Introduction au dopage des SC
Dans un cristal semi-conducteur, il est possible d’introduire des atomes étrangers
de valence 3 ou 5 par exemple (colonne III ou V du tableau de Mendeleïev). Les
atomes vont prendre la place des atomes du réseau, c’est-à-dire se mettre en site
substitutionnel. Nous allons voir que cet apport va transformer considérablement
l’état électronique du monocristal.
Introduction au dopage des SC
un atome dopant de type donneur :
• donne un électron au réseau cristallin,
⦁ s’ionise positivement,
• crée un dopage de type n.
Introduction au dopage des SC
Ce phénomène correspond à l’apparition d’un niveau d’énergie ED dans la
bande interdite (ici avec EC - ED = 0,04 eV)
La figure représente les états énergétiques pour des températures
croissantes (T = 0 K, 50 K, entre 50 et 500 K, > 500K).
Les atomes d’impuretés s’ionisent progressivement avec l’augmentation de la
température et à partir d’environ 50 K toutes les impuretés sont ′′dégelées′′. La
concentration n0 en électrons (appelée concentration en porteurs ′′majoritaires′′) sera
alors égale à la concentration en dopant ND (n0 = ND >> ni >> p0 concentration en
trous, minoritaires) tant que le comportement intrinsèque du matériau ne reprend
pas le dessus ce qui se produit pour une température supérieure à 500 K (ordre de
grandeur usuel) et rend à nouveau la concentration en électrons dépendante de la
température
Introduction au dopage des SC
Un atome dopant de type accepteur :
• donne un trou au réseau cristallin,
• s’ionise négativement,
• crée un dopage de type p
Introduction au dopage des SC
le bore se retrouve ionisé négativement (charge fixe) et on assiste au
déplacement d’un trou (libre) d’atome en atome. La concentration p0 en trous
(porteurs majoritaires) est égale à la concentration en dopant NA (p0 = NA >> ni
>> n0) à partir d’une température de l’ordre de 50 K ; le caractère intrinsèque
redevient dominant au-delà de 500 K environ.
Calculs des concentrations en porteurs dans un SC dopé
Atome donneur
nous pouvons écrire la relation de dissociation suivante :
𝐷 ⟺ 𝐷! + 𝑒 "
l’écart énergétique entre un électron lié à l’atome donneur et ce même électron
quasi-libre dans le cristal, c’est-à-dire situé dans le bas de la bande de conduction,
sera relativement faible. On peut alors exprimer le nombre d’atomes ionisés ou plus
exactement leur concentration, en fonction du nombre total d’atomes ou de leur
concentration, N# , introduits dans le cristal.
Cette concentration tient compte de la statistique d’occupation d’un niveau
d’énergie par un fermion et des échanges possibles entre le niveau de l’électron lié
et celui de la bande de conduction.
Si on reprend la courbe représentant la fonction de fermi-Dirac en fonction du
niveau d’énergie à plusieurs températures.
Calculs des concentrations en porteurs dans un SC dopé
Atome donneur
ED
On voit que lorsque la température va augmenter, un niveau ED va se dépeupler
par ionisation des atomes donneurs, un électron se libère du cortège
électronique du phosphore pour devenir un électron libre, la concentration en
atomes donneurs ionisés 𝑁$! augmente donc et l’occupation du niveau ED
diminue.
Calculs des concentrations en porteurs dans un SC dopé
Atome donneur
Cette concentration d’atomes donneurs ionisés, N#! va donc dépendre de la densité
initiale d’atomes donneurs 𝑁$ et de la fonction statistique qui diffère un peu de la
statistique classique :
1
𝑓%$ 𝐸$/' =
±(𝐸% − 𝐸$/' )
1 + 𝑝. exp( )
𝑘( 𝑇
E#/) est le niveau d’énergie donneur ou accepteur, c’est-à-dire le niveau d’énergie
statistique auquel se trouve l’électron lié à l’atome dopant. Le facteur pré-
exponentiel 𝑝, est appelé facteur de dégénérescence et provient du choix possible
ou non de spins différents dans l’échange énergétique.
Calculs des concentrations en porteurs dans un SC dopé
Atome donneur
Prenons le cas d’un atome donneur, le spin de l’électron qui quittera le cortège
électronique ne limitera pas la statistique. Par contre dans le cas d’un dopage par un
atome accepteur, l’électron qui rejoindra le cortège aura un spin dépendant de
l’organisation de la structure d’accueil, ce qui diminue la statistique de capture, donc
un facteur pré-exponentiel de supérieur à 1 pour un accepteur et inférieur à 1 pour
un donneur. Nous aurons donc :
𝑁$
𝑁$! =
𝐸 − 𝐸$
1 + 𝑝. exp( % )
𝑘( 𝑇
Calculs des concentrations en porteurs dans un SC dopé
Atome accepteur
Dans le cas d’un atome accepteur, nous pouvons mener un raisonnement
analogue, et nous pouvons écrire la relation d’ionisation suivante :
𝐴 + 𝑒 " ⟺ 𝐴"
l’écart énergétique entre un électron lié à l’atome accepteur et ce même
électron lié au cristal de semi-conducteur, c’est-à-dire situé au sommet de la
bande de valence, sera relativement faible. La concentration d’atomes
accepteurs ionisés, N)" s’exprime par :
𝑁'
𝑁'" =
𝐸 − 𝐸%
1 + 𝑝. exp( ' )
𝑘( 𝑇
SC de type n
Le semi-conducteur est globalement neutre : la somme des charges positives est
égale à celle des charges négatives. En faisant le bilan des charges présentes, il n’y a
que des électrons, des trous et des ions donneurs.
𝑁$! + 𝑝* = 𝑛*
En raisonnant à température ambiante, si l’élément ajouté a effectivement le
comportement de dopant, pratiquement tous les atomes de cet élément sont
ionisés, c’est-à-dire N# ≈ N#! .
SC de type n
Par ailleurs, nous avons vu précédemment que le produit p.n était toujours égal
au carré de la concentration intrinsèque, n10 à l’équilibre thermodynamique sans
faire intervenir le niveau de Fermi, donc finalement sans supposer que le matériau
était intrinsèque. Cette relation ( loi d’action de masse) est donc toujours vraie
même pour un matériau dopé.
𝐸- − 𝐸. 𝐸/
𝑛+ 𝑝+ = 𝑛, 𝑝, = 𝑁- 𝑁. exp − = 𝑁- 𝑁. exp −
𝑘( 𝑇 𝑘( 𝑇
SC de type n
L’équation de neutralité devient :
𝑛21
𝑁$ + = 𝑛*
𝑛*
D’où :
𝑛* 1 − 𝑁$ 𝑛* − 𝑛21 = 0
Ce polynôme permet de calculer les valeurs de 𝑛*
△= 𝑁$ 1 + 4𝑛21
𝑁$ ± 𝑁$ 1 + 4𝑛21
𝑛* =
2
SC de type n
Si on suppose que nous nous trouvons dans le cas où le SC est fortement dopé donc d’un
caractère n affirmé, on aura 𝑁$ ≫ 𝑛2 et donc, seule une solution est possible :
𝑁$ ± 𝑁$ 1
𝑛* = = 𝑁$
2
Et
𝑛21 𝑛21
𝑝* = =
𝑛* 𝑁$
En conclusion, dans un semi-conducteur de type n affirmé,
• les électrons sont majoritaires,
• la concentration en électrons est pratiquement égale à la concentration de dopant,
• Les trous sont minoritaires
SC de type p
Le semi-conducteur est globalement neutre : la somme des charges positives est
égale à celle des charges négatives. En faisant le bilan des charges présentes, il n’y a
que des électrons, des trous et des ions accepteurs.
𝑁'" + 𝑛3 = 𝑝3
𝑁' ≈ 𝑁'"
Nous avons donc :
𝑝3 . 𝑛3 = 𝑛21
L’équation de neutralité devient :
𝑛21
𝑁' + = 𝑝3
𝑝3
D’où :
𝑝3 1 − 𝑁' 𝑝3 − 𝑛21 = 0
SC de type p
Ce polynôme permet de calculer les valeurs de 𝑝3
△= 𝑁' 1 + 4𝑛21
𝑁' ± 𝑁' 1 + 4𝑛21
𝑝3 =
2
Si on suppose que nous nous trouvons dans le cas où le SC est fortement dopé donc d’un
caractère p affirmé, on aura 𝑁' ≫ 𝑛2 et donc, seule une solution est possible :
𝑁' ± 𝑁' 1
𝑝3 = = 𝑁'
2
Et
𝑛21 𝑛21
𝑛3 = =
𝑝3 𝑁'
SC de type p
En conclusion, dans un semi-conducteur de type p affirmé,
• les trous sont majoritaires,
• la concentration en trous est pratiquement égale à la concentration de
dopant,
• les électrons sont minoritaires.
Dopage : cas général
Dans le cas général, les deux types de dopants peuvent exister simultanément
dans le matériau. C’est en fait ce qui se passe en pratique pour des raisons
purement technologiques. Le semi-conducteur est toujours globalement neutre et
la somme des charges positives est égale à celle des charges négatives.
𝑁'" + 𝑛 = 𝑁$! + 𝑝
Le semi-conducteur sera de type n ou de type p, si à la température considérée, la
concentration en donneurs ionisés ou en accepteurs ionisés respectivement est la
plus grande.
Dopage : cas général
On suppose à nouveau que tous les atomes des éléments dopants sont ionisés, c’est-
à-dire 𝑁' ≈ 𝑁'" et N# ≈ N#!
𝑁' + 𝑛 = 𝑁$ + 𝑝
𝑛21
𝑝=
𝑛
𝑛21
𝑁' + 𝑛 = 𝑁$ +
𝑛
𝑛1 + (𝑁' − 𝑁$ )𝑛 − 𝑛21 = 0
Dopage : cas général
△= (𝑁' − 𝑁$ )1 +4𝑛21
(𝑁$ − 𝑁' ) ± (𝑁' − 𝑁$ )1 +4𝑛21
𝑛=
2
On calculera ainsi la densité n plutôt dans le cas où 𝑁$ > 𝑁'
Dans le cas où 𝑁' > 𝑁$ , on préfèrera calculer la densité p :
𝑁' + 𝑛 = 𝑁$ + 𝑝
𝑛21
𝑛=
𝑝
Dopage : cas général
𝑛21
𝑁' + = 𝑁$ + 𝑝
𝑝
𝑝1 + (𝑁$ − 𝑁' )𝑝 − 𝑛21 = 0
△= (𝑁$ − 𝑁' )1 +4𝑛21
(𝑁' − 𝑁$ ) ± (𝑁$ − 𝑁' )1 +4𝑛21
𝑝=
2
Nous pouvons remarquer que si les concentrations des donneurs et accepteurs
sont identiques, le matériau à un comportement intrinsèque
IMPOSSIBLE DANS LA REALITE
Position du niveau de Fermi dans un SC type n ou p affirmé
Dans le chapitre 4, nous avons démontré que
𝐸- − 𝐸%
𝑛+ = 𝑁- ×𝑓* 𝐸- = 𝑁- ×exp(− )
𝑘( 𝑇
Dans le cas d’un matériau de type n affirmé à température ambiante, 𝑛+ ≈ N#
𝐸- − 𝐸%
𝑁$ = 𝑁- ×exp(− )
𝑘( 𝑇
Et donc
𝑁-
𝐸- − 𝐸% = 𝑘( 𝑇×ln( )
𝑁$
Position du niveau de Fermi dans un SC type n ou p affirmé
Si on appelle 𝐸%2 , le niveau de Fermi du SC intrinsèque, nous aurions
𝑁-
𝐸- − 𝐸%2 = 𝑘( 𝑇×ln( )
𝑛2
Donc
𝑁-
𝐸- − 𝐸% = 𝐸- − 𝐸%2 + 𝐸%2 − 𝐸% = 𝑘( 𝑇×ln( )
𝑁$
𝑁- 𝑁-
𝐸- − 𝐸%2 + 𝐸%2 − 𝐸% = 𝑘( 𝑇× ln = 𝑘( 𝑇×ln( ) + 𝐸%2 − 𝐸%
𝑁$ 𝑛2
Finalement on obtient
𝑁- 𝑁-
𝐸% − 𝐸%2 = −𝑘( 𝑇× ln + 𝑘( 𝑇×ln( )
𝑁$ 𝑛2
𝑁$
𝐸% − 𝐸%2 = 𝑘( 𝑇× ln
𝑛2
Position du niveau de Fermi dans un SC type n ou p affirmé
Le niveau de Fermi se décale progressivement du milieu de la bande
interdite vers la bande de conduction lorsque le dopage de type n
augmente.
EF est d’autant plus proche de la bande de conduction que le dopage est
élevé. On se limitera dans ce cours aux cas pour lesquels EF reste situé
dans la bande interdite.
Dans le cas d’un semi-conducteur dopé de type p, on peut faire le
même calcul et on obtiendra que le niveau de Fermi se trouvera
d’autant plus près du sommet de la bande de valence, que le matériau
sera plus dopé.
Dans ce cours, nous nous limiterons au cas où le niveau de Fermi reste
dans la bande interdite, c’est-à-dire que le dopage reste inférieur à la
densité d’états électroniques dans les bandes; dans le cas contraire, on
dit que le semi-conducteur est dégénéré.
