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TD N°4

Ce document présente quatre exercices portant sur les transistors à effet de champ (JFET). Les exercices couvrent des sujets comme la détermination de courants et tensions pour des JFET donnés, le tracé de caractéristiques de transfert et l'étude d'étages amplificateurs à JFET.

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Module : Electronique analogique 1 Niveau : 3ème année Aut/Elt

TD N°4 : Transistors à effet de champ (JFET)

Exercice 01 :
1) Un transistor JFET possède les paramètres suivants : IDSS = 9 mA et VGSoff = 8 V. Déterminer le
courant du drain ID pour les valeurs de VGS : 0, 1 V et 4 V.

2) Pour le JFET du circuit-contre :


VGSoff = 4 V, IDSS = 12 mA.
Déterminer la valeur minimale de VDD requise pour =
faire fonctionner le transistor dans la région à courant
constant.

3) Déterminer RS pour effectuer la


polarisation automatique d’un JFET à
canal N en utilisant la courbe de transfert
de la figure suivante :

Exercice 02 :
On considère le circuit électrique suivant :
1) Déterminer l'expression de la résistance Rs en fonction de
la tension VGS ;
2) La tension de grille de repos VGS0 = VGSoff/4, quelle erreur
fait-on si l'on a ID = IDSS/2 ?
3) Déduire l'expression de la résistante Rs ;
4) On donne : VGSoff = 4 V et IDSS = 10 mA, déterminer, en
plus de Rs, la valeur de RD pour que la différence de potentiel
à ses bornes soit de 10 V. Que vaut alors VDS si VDD = 21 V ?

Exercice 03 :
Considérons un transistor à effet de champ à jonction (canal N) ayant une tension VDS comprise entre 4 V
et 20 V. La caractéristique de transfert est donnée par la relation suivante :
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓
1) Tracer la caractéristique de transfert sachant que IDSS = 20 mA et VGSoff = Vp = 8 V. La tangente à la
courbe IDS = f(VGS) au point IDS = IDSS coupe l'axe des tensions VGS en un point P ; déterminer ses
coordonnées.

2) Calculer les résistances RD et RS du circuit ci-dessous,


pour avoir VDS = 10 V et VGS = 3 V.
3) On choisit RD = 2,7 k et RS = 820 . Calculer IDS,
VGS et VDS.

Exercice 04 :
On se propose d'étudier un étage amplificateur à transistor à
effet de champ dont le schéma est donné par le circuit
suivant. On donne :
VDD = 12V ; IDSS = 4mA ; Vp = VGSoff = 4V ; RS = l k ;
rds = 50 k.
V0

Ve

1) Si l'on prend E = 0 V, calculer la valeur de la résistance RD pour avoir VDS = VDD / 2 ;


2) Quelles seront les nouvelles valeurs de VDS et IDS pour E = 1 V ?
3) Tracer la droite de charge statique du transistor dans le circuit suivant et placer le point de repos P0 ;
4) Donner le schéma équivalent du 'montage en régime dynamique (on supposera que les condensateurs
se comportent comme des courts-circuits aux fréquences de travail) ;
5) Déterminer l'amplification en tension et les impédances d'entrée et de sortie du montage.

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