pour une largeur L de 4 cm. Lors du procédé de fabrication
les contraintes induites par ces couches engendrent un bombé mesuré expérimentalement
par profilométrie entre 50 et 100 µm. A cela s’ajoute la colle entre le support en silicium
et le PZT, estimée de même autour des 50 µm. L’ensemble peut donc être résumé à
pth = 280 µm, profondeur pour laquelle la découpe devra être franche à supposer que la
surface du matériau soit parfaitement perpendiculaire au laser. En pratique, cette perpen-
dicularité s’obtient grâce à la réflexion du laser non focalisé sur une surface réfléchissante
posée sur le support. Ainsi plus la réflexion se superpose au faisceau incident à grande
distance, plus nous nous rapprochons des conditions théoriques.
De plus nous avons remarqué lors de la définition des propriétés de propagation des
faisceaux gaussiens que seule la zone focale permettait
√ de maintenir une taille de faisceau à
peu près constante sur la zone de Rayleigh (de ω0 à 2ω0 ). En matière de reproductibilité
et d’homogénéité, elle reste donc la plus fiable et la plus à même de donner des résultats
stables. Or dans cette zone, la fluence est divisée par deux, facteur non négligeable au vu
des courbes d’ablation et des temps de procédé équivalents. Nous redéfinissons donc une
tolérance limite η (%) de variation de fluence sur la profondeur, fixée arbitrairement et
proportionnelle à la fluence crête au plan focal z0 , soit :
zlim z0
Fcrête = Fcrête (1 − η) . (3.1)

Soit le plan d’origine situé au plan focal z0 . Pour un cas parfaitement perpendiculaire,
la question est de savoir quelle hauteur zlim de rayon ωlim permet d’atteindre cette fluence
zlim
crête Fcrête et si cette valeur est supérieure ou non à l’épaisseur à usiner pth /2 (symétrie
autour de z0 ). En outre, zlim est directement proportionnel au waist ω0 à l’image de la
distance de Rayleigh donnée éq. (1.27) : plus ω0 sera petit, moins la profondeur de champ
sera grande et donc zlim faible.
L’évolution du diamètre de faisceau vis à vis de l’éloignement au plan focal est connu
via l’éq. (1.18) ainsi que l’expression de la fluence (éq. (1.25)) sur le critère (3.1), d’où :
s
πω 2
2 2
ωlim ωlim

zlim = 20 −1, = (1 − η)−1 .
M λ ω0 ω0

101
Chapitre 3 Optimisation des paramètres de découpe et perspectives

Figure 3.1 – (a) Évolution de la fluence crête sur l’axe optique en fonction de la distance
z0
au plan focal z0 . Arbitrairement, ω0 et Fcrête sont fixés respectivement à 25 µm et 5 J/cm2 .
M2 =1.3. (b) Évolution dans l’espace de la fluence autour du plan focal z0 . La largeur de découpe
pth , la distance de Rayleigh zR et l’intervalle de confiance [zlim ; −zlim ] pour une tolérance en
fluence η = 5% sont également représentées. (c) Représentation schématique d’une inclinaison
α de l’échantillon par rapport au faisceau incident.

102
 3.1 Jeu de paramètres du faisceau gaussien

Nous pouvons donc en déduire une largeur minimale du waist ω0 pour satisfaire le
critère de découpe homogène :
v
u pth λM 2 1 − η
u s
pth
zlim ≥ =⇒ ω0 ≥ t .
2 2π η
Afin de limiter les fluctuations de fluence dans l’épaisseur du matériau, nous fixons
η à 5%, le waist ω0 devenant nécessairement supérieur à 14 µm. Les Fig. 3.1(a) et
3.1(b) donnent un aperçu de l’évolution de la fluence pour les valeurs de η = 5% et
Fcrête,z0 = 5 J/cm2 à proximité du plan focal z0 mais pour un waist de 25 µm, supérieur
à la limite fixée par η.

Alors que ω0 = 14 µm ne tolère aucune inclinaison de l’échantillon, un waist supérieur

suppose qu’un mauvais alignement ne sera pas critique sur l’usinage. Mais il existe égale-
ment une limite à cet angle car la profondeur théorique de découpe pth valant initialement
280 µm tend vers une nouvelle profondeur ptot supérieure de sorte que :
2zlim = ptot = L sin(αlim ) + pth cos(αlim ) . (3.2)
A l’identique du test de perpendicularité, nous pouvons définir la distance X à laquelle
une réflexion du faisceau incident pourra être distante, à l’image de la Fig. 3.1(c). Arbi-
trairement à 500 mm, α et X sont reliées par la relation trigonométrique :
X = 500 × tan(2α) . (3.3)
Le tableau suivant nous donne les résultats de simulation pour différentes valeurs de ω0 :

ω0 (µm) 14 20 25 30 35
zlim − pth /2 (µm) 0 144 304 500 731
αlim (degrés) 0 0.41 0.87 1.43 2.09
Xlim (mm) 0 7.22 15.2 25.0 36.6

Table 3.1 – Exemples de tolérances de positionnement du wafer en fonction du diamètre du

faisceau au plan focal.

Nous pouvons constater que l’angle maximal d’inclinaison de l’échantillon reste in-
férieur à 2°, ce qui prouve bien la nécessité d’un contrôle fin du positionnement. De
plus, ce dernier sera d’autant moins critique que le faisceau sera supérieur à la limite de
ω0 = 14 µm, certifiant ainsi d’une homogénéité de fluence sur l’épaisseur de découpe.

Une des solutions permettant d’éviter cette problématique de positionnement serait

d’utiliser des faisceaux de Bessel non diffractant à partir de systèmes optiques coniques
simples de type axicon. Ils présentent la particularité d’être invariants spatialement sur
des distances de propagation bien supérieures aux faisceaux gaussiens focalisés, d’où la
possibilité d’atteindre des ratios profondeur/diamètre très importants [72]. Or ils pré-
sentent néanmoins des inconvénients non négligeables pour notre étude comme des an-
neaux très prononcés pouvant engendrer une forte perte énergétique ou un usinage de
la surface d’entrée. Ces faisceaux sont ainsi préférentiellement employés dans les milieux
transparents tandis qu’une étude complémentaire sur les matériaux absorbants serait
toujours intéressante moyennant la bonne gestion des seuils d’ablation.

103
Chapitre 3 Optimisation des paramètres de découpe et perspectives

3.1.2 Influence des électrodes en nickel-phosphore

Les électrodes de nickel phosphore étant de structure métallique, leur vitesse d’abla-
tion est donc bien inférieure à celle du PZT, impliquant une augmentation du temps de
procédé, en plus de l’ajout supplémentaire de 10 µm d’épaisseur en moyenne par rapport
aux 170 µm de céramique pure. Les Fig. 3.2(a) et (b) montrent ces différences en matière
de profondeur ablatée et de largeur d’usinage à paramètres fixes et en fonction du nombre
de passages appliqués (f = 250 mm (ω0 = 27 µm) ; Fcrête = 7 J/cm2 ; v = 5 mm/s).
Remarquons tout d’abord que la profondeur évolue linéairement avec Npass et donc
que la focale utilisée n’induit pas de saturation dans le domaine de profondeur visé.
La fluence crête est estimée comme constante sur l’épaisseur et la largeur d’usinage est
suffisamment importante pour évacuer la matière sans perturbation.
L’écart est important dès le premier passage où l’électrode de 5 µm est juste ablatée
tandis que le PZT seul est déjà largement ablaté sur 20 µm. Le taux d’ablation du NiP n’a
pas été mesuré du fait de la trop faible épaisseur de l’électrode par rapport à sa rugosité.
Néanmoins, nous pouvons supposer un taux moyen identique à celui du nickel donné
Fig. 2.21(b) appliqué sur un faisceau de diamètre 2ω0 = 54 µm. La profondeur estimée
grossièrement sera donc de τabl × Ntophat , soit 5.4 µm pour le NiP contre 25 µm pour le
PZT pur, ce qui coïncide avec l’expérience. Une différence d’environ un passage persiste
donc jusqu’à la découpe totale qui nécessite de nouveau un passage supplémentaire dans
le cas avec NiP du fait des 10 µm d’électrode. C’est au total environ 20% de plus à ajouter
au temps de procédé initial sans électrodes, aux fluctuations d’usinage près.

Figure 3.2 – Comparatif d’ablation entre le PZT pur et le PZT+NiP. Paramètres appliqués :
f = 250 mm (ω0 = 27 µm) ; Fcrête = 7 J/cm2 ; v = 5 mm/s. (a) Évolution de la profondeur
et (b) de la largeur d’ablation avec le nombre de passages Npass ainsi que les profils d’usinage
associés pour 1 et 3 passages. L’ajout des électrodes en NiP ralentit l’usinage de par un taux
d’ablation plus faible et une épaisseur de découpe accrue.

104
 3.1 Jeu de paramètres du faisceau gaussien

En termes de diamètre ablaté, le PZT pur présente une valeur moyenne constante sur
chaque passage. Dans le cas du NiP, la largeur apparente des profils croît rapidement
sur les premiers passages jusqu’à devenir équivalente au matériau brut. Bien que le seuil
d’ablation des électrodes soit estimé comme inférieur à celui du PZT, le faible taux d’abla-
tion du NiP est majoritairement responsable de cette évolution qui requiert davantage de
passages pour que les plus faibles fluences en bord de faisceau usinent l’intégralité de la
couche.
En conclusion, la présence des électrodes de nickel phosphore induit une forte aug-
mentation du temps de découpe d’environ 20%. La recherche de paramètres optimisés
doit donc considérer cette variable afin que les temps de procédé restent cohérents et
rentables dans le cadre d’une production série.

3.1.3 Effets de la focalisation et du plan d’usinage

Afin de maintenir une fluence équivalente sur toute la découpe, plusieurs conditions
entrent en jeu : la nécessité du positionnement au plan focal, un alignement fin de l’échan-
tillon et un waist ω0 supérieur à 14 µm. Or la dimension de la tâche focale est reliée à la
lentille par l’éq. (1.33), nous permettant ainsi de préciser leur choix.
La Fig. 3.3 donne l’évolution du waist ω0 en fonction des focales pour différentes dates
d’analyse. Expérimentalement, les lentilles supérieures à 175 mm sont clairement éligibles
pour des usinages selon les critères définis précédemment. Nous constatons néanmoins une
dérive de la dimension du faisceau avec le temps ainsi que la présence d’une ellipticité
plus ou moins marquée. Ces fluctuations ont une forte influence sur les performances de
la découpe.

Figure 3.3 – Mesures de waists moyens en fonction de la focale à différentes dates, √ l’ellipticité
étant identifiée par les barres d’erreur. Le calcul théorique (1.33) est multiplié par M 2 pour le
cas réel et est donné par le trait rouge pour les valeurs λ = 780 nm, M 2 = 1.3 et ω01 = 3.5 mm,
ce dernier étant estimé par la moitié d’un diaphragme de 7 mm de diamètre disposé en amont
du faisceau collimaté. Les pointillés noirs indiquent les limites dimensionnelles définies dans la
partie précédente afin de maintenir une fluence constante sur l’épaisseur d’usinage.

105
Chapitre 3 Optimisation des paramètres de découpe et perspectives

Influence de la largeur du faisceau. Une évolution du waist impacte directement

la fluence et le taux de recouvrement d’après les éq. (1.25) et (2.14). Une variation de
22 µm à 35 µm est visible sur la focale de 250 mm. Or en maintenant une puissance et une
vitesse d’usinage constantes au cours du temps à défaut d’analyses spatiales, la fluence
crête ainsi que le taux de recouvrement pourraient fluctuer d’un rapport 2 entre deux
expériences réparties dans le temps. Pour un procédé figé en production et en fonction
de la fluence appliquée, un élargissement du waist pourrait induire une absence de dé-
coupe débouchante. Dans le cas d’un rétrécissement, la fluence deviendrait suffisamment
importante pour affecter la qualité d’usinage. Notons cependant que la fluence et le taux
de recouvrement évoluent de manière opposée vis à vis de ω0 , et donc qu’une compéti-
tion subsiste entre ces deux facteurs. En effet, un usinage de fluence plus faible requiert
davantage d’impulsions par passage, compensant en partie la baisse du taux d’ablation,
sans oublier l’effet contre-productif de la saturation (Fig. 2.21).
Estimons numériquement l’impact de ω0 en se basant sur les Fig. 2.19 et 2.21 obte-
nues respectivement à Ntophat = 60 impulsions, Fcrête = 7 J/cm2 et dans lesquelles nous
approximons une saturation linéaire du taux d’ablation entre 30 et 100 impulsions d’en-
viron 3 nm/impulsion. Pour une puissance moyenne Pmoy = 190 mW et une vitesse de
translation de faisceau v = 5 mm/s, nous obtenons :

ω0 Fcrête τ abl P/pass Npass

Ntophat
(µm) J/cm2 (µm/pulse) (µm) découpe
22 5 44 0.52 22.7 8
35 1.97 70 0.26 18.3 10

Table 3.2 – Mise en évidence de l’efficacité de découpe en termes de nombre de passages en

fonction du diamètre du faisceau, à puissance constante.

Ainsi, lorsque le waist s’élargit, la fluence diminue tandis que le nombre d’impulsions
N irradiant un point du matériau par passage augmente. La profondeur usinée par passage
P/pass résulte du produit N ×τabl alors que le nombre de passages total pour une découpe
est calculé pour 180 µm d’épaisseur. Bien que l’effet de saturation ne soit considéré que
pour le premier passage, nous constatons tout de même que l’usinage de plus forte fluence
est 20% plus efficace en termes de nombre de passages Npass .

Influence de l’ellipticité. Un faisceau non circulaire perturbera également le recou-

vrement dans des directions perpendiculaires, ce qui est critique dans le cadre de notre
étude sur la découpe de pastilles rectangulaires. Par exemple, le waist de 35 µm moyen
obtenu sur la lentille de 250 mm en Juillet 2012 présentait en réalité une ellipticité de
14% avec ω0min = 32.13 µm et ω0max = 37.43 µm.
D’après le tab. (3.3), le nombre de passages pour la découpe de 180 µm est de nouveau
perturbé en passant de 10 à 11 passages lorsque le recouvrement est le plus faible. En
particulier, cette analyse est valable pour une ablation constante par passage, que nous
avons identifiée grâce à la limite d’homogénéité en fluence sur la profondeur d’usinage.
Dans le cas contraire, la largeur du faisceau perpendiculairement à la direction de découpe
aura un impact sur l’efficacité d’usinage par effet de saturation et devra être considérée

106
 3.1 Jeu de paramètres du faisceau gaussien

dans l’estimation du nombre de passages.

ω0 τ abl P/pass Npass

Ntophat
(µm) (µm/pulse) (µm) découpe
32.13 64 0.26 16.6 11
37.43 74 0.26 19.24 10

Table 3.3 – Mise en évidence de l’effet de l’ellipticité du faisceau sur l’efficacité en termes de
nombre de passages dans deux directions perpendiculaires de découpe.

Logiquement donc, le procédé de découpe sera d’autant plus rapide et reproductible

que le faisceau au plan focal sera large et circulaire pour des vitesses et fluences inva-
riantes. Afin de vérifier ces hypothèses, nous avons testé sur PZT pur plusieurs distances
focales entre 100 mm et 250 mm avec une fluence et une vitesse d’usinage fixées arbitraire-
ment à 10 J/cm2 et 5 mm/s. Les résultats sont assez nets : lentille de 250 mm, 11 passages
(tproc ≈1h11min d’après (2.27)) ; lentille de 200 mm, 14 passages (tproc ≈1h31min) ; len-
tille de 150 mm, 24 passages (tproc ≈2h35min) ; lentille de 100 mm, pas de découpe après
50 passages (tproc ≫5h). Les découpes sont clairement plus rapides avec des focales plus
longues du fait d’un recouvrement amplifié, mais qu’en est-il de leur efficacité ? Pour cela,
nous avons également analysé ces lentilles avec non plus des vitesses mais des taux de
recouvrement constants. Un ratio sur les vitesses identique à l’écart entre les waists a été
appliqué, soit 5-4-3-2 mm/s pour les lentilles respectivement de 250-200-150-100 mm. Les
conséquences sont que les usinages s’allongent progressivement de 11 à 15 passages avec
toujours une absence de découpe pour la lentille de 100 mm même après 50 passages.
Cela indique clairement une perte d’efficacité des plus courtes focales, que nous expli-
quons par des effets de saturation tels qu’une baisse de la fluence en z comme introduite
dans la partie précédente, une évacuation difficile de matière ablatée ou encore une baisse
de l’absorption par réflexion sur les bords de coupe.
La qualité est essentiellement influencée en matière de conicité comme le montrent
les trois profils de coupe de la Fig. 3.4 obtenus par microscopie optique après polissage.
Dans notre cas, la conicité α est obtenue par la relation :
Le − Ls
 
α = arctan , (3.4)
2e
où Le et Ls sont respectivement les largeurs d’entrée et de sortie de l’usinage et e
l’épaisseur du matériau, de l’ordre de 180 µm.

En outre, cette forme a priori naturelle peut être rapprochée de la distribution gaus-
sienne d’énergie associée à des difficultés d’absorption de la lumière sur les flancs de coupe.
La conicité maximale est estimée pour Ls = 0 dans le cas d’une rainure juste débouchante
et sera d’autant plus importante que Le sera grande. Par exemple, la largeur d’entrée de
la lentille de 250 mm de la Fig. 3.4 est d’environ 100 µm, soit une conicité maximale de
15.5°, en limite de tolérance tandis que la lentille de 75 mm autorise une valeur maximale
de 5.7° avec Le = 36 µm.
Afin de confirmer cette tendance et faciliter la variation du diamètre d’entrée de fais-
ceau, plusieurs plans d’usinage localisés proportionnellement aux distances de Rayleigh

107
Chapitre 3 Optimisation des paramètres de découpe et perspectives

Figure 3.4 – Évolution de la conicité pour trois lentilles de focalisation à 7 J/cm2 et 2 mm/s.
Plus le diamètre de faisceau est petit, plus la conicité diminue.

ont été testés pour chaque lentille. Malgré la non satisfaction en ces plans du critère η
sur le maintien d’une fluence constante dans l’épaisseur d’usinage, les résultats restent
cohérents, que ce soit sur l’évolution de la conicité ou du temps de procédé comme indiqué
sur les Fig. 3.5(a) et (b).
Les conclusions confirment les premiers résultats : la largeur d’impact en entrée d’usi-
nage, proportionnelle au diamètre du faisceau, est en grande partie responsable de la
conicité de la découpe qui évolue linéairement dans la gamme d’étude. La tolérance étant
fixée à 15°, de très longues focales ne peuvent donc être exploitées pour diminuer les
temps de procédé à l’image de la Fig. 3.5(b). Un compromis est donc nécessaire comme
le souligne le graphique 3.5(c). Pour un temps de procédé inférieur à 2h, la lentille de
200 mm constitue la limite inférieure à ne pas franchir. En matière de conicité, la lentille
de 250 mm peut atteindre théoriquement la tolérance haute de 15° fixée par les exigences
industrielles. Attention, il faut néanmoins garder à l’esprit que ces courbes sont directe-
ment reliées aux tailles de faisceaux au moment des travaux (Avril 2012 de la Fig. 3.3) et
peuvent toujours fluctuer avec le temps ou d’un laser à un autre.
Aussi, bien que le plan d’usinage ait été modifié, aucune hypothèse sur l’évolution de
la forme du faisceau n’a été mentionnée. En particulier, le plan image pi du diaphragme
de 7 mm est localisé d’après l’optique géométrique entre 4 et 5 fois la distance de Ray-
leigh sur la lentille de 75 mm. Bien qu’aucune mesure n’ait été faite en ce plan, aucune
perturbation n’a été notée entre 3 et 5zR en matière de conicité et de temps de procédé.

Au final, la stabilité des dimensions du faisceau est un facteur primordial de reproduc-

tibilité du procédé laser. Les usinages trop longs étant non rentables pour une production
série, un temps de procédé maximal de 2h a été considéré dans l’analyse, ce qui implique
que seules les lentilles de 200 mm et 250 mm sont envisageables, avec un choix préférentiel
pour la lentille de 200 mm au vue des conicités réduites.

108
 3.1 Jeu de paramètres du faisceau gaussien

Figure 3.5 – Évolution de (a) la conicité et (b) du temps de procédé en fonction de la largeur
d’entrée d’usinage à 7 J/cm2 et 2 mm/s sur PZT+NiP. (c) reprend les graphiques (a) et (b) afin
d’exprimer tproc en fonction de la conicité. Les plans focaux pf de chaque lentille sont indiqués,
les autres points correspondant à des plans multiples des distances de Rayleigh. pi représente
la position du plan image d’après l’optique géométrique.

Courte Moyenne Longue

Focale Critères
< 150 mm 150-250 mm > 250 mm
Remarques Influence principale sur la largeur d’ablation
tproc Efficacité Mauvais Bon Excellent
Répétabilité Rayleigh Mauvais Bon Excellent
Qualité Conicité Excellent Bon Mauvais

Table 3.4 – Récapitulatif de l’effet de la longueur de focalisation sur les critères de temps
de procédé, répétabilité et qualité d’usinage à paramètres constants. Des focales moyennes
sont choisies préférentiellement aux courtes ayant une mauvaise répétabilité et aux longues
engendrant une conicité trop importante.

109
Chapitre 3 Optimisation des paramètres de découpe et perspectives

Plan Critères Focal Intermédiaire Image

Remarques Influence principale sur la largeur d’ablation
tproc Efficacité Mauvais Bon Excellent
Répétabilité Rayleigh Excellent Mauvais Mauvais
Qualité Conicité Excellent Bon Mauvais

Table 3.5 – Récapitulatif de l’effet du positionnement du wafer sur les critères de temps de
procédé, répétabilité et qualité d’usinage à paramètres constants. Le plan focal est favorisé afin
d’assurer une bonne répétabilité du procédé.

3.1.4 Effets de la polarisation

L’orientation de la polarisation du faisceau vis à vis de la direction de coupe influe
notablement sur la qualité d’usinage, et en particulier sur la régularité des flancs. Sur
la Fig. 3.6(a), nous constatons très clairement des différences de forme d’usinage dans
deux directions perpendiculaires à la polarisation rectiligne du faisceau : alors que l’usi-
nage est homogène perpendiculairement, une polarisation parallèle à la translation induit
un usinage dont le fond est plus anguleux et les bords plus bruités. Le résultat sur une
découpe complète met en évidence ce phénomène d’inhomogénéité qui sera rédhibitoire
dans le cadre d’une application aux exigences dimensionnelles strictes. La Fig. 3.6(b) in-
siste sur l’évolution des profils de profondeur à chaque passage supplémentaire pour ces
deux types de polarisation, notées p et s, initiales allemandes pour parallèle ("Parallel")
et perpendiculaire ("S enkrecht") au plan d’incidence. Notons que l’évolution de la profon-
deur avec une polarisation s est plus chaotique. L’ablation ne semble pas toujours évoluer
de manière verticale et l’écart en profondeur entre les derniers passages n’apparaît pas
évident. A l’inverse, la polarisation p est régulière et donc davantage préconisée pour un
procédé reproductible.
Ces différences peuvent s’expliquer en partie grâce aux propriétés de réflexion-réfraction
ayant lieu au cours de l’interaction [65, 67]. La loi de Snell-Descartes énonce que pour un
angle d’incidence αi entre le laser et la normale au flanc d’usinage, l’angle réfracté αr à
l’interface air-PZT s’exprime par :
nair
 
αr = arcsin sin(αi ) , (3.5)
nP ZT
où nair et nP ZT sont les indices de réfraction de l’air et du PZT estimés respectivement
à 1 et 6.015 conformément à la valeur obtenue dans le chapitre 1. Les propriétés de
réflectivité des polarisations s et p en fonction de l’angle d’incidence αi résultent également
de l’analyse des coefficients de Fresnel en intensité, soit :
#2 #2
nair cos(αi ) − nP ZT cos(αr ) nP ZT cos(αi ) − nair cos(αr )
" "
Rs = , Rp = . (3.6)
nair cos(αi ) + nP ZT cos(αr ) nP ZT cos(αi ) + nair cos(αr )
Les courbes résultantes sont tracées Fig. 3.7 et mettent en évidence deux tendances
bien distinctes. Alors que la polarisation s est progressivement réfléchie pour αi croissant,
la réflectivité de la polarisation p décroît drastiquement jusqu’à atteindre un minimum
aux alentours de 80°. Cette angle d’incidence élevé est appelé angle de Brewster, souvent
exploité pour le filtrage de la polarisation dans certaines cavités laser, et correspond à
une transmission totale de la polarisation p tandis que seule s est réfléchie.

110
 3.1 Jeu de paramètres du faisceau gaussien

Figure 3.6 – Mise en évidence des effets de l’orientation de la polarisation rectiligne en fonction
de la direction de propagation de l’usinage. (a) Images MEB de rainures (3 passages) usinées
perpendiculairement et parallèlement à la polarisation incidente ainsi que l’angle d’une découpe
complète. (b) Évolution du profil de profondeur à chaque passage supplémentaire pour chacune
de ces polarisations. La polarisation s, parallèle à la direction d’usinage, est beaucoup plus
irrégulière en surface et en profondeur que la polarisation p. Paramètres appliqués : f = 200 mm
(ω0 = 24 µm) ; Fcrête = 5 J/cm2 ; v = 2 mm/s.

En conséquence, alors que l’absorption de la polarisation s est d’autant plus faible

que les flancs de découpe sont abrupts, l’effet inverse se produit avec la polarisation p ou
l’absorption est grandement améliorée. La forte réflectivité de s peut en outre expliquer la
nature chaotique de l’usinage : après une première réflexion, l’onde lumineuse se retrouve
sur le flanc opposé avec un nouvel angle d’incidence plus à même de permettre son
absorption. Néanmoins, l’ensemble de ces va-et-vient ne contribue pas à un moyennnage
de la rugosité des flancs mais provoque au contraire des zones d’accumulation à l’origine
des profils de coupe pas toujours réguliers.
Notons enfin qu’aucune amélioration franche en matière de qualité n’a été remarquée
avec des polarisations circulaires droites et gauches (notées c). Dans la littérature cepen-
dant, d’autres structures plus exotiques comme les polarisations azimutales et radiales
améliorent a priori l’efficacité d’ablation ainsi que la conicité mais requièrent des mani-
pulations de faisceaux ou l’ajout de systèmes optiques non testés dans le cadre de ces
travaux [66].
En conclusion, la polarisation rectiligne p, perpendiculaire à la direction de coupe, est
conseillée pour un usinage régulier tant spatialement avec une rugosité des flancs stable,
que temporellement avec l’évolution monotone de l’ablation avec l’accumulation.

111
Chapitre 3 Optimisation des paramètres de découpe et perspectives

Figure 3.7 – Simulation de la réflectivité R de chacune des deux polarisations rectilignes en

fonction de l’angle d’incidence avec le flanc de découpe.

Polarisation Critères p s c
Remarques Influence principale sur la régularité des flancs
tproc Efficacité Excellent Bon Bon
Répétabilité Ablation Excellent Mauvais Variable
Qualité Rugosité Excellent Mauvais Variable

Table 3.6 – Récapitulatif de l’effet de la polarisation sur les critères de temps de procédé,
répétabilité et qualité d’usinage à paramètres constants. Une polarisation perpendiculaire à la
direction de découpe est favorisée sans compromis.

3.1.5 Effets de la durée d’impulsion et de la longueur d’onde

Alors que la durée d’impulsion est optimisée pour limiter au maximum les dégâts
thermiques liés à une ablation radiative, nous nous sommes tout de même brièvement
intéressés à son effet sur la vitesse d’usinage. Le laser n’étant pas fait pour fluctuer tem-
porellement, un déréglage du compresseur après amplification a été nécessaire afin d’al-
longer la durée d’impulsion. Par cette méthode, une variation de 125 à 500 fs (largeur à
mi-hauteur) a pu être mesurée par autocorrélation. La Fig. 3.8(a) répertorie le nombre de
passages nécessaires à la découpe des 180 µm de PZT+NiP pour les paramètres suivants :
f = 250 mm ; Fcrête = 7 J/cm2 ; v = 5 mm/s. Nous constatons qu’aucune perturbation
n’apparaît sur cette plage d’étude et donc que la durée d’impulsion n’est pas un para-
mètre critique sur le temps de procédé.

La comparaison en longueur d’onde a été obtenue à partir de deux lasers différents :

notre laser d’étude, de caractéristiques déjà énoncées et le laser Spulse d’Amplitude basé
sur un cristal d’Ytterbium émettant à 1030 nm. Le laser est paramétré pour une cadence
de 5 kHz et des durées d’impulsions de 500 fs (considérées comme non critiques d’après
les observations précédentes). Une focale de 100 mm a été utilisée pour l’estimation du
nombre de passages nécessaire à la découpe du PZT+NiP, soit un waist équivalent ω0
de 13.7 µm, à la limite de la tolérance en fluence. La vitesse minimum accessible du

112
 3.1 Jeu de paramètres du faisceau gaussien

Figure 3.8 – (a) Évolution du nombre de passage Npass pour la découpe de PZT+NiP en
fonction de la durée d’impulsion pour les paramètres f = 250 mm (ω0 ≈ 27 µm) ; Fcrête =
7 J/cm2 ; v = 5 mm/s. (b) Taux d’ablation moyen résultant de découpes complètes de PZT+NiP
en fonction de la fluence pour 2 longueurs d’onde. 780 nm : f = 75 mm (ω0 ≈ 16.8 µm) et
v = 2.37 mm/s ; 1030 nm : f = 100 mm (ω0 ≈ 13.7 µm) et v = 12 mm/s.

système était cependant de 12 mm/s. Les valeurs données en comparaison à 780 nm

ont été estimées selon le même procédé mais à partir d’une focale de 75 mm et d’un
échantillon placé en z = zR en vue de maintenir un diamètre de faisceau équivalent tandis
que la vitesse était dans ce cas de 2 mm/s. Au vue des différences de paramètres, une
analyse sur les taux d’ablation simplifie le comparatif, déduit en première approximation
de l’épaisseur du matériau divisé par Npass ×Ntophat . Le graphique de la Fig.3.8(b) montre
de nouveau que la longueur d’onde n’apparaît pas critique dans le proche infrarouge
puisque les tendances d’ablation sont équivalentes avec la fluence. Notons aussi que les
taux globaux sont relativement bas comparativement aux lentilles plus longues de 200 et
250 mm (voir Fig. 2.21(b)), confirmant l’effet de saturation indépendant des propriétés
d’émission intrinsèques aux deux lasers. En matière de qualité, les observations MEB
succinctes révèlent des flancs de mauvaise qualité à 1030 nm avec la présence de zones
fondues et de fissurations, probablement due à une accumulation trop importante (Npass =
190).

3.1.6 Effets de la puissance et de la fluence

L’influence de la densité d’énergie sur le temps de procédé a déjà été abordée dans
la partie 2.3.4. Il a été constaté en accord avec l’expérience que le nombre de passages
nécessaire pour la découpe des 170 µm de PZT pur peut être déduit du taux d’ablation
statique et de l’incubation. Le temps de procédé résultant augmente dès lors de manière
d’autant plus importante que la fluence crête d’usinage est faible. Cette conséquence
directe de la forme du taux nous permet ainsi de conclure sur la nécessité d’utiliser des
fluences supérieures à 5 J/cm2 afin d’éviter des zones de trop fortes instabilités.
Également, nous venons de mettre en évidence l’effet des électrodes de NiP et de
la distance focale avec en particulier la taille du faisceau 2ω0 sur l’efficacité d’usinage.

113
Chapitre 3 Optimisation des paramètres de découpe et perspectives

Des critères de maintien de la fluence crête sur l’épaisseur incitent à l’emploi de waists
supérieurs à ≈ 14 µm et donc dans notre cas, de lentilles de focales supérieures à 175 mm.
Or de fortes variations de ω0 sont mises en évidence au cours du temps (Fig. 3.3), ce qui
provoquent de nouveau de fortes fluctuations en matière de temps de procédé. Les derniers
résultats d’usinage obtenus avec la lentille de 250 mm (ω0 = 22 mm) et v = 5 mm/s sont
données tab. (3.7).

Fcrête PZT pur PZT+NiP Écart

J/cm2 Npass tproc Npass tproc %
3 47 5 :04 52 5 :36 5.8
5 21 2 :16 23 2 :29 8.7
7 14 1 :30 17 1 :50 17.6
9 11 1 :11 13 1 :24 15.4
11 9 0 :58 11 1 :11 18.2
13 8 0 :52 10 1 :05 20.0
15 6 0 :39 7 0 :46 14.3

Table 3.7 – Comparaison du nombre de passages et du temps de procédé nécessaires à une

découpe pour différentes fluences sur PZT pur et PZT+NiP. Paramètres constants : f = 250 mm
(ω0 = 22 µm) (Novembre 2012), v = 5 mm/s. L’écart relatif des durées d’usinage sur les deux
matériaux est également indiqué.

De manière générale, un wafer complet de PZT+NiP s’usine entre une quarantaine

de minutes et plus de 5 heures pour des fluences crêtes allant de 15 à 3 J/cm2 . Bien que
non présentés ici, les mêmes paramètres ont été testés sur des échantillons en conditions
industrielles, c’est à dire collés sur un support de silicium. Toutes les découpes ayant
débouché, nous en déduisons que le collage ne génère aucune perturbation. Le nombre de
passages pour les 170 µm de PZT pur est également donné et nous permet de confirmer
un écart moyen de 15% en fonction de la présence ou non des électrodes.
Enfin, nous notons une augmentation du temps de procédé par rapport aux résultats
du tab. (2.4), attribuable à la diminution de la taille de faisceau de 27 à 22 µm et ce
malgré une lentille similaire de 250 mm. En conclusion, le choix d’une focale n’est en
rien un critère de sécurité et seule la connaissance du diamètre du faisceau dans le plan
d’usinage permet de maîtriser au mieux la reproductibilité du procédé. Sa variation joue
sur le recouvrement mais également sur la fluence qui reste tout aussi critique sur les
temps d’usinage.

Pour un procédé industriel où les temps de découpe sont étroitement liés aux coûts
des produits finaux, la première intuition revient à favoriser les hautes fluences afin de
tirer profit au maximum de leur efficacité. Cependant, nous allons voir que le régime d’op-
timisation est très vite limité avec l’apparition de phénomènes témoins de la dégradation
des usinages.
La Fig. 3.9 présentent l’évolution du pourcentage de Zr/Ti estimé par EDX sur les
flancs de découpe à différentes fluences. Les mesures sont réalisées sur plusieurs centaines
de µm2 et les valeurs en zéro correspondent à la référence non usinée obtenue par clivage.
La moyenne de Zr/Ti se situe bien autour des 50%, donc en zone morphotropique où les

114
 3.1 Jeu de paramètres du faisceau gaussien

Figure 3.9 – Évolution de Zr-Ti au niveau des flancs de découpe en fonction de la fluence
sur PZT+NiP collé sur silicium. La référence non usinée est donnée pour une fluence nulle.
Aucune tendance ne ressort de l’augmentation de la fluence hormis la présence de silicium issue
de l’usinage du support. Paramètres appliqués : f = 250 mm (ω0 ≈ 22 µm), v = 5 mm/s.

propriétés piézoélectriques sont les plus fortes, mais aucune tendance ne ressort clairement
avec la fluence. La poire d’interaction de cette technique étant supérieure au micromètre,
nous pouvons en déduire soit que la zone affectée est inférieure à cette profondeur, soit
qu’il n’y a effectivement aucune fluctuation dans la proportion des éléments. Associé à
une structure cristalline inchangée (voir spectres Raman plus loin), il existe donc une
forte probabilité pour que les dégradations occasionnées par le laser se limitent à des
profondeurs inférieures au micron. L’EDX met aussi en évidence la présence de silicium
à hauteur de 5% et donc que de la matière issue du support adhère aux flancs à partir
de la remontée du plasma d’ablation dès lors que l’usinage débouche. Au vu des propor-
tions, la présence de cet élément n’apparaît pas comme nuisible au bon fonctionnement
du matériau.

Par opposition, les observations de surface à l’image de la Fig. 3.10 mettent en évidence
un des défauts de haute fluence, à savoir un dépôt conséquent en périphérie de la zone
d’usinage (Fig. 3.10(b)). Un aspect moutonneux recouvre le matériau tandis que l’aspect
polycristallin du PZT pur reste clairement visible à basse fluence bien que la profondeur
apparaisse plus faible. Néanmoins, les dépôts sont dans la majorité des cas éliminés grâce
à un nettoyage à l’ultrason mais il peut arriver que les matières volatiles conservent une
température suffisante pour être de nouveau soudées au corps principal.
La conicité n’apparaît pas très affectée bien qu’une légère diminution soit visible à
fluence croissante sur l’échantillon de la Fig. 3.11. Cette amélioration est majoritairement
attribuable à l’élargissement du diamètre de sortie, ce qui favorise par la même occasion
une découpe franche. A 3.5 J/cm2 , l’usinage peut ne pas être net sachant que le faisceau
tendra naturellement à se concentrer en certains points et risquant de provoquer une
absence locale de découpe. Les zones cerclées en rouge indiquent des défauts d’usinage en

115
Chapitre 3 Optimisation des paramètres de découpe et perspectives

surface d’entrée, images des défauts de forme recensés aux cours des analyses de faisceaux
antérieures. Ces irrégularités de bords en énergie ne représentaient alors en amplitude pas
plus de 5% du maximum de fluence et étaient de ce fait considérées comme négligeables.
Or pour un faisceau de 7 J/cm2 , cela représente des fluences de l’ordre de 0.35 J/cm2 , très
proches du seuil d’ablation du PZT sans la considération de l’incubation et supérieures
au seuil de la surcouche métallique. Par conséquent, le matériau est légèrement usiné,
voire davantage comme il l’a été constaté sur la focale de 250 mm, rendant la mesure de
conicité erronée. De nouveau donc, la maîtrise de la forme du faisceau est primordiale au
maintien d’une découpe de bonne qualité.

Figure 3.10 – Clichés de rainures en surface d’entrée sur PZT pur mettant en évidence la
quantité de dépôts due à l’usinage à fluence croissante. Paramètres appliqués : f = 50.8 mm
(ω0 ≈ 6 µm), v = 2 mm/s, Npass = 4 .

Figure 3.11 – Évolution de la conicité et du temps de procédé du PZT+NiP avec la fluence.

Ceux-ci diminuent à fluence croissante au détriment de la qualité d’usinage en surface, les
défauts en bords de faisceau atteignant les seuils d’ablation. Paramètres utilisés : f = 200 mm
(ω0 ≈ 23 µm), v = 2 mm/s.

116
 3.1 Jeu de paramètres du faisceau gaussien

La spectroscopie Raman est une solution puissante pour la caractérisation qualitative

et quantitative des flancs (Fig. 3.12). Celle-ci met en évidence une évolution assez nette
des spectres avec la fluence, allant de pics très distincts et marqués sur la référence à
une quasi absence de signal à haute fluence. Bien qu’il ne soit pas coutume de comparer
les amplitudes absolues, nous sommes tout de même forcés de constater que l’intensité
moyenne du signal décroît graduellement. Ces résultats corroborent bien notre hypothèse
selon laquelle les flancs se dégradent avec la fluence mais il faut garder à l’esprit que ces
fluctuations ne sont pas toujours aussi nettement identifiées, ce pourquoi la multiplication
des analyses est souvent nécessaire.

Figure 3.12 – Spectres Raman pris au centre des flancs d’usinage pour différentes fluences
crêtes sur PZT+NiP collé sur silicium. Les traits rouges indiquent la position du pic A1 (T 03 )
pour l’estimation des contraintes résiduelles tandis que les traits verts sont typiques des éléments
de silicium. A fluence croissante, la forme du spectre se dégrade en se dissociant davantage de
la référence non usinée. Paramètres appliqués : f = 250 mm (ω0 ≈ 22 µm), v = 5 mm/s.

Cette baisse de la qualité des spectres, amplifiée à partir de 9 J/cm2 , est directement
reliée à la nature cristalline à l’extrême surface du matériau. Moyennée sur la profon-
deur de pénétration de l’outil d’analyse (ici un laser), nous pouvons en conclure que la
structure pérovskite est clairement endommagée à fluence croissante. Nous supposons
notamment grâce à la littérature que de nouveaux composés font leur apparition comme
l’oxyde de plomb (PbO), des phases de type pyrochlore A2 B2 O6 voire même une amor-
phisation totale du matériau [186]. A cela s’ajoute la présence plus marquée du silicium
dont le pic caractéristique est signalé en vert.

Avant cette fluence charnière, les spectres sont très similaires et la quantification des
différences reste difficile. Par conséquent, nous avons développé un outil quantitatif nous
permettant d’estimer la qualité de coupe et basé sur un comparatif des intensités relatives

117
Chapitre 3 Optimisation des paramètres de découpe et perspectives

A3 /Ai entre les flancs du PZT non usiné (ref ) et les flancs des PZT usinés (de paramètres
p) :
5
!
A3 A3
ζp = (3.7)
X
σ , .
i=1 Ai p Ai ref

Ces pics nommés arbitrairement Ai et donnés Fig. 3.12 ne correspondent pas né-
cessairement aux modes de vibration de la Fig. 2.24 mais sont représentatifs des crêtes
principales du spectre. Les intensités sont ramenées à l’intensité A3 considérée dans la
littérature comme insensible à la contrainte interne et à la proportion Zr/Ti [187]. Elle
est de plus présente dans la grande majorité de nos résultats malgré des dégradations
en fonction des conditions appliquées. Enfin, l’écart-type σ nous permet simplement de
juger de l’écart par rapport à la référence. ζp donne finalement un poids numérique à la
qualité d’un spectre et sera d’autant plus proche de zéro que la structure d’usinage sera
semblable à celle d’un PZT non usiné.
Les résultats issus des spectres de la Fig. 3.12 sont donnés Fig. 3.13(a). La croissance de
ζp est remarquablement linéaire après 5 J/cm2 , ce qui justifie la pertinence du calcul. Il
reste stabilisé à 0.2 avant cette valeur montrant également que l’usinage modifie légère-
ment la structure du matériau. Au vu des remarques précédentes, l’écart limite témoin
d’une découpe de qualité dégradée est finalement fixé à 0.6.
Bien que moins précise, la mesure de contrainte résiduelle par spectroscopie Raman
affiche des résultats comparables à la XRD sans ses désavantages en termes de protocole
et de surface d’analyse. Elle est donc très référencée, en particulier sur PZT usuellement
compliqué à analyser sous forme mince [188]. Xu et al. montrèrent que certains pics
Raman sont sensibles à l’évolution des contraintes internes au PZT en zone morphotro-
pique [189]. Cette sensibilité, marquée davantage sur les modes A1 (TO3 ) et E(LO3 ), se
manifeste par un déplacement ("shift") par rapport à leur position de référence selon la
relation déduite de la théorie :
" 2 #
ω

σ = σ1 1− , (3.8)
ω0
où σ et ω sont respectivement les contraintes résiduelles (MPa) et les positions des
raies Raman (cm−1 ). σ1 est la contrainte pour laquelle ω = 0 et ω0 est la fréquence du
phonon pour σ = 0. Un test de flexion est utilisé pour la détermination de ces constantes
et les valeurs respectives de -640.7 MPa et 528.8 cm−1 sont plusieurs fois reprises dans
la littérature pour le mode A1 (TO3 ) [188, 190]. Nous avons considéré cependant qu’au
vue de la multitude de PZT différents existants, une redéfinition de ces facteurs dans les
conditions d’expérience était nécessaire. Ne disposant pas d’un protocole expérimental
par flexion, la XRD a donc été employée pour la mesure de contrainte d’un PZT de ré-
férence mais également d’un second PZT texturé à 50 mW sur 1 cm2 . ω0 et σ1 ont ainsi
été déterminées respectivement à 599.752 cm−1 et -25.36×103 MPa.

Deluca et al. soulignèrent la forte dispersion des positions des pics (seulement quelques
cm ) en fonction des valeurs de contraintes appliquées, rendant difficile les estimations de
−1

proportionnalité [191]. De plus, les mécanismes de tension-compression au sein d’un maté-

riau en outre polycristallin font intervenir non pas une mais plusieurs types de contraintes
influant simultanément lors d’une perturbation.
Appliquée à nos flancs d’usinage, cette méthode d’estimation des contraintes rési-
duelles révèle en effet des résultats plus mitigés à cause de la très faible variation de la

118
 3.1 Jeu de paramètres du faisceau gaussien

position du pic. Celle-ci se compose à la fois de la réalité de la variation de contrainte

mais aussi des approximations de la méthode d’analyse, sans prendre en considération les
éventuelles fluctuations environnementales au cours de la mesure. Néanmoins, les résultats
sont donnés Fig. 3.13(b) et une augmentation de la compression avec la fluence se dessine.
Le PZT y étant plus résistant qu’à la tension, il n’en est pas moins soumis à une limite
en rupture inférieure à -600 MPa. De plus, un saut minimal entre la contrainte interne au
matériau et la contrainte de surface diminue la probabilité de rupture à l’interface et donc
l’apparition de zones d’écaillages. Bien que les tendances ne soient pas claires sur la Fig.
3.13(b), les faibles fluences semblent a priori mieux convenir avec des contraintes proches
de la référence. La contrainte en compression très importante à 15 J/cm2 résulterait d’une
modification importante de la structure du matériau tandis qu’une forte fissuration est
visible. A l’inverse l’augmentation de contrainte à 3.5 J/cm2 peut s’expliquer par la plus
forte accumulation d’impulsions au vue du faible taux d’ablation équivalent.

Figure 3.13 – Évolution des paramètres quantitatifs issus des analyses par spectroscopie Ra-
man (Fig. 3.12). (a) Écart type global ζp associé aux amplitudes relatives et traduisant l’éloi-
gnement du spectre considéré par rapport à la référence non usinée (éq. (3.7)). (b) Estimation
des contraintes résiduelles des flancs à partir de l’éq. (3.8). Une meilleure qualité est obtenue à
basse fluence, où ζp et σ tendent vers 0.

Les images MEB des flancs aux fluences extrêmes de 3 J/cm2 et 15 J/cm2 rendent
compte des différences d’aspect (Fig. 3.14) : à faible fluence, le matériau est essentielle-
ment texturé de ripples témoins d’une ablation douce alors qu’à forte fluence, une rugosité
propre à un matériau fondu prédomine. Dans ce dernier cas, nous constatons une fissu-
ration ainsi qu’un écaillage plus prononcés en sortie d’usinage. Ces phénomènes trouvent
leur explication grâce aux estimations d’onde de choc présentées Fig. 3.15.
En effet, la contrainte instantanée mesurée en sortie du matériau croît linéairement
avec la fluence en accord avec la tension crête détectée. Les valeurs obtenues oscillent entre
10 et 50 MPa pour des fluences allant de 2.5 à 15 J/cm2 , du même ordre de grandeur que
les résultats des travaux de Romain et al. [181]. Aussi, le grossissement de l’écaillage de
la partie débouchante avec la fluence est illustré Fig. 3.15(c)-(d)-(e).

119
Chapitre 3 Optimisation des paramètres de découpe et perspectives

Figure 3.14 – Flancs de découpe à (a) basse (3 J/cm2 ) et (b) haute (15 J/cm2 ) fluence. Le laser
arrive par le haut et les structures principales présentes sont indiquées. Paramètres appliqués :
f = 250 mm (ω0 ≈ 22 µm), v = 5 mm/s.

Figure 3.15 – Corrélation entre (a) la contrainte instantanée estimée à partir de la tension
de sortie crête du PZT en régime statique et (b-c-d-e) l’écaillage en sortie d’usinage dynamique
pour différentes fluences crêtes. Le seuil de fissurations à l’interface PZT-NiP estimé par ondes
de choc coïncide avec les limites en rupture théoriques. Paramètres utilisés : f = 250 mm
(ω0 ≈ 27 µm), v = 5 mm/s.

120
 3.1 Jeu de paramètres du faisceau gaussien

Remarquons en particulier que la fissuration se propage dans la largeur de la première

couche de PZT succédant à l’interface avec le NiP. Ces zones sont en effet sujettes à
un équilibre fragile où des sauts de contraintes apparaissent des suites de propriétés
cristallographiques différentes. La polarisation du matériau étant dans la direction de
l’épaisseur, une plus faible résistance s’oppose de plus à la propagation de la fissure par
réorientation de la polarisation [174].
La contrainte résiduelle aux abords de l’interface entre un film mince et son substrat
implique généralement une incurvation de l’ensemble identique à celle observée sur le
PZT couplé au NiP. L’équation de Stoney est souvent utilisée pour en estimer la valeur
[192–194] :
1 EP ZT d2s 1
σf = , (3.9)
6 (1 − νP ZT ) df R
où EP ZT et νP ZT sont respectivement le module d’Young (92 GPa) et le coefficient de
Poisson (0.31) du PZT. ds et df sont les épaisseurs du substrat (≈ 170 µm) et du film
(≈ 5 µm) tandis que R représente le rayon de courbure de l’ensemble. Cette équation est
en outre valable dans le cas où le film est bien plus fin que son support, soit df /ds ≪ 0.1,
ce qui est bien notre cas (df /ds ≈ 0.03). R est facilement déduit de la largeur du wafer L
(40 mm) et de la déflexion f (≈ 50 − 100 µm) de telle sorte que R ≈ L2 /8f dans le cas où
L ≫ f . Les contraintes résiduelles sont alors estimées entre 30 et 65 MPa, proches de la
contrainte à la rupture du PZT en tension (de l’ordre de 80 MPa). Dans le cas où celles-
ci soient également en tension, elles viennent alors s’ajouter à la dilatation instantanée
générée lors du choc laser. A 3 J/cm2 , l’accumulation de contraintes est ainsi toujours
inférieure à la limite à la rupture tandis qu’elle y est supérieure à 15 J/cm2 , comme le
confirme les images (c),(d) et (e) de la Fig. 3.15.
Finalement, l’électrode de NiP semble être bien adhérente mais engendre des contraintes
non supportées par le PZT qui cède alors rapidement sous leur accumulation. Les obser-
vations suivent bien la théorie qui doit tout de même être considérée avec précaution
puisque les déflexions à l’origine des contraintes varient localement et d’un échantillon à
l’autre.

Figure 3.16 – (a) Flanc d’usinage obtenu à partir de paramètres optimisés. Face de sortie
à gauche. (b) Zoom sur la zone centrale avec la présence de ripples. (c) Mise en évidence de
l’adhérence des ripples à l’interface avec des grains non usinés. Paramètres appliqués : f =
200 mm (ω0 ≈ 23 µm), Fcrête = 5 J/cm2 , v = 2 mm/s. Conicité 9°, Npass = 9 +1 de sécurité,
tproc ≈2h30min.

121
Chapitre 3 Optimisation des paramètres de découpe et perspectives

La Fig. 3.16 résulte d’une découpe optimisée avec les paramètres évoqués jusqu’à
maintenant : la focale de 200 mm réduit la conicité tandis que la fluence crête de 5 J/cm2
évite l’écaillage, la fissuration et la fonte du matériau tout en se positionnant à un taux
d’ablation optimal. La présence des ripples traduit une découpe sans dégradation rédhi-
bitoire et avec une structure cristalline affectée au minimum. La Fig. 3.16(c) met enfin
en évidence la jonction entre la partie supérieure de PZT brut et la partie inférieure
nano structurés en surface des grains, indépendamment de leur forme et des joints les
séparant. Nous pouvons donc en conclure que les ripples sont des marqueurs efficaces,
témoins de découpes de qualité. L’usinage reste néanmoins relativement long avec en plus
l’ajout de passages supplémentaires pour sécuriser les découpes. Des fluences légèrement
supérieures, entre 5 et 8 J/cm2 , pourraient être éventuellement employées.

Basse Moyenne Haute

Fluence Critères
< 5 J/cm 5-8 J/cm
2 2
> 8 J/cm2
Remarques Influence très importante sur la qualité générale des flancs
tproc Efficacité Mauvais Bon Excellent
Répétabilité Saturation Mauvais Bon Excellent
Conicité Bon Bon Bon
Dépôts Excellent Bon Mauvais
Qualité Rugosité Excellent Bon Mauvais
Contrainte Excellent Bon Mauvais
Cristallinité Excellent Bon Mauvais

Table 3.8 – Récapitulatif de l’effet de la fluence sur les critères de temps de procédé, répétabilité
et qualité d’usinage à paramètres constants. Des fluences moyennes sont favorisées afin de tirer
profit d’une qualité correcte sans augmenter drastiquement le temps de procédé.

3.1.7 Effets du recouvrement sur la qualité

La vitesse d’usinage influence le taux de recouvrement, c’est à dire la quantité d’im-
pulsions irradiant un même point du matériau à chaque passage laser. Ainsi, une vitesse
lente provoque une forte accumulation locale, d’où une profondeur ablatée importante
tandis qu’une vitesse rapide permet un usinage plus fin. Aussi pour la découpe d’une
épaisseur donnée, un nombre bien défini d’impulsions est nécessaire, et ce indépendam-
ment de la façon dont celles-ci sont déposées sur le matériau. Théoriquement donc, elle
n’a pas d’influence sur le temps de procédé et les cas les plus rapides compensent la faible
ablation avec un nombre de passages plus élevé. La question est finalement de savoir si
la qualité suit les mêmes conclusions.
Machado et al. affirmèrent que non grâce à l’usinage de canaux sur du verre BK7 et où
les analyses OCT ("Optical Coherent Tomography") révélèrent des modifications d’indice
bien plus profondes à vitesse lente qu’à vitesse rapide [164]. Nous pouvons donc supposer
que la méthode de déposition influe sur la qualité d’usinage par effet d’accumulation.
Notons aussi que la cadence joue un rôle important puisque elle indique la fréquence du
dépôt d’énergie. Une cadence de 10 kHz pour une vitesse de 10 mm/s a ainsi la même
accumulation qu’une cadence de 5 kHz pour une vitesse de 5 mm/s mais implique un
temps de procédé deux fois plus court.

122
 3.1 Jeu de paramètres du faisceau gaussien

Figure 3.17 – Évolution de la conicité et du temps de procédé du PZT+NiP avec la vitesse de

déplacement du matériau. Paramètres utilisés : f = 200 mm (ω0 ≈ 23 µm), Fcrête = 5 J/cm2 .

Dans notre étude où la découpe est obtenue par déplacement de platines de translation,
des vitesses jusqu’à un maximum de 20 mm/s peuvent être comparées. Cependant, les
mesures obtenues à proximité de cette limite faussent les estimations du fait de la forte
dégradation de la précision de déplacement, d’où le choix de ne s’intéresser qu’à des
vitesses allant de 0 à 10 mm/s, voire 15 mm/s.
L’évolution de la conicité est tout d’abord analysée via la Fig. 3.17. Celle-ci n’appa-
raît pas conséquente bien qu’une légère augmentation se dessine à vitesse croissante. A
l’identique des basses fluences, les diamètres de sortie diminuent puisque l’ablation est
de plus en plus réduite à chaque passage. La conicité tend alors vers son maximum pour
un diamètre d’entrée invariant. De même, le temps de procédé est relativement constant
et la proportionnalité entre les vitesses se retrouve dans le nombre de passages Npass
nécessaires à la découpe.
Les observations des surfaces d’entrée et des flancs témoignent néanmoins de résultats
opposés. La Fig. 3.18 présente 3 rainures usinées avec un nombre équivalent d’impulsions
mais selon des procédures de dépôt d’énergie différentes : alors que la première (a) est
obtenue en un passage à 1 mm/s, les suivantes sont réalisées respectivement en (b) 5
passages à 5 mm/s et (c) 10 passages à 10 mm/s. Un point du matériau sur l’axe central est
donc irradié par passage par Ntophat =270, 54 et 27 impulsions. Le taux de recouvrement
entre deux impulsions successives, dont la valeur vaut (1 − v/∆νD) × 100, reste pourtant
très élevé, passant de 99.6% à 96.3%. Nous constatons une forte dégradation de l’usinage
à la vitesse la plus lente en comparaison des deux autres qui sont équivalentes. Elle est
associée à la dynamique du dépôt d’énergie, représentée en (d) et que nous définissons
comme le produit de la fluence crête mono pulse par le nombre d’impulsions irradiant en
un passage un point du matériau :

D∆ν
Faccumulée = Fcrête × Ntophat = Fcrête , (3.10)
v
123
Chapitre 3 Optimisation des paramètres de découpe et perspectives

Figure 3.18 – Comparatif de rainures ayant été irradiées avec le même nombre d’impulsions
mais selon des procédés différents : (a) Npass = 1, v = 1 mm/s ; (b) Npass = 5, v = 5 mm/s ; (c)
Npass = 10, v = 10 mm/s. (d) Représentation schématique simplifiée de la dynamique du dépôt
d’énergie des trois cas précédents. Alors que la fluence totale accumulée est équivalente, nous
constatons une différence conséquente en matière de qualité d’usinage. Paramètres constants :
f = 250 mm (ω0 ≈ 27 µm), Fcrête = 7 J/cm2 .

Figure 3.19 – Flancs de découpe usinées à vitesse (a) lente (1 mm/s) et (b) rapide (10 mm/s).
La vitesse lente témoigne d’un flanc rugueux tandis qu’à 10 mm/s, celui-ci est plus lisse et
présente des zones nanostructurées. Paramètres appliqués : f = 250 mm (ω0 ≈ 22 µm), Fcrête =
7 J/cm2 .

124
 3.1 Jeu de paramètres du faisceau gaussien

Alors que cette fluence crête accumulée par passage est constante pour les trois rai-
nures des Fig. 3.18(a) (b) et (c), une trop forte accumulation est favorisée dans le premier
cas. L’ablation par passage y est aussi beaucoup plus prononcée et la surface d’inter-
action entre le matériau et le laser en déplacement est alors plus abrupte et chahutée.
Une autre hypothèse est qu’une fraction de la matière usinée est évacuée par le plasma
d’ablation tandis qu’une autre partie est suffisamment échauffée pour entretenir un état
semi-liquide qui se resolidifie en arrière du faisceau. La configuration de cette resolidifica-
tion semble s’orienter dans la même direction, ce qui suppose des effets latéraux induits
par le choc laser. Celui-ci passant plus rapidement dans les deux autres cas, les effets
sont réduits puisque les profondeurs usinées sont plus faibles et l’augmentation de la
température latérale est abaissée. De plus, la matière a plus de temps pour se relaxer
entre deux passages dont le plus grand nombre réussit à moyenner l’apparition des dé-
fauts. La Fig. 3.19 confirme ces différences de qualité sur les flancs d’usinage obtenus
avec les deux vitesses limites. A 1 mm/s, le matériau semble fondu bien qu’aucune fissu-
ration ni écaillage n’apparaisse. Par opposition, le flanc à 10 mm/s est majoritairement
nanostructuré et uniforme.

Figure 3.20 – Spectres Raman pris au centre des flancs d’usinage pour différentes vitesses de
découpe sur PZT+NiP collé sur silicium. La fluence crête accumulée par passage est également
indiquée. Les traits rouges indiquent la position du pic A1 (T 03 ) pour l’estimation des contraintes
résiduelles. Le spectre de référence se retrouve pour des vitesses supérieures ou égales à 5 mm/s.
Paramètres appliqués : f = 250 mm (ω0 ≈ 22 µm), Fcrête = 7 J/cm2 .

Les analyses par spectroscopie Raman sont représentées Fig. 3.20. Les spectres usinés
tendent vers la référence à vitesse croissante et les valeurs inférieures à la limite de 5 mm/s
ne permettent pas de dissocier les pics caractéristiques du PZT sous forme pérovskite.
L’écart type global ζp confirme cette dégradation minimisée à partir de 8 mm/s et la
contrainte résiduelle diminue également malgré son manque de précision (Fig. 3.21).

125
Chapitre 3 Optimisation des paramètres de découpe et perspectives

Figure 3.21 – Évolution des paramètres quantitatifs issus des mesures de 3.12. (a) Écart type
global ζp et (b) estimation des contraintes résiduelles σ. Les résultats sur scanner sont ajoutés en
comparaison. A vitesse croissante, la qualité du spectre augmente et la contrainte remonte vers
la valeur de référence avant de se stabiliser. Paramètres appliqués sur platines : f = 250 mm
(ω0 ≈ 22 µm), Fcrête = 7 J/cm2 ; sur scanner : f = 160 mm (ω0 ≈ 18 µm), Fcrête = 10 J/cm2 .

Figure 3.22 – Comparaison des spectres des flancs d’usinage pour des couples de fluence-
vitesse définis autour des seuils de qualité estimés par fluence accumulée. Paramètres appliqués :
f = 250 mm (ω0 ≈ 27 µm pour 3.5 et 10 J/cm2 , 22 µm pour 7 J/cm2 ).

126
 3.1 Jeu de paramètres du faisceau gaussien

Il existe donc bien un effet de la vitesse sur la qualité d’usinage, équivalent à une
augmentation de fluence. Au vu des résultats obtenus par spectroscopie Raman, nous
pouvons estimer sur la focale de 250 mm une fluence seuil de qualité d’environ 7 J/cm2
pour une vitesse minimale de 3 à 4 mm/s. Ramené à une fluence crête accumulée par
passage, cela nous révèle un seuil entre 385 et 513 J/cm2 /passage. Par un simple produit
en croix, une fluence de 3.5 J/cm2 ne devrait donc pas être couplée à une vitesse inférieure
à la vitesse limite de 2 mm/s tandis qu’avec une fluence de 10 J/cm2 , celle-ci devrait être
supérieure à 6 mm/s. C’est ce que confirment les spectres de la Fig. 3.22 où deux vitesses
sont associées à chaque fluence, mettant en évidence l’évolution du spectre autour de ces
seuils de qualité estimés en fluence accumulée. En rouge, la fluence crête est de 10 J/cm2
et une évolution évidente de la forme du spectre est effectivement visible entre 5 et
10 mm/s. Les mêmes observations s’appliquent aussi aux deux autres fluences pour des
vitesses plus lentes. Bien que cela fonctionne très bien pour la lentille de 250 mm, il est à
noter que les résultats sont plus partagés avec la lentille de 200 mm qui semble supporter
des fluences accumulées plus élevées.
En conclusion, nous avons mis en évidence l’impact de la vitesse d’usinage sur la
qualité des flancs, de manière quantitative et qualitative à partir de lentilles de longues
focales et pour des fluences autour du point de fonctionnement de 7 J/cm2 . En effet,
les vitesses plus élevées évitent un dépôt trop localisé qui tend à dégrader l’usinage. A
l’inverse, la conicité et le temps de procédé restent stables bien qu’une légère augmentation
à vitesse croissante ait été avérée pour des fluences très basses.

Lente Moyenne Rapide

Vitesse Critères
< 5 mm/s 5-50 mm/s > 50 mm/s
Remarques Plage dépendante des fluences accumulées. Fcrête entre 5 et 7 J/cm2
tproc Efficacité Excellent Excellent Excellent
Répétabilité Largeur de sortie Excellent Bon Mauvais
Conicité Bon Bon Bon
Rugosité Mauvais Bon Mauvais
Qualité
Contrainte Mauvais Excellent Excellent
Fonte/Ripples Mauvais Excellent Excellent

Table 3.9 – Récapitulatif de l’influence de la vitesse sur les critères de temps de procédé,
répétabilité et qualité d’usinage à paramètres constants. Une plage conséquente de vitesses
moyennes est proposée bien que celle-ci ne semble pas critique sur le procédé.

3.1.8 Analyses complémentaires des méthodes d’usinage

Bien que les principaux paramètres accessibles et modulables sur le laser d’étude aient
été analysés, nous nous sommes attardés sur des moyens et méthodes de découpe com-
plémentaires susceptibles d’améliorer davantage la qualité.

En particulier, Li et al. développèrent une méthode qui diminue la rugosité des flancs
grâce à un décalage du faisceau de quelques microns perpendiculairement à la direction
d’usinage [195]. En effet, nous pouvons supposer qu’avec ce principe, la partie centrale
s’usine de manière constante car irradiée par un nombre d’impulsions équivalent à chaque

127
Chapitre 3 Optimisation des paramètres de découpe et perspectives

Figure 3.23 – Observations des profils polis de découpe selon deux méthodes d’usinage : (a)
Cas classique. (b) Shift du laser de 1 µm perpendiculairement à la direction d’usinage, dans une
direction puis son opposé à chaque nouveau passage. Un dépôt non négligeable d’environ 1 µm
d’épaisseur est visible avec le second procédé. Paramètres appliqués : f = 250 mm (ω0 ≈ 27 µm),
Fcrête = 7 J/cm2 , v = 5 mm/s.

passage tandis que les bords seront soumis à des fluences plus faibles 1 passage sur deux.
La fluence cumulée moyennée en bordure de coupe est ainsi réduite tout comme les défauts
obtenus habituellement sur des déplacements classiques.
Cette idée a donc été reprise dans nos travaux où un décalage de 1 µm a été utilisé
sur la focale de 250 mm. Alors que le temps de procédé n’est en rien affecté, la qualité
évolue effectivement, mais selon des tendances à l’opposé de nos attentes (Fig. 3.23). Le
profil poli de coupe standard de la Fig. 3.23(a) ne montre aucun défaut dans l’épaisseur
alors qu’une surcouche déstructurée et probablement partiellement adhérente de quelques
microns de large est apparente sur un des deux flancs du nouveau procédé (Fig. 3.23(b)).
D’après nos hypothèses, le faisceau contribuerait à repousser une partie de la matière en
éjection sur un des bords par onde de choc. Alors que celle-ci est de nouveau éliminée
sur le côté irradié par la plus haute fluence, l’autre côté ne sera pas "nettoyé", d’où une
inhomogénéité des résultats. Cette méthode ne peut donc convenir à notre besoin puisque
toutes les pièces usinées sont exploitées par la suite et doivent de ce fait être identiques.

Sur un tout autre principe, le moyen de découpe par platines de translation a éga-
lement été remis en question par rapport au scanner (Scanlab). Alors que les vitesses
plus élevées ont montré une amélioration de la qualité d’usinage, de tels systèmes sont
capables de déplacer le faisceau à 1m/s au maximum, bien supérieur aux platines. Cepen-
dant sur de telles échelles, le recouvrement devient quasi voire nul et une synchronisation
des tirs par rapport au déplacement devient nécessaire. D’un passage à l’autre, il n’existe
en effet aucun contrôle permettant de certifier que les impulsions se superposent ou au
contraire, qu’elles occupent des positions très différentes. De ce fait, il existe une certaine
probabilité pour que les usinages ne soient plus homogènes malgré un fort moyennage
de part de nombreux passages. Cette volonté de synchronisation est en cours d’étude et
la comparaison avec les platines nous a finalement inciter à ne pas dépasser 50 mm/s
(Ntophat ≈ 5).
Le temps d’usinage est mis en évidence sur la Fig. 3.24(a) et la qualité sur la Fig. 3.21.

128
 3.2 Accélération de procédé par mise en forme de faisceau

Figure 3.24 – Mise en évidence avec Npass en fonction de v de l’efficacité d’ablation de la

lentille scanner de 160 mm (sc.) en comparaison des longues focales employées sur les platines
de translation (pl.). La fluence crête est fixée à 10 J/cm2 .

Nous constatons que la lentille scanner de 160 mm dont le waist est estimé à ≈ 18 µm
rivalise avec la lentille de 250 mm (ω0 ≈ 22 µm) tandis que l’achromat de 200 mm dont
le waist lui est pourtant équivalent requiert légèrement plus de passages. La linéarité
avec la vitesse est de plus très bien conservée même pour des vitesses rapides. Nous
supposons donc que la translation du matériau a une influence négative sur l’efficacité
d’ablation comparativement à la translation du faisceau. Le scanner est plus précis, avec
des zones d’accélération/décélération fortement réduites et le matériau n’est plus soumis à
des déplacements parasites et difficilement quantifiables. La Fig. 3.24(b) présente l’aspect
du flanc d’usinage à 50 mm/s dont la partie supérieure contient des ripples conformément
à nos attente tandis que la partie inférieure est striée. Ce phénomène est probablement dû
au problème de synchronisation évoqué plus haut et donc l’emploi de vitesses supérieures
n’apporte rien à la qualité.

3.2 Accélération de procédé par mise en forme de

faisceau
Une seconde solution d’optimisation de procédé laser tient dans la modification des
propriétés du faisceau de sorte que certains critères tels que la vitesse d’usinage puisse être
davantage améliorés. Jusqu’ici, nous nous sommes concentrés sur un faisceau gaussien non
modifié, de sa sortie laser jusqu’à l’échantillon à découper. La minimisation des optiques
perturbant le faisceau facilite en outre la corrélation entre théorie et expérience tout en
certifiant une reproductibilité maximale. Maintenant que nous avons défini des plages
de paramètres adaptés au besoin, nous pouvons introduire ces techniques qui visent à
intervenir sur les caractéristiques spatiales et temporelles du faisceau, d’où le terme global
de mise en forme ("beam shaping"). Nous en faisons ici une brève introduction car ces
dernières représentent des perspectives d’optimisation intéressantes.

129
Chapitre 3 Optimisation des paramètres de découpe et perspectives

3.2.1 Mise en forme temporelle par double impulsion

Comme nous l’avons souligné au début de ces travaux, chaque classe de matériau est
caractérisée lors d’un usinage femtoseconde par des mécanismes successifs d’interaction
linéaires ou non. Pour les matériaux diélectriques, l’énergie lumineuse est en premier lieu
absorbée par le système électronique dont la population libre croît majoritairement via
l’absorption multiphotonique ainsi que par l’ionisation par avalanche. S’ensuit alors un
transfert de cette énergie au réseau qui voit sa température augmenter rapidement jus-
qu’au seuil critique d’ablation. Cette réflexion résulte de la considération d’une excitation
initiale de type gaussienne intervenant sur des durées inférieures à ces échanges. L’idée
de la mise en forme temporelle de faisceau tient alors dans la possibilité de modifier cette
source impulsionnelle de sorte qu’elle puisse à son tour contribuer à ces échanges ther-
miques postérieurs, perturbant ainsi les mécanismes en cours dans le but d’optimiser un
phénomène physique donné [196]. La mise en forme la plus commune est celle de la double
impulsion où la gaussienne temporelle est scindée en deux sous-gaussiennes retardées l’une
de l’autre par des chemins optiques de longueurs différentes. Pour y parvenir, des systèmes
dérivés des principes de Michelson sont généralement employés. Par ces moyens, Donnelly
et al. démontrèrent qu’un écart temporel de 5 à 10 ps doublait les volumes et profondeurs
d’ablation sur le nickel comparativement à des usinages mono-impulsionnels [197]. Ces
durées optimales sont comparables aux temps de transfert électrons-phonons estimés à
5 ps dans ce matériau, ce qui suppose une interaction relativement complexe entre la
seconde impulsion et le matériau en déséquilibre thermique initié par la première im-
pulsion. Selon les mêmes analyses, Liebig et al. constatèrent des profondeurs d’usinage
plus importantes toujours entre 5 et 10 ps sur l’acier pour plusieurs fluences, mais éga-
lement une amélioration de la qualité d’usinage [198]. Au cours de cette période, le flux
de matière plus ou moins fondue se détache progressivement du corps principal mais se
retrouve perturbé par l’arrivée de la seconde impulsion. Finalement, c’est a priori lors
de cette zone temporellement critique, lorsque les électrons et le réseau s’équilibrent en
température, que la double impulsion trouve son sens. Antérieurement à cette durée, les
deux impulsions contribuent de manière identique à l’absorption par les électrons libres.
A l’opposé, une seconde impulsion trop tardive n’aura pas d’effet notable sur le matériau
mais pourra éventuellement empêcher la libre expansion du plasma d’ablation.

Outre la double impulsion, des technologies plus sophistiquées de mise en forme per-
mettent de nos jour une déstructuration complète de la forme gaussienne sur des échelles
sub-picosecondes avec l’exploitation toute particulière des SLMs ("Spatial Light Modu-
lator") [199]. Ces systèmes sont en effet constitués d’une matrice de cristaux liquides
anisotropes, adressables indépendamment en vue de modifier leur orientation face à une
onde incidente. De ce fait, chaque pixel sera identifié par une marche optique différente
ce qui aura pour effet de modifier la phase de l’onde. Le principe simplifié d’une telle ré-
organisation temporelle se base sur l’utilisation conjointe d’un SLM en transmission avec
un faisceau étalé spectralement (Fig. 3.25). Ainsi, chaque longueur d’onde étant indépen-
damment avancée ou retardée de ±π de leur période, la recombinaison finale engendrera
une impulsion étalée dans le temps et aux amplitudes sub-picosecondes volontairement
définies [200]. La multiplicité des mises en forme rendues possibles par cette technique
nécessite le plus souvent une boucle de rétroaction basée sur un phénomène physique à
analyser. Des algorithmes complexes tels que les algorithmes génétiques contribuent à
la recherche de cartes de phase optimisée pour le besoin [138]. L’indice optique, l’onde

130
 3.2 Accélération de procédé par mise en forme de faisceau

Figure 3.25 – Principe de mise en forme temporelle avec modulation de phase par SLM en
transmission.

de pression ou encore les dimensions de la zone affectée ont ainsi pu être contrôlés pour
l’ablation optimisée dans la masse de la silice avec une bonne reproductibilité [201, 202].
Stoian et al. démontrèrent également les possibilités d’optimisation sur une multiplicité
de matériaux diélectriques et sur des critères aussi variés que la fissuration, la remontée
de matière ou l’efficacité d’ablation [203, 204].

Dans le cadre de nos travaux, seule la double impulsion a été étudiée afin de tester
brièvement les éventuelles améliorations permises sur le PZT. Le schéma de montage est
présenté Fig. 3.26(a). Le faisceau initial est scindé en deux puis recombiné grâce à deux
cubes 50/50 non polarisant et permettant une transmission de puissance équivalente dans
chacun des deux bras. Le chemin optique supérieur est constant tandis qu’une platine de
translation manuelle permet de faire varier la longueur de propagation dans le second bras.

Figure 3.26 – (a) Schéma de principe de double impulsion. (b) Échantillon de mesures tem-
porelles par auto-corrélation.

131
Chapitre 3 Optimisation des paramètres de découpe et perspectives

Il en résulte alors deux sous-impulsions plus ou moins décalées dans le temps et d’éner-
gie respective égale à 1/4 de l’énergie initiale du fait de la seconde division au niveau du
deuxième cube. Cette perte conséquente constitue un des défauts de la mise en forme par
double impulsion. Le second défaut concerne l’alignement qui est ici excessivement cri-
tique puisque les deux faisceaux doivent parfaitement se superposer en toute circonstance
et malgré le déplacement des miroirs de la platine. L’utilisation de lasers de référence ainsi
que des observations à longues distances offrent une bonne estimation de la précision at-
teinte, finalisée par des analyses de faisceau après focalisation. Une fraction de l’énergie
est également prélevée pour l’autocorrélateur dont quelques échantillons de son écran
sont donnés Fig. 3.26(b). Nous remarquons que la résolution est excellente et que l’écart
entre deux impulsion est évidente à l’échelle picoseconde (seuls deux pics successifs sont à
considérer). Notons aussi la présence d’ailettes au niveau des pieds de la mono-impulsion
de 190 fs, ce qui indique un léger déréglage initial du laser.
La Fig. 3.27(a) résume les mesures de profondeur obtenues sur des rainures de PZT
pur (Npass = 1) avec f = 250 mm, v = 5 mm/s et pour quatre fluences crêtes différentes
en fonction de l’écart temporel des doubles impulsions. Contrairement à l’étude [198],
l’effet positif supposé sur l’ablation n’est pas évident hormis éventuellement à 2 J/cm2 ou
un optimum semble se dessiner autour des 5 ps. Cependant cette fluence reste très basse
et peu recommandée pour une découpe optimale en matière de temps de procédé et de
reproductibilité. La qualité d’usinage a été observée par MEB mais aucune variation n’a
été constatée.

Figure 3.27 – (a) Évolution de la profondeur de rainures de PZT pur avec l’écart temporel entre
deux impulsions pour quatre fluences crêtes. Paramètres appliqués : f = 250 mm ; v = 5 mm/s.
Seule Fcrête = 2 J/cm2 indique une influence de la double impulsion du fait d’une évolution non
monotone de la profondeur. (b) Amplitude crête des ondes de choc et de la contrainte instantanée
équivalente en fonction de ce même écart temporel. A haute fluence, un écart temporel optimisé
permet de réduire la contrainte résiduelle.

Aussi, un effet sur l’amplitude de l’onde de choc était attendu avec l’hypothèse que
la seconde impulsion puisse interférer destructivement avec la première onde naissante
dans le matériau. Les résultats statiques obtenus sont tracés Fig. 3.27(b). Remarquons
que les amplitudes des mono-impulsions à ces fluences sont d’un facteur 2 inférieures
aux valeurs données Fig. 3.15. Or cette étude a été réalisée après la forte variation de
ω0 recensée Fig. 3.3 (valeur de Novembre 2012 avec ω0 ≈ 24.7 µm), ce qui implique un

132
 3.2 Accélération de procédé par mise en forme de faisceau

recalcul du facteur reliant amplitude en tension avec la contrainte instantanée de l’éq.

(2.45), soit σ = 229.6 (M P a/V ) × |Upastille | (V ). Ainsi, les estimations de contrainte se
recoupent entre les deux figures. La fluence de 2.6 J/cm2 considérée d’après les résultats
de profondeur ne fait ressortir aucune tendance. Le choix des 10 J/cm2 s’explique par la
plage optimisée déterminée autour des 5 à 7 J/cm2 . Or la fluence étant estimée à par-
tir de puissances moyennes, le calcul ne prend pas en compte l’existence de deux trains
d’énergie égaux mais distincts, d’où des fluences crêtes réelles sur chaque impulsion sup-
posées de 5 J/cm2 . Un écart considérable est visible entre la mono-impulsion et la double
impulsion espacée de 250 fs où l’amplitude crête passe d’environ 0.19 V à 0.10 V. S’ensuit
un palier autour des 140 mV puis d’une croissance monotone avec ∆τ . Il faut néanmoins
garder à l’esprit que l’accumulation d’impulsions ablate petit à petit l’électrode, et donc
que la mesure peut être en partie affectée par l’usure. Alors que l’écart entre 0 et 250 fs
apparaît comme propre à l’interaction, l’évolution monotone suivante est à considérer
avec précaution.

En conclusion, les tests sur la double impulsion montrent des résultats dépendants de
la fluence, loin des hypothèses de forte amplification du taux d’ablation et d’amélioration
de la qualité, bien qu’encourageant dans certains cas particuliers. La perte d’énergie
associée à la division du faisceau n’est pas rentabilisée par une amélioration de procédé
suffisante, ce qui ne serait pas nécessairement le cas avec l’utilisation de SLMs qu’il
faudrait approfondir. Dans l’immédiat, aucune exploitation n’est envisageable dans le
cadre d’une industrialisation.

3.2.2 Mise en forme spatiale de faisceau

La mise en forme spatiale est testée dans cette étude avant tout dans l’objectif d’ex-
ploiter au maximum les possibilités de puissance du laser, les paramètres optimaux consi-
dérés employant moins de la moitié de l’énergie disponible. Mauclair et al. démontrèrent
la faisabilité d’une parallélisation de procédé par cette technique, rendant ainsi possible
l’usinage simultané de plusieurs guides d’onde dans la masse de verres [74, 200]. Nous
souhaitons ici reprendre cette idée afin de découper avec non plus un unique plan focal
mais avec une multitude de plans focaux. De plus, bien qu’il soit théoriquement pos-
sible de générer une infinité de formes [75], le peu de recul actuel sur leurs effets nous
incite à maintenir des formes gaussiennes dont les propriétés de propagation sont bien
connues [205].
La mise en forme spatiale de faisceau est réalisée principalement via deux principes :
la modulation d’amplitude et la modulation de phase. L’utilisation de diaphragmes sur
la trajectoire du faisceau décrit très bien cette première en modifiant les distributions
d’énergies transverses après focalisation. Son inconvénient principal réside néanmoins
dans la perte d’énergie liée à ces masques. A l’inverse, la modulation de phase ne crée
pas de pertes puisque qu’elle modifie directement les propriétés de phase du faisceau et
en particulier son front d’onde, pour qu’après propagation, la forme du faisceau tende
naturellement vers la forme souhaitée. C’est le principe du SLM décrit précédemment à
la seule différence qu’aucun étirement spectral ne précède son utilisation. D’autres tech-
niques existent également mais font intervenir des variations d’épaisseur plutôt que des
variations d’indice : le miroir déformable est composé d’une multitude de micro-miroirs
sous lesquels de micro-actionneurs permettent des déplacement relatifs afin d’augmenter
ou non les chemins optiques en certains points ; nous citerons aussi les DOEs ("Diffractive

133
Chapitre 3 Optimisation des paramètres de découpe et perspectives

Figure 3.28 – Schéma de principe de mise en forme spatiale de faisceau avec 5 spots focaux
parallèles.

Optical Elements") qui ne sont autres que des éléments optiques figés dont les épaisseurs
locales ont été taillées sur mesure en fonction du front d’onde incident et dont le but est
d’atteindre une forme clairement définie.
Nous avons utilisé dans notre étude un SLM en réflexion de type Pluto-Nir2 de chez
Holoeye et composé d’une matrice de 1920 × 1080 pixels carrés de coté 8 µm. La Fig. 3.28
présente le protocole expérimental utilisé avec un exemple de modulation 5 points ainsi
que la carte de phase équivalente à la surface du SLM en niveau de gris. Les focales des
lentilles L1 et L2 respectivement de 750 mm et 250 mm sont confondues et permettent
de faire l’image du SLM au niveau de la pupille d’entrée du doublet achromatique tout
en diminuant la taille du faisceau. Le plan en f1 ainsi que le plan d’usinage voient alors
apparaître cinq spots de distribution gaussienne d’amplitudes à peu près équivalentes.

Figure 3.29 – Analyses de faisceaux obtenues pour différentes configurations mono-pulses et

multi-pulses ainsi que leurs caractéristiques associées.

134
 3.2 Accélération de procédé par mise en forme de faisceau

L’écart entre le front d’onde réel du faisceau et la théorie ainsi que la non-unicité
des solutions de cartes de phase proposées par les algorithmes de calcul impliquent un
bruit non négligeable pouvant être optimisé. Aussi, l’écart entre les impacts n’est pas
suffisant pour usiner plusieurs rainures simultanément. Pour ces raisons, les spots focaux
sont alignés préférentiellement dans la direction d’usinage.

Lentille Modulation Fcrête /spot

Npass
(mm) (Nbr de spots) (J/cm2 )
250 Non (1) 5 6
25 Non (1) 5.5 >200
Oui (7) 5.5 17-35
50 Non (1) 4 24
Oui (3) 4 7
Oui (5) 2.3 16

Table 3.10 – Évolution du nombre de passages avec et sans modulation spatiale pour plusieurs
lentilles. La 250 mm étant la plus rapide, la mise en forme est employée sur de plus courtes
focales afin d’accélérer le procédé tout en bénéficiant d’une meilleure conicité. La mise en forme
3 points avec la 50 mm s’approche des résultats obtenus sur longue focale.

Le SLM d’étude étant un miroir pixelisé et sensible au flux incident, une puissance
maximale de 700 mW est préconisé pour éviter son endommagement. A cela s’ajoute
un taux de remplissage d’environ 72% induisant des pertes majoritairement par effets
diffractifs de l’ordre de 50%. Environ 400 mW de puissance maximale est ainsi accessible
pour l’usinage, ce qui implique que la lentille de 250 mm ne peut être employée pour
des essais multi-points. Néanmoins, la perte d’efficacité des plus courtes focales peut être
palliée par cette technique et ainsi tirer profit de leur faible conicité. La Fig. 3.29 recense
les principales configurations testées qui ont permis la découpe des 180 µm de PZT+NiP
à 2 mm/s dont les résultats sont donnés tab. (3.10).
L’écart entre chaque impact est fixé arbitrairement à environ 5ω0 . Sans mise en forme,
la lentille de 250 mm est clairement la plus efficace avec Npass = 6. Notons également un
ratio d’environ 5 avec la lentille de 50 mm et qui se retrouve sur le nombre de passages.
Par opposition, le matériau est difficilement découpé avec la lentille de 25 mm même avec
une mise en forme de 7 points (la découpe fluctue entre 17 et 35 passages). Bien que
l’usinage sature, le procédé est fortement accéléré avec l’utilisation de la mise en forme
(Fig. 3.30(a)) mais aussi en matière d’efficacité, mise en évidence sur la Fig. 3.30(b). En
effet, pour un nombre d’impulsions équivalent, seul le premier passage à 7 points donne
une profondeur identique à 7 passages en mono-pulse. Pour Npass supérieur, la profondeur
usinée devient plus importante, ce qui suppose un effet accumulatif non négligeable au
cours de cette mise en forme.
Un nombre de passages proche de celui de la longue focale est atteint avec une mise en
forme de 3 faisceaux sur la lentille de 50 mm bien que la fluence soient plus faible. Avec
5 points, la fluence maximale atteinte par spot est de 2.3 J/cm2 et Npass = 16 dus à la
forte diminution du taux d’ablation sur cette plage de fluence. Cette technique rend donc
bien possible l’accélération du procédé de découpe tout en tirant profit des avantages des
courtes focales vis à vis de la conicité (Fig. 3.31).

135
Chapitre 3 Optimisation des paramètres de découpe et perspectives

Figure 3.30 – Profondeurs ablatées avec et sans modulation de phase pour la lentille de 25 mm
à 2 mm/s selon deux références : (a) le nombre de passages Npass réel effectif et (b) le nombre
d’impulsions équivalentes Ntophat . La modulation améliore l’efficacité d’ablation.

Figure 3.31 – Profils d’usinage et conicité pour les trois focales testées : 25 mm avec mise en
forme 7 points ; 50 mm avec mise en forme 3 points et 250 mm sans mise en forme.

La qualité des flancs a également été brièvement observée et est présentée Fig. 3.32
pour des paramètres d’usinage et de temps de procédé équivalents. Cependant, les fini-
tions sont très différentes. Alors que la lentille de 250 mm met en évidence des flancs
nanostructurés témoins d’une ablation douce, la focale de 50 mm avec mise en forme
présente un aspect cotonneux avec apparition locale de fissurations. L’étroitesse de la
rainure peut en effet provoquer des dépôts plus conséquents au cours de l’expansion du
plasma d’ablation et le fort taux de recouvrement peut impliquer un effet d’accumulation
amplifié par la présence de la mise en forme.

Finalement, les résultats d’optimisation des découpes par mise en forme spatiale sont
de nouveau mitigés. Tout comme pour la mise en forme temporelle, de fortes pertes d’éner-
gie intrinsèques aux optiques utilisées apparaissent. Seules les courtes focales peuvent être

136
 3.3 Multiplication des lignes d’usinage

Figure 3.32 – Rugosité des flancs d’usinage pour (a) la lentille de 250 mm sans mise en forme
et (b) la lentille de 50 mm avec mise en forme à v = 2 mm/s et Fcrête ≈ 5 J/cm2 . La rugosité
est moins bonne dans le second cas avec la présence de dépôts au lieu de ripples.

analysées en multi-points et réussissent à atteindre des temps de procédé concurrentiels,

équivalents aux longues focales.
La conicité y est alors réduite tandis qu’en contrepartie, la qualité des flancs d’usinage
se détériore. De nouveaux paramètres d’optimisation devraient être envisageables pour
corriger ces défauts tels qu’une accélération de la vitesse d’usinage afin d’éviter les effets
d’accumulation. Notons également que ces observations sur l’efficacité et la rentabilité
des mises en forme de faisceau sont au cœur des développements des futurs SLMs qui
visent à diminuer les pertes tout en augmentant leur tenue au flux laser [206].

3.3 Multiplication des lignes d’usinage

Les tentatives d’accélération de procédé par mise en forme de faisceau ont montré de
nombreuses limites avec entre autre une perte disproportionnée d’énergie face aux amé-
liorations obtenues. Or les paramètres préconisés en fluence essentiellement impliquent
dans l’immédiat des temps de procédé trop longs et trop coûteux dont la responsabilité
revient également à une cadence laser insuffisante. Pour pallier à cette problématique, un
parallel processing simplifié à 2 faisceaux a été développé, basé sur l’utilisation d’un cube
polariseur (Fig. 3.33).
La polarisation du faisceau est positionnée à 45° à l’entrée du cube de sorte que celui-
ci fasse ressortir deux polarisations perpendiculaires d’intensité égale. Les lames demi-
onde λ/2 permettent finalement une nouvelle rotation afin de présenter des paramètres
identiques aux deux wafers à découper. Ce système évite la perte d’énergie et deux lentilles
de longue focale peuvent ainsi être employées.

137
Chapitre 3 Optimisation des paramètres de découpe et perspectives

Figure 3.33 – Schéma de principe de réalisation d’un "parallel processing" à 2 faisceaux pour
l’usinage identique de deux wafers par un jeu de rotation des polarisations.

3.4 Conclusion partielle

L’optimisation du procédé de découpe s’est finalement appuyée sur la considération
simultanée de la qualité de l’usinage, de sa reproductibilité et de sa rentabilité au travers
des temps de procédé et des méthodes de caractérisations MEB, Raman et d’onde de
choc.
La stabilité passe avant tout par le maintien d’une densité d’énergie constante sur
l’épaisseur du matériau, mais également sur sa largeur, sans lequel un mauvais alignement
de l’échantillon peut avoir des effets non négligeables sur l’aboutissement ou non des
découpes. Un critère sur la dimension du waist ω0 est obtenu grâce aux caractéristiques
géométriques de propagation du faisceau laser. Pour des waists supérieurs à 14 µm, la
fluence est ainsi conservée avec une tolérance de 5% et une inclinaison maximale α de
l’échantillon avec l’horizontale en est déduite. Les lentilles de focalisation résultantes
deviennent alors relativement longues, supérieures à 175 mm connaissant le diamètre du
faisceau collimaté en entrée de la lentille.
L’expérience montre cependant de fortes fluctuations de ce waist dans le temps au
travers d’analyses de faisceau régulières. Des conséquences directes en découlent, que ce
soit sur l’estimation de la fluence ou du taux de recouvrement qui constituent les para-
mètres de plus forte influence sur l’évolution du procédé. Un faisceau elliptique implique
dès lors un nombre de passages différent dans une direction de découpe et dans sa perpen-
diculaire alors qu’un faisceau rétrécissant dans le temps augmente la fluence et réduira le
recouvrement.
Que cela implique-t-il en matière de temps de procédé et de qualité ? Tout d’abord, la
taille du faisceau joue de manière importante sur la conicité et le temps de procédé. Mal-
gré les fluctuations, ce sont les distances focales qui définissent majoritairement l’échelle
du diamètre d’ablation. Un faisceau fin engendre une conicité réduite mais augmente de
manière drastique le temps de procédé par une baisse du recouvrement et une satura-

138
 3.4 Conclusion partielle

tion sur la profondeur. L’intuition de la dégradation de la qualité d’usinage à fluence

croissante est confirmée par un dépôt plus important en surface d’entrée, une contrainte
résiduelle supérieure à la référence de PZT brut et une fissuration du matériau accompa-
gnée d’écaillages. Le choix des fluences finales se base alors sur deux considérations :
– la forme du taux d’ablation qui présente une inflexion entre 5 et 7 J/cm2 , évitant
la forte instabilité et un temps de procédé long à basse fluence ;
– l’apparition de nanostructures ripples témoins d’une ablation douce par opposition
aux hautes fluences.
Les vitesses d’usinage lentes donnent les flancs les plus dégradés car l’accumulation y est
très élevée. En particulier, il semble que la fluence accumulée par passage, c’est à dire le
produit de la fluence par le nombre d’impulsions, soit d’autant plus représentative pour
estimer une qualité constante pour des couples fluence-vitesse donnés. En parallèle, il est
montré qu’une polarisation perpendiculaire à la direction de coupe améliore la rugosité
des flancs, que les couches de NiP augmentent en moyenne de 20% le temps de procédé
et qu’une augmentation de la longueur d’onde ou de la durée d’impulsion à 500 fs n’a
pas d’effet conséquent sur les temps de procédé. Alors que les platines de translation
permettent une plus grande flexibilité d’optimisation, il s’avère que les essais sur scanner
démontrent une efficacité légèrement accrue, probablement due à une meilleure maîtrise
des mouvements.
Finalement, les paramètres préconisés avec le laser d’étude sur platines de translation
sont :
– Une lentille de focalisation de 200 mm. La conicité résultante y est d’environ 9°.
– Une fluence crête entre 5 et 7 J/cm2 . Le temps de procédé oscille alors entre 2h et
2h30min.
– Une vitesse de déplacement entre 5 et 10 mm/s. La fluence accumulée est réduite,
les ripples sont conservés de manière stable et la structure des flancs d’usinage tend
vers celle du PZT pur.
– Une polarisation perpendiculaire à la direction de la découpe. On améliore ainsi
l’absorption sur les flancs et donc leur régularité pour une application aux exigences
dimensionnelles stricts.
Les paramètres fixes intrinsèques au laser sont sa longueur d’onde (λ = 780 nm), sa ca-
dence (∆ν = 5 kHz) et sa durée d’impulsion (τ = 150 fs ) ainsi qu’un environnement sous
air pour un procédé industriel simplifié. Au final, un contrôle répétitif et régulier est pré-
conisé, spécifiquement sur les dimensions du faisceau car la majorité des caractéristiques
de l’interaction en dépend.
Les paramètres considérés engendrent cependant des temps de procédé trop long et
non rentables, ce pourquoi des tentatives d’accélération par mise en forme de faisceau
ont été entreprises. Nous distinguons pour cela la double impulsion pour la mise en forme
temporelle de la modulation de phase pour la mise en forme spatiale. La première améliore
légèrement la qualité tandis que la seconde est capable de diminuer les temps de procédé
et la conicité. Or toutes deux impliquent des pertes énergétiques trop importantes par
rapport au gain apporté mais constituent cependant d’intéressantes perspectives d’amé-
lioration. Au final, nous n’adoptons dans l’état actuel qu’un processus simple de division
de faisceau par un cube polarisant. Le temps d’usinage moyen se retrouve réduit de moitié,
les pertes énergétiques minimisées et les paramètres optimaux conservés.

139
 Conclusion générale

Les lasers à impulsions ultra-brèves ont été ici exploités dans le cadre du micro-
usinage et de la micro-découpe qui constituent des milieux très concurrentiels. Nous
avons ainsi mis en évidence la multiplicité des moyens technologiques afin de situer au
mieux les performances de notre outil de travail. Bien que les dimensions atteignables
ne soient pas aussi faibles que les faisceaux d’ions focalisés (FIB) ou l’attaque chimique,
cette technologie se révèle prometteuse de par sa grande flexibilité et polyvalence. Ses
paramètres réglables sont nombreux et les puissances instantanées générées provoquent
des effets non linéaires à l’origine de sa capacité unique à usiner n’importe quel type de
matériau.
Aussi, il a été démontré théoriquement et expérimentalement que ce régime d’impul-
sion réduisait de manière considérable la zone affectée thermiquement intrinsèque aux
procédés radiatifs. L’apparition de défauts majeurs tels que les remontées de matière
fondues ou les fissurations provoquées respectivement par les lasers conventionnels et les
méthodes abrasives est dès lors fortement réduite.
Pour ces raisons, la Sagem s’est intéressée à cette technologie pour la découpe sen-
sible des PZTs intervenant de manière critique dans le fonctionnement d’un de ses sen-
seurs phares. Ces matériaux polycristallins issus d’un frittage de différentes poudres sont
des diélectriques de type céramique exhibant des propriétés piézoélectriques. Il apparaît
donc comme essentiel que l’usinage de ces pièces affecte au minimum la structure en
bord de coupe, d’où la considération pertinente de ces nouveaux procédés. En outre, les
phénomènes non linéaires d’absorption multiphotonique et d’ionisation par avalanche de-
viennent les principaux vecteurs de transmission de l’énergie au matériau, la longueur
d’onde d’émission dans l’infra-rouge n’étant pas suffisante pour permettre aux électrons
de la bande de valence de passer directement dans la bande de conduction par absorption
linéaire.

Cependant, les lasers femtosecondes restent des outils coûteux, complexes à manipu-
ler mais aussi sensibles aux fluctuations expérimentales. Technologiquement parlant, ils
s’appuient sur les propriétés d’émission polychromatique de certains cristaux excités et
exploitées par Mode-Locking. Associé à une amplification par Chirping, des puissances
crêtes instantanées de l’ordre du GW sur des durées à l’échelle de la centaine de fem-
tosecondes sont dès lors accessibles, rendant n’importe quelle structure usinable. Or ces
avantages ne peuvent être exploités sans la compréhension simultanée des caractéristiques

140
 Conclusion Générale

de l’interaction avec les propriétés de propagation de ces faisceaux.

En particulier, les radiations émises suivent les propriétés de propagation des faisceaux
gaussiens. En vue d’atteindre des densités d’énergie suffisantes, le faisceau est ainsi focalisé
au moyen de doublets achromatiques réduisant les aberrations. Il a été démontré ici que
le plan focal constituait le plan où la reproductibilité était la plus intéressante car les
variations de fluences pouvaient y être minimisées sur l’épaisseur de découpe. Le rayon
du faisceau en ce plan, appelé waist ω0 , y est minimal, ce qui nous donne également accès
aux fluences les plus élevées.
Les défauts de bords sont souvent filtrés grâce à des diaphragmes placés en amont de
la zone de l’usinage mais dont les dimensions peuvent venir influer aussi bien sur la forme
que sur la propagation du faisceau par effets diffractifs. En outre, la distribution gaus-
sienne au plan d’usinage peut être modifiée alors qu’elle est employée dans l’estimation des
seuils d’ablation puisque dans cette configuration, le diamètre d’impact évolue de manière
logarithmique avec la fluence incidente. Pour le PZT, ce seuil vaut ≈ 0.38 J/cm2 , supé-
rieur aux métaux tout comme l’est la profondeur usinée par impulsion. Cette dernière est
quantifiée et normalisée au moyen du taux d’ablation qui représente la profondeur ablatée
par impulsion. Généralement étudié en fonction de la fluence, il constitue le principal cri-
tère de comparaison entre les matériaux ainsi que le meilleur moyen d’estimer les temps
d’usinage. Néanmoins pour sa détermination, les choix de la forme gaussienne ou non du
faisceau, des procédés dynamique ou statique, influent sur la méthodologie d’analyse et
sur la précision des mesures induisant une dispersion dans les résultats. Nous avons mis
en évidence ces disparités par des exemples simples et développé une procédure capable
de convenir aux différents cas avec des résultats similaires. Nous avons également montré
que les mesures différentielles de masse pour le calcul des taux en volume constituent aussi
un moyen très prometteur de palier à ces problèmes méthodologiques. Enfin, nous avons
observé que le PZT est un matériau subissant un fort effet d’incubation et de saturation,
c’est à dire que ses propriétés d’interaction évoluent avec l’accumulation d’impulsions.
En particulier, la fluence seuil ainsi que le taux d’ablation diminuent contrairement aux
métaux où une certaine stabilité est observée. Cette différence peut s’expliquer par une
ablation bien plus prononcée de la céramique au cours de laquelle la géométrie d’usinage
sature plus rapidement avec l’usinage.

A partir de ces différentes quantifications, il nous est ainsi possible de simuler les temps
d’usinage mais également de définir des fenêtres de paramètres plus pertinentes à l’opti-
misation. Le taux d’ablation du PZT présente en effet une inflexion entre 5 et 7 J/cm2 .
Inférieure à ces valeurs, l’ablation peut subir de fortes fluctuations de profondeur pour
une variation minime de fluence. A l’inverse, des fluences plus élevées n’impliquent pas un
rendement aussi conséquent que l’énergie déployée comparativement au gain en termes
de temps de procédé obtenu.

Dans ce contexte, l’optimisation de procédé mais surtout l’analyse de la qualité des usi-
nages est envisageable. Parmi les moyens à disposition, nous avons souhaité nous centrer
sur des méthodes d’imagerie comme la microscopie électronique à balayage, mais aussi
associées à des techniques permettant une quantification et favorisant un classement plus
objectif des paramètres testés. La spectroscopie Raman s’est ainsi avérée bonne candidate
au vue de la dimension des flancs et des possibilités d’analyses. En outre, la structure cris-
talline, la composition chimique ou encore la contrainte résiduelle peuvent être déduites
moyennant le développement d’outils adaptés. A cela s’ajoute la caractérisation EDX ou

141
Conclusion Générale

encore une méthode plus exotique de quantification des ondes de choc par récupération
des tensions piézoélectriques générées à l’impact. Cette dernière a nécessité de s’intéresser
aux modèles équivalents électriques du matériau afin de mieux comprendre la nature des
signaux réceptionnés.
Dès lors, il s’avère que de fortes fluences engendrent bel et bien une dégradation de la
structure cristalline en bords de coupe à laquelle s’ajoutent des fissurations et des dépôts
en surface d’entrée. De même, les défauts de faisceau en entrée sont davantage marqués
tandis que la conicité évolue peu. Un écaillage des électrodes en surface de sortie à par-
tir d’une certaine fluence est justifié par une accumulation de contraintes instantanées
supérieure à la limite à la rupture en tension du PZT. Les revêtements métalliques en
NiP engendrent de plus une augmentation du temps de procédé d’environ 20% du fait des
10 µm supplémentaires mais aussi d’un taux d’ablation plus faible. L’analyse de la vitesse
d’usinage ne révèle pas d’influence sur ce critère temps mais bien une qualité dégradée
pour des déplacements lents et dont la limite serait définie par un seuil de fluence accu-
mulée (produit de la fluence crête monopulse par le nombre d’impulsions). La distance
focale est responsable de la taille du faisceau à l’impact et va jouer sur le maintien de la
fluence souhaitée dans l’épaisseur de coupe. Une limite à ω0 = 14 µm certifie une fluc-
tuation inférieure à 5%, d’où le choix de longues focales pour l’usinage. La conséquence
directe est que le recouvrement est localement plus élevé, d’où la réduction des temps
de procédé. Les exigences en matière de conicité incitent cependant à ne pas employer
de focales trop longues, l’angularité augmentant avec la taille du faisceau. La rugosité
des flancs est également améliorée avec une polarisation perpendiculaire à la direction de
translation car l’absorption y est plus prononcée. Au final, le choix de fluences moyennes
avec des focales longues et des vitesses élevées favorisent l’apparition de nanostructura-
tions de surface aussi appelées ripples et dont la présence témoigne d’une ablation douce
et sans fissuration. Ces motifs peuvent ainsi servir de marqueurs pour une analyse rapide
de la qualité d’un flanc.
Au cours de l’étude, les fortes fluctuations de la dimension du faisceau ont permis de
constater de sa très forte influence sur l’ensemble des critères considérés, d’où un besoin
essentiel de son contrôle dans le temps. Néanmoins, de nouveaux lasers développés dans
un objectif industriel sont désormais disponibles sur le marché et présentent des proprié-
tés de robustesse et de performance accrues.

En vue de réduire le temps de procédé tout en évitant une dégradation par la fluence,
la mise en forme de faisceau a été testée. La double impulsion qui consiste à scinder
temporellement l’impulsion femtoseconde en deux a montré un léger changement positif
des propriétés de l’ablation. D’un autre côté, le parallel processing par modulation de la
phase spatiale a permis d’augmenter la quantité d’impacts sur le matériau et d’exploiter
davantage la puissance laser disponible. Bien que les temps de procédé soient effecti-
vement réduits, la qualité se dégrade mais surtout, une forte proportion d’énergie est
perdue au travers des différents éléments optiques traversés. Bien que non exploitables
dans l’immédiat, ces systèmes constituent d’intéressantes perspectives d’amélioration et
le dédoublement du faisceau par un jeu de polarisation suffit actuellement à l’usinage
sans perte de 2 wafers simultanés.

Enfin, cette étude a été lancée dans le cadre d’une industrialisation nécessitant un
approfondissement de la réaction propre entre un laser femtoseconde et la céramique
PZT donnée. Par conséquent, certains paramètres n’ont pu être approfondis, comme la

142
 Conclusion Générale

cadence, la durée d’impulsion ou la longueur d’onde. Dans l’hypothèse d’un effet linéaire,
la cadence devrait diminuer les temps de procédé car accélérant le dépôt d’énergie. Il faut
cependant garder à l’esprit qu’un dépôt trop rapide peut engendrer une accumulation
trop importante jouant sur la qualité. Les deux autres critères impliqueraient l’utilisation
d’autres lasers, remettant en question le choix initial du Ti :Saphir. Néanmoins, des essais
succincts sur la durée d’impulsion jusqu’à 500 fs n’ont pas révélé de variation de temps
de procédé, ce qui laisse entendre la possibilité de l’emploi de lasers à durée d’impulsion
plus élevée. Également, une autre longueur d’onde dans le domaine infra-rouge donne des
résultats similaires. Une des perspectives de réduction des coûts serait donc de tester des
lasers de quelques picosecondes avec des longueurs d’onde UV pour limiter les éventuelles
dégradations de la qualité. Nous favoriserions ainsi un usinage davantage photo-chimique
avec scission des molécules que photo-thermique où l’ablation résulte de la montée en
température. Au cours de l’étude, nous avons également pu évoquer d’autres pistes d’ap-
profondissement. Entre autre, la nouvelle définition du taux d’ablation dynamique ne
permet pas un calcul exact du nombre équivalent d’impulsions. Des études récentes ont
révélé l’amélioration de la conicité des flancs grâce à des polarisations radiales ou azimu-
tales qui requièrent des optiques spécifiques. Les essais sur scanner révèlent également
une meilleure efficacité que les platines de translation, autorisant le choix de vitesses tou-
jours plus élevées, avec la nécessité d’une synchronisation entre la position d’un impact
et la position de l’échantillon. La spectroscopie Raman est capable de fournir davantages
d’informations sur l’évolution des propriétés cristallographiques du matériau tout comme
l’analyse par onde de choc sur la contrainte instantanée. Enfin, les technologies de mise
en forme de faisceau méritent un approfondissement de par les perspectives intéressantes
qu’elles proposent en matière d’accélération de procédé.

En résumé, ces travaux définissent une première optimisation non exhaustive et non
unique de l’interaction entre un laser femtoseconde et la céramique piézoélectrique PZT
pour sa découpe. Les caractéristiques essentielles, aussi bien de propagation que d’inter-
action y sont recensées, permettant de comprendre les principaux éléments physiques mis
en jeu. Nous aboutissons alors à la définition de plages de paramètres adaptées, en cohé-
rence avec des caractérisations qualitatives et quantitatives spécifiquement développées à
cet effet et dans l’objectif final d’une industrialisation plus fiable et mieux justifiée. Cette
contribution démontre de nouveau de l’intégration progressive des technologies ultra-
brèves dans le milieu industriel, technologies jusqu’alors dédiées au monde scientifique
mais qui justifient progressivement d’une maturité et d’une maîtrise suffisantes pour une
exploitation à plus grande échelle.

143
Annexes

144
 ANNEXE A

Principes généraux d’émission laser

Amplification par émission stimulée

Il a été admis au cours du dernier siècle par Planck afin de comprendre la radiation
des corps noirs que la matière fonctionne en paquets d’énergie, soit que ses échanges éner-
gétiques sont quantifiés. Une illustration traditionnelle consiste à représenter la matière
en niveaux d’énergies dont le niveau 0 sera le niveau fondamental de plus faible énergie.
Les niveaux supérieurs sont des états excités et instables qui peuvent être atteints par
apports de quanta d’énergies et qui cherchent perpétuellement à se relaxer vers le niveau
fondamental. Boltzmann définit dans son étude sur le rayonnement des corps noirs en
équilibre thermo-dynamique le rapport entre deux niveaux Nu et Nl ("u" pour "upper", à
l’inverse de "l" pour "lower") d’énergies respectives Eu et El en fonction de sa constante
k = 8.6164 × 10−5 eV/K et de la température T selon :
Nu gu
= e−(Eu − El )/kT , (A.1)
Nl gl
où gu et gl sont des poids statistiques constants.
Chaque niveau excité est caractérisé par un temps de décroissance noté τu et sera dif-
férent d’un niveau à l’autre. La relaxation peut être de forme radiative avec émission d’un
photon d’énergie équivalente à la différence entre le niveau excité initial Nu et le niveau
de moindre énergie Nl ou de nature non radiative comme lors de transferts énergétiques
par collisions. On remarquera que la structure en bande d’énergie d’un matériau est es-
sentiellement dépendante de sa composition atomique, moléculaire et cristallographique
et est donc propre à chacun.
L’émission laser est issue de la compétition de trois principes d’échanges radiatifs
prenant place dans un milieu dit actif (Fig. A.1). Selon Einstein, l’émission spontanée,
l’émission stimulée et l’absorption sont régies par les équations suivantes :
dNu
Emission spontanée : = −Aul Nu , (A.2)
dt
dNu
Absorption : = Blu uν Nl , (A.3)
dt
dNu
Emission stimulée : = −Bul uν Nu . (A.4)
dt
146
Figure A.1 – Principes d’échanges radiatifs. (a) Absorption d’un photon d’énergie égale à la
différence des niveaux Nu et Nl (b) Émission spontanée due à la relaxation du niveau excité Nu
(c) Émission stimulée par un photon incident de mêmes propriétés.

Pour l’émission spontanée, Aul représente le taux de transfert de la population Nu

vers la population Nl . Elle est inversement proportionnelle à la partie radiative de τu et
s’exprime donc en s−1 . En réalité, la vitesse de décroissance du niveau Nu ne dépend
pas que de Aul mais de Aui ou i représente l’ensemble des niveaux d’énergie inférieurs
avec lesquels Nu peut se désexciter. Ainsi, le niveau d’énergie correspondant à l’émission
laser de longueur d’onde 632.8 nm du He-Ne peut en réalité se relaxer sur une plage de
longueur d’onde allant de 60 nm à 730.5 nm et sa durée de vie est estimée à τu = 30.1 ns.

L’absorption est proportionnelle à uν qui représente la densité spectrale volumique

d’énergie (J.s/m3 )à la fréquence ν pour la première fois décrite par la loi de Planck :

8πhn3 ν 3
uν = , (A.5)
c3 (ehν/kT − 1)
où h est la constante de Planck, n l’indice de réfraction du milieu et c la célérité de
la lumière. Les deux premiers processus sont les seuls observés à l’époque d’Einstein en
1917. Mais pour que la loi sur le rayonnement des corps noirs de Planck dont est déduite
l’éq. (A.5) corresponde à son modèle, il introduit un 3ème mécanisme, l’émission stimulée,
qui ne sera observée pour la première fois qu’en 1928.

L’émission stimulée présente des propriétés très intéressantes : elle se caractérise par
l’émission d’un photon d’énergie ayant exactement les mêmes propriétés de direction, de
durée et de longueur d’onde qu’un photon incident ayant "stimulé" la relaxation. On parle
alors de photons cohérents entre eux. Pour un système à l’équilibre thermo-dynamique
et adiabatique, nous pouvons décrire les échanges radiatifs entre les niveaux Nu et Nl où
la somme des émissions spontanée et stimulée sera égale à l’absorption, soit :

Nu Aul + Nu Bul uν = Nl Blu uν . (A.6)

En déduisant uν et en remplaçant Nu /Nl par la relation (A.1), nous retombons sur une
équation de la forme (A.5) si et seulement si gl Blu = gu Bul ou, dans le cas simplifié,
Blu = Bul . Nous obtenons finalement le rapport émission stimulée sur émission spontanée
de la forme :
Bul uν 1
= . (A.7)
Aul ehνul /kT − 1

147
Chapitre A Principes généraux d’émission laser

Cette équation montre que l’émission stimulée devient égale voire supérieure à l’émission
spontanée dès lors que hνul /kT est inférieur à ln(2).

Intensité de saturation et cavité résonnante

L’intensité I d’un laser à une fréquence ν (W/m2 s) traversant un milieu actif de
section dA sur une longueur dz pendant un temps dt est directement reliée à la densité
volumique d’énergie uν par la relation :
c
I(ν)dAdt = uν dAdz = uν dA dt , (A.8)
n

c
I(ν) = uν . (A.9)
n
L’émission spontanée est négligée puisque elle émet dans toutes les directions tandis que
l’émission stimulée émettra des photons identiques, dans la même direction que le photon
précurseur et amplifiera donc le faisceau avec une meilleure probabilité. Cela explique
également pourquoi les lasers sont très directionnels, on parle alors de faisceau collimaté.

La variation d’intensité sur une section dA et une distance dz sera dès lors proportion-
nelle à la différence entre le nombre de transitions par émission stimulée et par absorption,
soit :

[I(z + dz) − I(z)]dA = [Nu Bul (ν)uν − Nl Blu (ν)uν ]hν dA dz (A.10)
hν I dA dz
= [Nu Bul − Nl Blu ] . (A.11)
c
En intégrant cette dernière équation, nous trouvons finalement que :
nhν
[Nu Bul − Nl Blu ] z
I = I0 e c (A.12)
= I0 eσul [Nu − (gu /gl )Nl ]z (A.13)
= I0 eσul ∆Nul z (A.14)
= I egz .
0 (A.15)

g et σ sont appelés respectivement gain (m−1 ) et section efficace (m2 ). L’intensité

d’un faisceau lumineux peut donc être amplifiée, c’est à dire excéder l’intensité initiale
I0 avant propagation dans le milieu actif à supposer que ∆Nul soit positif. La population
du niveau excité Nu doit donc être supérieur à la population du niveau inférieur Nl (au
coefficient gu /gl près). On parle alors d’inversion de population, condition nécessaire mais
non suffisante à la génération d’un faisceau laser. En réalité, les échanges radiatifs d’un
laser ne se font pas sur deux niveaux d’énergie mais sur trois voire quatre niveaux. Les
niveaux intermédiaires sont instables et provoquent des transitions non radiatives rapides
et augmentent l’inversion de population (Fig. A.2).

148
Figure A.2 – Laser à trois niveaux d’énergie. Le pompage (vert) alimente un niveau supérieur
Nu+x qui se relaxe rapidement au niveau Nu , plus stable, et amplifie également l’inversion de
population entre Nu et Nl . Le quatrième niveau se situe généralement entre Nu et Nl (on le nom-
mera Nl+y ). L’émission laser sera réalisée entre Nu et Nl+y , ce dernier se relaxant rapidement
au niveau Nl .

L’amplification sera d’autant plus importante que le gain g sera grand, soit que Nu
sera supérieur à Nl . En reformulant l’éq. (A.6) et connaissant (A.9) :
Ru
Nu = , (A.16)
1 Bul I
+
τu c
où l’absorption est remplacée par le terme général Ru pouvant être initié par un pompage,
méthode consistant à utiliser une source d’excitation du matériau actif permettant d’en-
tretenir l’absorption (décharges électriques, lampes flashs, lasers...). Finalement, lorsque
l’intensité est nulle, Nu = Ru τu et il faut que le pompage soit plus rapide que le temps de
décroissance entre les deux niveaux d’énergie. A supposer que cela soit réalisé, l’intensité
I va croitre à mesure que celle-ci se propage dans le matériau actif. L’éq (A.16) indique
dès lors que la population Nu va diminuer. La valeur pour laquelle les deux termes du
dénominateur sont égaux (et Nu = Ru τu /2) défini l’intensité de saturation Isat , obtenue
après une longueur de propagation Lsat . A partir de cette distance, le faisceau ne s’am-
plifiera plus exponentiellement. La longueur de saturation Lsat peut être relativement
grande comme c’est le cas des lasers He-Ne où celle-ci peut atteindre 80 m. La question
est donc de savoir comment maximiser l’amplification jusqu’à atteindre le régime de sa-
turation. La solution la plus courante est d’utiliser des cavités résonnantes constituées de
2 miroirs entourant le milieu amplificateur (Fig. A.3(a)). La longueur du milieu est alors
augmentée artificiellement grâce à des allers retours. Un des miroirs aura une réflectivité
inférieure à 100% afin de permettre la sortie d’une partie du faisceau tout en gardant à
l’esprit que le gain sur un passage doit au minimum égaler les pertes afin d’entretenir
le signal. Ce gain de seuil multiplié par Lsat est estimé en moyenne à 12 ± 5 dans la
plupart des lasers. Au sein d’une cavité de longueur d, le temps tS , déduit de v = d/t, est
définit comme étant le temps nécessaire pour atteindre l’intensité de saturation après m
passages dans un milieu actif de longueur L (mL = Lsat ) :
m
tS = [nactif L + ncavite (d − L)] . (A.17)
c
Un laser n’est jamais monochromatique mais émet sur une plage de longueur d’onde de
largeur variable. Diverses sources d’élargissement spectral entrent en compétition. Nous

149
Chapitre A Principes généraux d’émission laser

Figure A.3 – (a) Principe d’une cavité résonnante (b) Effet sur le spectre d’émission d’un
laser avec l’apparition des modes longitudinaux.

citerons sans les détailler l’élargissement quantique, cristallin, isotopique, collisionnel ou

doppler [10]. A titre d’exemple, un laser Nd :YAG aura une largeur spectrale inférieure
au nanomètre (≈ 0.5 nm) tandis qu’un laser Ti :Saphir émettra sur 200 nm.
La présence de la cavité implique enfin que seulement certaines de ces longueurs d’onde
d’émission, appelés modes longitudinaux, seront entretenues selon la relation déduite du
résonateur de Fabry-Pérot :
nλ = 2dcavite . (A.18)
Un aller-retour dans la cavité sera proportionnel à la longueur d’onde λ du mode consi-
déré (n entier). Le laser ne pourra finalement émettre qu’un nombre limité de modes
longitudinaux compris dans sa plage spectrale et dont le gain sera supérieur aux pertes
de la cavité (Fig. A.3(b)).

150
 ANNEXE B

Interface d’analyses des mesures confocales

L’observation des rainures pour la mesure du taux d’ablation a été réalisée princi-
palement par microscopie confocale. Cet outil n’étant initialement pas adapté pour la
métrologie de surface, il a fallu développer des outils informatiques en vue de leur exploi-
tation.

Affichage 3D
Les données de sortie d’une telle méthode de caractérisation se présentent sous la
forme d’un groupement d’images. Chacune d’entre elles est représentative d’une couche
du matériau à une hauteur donnée (Fig. B.1(a)), leur empilement donnant donc la re-
constitution 3D de la forme analysée. Pour parvenir à cet affichage, le logiciel libre de
traitement d’images ImageJ a été employé ainsi que certains plugins développés par la
communauté d’utilisateurs :
– Leica Tiff Sequence est destiné exclusivement à l’ouverture des piles d’images issues
de l’imagerie confocale de marque Leica.
– Compute Topography succinctement convertit chaque image de la pile en un niveau
de gris différent et condense le tout dans une même image (Fig. B.1(c)). Nous ne
rentrerons pas dans les détails de ce plugin qui propose de multiples options non
utilisées.
Enfin pour finaliser le visuel, nous venons texturer l’image topographique avec les inten-
sités maximales de la pile (Fig. B.1(b)). Le résultat final est donné Fig. B.1(d).

152
Figure B.1 – Traitements pour affichage confocal 3D. (a) Montage représentant la pile d’images
confocales d’une rainure sur PZT. De gauche à droite et de haut en bas, le plan focal pénètre
dans la rainure. Paramètres : 2.2 J/cm2 , 4.6 mm/s. (b) Image résultante des intensités max de
la pile initiale. (c) Image topographique en niveaux de gris. (d) Affichage 3D de (c) sur laquelle
est superposée (b)

153
Chapitre B Interface d’analyses des mesures confocales

Traitement des volumes

L’utilisation du plugin Leica Tiff Sequence permet de sauvegarder les propriétés di-
mensionnelles de l’analyse sous forme de voxels (pixels 3D). Le plugin Compute Topogra-
phy exploite cette propriété et identifie directement sur l’image topographique la hauteur
associée à chaque pixel. Une étape reste néanmoins subjective et concerne la définition de
la surface du matériau, simple lorsque celui-ci est poli, mais plus complexe pour un maté-
riau rugueux comme le PZT. Le choix de cette surface se fait par un seuillage à proximité
du niveau de gris le plus présent sur l’image topographique mais toujours modifiable par
l’opérateur. Après y avoir isolé le motif par une analyse de particule, le niveau noir de
valeur 0 est identifié comme la surface, et le niveau blanc de valeur 1 comme la zone
à mesurer. La multiplication entre cette image binaire et l’image topographique donne
finalement une surface de valeur nulle et un motif dont les pixels sont égaux à leur pro-
fondeur respective. La mesure de volume résulte de la multiplication de la surface latérale
des voxels par ces hauteurs.

Traitement des profondeurs

Dans cette section, nous reprenons la pile initiale que nous transformons sous imageJ
en une nouvelle pile transverse au motif. Cette coupe se fait soit dans la largeur d’un
usinage dynamique comme une rainure ou radialement sur des impacts en récupérant les
profils sur 360°. En combinant toutes ces images transverses soit par moyennage, soit par
détection des valeurs médianes ou maximales, un profil général de l’usinage est obtenu
(Fig. B.2(b)). La résolution axiale due à la distance de Rayleigh implique que le profil est
très bruité. Or en ne considérant que les valeurs de plus forte intensité, c’est à dire au
niveau du plan focal, il est possible de palier à cette faible résolution. Suit alors l’analyse
en profondeur
☛✟ interfacée sous matlab (Fig. B.2a) :
– ✡1✠ Données d’entrée : taille des voxels en microns et ouverture du profil moyen
enregistré sous imageJ.
☛✟
– ✡2✠Estimation graphique des valeurs limites basses et hautes du diamètre d’ablation
et calcul de la moyenne ainsi que l’écart type.
☛✟
– ✡3✠ Définition des positions limites du fond et de la surface de part et d’autre de
l’usinage. Calcul de la profondeur moyenne ainsi que l’écart type.
☛✟
– ✡4✠ Affichage graphique de l’estimation de la profondeur par une seconde méthode.
A partir de la pile d’image confocale, on définit des surfaces d’intérêts (ou ROI)
représentatives de la surface et du fond de l’usinage après quoi nous traçons l’inten-
sité moyenne de ces ROIs en fonction de l’image de la pile. Les profondeurs pour
lesquelles les intensités sont maximales constituent les surfaces et leur écart donnera
la profondeur de l’usinage.

154
Figure B.2 – (a) Interface graphique d’estimation des profondeurs des usinages. (b) Profil
moyen permettant de positionner les points de calcul.

155
 ANNEXE C

Interface de simulation des seuils et diamètres d’ablation

Cette interface a été développée sous environnement Matlab et permet d’observer les
écarts à la théorie dans l’estimation du seuil d’ablation par la méthode de Liu en intégrant
les propriétés réelles de propagation du faisceau, le positionnement de l’échantillon et les
caractéristiques de l’interaction. Les parties la composant sont :
☛✟
– ✡1✠Paramétrage de l’interaction. Nous distinguons les paramètres laser dans le pre-
mier encadré des paramètres matériaux : Puissance laser, plan d’usinage, nombre
d’impulsion et seuils de fluence pour le marquage et ablation. Le facteur d’incuba-
tion est traité dans la partie dédiée à cet effet.
☛✟
– ✡2✠ Lancement de la simulation, affichage du graphique de gauche et des données
numériques résultantes, enregistrement ou annulation des dernières données trai-
tées.
☛✟
– ✡3✠ Données sauvegardées : Après chaque calcul à puissance différente, les résul-
tats des diamètres peuvent être sauvegardés pour être analysés par la méthode de
Liu [122].
☛✟
– ✡4✠ Tracé de l’évolution des fluences seuils d’ablation et de marquage en fonction de
la distance au plan focal. Les contours résultent de l’intersection entre ces fluences
et les simulations Zemax à l’image de la Fig. 1.10.
☛✟
– ✡5✠Tracé
☛✟de la méthode de Liu (D2 = f (ln(Fcrête ))) d’après les éléments sauvegar-
3✠
dés en ✡ .

Ici, les paramètres de fluence seuil et d’incubation sont arbitraires, bien que proches de
la réalité. La simulation Zemax considérée est celle absente de diaphragme, donc proche
d’une propagation gaussienne avec un M2 de 1.46 (valeur mesurée au début des travaux).
La focale est identique à la Fig. 1.10 et vaut 50.8 mm.

156
157
 ANNEXE D

Interface de calcul des taux d’ablation

Cette interface a été développée sous environnement Matlab et permet de calculer les
taux d’ablation au travers des diverses méthodes évoquées dans le manuscrit. Les parties
la composant sont :
☛✟
– ✡1✠ Menus : Data ouvre une boite de dialogue permettant à l’utilisateur de recenser
les conditions de l’expérience et les paramètres d’expérience. Help ouvre également
une boite de dialogue dans laquelle une notice d’utilisation est décrite.
☛✟
– ✡2✠Initialisation des fluences : Pour un faisceau Tophat, la fluence moyenne est
égale à la fluence crête tandis qu’elle vaut sa moitié pour un faisceau Gaussien. Elle
définit également l’échelle des abscisses du graphique.
☛✟
– ✡3✠ Données d’entrée : Puissances et profondeurs des usinages. [Link] permet de
charger ces valeurs à partir d’un fichier. Fit adapte éventuellement les données d’en-
trée afin de les rendre monotone et anticiper les oscillations des taux d’ablation.
☛✟
– ✡4✠Procédé employé et paramètres d’usinage utiles dans le calcul des taux d’abla-
tion.
☛✟
5✠
– ✡ Choix de la méthode de calcul des taux en régime dynamique.
☛✟
– ✡
6✠Go : Lancement de la simulation, Save : Sauvegarde des résultats, Add Yes/No :
Accumulation ou non des graphiques issus de données d’entrée différentes.
☛✟
– ✡
7✠Tracé des résultats d’ablation obtenus et choix du format d’affichage.
☛✟
– ✡8✠ Résultats d’ablation sous forme numérique en vues de traitements complémen-
taires.

158
159
 Bibliographie

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