m iiiliilÉi CEA - R 3790

M
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

8.2

UTILISATION DE LA DIODE TUNNEL

POUR L'AMPLIFICATION
D'IMPULSIONS NANOSECONDES

par

Pierre CHARTIER

Centre d'Études Nucléaires de Grenoble

Rapport CEA-R-3790

1970 SERVICE CENTRAL DE DOCUMENTATION DU C.E.A

Ja*
C.E.N-SACLAY B.P. n"2, 91-GIF-sur-YVETTE-France
CEA-R-3790 - CHARTIER Pierre
UTILISATION DE LA DIODE TUNNEL POUR L'AMPLIFICA-
TION D'IMPULSIONS NANOSECONDES
Sommaire. - Une première partie présente, après une brève
revue des propriétés de la diode tunnel, une étude graphique
et analytique des amplificateurs à diode tunnel, pour les
configurations série, parallèle et se rie-parallèle. Le bruit
de fond y est également étudié.
La seconde partie décrit quelques réalisations pratiques
et indique les résultats des mesures effectuées sur le gain
et le bruit de fond.
1970 104 p.

Commissariat à l'Energie Atomique - France

CEA-R-3790 - CHARTIER Pierre

USE OF TUNNEL DIODE FOR NANOSECOND PULSE
AMPLIFICATION
Summary. - In a first part, after a brief review of tunnel
diode properties, the paper presents graphic an analytic in-
vestigations of series, shunt and compound connected tunnel
diode amplifiers. A study of the noise problem is given.
In a second part, practical realizations are described
and results of measurements of their gain and noise charac-
teristics are presented.
1970 104 p.

Commissariat à l'Energie Atomique - France

 THÈSES
PRÉSENTÉES

A LA FACULTÉ DES SCIENCES

DE L'UNIVERSITÉ DE GRENOBLE
POUR OBTENIR

LE TITRE DE DOCTEUR-INGENIEUR

PAR

Pierre CHARTIER

PREMIÈRE THÈSE

UTILISATION DE LA DIODE TUNNEL POUR

L'AMPLIFICATION D'IMPULSIONS NANOSECONDES

DEUXIÈME THÈSE

Propositions données par la Faculté

Thèses soutenues le 9 Mars 1968 devant la Commission d'examen

MM. A. COUMES Président

G. AUBERT j
Examinateurs
J. MOUSSIEGT j

J. MEY Invité
 - 1-

- CEA-R-3790 -

AVANT - PROPOS

Centre d'Etudes Nucléaires de Grenoble

SERVICE D'INSTRUMENTATION NUCLEAIRE RAPIDE

Je remercie Monsieur le Professeur J. MOUSSIEGT, Directeur de la Faculté

des Sciences de Nice, d'avoir accepté la direction de ma thèse ; Monsieur J. MEY, Chef de
la Section d'Instrumentation Nucléaire Rapide au Centre d'Etudes Nucléaires de Grenoble, qui
UTILISATION DE LA DIODE TUNNEL
m'a permis de réaliser les circuits étudiés dans son laboratoire et dont les suggestions n'ont
POUR L'AMPLIFICATION
cessé de me guider.
D'IMPULSIONS NANOSECONDES

A ces remerciements, sont associés tout particulièrement Messieurs A. LAVAITTE,

R. VAN ZURK, J. AVEYNIER, J. PASSENEAU ainsi que Monsieur P. BERNARD pour les con-
seils éclairés qu'ils m'ont prodigués à chaque difficulté rencontrée.
par
Que tous mes camarades de travail veuillent trouver ici l'assurance de ma vive
sympathie pour l'aide qu'ils ont su m'apporter.

Pierre CHARTIER

Janvier 1970
 - 3 -

SOMMAIRE

- INTRODUCTION -

PREMIERE PARTIE

I - GENERALITES SUR LA DIODE TUNNEL

1.1 - Principe de l'effet tunnel

I. 2 - Rappel sur la théorie de la diode tunnel (Esaki)
I. 3 • Tracé de la caractéristique statique
1.4 - Schéma électrique équivalent

II - AMPLIFICATEURS D'IMPULSIONS A DIODE TUNNEL

II. 1 - Etude graphique

II. 1. 1 - Amplificateur parallèle

II. 1. 2 - Amplificateur série

II. 1. 3 - Amplificateur série parallèle

II. 2 - Etude analytique

II. 2.1 - Amplification en régime sinusoidal

II. 2. 2 - Amplificateur parallèle

II. 2. 3 - Amplificateur série parallèle

II. 3 - Etude analytique en régime impulsionnel

II. 3 . 1 - Amplificateur parallèle

II. 3. 2 - Amplificateur série parallèle
II. 3 . 3 - Effets de non linéarité
II. 3. 4 - Effets de la température
 - 4- - 5-

II. 4 - Etude du bruit de fond

II. 4.1 - Origines du bruit de fond

II. 4. 2 - Facteur de bruit de l'amplificateur parallèle
IJ.4.3 - Facteur de bruit de l'amplificateur série parallèle

INTRODUCTION
DEUXIEME PARTIE

III - REALISATION PRATIQUE

III. 1 - Choix de la diode tunnel

III. 2 - Conception pratique

III. 2 . 1 - Amplificateur parallèle

Les événements nucléaires détectés à partir de chambres à fission ou de jonctions
III. 2 . 2 - Amplificateur série parallèle
à semi-coi lucteur apparaissent sous forme d'impulsions électriques à temps de montée très
III. 2. 3 - Accroissement du gain d'un amplificateur à transistors
bref, de 1' dre de la nanoseconde avec une distribution d'amplitude qui s'étend de quelques uV
à l'aide d'une diode tunnel
à 1 mV/50
III. 2.4 - Etude du bruit de fond

e traitement de ces impulsions débute toujours par une amplification analogique

réalisée par des transistors rapides placés immédiatement après le détecteur. La caractéristique
essentielle du préamplificateur est une grande rapidité de réponse, mais il doit présenter aussi
signal
un excellent rapport
bruit

Parmi les dispositifs à faible bruit, on peut sélectionner certains transistors bi-
polaires pour leur gain en courant élevé à faible courant collecteur ; on peut aussi choisir des
transistors à effet de champ, mais leur capacité d'entrée est très importante et leur transcon-
ductance encore trop faible, pour concurrencer en impulsions rapides les transistors bipolaires
à faible bruit.

Les faibles valeurs du facteur de bruit des amplificateurs sinusoi'daux à diode tunnel
nous ont incités à concevoir l'utilisation de ce type de diode comme élément actif d'un amplifica-
teur d'impulsions ; s'il existe un grand nombre d'études théoriques et pratiques sur les amplifi-
cateurs périodiques à diode tunnel, il n'existe pas d'articles ou de publications sur l'utilisation
de la diode Esaki en amplificateur d'impulsion (à ma connaissance tout au moins). La rapidité
de transit des porteurs à travers la jonction p-n par effet tunnel, les faibles capacités que les
constructeurs parviennent à réaliser et la présence d'une pente négative sur une partie de la
caractéristique I , (V ,) de la diode tunnel, permettent d'envisager l'amplification d'impulsions
d d
brèves à bas niveau et de faire une comparaison avec les amplificateurs à transistors.
 - 6 - - 7 -

Dans un article publié sous le titre "Maximally flat tunnel diode video amplifiers"
dans Solid State Design (Avril 1962), Philip S. GREEN exprimait l'idée que : "l'association
d'amplificateurs à diode tunnel en cascade étant peu pratique l'application la plus prometteuse d'un
étage amplificateur vidéo à diode tunnel paraît être son utilisation comme étage d'entrée à faible
bruit d'un amplificateur vidéo à transistors surtout dans le cas où l'impédance de source est
PREMIERE PARTIE
inférieure à 100 fî".

Cet auteur précisait encore que l'on pourrait concevoir un amplificateur de gain
g = 4 par étage avec une bande passante de 500 MHz, si on associait des diodes tunnel dont le
produit gain X bande passante serait de 2 000 MHz avec des transistors dont le même produit
serait de 500 MHz.

De telles applications, surtout en impulsions, n'ont encore jamais été développées, I - GENERALITES SUR LA DIODE TUNNEL (*)

c'est l'objet de cette étude que je vais développer ici.

1.1 - Principe de l'effet tunnel (figure 1)

Si une particule de charge e , animée d'une énergie cinétique E se heurte à un

saut de potentiel V (x), avec E < eV (x), la mécanique classique prévoit que la particule sera
repoussée, alors que la mécanique ondulatoire prévoit au contraire une probabilité non nulle de
retrouver cette particule de l'autre côté de la barrière de potentiel, avec la même énergie E .

1.2- Rappel sur la théorie de la diode tunnel

La diode tunnel est formée à partir d'une jonction p-n dont les zones p et n sont
très fortement dopées, le matériau semi-conducteur est "dégénéré", cela signifie que les den-
sités de porteurs n , p à l'équilibre sont beaucoup plus grandes que les densités d'états maxi-
males du matériau intrinsèque dans la bande de valence et dans la bande de conduction. Il faut
que les taux d'impuretés N. et N_. vérifient les relations
3/2
2 m n kT
N N = 2 (
A >> c

3/2
2 m kT
P
N N
D» v

m : masse effective des électrons dans la bande de conduction

n
m : masse effective des trous dans la bande de valence.
P

Le nom de diode tunnel vient du fait que la caractéristique statique d'une diode de
plus en plus dopée se déforme de la manière indiquée figure 3.

(*) Appelée aussi diode ESAKI.

 - 8 - -9 -

L'apparition d'un courant qui croît rapidement avec la tension ne peut s'expliquer de la diode tunnel qu'en un seul point, dans la partie à pente négative, en effet si la droite de
que par "effet tunnel" dans le semi-conducteur à travers la jonction, on dit parfois effet ESAKI, charge coupait la caractéristique en deux points, il y aurait commutation de l'un à l'autre au
du nom du physicien japonais qui le mit en évidence le premier en 1958. cours du tracé de I , (V,). Il faut donc une source de polarisation de tension, variable, à faible
résistance interne. C'est la raison pour laquelle on dispose une résistance R1 en parallèle sur
L'accroissement de la concentration en impuretés des zones p et n déplace le l'ensemble diode tunnel-résistance R o .
Ci

niveau de Fermi à l'intérieur de la bande de conduction, côté (n) et à l'intérieur de la bande de

valence, côté (p) (voir figure 4). Si R < - R I (1) on a une relation univoque entre courant et tension de la diode
tunnel, dans le cas du circuit de la figure 6 on a :
Au voisinage de la jonction, les bandes se déforment et, sous l'effet d'une tension
R R
directe extérieure V , les électrons de la bande de conduction, dont l'énergie est comprise dans R = R
3. e 2

la bande eVa , peuvent passer par effet tunnel dans la bande de valence, la barrière de potentiel
L'inégalité (1) est la première condition que doit vérifier un circuit pratique ; mais
a une forme triangulaire. La méthode de W-K-B appliquée à la résolution de l'équation de
il faut encore que les connexions soient aussi courtes que possible, pour diminuer au maximum
SCHRODINGER permet de calculer la transparence
les selfs parasites de connexion, car la résistance négative de la diode peut annuler complète-
3/2
ÀE ment la résistance positive du reste du circuit, les pertes sont alors nulles et les fluctuations
T = exp ( - 2 m •fi 9 F
électriques d'origine thermique suffisent à amorcer des oscillations dont la fréquence est déter-
F est le champ à la jonction et vaut 10 V/cm. minée par la self des connexions et la capacité de jonction de la diode. Nous verrons plus loin
ÀE est la bande interdite du semi-conducteur. Cette transparence n'est pas nulle et les porteurs comment se calcule la valeur maximale de la self à ne pas dépasser ; on ne peut le faire qu'à
qui traversent la jonction se déplacent à une vitesse qui est de l'ordre de 10 cm/s=v, l'épaisseur partir du schéma électrique équivalent de la diode.
o
de la jonction est voisine de 100 A = sx , le temps de transit T a donc pour ordre de grandeur
I. 4 - Schéma électrique équivalent de la diode tunnel
T = Ax = 10- 13
s
Comme toutes les jonctions p-n , la diode tunnel possède, de part et d'autre de la
Les valeurs de v et de T justifient à elles seules l'utilisation de la diode tunnel frontière qui sépare la zone p de la zone n , des charges de signes opposés qui se maintiennent
dans les amplificateurs haute fréquence et en impulsions rapides. près du plan de la jonction par le jeu des diffusions et des re com binai sons, la charge totale r e s -
tant nulle à l'équilibre.
Je passe sur l'explication de la forme du courant, en fonction de la tension appliquée,
à partir des positions relatives des bandes dans les zones (p) et (n) cela est abondamment La présence de ces charges est à l'origine de la capacité de jonction C , celle-ci
décrit dans la littérature. varie avec la tension extérieure appliquée selon (2)
K
Pour utiliser au mieux la diode tunnel, il est important de disposer du tracé précis (2)

de sa caractéristique statique, c'est le sujet du paragraphe suivant. -v

où K et <}> sont des constantes de la diode, elles sont caractéristiques du semi-conducteur utilisé
1 . 3 - Tracé de la caractéristique statique
comme cristal "hôte" et des concentrations d'impuretés des zones p et n

Le tracé de la courbe I , (V ,) revient à mesurer deux tensions ; V, que l'on obtient

<}> 0,6 V pour le germanium
d a a.
directement et V_, = Ro I, que .l'on mesure aux bornes d'une résistance R , placée en série 1,1 V pour l'arséniure de gallium
avec la diode tunnel. Mais la forme même de I , (V.) oblige à prendre quelques précautions. La
principale est que la droite de charge du circuit de polarisation ne doit couper la caractéristique •
 - 10 - - 11 -

On trouve actuellement des diodes tunnel dont les capacités vont de quelques frac- Certains auteurs définissent le gain d'un amplificateur à résistance négative par le
tions de pF à 200 pF. gain en puissance
G = —:—: où e, , i, , e,, et i^
La forme de la caractéristique statique rend compte de l'effet tunnel et permet de
connaître en chaque point là résistance différentielle • sont définis dans les figures 11 et 1 1 ' , ce sont les variations de tension et de courant dans la
résistance de charge R en l'absence et en présence de la diode tunnel. Le gain ainsi défini i
dV
R un gain d'insertion et c'est le seul qui soit valable quand on s'impose la charge.
dl

qui prend des valeurs négatives entre les points (I , V ) et (I , V ) qui définissent les deux Le gain en puissance s'écrit G =A .A. avec
extrêmums de la courbe I, (V,).
u a A = A. =
v î
Les deux épaisseurs du semi-conducteur qui séparent la jonction proprement dite
des contacts ohmiques de connexion, introduisent une résistance série r à laquelle s'ajoutent L'étude détaillée de la caractéristique statique de la diode tunnel combinée avec le
les selfs de connexion. Le circuit électrique équivalent complet de la diode tunnel est représenté courant dérivé par la résistance RT , permet de connaître les gains que nous venons de définir.
l
figure 8, valable pour de petits signaux quand on prend R et C, constants à polarisation
V,do donné . Sur la figure 12 les lettres affectées de l'indice zéro caractérisent les points de repos.

II - AMPLIFICATEURS D'IMPULSIONS A DIODE TUNNEL Sous l'effet de la variation de tension e la tension aux bornes de RT seule, en
L
g
l'absence de diode tunnel, est : e = a h compte tenu de la résistance interne R de la source
II. 1 - Etude graphique de signal ; la variation de courant est représentée par a.h = i.. .

II. 1.1 - Amplifi£ateur_p_arallè^le_ En présence de la diode tunnel, sous l'effet de la même variation e le courant
dans la charge R varie de i = AI R = B B alors que dans la diode on a A I =C C
i_j 2à XJ O *£ U O «

La forme de la caractéristique I (V) d'une diode tunnel montre que si l'on choisit et aux bornes de l'ensemble la tension a varié de
un point de repos I (V ) entre les points 1 et 4 qui caractérisent le pic et la vallée de I (V),
= C
2C1
la résistance statique
V . V< Nous constatons que :
P v
R = -y- croît de R — à R = —- quand on passe continûment de 1 à 4.
B
A = oB2
i
Supposons par exemple que la diode tunnel soit une diode au germanium GE 3717 ha
i
C
( 1 = 5 mÀ) et que 1 = 3 mA, V = 95 mA. B
oB2 2C1
P o' o G =
P ha a h
i 0
Si nous faisons v a r i e r la position du point de fonctionnement jusqu'au point C
A = 2C1
1 = 2 mA , V = 130 mV si R = 30 Q , le courant dans la r é s i s t a n c e aura varié de v a h
o
130 - 95 , ,_ .
30— = 1,17 mA Le gain d'insertion en tension est au maximum égal à 2, ce cas a lieu si A = o ;
cela peut être réalisé pour des variations de très faible amplitude autour du point de fonctionne-
et de - 1 mA dans la diode tunnel alors qu'extérieurement, il aura varié de 1,17 - 1 = 170 u A. ment, si R, -R ou AI - AI . Mais cette égalité ne peut pas être réalisée
R D
117 1
n y a donc une amplification de courant a. - ' = 6 , 9 dans la résistance R et de - =
- 5 , 9 dans la diode tunnel.
 - 12 - - 13 -

en pratique, pour des raisons de stabilité on doit avoir A L > A L et Ai > o avec ou
dV.
Ai « A I D < A I R
- R J + R > 0 soit R > - RJ
dl d d

II ressort de ce que nous venons de dire, que le gain en tension maximal de l'ampli-
II est facile de voir que dans ce cas le point de fonctionnement de la diode tunnel
ficateur d'impulsion à diode tunnel, en configuration parallèle, est égal à 2 alors que le gain en
ne peut être fixé dans la partie à pente négative de sa caractéristique. Supposons en effet que
courant peut être beaucoup plus grand ; nous utiliserons cette remarque un peu plus loin quand
nous ayons réalisé le circuit de la figure 17, la polarisation V étant en série avec la source de
nous étudierons l'amplificateur série parallèle.
signal et l'ensemble diode-résistance de charge.

La figure 12 permet de calculer graphiquement le rapport des grandeurs de sortie

Au moment de la mise sous tension le point de fonctionnement parcourt la caracté-
aux grandeurs d'entrée AL T .
ristique I (V_J de o à M fi (E )1 et la caractéristique I (V_) de o à M' I (E + R I ).
G. = . . # 1 D O ^ p p ^ 1 o p p X j p
i Ai Si RT > I - R , I et à fortiori R + R > I - R I les droites de charge R + R et R coupent
respectivement I (V ) et I (VT) en deux points M ,m et M1 ,m' stables, le point n' bien
II. 1. 2 - Amp_lific_ate_ur_sé£ie_
que situé sur une partie de I (V-J où la pente est positive n'est pas stable car il correspond à
l'intersection en n de la droite de charge R + R avec I (V ) et ce point est instable. Pour
Reprenons l'exemple ds la diode GE 3717 que nous avons considérée au paragraphe O S LJ i-)

précédent, la résistance R = 30Q étant en série avec la diode tunnel au lieu d'être en parallèle. que l'amplificateur à diode tunnel soit réalisable il faut que l'inégalité suivante soit vérifiée
Rs + R < - R
Soient 1 = 3 m A , V =95 m A et I = 2 m A , V = 130 mV les deux points de fonctionnement
O O D
avant et a p r è s application d'une variation de tension A v à l'ensemble série diode-résistance. Dans le cas présent nous avons R = RT = 50 fi , il faut donc -R >2 RT =100fi,
La tension de repos initiale aux bornes de R est V R = 3 x 30 = 90 raV. Sous l'effet de la S i - / ' C

^o or R , est liée à la valeur du courant pic I de la diode tunnel par une relation de la forme
P
a
variation A v la tension aux bornes de la diode tunnel varie de : A V n = 1 3 0 - 9 5 = 35 mV et
R <v , une résistance négative de 100 Q correspond à un courant I ^Ç 1 mA : nous revien-
le courant, de I - I = - 1 mA , donc AV D = 3 0 x 1 = 3 0 m V ou A v = AV^ + AV D = 5 roV.
O ri AV 13 R drons très en détail sur cet aspect pratique du choix de la diode tunnel. Comme l'amplificateur
R
R D
Si nous faisons les rapports — et —r , nous constatons que ce montage série est impossible à polariser en tension on le réalise dans la pratique selon le schéma de
simple réalise une amplification de tension principe de la figure 17 dans laquelle l'inégalité R + R + RT < - R , I est respectée mais avec
AV des valeurs numériques comparables pour R + R + R. et j - R , I . Avant de passer à l'étude
R 30
= -- 6 graphique de ce circuit nous avons représenté figure 18 un exemple pratique proposé dans les
Av
manuels d'applications de R.C.A. et GENERAL ELECTRIC mais dans lesquels l'étude graphique
AV 35
D _ n'est jamais exposée.
= 7
Av 5
La figure 19 se rapporte au schéma de principe ; la courbe I (V ) résulte des
Dans l'exemple choisi une variation positive A v provoque une variation négative deux relations :
de tension aux bornes de R ; certains auteurs abordent l'étude de l'amplificateur série, à diode
tunnel, à partir de la figure 14 qui représente la caractéristique composite I (VT) . Dans ce cas l à tension V donnée (D
le signe de À v est le même que celui de A V . La partie utile de la caractéristique composite
(R + à courant I™ donné (2)
I (VT) va de B à B , points où les tangentes à la courbe sont parallèles à l'axe des ordonnées, V
R= V
T a V
la pente en chaque point de l'arc B B ne cesse d'être positive ce qui peut s'écrire
Afin de pouvoir tracer I (V ) dans le cadre de la figure 19, j'ai décalé cette carac-
dV V
R
dV dV
R
téristique par translation de la quantité I , valeur du courant I pour V = V Q ; on peut alors
- d • c > 0
dl dl tracer I (V-) dans le système d'axes I,V d'origine o' en portant une droite de pente
^s
 - 14 -
I - 15 -

passant par o1 et en ajoutant les courants I =— , E (V.,) pour chaque valeur de V que - Le gain en alternatif peut donc atteindre des valeurs t r è s supérieures à celles que
S irlg DR R
l'on se fixe. nous pouvons e s p é r e r en impulsions.

Pour obtenir une relation univoque entre le courant de polarisation I et la tension Notons aussi que l'amplification de tension de ce circuit est définie à partir de
la courbe I T (V ) doit conserver une pente positive quel que soit I™ , ce qui peut se traduire
par :
dl
D
ou R + R_ + R < - R_
R dV a L s i D dans tous l e s amplificateurs série proposés dans la l i t t é r a t u r e , alors que nous constatons l'exis-
R

Dans ces conditions le point de repos I-, , V est stable et la diode tunnel est
tence d'un gain en tension défini à partir de :

convenablement polarisée en A (I , v ) où la pente de sa caractéristique est négative.

« •L'o o AI
2B2 A VD A
'3B3
A B
On trace alors I (V ) à partir de la relation :
S S
T 7
gain dont nous pourrions disposer si l'on plaçait un transformateur d'impédance, à très grande
impédance d'entrée et faible impédance de sortie Z = o et R = 50 Q . La figure 20 donne ••
schéma de principe d'un tel amplificateur.
La connaissance de cette courbe permet de déterminer graphiquement la valeur de
l'impédance r que voit le signal e , soit :
6 S L'inconvénient de l'amplificateur série que nous venons d'étudier est que la source
dV dV
dE D D de polarisation continue débite à la fois dans la charge R, et dans la résistance interne de la
+ R + R +R = R
Dl dl a L s ' -dT" " D
s s source ; une liaison directe n'est pas nécessaire, on peut très bien attaquer la diode tunnel à
travers une capacité. Nous sommes conduits ainsi tout naturellement à la structure de l'ampli-
R est choisie pour que r = - R^ + R + RT + R 10Q
a ^ e D a L s
ficateur "série-parallèle". Série parce que la charge est toujours en cascade avec la diode.
D est la résistance négative au point A de la courbe I n (V_) sur la figure 19.
"Parallèle" parce qu'il est nécessaire de placer une résistance de compensation en parallèle
avec la diode et la charge.
Le gain en tension A = montre qu'il y a inversion de phase car r est
négative, A = est représenté par le rapport : II. 1. 3 - Amglifi£ajte_ur_sér_ie_ P_arallèle

A
3'B3
L'étude graphique de ce circuit présente beaucoup de points communs avec celle
de l'amplificateur série, surtout dans la construction des caractéristiques statiques ; alors qu'en
régime dynamique son étude graphique le rapproche de l'amplificateur parallèle. La figure 21 en
il peut être rendu très grand si r g est diminuée jusqu'à ce qu'on atteigne la limite à partir de
laquelle l'amplificateur entre en oscillations libres. Les variations de courant et de tension est le schéma de principe.

engendrées par le signal d'attaque e sont volontairement exagérées sur la figure, mais nous
La caractéristique I Q (VU) de la diode tunnel composée avec la droite de charge
pouvons déjà faire la remarque suivante : la valeur de r que nous avons définie doit être de
R permet de tracer la courbe I D (VT) qui traduit la relation
zéro en impulsions si nous ne tenons pas compte de l'effet de la capacité C , alors qu'en régime
permanent sinusoi'dal on choisit la fréquence de fonctionnement OJ et la résistance R pour que : V -V
V
cl T D
D
R
D
Q + RT + R_
a L L
R
D CD On obtient de même I (V ) à p a r t i r de
 - 16 - -17 -

Vr en formant le rapport des variations du courant dans la résistance de compensation R et du

+ 1D
courant extérieur A i qui attaque l'amplificateur. Ce qui précède suggère la remarque suivante
si on remplace RT par une résistance R > RT telle que l'inverse de la pente négative de
La pente de cette courbe représente la résistance d'entrée r de l'amplificateur,
I (V-,) soit rendu très faible en valeur absolue, on doit pouvoir disposer de gains accrus avec
elle doit être constamment positive si l'on veut pouvoir polariser la diode tunnel dans la partie
une excellente séparation de l'entrée et de la sortie, en plaçant un transformateur d'impédance
à pente négative de sa carctéristique. Ce qui s'écrit :
en série avec la diode et la résistance R suivant le schéma de principe de la figure 23.
dl. dL
> o ou
dV r dV r Nous verrons plus en détail la réalisation de ce circuit et les problèmes qu'il pose
dans la partie "Réalisations pratiques" de la présente étude.
soit R RT - RD
Signalons, avant de terminer ce paragraphe que l'amplificateur série-parallèle
Plus la valeur numérique de r est élevée et plus le signal en tension qui arrive peut aussi être utilisé en amplificateur de tension car le rapport
sur l'entrée se rapproche de e . On constate sur la figure 22 que l'amplificateur série parallèle AV
D
fonctionne à la fois en amplificateur de tension et en amplificateur de courant, les gains d'inser- Av
tion sont :
est supérieur à 1, pour le rendre utilisable il suffit de placer un transformateur d'impédance
8 C C
A = 2 2 1 comme dans le cas de la figure 20.
e
> 1
V l S a
o 2
II. 2 - Etude analytique
A
^S >
AI II. 2. 1 - AmpJ^i£a^i^n_ejî_régirne_sinus_oijdal
• R a a
L 2 l
-9
Ces deux gains peuvent être accrus si l'on prend une diode tunnel dont le courant
La brièveté du temps de montée des signaux que nous voulons amplifier ( T-V 10 s)
pic est supérieur à celui correspondant à l'exemple choisi sur le graphique, mais on est alors
met en jeu un spectre de fréquences extrêmement riche en harmoniques. Les éléments réactifs
conduit à diminuer R car la pente négative de la caractéristique I (V ) augmente en valeur
parasites de la diode tunnel se comportent de façons différentes suivant la fréquence de ces har-
absolue, cette pente est en effet la mesure de
moniques. La self i tend à bloquer les variations de courant les plus rapides, alors que la
capacité C^. court-circuite les variations de tension les plus brèves. C'est par l'analyse de
1/ R
L"RD
FOURIER, en régime harmonique, que l'on peut avoir une idée des fréquences qui seront ampli-
et R~ décroît quand on choisit un courant pic de plus en plus grand. fiées dans le spectre du signal envoyé sur la diode tunnel. L'étude des amplificateurs d'impulsions
à diode tunnel, en régime sinusoidal me paraît donc non seulement justifiée mais nécessaire ; ses
Le trait le plus caractéristique de cet amplificateur est la valeur élevée du gain résultats nous seront très utiles pour le choix de telle diode ou telle autre connaissant : les va-
leurs de i, , C , r , -R données par le constructeur et le temps de montée des impulsions
en courant AI
G.
D que l'on désire amplifier.
i Ai
II. 2. 2 - AmpJifi£ateur_p_araJ.lèle_
qu'il autorise, de la même façon que l'amplificateur parallèle. Nous constatons aussi la présence
d'un autre gain en courant II existe une quantité très importante de livres et de publications sur le comporte-
Av ment des amplificateurs à diode tunnel en fonction de la fréquence, la source bibliographique
G.
X Ai dont je m'inspire le plus dans cette étude est le livre de J. O. SCANLAN "Analysis and syntheses
2
 - 18 - - 19 -

of tunnel diode circuits". A cette différence que les schémas équivalents des circuits étudiés ici G
D D
ne comportent pas de circuits accordés (L,C) extérieurs à la diode tunnel. Nous pouvons en L'allure de G ( ) montre une variation rapide du gain G à partir de = 1,
o
o
jjremière approximation négliger les éléments réactifs il , C et la résistance r pour calculer valeur pour laquelle G = 4 ; au-delà, toute variation de G entrafne des fluctuations sensibles
le gain maximum G On définit G par le quotient : du gain ; comme cette courbe est valable à très basse fréquence, nous devrons en tenir compte
o o pour les variations basses fréquences de G n . Or G est fonction du point de polarisation de la
,_, _ Puissance fournie à la charge
diode tunnel ; si la r nirce d'alimentation utilisée n'est pas très bien stabilisée, dès que le gain
Puissance max. disponible à la source
G sera de l'ordre de 4 nous pourrons nous attendre à observer une certaine instabilité du gain.
G (b. 1) Par conséquent, pour un gain en tension de l'ordre de 2, nous devrons prendre toutes les précau-
u tions nécessaires pour avoir un point de fonctionnement stable. Nous avons calculé le gain en
puissance G en réduisant le circuit équivalent de la diode à sa résistance négative (- R n ) , mais
dans cette relation
il est évident que nous devons tenir compte des éléments £ , r et C n quand la fréquence augmente.
2
V, I K
S S Le comportement de la diode est parfaitement décrit par son impédance
°L V et
u 4G

D
(b.3)
•
avec G + GT
s L D-
R RD
R
D VCDU (b.4)
= r -
+ (RD c D u y i + (RD cDu> y

(b.2) L'expression de Z fait apparaître deux fréquences spécifiques de la diode tunnel

fr et fo définies à partir de :
o
R (Z D ) = o et Jm (Z D ) = o

(b. 2) exprime le gain d'insertion en puissance. On peut avoir un ordre de grandeur

soit
numérique du gain G puisque nous ne portons notre attention que s u r le cas où R o = RT =50 0
s L
R

16 r =
D
ou f
r 2 R C
/JÎ2-., (b.5)
G = 1,78 si - RD = 100 Q l+(RDCDu o ' D D

R
G
o
= 4 - R 50 Q D 2 ( =D
D ou f -1 (b.6)
2
1 + (R D C D w * RD C
D
La courbe 25 représente la variation de G en fonction de
f est appelée fréquence de coupure résistive, c'est la fréquence au-delà de laquelle il n'y
-p,— dans le cas GS = GTi a plus d'effet de résistance négative ; elle n'est définie que si R n «Cr •
Vj-
]
f est la fréquence de résonance propre de la diode ; c'est la fréquence à laquelle oscillerait
la diode tunnel en l'absence de toute résistance de pertes.

Si l'on veut que les variations de courant les plus rapides ne soient pas intégrées
avant d'arriver sur l'ensemble parallèle (R n - C n ) il faut que les constantes de temps :
 - 20 - - 21 -

T T
= -*— etX = R C On peut donc à partir de cette courbe et de la connaissance de fr choisir une lon-
1 r 2 *D^
gueur de connexions pour que la self Si correspondante soit dans les limites permises. Nous
vérifient l'inégalité : ferons usage de ces considérations pour la réalisation pratique d'un amplificateur parallèle série
T T Ou i rR C
l < 2 < D D à diode tunnel.

ce qui s'écrit encore

l (b.7)
Nous pouvons calculer maintenant l'expression du gain en fonction de la fréquence
C
RD en tenant compte de tous les éléments du circuit
DRD
cela revient à choisir I
(b. 11)
f > f (b.8) G + GTH
o ' r s L

Or quand on dispose d'une diode donnée on ne peut pas agir sur f_x si ce n'est en
o
faisant varier R en fonction du point de polarisation, fr est calculée pour I - R n I minimale. ou
r , C , R étant déterminées par la construction de la diode, le seul paramètre extérieur qui
agit sur f est la self des connexions, f décroît quand X augmente, il est donc nécessaire de
G + GT - G^
contrôler en pratique, que l'inégalité (b. 8) est bien vérifiée pour une longueur donnée des fils s L D
qui relient la diode tunnel au circuit dans lequel elle est insérée. On peut s'en rendre compte )2 R
D )
à partir d'une seule courbe. Les équations (b. 5) et (b. 6) s'écrivent en effet
(b. 12)
oor. R R
D D Nous pouvons utiliser l e s relations (b. 10) et l e s r e p o r t e r dans (b. 12) ; on obtient
- 1 - 1 avec (b.9)
OJ
D OJ D R C
D D D ainsi une expression commode de VT à p a r t i r de laquelle on pourra étudier le comportement du
CJ est la pulsation caractéristique de la diode tunnel gain à t r a v e r s un seul type de fonction. En effet
R est la valeur de la résistance négative au voisinage du point d'inflexion de I (V_J.
I
OJ —
OJ 0
i—
1
L'inégalité f > f peut s'écrire OJ
; en remarquant que G + GL~
o U
D D s D
• 1 1 OJ 1 . 1
OJ 2 OJ
ro 2 j OJ 2 2
.o oj " o
r (b. 10) ]
( U)
R
D RD
J
D) " W
D ' ' D) 1
' ( W
D )

1 +(-
D
OJ
D (b. 13)

et se représentent par la même fonction Posons A(w)

RD R «r o 2
D
OJ.

f(x) = avec x= et x = , respectivement. (b.14)

OJ OJ
D D
OJ

Pour une diode donnée, on connaît ce qui correspond à un point

B (u) =
ou OJ o; 2
D 1 + 1 + (——)
de la courbe f (x) (voir figure 26) ; tous les points de f (x) qui limitent la surface hachurée
vérifient automatiquement les inégalités équivalentes
lu, A (G) ) et B (oj) ont même forme mathématique f (x) - $ où (}> est une valeur particulière
D
< 1 et f > f de la fonction f (x) , fonction dont la courbe est représentée figure 26.
RD R
D o' r
 - 22 -
- 23 -

Le gain G (CJ) s'exprime alors sous une forme qui contient toutes les caractéris-
- Imposons-nous maintenant une variation maximale de 10 ° / 0 pour —r—,—r , dans
tiques données par le constructeur A (CJ )
c e s conditions le gain v a r i e t r è s peu à l ' i n t é r i e u r d'une bande de fréquence que nous allons
déterminer.
4 G G
L
G (CO ) = s
2 2 2 Traçons la courbe . , . , ou ce qui revient au même :
A (u>) CJ B (U))
G -h G (
s
L " D 2 D 2 o
2
B 2 Cu \ A (CJ) = +, (x) avec I|I, (x) = — - d> si x =
A ( CJ) + (- (CJ) B (u>)
CO T> 1 + X D

Une fois la diode choisie, on connaît f car la courbe de la figure 26 nous donne
(b. 15)

Cette expression montre que le gain décroît quand (0 —— h) par valeurs de to «r 2

r
o
inférieures à 6J l„ pour que l'inégalité A (CJ ) > o soit vérifiée. On trouve bien que G —*- G
o °
quand Q —*-o .
Nous avons tracé figure 27 la fonction <K (x) pour quelques valeurs de <J> et
Il est possible de simplifier l'expression (b. 15) dans les conditions suivantes que nous trouvons que G~ . -; ,-.. > ne varie que de 10 °/ o quand x = —77 passe de la valeur o
V -n- \(XJ ) CJ
nous prenons comme hypothèses de travail :
à la valeur 0, 325. Si nous prenons cette variation de 10 °/ 0 de G n comme limite, l'inégalité

W0»U)r et <J«CJD (b. 16) détermine la valeur maximale de }

t> , car l'intersection Mx des deux courbes
1
i|/1 (x ) et x' . ty . (x') nous donne la valeur limite de la pulsation Ct)ft au-delà de laquelle
TO TO Si
l'inégalité (b. 16) c e s s e d'être vérifiée ; cette fréquence varie avec cj> mais aussi avec
On peut c o n s i d é r e r que : A (6) ) » —— B (CJ) ou
D
l
(b. 16) •' ;•
2
D " o
co D

Le gain s'écrit alors : car la courbe x' . (x1) se déforme comme l'indique la figure 28. Cette figure permet de
voir que l'inégalité (b. 16) est toujours vérifiée pour cj>' > o s i elle l ' e s t pour tf' = o .
valeur <>
j maximale de <>
j correspond donc à la courbe f^ (x') qui coupe x ' . tj; (x1)
4 G GT
s L à l'abscisse x' = 0,325. On trouve graphiquement $ = 0,61 . Nous pouvons maintenant
G = (b.17)
°M
G + GT - G^ déterminer la bande de fréquence AO)M pour laquelle le gain demeure à peu près constant et
s L D
peut se représenter par la relation (b. 17) ; en effet

D D
= 0,61 nous donne (b. 18)
oM

en négligeant le second terme. 0)

ou n8
e s t par

C0
M_
= 0,325 (b. 19)
D
 - 24 - - 25 -

En combinant (b. 19) et (b. 18) on en déduit G) M à partir de la seule donnée f

4 R,
spécifique de la diode utilisée G = (b.23)
ou O R
(3 R L - RD) D
(0,75 - )
2 RL
0,325
M 0,8 ou (b. 20) Cette relation est, formellement, très voisine de celle que nous avons obtenue avec
l'amplificateur parallèle. Mais nous la tracerons pour des valeurs de

Les fréquences utiles du spectre des impulsions que l'on veut amplifier devront se R~
trouver dans la bande 2 R
L 4

afin de conserver l'inégalité (b. 22'), le cas de la figure 31 correspond à R~> 2 R .

(b. 21) D L

La courbe obtenue est à peu près la même que celle de la figure 25 ; nous pouvons
encore en déduire que la stabilité du gain dépend étroite.nent de celle de R et de la polarisation
Nous utiliserons ce résultat lors de l'étude du choix de la diode tunnel. Cette étude de la diode. Dès que G atteint une valeur voisine de 4, une faible variation de la résistance né-
apporte "à posteriori" une justification rationnelle de la règle usuelle qui établit que l'on ne doit gative entraîne une variation beaucoup plus grande du gain. En tenant compte maintenant des
lu r
pas faire fonctionner une diode tunnel dans un amplificateur au delà d'une fréquence &)' = — éléments réactifs du circuit nous trouvons :
Nous avons démontré que l'on peut augmenter légèrement cette fréquence puisque :
4 R R.
s L
G = (b. 24)
M = 0,40 G) > CU"
M
= 0,330(0
2
o R r
C
D D D
R' + RT + r -
s L
1+<RDCDCJ)'
II. 2.3 - Am pjifi£ateur_ série-parallèle

Nous pouvons aussi é c r i r e le gain en faisant apparaître l e s données spécifiques de

Le schéma de principe de cet amplificateur est donné figure 29. On peut facilement
la diode utilisée, comme dans l'étude de l'amplificateur parallèle, afin de voir l'incidence du
le ramener au cas de l'amplificateur série, c'est pourquoi nous n'avons pas traité les deux cas
choix de la diode s u r le gain G
séparément.
4 R RT
s L
G=
A partir de la définition du gain que nous avons utilisée au paragraphe précédent,
R" + RT - R ^ V
le gain maximal s'exprime par s L D D v (0 D
4 R RT (0 G) D
s L D D
(b.22)
(b. 25)
Expression analogue à (b. 15).
Dans cette expression on peut négliger en première approximation r devant R'
R
RL
et R ; R1 est voisin de — , en effet l'inégalité :
4 R RT
s L
G(0>) = (b. 26)
2
R r < - RD (b-221)
+R_ - R_ . A (6)] 2 + R
p R'
S Li L> D(T5^>2[B<WÎ
qu'il est nécessaire de vérifier en continu, entraîne pour R une valeur numérique de l'ordre
de R = 50
L ^ • A vec une diode tunnel ayant une résistance négative - R 'v 150 à 200 Q
 - 26 - - 27 -

Il est inutile de recommencer la discussion"que nous avons déjà faite, pour établir ( R s + r +1 p+ I 3 - E (P)
que la fréquence maximale à laquelle on peut utiliser la diode tunnel est 2 5~ , compte
M
tenu de ses caractéristiques propres. - (r + ^ p) I : + (r - + RL + i p) + = o (p. 2)

Jusque là nous n'avons fait aucune distinction entre les amplificateurs série et
série-parallèle mais ils ont une différence fondamentale, l'impédance d'entrée du circuit série-
-V
parallèle peut être rendue très grande alors que celle du circuit série est très faible. En con- Si E (p) est connue, ce système permet de calculer la loi d'établissement des cou-
clusion, nous constatons que les formules du gain dans les deux cas sont semblables et peuvent
rants dans les diverses branches du circuit et les conditions à réaliser pour que ces réponses
être étudiées à l'aide de la même fonction f (x) = — . Nous n'avons pas reproduit les soient stables. Nous savons que la stabilité d'un tel système s'étudie en écrivant que les coeffi-
1 + x*
calculs de bande passante que l'on peut trouver dans un grand nombre de livres et de publications ; cients du déterminant A doivent être tous de même signe, si l'on veut que les solutions i (t),
signalons seulement que le produit gain-bande passante d'un amplificateur à diode tunnel, série du courant dans chaque branche, tendent vers une valeur finie quand t—^-co .
ou parallèle est toujours inversement proportionnel à la capacité de la diode dans l'approximation
où l'on néglige le self et la résistance séries de son schéma équivalent. Le déterminant s'écrit :

Ces calculs apportent des résultats que nous utiliserons dans le choix des diodes R + RT
- RdJ Cd. l p 2 + \L l - RdJ Cd. (r + R') J
p + r + R' - Rc
tunnel mais ils ne donnent aucun renseignement sur la réponse transitoire des circuits étudiés.

Rs . RTL
II. 3 - Etude analytique en régime impulsionnel ou R' = R + R_
s L

II. 3. 1 - Amplifi£ateur_p_ara_llè^le
Pour que le système soit stable, tous les coefficients de l'expression entre crochets
doivent être de même signe, nous devons donc avoir :
Dans cette étude nous utiliserons la transformation de Laplace appliquée au circuit
représenté figure 32. Le système d'équations différentielles qui le décrit s'obtient aisément à
r + R1 < -R (D
partir des mailles.
i < R d C d (r + R') (2)
. dt
La condition (1) complète celle que nous avions faite lors de l'étude graphique et
o = qui nous imposait la simple inégalité RT < -R , pour obtenir un seul point de fonctionnement.
(p.l)
situé sur la partie négative de la caractéristique I ^ r J ' dans le cas d'un amplificateur parallèle
o = "C "V attaqué à travers une capacilé de liaison Cn .

La conditon (2) doit être vérifiée en présence du signal et même en son absence, à
Si nous désignons par les lettres E -et I les transformées de Laplace des grandeurs
cause des fluctuations thermiques des éléments du circuit, qui peuvent déclencher des oscilla-
e et i nous pouvons récrire le système (p. 1), après transformation nous obtenons le système
(p.2) : tions libres si cette condition n'est pas réalisée.

Supposons les inégalités (1) et (2) vérifiées, nous pouvons alors écrire l'expreasion
de I 2 *
 - 28 - - 29 -

i-l
R +r
s
4-
ip • C p- E (P) -
C
dP (x) = R D - (r + R1) (7)
2 i RDCD D D
- (r + I P) o R
d

1 1 (8)
C P o C p " d 2
d d 2 l RDCD
(3)
U) est la pulsation des oscillations du régime transitoire.
P
Si le signal appliqué est un échelon de tension d'amplitude E , —— est le coefficient d'amortissement. Pour que la réponse soit stable, il faut que le terme
transitoire tende vers zéro quand t-«-oo .11 est donc nécessaire que p soit positif, ce qui nous
E donne la signification exacte de l'inégalité (2).
l = (4)
2 R + R, A Rd C d p 2 + [ (r + R1) R d C d - £ 1 p + R d - (r + R')
Le premier terme permet de voir que la résistance de charge est parcourue par
E la somme de deux courants. Le premier est celui qui circulerait dans R. en l'absence de diode
On remarque tout de suite que le premier facteur représente la variation
Rs + R L tunnel, le second représente la proportion de courant fournie à la charge et à R par la diode
de courant dans la charge et R en l'absence de diode tunnel, soit AI cette variation. Le troi- s
S O sous l'effet de la variation de courant A I .
sième facteur est le rapport de deux polynômes de même degré, la division de l'un par l'autre o
s'écrit donc sous la forme d'un terme constant plus une fonction de p : L'amplification apportée par la diode tunnel en configuration parallèle, se fait par
ap + b addition proportionnelle au courant d'attaque. Dans celle-ci n'interviennent que les éléments
f(p) =
A (P)
résistifs, les éléments réactifs i. et C n'apparaissant que dans le régime transitoire, alors
Après décomposition en éléments simples, la transformée de I o s'écrit : qu'en fonctionnement permanent sinusoïdal, leur rôle est moins séparé.

P+ Les équations posées montrent que cet amplificateur est un système du second ordre
R' _1_ R' R'
2 o P R D - ( r + R-) dont la réponse peut être contrôlée à partir du coefficient d'amortissement ré cuit Ç . Nous pour-
rons clairement voir l'influence des divers paramètres du circuit et de la diode, sur le régime
transitoire et sur le temps de montée de l'impulsion de sortie. Pour cela écrivons la transfor-
0)2
JL
2 U)
R'
(5) mée de Laplace de i o (t) , avant sa décomposition en éléments simples.
(P
1
P+ R
1 1
R' DCD
En prenant les transformées inverses de chaque terme, nour trouvons pour i o (t), (9)
p p l 2 *• R') R E
la forme suivante : .1. - , .
P

1 + R1
u(t)
RD - (r + R1) Le dénominateur du second terme de cette expression peut être identifié à

p2+2 Ç CUp
R'
1
- (r + R ) (r
D D
-l
AI e - cosGJt
- (r +R 1n) • 2 R
' DCD
(6) avec (i)
R
n ocn
 - 30 - - 31 -

ment réduit Ç nous incite à étudier l'influence des paramètres du circuit sur les valeurs numé-
(r + R ' ) R C
d 0Ù
riques qu'il peut prendre. Le terme le plus important est à notre avis la self L car les éléments
n R C '
R D D résistifs sont déterminés par les conditions d'adaptation et de polarisation ; la diode étant choisie,
c'est sur la self que l'on peut le plus facilement agir.
(10)
La courbe Ç (|) (voir figure 35) est une fonction monotone décroissante de l bornée
par la valeur
On vérifie bien que D = W VI- avec CO = — , la réponse i 2
n n
peut donc s ' é c r i r e en fonction de Ç , (J et
n
R
DCD en deçà de laquelle l'inégalité
(r+ R')RDCD
-Ç 0) t
R1 R1 n n'est plus vérifiée. Donc, plus la self se rapproche de l , plus Ç est faible et moins le sys-
1 + R - ( r + R 1 ) u (t) + A I - ( r + R1)
D
tème est stable. La condition Ç = 0, 7 permet même de calculer la self optimale avec laquelle
on a la meilleure réponse monotone.
sin Ut - cos COt (H)
(r + R1) R D C D -l
= 0,7 =
Dans cette expression on peut négliger — devant Ç . En effet, C * 10~ F , 2 \Jl R D C D (R D - (r + R')
-9 .
R A/ 200 à 100 Q , donc R_.C *v 10 ett la théorie des systèmes du second ordre prévoit que
2 1
la réponse la plus rapide, avec le minimum de suroscillation s'obtient pour Ç = 0, 7 . En remarquant que Ç c* — nous trouvons l'équation :

- 2lR?lCn+iî. = o
D D M

-Çld t dont le discriminant

R R1 n n
i9(t) =AI 1 + u (t) - A I sinCJt + cos Ut 2 2 |
& o RD - ( r + R') (R C )
~ D D " *M

est positif car la condition (r + R') < R n traduit exactement l'inégalité A> o , comme on peut
(12) le constater (RJ^Cp)2 - ( r + R 1 ) 2 ( H Q C Q ) 2 > O s'écrit en effet r + R1 < R D

Des ouvrages spécialisés / 1 / et / 2 / permettent de connaître l'influence du

paramètre Ç sur la réponse des systèmes du second ordre, on trouve par exemple dans le livre (13)
de NASLIN une expression identique à (12) au coefficient

R'
Nous avons pris la valeur de i qui est inférieure à R D C D = i M M car cette
R D - (r + R')
valeur est un maximum maximorum pour x , . , l'expression (13) de i _. vérifie les deux
près ; nous pouvons donc reprendre le tracé des réponses (voir figure) à un échelon que propose M opt
inégalités
cet auteur après l'étude d'un système du second ordre. L'importance du coefficient d'amortisse- C (r + R1) RD
n CD
n <RD ^ CD

/ 1 / "Les régimes variables dans les systèmes linéaires et non linéaires" - NASLIN -
Editions DUNOD. n é c e s s a i r e s pour que le système soit stable.

/ 2 / "Théorie et calcul des asservissements" - GILLE, DECAULN, PELLEGRIN - Editions

DUNOD.
 - 32 - - 33 -

R,
II. 3. 2 - An2plifi£atejur_s_é£i£-para.llèle_
o RD-RT
La figure 36 montre le schéma de principe à partir duquel on peut appliquer le R.
même processus de calcul que dans la paragraphe précédent. AI
° (p+ f ) +w
ARDcDw 2 u> (p +
Le système différentiel, en transformées de Laplace, qui décrit ce circuit est le
AI représentant ici la variation de courant dans R et R , la branche de la diode tunnel
suivant : o s p
n'étant pas reliée
R
- S h+RP (i
i - y
21R C
si R T = r + R L + R1 (17)
D D
o = R

Lu = (18)
" V " RD h

Le déterminant s'écrit : II est facile de passer à la transformée inverse :

R +R R™
A - p2 + (r + R L + R') - i ) p + R D - (r + R L + R') i (t) = - I o u (t)
2

R
1 s P R
avec R = R +R (R
s p RD-RT 2t R D CD R
D C-D> Si
D D
(16)
Pour que cet amplificateur soit stable il faut que les coefficients de ce polynôme
soient tous de même signe. Le premier terme de i o (t) montre que le courant qui circule dans la charge Rr
est amplifié par la présence de la diode tunnel, en opposition de phase avec le courant d'attaque ;
- 1ère condition : R + RT - RD (a) résultat conforme à celui que l'on a obtenu à partir de la construction graphique relative à l'am-
plificateur série-parallèle. L'amplification a lieu par multiplication uniquement ; on retrouve la
Cette inégalité s'ajoute à la condition nécessaire de stabilité du point de polarisation signification de l'inégalité (b) i <* M » pour exprimer que P>o doit être vérifiée pour que la
r + R L +R p < - R
D , car en continu, R est séparée de l'amplificateur par une capacité de réponse soit oscillante amortie.
S
liaison.

On peut, ici encore, écrire la solution (16) en fonction des paramètres typiques des
- 2ème condition : R
DCD (r + R
L (b) systèmes du second ordre Ç et 6J

La transformée du courant qui circule dans la charge est

RTRDC D " l
E R (19)
1 T RD CD P " R P 2
R
s+Rp P
RL+R«)
\T\ DU C
D (RD - R T )

qui se décompose en éléments simples :

 - 34 -
- 35 -

où

(23)
(20)

La valeur de la self qui peut être mise en série avec la diode tunnel est un peu plus
Si nous posons ( (J grande dans le cas d'un amplificateur série parallèle que dans celui d'un amplificateur parallèle,
puisque (R_,) < (R^) . La valeur de la self que nous venons de déterminer est légèrement
1 1
p - sp
qui représente la valeur maximale du produit CJ Ç , nous pouvons écrire i 0 (t)
n £
différente de celle que P. S. GREEN obtient en analyse harmonique (dans son article déjà cité) :

R
= C
DRD D " V 2 RD(RD ' V
P n
i«(t)=-5 ~ - . A l u ( t ) + -, A l e cosCJt + — (2 ÇM - Ç ) sinCOt (21)
2, K_^ - Rnp O K.Q - K _ O CO Nous retrouvons exactement cette formule si nous admettons que R est de l'ordre
de R , donc :

R = (R (R
La discussion de cette équation e s t en tout point semblable à celle de la réponse de D "4 D "V D + V * 2 RD {RD " V
l'amplificateur parallèle ; l a réponse la plus rapide s'obtient ici encore pour Ç = 0 , 7 , les
Dans ce cas :
expressions (10) et (19) du coefficient d'amortissement réduit sont identiques ; à l a valeur de la
résistance R p r è s ; dans le c a s de l'amplificateur parallèle (R_,) = r + R' , pour l'amplificateur
R
s é r i e parallèle : (R ) =r + R + R' . On calcule donc une self optimale :
R
DCD R
D <2T D " V 2 R D( R D "
1 sp i-i
l'expression que nous avons trouvée n'est pas différente de celle de GREEN, mais elle est plus
générale.
(22)

II. 3. 3 - Effets de non linéarité

Conclusion : les réponses de l'amplificateur parallèle et de l'amplificateur série-

Les calculs précédents supposent que R et C~ sont constantes, hypothèse valable
parallèle sont des régimes transitoires très comparables dont les pulsations sont presque les
en petits signaux. En effet, le courant qui passe dans la diode tunnel suit une loi assez compliquée
mêmes, la différence ne résidant que dans les valeurs de R_.

E
' U
Il existe dans les deux cas une self optimale calculable à partir de la même formule
S f (E) - f (E) p (E) . p (E) . dE (24)
" c u lu le
puisque le coefficient d'amortissement réduit a même expression ; on peut d'ailleurs calculer
E'
une valeur approchée de cette self en supposant que :
dans laquelle

f c (E) fu (E) =
E -E E - E
l'équation l -2i I = o peut se réduire à 1 + exp
KT
c
1 + exp
u c

sont les probabilités d'occupation d'un niveau d'énergie E dans les bandes de conduction et de
valence.
1 /•> 1/9
P = K (E - E ) '" . P = K (E - E ) >ù
c c c u u u
 - 36 - - 37 -

sont les densités d'états dans les deux bandes d'énergie. A partir de la relation rigoureuse (24), + 13 mV si le point de repos est à = 250 mV. Au-delà de ce niveau, il faut tenir compte des
de nombreux auteurs ont calculé une expression plus explicite de i (V ). TARNAY donne variations de R~ en fonction de V^ (selon (27)). En dehors de cette marge, augmente,
la formule ce qui a pour conséquence immédiate de diminuer le gain. Nous avons vu en effet, au cours de
+1
eV
V! - x 2 l'étude, qu'en sinusoidal comme en impulsions, le gain d'un amplificateur à diode tunnel est
. dx (25)
- 1
-V 1 + ch 1 eV
D
toujours représenté par un rapport de résistances dont le dénominateur contient la différence
e KT 2 KT R - R . La polarisation continue de la diode doit, elle aussi, être bien stabilisée, ses
fluctuations ô V p doivent être inférieures à 5 V"D. La figure 39 représente l'allure de la varia-
où s est une constante.
tion du gain, en fonction de l'amplitude des variations du courant ou de la tension de la diode
tunnel. C'est le p vine i pal effet de non linéaviié que nous pouvons remarquer en impulsions.
D'autres auteurs ont simplifié ce résultat pour proposer la relation

eV. La capacité C_. est une fonction de la tension V , suivant la relation :

D

(28)
ou encore

On peut considérer que garde une valeur fixe, compte tenu de la faible am pli-
Mais on obtient les meilleures approximations à partir de polynômes combinés
tude des signaux amplifiés.
avec quelques fonctions transcendantes, telles que :

V 3/2 II. 3. 4 - Effets_de JLa_tempJr_ature_

VD
) +A.(e -1) (26)
La caractéristique statique d'une diode tunnel se déforme quand la température
Le dernier terme de ce développement représente la forme classique du courant
varie, le courant pic peut augmenter ou diminuer quand celle-ci croft, le courant vallée évolue
dans une jonction, les deux premiers termes sont prépondérants au voisinage du courant pic ; le
en général en sens opposé au courant pic. Il résulte des études de nombreux auteurs que la résis-
terme y 3/2
A tance négative - R varie en module suivant une courbe analogue à celle de la figure 40. On
f ^ admet en général que -R garde une valeur à peu près constante quand la température va^rie
d (- ~
rend compte de la partie à pente négative de la caractéristique i_ (V ). La relation (26) permet peu et que le point de fonctionnement
fonct est situé au point d'inflexion, mais en pratique
dT
1 D D varie avec chaque diode suivant une loi difficile à expliciter.
en effet de trouver la loi '" *

II. 4 - Etude du bruit de fond

(27)

II. 4.1 - Origines. ^M_bruit_de_fqnd

La résistance différentielle R est donc négative quand le quatrième terme est
prépondérant devant les autres. Les figures 37 et 38 représentent une caractéristique réelle de Toute diode tunnel traversée par un courant est une source de bruit. La première
diode à l'arséniure de gallium KMC-A05001B et la variation de la résistance négative en fonction cause de bruit de fond est due aux fluctuations thermiques de charges, dans la masse du semi-
de la tension appliquée. Autour du point d'inflexion I - R I est à peu près constante dans une conducteur et aux contacts ohmiques, de part et d'autre de la jonction proprement dite. La
marge de tension + 6 V D ~ 13 mV, au voisinage de V D = 250 mV. Le schéma équivalent deuxième cause a pour origine la nature corpusculaire du courant continu qui traverse la diode ;
de cette diode particulière est donc valable pour des signaux dont l'amplitude n'excède pas k' nombre de porteurs qui passent de la zone (n) à la zone (p) fluctue autour d'une valeur moyenne
déterminée par le courant de repos . On représente habituellement la diode tunnel avec ses
(+) TARNAY K. - "Approximation of tunnel diode characteristics" -
sources de bruit comme le montre la figure 41 dans laquelle :
P. I. R.E. (1962) - 5C - p. 202.
 - 38 - - 39 -

e =4K T_ r A f ou
r D

Il faut ajouter à ces fluctuations propres à la diode tunnel, celles dos

du circuit associé à l'amplificateur.

II. 4. 2 - Fac^ur_djjbruit^e_l^amplificateur J?arallèle_ (31)

Cette expression montre l'effet de la résistance série et de la température de la

Rappelons la définition du facteur de bruit que nous utilisons :
diode tunnel sur le facteur de bruit, celui-ci devient une fonction linéaire de r pour les très
faibles valeurs de cette résistance r . Parmi un lot de diodes de courant pic donné, nous fixerons
Puissance de bruit totale en sortie
F = notre choix sur celles qui ont la plus faible résistance série afin d'avoir le meilleur facteur de
Puissance de bruit en sortie abstraction faite du bruit de l'amplificateur
bruit. A la limite (r = o), on retrouve l'expression bien connue
Expression que l'on peut écrire encore :

.2 2 R (32)
i est le courant de bruit quadratique total m 2 KT

2
g i est le courant de bruit du générateur compte tenu F fait ressortir l'intérêt qu'il y a de prendre une djode tunnel à faible courant pic si l'on veut
des éléments du circuit de l'amplificateur considérés réduire le bruit de l'amplificateur dans lequel elle est insérée.
sans source de bruit

2 ^ 2 Vers les basses fréquences, le terme

— 4 KT e + e^
r D
R D
D r -
r -

R augmente, le troisième terme de F devient prépondérant devant le second, alors que pour les
D
2qID 21 2 fréquences qui approchent fr c'est l'inverse, comme on peut le constater en écrivant le facteur
4 KT
de bruit en fonction des éléments caractéristiques de la diode tunnel :
R RD
r - R T_
s D 1 1
F =1 + 1 1 —
D o (J r
2 2
D 1+ 1+
Donc, (
^ 13 W
D
R

4 K T r + 2qID
S 2 H
0)
r 2

+ (• -) R D (33)
RD
F =1 + R 2 KT
o
R (
4 KT
D
r - L D
 - 40 - - 41 -

La figure 43 montre l'allure qualitative de F ((J ). On en déduit facilement que

II. 4. 3 - Facteur_de jpruit jje_l^amplifica^te_ur _série_^parallèle_
pour une bande passante donnée A (J , déterminée par le temps de montée des impulsions que
nous voulons amplifier, on choisira une diode telle que B = Au <(j Comme au paragraphe précédent, nous utiliserons pour définir le facteur de bruit
les courants quadratiques de bruit à sortie court-circuitée.
Pour caractériser un amplificateur d'impulsions à diode tunnel, il est je crois plus R
D
valable de connaître l'expression du facteur de bruit intégral que nous pouvons définir par 4 K T R1 + 4 K T _ r +
.2 „ 2 os D
F =; avec "3
1. = ^
R
F = (voir définition de F) D
i (. R' +r -
/P dU s
g 1
soit

Si l'on pose R R'

sR P 4
B B Ri = KT
T R d (0 s R +R o R
TT - 11 i - î-r;
dO) , DRs o s P
1 Xl .2
T s R B 2T i
o D 12 o r [ l + (R C Y R R
o r -- 2 o *] - D g D
R1 +r -
]
+ (OR D C D )J [• s

(34)
D'où l'on tire
Supposons r de très faible valeur et B < 10 (J ; on peut dans ce cas ne conserver
o
que le dernier terme, qui devient après intégration : R T r R R 2
F= 1+ s + D s + o 1 -(1 + s D (36)
R To 2 2 KT R R r 2 ~| 2
+ (WR
R dI
D BR
P R' s 0 s P DCD J
DCD
3|r-R D |- 4KTO
r - RD

Si l'amplificateur était uniquement série, on aurait :

r - DCD \/r (RD - r)
Log
2 V r (RD - r) r - yjr (R^ - r) T ~ ^ F
D'
(37)
F =1+ ~ - K 2 KT R

Calculons la limite de cette expression quand r—*• o , on trouve alors

La présence de R ajoute donc un terme à cette expression et le bruit de fond se
o trouve augmenté, ce qui dégrade le facteur de bruit. Quand r—*o à fréquences basses, la
F . = 1 + T avec T = | - R. (35)
min 2 KT s D D limite de F est
s

ql
D R
II est normal que la constante de temps caractéristique de la diode tunnel, apparais- v D
F . = 1 + o _ (38)
s min 2 KT R
se dans l'expression de F . , puisque F est une valeur moyenne ; la capacité C n possède en
moyenne une charge non nulle I D TD . Cette charge sera d'autant plus faible que C n sera
petite.
R peut varier entre o et - R .

Le facteur de bruit limite s'écrit alors

 - 42 - - 43 -

R
D
lim F = 1+ - (39)
s mm 2K T

On trouve exactement la même valeur limite que pour l'amplificateur parallèle si

R
l'on fait tendre Rg vers I - D I (voir (32)) . Alors que dans le cas de l'amplificateur parallèle-
DEUXIEME PARTIE
série
R q iD
R
R 2 KT
(40)
P o s p

La limite que l'on obtient quand R ^ ! s'écrit :

- RD | qi D
lim F . = 1 + D
min R R 1+ (41)
2 KT D < R
III - REALISATION PRATIQUE -

Le facteur de bruit de cet amplificateur paraît moins favorable que celui des con-
III. 1 - Choix de la diode tunnel
figurations uniquement parallèle, ou série ; 51 sera plus important de minimiser le produit
J
DO I " R D I d a n S c e cas> qued
^ a sl e s autres
^c e l a P a r u n choix adéquat du matériau de la diode
tunnel puisque -R Au cours des paragraphes précédents, nous avons établi et rappelé un certain
D est caractéristique du semi-conducteur.
nombre de résultats qui vont nous guider dans le choix de la diode tunnel d'après les catalogues

Le facteur de bruit intégral est des constructeurs.

R rR 2
D D R C qui apparaît dans les
F =1 + £ £ Le paramètre le plus important est le produit -R
D
R T 1 2 KT BR R
R principales formules qui régissent les amplificateurs à diode tunnel. Nous considérerons tout
d'abord l'a capacité C ; l'analyse harmonique montre qu'elle est à l'origine de l'existence de
la fréquence de coupure résistive f , déterminée par la relation
R rR qi D R o
"D D R 2 BR
DCD 7T
£
F =1 + (42) R
R 1 2 KT R B 2 D
R s (BR D CD) ] r - = o
+ RDcDr
R
Si DCD est très faible | - R | reste à peu près constante jusqu'à des fréquences
Si B<<- on a
R C
D D élevées, nous avons calculé une pulsation limite CJM = 0, 325 (*)D . La largeur de bande associée
aux signaux à amplifier doit vérifier par conséquent l'inégalité B < 0, 325 ou

F - 1+
R
R
D
rR
2 KT
i
R
d +•
R
R
£
D
R
DCD

(D

En conclusion, l'amplificateur série-parallèle permet comme les deux précédents

d'avoir un gain avec une diode tunnel de courant pic moindre (voir étude graphique) mais le
facteur de bruit est moins bon. Or, pour une forme d'impulsion gaussienne, la bande passante est liée au temps
de montée T p a r la formule
m
B = 0,35/ T
m
 - 45 -
- 44 -

Si nous reprenons les valeurs de - R i de l'exemple cité, nous trouvons les valeurs
La capacité C n doit donc être telle que l'on ait

0,325
l MM = 11 nH et M
= 200 nH
m scit C ^ 0, 9 .
0,35 ' -R -R
D D mais si nous voulions choisir une diode à courant pic voisin de 5 mA au Ga-As, | - R^j ^30 fi ,
pour une impulsion de 1 ns de temps de montée X = 4, 5 nH. Ces résultats sont aisément
On retrouve cette formule en exprimant simplement que le courant dans la diode
réalisables en circuits imprimés mais ils constituent en fait des maximum maximorum et la self
tunnel doit être supérieur à celui qui est dérivé par la capacité C
D permise avec des diodes de courant pic voisin de 5 mA est plus faible que celle que nous avons
AV calculée, à cause de l'inégalité
D m
n ou CD<
- RD D T - R.D
ÏR
m - RD C dans laquelle i<|-RDl
Le temps de montée de l'impulsion nous fixe donc la limite du produit -R. Nous retiendrons cependant que la résistance négative varie en valeur absolue
D
comme IT • , où I est le courant pic et a peut, dans une certaine m e s u r e , ê t r e tenu comme
Exemple : si nous choisissons une diode tunnel au germanium de courant pic
caractéristique du semi-conducteur, les conditions de stabilité sont par conséquent plus difficiles
1 mA . I - R I <v 130 Q . Si nous voulons utiliser cette diode pour amplifier une impulsion de
à r e s p e c t e r avec des diodes de courant pic élevé ; avec une diode telle que 1 = 1 0 mA au g e r m a -
1 ns de temps de montée, la capacité C~ doit vérifier
nium - R A; 5 Q la self maximale est

-12
D iM = (ZR.) 5,5.10

Alors qu'avec une diode au Ga-As de même courant pic -R <v 200 fi si ZR. ~ 4Q et C = 5 pF soit i M = 0,1 nH, l'utilisation d'une telle diode ne peut être envi-
sagée que dans une structure hyperfréquences. Les selfs et les capacités permises par un câblage
CD^5pF
sur circuits imprimés nous imposent donc une valeur maximale dans le choix du courant pic, on
Ces deux valeurs sont facilement réalisées et nous n'aurons pas de difficultés à peut s'en faire une idée à partir de la relation
trouver des diodes dont les capacités sont inférieures ou égales à ces ordres de grandeur. ) .„ _ 2
L'amplificateur d'impulsions nanosecondes nous oriente vers des diodes à faible produit -Rn
D'
mais on ne peut pas choisir une valeur trop petite car les conditions de stabilité dynamique le courant pic doit alors vérifier l'inégalité suivante
si l'on pose -R

" R DI C
D<|-RD (4)

sont de plus en plus difficiles à vérifier, la limite maximale de la self que l'on peut disposer en
série avec la diode est
Les valeurs de L et de C n fixées, le courant pic maximal permis varie suivant
" R
D ' C
D (3)
m ie se mi-conducteur. Il suffit pour s'en rednre compte de tracer les caractéristiques normalisées
de diodes tunnel au Ga-As, Ge, Si, Ga-Sb (voir figure 45). On en déduit les inégalités ci-après :
Cette self est proportionnelle à la valeur absolue de la résistance négative et au
temps de montée, plus ce dernier est bref et moins on peut se permettre de câbler avec des
> GaSb
connexions longues. La self parasite est en ef;(ot proportionnelle à la longueur des connexions . GaAs > «Si >
et des mesures faites à 200 MHz sur celles de résistances L. C. C. ou SOVIREL montrent que
A capacité et self données, le courant pic maximal permis est de moins en moins
l'on a 5 nH par cm.
élevé quand on passe, dans l'ordre, d'une diode Ga-As à une diode au Si, puis à une diode au
Ge, e t c . . . .
 - 46 - - 47 -

Les diodes tunnel au silicium sont à écarter tout de suite de notre choix car les catalogues des III. 2 - Conception pratique
constructeurs montrent que la capacité minimale de celles-ci ne prend pas une valeur inférieure
à 80 pF. Quant aux diodes à l'antimoniure de gallium elles ne sont pas commercialisées couram- L'objet de cette étude étant de démontrer qu'il est possible d'utiliser les diodes
ment. Le choix se trouve donc réduit aux diodes Ga As et Ge. tunnel, comme composants actifs d'un amplificateur d'impulsions, nous avons choisi des diodes
à l'arséniure de gallium sans accorder de priorité aux considérations de bruit de fond.
F. STERZER et R. STEINHOFF proposent les valeurs relatives suivantes de a
en prenant l'arséniure de gallium comme référence III. 2 . 1 - Amglifi£ate_ur_p_arallèl£

= 1 La figure 45 représente la caractéristique statique I (V ) d'une diode tunnel

rGaAs
R.C.A. 40064, I = 5 mA. La mesure de sa capacité a été faite au R-X Meter Boonton type
a = 0,5
rGe 250 A à 20 MHz. La self maximale
= 0,27 -12
rGaSb 8 10"3 = 8 nH
'MM • -10
La marge de self maximale i M1U permise quand on passe d'une diode Ga As à une avec une capacité plus faible, il nous aurait été impossible d'éviter que le circuit entre en oscilla-
autre au GaSb, pour un courant et une capacité donnés, décroît assez rapidement, puisque l tions libres, nous avons pu l e vérifier avec des diodes de capacité plus faible, compte tenu de

varie comme a la self des connexions.

Exemple : Pour que le circuit soit stable, la résistance en parallèle avec la diode doit être
I (Ge) inférieure à 32 Q . Dans le montage réalisé nous avons considéré la construction graphique
P MM
associée à l'amplificateur parallèle : quand on l'examine on voit que le courant dans la résis-
1 mA 200 nH 50 nH pour = 5 pF
tance de charge R directement aux bornes de la diode tunnel est une source d'inconvénients
5 mA 5 nH 1, 3 nH
car la sortie et l'entrée ne sont pas séparées, il peut se produire des réflexions parasites gênan-
tes. Afin de bénéficier du gain en courant tout en ayant une bonne séparation de la source et d^
Ces valeurs ne sont que des ordres de grandeur mais elles montrent bien comment
la charge, nous avons placé un transistor base-commune en série avec les 27 Q . L'impédance
le semi-conducteur utilisé modifie les conditions de stabilité à partir de l'inégalité X " ^ ^ D ^ D •
d'entrée de la jonction émetteur-base est :

10Q
A ce point de vue c'est l'arséniure de gallium qui est le plu^ favorable. eb
26
elle s'écrit en dynamique
Les diodes tunnel au GaAs sont intéressantes pour les raisons que nous venons
d'exposer ; mais si nous portons notre attention sur les performances en bruit de fond, le facteur avec 1 = 5 mA , r ^ 5fi; i l y a donc aux bornes de la diode tunnel une résistance qui résulte
e e
de bruit minimal II
eI de la combinaison parallèle de 50 Q et d'environ 34 Q , soit 21 Q . La condition ZR< - Rn
F = 1 + 2 KT I "RD est donc bien vérifiée et nous avons écourté au maximum la longueur des connexions afin d'avoir
une self totale
pour deux diodes de courant pic donné, est supérieur dans le cas du GaAs comparé au germanium i <C (IR) - R = 8 . 1 0 " 1 2 . 21 . 33 = 5,6 nH
D D
puisque | - RD I QaA s > | - RD | G e avec le même I Q .
Si nous reportons notre attention sur les résultats de l'étude analytique, nous pou-
vons en conclure q.ve la réponse sera cille d'un système du second ordre à coefficient d'amortis-

(+) F. STERZER, R. STEINHOFF - "Microwave tunnel diode amplifiers with large dynamic range" sement réduit Ç <0,7. La photo qui figure sous le schéma de montage confirme cette conclusion.
Le courant qui sort du collecteur du transistor est :
R.C.A. Review, march 1964, pp. 54-66.
i = « io (t)
 - 48 - - 49 -

Le choix du 2 N 918 répond à des considérations de rapidité car le courant i ne que la caractéristique composite présente une zone compensée sur une plage de tension supé-
reproduit fidèlement i (t) que si le coefficient or prend sa valeur or finale en un temps très
et
r a =a ' 1 O rieure à 30 mV. .>.
court devant le temps de montée T __ de i (t),.
. . Or
. do
r 1
m est la réponse impulsion-
La figure 51 représente le schéma réalisé et le résultat obtenu. Le gain d'insertion
nelle de o; , quand on envoie un échelon de courant sur un transistor base-commune, le coefficient
en tension est G = 2 , 3 ; pour la même raison que celle que nous avons évoquée à propos de
a évolue suivant la relation
l'amplificateur parallèle, la réponse est celle d'un système du second ordre surcompensé, à
a - aQ (1 - )
coefficient d'amortissement réduit Ç < 0, 7 . L'instabilité de ce montage le rend délicat à mettre
On choisit donc un transistor qui a une fréquence de coupure f au point, mais l'action du courant base fournit un moyen commode de réglage du gain et de con-
a
m trôle des oscillations, car il permet d'ajuster au mieux la pente positive dans la zone compensée
La figure 47 montre comment varie l'amplitude du signal de sortie en fonction de de la caractéristique composite. Il est difficile de choisir des diodes tunnel de courant pic
celle du signal d'attaque sur 50Q , la pente de cette courbe représente le gain d'insertion, sa 1 = 5 mA et de capacité inférieure à 5 pF, la self résiduelle étant alors du même ordre de grand-
courbure résulte de la non linéarité de la caractéristique de la diode tunnel. Le gain d'insertion deur que la self limite
mesuré est voisin de 2, 1 alors que le calcul prévoit une valeur de l'ordre de 3. Nous avons 'M = CD - RD (IR)
effectivement obtenu ce gain en modifiant légèrement la polarisation de la diode tunnel, ce qui
revient à faire varier R . La figure 48 indique la variation de l'amplitude relative de sortie Afin d'améliorer la stabilité de la réponse à un échelon, en évitant les suroscillations
en fonction de la polarisation de la diode, la position du maximum à V o> 200 mV correspond pour s'affranchir des oscillations libres, il faut augmenter ï Le moyen le plus efficace est
au point d'inflexion. de choisir une diode dont le module de la résistance négative est plus grand que celui de la diode
utilisée dans les deux circuits que nous venons de décrire. Cela revient à prendre une diode de
III. 2. 2 - Amplificateurs courant pic plus faible. On peut très bien simuler une résistance négative comparable, en module,
à celle d'une diode ayant un I de 5 m A, ( | - R | ~ 40 Q) en plaçant une résistance RK en
L'étude graphique fa-.te à propos de l'amplificateur parallèle nous a montré que la série avec une diode de courant pic I = 1 mA ( | - R 180 Q à 150 Q) si la différence
diode tunnel est le siège d'une importante variation de courant AI comparée au courant d'atta- -RD|-RK~40O.
que ; elle est du même ordre de grandeur que celle qui parcourt la résistance mise en parallèle
avec la diode. C'est pourquoi nous avons eu l'idée d'exploiter le courant mis en jeu dans la diode Pour réaliser le circuit de la figure 52 on commence par sélectionner une diode
tunnel ; il est en effet plus grand, toutes choses égales par ailleurs, que le courant dans la r é s i s - GaAs de capacité inférieure ou égale à 7 pF parmi les diodes de courant pic 1 mA qui figurent
tance parallèle. Pour prélever la variation A L, il suffit de disposer en série avec la diode un dans les catalogues ; il faut aussi que la fréquence de coupure résistive f vérifie l'inégalité
transistor base-commune : on ne met ainsi en cascade que la faible impédance d'entrée de la 2 TT f
jonction émetteur-base. Cette disposition permet de bien séparer l'entrée de la sortie. Comme 2 TT B < (cf. résultats de l'analyse harmonique) ;
ù, O
dans le cas précédent, elle autorise l'emploi de diodes de courant pic égal à la limite 1 = 5 mA, 0 35
compte tenu du câblage sur circuit imprimé. Toutefois avec une compensation de la résistance pour une impulsion à front de montée gaussien B %•—'— , donc on doit choisir une diode tunnel
m
négative par une résistance linéaire R , la caractéristique composite ne présente une pente à dont la fréquence de coupure
grande impédance dynamique que sur une plage de tension de 30 mV. Pour une amplitude plus fr > 0,88. 10 Hz si T
m = 1 ns
o
grande, le signal de sortie est écrêté par la non linéarité de la caractéristique de la diode. Nous
avons déjà observé cet effet sur la figure 48, le signal d'attaque est lui-même écrêté par la non On éliminera par conséquent toutes les diodes tunnel dont la fréquence fr est
linéarité de la caractéristique composite au-delà de ces 30 mV. Il nous a donc semblé intéressant inférieure à 1 GHz environ. Il faut tracer ensuite, point par point, la caractéristique statique
de compenser la partie à pente négative de I (V ) par une impédance non linéaire. C'est en de la diode choisie, la figure 54 représente le tracé obtenu. Si on examine les caractéristiques
combinant la caractéristique I (V ) avec une résistance adéquate que nous avons réalisé cette composites qui résultent de la mise en série avec la diode, de résistances dont les valeurs suc-
compensation. La figure 50 montre l'ajustement du courant base du transistor, au traceur, pour cessives sont 120Q , 146 Q , 180 Q , on constate que pour 146 O on annule presque la résistance
différentielle de la caractéristique résultante ; cela nous permet d'estimer la résistance négative
 - 50 - - 51 -

R1J à - 150 D environ, alors que d'après 1^. (V ) , - RD II mm . ~ 1 5 5 Q , R K„ doit avoir une on peut estimer celles-ci à 2 mV/°C. On peut voir sur la caractéristique composite qui corres-
JJ JJ
valeur telle que l'inégalité R K + R + r < | - R D | soit v r a i e , R = | - R I - (R + r ) = 50 Q , pond à R = 120 Q que de telles fluctuations entraînent un déplacement non négligeable du point
nous avons choisi R = 47 Q . En réalisant le circuit d'après ces données nous avons contrôlé de repos, ce qui a pour effet d'augmenter - R n | et de diminuer le gain. C'est pourquoi nous
la bonne stabilité en continu du point de repos bien que la présence de la jonction émetteur-base avons asservi le potentiel d'émetteur à oV par l'intermédiaire d'un amplificateur différentiel
du 2 N 918 ajoute encore son impédance Z à la somme R +R + r = 1 5 2 Q c e qui conduit à dont l'entrée compare le potentiel de masse à celui d'émetteur et dont la sortie commande le
G K p
adopter une valeur voisine de 160 Q pour - R si Z -v 8 Q. potentiel de base. La dérive du V _, a été ramenée ainsi à moins de 10 y V/heure. Le montage
que nous venons de décrire a une bonne stabilité de réponse et de gain ; il est possible de le
En régime dynamique la résistance R qui est en série avec la diode tunnel est répéter plusieurs fois en cascade pour obtenir un gain plus grand, mais les photos de la figure
9fi
constituée de R , r , Z =r = et R en parallèle avec l'impédance du générateur 55 montrent que les performances en temps de montée ne sont pas meilleures que celles d'un
6 6
R g = 50 Q . Par conséquent R T = 100 + 5 + 5p + 21 = 131 Q . Il est possible maintenant de calculer amplificateur rapide à transistors. La première des photos de cette figure permet de voir l'in-
la self que l'on peut mettre en série à partir de la formule que nous avons établie fluence de la self que l'on ajoute en série sur le temps de montée de la réponse à un échelon.

= C
D I-RD III. 2 . 3 - Accr_oisseroent_du_gain_d^un. à l'aidejd^unedjqde
avec C = 5 pF et les valeurs de résistances adoptées tunnel

i o p t * 70 nH
La structure proposée permet d'augmenter le gain d'un préamplificateur rapide
nous vérifions bien que I^ < i M M = 112 nH et 1 < jJM = 95 nH avec i tel que celui qui est décrit dans la note technique de A. LAVAITTE (DEG/SINR/81, Juillet 1966),
M
|-RDPT
et la figure 57 représente le schéma réalisé.

La précision de la valeur calculée pour X. dépend étroitement de celles de R L'amplificateur, sans diode tunnel, avec une résistance de 43 Q en série dans
<*t R T ; il-est facile de commettre une erreur de + 5 °/ o sur chacune d'elles, si R = 126 Q l'émetteur du premier transistor pour adapter son impédance d'entrée à celle du générateur,
*-o = 50 nH et pour R T = 136 Q , £ Q = 83 nH. Comme nous voulions avoir en fait une réponse possède un gain déterminé par la relation
;ans dépassement, nous avons mis une self 1 de 20 nH. En tenant compte de la self résiduelle,
on a donc au total 25 nH environ. La figure 53 montre que la réponse est bien celle d'un système A = 3 avec R =220Q , R = 100Q
u RE
''u second ordre ayant un coefficient d'amortissement réduit légèrement plus grand que 0,7 . F
Les transistors de ce circuit sont sélectionnés pour leur très grande rapidité de
Le gain d'insertion, calculé d'après l'expression réponse et leur fonctionnement à faible niveau, ils ont un F > 1 000 MHz.

R-
= - 2,5 La détermination du point de fonctionnement de la diode tunnel à partir de sa carac-
R R
D~ T téristique statique est identique à celle que nous venons de faire au paragraphe précédent. La
est voisin de la valeur mesurée à l'oscilloscope soit - 3. L'écart entre ces deux chiffres vient résistance négative déduite de la figure 56 est voisine de 220 Q , ce qui nous permet de connaître
de l'imprécision de | - 11^ | et R T , si on admet la même erreur de + 5 % que celle que nous la résistance R à mettre en série avec la diode. Le tracé de la caractéristique composite de
IN

avons déjà fixée, le gain mesuré peut varier de - 1,95 à - 3,3. la diod'î tunnel en cascade avec une resistance R , permet de voir que, si R = 47 Q , la
P
co -ipeisation de la partie à pente négative de I (VD) nécessite une résistance RK voisine de
La stabilité de la réponse pour un point de fonctionnement donné étant ainsi obtenue
160 Q . C'est pourquoi nous avons choisi de mettre 135 Ci pour que, compte tenu de l'impédance
nous avons constaté des instabilités de gain quand le transistor base-commune était polarisé
de la jonction émetteur-base et de la résistance série de la diode tunnel, la résistance RK
comme à la figure 54. Ces variations de gain étaient engendrées par des fluctuations de tension
réelle soit proche de 160 Q .
aux bornes de la diode tunnel. La source de courant utilisée est en effet, stable en température,
la principale cause d'instabilité restait due aux variations de V B E en fonction de la température ;
 - 52 - - 53 -

On voit clairement sur la figure 56 l'importance qu'il y a de bien fixer le point de Les signaux de bruit sont constitués par une suite d'impulsions de forme gaussienne,
repos dans la partie à pente négative de la caractéristique composite I (V ). Le gain d'insertion dont les intervalles de temps et les amplitudes varient de façon aléatoire. C'est pourquoi nous
à l'oscilloscope est A = 7, 5 ; la légère décroissance du palier de l'impulsion est due aux capa- avons procédé à une analyse des caractères statistiques du bruit de fond à la sortie de l'amplifi-
cités de liaison. cateur ; il suffit pour cela de disposer un disr:riminateur très sensible, de seuil réglable, rapide,
suivi d'un système de comptage également très rapide. On peut tracer ainsi une courbe sur papier
On a ainsi fait passer le gain original de l'amplificateur à transistors de la valeur 3 semi-logarithmique avec, en ordonnées, le taux de comptage du discriminateur (en nombre
à la valeur 7 , 5 , il a donc été multiplié par 2, 5 avec une seule diode tunnel. de coups/sec) et en abscisses le seuil affiché soit N. (a.).
J. x 3 1

Il est même possible de faire fonctionner ce circuit en amplificateur pour des La courbe obtenue a la forme indiquée par la figure 60, elle permet de déterminer
impulsions de niveau inférieur à une certaine valeur et en déclencheur au delà de celle-ci. Il le rapport :
Nombre de coups utiles
suffit d'ajuster la résistance mise en série avec la diode et le point de repos au-dessus du point
Nombre de coups parasites
d'inflexion de ]_ (Vy-.). Si la somme Z R des résistances vues des bornes de - R est telle que
en présence d'impulsions à l'entrée. Si le système de comptage discriminateur-échelles permet
ZR - R mais légèrement inférieure, il est possible de polariser la diode pour que
D min
de compter les impulsions de bruit pour un niveau donné, au rythme même où elles sont produites,
l'inégalité t <C . Z R | - R_J soit vérifiée au point de repos, mais ne le soit plus si l'amplitude
on aura la représentation du spectre d'amplitude, compte tenu du pouvoir de résolution du discri-
du signal appliqué déplace le point de fonctionnement suffisamment près du point d'inflexion,
minateur.
j- R | devenant minimum, la self est alors suffisante pour amorcer un début d'oscillation, mais
celle-ci est stoppée dès que le point de fonctionnement atteint une zone de I (V_J où la résis-
Les circuits qui suivent l'amplificateur étudié doivent avoir une fréquence supérieure
tance négative vérifie à nouveau l'inégalité citée. Nous avons représenté sur la figure 59 les
de fonctionnement, au moins égale à l'inverse du double du temps de montée de l'amplificateur
zones ainsi définies et la photo montre le fonctionnement que nous venons de décrire, avec
étudié. Il est encore impossible en pratique d'atteindre ce résultat car la bande passante des
R = 154 Q ; on vérifie bien que
amplificateurs d'impulsions rapides atteint environ 300 MHz pour uii gain voisin de 10, alors que
ZR = 154 + 47 + r + Z 22OC2
les systèmes de comptage ont une fréquence maximale de fonctionnement proche de 100 MHz
quand ils sont attaqués par des impulsions statistiques non élaborées. Une autre cause de réduc-
Le fonctionnement, en amplificateur, de la diode tunnel est dans ce cas, beaucoup
tion de la bande passante du système d'analyse vient du fait que l'on doit ajuster la sensibilité du
moins linéaire à cause des courbures plus accusées de I (V ) au voisinage des courants pic
discriminateur aux amplitudes des signaux de bruit, il est alors nécessaire d'augmenter le gain
et vallée, mais le gain d'insertion obtenu est beaucoup plus grand puisqu'il atteint pratiquement 15.
de l'amplificateur qui est entre l'amplificateur étudié et le discriminateur si l'amplificateur
analysé a un gain de quelques unités.
III. 2. 4 - Etude_du bruit de_fond

Il faut alors disposer un amplificateur de gain élevé entre les deux, ce qui réduit
Le bruit de fond à la sortie d'un amplificateur est constitué par le signal que l'on
la largeur de bande A f . Nous avons utilisé les considérations précédentes pour apprécier
observe en l'absence de toute information à l'entrée. Ses effets deviennent gênants quand les
quantitativement ce qu'il est possible de gagner en rapport signal sur bruit par l'utilisation d'une
amplitudes des signaux de bruit et utiles sont comparables. Un amplificateur d'impulsions rapide
diode tunnel à l'entrée d'un préamplificateur d'impulsions à transistors. Les circuits employés
est caractérisé par une grande bande passante allant du continu (parfois) à 200 ou 300 MHz ; les
sont les suivants :
circuits qu'il précède sont très souvent des dispositifs à seuils fixes, variables ou échelonnés.
Il est donc peu significatif de faire des mesures de bruit sur des amplificateurs d'impulsions au
moyen des méthodes utilisées en régime sinusoi'dal. Celles-ci consistent en effet à déterminer la
puissance de bruit mesurée autour d'une fréquence f , à l'aide d'un détecteur quadratique à
travers un filtre de bande. Une telle mesure aurait pour résultat de sous estimer très largement
le bi'uit de fond de l'amplificateur étudié. / 1 / Note technique DEG/SINR/81 de A. LAVAITTE
 - 54 - - 55 -

1 - Deux amplificateurs rapides, gain commutable 10 - 100 - 1 000 ' Résultats

1
2/ / 3 /
2 - Un sélecteur d'airjplitude monocanal ' ' constitué par deux discriminateurs N° seuil Mesure
temps de résolution : 12 à 14 ns
/4 / 0 2,7 . 106
3 - Une décade octade 6
0,5 2,47. 10
1 2,18. 106
Mesures
1,5 1,8 . 106
a) Afin de bien séparer les contributions de tout ce qui est après la diode tunnel, nous 6
2 1,5 . 10
avons commencé par tracer le spectre de bruit de la chaîne de comptage seule.
2,5 1,2 . 106

Résultats 3 9,1 . 105

3,5 6,6 . 10 5
Courbe 3
N° seuil Mesure 4 4,5 . 10 5

0 2,7. 10 6 4,5 2,9 . 105

0,5 2,1.106 5 1,8 . 105

1 l,5.106 5,5 1 10 5

1,5 9,2. 10 5 6 5,9 . 104

2 4,9.105 6,5 2,9 . 104

2,5 2,3. 10 5 7 1,47. 104

3 9,7. 10 4 7,5 6,6 . 104

3,5 3,8. 10 4 8 2,7 . 103

3
4 1 ,10 4 8,5 1,1 . 10

4,5 3,3. 10 3 9 3 102

5 7,6, 10 2
La courbe Co montre que le nombre d'impulsions de bruit pour un seuil donné est
5,5 1,1. 10 2
très supérieur à ce qu'i] était dans les conditions de la figure 62.

Le gain des amplificateurs a été fixé pour que dans les conditions de la figure £6 lfe
2 c) Plaçons maintenant, devant le premier transistor base-commune la diode tunnel
taux de comptage soit réduit à environ 10 C/s.
avec des conditions de polarisation idertiques à celles que nous avons déjà décrites ; l'ensemble
diode-transistor B-C possède un gain égal à 3,3 après réglage.
b) Pour savoir dans quelles proportions la diode tunnel améliore le rapport signal sur
bruit du préamplificateur à transistors, nous avons repris le montage de la figure 61 dont le gain
Pour comparer la courbe obtenue dans ces conditions, à la précédente, nous avons
est fixé à 3 et pour pouvoir comparer ensuite les courbes obtenues en présence de la diode et
ramené le gain à la même valeur en ajoutant un autre atténuateur de 10 db.
sans la diode à celle qui correspond à la figure 63, nous avons mis une atténuation de rapport^-5-.
o
Si la diode tunnel améliorait le rapport signal sur bruit la courbe tracée serait
située sous C et au-dessus dans le cas inverse.
/ 1 / Note technique DEG/SINR/81 de A. LAVAITTE
/ 2 / Note technique DEG/SINR/82 de J. CHAMBON
/ 3 / Rapports DEG/2022/SINR/5 et DEG/2042/SINR/6 do R. VAN ZURK
/ 4 / Note technique DEG/SINR/78 de P. BERNARD
 - 56 - - 57 -

Résultats une bar ';? de fréquence A f = 1 Hz. Le facteur de bruit est donc relativement élevé, l'utilisation

N° seuil de la diode tunnel comme amplificateur d'impulsions à faible niveau n'est pas très justifié, dans
Mesure
la bande de fréquences mises en jeu. Le seul avantage qu'elle offre réside essentiellement dans
0 2 , 9 . 10
la simplicité du circuit amplificateur qu'elle permet de réaliser ; il est possible par son utilisa-
0,5 2,7.10e
tion d'augmenter le gain d'un amplificateur à transistors, sans dégrader pour autant son facteur
1 2,4.10e
de bruit, mais il ne faut pas s'attendre à une grande amélioration de ce dernier. La formule (36)
1.5 2 .ÎO6
perme': de prévoir cependant une diminution du facteur de bruit si l'on refroidit le circuit, mais
2 1,7. ÎO6
il devient alors nécessaire de disposer d'un cryostat imposant et peu pratique.
2 * •*i 1,3. 10Ê
3 1 .10Ê Courbe 3
3,5 7,5.10*
4 5 . 10E
4,5 2 . 10 £
5 2 . 10E
5,5 6 .10^
6 3,1.10^
6,5 1.4.104
7 6 / 4 . 10°
7,5 2,6.10 < :

Les courbes C~ et C sont confondues, l'effet de la diode tunnel augmente donc le

n du préamplificateur de gain 3 à transistor sans en améliorer les performances en bruit de
fond dans la gamme de fréquences mises en jeu.

Remarquons toutefois, que le circuit adopté ici est le moins favorable si l'on se
reporte aux expressions des facteurs de bruit que nous avons calculées, à chaque configuration ;
le choix de diodes tunnel au GaAs est avantageux pour la réalisation des conditions de stabilité,
la dynamique de fonctionnement mais il ne l'est pas en ce qui concerne le Druit de fond. Exemple
le facteur de bruit associé à une diode au Ge de 1 mA (- R

el

alors que pour une diode au GaAs de même courant pic ( | - RD| *\» 180 Q )

F = 2 8 OU 4 5 d b
GaAs ' '
. • *
On peut calculer le facteur de bruit à basse fréquence du circuit de la figure 36 en
reprenant l'expression (36), il suffit pour cela de remplacer r par r + RK + Z qui est de
l'ordre de 120 Q . La valeur calculée par cette formule nous donne F = 15,76 db à 50 MHz dans
I - 59 -

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