Corrigé de l’épreuve CNC physique I MP session 2007 par AIT BENALI
Conduction électrique sous champ magnétique
1ère partie :
Sonde à effet HALL
1.1 on a Z Z
I0 = ~ =⇒ ~j = I0 ~ux
~j.dS
ab ab
, les lignes de courant sont des droites parallèles à l’axe Ox :
1.2 B > 0
1.2.1 ~fL = q~v × B
~ = −qvB~uy , une déviation latérale selon Oy.
1.2.2 I0 étant positif alors :
si q > 0 donc v > 0 càd ~fL .~uy < 0 la face infranchissable y = 0 sera chargée positivement et la
face infranchissable y = a chargée négativement (par neutralité)
si q < 0 donc v < 0 càd ~fL .~uy < 0 la face infranchissable y = 0 sera chargée négativement et la
face infranchissable y = a sera chargée positivement (par neutralité)
cas q > 0 cas q < 0
1.2.3 les charges accumulées en surface créent un champ électrique s’opposant à l’effet de ~fL tel que
en équilibre :
~
~ h = − fL = vB~uy
~ h + ~fL = ~0 =⇒ E
qE
q
direction : Oy , sens : des charge positives vers les charges négatives
110
1.2.4 en régime établit statique
Z A Z 0
Vh = VA − VC = ~ h .d~` =
−E −vB~uy .dy~uy = vBa
C a
le signe de Vh est celui de v , donc aussi celui de q
1.2.5 on a ~j = nq~v = ab
I0 1 I0
~ux donc v = nq ab
soit :
I0 B
Vh = Rh
b
1.3 Applications
1.3.1
d0 e−
1.3.1.1 n = nombre
volume
= 1×nombre de Cu
volume
= ρN
M
A
= 8.49 1028 m−3
Rqe : la masse volumique est en kg.m−3
1 1
1.3.1.2 Rh = nq = −ne = −7.36 10−11 m3 .C −1
1.3.1.3 la tension de HALL Vh = −0.735 µV est tès faible , pour un fort champ magnétique B = 1 T ,
une forte intensité de courant I0 = 1 A et une faible épaisseur b = 0, 1 mm.
1.3.2
1.3.2.1 n(semi-conducteur) ¿ n(métaux)
1.3.2.2 on mesure la d.d.p de HALL à l’aide d’un voltmètre , or B = I0 bRh Vh ∝ Vh , par étalonnage
on détermine la constante de proportionnalité
2ème partie :
Loi d’OHM anisotrope
[mv] [kgm/s]
2.1 [τ ] = [f ]
= [kgm/s2 ]
= s , τ est un temps
2.2 ~j = ρm~v = nq~v
2.3 le PFD appliqué à la charge q dans le référentiel Galiléen s’écrit m d~
v
= − m~ v ~ + ~v × B)
+ q(E ~
dt τ
En régime permanent le terme de gauche est nul, tenant compte de 2.2 il vient :
~ = m ~j + 1 B
E ~ × ~j (2)
τ nq 2 nq
τ nq 2 1
où σ = m
> 0 et Rh = nq
2.4 B~ = B~uz .
2.4.1 la projection de la relation (2)donne :
Ex = jσx − BRh jy
jy
Ey = σ
− BRh jx
jz
Ez = σ
par remplacement il vient :
jx = 1+(τσωc )2 (Ex + τ ωc Ey )
jy = 1+(τσωc )2 (−τ ωc Ex + Ey )
jz = σEz
111
2.4.2
σ τ ωc σ
1+(τ ωc )2 1+(τ ωc )2
0
¯=
σ̄
−τ ωc σ
1+(τ ωc )2
σ
1+(τ ωc )2
0
0 0 σ
2.4.3 la conductivité des trois directions de l’espace est différente , le milieu est anisotrope !
ou dire que E ~ et ~j ne sont pas colinéaire
2.4.4 oui, le milieu est linéaire car les éléments de la matrice sont indépendant de E~
~ = ~0 =⇒ ωc = 0 =⇒ ~j = σ ¯1̄E
2.4.5 si B ~ = σE ~
On retrouve la loi d’Ohm isotrope !
3ème partie :
Effet CORBINO
3.1
3.1.1 non, car le potentiel n’est pas uniforme (Va > Vb ), il sera siège d’un courant électrique
3.1.2 les équipotentielle sont des cylindres r=cte =⇒ V=V(r)=⇒ E ~ = −− →
∇V (r) = E(r)~ur , les
invariances sont respectées
3.1.3 le théorème de GAUSS s’écrit :
I
Qint
E(r)~ur .dS~ur =
r=cte ε0
entre les deux cylindres Ca et Cb la densité de charge volumique est nulle en effet la conservation
de la charge en régime permanent , tenant compte de la loi d’Ohm :
~ =0
div(σ E)
~ =0
d’aprés l’équation de Maxwell-Gauss on obtient ρ = ε0 div E
E(r)
Ea
Eb
0 a b r
le théorème de Gauss devient pour a < r < b :
s
E(r)2πrh = ρa 2πah
ε0
soit :
ρs a
E(r) = a
ε0 r
112
3.1.4
ρsa
Ea = E(r = a+ ) =
ε0
Rqe : on retrouve la relation de passage en r=a (i.e le champ à l’intérieur du conducteur
parfait Ca est nul E(r = a− ) = 0)
3.1.5 Z a
ρsa a b ε0 Vab
Vab = Va − Vb = −Edr = ln( ) =⇒ ρsa = >0
b ε0 a a ln( ab )
3.1.6 il vient
~0 r<a
~ = Vab
E ~u
r ln( ab ) r
a<r<b
~0 r>b
3.1.7
ρsa a
Eb = E(r = b− ) =
bε0
dans le cas d’influence totale entre Ca et Cb on aura Qa = −Qb =⇒ ρsa 2πah = −ρsb 2πbh
soit
ρs
Eb = − b > 0
ε0
Rqe : on retrouve la relation de passage en r=b (i.e le champ à l’intérieur du conducteur parfait
Cb est nul E(r = b+ ) = 0)
3.1.8 la loi d’Ohm en absence de champ magnétique ~j = σ E ~ =⇒ les lignes de courants sont confon-
dues avec les lignes de champ radiales se dirigeant vers les potentiels décroissant
3.1.9 l’intensité du courant électrique
Z Z Z Z
~=
~j.dS Vab σVab
I0 = σ b ~ ur .dS~ur = 2πh
r=cte r ln( a ) ln( ab )
3.1.10
Vab ln( ab )
R0 = =
I0 2πσh
si h % R & l’association des tranches est parallèle
si ab % R % l’association des tranches est serie
~ = B~uz
3.2 B
113
3.2.1 la relation (2) se représente :
~ ~jRh |
|B×
3.2.2 tan θh = |~
j|
= σRh B
σ
3.2.3 la ligne de courant est donnée par :
~j × d~` = ~0 =⇒ jr rdθ = jθ dr
d’autre par la relation (2) projetée sur ~uθ donne :
1
0= jθ + Bjr Rh
σ
il vient donc
dr
−dθ = Rh Bσ (∗)
r
qui s’intégre en
θ0 − θ
r(θ) = r0 exp( )
Rh Bσ
partie :
d’une spirale exponentielle
si B = 0 alors (*) donne dθ = 0 soit θ ≡ θ0 , la ligne de courant est un segment (a < r < b)
radial et coı̈ncide avec celle du champ électrique !
~ = B~uz
Rqe : voici la représentation des lignes de courant en présence du champ magnétique B
3.2.4 :
114
~ × ~j
3.2.4.1 la relation (2) s’écrit ~j0 = ~j + σRh B
sachant que les deux termes de droites sont orthogonales et le module s’écrit :
j0
j02 = j 2 + (σRh B)2 j 2 =⇒ j = q = j0 cos θh
1 + (σRh B)2
3.2.4.2
j0
jr = j cos θh =
1 + (σRh B)2
3.2.5
3.2.5.1 l’intensité du courant électrique
Z Z Z Z
~=
~j.dS j0 2πrh I0
I= jr .dS = 2
=
r=cte r=cte 1 + (σRh B) 1 + (σRh B)2
3.2.5.2
Vab Vab
R= = [1 + (σRh B)2 ] = R0 [1 + (σRh B)2 ]
I I0
3.2.5.3 la variation relative de résistance s’écrit :
R − R0
δ= = (σRh B)2 > 0
R0
la résistance croit avec le champ magnétique en B 2 c’est l’effet magnéto-résistance
3.2.5.4 les lignes de courant sont allongées (spirales)=⇒ plus de frottement par le porteur de charge.
ou dire que les lignes de courants sont déviées =⇒ moins de courant qui va de Ca à Cb ,la ddp
étant la même.
3.2.5.5 δ = 2 10−5
3.2.5.6 δ = 0.5 (ou bien 50%)
l’effet magnéto-résistance se manifeste nettement mieux dans les semi-conducteurs que dans les
conducteurs métalliques !
fin du corrigé
115
