EXERCICE 1 TD N° 3

1-Expliquez qu'est-ce qu'un Semi-conducteur extrinsèque.

Voir cours
2-Définir le dopage d’un semi-conducteur. Quel est l’objectif de sa réalisation?
Voir cours
3-Expliquer la différence entre un semi-conducteur extrinsèque type N et un semi-conducteur
extrinsèque type P en précisant la nature des porteurs.
Voir cours
4-Donner la définition d'une jonction PN.
Voir cours
5-a- Déterminer la résistance R du barreau.
𝑈=𝑅𝐼 𝑈 5
⇒ 𝑅= ⇒ 𝑅 = 0,001= 5 10 3 Ω
𝐼
5-b- Déterminer la résistivité du matériau.
𝐿 𝑆
𝑅=𝜚 ⇒ 𝜚 = 𝑅 = 2,5 10−2 Ω 𝑚
𝑆 𝐿
5-c- En déduire la conductivité σ du matériau. 𝜎 = 1 = 40 S/m
𝜚

5-d- Déterminer la densité des porteurs majoritaires. Semi – cond. est de type N donc
𝜎 = 𝑒 𝜇𝑛 𝑁𝐷 𝑒𝑡 𝑛 = 𝑁𝐷 𝜎
⇒ 𝑁𝐷 = = 1,666 1020 𝑚−3
5-e- Déduire la densité des porteurs minoritaires. 𝑒𝜇𝑛
𝑛𝑖 2 32
1,2110
𝑛𝑝 = 𝑛𝑖 2 ⇒ 𝑝 = = 20
= 7,261011 𝑚−3
𝑛 1,666 10 1
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 EXERCICE 2
On considère le circuit à diodes alimenté par une tension Ve variant de -10 V et 10 V.
On donne E = 5V et que les diodes sont idéales.

1- On suppose D1 passante et D2 bloquée

1-1- Donner le schéma équivalent du circuit

1-2- Donner l’expression du courant

𝑉𝑒 − 𝐸
Loi de Pouillet 𝐼=
2𝑅
1-3 Exprimer VS en fonction de Ve
𝑉𝑆 + 𝑅𝐼 = 𝑉𝑒 ⟹ 𝑉𝑆 = 𝑉𝑒 − 𝑅𝐼
𝑉𝑒 − 𝐸 𝑉𝑒 + 𝐸 𝑉𝑒 𝐸
⟹ 𝑉𝑆 = 𝑉𝑒 − ⟹ 𝑉𝑆 =
2 2
𝑅

1-4 - Quelle est la condition sur Ve Pour que la diode D1 soit passante
Pour que la diode D1 soit passante il faut que 𝐼𝑑1 > 0

𝐼=
𝑉𝑒 − 𝐸
2𝑅
>0 ⟹ 𝑉𝑒 − 𝐸 > 0 ⟹ 𝑽𝒆 > 𝑬
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 2- On suppose D1 bloquée et D2 passante
2-1- Donner le schéma équivalent du circuit
𝑰𝒅𝟐
2-2- Donner l’expression du courant I Ve E
𝑽𝒆 2R
R
𝑰=
𝟒𝑹
2-3- Exprimer VS en fonction de Ve

𝑽𝒆
𝑽𝑺 = 𝟐𝑹𝑰 =
𝟐
2-4- Quelle est la condition sur Ve pour que D2 soit passante

Pour que la diode D2 soit passante il faut que 𝐼𝑑2 > 0

−𝑽𝑺 𝑽𝒆
𝑰𝒅𝟐 = =− >0 ⟹ 𝑽𝒆 < 0
𝟐𝑹 𝟒𝑹

3-En analysant les conditions sur Ve précédentes

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 3-1- Est-ce que D1 et D2 peuvent conduire en même temps ?
-Si non, justifier.
Non car si D1 est passante il faut que Ve soit positif avec Ve > E
Donc impossible d’avoir D2 passante car si D2 est passante il faut que Ve < 0
3-2- Est-ce que D1 et D2 peuvent se bloquer en même temps ?

Oui les deux diodes peuvent se bloquer en même temps

Car: D1 est bloquée lorsque Ve ≤ E D2 est bloquée lorsque Ve ≥ 0

Donc les diodes doivent être bloquées lorsque 0 ≤ Ve ≤ E

Si D1 et D2 sont bloquées alors VS = Ve

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Tracer à l’échelle (représenter 2 V par 1 cm) la courbe VS = f(Ve) en précisant les valeurs
minimales et maximales de VS.
Vs (V)
𝑉𝑒 +𝐸 𝑽𝒆 > 𝟓
2
VS = 𝑽𝒆
𝑽𝒆 < 0
𝟐
Ve 0 ≤ Ve ≤ 5 Vsmax=7,5 V

-10 ≤ Ve ≤ 10
5
4

2
-10 Ve(V)
2 5 10

5
Vsmin = -5V FILIÈRE SMP - S4 - EL KISSANI
 Exercice 3 : Diode Zener R1

Soit le circuit électronique de la figure suivante

Ve 𝑽𝒅 = 𝑽𝒁
La diode Zener semi-idéal est caractérisée par Ru

Vz = 24 V, PZmax= 1.3 W et VS= 0.7 V

Ve = 40 V ± 𝟏𝟐. 𝟓 %
1- Dessinez la caractéristique statique de cette diode
Id(A)

Vd

Vz =24 V Vd(V)
VS
VS
Vz

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 Remarque (Rapp): La diode Zener réelle

Id(A) Caractéristique réelle

IZ
A K
VZ
A RZ IZ K

∆𝑉 Vz =24 V Vd(V)
VZ
VS
∆𝑉
𝑅𝑍 = ∆𝐼
VS
∆𝐼 A Id rd A

Vd

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 2- Calculer IZ maximum

𝑶𝒏 𝒂 𝑷𝒁𝒎𝒂𝒙 = 𝑽𝒁 𝑰𝒁𝒎𝒂𝒙 ⟹ 𝑰𝒁𝒎𝒂𝒙 = 𝑷𝒁𝒎𝒂𝒙 /𝑽𝒁 ⟹ 𝑰𝒁𝒎𝒂𝒙 = 𝟏, 𝟑/𝟐𝟒

⟹ 𝑰𝒁𝒎𝒂𝒙 = 𝟓𝟒 𝒎𝑨

3- Quel est le générateur de Thévenin (ETh , RTh) équivalent entre A et B.

𝑹 A 𝑹𝑻𝒉 A
𝑰𝒁
𝑹𝒖
𝑽𝒆
𝑽𝒁 ⇔ 𝑬𝑻𝒉

B B

Détermination de ETh Détermination de RTh

𝑅𝑢 𝑅𝑅𝑢
𝐸𝑇ℎ = 𝑉 𝑅𝑇ℎ = 𝑅/ 𝑅𝑢 =
𝑅𝑢 + 𝑅 𝑒 𝑅+𝑅𝑢
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 4- Déterminer le point de fonctionnement

Si la diode est passante le schéma équivalent est

RZ sera négligée
𝑹𝑻𝒉 A 𝑹𝑻𝒉 A
𝑰𝒁 𝑰𝒁
𝑉𝑧 ⟹ 𝑉𝑧
𝑬𝑻𝒉 𝑬𝑻𝒉

B B
𝑅𝑢 𝑅𝑇ℎ = 𝑅 1+𝑅𝑢
𝑅 𝑅
𝐸𝑇ℎ = 𝑉
𝑅𝑢 + 𝑅1 𝑒 1 𝑢

𝑅𝑢
𝐼𝑍 =
𝐸𝑇ℎ − 𝑉𝑧
⟹ 𝑅𝑢 + 𝑅1 𝑉𝑒 − 𝑉𝑧 𝑉𝑒 𝑅1 + 𝑅𝑢
𝑅𝑇ℎ 𝐼𝑍 = = − 𝑉𝑧
𝑅1 𝑅𝑢 𝑅1 𝑅1
𝑅1 + 𝑅𝑢
𝑒𝑡 𝑉𝑧 = 24 𝑉
𝑉𝑒 𝑅1 +𝑅𝑢 𝑅1 +𝑅𝑢
Donc si − 𝑉 > 0 c à d 𝑉𝑒 > 𝑉𝑧 la diode est passante si non
𝑅1 𝑅1 𝑅𝑢 𝑧 𝑅𝑢
la diode est bloquée
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 Remarque

Etat de la diode: on suppose que la diode est passante donc Iz > 0

𝐸𝑇ℎ − 𝑉𝑑
𝐼𝑍 = >0 ⟹ 𝐸𝑇ℎ > 𝑉𝑧
𝑅𝑇ℎ Id (A)
𝑅1 + 𝑅𝑢
C-à-d 𝑉𝑒 > 𝑉𝑧 ETh/RTh
𝑅𝑢
La diode est passante et le point de fonctionnement est :

IZ PF
𝑉𝑍 = 24 𝑉

𝑉𝑒 𝑅1 +𝑅𝑢
Vd(V)
𝐼𝑍 = 𝑅1
− 𝑉
𝑅1 𝑅𝑢 𝑧
VZ = 24 ETh

𝑅1 + 𝑅𝑢
Si 𝑉𝑒 ≤ 𝑉𝑧 La diode est bloquée et le point de fonctionnement est :
𝑅𝑢
𝑅𝑢
𝐼𝑍 = 0 𝑒𝑡 𝑉𝑑 = 𝑉
𝑅𝑢 +𝑅1 𝑒
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5- Calculer R1 et RU sachant que :

On a 𝑠𝑖 IZ = IZmax/2=0,027 A 𝑜𝑛 𝑎𝑢𝑟𝑎 𝑉𝑒 = 40 𝑉
𝑆𝑖 𝐸𝑇ℎ = 1,2 𝑉𝑍 = 28,8 𝑉 𝑜𝑛 𝑎𝑢𝑟𝑎 𝑉𝑒 = 35 𝑉
Or 𝑉 𝑅1 +𝑅𝑢 𝑅𝑢
𝐼𝑍 = 𝑅𝑒 − 𝑉 Et 𝐸𝑇ℎ = 𝑉
1 𝑅1 𝑅𝑢 𝑧 𝑅𝑢 + 𝑅1 𝑒
40 𝑅1 +𝑅𝑢
⟹ 0,027= 𝑅 − 24 𝑅1 𝑅𝑢
(1)
1

𝑅𝑢
28,8 = × 35 (2)
𝑅𝑢 + 𝑅1

D’après (1) et (2)

1 24
1 𝑅1 + 𝑅𝑢 0,027= 40 −
0,027= (40 − 24 ) 𝑅1 0,82
𝑅1 𝑅𝑢 ⟹
𝑅𝑢
𝑅𝑢 0,82 =
0,82 = 𝑅𝑢 + 𝑅1
𝑅𝑢 + 𝑅1

𝑅1 = 400 Ω
⟹
𝑅𝑢 = 1820 Ω

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 ∆𝐕𝐒
6- On considère que RZ = 25 Ω calculer 𝐕𝐒
𝑹𝟏 𝑰 𝑰𝒖
𝑹𝟏
𝑰𝒁

𝑽𝒆 𝑽𝒁 ⇔ 𝑽𝒆 𝑽𝑺 𝑹𝒖
𝑹𝒖 𝑽𝒁

𝑉𝑒 − 𝑉𝑆 𝑉𝑆
𝑉𝑆 = 𝑉𝑍 + 𝑅𝑍 𝐼𝑍 = 𝑉 𝑍 +𝑅𝑍 𝐼 − 𝐼𝑢 = 𝑉𝑍 + 𝑅 𝑍 ( − )
𝑅1 𝑅𝑢
𝑅𝑍 1
𝑅𝑍 1
𝑉𝑆 = [𝑉𝑍 + 𝑉𝑒 ] 𝑅𝑍 𝑅𝑍 𝑑𝑉𝑆 = 0 + 𝑑𝑉𝑒 = 0,058 𝑑𝑉𝑒
𝑅1 1+ 𝑅 +𝑅 𝑅 𝑅
1 1+ 𝑍+ 𝑍 𝑅
1 𝑢 ⟹ 𝑅1 𝑅𝑢
𝑉𝑆 = 24,62 V

⟹ 𝑑𝑉𝑆 0,058 Δ𝑉𝑆 0,058

= 𝑑𝑉 ⟹ = ∆𝑉
𝑉𝑆 24,62 𝑒 𝑉𝑆 24,62 𝑒
∆𝑉𝑒
Or = 12,5%= 0,125 donc ∆𝑉𝑒 = 5 𝑉
𝑉𝑒

Δ𝑉𝑆
⟹ = 0,0117 = 1,17%
𝑉𝑆
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 7- On fait varier RU. Quel est le domaine de variation de cette résistance dans lequel
la régulation est assurée.
Détermination de Rumax:
-Si Ru varie alors Iz devient maximal si Ru est infinie (c-à-d circuit ouvert)

Donc si Ru est infinie on aura Izmax = (Vemax-VZ)/R1 𝑹𝟏

𝑰𝒁𝒎𝒂𝒙
𝑽𝒆 𝑽𝒁 𝑹𝒖 = ∞
Izmax = 52 mA < 54 mA donc
la régulation est assurée
Détermination de Ru min:

La régulation est assurée si la diode Zener est passante

(ETh )min > VZ 𝑹𝟏
𝑅𝑢 𝑅𝑢 + 𝑅1 𝑉
> 𝑉𝑍 ⟹ < 𝑒 𝑀𝐼𝑁
𝑅𝑢 + 𝑅1 𝑉𝑒 𝑀𝐼𝑁 𝑅𝑢 𝑉𝑍 𝑽𝒆 𝑽𝒁 𝑹𝒖
𝑅1 𝑉𝑍
⟹ 𝑅𝑢𝑚𝑖𝑛 > 𝑉 = 872Ω
𝑒𝑚𝑖𝑛 −𝑉𝑍

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