Les transistors

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Le transistor bipolaire

Comment ça marche ?

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Le transistor est constitué par la succession de trois couches de semi-conducteur de type N-

P-N (ou PN- P). Des connexions métalliques sont respectivement fixées sur la partie centrale
appelée Base et sur les deux extrémités appelées Collecteur et Emetteur. La couche centrale
est très mince par rapport aux autres. Sa largeur doit être très inférieure à la longueur de
diffusion des porteurs injectés dans cette zone. En fonctionnement normal la jonction base
émetteur est polarisée dans le sens passant (VBE # 0,7V) et la jonction base collecteur dans
le sens bloquant (VC>VB). Pour un dopage d’émetteur très supérieur à celui de la base, le
courant Emetteur- Base est essentiellement constitué par les porteurs négatifs passant de E
vers B. La largeur de la base étant inférieure à la longueur de diffusion de ces électrons dans
le matériau de base, la plus grande partie d’entre eux parvient dans la région de charge
d’espace de la jonction BC , polarisée en inverse, où ils sont capturés et atteignent le
collecteur.

C’est l’effet transistor qui se traduit par la relation simple IC=α IE

α < 1 est le gain en courant en base commune.

==> En introduisant IE=IC+IB on obtient la formule fondamentale du transistor :

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β est le gain en courant du transistor.

Régime de fonctionnement

En fonction du courant IB injecté sur sa base, le régime de fonctionnement du transistor sera

différent. Pour étudier le régime de fonctionnement d’un transistor, il faut dissocier chaque
jonction. Cela conduit à l’étude de deux circuits :

le montage sur la jonction BE : le circuit de commande

le montage sur la jonction CE : le circuit commandé

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Le circuit de commande définit si le transistor est passant ou bloqué suivant la polarisation

de la jonction BE (direct ou inverse). De plus, le circuit commandé va limiter la valeur des
courants IC et IE. Ils ne pourront donc pas dépasser une certaine valeur malgré l’effet
transistor. Ainsi, si IB devient trop important, IC ne pourra pas dépasser la valeur maximum
fixée par le montage commandé et la jonction BC deviendra passante : le transistor sera
saturé et il n’existera plus une relation linéaire entre IB et IC. Puisque les deux jonctions BC
et BE sont passantes, la différence de potentiel entre les jonctions C et E sera très faible. On
voit donc apparaître trois régimes de fonctionnement :

1. transistor bloqué : IB=0 ==> IC=0

2. transistor passant : IB > 0 et IC = β IB ==> ≠ CE V 0
3. transistor saturé : IB > 0 et IC = ICsat ==> VCE = VCesat # 0.2V

Caractéristiques
Caractéristique IB =f(VBE )

On retrouve la caractéristique d’une diode puisque la jonction BE est une jonction PN.

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Caractéristique IC =f(IB )

On retrouve :

IC = 0 en fonctionnement bloqué
IC = β IB en fonctionnement linéaire
IC = ICsat en fonctionnement saturé

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Caractéristique I C =f(VCE )

Chaque courbe correspond à une valeur différente de IB. La droite de charge est obtenue en
écrivant la loi des mailles côté jonction CE. C’est la droite d’équation IC=f(VCE). Ainsi, en
connaissant la valeur de IB, on peut trouver le point de fonctionnement à l’intersection de la
courbe correspondante et de la droite de charge. Si IB=IB2 alors le transistor est saturé et le
point de fonctionnement se trouve en P1. Si IB=IB1, le transistor fonctionne en régime
linéaire et le point de fonctionnement se trouve en P2. Enfin, si IB=0, le transistor est bloqué
et le point de fonctionnement se trouve en P3.

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Modèle

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Caractéristiques techniques
VCEsat : Tension entre collecteur et émetteur lorsque le transistor est saturé.
VCEmax : Tension maximale admissible entre collecteur et émetteur
VBE : Tension entre base et émetteur lorsque le transistor est passant.
ICmax : Courant maximum pouvant circuler entre collecteur émetteur.
IBmax : Courant maximum pouvant circuler dans la base ( à ne pas dépasser surtout
lorsqu’on souhaite saturer le transistor ).
β : gain en courant du transistor ( aussi appelé HFE).
ton /toff : Temps de commutation ( passage bloqué-saturé et saturé-bloqué )
PD : Puissance maximale dissipée par le transistor (permet de dimensionner le
dissipateur thermique si besoin est ).

Exemples:
2N2222, c (NPN)
2N4401
BC546

Modèle aux petits signaux

La modélisation précédente repose sur le principe que la tension base émetteur reste
constante. Elle est donc inadapté aux calculs dans le cas où les signaux appliqués au
transistor sont variables et de faible amplitude autour du point de repos (ex: amplificateur).
Pour un fonctionnement en régime variable, il faut donc utiliser le modèle aux petits signaux
qui prend en compte la caractéristique exacte de la jonction. Le transistor est alors
considérée comme un quadripôle linéaire que l’on définie par sa matrice H.

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On obtient donc le modèle aux petits signaux suivant :

Remarque : La résistance entre base et collecteur est très souvent négligé

ainsi que celle entre collecteur et émetteur. De plus, on accepte pour la
source de courant commandé un modèle commandé en tension ou en
courant. Les modèles couramment utilisés sont donc les suivants :

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Modèle de Giacoletto
En haute fréquence, il faut tenir compte des temps de stockage des charges. Pour les
simuler, on introduit les capacités internes CB’E et CB’C. En fait, lorsque la fréquence
augmente, on fait la distinction pour la jonction BE entre le comportement de la jonction à
proprement dite et celui des semi-conducteurs qui conduisent le courant jusqu’à la jonction.
Pour cela, on introduit un point B’ entre base et émetteur qui n’existe pas physiquement. On
voit alors apparaître :

une résistance rBB’ qui est la résistance du semi-conducteur

une résistance rB’E qui correspond à la résistance de la jonction BE (rBE)
une capacité CB’E qui correspond à la capacité de la jonction BE
une capacité CB’C qui correspond à la capacité de la jonction BC

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Remarque : La présence des capacités fait apparaître des fréquences de

coupures qui correspondent aux limites d’utilisation en fréquence du
transistor considéré.

Le Transistor à effet de champ

Les transistors à effet de champ ont un principe de fonctionnement totalement différent des
transistors bipolaires. Il possède trois électrodes qui se nomment la grille (G), le drain (D) et
la source (S). Il existe plusieurs sortes de transistors à effet de champ :

canal N ou P
à grille isolée ou non (JFET ou MOSFET)
à enrichissement ou à appauvrissement

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Principe : JFET

Le transistor JFET est un transistor à effet de champ dont la grille n’est pas isolée. Le JFET
canal N est constitué d’une mince plaquette de silicium dopé N qui va former le canal
conducteur principal. Cette plaquette est recouverte partiellement d’une couche de silicium
dopé P de manière à former une jonction PN latérale par rapport au canal. Pour faire circuler

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le courant dans le canal, deux électrodes sont présentes à ses extrémités : le drain et la
source.

L’électrode connectée à la couche de silicium P s’appelle la grille. Elle est toujours polarisée
négativement par rapport à la source de façon à ce que la jonction soit bloquée. La jonction
étant polarisée en inverse, une zone de charge d’espace isolante (vide de porteurs)
d’épaisseur W se forme dans la couche N. Ainsi pour passer de S à D un courant ne peut
circuler que dans un canal d’épaisseur a-W. La résistance du canal N entre S et D va donc
varier en fonction de W ( W varie proportionnellement à la racine carrée de la tension de
polarisation de la jonction).

Le dipôle SD se comporte donc comme une résistance variable en fonction de la tension

grille-source. Plus la résistance sera faible et plus le courant circulant entre S et D pourra être
important.

Remarque : Pour une valeur VT de VGS, W devient égal à a, le canal a donc

une épaisseur nulle ce qui revient à obtenir une résistance infinie, le courant
ne peut donc plus circuler entre D et S. VT est la tension de pincement du
JFET.

En fait, pour faire circuler un courant entre D et S, il faut appliquer une différence de
potentiel entre ces deux points. Cette tension va modifier le profil de la zone isolante qui sera
plus large du côté du potentiel le plus élevé (D). Ainsi, si on augmente la tension VDS , à VGS
donnée, l’épaisseur isolante w2 va augmenter. Ainsi, lorsque GS V +VDS = VT, le courant
tendra vers une valeur constante. En effet, une augmentation de VDS devrait entraîner un
accroissement du courant dans le canal (loi d’ohm) mais cette augmentation va accroître la
tension VDG, ce qui aura pour effet d’agrandir la zone de déplétion du côté de D et
d’entraîner une augmentation de la résistance entre D et S. On retrouve le phénomène de
pincement.

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Principe: MOSFET canal N à enrichissement

Le transistor MOSFET est un transistor à effet de champ dont la grille est isolée par
l’intermédiaire d’une très fine couche d’oxyde de silicium (MOS = Metal Oxyde
Semiconductor). Il est constitué d’un support (substrat) faiblement dopé P où l’on insère deux
zones N fortement dopées. Ces deux zones seront la source et le drain du MOSFET.

Si VGS=0, aucun courant de drain ne passera, car le circuit source-drain est composé de
deux jonctions en série, l’une PN et l’autre NP : il y en aura toujours une en inverse.
Lorsqu’on applique une tension VGS positive, l’électrode de grille, l’isolant et le substrat P
forment un condensateur. Les électrons sont alors attirés vers la grille. Pour une tension VGS
suffisamment élevée (tension de seuil VT), la concentration en électrons dans le substrat est
supérieure à la concentration en trous au voisinage de la grille ; on a alors une couche N dite
couche d’inversion entre les zones N de la source et du drain. Les deux jonctions
disparaissent, on n’a plus qu’un canal N, et le courant peut passer entre drain et source si on
applique une différence de potentiel entre D et S. Ce mode de fonctionnement est appelé à

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enrichissement, car une VGS positive enrichit le canal en porteurs minoritaires, permettant le
passage du courant.

Principe: MOSFET canal N à appauvrissement

Le MOSFET à appauvrissement a la même structure que le MOS à enrichissement sauf qu’il
existe toujours un canal faiblement dopé N entre la source et le drain. Pour VGS nulle, ce
transistor fonctionne comme un JFET. Un courant pourra donc circuler entre D et S. Si VGS est
inférieure ou égale à 0, le condensateur formé par la grille, l’isolant et le canal attire des
trous dans le canal initial qui neutralisent les électrons de cette zone N. On obtient le
phénomène de pincement. Ce mode de fonctionnement est appelé à appauvrissement. Au
contraire, pour VGS supérieure à 0, on retrouve le fonctionnement du MOS à enrichissement,
et le courant entre D et S va croître.

Remarque : Lorsque VDS augmente, un phénomène de pincement se produit

qui obstrue le canal : le courant de drain devient constant, de la même
manière que pour le JFET.

Régime de fonctionnement
La commande de ces transistors s’effectue donc par la tension de grille. Par opposition au
transistor bipolaire, le transistor à effet de champ se comporte donc comme une source de
courant commandée par une tension. L’avantage est donc que le circuit de commande ne
consommera pas de courant (RE très importante).

De même que pour le transistor bipolaire, on retrouve le circuit de commande (jonction GS)
et le circuit commandé (jonction DS). Les régimes de fonctionnement vont donc dépendre
des caractéristiques de ces deux circuits. Le circuit commandé présente deux zones de
fonctionnement :

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une zone où la jonction DS se comporte comme une résistance variable

une zone de pincement où la valeur de ID ne dépend que de VGS. La jonction entre D et
S se comporte comme une source de courant commandée en tension. Dans ce cas là,
ID = [Link] et gm représente la transconductance du transistor

Ainsi, suivant la valeur de la tension de commande VGS et des caractéristiques du circuit

commandé, le transistor pourra fonctionner dans les régimes suivants :

résistance variable
transistor passant
transistor bloqué
transistor saturé

Caractéristiques: JFET canal N

Lorsque DS T GS V <V-V , la jonction DS se comporte comme une résistance RDS et le

transistor fonctionne dans sa zone ohmique.
Lorsque VDS > VT – VGS , la jonction DS se comporte comme une source de courant
commandée par la tension VGS et le transistor fonctionne dans sa zone de pincement.

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L’équation de la droite de charge est trouvée par la loi des mailles sur le circuit commandé
(jonction DS). C’est la droite d’équation ID = f(VDS). Ainsi, en connaissant la valeur de VGS,
on peut trouver le point de fonctionnement à l’intersection de la courbe correspondante et de
la droite de charge. Pour bloquer le transistor, il faut qu’aucun courant ne circule dans la
jonction DS. Il faut donc que V GS = V T (point B). Pour saturer le transistor, il faut que le
courant ID ne puisse plus augmenter même si VDS l’y incite. En pratique, on fixe V GS =0 et
ainsi ID ne peut dépasser IDSS (point S).

Remarque : Pour les transistors JFET canal P, la polarisation change de signe

(ID et VDS < 0) et la tension de commande VGS est positive.

Caractéristiques: MOSFET canal N à

enrichissement

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La caractéristique de sortie est similaire à celle d’un JFET. On retrouve les zones de
pincement et ohmique qui permettent les même applications qu’un JFET. La tension VT est la
tension de seuil. Dans la zone de pincement :

L’équation de la droite de charge est trouvée par la loi des mailles sur le circuit commandé
(jonction DS). C’est la droite d’équation ID = f(VDS). Ainsi, en connaissant la valeur de VGS,
on peut trouver le point de fonctionnement à l’intersection de la courbe correspondante et de
la droite de charge. Pour bloquer le transistor, il faut qu’aucun courant ne circule dans la
jonction DS. Il faut donc que V GS < V T . Pour saturer le transistor, il faut que le courant ID
ne puisse plus augmenter même si VDS l’y incite. Le régime de saturation est atteint pour:

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Caractéristiques: MOSFET canal N à

appauvrissement

On retrouve les mêmes formes de caractéristiques. A noter que pour VGS = 0, le transistor
conduira un courant de valeur IDSS. Dans la zone de pincement :

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Les conditions de saturation et de blocage sont semblables à celle du MOS à enrichissement.

Remarque : Pour les transistors JFET canal P, la polarisation change de signe

(ID et VDS < 0) et la tension de commande VGS doit être inférieure à VT.

Modèle

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Caractéristiques techniques
VT : Tension de pincement du transistor (parfois notée VGSth).
RDSon : Résistance minimale entre Drain et Source lorsque le transistor est saturé
IDSS : Courant entre Drain et Source lorsque VGS=0.
VDSon : Tension entre Drain et Source lorsque le transistor est saturé.
gm : Transconductance du transistor en siemens (S).
β : gain en courant du transistor ( aussi appelé HFE).
ton /toff : Temps de commutation ( passage bloqué-saturé et saturé-bloqué )
PD : Puissance maximale dissipée par le transistor (permet de dimensionner le
dissipateur thermique si besoin est ).
VGSBR : Tension maximale entre Grille et Source.
CISS : Capacité d’entrée en source commune (CISS = CGD + CGS)

Exemples:
IRF510
BS170
2N4416A

Modèle aux petits signaux

Lorsque le transistor est utilisé en amplificateur, il est polarisé dans sa zone de pincement. Il
faut donc établir, comme dans le cas du transistor bipolaire, un modèle adapté aux calculs
dans le cas où les signaux appliqués au transistor sont variables et de faible amplitude
autour du point de repos. Comme le courant de grille est toujours extrèment faible, la
résistance équivalente entre grille et source est considérée comme infinie. Dans la zone de
pincement, le courant entre D et S dépend uniquement de la valeur de VGS. Et suivant les
valeurs de VDS et VGS, le canal entre D et S présentera une résistivité plus ou moins
importante. On obtient donc le modèle équivalent très simple ci-dessous.

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Remarque : Dans la plupart des cas, on considérera rDS très importante et

on la négligera.

Modèle hautes fréquences

Aux fréquences plus élevées, il faut tenir compte de la capacité répartie entre le canal et la
grille. Pour simplifier on peut modéliser cette capacité répartie en une capacité grille source
et une capacité grille drain. A cause de l’épaisseur W plus grande coté drain, CGS est
toujours supérieur à CGD.

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Ressources PDF:

Electrocinétique

Electrostatique

Bases pour les calculs en électricité

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Étude des réseaux électriques

Rappels d’électronique

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