Chapitre 5 : Photolithographie
I. Introduction
La photolithographie est l'étape qui nécessite le plus de précision dans la fabrication des
circuits intégrés. Elle comporte deux étapes, la conception du masque et le transfert de
son image à la surface de la plaquette de silicium. C’est de la précision au cours de cette
étape que dépend la dimension des composants et des espaces qui les séparent. Plus les
dimensions des composants sont petites, plus l’espace qui sépare leurs diverses parties est
petit plus on peut intégrer des éléments dans un seul circuit.
II. Photolithographie
C'est le transfert d'un dessin sur une plaque de verre à la surface d'une plaquette de
silicium. C'est un procédé qui ressemble au procédé de développement photographique. Il
comporte 3 étapes : l'étalement d'une émulsion photosensible, une exposition et un
développement.
Pour cela on utilise une résine photosensible qui s'appelle photorésine. On distingue les
photorésines négatifs, qui polymérisent à la lumière et les photorésines positifs qui
dépolymérisent à la lumière. Les deux types de photorésines sont bons pour toutes les
étapes de fabrication des circuits intégrés, mais il est préférable d'utiliser l'une ou l'autre
suivant les étapes. Chaque modèle de photorésine est convenable pour une radiation
d'insolation donnée (U.V., U.V. lointain, visible, laser, X, microscope électronique). On
distingue aussi les photorésines qui sont utilisés pour le décapage par voie sèche (plasma)
ou par voie humide (acide).
Les photorésines utilisés dans les circuits intégrés sont caractérisées par :
- leur facilité d'application,
- leur capacité d'adhésion pour garantir une résistance au décollement après
séchage,
- leur résolution optique, c'est-à-dire, la dimension du plus petit détail du masque
qui peut être transféré sur la résine,
- la photosensibilité,
- leur facilité d'enlèvement lorsqu'on n'en a plus besoin.
L'application de la résine photosensible se fait de diverses manières. L'application par
spin reste la plus répandue ; elle consiste à placer la plaquette sur un support où elle est
maintenue par une ventouse et à faire tourner le support à grande vitesse (Fig. 5.1) ; la
résine est déposée sur le milieu de la plaquette sous forme de goutte qui s'étale sur la
surface par la force centrifuge et couvre toute la surface par un film mince. Dans ce
processus il faut garantir une couverture totale et homogène. La viscosité de la résine est
d'une grande importance pour une couverture homogène de la plaquette, elle est
influencée par les conditions de température et d'humidité. D'autres méthodes
d'application sont possibles telles que la pulvérisation du produit ou le trempage de la
plaquette.
Fig. 5.1 : Schéma d’une installation d’étalement de photorésine sur une plaquette (vitesse
de rotation : 3000 T/mn).
Les étapes d'utilisation des photorésines sont :
1) préparation du substrat : oxydation, CVD, métallisation, ...
2) préparation de la surface : nettoyage, assèchement,
3) application de la photorésine : spin, pulvérisation, trempage, etc.
4) recuit doux : recuit à 210° C pour éviter l'écoulement pendant les manipulations de
l'exposition,
5) exposition à l'illumination U.V. (alignement et répétition),
6) développement : dissolution de la photorésine non polymérisé,
7) inspection visuelle,
8) recuit dur : en vue de durcir la photorésine pour le rendre plus résistant à l'attaque
chimique.
9) attaque chimique : décapage pour enlever l'oxyde ou le métal
10) enlèvement de la photorésine : acide, solvant organique,
11) inspection visuelle.
Pour attaquer l'oxyde de silicium on utilise l'acide fluorhydrique. Pour attaquer
l'aluminium on utilise l'acide phosphorique, l'acide acétique, l'acide nitrique. Pour enlever
le nitrure Si3N4 on utilise l'acide phosphorique. La résine doit pouvoir résister aux acides
utilisés.
III. Alignement des masques
L’exposition se fait par application du masque sur la surface de la plaquette ou par
projection de l’image du masque sur la plaquette par un système optique (Fig. 5.2). Les
différents masques comportent une marque type vernier (Fig. 5.3). Toutes les marques de
tous les masques doivent être superposées avec précision. Chaque fois qu'un masque est
utilisé, on ajuste la position sous microscope jusqu’à ce que les marques du masque et
celles sur la plaquette soient parfaitement superposées, on effectue l’exposition aux UV.
Fig. 5.2 : Schémas de l'exposition par proximité (a) par contact (b) et par projection (c):
1, source lumineuse ; 2, condenseur ; 3, masque photographique ; 4, photorésine ; 5,
plaquette de silicium ; 6, table ; 7, filtre de lumière ; 8, objectif de projection
Dans le cas d’une sous-exposition des résines, des particules restent sur la surface après
l’attaque chimique, l’ombre du masque risque de ne pas se reproduire exactement sur la
résine. Dans le cas d’une sur-exposition, la lumière diffusée insolera une plus grande
surface de la résine et la partie attaquée chimiquement aura des dimensions différentes
que celles prévues (plus importantes dans le cas d’une résine positive et plus faibles dans
le cas d’une résine négative).
La durée de l’attaque chimique du SiO2 avec l’acide fluorhydrique est importante pour
les mêmes raisons que celle de l’exposition à la lumière. Une trop longue durée de
l’attaque chimique donne naissance à une attaque sous la résine qui agrandit la fenêtre par
où aura lieu la diffusion. Le dépassement des dimensions du trou de l’oxyde par rapport à
celle du trou de la résine s’appelle undercut. (Fig. 5.4) (Fig. 5.5)
Fig. 5.3 : Schéma d’un microscope pour l’exposition des photorésines.
Fig. 5.4 : effet d’une longue durée de l’attaque chimique sur la fenêtre dans l’oxyde de
silicium. (a) masque positif; (b) masque négatif. PR : photorésine
Fig. 5.5 : Vitesse de décapage de diverses épaisseurs d'oxydes en fonction de la
température.
IV. Dimensions et tolérances
Lors des diverses étapes de la lithographie, des erreurs de dessin ou de reproduction des
détails des masques se produisent. Le tableau 5.1 donne les composants finaux de la
tolérance dans les alignements des masques. La tolérance finale associée au placement
d’un détail impliquant deux masques est égale à la tolérance de l’alignement d’un masque
plus celle due à l’alignement effectué par l’opérateur.
Table 5.1 Composantes de la tolérance d'alignement du masque en μm
Exercice
5.1- En photolithographie, qu’est ce qu’une résine photosensible positive et une résine
photosensible négative ?
5.2- Par quel procédé met-on en œuvre une résine photosensible ?
5.3- Par ce procédé on peut étaler un polymère sur un substrat. Quels sont alors les
principaux paramètres qui jouent sur l’épaisseur de la couche obtenue ?
5.4- Les 15 schémas de la page ci-contre sont les séquences de fabrication de deux
composants intégrés. Ils ont été disposés d’une manière totalement aléatoire.
• Donner le nom complet des deux composants.
• Ecrire les numéros dans l’ordre dans une seule ligne, séparés par un tiret.
• Ecrire dans une colonne le numéro de chaque schéma suivi de l’opération.
• Dessiner le masque de l’opération 7.
.
(1) (8)
(2) (9)
(3) (10)
(4)
(11)
(12)
(5)
(6) (13)
(7) (14)
(15)
