République algérienne démocratique et populaire
Ministère de l’enseignement supérieur et de la
recherche scientifique
universitaire Ahmed ZABANA-RELIZANE
Institut des science et technologie
Département de physique
le sujet:
Les materiaux les Alliages Heusler
présenté par:
BENDAHMEN ABDELAZIZ
Sous la direction de:
Mr.CHERCHAB
Année universitaire : 2023-2024
plan de travail
Introduction générale
Alliages Heusler
Type d’alliages Heusler
1 Alliages Full-Heusler
2 Alliages Half-Heusler
3 Heusler quaternaires
Procédés de synthèse des composés Heusler
Applications des Heusler
conclusion générale
Introduction générale
La recherche actuelle en science des matériaux est principalement axée sur
la conception et la synthèse de matériaux multifonctionnels comme les
composés de spinelle pour les cellules électrochimiques de stockage
d'énergie [1], les pérovskites pour les cellules solaires [2] et les
ferroélectriques [3], les graphènes pour la spintronique [4], skutterudites et
clathrates pour le thermoélectrique [5, 6]. Récemment, la recherche sur les
alliages Heusler a suscité un vif intérêt en raison de leur température de
Curie élevée [7] et de leur similitude structurelle avec les semiconducteurs
conventionnels à structure zinc-blende [8]. D'autre part, il a été constaté
que les alliages Heusler comme Co2MnSb [9], Mn2ZrGe [10] présentent
différentes propriétés optiques émergentes avec un coefficient d'absorption
très élevé (α =104 - 105 cm-1 ), une polarisation de spin et un moment
magnétique élevée. Ainsi ces alliages peuvent constituer des couches
d'absorbeurs potentiels dans des dispositifs à hétéro-jonction avec d'autres
semi-conducteurs [11, 12]. Malgré leurs propriétés optiques et magnétiques
intéressantes et leur excellente stabilité thermique [13], seuls quelques
matériaux full-Heusler (FH) ont un comportement semi-conducteur et
attirent donc une attention limitée en tant que matériaux de propriétés
optiques et thermoélectriques [14]. Développer, la recherche de nouveaux
full Heusler hautement efficaces et rentables représente toujours un défi
ouvert. La connaissance de leurs propriétés thermodynamiques est un
moyen important pour la conception de ce type de matériaux et pour
d'autres investigations techniques. D’autre part, l’étude des effets de la
température et de la pression sur ces propriétés peuvent fournir des
informations importantes pour comprendre les transitions de phase et le
diagramme de phase de ces composés. Par conséquent, ce travail se
concentre sur l'étude de deux nouveaux alliages Heusler Sr2PtO et Sr2PtS
appartenant à une nouvelle classe de semi-conducteurs à savoir Rattling
Heuslers (RH). A notre connaissance, et jusqu’à l’instant de la rédaction de
ce manuscrit, il n'existe dans la littérature, aucune étude expérimentale ou
théorique faisant l’état de l’exploration de leurs différentes propriétés..
Alliages Heusler
Depuis la découverte de la demi-métallicité ferromagnétique des alliages
Heusler, ces derniers sont devenus un domaine d’intérêt de la recherche
pour les applications de l’électronique de spin [15]. Le terme alliages
Heusler est attribué à un groupe de composés qui contient à peu près
3000 composés identifiés. Ces composés remarquables ont été
découverts la première fois par Fritz Heusler en 1903 tandis qu’il
travaillait sur le ferromagnétisme de l’alliage Cu2MnAl [16]. Grâce à un
large éventail de propriétés, ces composés peuvent avoir le
comportement de demi-métaux, de semi-conducteurs, de
supraconducteurs et bien d’autres. Les principales combinaisons des
alliages Heusler sont présentées dans la Figure I.1.
Figure I.1 : Eléments chimiques X, Y et Z constituant les composés Heusler
Type d’alliages Heusler
Les alliages Heusler ont pour formule générale 𝑋𝑋2𝑌𝑌𝑌𝑌 où 𝑋𝑋 et 𝑌𝑌 sont
souvent des métaux de transition et 𝑍𝑍 est un élément du groupe III, IV ou V
dans le tableau périodique. Dans des rares cas, l'élément 𝑌𝑌 peut être un
élément des terres rares, ou un métal
alcalino-terreux. Généralement, l'atome doublé 𝑋𝑋 se situe au début de la
formule, et l'atome 𝑍𝑍 du groupe III, IV ou V à la fin, comme par exemple le
Co2MnSi [17, 18]. On peut trouver des exceptions où l'ordre de classement
suit l'échelle de l'électronégativité, soit par exemple l'élément LiCu2Sb [19].
1 Alliages Full-Heusler
Les alliages de cette famille sont décrits par la formule X2YZ, où X et Y sont
des métaux de transition et Z est un élément principal du groupe s-p (figure
I.2)
Figure I.2 : Eléments chimiques X, Y et Z constituant les composés Full-Heusler
Selon les sites atomiques occupés par les atomes X, Y et Z dans la maille
élémentaire, l’alliage peut adopter différentes structures avec un désordre
atomique (Figure I. 3).
Figure I.3 : Structure cristalline de Half Heusler XYZ (a) et d’alliage Full Heusler X2YZ (b)
2 Alliages Half-Heusler
Les alliages de cette famille ont une composition chimique de la forme XYZ ;
en 1983, Groot et ses collaborateurs [20] ont découvert un alliage demi-
Heusler de type NiMnSb [21]. Ces alliages peuvent être compris comme des
composés constitués de deux parties, une partie covalente et une autre
partie ionique. Les atomes X et Y ont un caractère cationique distinct, tandis
que Z peut être considéré comme l'équivalent anionique. Le choix de
position atomique pour les éléments X, Y et Z ne peut pas être directement
dérivé de cette nomenclature parce que souvent de mauvaises positions
utilisées dans les modèles mènent à de mauvais résultats.
Structure crystalline
1 Half-Heusler
La première famille est celle des alliages demi-Heusler qui ont pour formule
générale XYZ et se cristallisent selon une structure cubique non centro-
symétrique (groupe spatial N°. 216, F43m C1B), qui est un système ternaire
de structure CaF2 et peut être déduit de la structure tétraédrique de type
ZnS en remplissant les sites du réseau octaédriques (Figure I.3). Ce type de
structure semi-Heusler peut être caractérisé par l’interpénétration de trois
sousréseaux cubiques à faces centrées (cfc), dont chacun est occupée par les
atomes X, Y et Z [22]. Les positions occupées sont 4a (0, 0, 0), 4b (1/2, 1/2,
1/2), et 4c (1/4, 1/4, 1/4). En principe, trois arrangements atomiques non
équivalents sont possibles dans ce type de structure tels qu’ils sont exposés
dans le Tableau I.1.
Tableau I.1: Différents type d’occupations dans la structure de type C1b
La structure demi-Heusler peut être considérée comme un sous-réseau ZnS
(positions de Wyckoff (4a et 4c) ou les sites octaédriques (4b) sont occupés,
(Figure I.4).
Figure I.4 : Structure cristalline de demi-Heusler (Half-Heusler)
2 Full-Heusler
L’'alliage Full-Heusler X2YZ peut se cristalliser soit en structure à face
centrée de type Cu2MnAl (groupe d'espace Fm 3m N°225) noté souvent
(L21) [23, 24] avec X en position 4a (0, 0, 0) et 4b (1/2, 1/2, 1/2), Y en 4c
(1/4,1/4, 1/4) et Z en position 4d (3/4,3/4, 3/4) soit en structure de type
Hg2CuTi (groupe d'espace F 43m) avec X en position 4a et 4c, Y et Z en
positions respectives 4b et 4d. La structure Cu2MnAl est également connue
sous le nom de structure L21 ou alliages Heusler réguliers, tandis que la
structure Hg2CuTi est connue sous le nom de structure XA ou alliages
Heusler inverses. En raison du caractère ionique de leur interaction, ces
éléments ont les coordonnées octaédriques. D'autre part, tous les sites
tétraédriques sont occupés par l’atome X. Cette structure peut aussi être
considérée comme une structure zinc blende. La Figure I.5 montre
l’arrangement parfait des atomes dans cette structure :
Figure I.5: Schéma représentatif des mailles cubiques du Full-Heusler
3 Heusler quaternaires
Lorsque l'un des deux atomes 𝑋𝑋 dans les composés 𝑋𝑋2𝑌𝑌𝑌𝑌 (composés
full Heusler) est remplacé par un métal de transition différent 𝑋𝑋′, un
composé quaternaire avec la composition 𝑋𝑋𝑋𝑋′𝑌𝑌𝑌𝑌 peut être désigné
comme Heusler quaternaire, où 𝑋𝑋′et 𝑌𝑌 représentent des métaux de
transition et 𝑍𝑍 représente les éléments du groupe principal. 𝑋𝑋𝑋𝑋′𝑌𝑌𝑌𝑌
qui se cristallise dans l’une des trois configurations suivantes
(Figure I.6) : Figure I.6 : Illustration schématique des trois structures non équivalentes
possibles des composés Heusler quaternaires (a) type 1, (b) type 2 et (c) type 3
Procédés de synthèse des composés Heusler
Les méthodes de synthèse des composés Heusler sont diverses et variées. La
méthode la plus utilisée reste le SPS [25] « Spark Plasma Sintering » ou
littéralement « frittage plasma par étincelage ». Cette méthode consiste à
faire passer un courant continu pulsé très intense à travers une poudre
contenant les éléments en question afin d'utiliser la dissipation thermique
due à l'effet Joule pour chauffer très rapidement la poudre. Dans la pratique,
les poudres ou éventuellement les nanopoudres sont enfermées dans un
récipient de forme cylindrique, généralement en graphite. Deux pistons
permettent d'appliquer simultanément une forte pression (Figure I.7).
Figure I.7 : Principe de fonctionnement d’un Spark Plasma Sintering
Cette méthode permet de fritter très rapidement les matériaux sans pour
autant faire grossir significativement la taille de grain. On peut ainsi
conserver une microstructure ou une nanostructure souhaitée après le
frittage. Le terme plasma dans la dénomination de la méthode provient du
fait que l'on suppose qu'il se forme un plasma à la surface des grains
pendant le frittage [26].
Applications des Heusler
Depuis leurs découvertes en 1903, les composés Heusler ont suscité un
intérêt considérable en raison de leurs propriétés multiples dans divers
domaines de technologie, les matériaux Heusler ferromagnétiques peuvent
être utilisés dans des différents domaines tels que :
L'effet magnétorésistif géant (GMR) utilisé dans les têtes du lecteur des
disques durs, constitue la première application de la magnéto-électronique
et spintronique [27].
Magnétorésistance Tunnel [28].
Systèmes logiques à base d’ondes de spin et de filtres à spin [29].
conclusion générale:
En conclusion générale, les alliages Heusler représentent une classe de
matériaux intermétalliques présentant des propriétés magnétiques et de
transport électronique uniques. Leur exploration a suscité un vif intérêt en
raison de leur potentiel pour des applications dans des domaines tels que la
spintronique, la conversion d'énergie, et la détection. Voici quelques points
clés à retenir :
Diversité de Propriétés : Les alliages Heusler exhibent une diversité de
propriétés magnétiques, allant du ferromagnétisme à
l'antiferromagnétisme, et des propriétés de transport électronique
remarquables. Cette variété permet d'ajuster les matériaux en fonction des
besoins spécifiques d'une application donnée.
Applications dans la Spintronique : Les propriétés magnétiques
exceptionnelles des alliages Heusler en font des candidats prometteurs pour
des applications dans le domaine de la spintronique, où la manipulation du
spin des électrons est cruciale pour le développement de dispositifs plus
efficaces.
Conductivité Électronique : Certains alliages Heusler présentent une
conductivité électronique élevée, offrant des opportunités pour des
applications dans le domaine de la détection et de la conversion d'énergie.
Défis Technologiques : Malgré leur potentiel, l'utilisation pratique des
alliages Heusler pose des défis, notamment en termes de fabrication, de
stabilité thermique, et de compréhension approfondie de leurs propriétés
physiques.
Nécessité de Recherches Supplémentaires : Pour maximiser le potentiel des
alliages Heusler, des recherches continues sont nécessaires pour surmonter
les obstacles technologiques, comprendre pleinement leurs propriétés, et
développer des méthodes de fabrication plus efficaces.
En définitive, bien que les alliages Heusler offrent des perspectives
prometteuses, leur utilisation à grande échelle dans des applications
technologiques nécessite une compréhension approfondie et des efforts de
recherche continus pour résoudre les défis associés. Ces matériaux suscitent
un intérêt croissant dans la communauté scientifique en raison de leur
potentiel novateur et de leur contribution potentielle à l'évolution des
technologies émergentes.
Références bibliographiques
[1] N. Garg, M. Mishra, G.A.K. Govind, RSC Adv. 5 103 (2015) 84988-84998.
[2] S. Collavini, S.F. Volker, J.L. Delgado, Angew. Chem. Int. Ed. 54 (34) (2015) 9757- 9759.
[3] N.A. Bendek, J.M. Rondivelli, H. Djani, P. Ghosez, P. Lightfoot, Dalton Trans. 44 (2015) 10543-10558.
[4] S. Roche, S. O. Valenzuela, Journal of Physics D: Applied Physics, 47 (9) (2014) 094011-094015.
[5] H.A.R. Aliabad, M. Ghazanfari, I. Ahmad, M. A. Saeed, Comput. Mater. Sci. 65 (2012) 509-519.
[6] N.P. Blake, S. Latturner, J.D. Bryan, G.D. Stucky, H. Metiu, J. Chem. Phys. 115 (2001) 8060-8073.
[7] S. Wurmehl, G.H. Fecher, H.C. Kandpal, V. Ksenofontov, C. Felser, H.J. Lin, J. Morais, Phys. Rev. B 72
(2005) 184434-184442.
[8] D.I. Bilc, G. Hautier, D. Waroquiers, G.M. Rignanese, P. Ghosez, Phys Rev. Lett. 114, (2015) 136601-
136606.
[9] Anjami, A. Boochani, S. M. Elahi, H. Akbari, Results in Physics 7 (2017) 3522-3529.
[10] B.R. Sethi, M. Dashtiani, O.P. Sharma, P.C. Mathur, Phys. Status Solidi a 134 (1992) 151-156.
[11] R.S. Mane, S.P. Kajve, C.D. Lokhande, S.H. Han, Vacuum 80, (6) (2006) 631-635.
[12] K. P. Jayadevan, T.Y. Tseng, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 5 (2005) 1768–1784.
[13] N. Tezuka, N. Ikeda, S. Sugimoto, K. Inomata, Applied Physics Letters, 89 (25) (2006) 252508-
252510.
[14] I. Galanakis, P.H. Dederichs, N. Papanikolaou, Phys. Rev. B 66 (2002) 174429-174437.
[15] A.M. Rappe, K. M. Rabe, E. Kaxiras, J. D. Joannopoulos., Physical Review B, 1990. 41(2): p. 1227.
[16] E. L. Shirley, D. C. Allan, R. M. Martin, J. D. Joannopoulos, Physical Review B, 1989.40(6): p. 3652.
[17] L. Ritchie, G. Xiao, Y. Ji, T. Y. Chen, C. L. Chien, M. Zhang, Jinglan Chen, Zhuhong Liu, Guangheng
Wu, and X. X. Zhang Physical Review B, 2003. 68(10): p. 104430.
[18] Y. Nishino, M. Kato, S. Asano, K. Soda, M. Hayasaki, and U. Mizutani, Physical review letters, 1997.
79(10): p. 1909. [19] M. Morcrette, D. Larcher, J. M. Tarascon, K. Edström, T. Vaughey, M. M. Thackeray,
Electrochimica acta, 2007. 52(17): p. 5339-5345.
[20] R.A. de Groot, F. M. Mueller, P. G. van Engen and K.H.J. Buschow. Phys. Rev. Lett, 50, pp. 2024–
2027(1983).
[21] K. Watanabe, Trans. Jpn. Inst. Met, 17, pp. 220–226 (1976).
[22] W. Wunderlich, X. Motoyama. Mater. Re. Soc. Symp. Proc, 1129, 1128-U01-10 (2009).
[23] H. U. Schuster, H. W. Hinterkeuser, W. Schäfer, G. Will, Z Naturforsch B 31, 1540, (1976).
[24] H. Hohl, A. P. Ramirez, C. Goldmann, G. Ernst, B. Wolfing, E. Bucher, J Phys Condens Matter
11,1697, (1999).
[25] O. Guillon, J. G. Julian, B. Dargatz, T. Kessel, G. Schierning, J. R. Athel, and M. Herrmann, Advanced
Engineering Materials, 16 (7) ,830- 849(2014).
[26] L. Andrea, Modélisation du transport thermique dans des matériaux thermoélectriques, Thèse de
Doctorat en physique Paris VI. (2016).
[27] M. Julliere, Phys. Lett, A54, pp. 225–226 (1975).
[28] R. Pandey, J. E. Jaffe and A.B Kunz, Phys. Rev, B43, pp. 9228–9237 (1991).
[29] B. Hülsen, M. Scheffler, P. Kratzer, Phys. Rev, B79, pp. 094407(1-9) (2009).
