TRANSISTOR BIPOLAIRE

Circuit à 2 diodes discrètes

RC

Bloquée

IB RB
VCC
(10V)

IB Passante
VBB
(5V)
 TRANSISTOR BIPOLAIRE
Constitution

• Transistor NPN: 2 diodes, avec l’anode commune, dans un même cristal

Emetteur N P N Collecteur

Base
 EFFET TRANSISTOR

IE=IC+IB RC
IC>>IB IC
IEIC C

N P N
IB RB B
VC
(10V)

IE
VB E
(5V)
 EFFET TRANSISTOR

IE=IC+IB
IC =β0IB IC RC
>>IB
IEIC
C

IB Passante
RB
B
VCC
Passante
(10V)

E
VBB
IE
(5V)
 Transistor PNP

• Transistor PNP: 2 diodes, avec la cathode commune, dans un même cristal

émetteur P N P Collecteur

Base
 Conditions de fonctionnement linéaire
Jonction d’entrée en directe et jonction de sortie en inverse
Effet Transistor

E C
N P N

VB-VE>0,6V VB-VC<0,6V
B
Jonction d’entrée en direct et jonction de sortie en inverse
Effet Transistor

E C
N P N
VB-VE>0,6V VB-VC<0,6V
B
 HISTORIQUE

Le transistor a été inventé en 1948 par les Américains BARDEEN, SHOCKLEY et

BRATTAIN.

Les inventeurs Le premier transistor

BROCHAGE
TYPES DE TRANSISTORS
 TRANSISTOR BIPOLAIRE
Symboles

Transistor NPN Transistor PNP

Collecteur C C

Base B
B

Emetteur E E
 RELATIONS EN REGIME CONTINU

IC

RC
VCC
IB RB
VCE
VBB

IE

VBB=RBIB+VBE  RBIB+0.6
IC=0IB
IE=IC+IB IC
VCC=RCIC+VCE
 Une analogie hydraulique

-Un courant d’eau IB assez faible permet l'ouverture

du "robinet" (B), ce qui provoque via l'émetteur (E)
l'écoulement d'un fort courant Ic en provenance du
réservoir collecteur (C).

- Lorsqu’on augmente IB, on remarque que Ic

augmente (jusqu’à l’ouverture totale du robinet).

-Lorsque le "robinet" est complètement ouvert, le

courant Ic est maximal: On parle d’un phénomène
de saturation.

- On a toujours: IE = Ic + IB.
Le débit plus ou moins grand dans le canal Base entraine
l’ouverture plus ou moins importante de la trappe, contrôlant ainsi le
débit du collecteur vers l’émetteur.
Courants et tensions dans le transistor
Cas du NPN

N
IC
VC B
B
IB IB, IC, IE positifs
P VCE
VBE, VCE,VCB
positifs
VB
VBE  0.6V
E IE
N
 Cas du PNP

P
IC IB, IC, IE positifs
VB C
C
VEB, VEC,VBC
IB positifs
N VEC
VEB = 0.7V

VE
B IE
P
 CARACTERISTIQUE D ’ENTREE
IB=f(VBE) à VCE=cste

I IB
IC VCE=1

VCE=10V
RC

IB RB
I VCE VCC
V

VBB V
IE
VBE
 Diode B-E d’entrée

IB

IBM M

VBE
VBE0 VBEM
Modélisation du circuit d’entrée du transistor
IB

rbe
IB

VBE VBE
VBE0

rbe = résistance de la diode base-émetteur

VBE0 = 0.6V
 Modèle simplifié de l’entrée du transistor

Le courant de base est généralement de valeur très faible (qq uA). La chute de tension
rbe.IB peut être négligée devant VBE0=0.6V.
La diode B-E est alors assimilée à une source de tension parfaite et on peut alors
écrire:

VBE VBE0= 0.6V  IB

 CARACTERISTIQUE DE SORTIE
IC=f(VCE) à IB=cste

I
IC

RC
VCC
IB RB
I VCE V
VBB
IE
Caractéristique de sortie: zones de fonctionnement

IC

IB = IB1
Ic = ᵝ * IB1

Zone de fonctionnement
linéaire
Zone de Claquage
ou d’avalanche

VCE

Zone de saturation VCE0

 Fonctionnement linéaire:
Relations entre courants

IC
β0 = = Gain statique en courant
IB
IE = IB + Ic

β 0  50 (entre 100 et 300) et IC = β 0 I B  I B

 on néglige I B devant IC  I E  Ic
 MODELE DU CIRCUIT DE SORTIE EN REGIME CONTINU

• Sans tension d ’Early

IC
IC

IB
0IB VCE
VCE
 MODELE EN  SIMPLIFIE

IB IC

rbe

VBE 0IB VCE

VBE0
 RESEAU DE CARACTERISTIQUES

Caractéristiques de sortie idéalisées

IC

IB1

IB2

IB3

IB4

IB5

IB6
VCE
Caractéristiques réelles de sortie

IB = 0
 Droite de commande et point de fonctionnement

IB
RC
VCC
IB= IS(e VBE
) RB
26mV

VBB

VBB/RB

RB IB

M1
IBM Droite de commande V
BB
VBB = RB.IB + VBE
VBE

VBE
VBB
VBE0 VBEM
 Droite de charge de sortie et point de fonctionnement

RC
VCC
RB

VBB

VCC/RC

Droite de charge
VCC = RC.IC + VCE
 Droite de charge de sortie et point de fonctionnement

RC
VCC
RB

VBB

VCC/RC
 TRANSISTOR BIPOLAIRE EN REGIME STATIQUE

EXEMPLE DE CALCUL

VBB =5V, VCC = 10V

IC RC=500W, 0 = 100
1/ Calculer RB pour IB=100uA
RC IC? VCE?
VCC Représenter la droite de charge de
IB RB
VCE Sortie et le point de fonctionnement.

VBB VBE 2/ On adopte la valeur RB trouvée.

On modifie RC et on prend RC=10kW.
Calculer la nouvelle valeur de IC et le
gain en courant IC / IB.
1/ Le transistor est en régime statique car tous les générateurs sont continus
Lorsque le transistor est passant, on fait l'approximation de prendre VBE =0.6V quelle que soit
la valeur du courant IB (diode base-émetteur assimilée a une source de tension parfaite)
Equation de maille d'entrée: VBB =RBIB +VBE  VBB =RBIB +0.6
VBB − 0.6 5 − 0.6
RB = ; On veut IB = 100  A  RB = = 44k W
IB 10-4
Supposons le transistor en mode de fonctionnement linéaire IC (IC proportionnel à IB ):
IC =0IB = 100 * IB = 10mA
L'équation de la maille de sortie (VCC, R C, VCE ) s'écrit: VCC =RCIC +VCE
VCE = VCC -RCIC = 5V (RC =500W): résultat cohérent: 0 < VCE < VCC

IC(mA)

VCC/RC Droite de charge d’équation: VCC=RC.IC + VCE

IC=10mA
VCE
VCE=5V VCC
2/ RB = 44k W et IB = 100  A
Faisons l'hypothèse que le transistor en mode de fonctionnement linéaire IC (IC proportionnel à IB ):
IC =0IB = 100 * IB = 10mA
L'équation de la maille de sortie (VCC, R C, VCE ) s'écrit: VCC =RCIC +VCE
VCE = VCC -RCIC = 5 -(5.103 )(10 -2 ) = -45V: résultat aberrant car: VCE doit etre  0
L'hypothèse posée est donc fausse: fonctionnement non linéaire
Transistor saturé ou bloqué.
Comme VBB = 5V > 0.6V, transistor saturé et non bloqué.
VCC 10 I
Donc VCE =0V et IC = = = 2mA; et C = 20 < 0 .
RC 5.103 IB
 Amplificateur de courant continu: cde d’une LED
La tension de sortie sur une broche d’un circuit intégré peut valoir 5V qui correspond à l’état logique 1 ou 0V qui
correspond à l’état logique 0.

On souhaite visualiser cet état logique en utilisant une LED (5V LED allumée, 0V LED éteinte) qui émet un
éclairement convenable lorsqu’elle est parcourue par un courant égal à 20mA. La tension à ses bornes vaut
alors 2V. La tension de polarisation VCC du composant est de 5V.
Le courant fourni par ce circuit intégré ne peut pas excéder 300A.
Le montage 1 ne peut donc pas convenir puisque le courant extrait est largement supérieur à cette valeur.

On utilise alors le montage 2 et on demande de calculer les valeurs de RB et RC permettant un fonctionnement

optimal du transistor T. (β0 =100)
Pour VBB =0V, le transistor est bloqué car VBB <0.6V : IB =0 et IC =0
La LED est donc éteinte.
Pour VBB =5V, le transistor est passant et on souhaite un courant IC =20mA.
La puissance dissipée par effet Joule dans le transistor est égale à VCE .IC.
Pour la rendre nulle, la valeur du courant de commande IB doit etre suffisante pour que le transistor
soit utilisé en régime saturé (VCE =0).
Posons VCE =0. L'équation de la maille de sortie s'écrit:
VCC =RC .IC + VL +VCE avec IC =20mA , VL =2V, et VCE =0,
VCC - VL 5−2
d'où RC = = = 150W.
IC 20.10 −3
A la limite du régime linéaire on peut encore écrire IC =0IB .
IC 20mA
Le transistor sera en régime saturé si le courant d'entrée est tel que IB > = = 200  A
0 100
L'équation de la maille d'entrée s'écrit:
VBB -0.6
VBB =RB .IB + VBE = RB .IB + 0.6; d'où IB =
RB
VBB -0.6 V -0.6
La condition de saturation donne  200  A d'où RB < BB = 22kW
RB 200  A
D'autre part, la valeur maximale que peut délivrer le composant est de 300  A :
VBB -0.6 V -0.6
< 300μA d'où RB > BB = 14.6kW
RB 300  A
Il faut donc prendre une valeur de RB intermédiaire, par ex, RB =20k W.
 Méthodes de polarisation

Fixer les potentiels continus du transistor

pour choisir un point de fonctionnement.

Transistor NPN en régime linéaire si :

VB > VE (VB - VE  0.6 à 0.7)
VB < V C
 Polarisation: choix du point de
fonctionnement

On admet que le point de fonctionnement de

sortie ou point de repos optimal est situé au
milieu de la droite de charge:

VCE0=VCC/2
IC0=Icsat/2
 Polarisation par résistance de base
VCC

IC

RB RC
VCC
IB
VCE
VBE
IE
VCC=RB.IB+VBE
VCC=RC.IC+VCE
IC=0 IB
 Polarisation par résistance de base

VCC - 0.6
IC = β0
RB

•Le point de polarisation est tributaire de 0

• 0 dépend de la température
•  Point de polarisation instable
 VCC

IC

RB RC

VCC
IB
VCE
VBE
IE

Exemple: VCC=10V; RB=188kW, RC=1kW; 0=100

IC=5mA, VCE=5V
 Polarisation par réaction d ’émetteur

VCC

IC

RB RC

IB
VCE
VBE

VCC=RB.IB+VBE+ RE.IC RE
VCC=RC.IC+VCE+ RE.IC
 Polarisation par réaction d ’émetteur

VCC - 0.7
IC =
RB
RE +
β0

RB
Point de polarisation stable si RE 
β0 mini
 Polarisation par réaction d ’émetteur

IC

RB RC VCC
IB

VCC

2VCC=RB.IB+VBE+ RE.IC
2VCC=RC.IC+VCE+ RE.IC RE
Polarisation par réaction d ’émetteur

Alimentation symétrique

VCC+

RB RC

RE

VCC-
 Polarisation par pont de base

R1 RC
VCC

R2
RE
Polarisation par pont de base

R1 RC
VCC
IB VCC

VB
R2
RE
 Polarisation par pont de base

R1 RC
VCC
IB VCC

VB
R2
RE
 RC
R1//R2 VCC
IB

R2 VB
VCC
R1 + R2 RE

R2
VCC − VBE 0
R1 + R 2
IC =
R1//R 2
+ RE
β0
On choisira R1 et R2 telles que R1//R2<< 0minRE ou 0minRE > 10R1//R2 pour que IC soit
indépendant de 0

R2
VCC -VBE0
R1+R2
IC =
R1//R 2
+RE
β0

R2
VCC -VBE0
R1+R 2
IC =
RE
 Polarisation: exemple1 de calcul

0 = 100.

RC VCC = 15V
R1
R1=16kW R2 = 21.5kW
VCC
RC=1.5kW RE=4kW
Point de fonctionnement?
Droite de charge?
VB
R2 RE
 IC=2mA; VCE=4V

IC

VCC
IC = = 2.7 mA
R C +R E

IC=2mA

VCE
VCE=4V VCC=15V
 Polarisation: exemple2 de calcul

0 = 100.

RC 1kW VCC = 15V

R1
On veut:
VCC
- VCE =VCE0 = 7V
- IC = IC0 = 1mA.
R1, R2, et RE?
R2 RE
 Polarisation par miroir de courant

IB

R RC
IBM M
IP IB VCC

IP-IB
VBE

VBE
VBEM
 E C
P N P

E N P N C

B
 RC
R
IP
IC
IB2 IB1 VCC

VBE
TRANSISTOR EN REGIME SINUSOIDAL
PETITS SIGNAUX
 Modélisation en régime petits signaux

Circuit d’entrée
IC+ic IB
ib
RC

IB+ib RB VBB/RB
VCE+vce
e VBE+vbe
VBB
M1 Arctan(1/r
M0 )
vbe
ic

M2
RC

i b RB VBE
vce
VBB
e vbe
Modèle en entrée en régime sinusoïdal petits signau

ib

rbe

rbe = 26mV/IB=r
Modèle en sortie en régime sinusoïdal

IC+ ic

RC
VCC
IB+ ib RB
VCE+vce
e VBE+vbe
VBB
Modèle en  du transistor en régime sinusoïdal

b c

e e

r = 26mV/IB
Amplificateur de tension
sinusoïdale
AMPLIFICATION DE TENSION
Généralités
 Eléments d’amplificateur

Un amplificateur est un système électronique qui modifie un signal

d’entrée en augmentant son intensité, sa tension ou les 2.

Energie électrique continue

ie is
Rg
ve vs RL
eg

Générateur Quadripôle Charge

amplificateur
 Résistance d’entrée de l’amplificateur

ie is
Rg
ve Ze vs RL
eg

Générateur Quadripôle amplificateur Charge

On se place côté générateur (eg,Rg): Il ‘voit’ entre ses 2 points de sortie un

circuit qui présente une opposition au passage du courant débité. Une
opposition au passage du courant est traduite par une résistance ou
impédance, rapport d’une tension et d’un courant.
D’où Re ou Ze: impédance ou résistance d’entrée du quadripôle
Ze ou Re = ve/ie
 Gain en tension
Résistance de sortie de l’amplificateur

ie A is
Rg Zth
ve vs RL
eg eth

Générateur Quadripôle amplificateur Charge

On se place côté charge: elle ‘voit’ entre A et B un dipôle qui lui envoie un
courant, donc un générateur réel composé de sa f.e.m. et de sa résistance ou
impédance interne.
Ce générateur est en fait le générateur de Thévenin vu entre les 2 points.
 Gain en tension
Résistance de sortie de l’amplificateur

ie A Is=0
Rg Zth
ve vs
eg eth

Générateur Quadripôle amplificateur Charge nulle

Si on appelle Av0 le rapport vs/ve ou gain en tension à vide (sans RL) :

eth= vs-Zth.i = vs = Av0.ve
Rth ou Zth est la résistance de Thévenin entre A et B et prend le nom de
résistance ou impédance de sortie.
Modélisation de l’amplificateur

ie is

Rg Zs
ve Ze vs RL
eg Av0ve

Générateur Quadripole Charge

amplificateur

ve
Impédance d' entrée : Z e =
ie
 vS 
Impédance de sortie : Z S = 
 i 

 S  e g =0
 vS 
Gain en tension à vide : A v0 = 
v 

 e R L = 
 vS 
Gain en tension : A v = 
v 

 e R L
 iS 
Gain en courant : A i = 
i 

 e 
 Calcul de Ze et de ZS

1 - Calcul de Ze: on calcule le rapport ve/ie

2 - Calcul de ZS
• On enlève la charge. On la remplace par un générateur fictif
es.
• On court-circuite le générateur d ’entrée
• On calcule ZS=es/is

ie is
Rg Zs
ve Ze vs es
eg Av0ve
 Importance de la valeur de Ze (et de Zs)

ie is

Rg Zs
ve Ze vs RL
eg Av0ve

Soit un générateur (eg,Rg) donné. Quelle est la valeur de Ze qui permet

d’obtenir la tension maximale aux bornes de Ze?
Soit une charge RL donnée. Quelle est la valeur de ZS qui permet
d’obtenir la tension maximale aux bornes de RL?

On parle d’adaptation d’impédance.

 Importance de la valeur de Ze (et de Zs)

ie is

Rg Zs
ve Ze vs RL
eg Av0ve

RL
vs = A v0 .v e
R L + ZS
Ze RL Ze
ve = eg ; vs = A v0 . eg ;
Ze + R g R L + ZS Ze + R g
Ze RL
v s est maxi si max ( 1) et si max ( 1)
Ze + R g R L + ZS
Donc si Ze  R g ou si Ze très grande, et si R L  Zs ou Zs très petite
Amplificateur à transistor: éléments de montage

74
 Formes d’ondes

vc
vs
VC

vb
B

75
 Condensateur de couplage ou de découplage

Impédance du condensateur : ZC = 1
Cω

•Si =0 (grandeurs continues), ZC=  : condensateur= circuit ouvert

• Si  élevé, ZC=0 : condensateur=fil
Etude statique de l’amplificateur
(Seul VCC est appliqué)
Amplificateur sous l’effet du générateur sinusoïdal seul
 Modèle de l’amplificateur en régime sinusoïdal

i ib b c

Rg r ib

R1//R2 ve RC vs RL
e
eg
Caractéristiques de l’amplificateur

Re = R1 // R 2 //(r + RE )
RS = RC
βRC
A v0 = −
r
βRC // RL
Av = −
r
 Exemple

VCC

R1 RC C3 VCC=12V, =0=150, eg=0.02sin(t)

C1 R1=22kW, R2=6.8kW, RC=1.2kW, RE=560W
vS RL=12kW Rg=500W
Rg
ve RL
R2 RE C1=C2=C3=47F
C2
eg
Fréquence=1kHz

Exprimer vs(t).
 Etude en régime continu

IC=4mA
VCE=5V
r=975W

VB
Impédance de chaque condensateur:
Zc1= Zc2= Zc3=3 W
 ie is

Rg Zs
ve Ze vs RL
eg Av0ve