1. une. En utilisant les caractéristiques de la figure 2.

147, déterminez ID, VD et VR

pour le circuit de la figure 2.147a.

b. Répétez la partie (a) en utilisant le modèle de diode approximatif et comparez les

résultats.

c. Répétez la partie (a) en utilisant le modèle de diode idéal et comparez les

résultats.

a)

E
ID=
R

8V
ID=
0.33 kΩ

ID=24.24 mA

VD=0.92 V
VR=E−VD
VR=8V −0.92 V
VR=7.08 V
b)
VD=0.7 V
VR=E−VD
VR=8−0.7 V
VR=7.3 V
c)
VD=0
VR=E−VD
VR=8−0 V
VR=8V

Pour (a) et (b), les niveaux de tension des diodes sont assez proches. Les
 niveaux de la partie (c) sont raisonnablement proches mais comme prévu en
raison du niveau de tension appliqué E.

2. une. En utilisant les caractéristiques de la figure 2.147b, déterminez ID et VD pour

le circuit de la figure 2.148.

b. Répétez la partie (a) avec R = 0,47 k

c. Répétez la partie (a) avec R = 0,18 k

d. Le niveau VD est-il relativement proche de 0,7 V dans chaque cas ? Comment les
niveaux d’identification résultants se comparent-ils ? Commentez en conséquence.

à)

VD=5 V

E
ID=
R
 5V
ID=
2.2 kΩ

ID=2.27 mA

D'après le graphique de la figure b), le courant est de 2 mA et la tension est de 0,7 V.

b)

E
VD=5 V ID=
R

5V
ID=
0.47 kΩ

ID=10.64 mA

D'après le graphique de la figure b), le courant est de 9 mA et la tension est de 0,8 V.

c)

E
VD=5 V ID=
R

5V
ID=
0.18 kΩ

ID=27.78 mA

D'après le graphique de la figure b), le courant est de 22,5 mA et la tension est de 0,93
V.

Les valeurs résultantes de la tension aux bornes de la diode sont assez proches, tandis
que les courants de diode vont de 2 mA à 22,5 mA.

3. Déterminez la valeur de R pour le circuit de la figure a qui produira un courant à

travers la diode de 10 mA si E=7 V . Utilisez les caractéristiques de la figure b pour la
diode.
Figure a. Circuit

Figure b. Caractéristiques des diodes

Données:

E=7 V

Corriente en el diodo I D 1 =10 mA

R=?[Ohms ]

Solution:

10 mA caracteriticas voltaje del diodo 0.7 V et Vd=7 [V ]

Figure c. Trace de la ligne de charge et du point de fonctionnement

A=( 0.7 , 10 ) B=(7 ,0)

m=−1.6

Ec . Recta de carga ID=−1.6 ( VD ) +11.2

Ec . Recta de carga ID=−1.6 ( VD ) +11.2

Point de passage entre (ID et VD)

E
para VD=0 ID=11.2 mA=
R

Nous calculons la résistance

E
ID=11.2mA=
R

7V
R= =0.625[ KΩ]
11.2mA

4. a) Avec les caractéristiques approximatives de la diode Si. déterminer

V D , I D y V R pour le circuit de la figure.
b) Effectuer la même analyse de la partie (a) avec le modèle idéal pour la diode
c) Les résultats obtenus dans les parties (a) et (b) suggèrent-ils que le modèle
idéal peut être une bonne approximation de la réponse réelle dans certaines
conditions ?

Solution

Données:

E=30 V

Voltaje de diodo Si 0.7 V

R=2.2[KΩ]
 a) I D =I R
L .V . K
−30 V +0.7 V + I R R=0

29.3 V
I R= =13.318 [mA ]
2.2 [KΩ]
V D=0.7 [V ]
V R=I R∗R

V R=( 13.318 [ mA ] )∗( 2.2 [ KΩ ] )

V R=29.03 [ V ]

Voltaje de diodo ideal 0 V

b) I D =I R
L .V . K
−30 V +0 V + I R R=0

30 V
I R= =13.636 [mA ]
2.2 [KΩ]
V D=0 [V ]
V R=I R∗R

V R=( 13.636 [ mA ] )∗( 2.2 [ KΩ ] )

V R=30 [ V ]

c) Si indiqué dans la section (b), la consommation de la tension de la diode est de

0 et le courant est égal, ils sont donc assez proches
5. Déterminez le courant I pour chacune des configurations de la figure 2.150 en
utilisant le modèle de diode équivalent .
à)

I =0 mA (Diode polarisée en inverse)

b)

V 20 Ω=20V −0.7 V =19.3 V (LVK)

19.3V
I= =0.965 A
20 Ω

c)

10V
I= =1 A
10 Ω

6. DéterminerV o et I D pour les réseaux de la figure 2.151

à)

(LVK) −5 V +0.7 V −V o=0

V o =−4.3 V

|V o| 4.3 V
I R =I D = = =1.955 mA
R 2.2 K Ω

b)

8 V −0.7 V
I D= =1.24 mA
1.2 K Ω+4.7 K Ω
 V o =V 4.7 k Ω +V D =( 1.24 mA ) ( 4.7 K Ω )+ 0.7 V =6.53 V

7. Déterminez le niveau deV o pour chacun des réseaux de la figure 2.152

à)

2 K Ω ( 20V −0.7 V −0.3 V )

V o=
2 K Ω+ 2 K Ω

1 1
¿ ( 20 V −1 V )= ( 19 V )=9.5V
2 2

b)

( 10V + 2V −0.7 V ) 11.3V

I= = =1.915 mA
1.2 K Ω+4.7 K Ω 5.9 k Ω
'
V =IR=( 1.915 mA ) ( 4.7 K Ω ) =9 V
'
V o =V −2V =9 V −2V =7 V

8. Déterminez Vo et ID pour les réseaux de la figure 2.153.

a) Circuit équivalent de Thévenin

Vth=I . R

Vth=( 10 mA ) ( 2.2 k )

Vth=22V
 Rth=2.2 k

22 V −0.7 V
Id=
2.2 k +1.2 k

Id=6.26 mA

Vo=Id . R

Vo=(6.26 mA)(1.2 k )

Vo=7.51V

b)
20 V +5 V −0.7 V
Id=
6.8 k

Id=3.58 mA

Vo−0.7 V +5 V =0
Vo=−4.3 V
9. Déterminez Vo1 et Vo2 pour les réseaux de la figure 2.154.

a)
Vo 1=12 V −0.7 V
Vo 1=11.3 V
Vo 2=0.3V
b)
Vo 1=−10 V +0.3 V + 0.7 V
Vo 1=−9V

10V −0.7 V −0.3V

I=
1.2 k +3.3 k
I =2 mA
Vo 2=−(2 mA )(3.3 k )

Vo 2=−6.6 V

2.4 Configurations parallèles et série-parallèle

10. Déterminez Vo et ID pour les réseaux de la figure 2.155.

a)
20 V −0.7 V
I 4.7 k =
4.7 k
I 4.7=4.1 mA

4.1mA
Id=
2
Id=2.05 mA

Vo=20 V −0.7 V
Vo=19.3V

b)
15 V +5 V −0.7 V
Id=
2.2 k
Id=8.77 mA

Vo=15 V −0.7 V
Vo=14.3V
*11. Déterminer Vo et I pour les réseaux de la Fig. 2.156

a) La diode Germanium est "on" et empêche la diode Silicium de s'allumer :

10V −0.3 V 9.7 V
I= I=
1k Ω 1k Ω
I =9.7 mA
b)

16 V −0.7 V −0.7 V −12 V 2.6 V

I= I=
4.7 k Ω 4.7 k Ω
I =0.553 mA
 Vo=12V +(0.553 mA )(4.7 k Ω)

Vo=14.6 V

12. Déterminez Vo1, Vo2 et I pour le réseau dans la figure 2.157.

V O 1=0.7 V ,V O 2 =0.3 V

20 V −0.7 V
I 1 k Ω=
1k Ω
 19.3V
I 1 k Ω=
1k Ω

I 1 k Ω=19.3 mA

0.7 V −0.3V
I 0.47 K Ω=
0.47 k Ω
0.5 V
I 0.47 K Ω=
0.47 k Ω

I 0.47 K Ω=0.851 mA

I D =I 1k Ω−I 0.47 K Ω

I D =19.3 mA−0.851mA

13. Déterminer Vo e I D pour les réseaux de la figure 2.158.

 2 k Ω ( 10 V −0.7 V )
V 0=
1 k Ω+2 k Ω

2 k Ω ( 9.3 V )
V 0=
3k Ω

V 0=6.2V

6.2V
I 2 k Ω=
2k Ω

I 2 k Ω=3.1 mA

I 2k Ω
I D=
2k Ω

3.1 mA
I D=
2k Ω

I D =1.55 mA
14. Déterminez Vo pour le réseau de la figure 2.39 avec 0 V aux deux entrées.

Il n'y a pas de tension nécessaire au fonctionnement des diodes, qui ne fonctionnent

pas et Vo=0
quinze. Déterminez Vo pour le réseau de la Fig. 2.39 avec 10 V aux deux entrées.

Vo=10−0 ,7
 Vo=9 , 3

Les deux diodes fonctionnent

16. Déterminez Vo pour le réseau de la Fig. 2.42 avec 0 V aux deux entrées.

Vo=0.7 V

Les deux diodes fonctionnent

17 . Déterminez Vo pour le réseau de la Fig. 2.42 avec 10 V aux deux entrées.

V o =10V

Les deux diodes ne fonctionnent pas

18 . Déterminez Vo pour la porte OU logique négative de la figure 2.159.

 V o =−5 V + 0 ,7 V

V o =−4 ,3 V

La diode Si avec -5 V à la cathode fonctionne tandis que l'autre ne fonctionne pas.

19. Déterminez Vo pour la porte ET logique négative de la figure 2.160.

V o =0 V −0 , 7 V

V o =−0 , 7 V

20. Déterminez le niveau Vo pour la porte sur la Fig. 2.161

Vo=+10 V
Étant donné que toutes les bornes du système sont à 10 V, la différence requise de 0,7
V ne peut être établie entre aucune des diodes. Par conséquent, les deux diodes sont
"éteintes" et Vo = +10 V comme défini par l'alimentation 10 V connectée à la
résistance de 1 kΩ.

21. Déterminez Vo pour la configuration de la Fig. 2.162

Vo=5V −0.3 V

Vo=4.7 V

La diode Si nécessite plus de tension aux bornes que la diode Ge pour s'allumer. Par
conséquent, avec 5 V aux deux bornes d'entrée, supposons que la diode Si est «
éteinte » et la diode Ge « allumée ».
22. En supposant une diode idéale, tracez vi, vd et id pour le redresseur demi-onde
de la figure 2.163. L'entrée est une forme d'onde sinusoïdale avec une fréquence de
60 Hz.

Vdc=0.318 Vm

Vdc
Vm=
0.318

2V
Vm= V
0.318

Vm=6.28 V

Vm
ℑ=
R

6.28
ℑ=
2.2 KΩ

ℑ=2.85 mA
23. Répétez le problème 22 avec une diode au silicium (VK = 0,7 V)

24. Répétez le problème 22 avec une charge de 6,8 k appliquée comme indiqué sur la
figure 2.164. Tracez vL et iL.

25. Pour le réseau de la figure 2.166 ; tracer vo et déterminer Vcd

26.- Pour le réseau de la figure 2.166, tracer V 0 e I R

 V 0=V 10k

V 10 k =0.7 V

V 0=0.7 V

−10+0.7 +1k I =0

−9.3+1 k I =0

1k I =9.3

9.3
I=
1k

I =9.3 m A

27.- une. Dadaïste Pmax =14 mW Pour chacune des diodes de la figure 2.167,
déterminez le courant nominal maximum de chaque diode (en utilisant le modèle
équivalent approximatif).

b. Déterminer I max pour V imax=160 V

c. Déterminez le courant traversant chaque diode dansV imax en utilisant les résultats
de la partie (b)

d. S'il n'y a qu'une seule diode, déterminez le courant qui la traverse et comparez-le
aux valeurs nominales maximales.
 a)
¿ Pmax =14 mW = ( 0.7 V ) I D

14 mW
I D=
0.7 V

I D =20 mA

b)

4.7 k∗56 k
4.7 k + 56 k

¿ 4.34 k

V R=160 V −0.7 V

V R=159.3

159.3 V
I max=
4.34 k

I max=36.71mA

c)

I max
I diode =
2

I 36.71V
diode=¿ ¿
2

I diode=¿ 18.36mA ¿

29.- Un redresseur double alternance en configuration pont avec une entrée

sinusoïdale de 120 V rms possède une résistance de charge de 1 k.
 à. Si des diodes au silicium sont utilisées, quelle est la tension disponible à la
charge ?

b. Déterminez la valeur PIV de chaque diode.

c. Trouvez le courant maximum traversant chaque diode pendant la conduction.

d. Quelle est la puissance nominale requise pour chaque diode ?

à)

V M =❑√ 2 ( 120 V )=169.7 V

V i=V i −2V D

V i=169 V −2(0.7 V )

V i=168.3 V

V dc =0.636 (168.3 V )

V dc =107.4 V

b)

PIV =V i+V D

PIV =168.3 V + 0.7V

PIV =169 V

c)

Vi
I D (max )=
R

168.3V
I D (max )=
1k

I D (max )=168.3 mA
d)

Pmax =V D I D

Pmax =( 0.7 V ) ( 168.3 mA )

Pmax =117.81 mW

29. Déterminez vo et la valeur nominale de PIV pour chacune des diodes dans la
configuration de la figure 2.168.

Positif négatif

Vi−0 , 7+VR−0 ,7=0 Vo=−2Vo−Vi

Vi=−2Vo−Vo Vo=−100

VR=−Vi+1 , 4 PIV ≥Vm=100

VR=−Vi PIV sur chaque diode

Vo=−100

PIV ≥Vm=100

PIV sur chaque diode

30. Tracez vo pour le réseau de la figure 2.169 et déterminez la tension continue
disponible.

Positif négatif

2.2 K∗Vi 2.2 K∗Vi

Vo¿ =50V Vo= =50 V
2.2 K +2 , 2 K 2.2 K +2 , 2 K

VCD=0,318 ( 2 ) ¿SOIT)

VCD=31 , 8V
31. Tracez vo pour le réseau de la figure 2.170 et déterminez la tension continue
disponible.

Positif

2.2 K (2 ,2 K )
2 , 2 K II 2, 2 K= =1, 1 K
2.2 K + 2, 2 K

Vi=2 ,2 ki+1 , 1 ki

Vi
Je =
2 ,2 k +1 , 1 k

I =51 ,5 mA

V 1 ,1 k =( 51, 5 m ) (1 , 1 k )=56 ,67 V

V 2 ,2=113 , 33 V

Vo=V 2, 2=56 ,67 V

cdv
 VCD=2 ( 0,318 ) 56 , 67

VCD=36 , 04

32. Déterminez Vo pour chacun des réseaux de la figure 2.171 avec l'entrée indiquée.

Diode de silicium.

Analyse par demi-cycle positif

V O =V i
V O =0 V

Analyse par demi-cycle négatif

V O −0.7 V +20 V =0
V O =0.7 V −20 V
V O =−19.3 V
diode idéale

Analyse par demi-cycle positif

V O =V i−5 V
V O =5V −5 V
V O =0 V

Analyse par demi-cycle négatif

V O =V i−5 V
V O =−20 V −5 V
V O =−25 V
33. Déterminez Vo pour chacun des réseaux de la figure 2.172 avec l'entrée indiquée.

a) Figure un

Analyse par alternance positive, on calcule par diviseurs de tension

1.2 kΩ ( 10 V −0.7 V )
V 0=
1.2 KΩ+2.2 KΩ

V 0=3.8V

Analyse par alternance négative, diode ouverte.

V O =V i
V O =0 V
 b) Figure b

Analyse par demi-cycle positif

V O =V i+ 5V −0.7 V

V O =10V + 5V −0.7 V

V O =14.3V
Analyse par alternance négative, diode ouverte.

V O =V i
V O =0 V

34. Déterminez Vo pour chacun des réseaux de la figure 2.173 avec l'entrée indiquée.
a) Figure un

Analyse demi-cycle positive, diode idéale ouverte.

V O =V i
V O =0 V
Analyse d'alternance négative, application de la loi des tensions de Kirchhoff.
−5 V +2 V −V O =0
V O =−3 V

b) Figure b

Analyse demi-cycle positive

V O =V i=20 V
V O =20 V

Analyse demi-cycle négatif, diode idéale ouverte mais la tension de sortie est
de 5V.

V O =−V i=−5 V
V O =5V
35. DéterminerV O pour chacun des réseaux de la figure 2.174 avec l'entrée indiquée

a) Figure un
Analyser le demi-cycle positif
V O −0.7 V −4 V =0
V O =0.7 V +4 V
V O =4.7 V
Analyser le demi-cycle négatif
V O =V i
V O =8 V
Vague résultante :
b) Figure b

Analyser le demi-cycle positif

V O =V Si
V O =0.7

Analyser le demi-cycle négatif

I R =0
V r =I R∗R
V r =0 V

V O =V i−4 V
V i=0
V O =−4 V

V O + 4 V +8 V =0
V O =−12V
Vague résultante :

36. Traceri R etV O pour le réseau de la figure 2.175 avec l’entrée indiquée.
Analyser le demi-cycle positif
V O −0.7 V −5.3 V =0
V O =0.7 V +5.3 V
V O =6 V

V R +0.7 V +5.3 V −10 V =0

V R=−0.7 V −5.3 V +10 V
V R=4 V

VR 4V
iR = = =0.4 mA
R 10 K Ω

Analyser le demi-cycle négatif

V O +0.7 V + 7.3V =0
V O =−0.7 V −7.3 V
V O =−8 V

V R−0.7 V −7.3 V +10V =0

V R=+0.7 V +7.3 V −10 V
V R=−2 V

V R −2 V
iR = = =−0.2 mA
R 10 K Ω

Vague résultante :
 BRAS
37. TracerV O pour chacun des réseaux de la figure. Avec l'entrée affichée.

c) Figure un
Analyser le demi-cycle négatif
V i−V c −0.7 V =0
20−V c =0
−V c =−20+ 0.7
V c =19.3
V O =−0.7 V
Analyser le demi-cycle positif
V O −V i−V c =0
V O =20 V + 19.3V
V O =39.3V
Vague résultante :

d) Figure b

Analyser le demi-cycle négatif

V O +5 V +0.7 V =0
V O =−5.7 V
 −V i +V c +5 V +0.7 V =0
V c =20 V −5V −0.7 V
V c =14.3 V

Analyser le demi-cycle positif

V O −V i−V c =0
V O =20 V + 14.3V
V O =34.3V
Vague résultante :

38. TracerV O pour chacun des réseaux de la figure suivante avec l'entrée affichée.
Serait-ce une bonne approximation de considérer la diode comme idéale dans les
deux configurations ? Parce que?

a)
Analyser le demi-cycle négatif

V O =−0.7 V

120 V −0.7 V −V c =0
V C =120 V −0.7 V
V c =119.3V

Analyser le demi-cycle positif

120 V +V c −V O =0
V O =120V + V c
V O =239.3 V

Vague résultante :
Figure b)
Analyser le demi-cycle positif

V O −0.7 V −20 V =0

V O =20.7 V

120 V −V O −V c =0
V C =120 V −V O
V c =99.3V

Analyser le demi-cycle négatif

120 V +V c +V O=0
V O =−120 V −V c
V O =−219.3 V

Vague résultante :
 Ce serait une bonne approximation d'effectuer les calculs en utilisant des
diodes idéales puisque les valeurs ne varieraient que de 0,7 V, qui est la tension
à laquelle la diode au silicium conduit.

39. Pour le réseau de la figure 2.178 :

a) Calculez 5t.

b) Comparez 5t avec la moitié de la période du signal appliqué.

c) TracerV O .

a) 5 t=5( R)(C)
5 t=(5)(50 K Ω)(0 , 1uF )
5 t=28 ms .
 1 1
b) T = = =1 ms
f 1 KHz
T
5t≫
2
5t est bien supérieur à la moitié de la période, on garantira donc que le
condensateur sera chargé pendant toute la période.

c) Analyser le demi-cycle positif

V O −0.7 V +2 V =0

V O =0.7 V −2 V
V O =−1.3 V
10 V −V O −V c =0
V C =10 V −V O
V c =11.3V

Analyser le demi-cycle négatif

10 V +V c +V O=0
V O =−V c −10 V
V O =−21.3 V

Vague résultante :

40. Concevez une fixation pour remplir la fonction indiquée à la figure 2.179.
Utilisera unV i=20 V et une diode idéale comme on le voit dans le circuit pour
obtenir la forme d'onde requise.
41. Concevoir une fixation pour remplir la fonction indiquée dans la figure 2.180
 C3

3.5uF

D3 R3
3.8k
1N4001

BAT3
2V

47. Déterminez la tension disponible avec le doubleur de tension de la figure 2.118 si

la tension secondaire du transformateur est de 120 vrms

Vm=120 vrms

Vm=❑√ 2*120

vm=169.28 v

Vc−vm−Vm=0

Vc=2 Vm

vc=339.4 v

48. Déterminer les valeurs PIV requises des diodes de la figure 2.118 en fonction de
la valeur de crête de la tension secondaire Vm
Le PIV pour chaque diode est de 2Vm

PIV =2(1.414)(Vrms)

PIV =2.828Vrms