Les mémoires

21/04/2019 Pr Ait Laasri Hassan 1

 Mémoires
Une mémoire est un composant qui permet de stocker et restituer l ’information.

Mémoire à semi-conducteur ( RAM, flash disque, ROM, …..) : très rapide

mais de capacité réduite.
Mémoire magnétique ( disque dure, disquette,…) : moins rapide mais stock un
volume d’informations très grand.
Mémoire optique ( DVD, CDROM,..)
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 Caractéristiques d’une mémoire
Une mémoire est caractérisée par : 1 bit = information de base =  ou 
1 octet ( byte ) = 8 bits
• Volatilité 1 Kilo = 210 = 1024
Une mémoire est dite volatile si son contenu est perdu 1Méga = 220 = 1048576
lorsque elle est mise hors tension. 1Giga = 230 = 1073741824

• Capacité
exprimée en Bit, ou octets, Ko, Mo, Go. C’est le nombre
(quantité) d’informations qu’on peut mémoriser dans la mémoire.
• Temps d ’accès
Exprimé en ns. C’est le temps nécessaire pour effectuer une opération de lecture ou d’écriture.
Il renseigne sur la vitesse de la mémoire; plus ce temps est faible plus la vitesse est grande. Le
temps d’accès est un critère important pour déterminer les performances d’une mémoire ainsi
que les performances d’une machine.
• Format de son bus de donnée
les valeurs courantes sont des puissances de 2
(8, 16, 32 bits,...).

• Débit (Taux de transfert)

S’exprime en Mo/s. C’est le nombre maximum d'informations
lues ou écrites par seconde

21/04/2019 • Consommation
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 Mémoires à semi-conducteurs

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 Mémoires à semi-conducteurs

Il existe 2 grandes familles de mémoires à semi-conducteur

La mémoire vive : RAM

(Random Acces Memory)

La mémoire morte : ROM

(Read Only Memory)

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 Mémoires à semi-conducteurs

Mémoire Vive : RAM (Random Acces Memory)

Dans la mémoire vive on peut lire et écrire.

La RAM est une mémoire volatile :

• Les données sont perdues à la mise hors tension.
• A la mise sous tension son contenu est aléatoire.

La RAM est utilisée pour le stockage de données temporaires. ( résultats de calculs, etc.)

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 Mémoires à semi-conducteurs

Il existe deux technologies de RAM :

RAM statiques SRAM

Cellule mémoire = bascule de 4 à 6 transistor
Avantages: rapide
Incov: capacité faible, coût élevé, consommation.

RAM dynamiques DRAM

cellule mémoire = transistor + condensateur
Avantages: plus simples que SRAM, grande densité
d'intégration, faible coût, faible consommation, grande capacité.
Incov: lentes, rafraîchissement des cellules de mémoire est
nécessaire toutes les quelques ms pour conserver les données .
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 Les mémoires à semi-conducteur
Mémoire Vive : RAM
La RAM est utilisé comme la mémoire centrale du microprocesseur, c.à.d. l’endroit où il
enregistre temporairement les instructions et les données des programmes qu’il
exécute, c’est l’espace de travail du microprocesseur.
•La mémoire centrale peut être vu comme un large
vecteur ( tableau ) de mots ou octets. adresse
•Une cellule mémoire stock 1 seul bit 0000
•un mot mémoire contient n cellules mémoire. 0001100 0001
•Chaque mot possède sa propre adresse.
0011100 0002
0111100 …….
•une adresse est un nombre binaire (hexa) qui indique un
emplacement dans une zone mémoire. 0001100 …….
0001100 ……..
•Les adresses sont séquentielles ( consécutives ).
• pour exécuter un programme il faut le charger ( copier ) Contenu d’une
dans la mémoire centrale. case mémoire
•La mémoire centrale peut contenir des programmes et
les données utilisées par les programmes. FFFF
•Le temps d’accès à la mémoire centrale et sa capacité
sont deux éléments qui influent sur le temps d’exécution
d’un programme.
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 Comment lire un mot mémoire ?
• Charger une adresse dans le registre RAM puis lancer la commande de lecture ( R/W=1)
• l’adresse est transféré au décodeur.
•Le décodeur va activer une seule sortie. Cette sortie va sélectionner un seule mot mémoire.
•Le mot est disponible dans le registre RIM au bout d’un certain temps ( temps d’accès)

Un mot
mémoire

K bits Une cellule

Adresse sur K bits mémoire

Donnée sur n bits

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 Comment écrire un mot mémoire ?
• Charger une adresse dans le registre RAM.
• l’adresse est transféré au décodeur.
•Le décodeur va activer une seule sortie. Cette sortie va sélectionner un seule mot mémoire.
•Placer dans le RIM l’information à écrire.
•lancer la commande de lecture ( R/W=0)

Un mot
mémoire

K bits Une cellule

Adresse sur K bits mémoire

Donnée sur n bits

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 Comment calculer la capacité d’une mémoire ?

• Soit k la taille du bus d’adresses.

• Soit n la taille du bus de données (taille d’un mot mémoire ).

Nombre de données pouvant être stockées est:

N= 2k

la capacité de la mémoire est donc:

C = N n bits

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Exemple : Calcul de la capacité d ’une mémoire.

Mémoire : 8 bits de données

16 bits d ’adresse.

Nombre de cases ou mots : N = 216 = 65536

Capacité : C = N  n = 65536  8 = 524288 bits

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 Expression de la capacité mémoire

Pour des raisons de simplification, on exprime la capacité :

• en kilo-octets (Ko) 1 octet : 8 bits

1 Ko = 210 = 1024 octets

• en méga-octets (Mo) 1 Mo = 220 octets

• en giga-octets (Go) 1 Go = 230 octets

Pour l’exemple précédent C = 524288 bits

C = 524288/8 = 65536 octets

C = 65536 octets = 65536/1024 = 64 Ko

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 Les mémoires à semi-conducteur
Mémoire morte : ROM (Read Only Memory)

Dans une mémoire morte ROM on ne peut pas écrire, on ne peut que lire.
Ces mémoires ont été écrites une fois en usine par le fabricant. On peut lire les
informations contenues mais on ne peut pas les modifier.

La ROM est une mémoire non volatile :

 Les données sont conservées indéfiniment, même hors tension .

La ROM est utilisée pour le stockage permanent d’un

programme. Par exemple pour stocker :
 Instructions nécessaires au démarrage du PC (BIOS);
 Microprogrammes présents dans les microcontrôleurs
des appareils électroniques (smartphone, lecteurs de
CD/DVD, TV, machine à laver, lave vaisselle, etc.).

BIOS en ROM d ’une carte mère

(Basic Input Output System)
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 Les mémoires à semi-conducteur
ROM: Procédé de fabrication

Cette mémoire est composée d’une matrice dont la programmation s’effectue en

reliant les lignes aux colonnes par des diodes. L’adresse permet de sélectionner une
ligne de la matrice et les données sont alors reçues sur les colonnes (le nombre de
colonnes détermine la taille des mots mémoires)

0 1 1

Le
 temps d’accèsunà 1,
Pour former la on
ROM relieest
unede
l’ordre de 150 ns.
ligne d'entrée avecCeune
de ligne
la RAM est
de sortie
d’environ 10une
en utilisant ns. diode.
Pour accélérer le
traitement des informations,
 Pour former un 0, on ne met les pas
données
de diodestockées dans sont
(les 2 lignes la ROM sont
généralement
indépendantes).copiées dans la RAM
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avant d’être traitées.
 Les mémoires à semi-conducteur
D’autres types de ROM:

Avec l'évolution des technologies, la définition du terme ROM a été élargie pour inclure des
mémoires non volatiles dont le contenu peut être modifiée un certain nombre de fois.

PROM (Programmable ROM): programmable par l’utilisateur, mais une seule fois.
EPROM (Erasable PROM) : effaçable et programmable par l’utilisateur plusieurs fois.
Elle est effaçable en la mettant dans une chambre à ultraviolet plusieurs minutes.
EEPROM ( Electrically Erasable PROM) : effaçables et programmables par l’utilisateur.
Plusieurs fois. Elle est plus facile et rapide (quelques millisecondes) à effacer que
les EPROM car elles sont effaçables électriquement donc sans manipulations physiques. Elles
sont utilisées dans les mémoires SD, USB.

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 Les mémoires à semi-conducteur
PROM : Programmable ROM.

les PROM sont constituées par un réseau de fusibles en série avec les
diodes. La programmation est réalisée en détruisant certains fusibles
du réseau en appliquant une tension de 10-15 V à l’adresse désirée
pendant une centaine de ms. Pour ce faire, on utilise le
programmateur ci-dessous:

Programmateur PROM

Ces mémoires sont livrées non enregistrées par le fabricant. Une fois programmées, on
ne peut plus modifier leur contenu. le contenu peut être modifié une seule fois
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 Les mémoires à semi-conducteur
PROM : Programmable ROM.

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 Les mémoires à semi-conducteur
EPROM : Erasable Programmable ROM.

Ces mémoires peuvent être effaçables et reprogrammables

plusieurs fois en utilisant UV.

Effaçable aux UV (10

à 20 minutes
d ’exposition).
Effacement total de la
mémoire.

Programmation par tension de 25V.

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 Les mémoires à semi-conducteur
EPROM : Erasable Programmable ROM.

Les mémoires EPROM sont fabriquées avec

des transistors à grille flottante (un par cellule
mémoire), des transistors qui possèdent deux
armatures et deux couches d'isolant. La seconde
armature est celle qui stocke un bit : il suffit de la
remplir d’électrons pour stocker un 1, et la vider
pour stocker un 0. Pour effacer une EPROM, on doit
soumettre la mémoire à des ultra-violets, ce qui
donne suffisamment d'énergie aux électrons
coincés dans l'armature pour qu'ils puissent
s'échapper.
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 Les mémoires à semi-conducteur
EEPROM : Electricaly E rasable Programmable ROM.

Ces mémoires possèdent l’avantage d’être effaçables

électriquement et reprogrammables plusieurs fois..

EEPROM (Electricaly EPROM)

Effaçable et programmable électriquement.

Effacement adresse par adresse.

Coût de fabrication élevé.

EPROM FLASH
Effaçable électriquement.

Effacement total de la mémoire.

Plus rapide et moins cher que l ’EEPROM.

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 Les mémoires à semi-conducteur
Dans EEPROM, on utilise aussi un transistor à grille flottante qui sert à mémoriser un
bit. Le remplissage ou vidage se fait en plaçant une tension sur la grille.

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 Les mémoires à semi-conducteur

Les mémoires FLASH sont des EEPROM spéciales, qui sont donc naturellement basées
sur des transistors à grille flottante. La reprogrammation et l'effacement de ces
cellules demande de placer les bonnes tensions sur la grille, le drain et la source.

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