Remplissage des bandes par les électrons

E E E E

BANDE LIBRE BANDE LIBRE BANDE LIBRE BANDE LIBRE

BANDE PARTIELLEMENT BANDE REMPLIE

REMPLIE RECOUVERTE PAR
BANDE LIBRE BANDE REMPLIE
BANDE REMPLIE

METAL METAL ISOLANT SEMI-CONDUCTEUR

Supposons que la dernière bande contenant des électrons est partiellement remplie :
Cette bande est remplie par les électrons de valence, d’où la dénomination de bande de
valence. Sous l’action d’un champ électrique externe, les électrons qui occupent les niveaux
proches de la limite de remplissage passent dans des niveaux énergétiques supérieurs de la
même bande. On peut donc établir un courant, on est dans le cas d’un métal.
 Remplissage des bandes par les électrons

E E E E

BANDE LIBRE BANDE LIBRE BANDE LIBRE BANDE LIBRE

BANDE PARTIELLEMENT BANDE REMPLIE

REMPLIE RECOUVERTE PAR
BANDE LIBRE BANDE REMPLIE
BANDE REMPLIE

METAL METAL ISOLANT SEMI-CONDUCTEUR

Supposons maintenant que la bande de valence est entièrement remplie par les
électrons, mais elle est recouverte par la bande permise successive non occupée par
des électrons :
Si à tel cristal, on applique un champ électrique externe, les électrons commencent à
transiter vers les niveaux de la bande libre et un courant apparaît, ici aussi on est
dans le cas d’un métal.
 Remplissage des bandes par les électrons

E E E E

BANDE LIBRE BANDE LIBRE BANDE LIBRE BANDE LIBRE

BANDE PARTIELLEMENT BANDE REMPLIE

REMPLIE RECOUVERTE PAR
BANDE LIBRE BANDE REMPLIE
BANDE REMPLIE

METAL METAL ISOLANT SEMI-CONDUCTEUR

Si la valeur de Eg excède 3 eV, le champ externe ne peut pas conduire à une

transition de électrons vers une bande supérieure, par conséquent le corps sera
isolant (ou appelé aussi diélectrique).
 Remplissage des bandes par les électrons

E E E E

BANDE LIBRE BANDE LIBRE BANDE LIBRE BANDE LIBRE

BANDE PARTIELLEMENT BANDE REMPLIE

REMPLIE RECOUVERTE PAR
BANDE LIBRE BANDE REMPLIE
BANDE REMPLIE

METAL METAL ISOLANT SEMI-CONDUCTEUR

Dans le cas où Eg est inférieur à 3 ou 4 eV, une énergie thermique ou électrique

de l’ordre de kBT va rendre possible le passage des électrons dans les bandes
libres. On sera ici dans le cas des semi-conducteurs
 Masse effective des électrons

Le champ agit sur l’électron avec la force :

𝐹⃗ = −𝑒𝐸
Sous l’action de la force, l’électron va acquérir une accélération :

𝐸
𝑎⃗ = −𝑒
𝑚

La vitesse moyenne de l’électron est égale à la vitesse de groupe du paquet

d’ondes :

𝑑𝜔
𝑣! =
𝑑𝑘
 Masse effective des électrons

𝐸 = ℏ𝜔

1 𝑑𝐸
𝑣! =
ℏ 𝑑𝑘

𝑑𝑣! 1 𝑑 𝑑𝐸 1 𝑑" 𝐸 𝑑𝑘
𝑎⃗ = = =
𝑑𝑡 ℏ 𝑑𝑡 𝑑𝑘 ℏ 𝑑𝑘 " 𝑑𝑡

Pendant le temps dt, la force 𝐹⃗ effectue un travail 𝑭𝒅𝒍 = −𝒆𝑬×𝒗𝒈 𝒅𝒕, ce

travail correspond à la variation d’énergie 𝑑𝐸.

𝑣! ℏ𝑑𝑘 = 𝑑𝐸

𝑣! ℏ𝑑𝑘 = −𝑒𝐸×𝑣! 𝑑𝑡

𝑒𝐸
𝑑𝑘 = − 𝑑𝑡
ℏ
 Masse effective des électrons

1 𝑑" 𝐸 𝑑𝑘 1 𝑑" 𝐸 𝑒𝐸
𝑎⃗ = = × −
ℏ 𝑑𝑘 " 𝑑𝑡 ℏ 𝑑𝑘 " ℏ
1 𝑑" 𝐸
= − " " ×𝑒𝐸
ℏ 𝑑𝑘

8 9! :
La valeur ! associe 𝑎⃗ à la force −𝑒𝐸. Elle a donc la forme d’une masse que
ℏ 9; !
nous appellerons 𝑚∗ :

𝐸
𝑎⃗ = −𝑒 ∗
𝑚
Avec
%&
𝑑" 𝐸
𝑚 ∗ = ℏ"
𝑑𝑘 "
 Masse effective des électrons

si dans un cristal on attribue à un électron, au lieu de la masse m la masse

effective m*, on peut l’envisager comme un électron libre et décrire son
mouvement comme celui d’un électron libre placé dans un champ externe

On remplace par exemple à 1D :

ℏ" 𝑑 "
− +𝑈 𝑥 Φ'( 𝑥 = 𝐸'( Φ'( 𝑥
2𝑚 𝑑𝑥 "
Par
ℏ" 𝑑 "
− Φ 𝑥 = 𝐸'( Φ'( 𝑥
2𝑚∗ 𝑑𝑥 " '(
Et donc
𝑘"
"
𝐸=ℏ
2𝑚∗
 Masse effective négative – Notion de trou

On voit que la masse effective des électrons au k

voisinage du fond de la bande est positive et proche vg

de la masse de l’électron libre. Au milieu de la bande,

k
là où l’on observe l’inflexion de la courbe E(k) la
masse effective devient indéterminée. Près du
sommet de la bande la masse effective des électrons
m*
est négative
k
 Masse effective négative – Notion de trou

A cette place vide (qu’on appelle trou) est affectée une charge positive +q (son
déplacement sera opposé à celui des électrons lors de l’application d’un champ
électrique). La bande de valence étant toujours quasi-pleine (de N-1 électrons de
valence), l’étude du mouvement des particules dans cette bande sera simplifiée en
ne considérant que le mouvement du trou auquel on affectera une masse effective
mp. Physique des semi-conducteurs – A Chovet & P. Masson

Electron
libre

Liaison Trou
brisée libre

Figure II.9. Apparition d’un électron et d’un trou libre lors d’une rupture de liaison covalente.
 Semi-conducteurs de la colonne IV (Ge, Si)

un atome de Silicium qui s’associe avec quatre autres atomes de Silicium « verra »
huit électrons sur sa dernière couche. Une telle association est illustrée sur les
figures suivantes. On constate que si aucune liaison n’est brisée (par exemple à 0
K), il n’y a pas d’électrons libres, et donc le cristal est isolant.
Semi-conducteurs composés (III-V ou II-VI) - Réseau ʹʹZinc-blendeʹʹ

La figure suivante donne la représentation en deux dimensions du semi-

conducteurs GaAs dans lequel un atome de Ga prend quatre atomes de As
comme voisins et l’As quatre atomes de Ga. En réalité, le cristal se construit à
partir des ions Ga- et As+ qui ont tous quatre électrons périphériques.
 Structure atome isolé -> solide

on peut dire que les électrons d’un atome isolé prennent des niveaux discrets
d’énergie qui sont en fait constitués de sous-niveaux (ou sous-couches) ; mais
lorsqu’on rapproche deux atomes ces niveaux (ou sous-niveaux) vont se
dédoubler. En étendant ce raisonnement à N atomes, cette ′′dégénérescence′′
fait apparaître des bandes d’énergie permises, qui peuvent ′′s’interpénétrer′′ et
se séparer à nouveau lorsque la distance inter-atomique diminue donnant des
bandes d'énergie interdite, de largeur EG (′′Gap′′).
 Structure atome isolé -> solide

Pour une température différente de 0 K un électron de la BV peut recevoir

suffisamment d’énergie pour passer dans la BC (un trou apparaît alors dans la BV)
et rendre possible la conduction électrique. Le matériau n’est plus isolant ; mais
plus Eg sera grand plus le nombre de ′′porteurs libres′′ (électrons dans la BC ou
trous dans la BV) sera faible, et plus le matériau sera isolant.
 Conduction par électron ou par trou

Si on apporte une énergie (thermique ou lumineuse) suffisante

On fait passer des électrons de la bande de valence à un état situé dans la bande de
conduction

Ces électrons sont ′′libres′′ (ils ne participent plus à une liaison cristalline) et
peuvent, par contre, participer à la conduction électrique

-> particules quasi-libres dans le semi-conducteur car ils y subissent l’influence du

réseau.

Représentation de l’électron quasi-libre par une quasi-particule libre en lui affectant

une masse ′′effective′′ m*, mn pour l’électron différente de la masse m de l’électron
libre dans le vide
 Conduction par électron ou par trou

Il apparaît une case

(place) vide dans la
bande de valence
(correspondant à une
liaison non assurée) qui
peut être occupée par
un autre électron de la
BV

A cette place vide (qu’on appelle trou) est

affectée une charge positive +q
 Densité d’états

Au voisinage d’un extremum des bandes (BV ou BC), on peut approcher les relations de
dispersion E(k) par un développement limité : par exemple au voisinage d’un minimum
de la BC on pourra écrire :

1 𝑑" 𝐸 "
𝐸 𝑘 = 𝐸) + 0 + 𝑘 +⋯
2 𝑑𝑘 "

Ou avec 𝑝⃗ = ℏ𝑘 𝑜𝑢 𝑑𝑝" = ℏ" 𝑑𝑘 "

1 𝑑" 𝐸 " 𝑝"
𝐸 𝑝 − 𝐸) = 𝑝 +⋯=
2 𝑑𝑝" 2𝑚'
 Densité d’états

Dans le chapitre 2, nous avons calculé la densité d’état en fonction de l’énergie

des électrons libres. Nous utiliserons ici la masse effective mn des électrons :
*/"
𝑉 2𝑚'
𝑔 𝐸 = " 𝐸&/"
2𝜋 ℏ"

On peut ainsi calculer le nombre de places disponibles (occupées ou non) par

les électrons (dans la BC) et les trous (dans la BV).

Cette densité d’états s’obtient par exemple pour les électrons (dans la BC) en
prenant le bas de la bande de conduction comme référentiel :

*/"
𝑉 2𝑚'
𝑛) 𝐸 = " 𝐸 − 𝐸)
2𝜋 ℏ"
 Densité d’états

De même pour les trous dans la bande de valence, on obtient en prenant le

haut de la bande de valence comme référentiel :
*/"
𝑉 2𝑚-
𝑛, 𝐸 = " 𝐸, − 𝐸
2𝜋 ℏ"
 Semi-conducteur à l’équilibre

La fonction fn(E) est la probabilité d’occupation (à l’équilibre) d’un niveau d’énergie E

par un électron et elle est donnée par (statistique de Fermi-Dirac) :
1
𝑓./ 𝐸 = 𝑓' 𝐸 =
𝐸 − 𝐸.
1 + 𝑒𝑥𝑝( )
𝑘0 𝑇

𝑛𝑏𝑟𝑒 𝑑𝑒 𝑐𝑎𝑠𝑒𝑠 𝑜𝑐𝑐𝑢𝑝é𝑒𝑠 𝑝𝑎𝑟 𝑙𝑒𝑠 é𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑠 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑒 𝐸 𝑒𝑡 𝐸 + 𝑑𝐸

𝑓' 𝐸 =
𝑛𝑏𝑟𝑒 𝑑𝑒 𝑐𝑎𝑠𝑒𝑠 𝑑𝑖𝑠𝑝𝑜𝑛𝑖𝑏𝑙𝑒𝑠

𝑛 𝐸 𝑑𝐸
𝑓' 𝐸 =
𝑛) 𝐸 𝑑𝐸
 Semi-conducteur à l’équilibre

EF étant le niveau de Fermi, qui correspond à une probabilité d’occupation égale

à 1/2, quelle que soit la température T. La figure suivante donne l’évolution de
fn(E) en fonction de la différence 𝐸 − 𝐸. et de la température. Elle permet de
constater que sa valeur varie plus ou moins rapidement de 1 à 0 en passant
toujours par 0,5 pour 𝐸 − 𝐸. = 0.

La probabilité fp(E) qu’un niveau E soit

occupé par un trou est complémentaire de
la probabilité fn(E) :
𝑓- 𝐸 = 1 − 𝑓' 𝐸
 Semi-conducteur à l’équilibre

𝑓- 𝐸 = 1 − 𝑓' 𝐸

𝐸 − 𝐸. 𝐸 − 𝐸.
1 1 + exp −1 exp
𝑘0 𝑇 𝑘0 𝑇
𝑓- 𝐸 = 1 − = =
𝐸 − 𝐸. 𝐸 − 𝐸. 𝐸 − 𝐸.
1 + exp 1 + exp 1 + exp
𝑘0 𝑇 𝑘0 𝑇 𝑘0 𝑇

Finalement
1
𝑓- 𝐸 =
𝐸 −𝐸
1 + exp .
𝑘0 𝑇

Dans le cas où la différence E-EF est supérieure à quelques kBT, l’équation se

simplifie en constatant que le terme en exponentiel est fortement supérieur à
1 ce qui correspond à la statistique de Boltzmann.
 Cette
Cette courbe
courbe montre
montre quequepourpour
desdes valeurs
valeurs élevées
élevées de de l’énergie
l’énergie situ
situées
Semi-conducteur
probabilité
probabilité d’occupation
d’occupation àdel’équilibre
Fermi
de Fermi se ramène
se ramène à celle
à celle de Boltzmann.
de Boltzmann. Dans
Dans l’aul
E EEF EF
expexp
kT kT E EEF EF
𝑓'EF𝐸EFE= E kT kT 1 1 1a(E≈ a)(E𝑒𝑥) 𝑝( − 𝐸 − 𝐸. expexp 1 1
𝐸 − 𝐸. 𝑘0 𝑇E XEEF EF kT kT
1 + 𝑒𝑥 𝑝( Y 1 1expexp
𝑘0 𝑇
kT kT

1 1
a(E)a(E) Boltzmann
Boltzmann Boltzmann
Boltzmann
fn(E)
expexpE EEF EF expexpE EEF EF
1/21/2 kT kT kT kT

0 0
EF EF E E EF
Figure
Figure 23 23 : approximation
: approximation de Boltzmann
de Boltzmann pourpour
des des Figure
Figure 24 :24approximation
: approxima
énergies
énergies supérieures
supérieures à celle
à celle du niveau
du niveau de Fermi.
de Fermi. énergies
énergies inférieures
inférieures à ced
à celle
 1 1 E EEF EF
(Ea)(E) expexp Semi-conducteur
1 1 à (38)
(38)
l’équilibre
E EEF EF kT kT
expexp
kT kT

tre
queque pour
pour desdes valeurs
valeurs élevées
élevées de de l’énergie
l’énergie situées
situées au au dessus
dessus de de
EF, Ela
F, la
Dans le cas où E-EF est inférieur à quelques -kBT (⇔EF−E supérieur à quelques
ation
on de Fermi
de Fermi se aramène
se on
k T) ramène à celle
à celle de Boltzmann.
de Boltzmann.
l’approximation : Dans
Dans
suivante l’autre
l’autre situation
situation : :
B
E EEF EF
expexp
kT kT E EEF E1F
1a(Ea)(E) 𝑓 exp
𝐸 exp
= (39) 𝐸. − 𝐸 )
1 1 ≈(39)
𝑒𝑥𝑝(−
E EEF EF- kT kT 𝐸 − 𝐸 𝑘0 𝑇
1 1expexp 1 + exp .
kT kT 𝑘0 𝑇

1 1 1
Boltzmann
Boltzmann Boltzmann
Boltzmann 1 - 1a(E)
- a(E)
fp(E)
expexpE EEF EF E EEF EF
expexp
1/2 kT kT kT kT 1/2 1/2

0 0 0
F EF E E EF EF E E
nation de Boltzmann
de Boltzmann pourpour
des des Figure
Figure 24 :24approximation
: approximation de Boltzmann
de Boltzmann pourpour
des des
ecelle du niveau
du niveau de Fermi.
de Fermi. énergies
énergies inférieures
inférieures à celle
à celle du niveau
du niveau de Fermi.
de Fermi.
 changer le comportement électrique du matériau considéré. Il faudra donc connaître parfaitement le
nombre absolu d’électrons dans les couches et leur variation relative pour appréhender les

Semi-conducteur intrinsèque
phénomènes de conduction.

3°) Semiconducteur à une température T≠0

L’acquisition d’énergie thermique permet à certains électrons de peupler des niveaux d’énergie
supérieurs au niveau de Fermi au détriment des niveaux inférieurs. Dans le cas d’un matériau
Un semi-conducteur estmodification
isolant à T = 0K, cette dit intrinsèque lorsque
peut apporter une grande lede comportement.
différence cristal n’est pas pollué
Considérons les deux bandes de valence et de conduction et considérons que le niveau de Fermi,
(volontairement ou non) par des impuretés pouvant changer la concentration en
EF, qui sera calculé plus tard, se situe à l’intérieur de la bande interdite du matériau. La figure 28

porteurs libres.
montre comment un électron quittant la bande de valence peut atteindre la bande de conduction en
respectant la statistique de remplissage des niveaux énergétiques. On crée simultanément un déficit
dans la bande de valence et un excès dans la bande de conduction. Les électrons situés à cette
température dans la bande de conduction peuvent participer à la conduction du matériau ; dans la
on définit une concentration intrinsèque n (égale aux concentrations n
suite nous verrons que le déficit en électrons dans lai bande de valence peut aussi contribuer à des
et p)
phénomènes de conduction.
E E

Bande de conduction
apport
EC

EF Transfert d’un
électron
EV déficit

Bande de valence

0 1/2 1 f(E)
Densité d’états d’énergie
Figure 28 : Influence de la température sur la distribution des électrons dans les bandes de
valence et de conduction. Les électrons ayant quitté la bande de valence, et donc leur état
lié, atteignent la bande de conduction.
 Semi-conducteur intrinsèque

La concentration en électrons libres à l’équilibre n0 est donc obtenue en

sommant, pour tous les niveaux d’énergie de la bande de conduction, le produit
de la densité d’états nC(E) (nombre de places disponibles dans la BC) par la
probabilité d’occupation de ces places fn(E).

2"#$ 3
𝑛1 = \ 𝑛 𝐸 𝑑𝐸 = \ 𝑛) 𝐸 𝑓' 𝐸 𝑑𝐸 = \ 𝑛) 𝐸 𝑓' 𝐸 𝑑𝐸
0) 2! 2!

on considère que le semi-conducteur n’est pas dégénéré, c’est-à-dire que le

niveau de Fermi reste dans la bande interdite en respectant les inégalités EC−EF
>qqs kBT et EF−EV > qqs kBT.
 Semi-conducteur intrinsèque

En utilisant alors l’expression correspondante de fn(E) dite approximation de

Boltzmann et celle de nC(E) on intègre l’équation précédente

Pour nC(E)

*
1 2𝑚' " & ⁄"
𝑛) (𝐸) = 𝐸 − 𝐸)
2𝜋 " ℏ"
 Semi-conducteur intrinsèque

On aura aussi :

𝐸 − 𝐸.
𝑓' 𝐸 = ex p( − ]
𝑘0 𝑇
Donc :
*
1 2𝑚' " 3 &⁄" ex p(
𝐸 − 𝐸.
𝑛1 = \ 𝐸 − 𝐸) − )𝑑𝐸
2𝜋 " ℏ" 2! 𝑘0 𝑇

*
1 2𝑚' " 3 &/"
𝐸 − 𝐸.
𝑛1 = " \ (𝐸 − 𝐸) ) exp(− )𝑑𝐸
2𝜋 ℏ" 2! 𝑘0 𝑇
*
1 2𝑚' " 3 &/"
−𝐸) + 𝐸) + 𝐸 − 𝐸.
𝑛1 = " \ (𝐸 − 𝐸 ) ) exp(− )𝑑𝐸
2𝜋 ℏ" 2! 𝑘0 𝑇
*
1 2𝑚' " 𝐸) − 𝐸. 3 &/"
𝐸 − 𝐸)
𝑛1 = " exp(− ) \ (𝐸 − 𝐸) ) exp(− )𝑑𝐸
2𝜋 ℏ" 𝑘0 𝑇 2! 𝑘 0 𝑇
 Semi-conducteur intrinsèque

2%2!
On pose 𝑥 = , on aura donc 𝑥 &/" 𝑘0 𝑇 = 𝐸 − 𝐸) et 𝑘0 𝑇𝑑𝑥 = 𝑑𝐸
(% 5

$
)
1 2𝑚# " 𝐸% − 𝐸& $/" 1 (𝑥)*/" e+, 𝑑𝑥
𝑛! = exp(− ) 𝑘' 𝑇
2𝜋 " ℏ" 𝑘' 𝑇 !

L’intégrale suivante est connue et tabulée

3
𝜋
\ (𝑥)&/" e%6 𝑑𝑥 =
1 2
 Semi-conducteur intrinsèque

Finalement
𝐸) − 𝐸.
𝑛1 = 𝑁) ×𝑓' 𝐸) = 𝑁) ×exp(− )
𝑘0 𝑇

Avec
*
&/"
1 𝜋 2𝑚' 𝑘0 𝑇 "
𝑁) = "
2𝜋 2 ℏ"

*
𝑚' 𝑘0 𝑇 "
𝑁) = 2
2𝜋ℏ"

où NC (cm-3) est la densité équivalente d’états dans la bande de conduction ramenée en EC.
 Semi-conducteur intrinsèque
Pour trouver la densité de trous dans la bande de valence il faut procéder de la même
façon que pour les électrons mais en utilisant la densité d’états nV(E) et la probabilité
d’occupation fp(E).
2( 2(
𝑝1 = \ 𝑝 𝐸 𝑑𝐸 = \ 𝑛, 𝐸 𝑓- 𝐸 𝑑𝐸 = \ 𝑛, 𝐸 𝑓- 𝐸 𝑑𝐸
0) 2"&' %3

où p(E) est la densité énergétique des trous dans la bande de valence. Les expressions
de nV(E) (voir densité d’états) et de fp(E) pour le cas d’un semi-conducteur non
dégénéré permettent d’intégrer l’équation précédente.
𝐸. − 𝐸,
𝑝1 = 𝑁, 𝑓- 𝐸, = 𝑁, exp(− )
𝑘0 𝑇

où NV(cm-3) est la densité équivalente d’états dans la bande de valence ramenée en

EV.
*
𝑚- 𝑘0 𝑇 "
𝑁, = 2
2𝜋ℏ"
 Semi-conducteur intrinsèque

La figure suivante montre la répartition qualitative des électrons et des trous libres
dans la BC et la BV.
 Semi-conducteur intrinsèque

En multipliant la densité d’électrons par la densité de trous on obtient un résultat

indépendant de la position du niveau de Fermi (et donc du dopage). Cette loi est
appelée ′′loi d’action de masse′′ :

𝐸) − 𝐸, 𝐸7
𝑛1 𝑝1 = 𝑁) 𝑁, exp − = 𝑁) 𝑁, exp −
𝑘0 𝑇 𝑘0 𝑇

Dans un matériau intrinsèque, donc avec EF=EFi , les concentrations en porteurs

libres sont égales à la concentration intrinsèque de porteurs ni ce qui permet
d’écrire
𝐸) − 𝐸.8
𝑛8 = 𝑛1 = 𝑝1 = 𝑁) × exp −
𝑘0 𝑇
Et
𝐸7
𝑛1 𝑝1 = 𝑁) 𝑁, exp − = 𝑛8 " (𝑇)
𝑘0 𝑇
 Semi-conducteur intrinsèque

Et
𝐸7
𝑛1 𝑝1 = 𝑁) 𝑁, exp − = 𝑛8 " (𝑇)
𝑘0 𝑇

Ce résultat permet d’exprimer la concentration intrinsèque de porteurs :

𝐸7
𝑛8 𝑇 = 𝑁) 𝑁, exp −
2𝑘0 𝑇

Comme 𝑁, et 𝑁) sont proportionnels à 𝑇 */" , on aura 𝑁) 𝑁, proportionnels à 𝑇 *

𝐸7
𝑛8 𝑇 ∝ 𝑇 */" exp −
2𝑘0 𝑇
 Semi-conducteur intrinsèque

On exprime aussi le niveau de Fermi intrinsèque en fonc7on de NC et NV en égalant ni et n0 ou p0.

𝐸) − 𝐸.8 𝐸7 𝐸) − 𝐸,
𝑁) × exp − = 𝑁) 𝑁, exp − = 𝑁) 𝑁, exp −
𝑘0 𝑇 2𝑘0 𝑇 2𝑘0 𝑇

𝐸) − 𝐸.8 𝑁) 𝑁, 𝐸) − 𝐸,
exp − = exp −
𝑘0 𝑇 𝑁) 2𝑘0 𝑇

𝐸) − 𝐸.8 𝑁, 𝐸) − 𝐸,
− = ln + (− )
𝑘0 𝑇 𝑁) 2𝑘0 𝑇

𝑁, 𝐸) − 𝐸,
−𝐸) + 𝐸.8 = 𝑘0 𝑇× ln −
𝑁) 2
 Semi-conducteur intrinsèque

𝑁, 𝐸) − 𝐸,
𝐸.8 = 𝐸) + 𝑘0 𝑇× ln −
𝑁) 2

𝐸) + 𝐸, 𝑘0 𝑇 𝑁,
𝐸.8 = + ln
2 2 𝑁)

On voit donc qu’à T=0K, pour un semi-conducteur intrinsèque, le niveau de Fermi se

situe au milieu de la bande interdite.
 Semi-conducteur intrinsèque

On peut de plus écrire que :

𝐸) − 𝐸. = (𝐸) −𝐸.8 ) + (𝐸.8 − 𝐸. )

Si la concentration en porteurs négatifs 𝑛1 n’est pas celle d’un SC intrinsèque

𝑛8 , on aura

𝐸) − 𝐸. (𝐸) −𝐸.8 ) + (𝐸.8 − 𝐸. )

𝑛1 = 𝑁) × exp − = 𝑁) × exp −
𝑘0 𝑇 𝑘0 𝑇

(𝐸) −𝐸.8 ) (𝐸.8 − 𝐸. )

𝑛1 = 𝑁) × exp − exp −
𝑘0 𝑇 𝑘0 𝑇

(𝐸. − 𝐸.8 )
𝑛1 = 𝑛8 𝑇 × exp
𝑘0 𝑇

On voit donc que si 𝑛1 > 𝑛8 𝑇 alors on aura 𝐸. > 𝐸.8 , le niveau de Fermi se décale
vers la bande de conduction.