TRANSISTOR BIPOLAIRE

I – Introduction
I.1 – Constitution n p
Le transistor bipolaire est collecteur
réalisé dans un monocristal p base n
comportant trois zones de
émetteur
dopage différentes. n p
n C
On reconnaît deux jonctions PN
p ⇔ B que l'on peut considérer comme
deux diodes lorsque le transistor
n E n'est pas polarisé.

Pour polariser correctement un transistor, il faut que :

la jonction entre B et E soit polarisée dans le sens direct,
la jonction entre C et B soit polarisée dans le sens inverse.

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Remarques :
I.2 – Le transistor NPN polarisé
- la base est faiblement dopée
- la base est très fine

0 < V1 < Vseuil de la jonction PN

La jonction BE est polarisée en directe

mais n'est pas passante ⇒ IB = 0 .

Il faut V2 > V1 pour polariser correctement

le transistor.

⇒ la jonction BC est polarisée en inverse,

⇒ IC = courant inverse = IC E o ≈ 0.

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I.2 – Le transistor NPN polarisé Remarques :
V1 > Vseuil de la jonction PN - la base est faiblement dopée
- la base est très fine
La jonction BE est passante

⇒ IB > 0, et VB E ≈ 0,6 V.

Ce courant est constitué d'un flux

d'électrons allant de l'émetteur vers la
base.

Les électrons arrivant dans la base peuvent

rester libres longtemps avant d'être piégés.

La base étant fine, ils arrivent à la 2 ème

jonction et passent dans le collecteur.

La majorité des électrons injectés par

l'émetteur traversent la base et se
retrouvent dans le collecteur.

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I.2 – Le transistor NPN polarisé Remarques :
V1 > Vseuil de la jonction PN - la base est faiblement dopée
- la base est très fine
La jonction BE est passante

⇒ IB > 0, et VB E ≈ 0,6 V.

Ce courant est constitué d'un flux

d'électrons allant de l'émetteur vers la
base.

Les électrons arrivant dans la base peuvent

rester libres longtemps avant d'être piégés.

La base étant fine, ils arrivent à la 2 ème

jonction et passent dans le collecteur.

La majorité des électrons injectés par

l'émetteur traversent la base et se Il en résulte un courant positif IC
retrouvent dans le collecteur. de valeur bien supérieure à IB.

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Lorsque le transistor est polarisé correctement, on peut définir plusieurs rapports de
courants statiques (courants continus), notamment :
IC IC
alpha statique  DC = = ≈1car I B ≪ I C
I E I C I B

 DC  0,99 transitors classiques

0,95 transistors de puissance
IC 100<  DC <300 transitors classiques
bêta statique  DC =
IB 20<  DC <100 transistors de puissance

 est aussi appelé gain en courant du transistor.

Ce gain est à l'origine de nombreuses applications

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I.3 – Symboles, tensions et courants
NPN PNP
C C
IC IC
IB L'émetteur est repéré IB
B VCE par la flèche qui B VCE
symbolise le sens
VBE IE VBE IE
réel du courant
E E

grandeurs positives grandeurs négatives

Loi de Kirchhoff appliquée au transistor bipolaire : IE = IC + IB

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I.4 – Le transistor considéré comme un quadripôle
i1 i2
Le transistor ayant trois électrodes, l'une

entrée

sortie
d'elles sera commune à l'entrée et à la v1 T v2
sortie. Il en résulte trois montages
principaux.
Montage entrée sortie Les montages correspondant
émetteur commun base collecteur à une permutation entrée-
collecteur commun base émetteur sortie sont sans intérêt car ils
base commune émetteur collecteur ne permettent pas de gain.

EC IC CC IE IE BC IC
IB IB

VBE VCE VBC VEC VEB VCB

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I.5 – Réseau de caractéristiques (montage émetteur commun)

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I.5 – Réseau de caractéristiques (montage émetteur commun)

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I.5 – Réseau de caractéristiques (montage émetteur commun)

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I.5 – Réseau de caractéristiques (montage émetteur commun)

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I.5 – Réseau de caractéristiques (montage émetteur commun)

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Remarques :

NPN → grandeurs positives ; PNP → grandeurs négatives.

VBE ne dépend pratiquement pas de VCE , le réseau d'entrée ne comporte qu'une

seule courbe.

IC dépend faiblement de VCE , le réseau de transfert ne comporte souvent qu'une

seule courbe.

La puissance dissipée par un transistor est limitée à P max.

Le réseau de caractéristiques est donné pour une température définie.

Il existe une dispersion des caractéristiques pour des transistors de mêmes

références.

Ordres de grandeurs : VBE : 0.2 à 0,7 V ; VCE : 1 à qq 100 V ; IC : mA à A ; IB : µA.

Le point de fonctionnement peut être porté sur le réseau.

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II – Le transistor en commutation
II.1 – Région de blocage
Pour VB = 0, VB E = 0 et IB = 0 ⇒ IC =  IB = 0

La jonction CB est polarisée en inverse.

Il existe donc un faible courant de fuite IC E o.

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II – Le transistor en commutation
II.1 – Région de blocage
Pour VB = 0, VB E = 0 et IB = 0 ⇒ IC =  IB = 0

La jonction CB est polarisée en inverse.

Il existe donc un faible courant de fuite IC E o.

En pratique ce courant est négligé et on considère le transistor comme un circuit

ouvert.

On dit que le transistor est bloqué.

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II.3 – Région de saturation
Pour VB > Vseuil de la jonction PN, on a :
V B −V BE
V B =R B I B V BE ⇒ I B=
RB
V B−V BE
⇒ I C = I B=
RB
E−V CE V B−V BE
Par ailleurs, E = RC IC + VCE , d'où : I C= =
RC RB
E
Si RB ➘, IB ➚ donc IC ➚ et VCE ➘. Lorsque VCE = 0 , I C= =I Cmax
RC
V B−V BE I Cmax
Si RB ➘ encore, IC = ICmax mais I B= >  et la relation IC <  IB .
RB
Le transistor est saturé : VCE = VCEsat = 0,2 à 0,4 V et IC  E / RC .
Si  IB > [Link] , le transistor est saturé.

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III – Polarisation du transistor (zone linéaire)
Polariser un transistor consiste à définir son état de fonctionnement par
l'adjonction de sources de tension continues et de résistances .

Cet état de conduction est caractérisé par un point dans chacun des quadrants du
réseau de caractéristiques, ce point est appelé p o in t d e r ep o s .

Le point de fonctionnement
caractérise deux variables
indépendantes du transistor : IC
et VC E . Il doit être choisi dans la
zone linéaire, mais en dehors des
zones interdites et doit être peut
sensible aux variations de
température.

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III.1 – Polarisation à deux sources de tension
C'est un montage peu utilisé car il

nécessite deux sources.

III.2 – Polarisation à une source de tension

E=R B I B V BE 1

{ E=RC I C V CE 2
I C = I B 3

E−V BE E E
1⇒ I B = ≈ (3)⇒ I C = I B ≈ 
RB RB RB
E 
(2)⇒V CE =E−R C I C ≈E−R C  =E 1−R C
RB RB ( )
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III.1 – Polarisation à deux sources de tension
C'est un montage peu utilisé car il

nécessite deux sources.

III.2 – Polarisation à une source de tension

E=R B I B V BE 1

{ E=RC I C V CE 2
I C = I B 3

E−V BE E E
1⇒ I B = ≈ (3)⇒ I C = I B ≈ 
RB RB RB
Montage instable
E  en température
(2)⇒V CE =E−R C I C ≈E−R C  =E 1−R C
RB RB ( )
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III.3 – Polarisation par pont et résistance d'émetteur
III.3.1 – Détermination approchée du point de fonctionnement
On considère I1 , I2 >> IB ⇒ I1 = I2 >> IB .
R2
On en déduit : V BM = E
R1R 2
On a VB M = VB E + RE IE = VB E + RE (IC + IB)

Si  est grand, IC >> IB et VB M ≈ VB E + RE IC

V BM −V BE E⋅R 2 V BE
d'où : I C= = −
RE ( R1 + R 2 ) R E RE
On a E = RC IC + VC E + RE IE = RC IC + VC E + RE (IC + IB) ≈ RC IC + VC E + RE IC

E⋅R2 V BE
et on en déduit V CE =E −(RC + R E ) I C =E −(R 1 + R 2 )

Stabilité en température : si IC ➚ ,VE ➚ donc VB E ➘ ⇒ IB ➘ ⇒ IC ➘

( ( R1 + R2 ) R E
−
RE )
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III.3.3 – Détermination graphique du point de fonctionnement

En négligeant IB devant IC , on a E = RC IC + VCE + RE IC .

On en déduit l'équation de la droite de charge :

E−V CE
I C=
RC R E

Connaissant l'un des paramètres, on

peut en déduire les autres.

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IV – Le transistor en régime dynamique
L'étude en régime dynamique consiste à analyser le fonctionnement d'un transistor polarisé
lorsqu'on applique de petites variations à l'une des grandeurs électriques.

IV.1 – Analyse d'un montage EC

montage EC ⇒ entrée : base, sortie : collecteur

IV.1.1 – Polarisation

En continu (transistor polarisé), le point de repos est défini par les points P 0, Q0 et R0, de
coordonnées VCEo, Ico, Ibo et VBEo.

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IV.1.2 – « Petits signaux »

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 TRANSISTOR BIPOLAIRE
IV.1.2 – « Petits signaux »

1 pour =0 , Z C ∞ , circuit ouvert

ZC=
jC  pour ≠0 , Z C≈0 si C est grand, court circuit

CLE , CLS : condensateurs de liaison.

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On considère la charge infinie. Le point de fonctionnement se déplace alors entre
R1 et R2, Q1 et Q2 et P1 et P2.

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Remarques :
Quand VB E ➚ , IB donc IC ➚ et VC E ➘.

∣VB E∣ = ∣VB E 1 – VB E 2∣ << ∣VC E∣ = ∣VC E 1 – VC E 2∣

⇒ amplification de tension mais en opposition de phase.

Les grandeurs électriques comportent une composante continue et une composante
alternative.
V BE t =V BEo v be t 
I B t  = I Bo i b t 
V CE t =V CEo v ce t 
I C t  = I Co i c t 
On peut donc décomposer l'analyse du montage en :

une étude en continu (statique) pour calculer le point de repos,

une étude en dynamique pour calculer les gains.

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Ainsi en appliquant le théorème de superposition :

Si la source E est de bonne qualité, r0 = 0 :

Q

Statique Dynamique

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Ainsi en appliquant le théorème de superposition :

Si la source E est de bonne qualité, r0 = 0 :

Q : quadripôle équivalent Q
au transistor en régime
dynamique.

Statique Dynamique

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IV.2 – Modèle en régime dynamique
En régime dynamique, le transistor peut être considéré comme le quadripôle
suivant : ib ic

v be v ce

vbe=h11⋅i bh12⋅vce
En utilisant les paramètres hybrides : {i c
=h 21⋅i bh 22⋅v ce
v be ic
h 11=
i
∣ v ce=0
h 21=
i
∣ v ce=0
b b

ic vbe
h 22 =
v
∣ i b =0
h 12=
v
∣ i b =0
ce ce

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Schéma équivalent : ib ic

v be d V BE h11
h 11=
i
∣ v ce=0
=
d IB
∣ V CE =cste vbe h22
b vce
[Link] [Link]
d V BE
h 12=
d V CE
∣ I B =cste
Sur un réseau de caractéristiques

d IC
h 21=
dI
∣ V CE =cste
B

d IC
h 22 =
d V CE
∣ I B =cste

 : les valeurs des paramètres dépendent du pt de polarisation

Polytech Nice Sophia - C. Peter 33
 TRANSISTOR BIPOLAIRE
Remarques :

 = 0 ⇒ tan() = 0 donc h1 2 = 0.

pour de faibles valeurs de IC , t est très faible ⇒ tan(t) est très faible donc h2 2 ≈ 0 on peut donc
simplifier le schéma équivalent :

ib ic donc ic = h2 1 ib
sachant que IC =  IB , on a h2 1 = 
h11
Si IC augmente, les caractéristiques
vbe vce IC= f(VCE) ne sont plus horizontales
[Link]
et h2 2 n'est plus négligeable.

On suppose que les paramètres sont réels. Ceci n'est vrai qu'aux basses fréquences. Pour les
hautes fréquences, les capacités parasites qui existent dans le transistor conduisent à des
expressions complexes pour les paramètres.

Les valeurs des paramètres varient avec le point de polarisation du transistor.

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IV.3 – Montages fondamentaux
On considère que l'impédance des condensateurs utilisés est très faible à la
fréquence de travail. Ces condensateurs seront donc remplacés par des court-
circuits en régime dynamique.

IV.3.1 – Montage émetteur commun

La résistance RE est indispensable

pour obtenir un point de fonctionnement
(point de repos) stable en température

Le condensateur CE s'oppose aux variations de potentiel de l'émetteur. Du point de

vue des « petits signaux », l'émetteur est donc connecté à la masse.

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On considère que l'impédance interne de la source est nulle. En remplaçant les
condensateurs par des court-circuit et le transistor par un quadripôle équivalent, on obtient
le schéma en régime dynamique suivant :

En régime dynamique, l'émetteur est bien l'électrode commune à l'entrée et à la sortie.

En négligeant les paramètres h12 et h22 , le schéma devient :

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Etude statique et dynamique dans le plan IC , VCE

E−V CE
E = RC IC + VCE + RE IC ⇒ I C =
RC R E
Droite de charge statique : lieu des
points de fonctionnement en statique.
E
IC droite de pente R  R
−1
C E

RC  RE

point de
repos

VCE
E
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Etude statique et dynamique dans le plan IC , VCE

RB = R1 // R2

1
vs = vce = - RC ic ⇒ i c=− vce
E−V CE RC
E = RC IC + VCE + RE IC ⇒ I C = Droite de charge dynamique : lieu des variations
RC R E
Droite de charge statique : lieu des du point de fonctionnement en dynamique. Il
points de fonctionnement en statique. s'agit d'une droite de pente -1/RC .
IC droite de pente R  R
−1 IC
E C E
E droite de charge dynamique
RC  RE R R −1
C E
de pente R C

point de
repos

VCE VCE
E E1 E
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Etude dynamique en charge dans le plan IC , VCE
I droite de charge dynamique à
C
vide de pente −1 / R C

E
RC  RE droite de charge dynamique
1
en charge de pente − R // R
C ch

RB = R1 // R2

en charge, on a : vs = vce = - (RC // Rch) ic

RC  Rch
⇒ i c =− v ce
RC . R ch
VCEsat E1ch E1v E

L'excursion maximale de vce est inférieure à E0. vce

Elle est limitée par le droite de charge dynamique

(point E1) et par la zone de saturation.

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IV.3.2 – Montage collecteur commun

schéma équivalent en dynamique

RB = R1 // R2

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IV.3.3 – Montage base commune

schéma équivalent en dynamique

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IV.4 – Caractéristiques des montages
On considère le montage comme un quadripôle alimenté par un générateur de Thévenin
eg , rg et chargé par une impédance Zch.
i1 i2

Rg
v1 Q v2 Rch
eg

IV.4.1 – Définitions
v1 v2
Z E= Av =
i1 v1
i2 v2 v2
Ai =
i1
Z s=
i2
∣ e g =0
ou
i
2
∣ v 1 =0
si r g=0

Polytech Nice Sophia - C. Peter 42

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IV.4.2 – Propriétés des montages fondamentaux
EC CC BC
ZE moyenne (1kW) forte (100kW) faible (20W)

ZS moyenne (50kW) faible (100W) très forte (1MW)

Av négatif fort (-100) positif (1) positif fort (100)

Ai positif fort (50) négatif fort (-50) négatif faible

Applications :

EC : montage amplificateur (tension – courant).

CC : montage adaptateur d'impédance (ZE fort, ZS faible), étage de séparation

entre deux étages dont les impédances sont inadaptées (Z S1 >> ZE2).

BC : montage amplificateur de tension à forte impédance de sortie (qualité parfois

recherchée en HF).

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IV.4.3 – Association de montages

L'association de plusieurs étages est nécessaire :

soit quand le gain d'un seul étage est insuffisant,
soit quand les impédances d'entrée ou de sortie sont inadaptées.
i1 i2

Rg
v1 étage étage v2 Rch
eg 1 2

On associe généralement :
EC + EC : pour obtenir un gain élevé
CC + EC : si l'impédance interne du générateur d'entrée est trop élevée
EC + CC : si l'impédance de la charge est faible.
CC + CC : pour obtenir un fort gain en courant.

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IV.5 – Etude des montages à transistors PNP
En statique, les signes des courants et tensions du transistor sont inversés.

En dynamique, l'étude est identique à l'étude des transistors NPN.

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IV.6 – Modèle en régime dynamique en HF
Aux hautes fréquences (f>100kHz),
les capacités parasites ne sont plus
négligeables, il faut donc utiliser le
schéma équivalent de Giacoletto
suivant :
- Une base B' virtuelle et interne au transistor. r BB' sera faible (< 100), < à rB'E.

- Une capacité base-émetteur CB'E (~ 30pF pour le 2N2222).

- Une résistance rB'C (très grande) // avec CB'C (C. Miller : ~10pF 2N2222).

- la résistance rCE tient la place de 1/h22e.

- le gain en courant est remplacé par la pente g m du transistor.

Il permet de démontrer notamment la supériorité du montage base commune par

rapport à l'émetteur commun en haute fréquence.

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Théorème de Miller :

On considère un ampli inverseur (VS est en opposition de phase avec VE) de gain
A. L'impédance Z est une impédance de contre-réaction.

Z
ZIN ZOUT

amplificateur amplificateur
VE Vs VE Vs
inverseur inverseur

D'après le théorème de Miller :

Z IN =Z  A1
A1
Z OUT =Z
A
Polytech Nice Sophia - C. Peter 47