Ecole Nationale d’Tngénieurs de Tunis Année universitaire 2023/2024 Electronique IL Travaux dirigés — Série n°3 M. Ayadi, J. Haggége & W. Naouar 2**© Année Génie Blectrique Exercice 1 On considére l'amplificateur différentiel représenté sur le schéma de la figure 1, dans sistors de méme polarité sont identiques entre eux ot possddent les caractéristiques suivantes : Vey Ven, = 0.6 V, Vap = 50V, Van = 150 V, Bp = 100, By = 200, Veesan = Vecsatp = 0.2 V. On prendra wv = 26 mV pour le potentiel thermique 4 tempéra- ture ambiante. uel tous les tran- #Uce = 12 ifs Ra OL Vit t vo vi2 a6 Ra RL RS 47k 18k Be, “Vee = -12U Ficure 1 1, Identifier les différentes fonctions électroniques qui constituent le circuit en indiquant le réle de chaque transistor ou groupe de transistors et des résistances qui leurs sont associées, 2, Calculer le courant dans la résistance R3 et en déduire le courant de polari de transistors QI ot Q2 tion Ip de la paire 3, En déduire, pour Va = Vig = 0, en négligeant le courant base Ig devant le courant collecteur Tex, les courants collecteur Ie et [ez ainsi que les potentiels Vex et Vex 4, Quelles sont les valeurs maximale et minimale de la tension de mode commun Vire pouvant tre appliquée sur les bases des transistor QU et Q2? 5. Déterminer les valeurs des gains & vide ainsi que celles des impédances dentrée, en mode commun et en mode différentiel, de l'étage dif- férentiel formé par QI et Q2. Quelle est la vax leur du taux de réjection du mode commun (CMRR), exprimée en décibels? 6c tant d’annuler la tension de sortie V, lorsque Via = Vi ~ Vie = 0. 7. Quel est alors le gain en mode différentiel de Vensemble du circuit ? lculer la valour de la résistance Ra permet Exercice 2 Soit 'amplificateur différentiel représenté sur le schéma de la figure 2. +Udd = 12U = FT -Uss = -12U Ficure 2 Tous les MOSFET & entichissement utilisés sont, identiques et leur courant drain Ip est donné, enfonction des tensions Vas et Vps, par la relation sui- vante Ip = K(Vas — Vin)"(1 + Vos) avec K = 0.4 mA/V?, Va, = 1.5 Vet A = 0.025 V-? dans la zone active pour laquelle Vps > Vos Vise = Ves ~ Vin 1. Par analogie avec les transistors bipolaires donner la signification du coefficient , appelé modulation de la longueur du canal d'un MOS- FET. 2, Déterminer Vexpression de la résistance dillé rentielle pp = AYP® du drain dun MOSFE’ en fonetion de Vps, Ip et 2. 3. En négligeant 2, caleuler la valeur de la résis- tance R3 alin d’avoir le courant drain Ips = 1 mA. Verifier que Q3 fonetionne bien dans sa zone active 4, Quelle est alors la valeur du courant drain Ip, ? En déduire la fonction des transistors Q3 et Qd associés a la résistance R3. On notera par la suite Ips = Io 5. Pour Via = Vi2 = Vise, caleuler les courants Ip et Ipp ainsi que les tensions Vas et Ves Quel est Pintervalle de variation admissible pour la tension de mode commun Viger? 6. Pour Vise = 0, et en négligeant A, exprimer les courants Ip; et Ip2 en fonction de la tension différentielle Vig = Va — Viz ainsi que du cow rant Jo et du coefficient de transconductance K. Représenter graphiquement ces relations en précisant l'intervalle admissible pour les varia~ tions de Viz En considérant Ja tension de sortie différen- tielle Vea = Vor — Voz, déterminer lexpression de Ia transconductance différenticlle gq = AUpi—Is) of en déduire celle du gain dilféren- Ava = 4% pour de petites variations de nsion Vig autour de 0. 8. Calculer Ie gain en mode commun Aye = TAHE de lamplificateur différentiel en régime petits signaux. Calculer le taux de réjection du mode commun (CMRR) exprimé en décibels, 9. Déterminer le gain différentiel avec sortie asy- miétrique Viz on Vor 10, Calculer les impédances d'entrée en mode dif- férentiel et en mode comm ainsi que 'im- pédance de sortie de amplificateur en sortie différenticlle puis en sortie asymétrique. Exercice 3 On considére lamplificateur différentiel représenté sur le schéma de la figure 3. Tous les transistors de méme polarité sont identiques entre eux et possddent, les caractéristiques suivantes : Vagy = Vepy = 0.6 V, Vap = 50 V, Vay = 150 V, Gp = 100, Sy = 200, On prendra ys = 26 mV pour le poten- tiel thermique A température ambiante. Wee = 120 vin viz Ficure 3 1. Identifier toutes les fonctions électroniques qui constituent le cirenit en indiquant le réle de chaque transistor ou groupe de transistors ainsi que celui des résistances qui leurs sont asso- 2. Calculer le courant dans la résistance RI et en déduire le courant de polarisation Ip de la paire de transistors QI et Q2 ainsi que les courants émetteur Ipi0 et Fp: des transistors QUO et qu 3. Calculer les valeurs des courants collecteurs Te et Ioz lorsque Vi, = Viz = 0. Justifier la méthode utilisée pour fixer la valeur du courant collecteur Icio du transistor QUO. 4, Quel est alors le potentiel Veo sur le collec teur du transistor Q1O? En déduire la valeur de a résistance R3 permettant d’assurer V;, = 0 lorsque Vir = Viz = 0. 5. Représenter le modéle équivalent en régime d namique de l'ensemble de lamplificateur o précisant ses impédances d'entrée en mode commun ct en mode différentiel, son imp& dance de sortie ainsi que son gain différentiel Ava =