Quelques propriétés du graphène

Gilles Montambaux
Laboratoire de Physique des Solides, Orsay 1
Découverte en 2004 – prix Nobel 2010
The Nobel Prize in Physics 2010 was
awarded jointly to Andre Geim and
Konstantin Novoselov

"for groundbreaking experiments

regarding the two-dimensional
material graphene"

Science, 324, 530 (2009)

Graphène … et autres cristaux bidimensionnels…

BN, NbSe 2 , Bi 2Sr2 CaCu 2 O x
(2005)
Plan

Historique

Fabrication, substrat

Spectre électronique, équation de Dirac

Effet Hall quantique

Transport électronique

Effet tunnel Klein, rôle du désordre

Les nanorubans

Les bicouches de graphène

Conclusions, applications
Petite histoire du graphène

1564 Découverte du graphite (plumbago)

1779 c’est du carbone
1789 baptisé graphite du grec γραϕειν

Graphite: crayons, lubrifiants, électrodes, modérateurs nucléaires...

1947 Structure de bande du graphène [Wallace]

1956 Niveaux de Landau dans graphène [McClure] P. Wallace

1960-1980 Composés d’intercalation

1985 Fullerènes [Kroto, Curl, Smalley]

1991 Nanotubes [Iijima]

1980’ Connection théorie des champs 2+1 [Semenoff, DiVincenzo, Mele, Fradkin, Haldane,]

1990’s Développement aspects théoriques nanotubes carbone [Dresselhaus, Ando, Guinea,]

 Graphène, fullerènes, nanotubes, graphite
sp2
2d Graphène

Liaison covalente
3d

électrons de conduction
1d
0d

Graphite
Fullerènes, 85 Nanotubes, 91 - 93
 Espace direct
Le graphène

Cristal 2D

Réseau “nid d’abeille”, 2 atomes par maille

- les bandes de valence et de conduction se

touchent en deux points, appelés points de Dirac.

- La relation de dispersion près des points de Espace réciproque

Dirac est linéaire : les électrons n’ont pas de
masse.
CB
- Le niveau de Fermi est “juste” aux points de
Dirac. K
K’
1Bz
→ Le graphène est un semiconducteur à gap nul,
avec deux vallées.
VB
 Histoire récente

2004 Graphène exfolié (scotch) déposé sur un substrat isolant SiO2

[Novoselov, Geim, Manchester]

2004 Graphène Epitaxié sur SiC [Berger, de Heer, Georgia Tech.]

2005 Effet Hall quantique [N.,G. Manchester, Stormer,Kim, Columbia]

2006 Bicouches de graphène et effet Hall quantique [N.,G.,McCann,Falko]

2008 Fabrication par CVD

et 3000 publications depuis 2004...

http://graphenetimes.com/
“La méthode du scotch” Novoselov et al., Science 2004

n-Si

d≈300nm SiO2 8
b) Graphène épitaxié c) CVD : chemical vapor decomposition

Croissance sur un cristal SiC

(0001) Si-face Si Si
Si
C
SiC

(0001) C-face

Graphene
on SiC

C. Berger, W. De Heer et al. (Atlanta) Production massive

d) Graphène suspendu
Bolotin et al., Columbia, SSC (2008) µ  200 000 cm 2 / V .s
X.Du et al., Rutgers (2009)

2 terminals
FQHE
Bolotin et al., Columbia, Nature (2009)
Du et al. , Rutgers, Nature (2009)

Shivaraman, et al.
Nanoletters (2009)
Spectre électronique (Wallace 1947)
 
a1 a2
Couplage entre atomes premiers voisins

+ théorème de Bloch.... 
  

ψ (r + R) =
e ψ (r )
ik ⋅ R

1    
∑e λA (k ) ϕ A + λB (k ) ϕ Bj 
ik ⋅ R j
ψ j

N cells
 

 
ik ⋅a1

ik ⋅a2

ελB (k ) =−t (1 + e +e )λ A ( k ) t
t=2.8eV
Le réseau «nid d’abeilles» n’est pas un réseau de Bravais aC-C=1.42 A

Réseau de Bravais triangulaire + 2 atomes par maille

11
 A B
Hamiltonien 2x2 
 0 f (k ) 
Hk =   
 f * (k ) 0 

  
f (k ) =−t (1 + e−ik ⋅a1 + e−ik ⋅a2 )
 
ε (k ) = ± f (k )

ε (k ) = 0 en deux points

« points de Dirac »
K’ K

12
 Développement autour des points de Dirac

 
f (± K + q )= vF (± qx − iq y ) K’ K

A B
 mc 2 c(± px − ip y )  équation de Dirac-Weyl dim. 2
HK =   particule relativiste de masse nulle

K’  c ( ± p x + ip y ) −mc 2

 
p = q
  
H = c p ⋅ σ + mc 2σ z ε ( p) =± p c +m c
2 2 2 4

 
3 ta
c ≡ vF =  106 m.s -1 ε ( q ) = ± vF q
2
13
ARPES experiments : Angular Resolved Photemission Spectroscopy

measure the dispersion relation

hν= ε f − ε i 
   ε i ( ki )
=
k k f − ki

K K
’

Bostwick et al. Nat. Phys. 2007

Densité d’états 1953

=ε α ( px2 − p y2 )

ε = ±c p

p2
ε=
2m
gs =2 dégénérescence de spin
g s gv ε
ρ (ε ) = gv =2 dégénérescence de « vallée »
2π  2 vF2
ε F = ±vF π nc
 Thermodynamique, transport

15
Effet Hall quantique “ultrarelativiste” 2005

Experimental observation on the quantum Hall effect

and Berry’s phase in graphene,

Y. Zhang, Y. Tan, H. Stormer and P. Kim, Nature 438, 201 (2005)

16
Effet Hall quantique (1981)
Quantification du mouvement orbital
Von Klitzing, Dorda, Pepper, 1981 sous champ magnétique
Si-MOSFET, puis GaAs-GaAlAs
Niveaux de Landau

  2
( p + eA) ε=
1 eB
(n + )
ε= L
i=1 2m 2 m
ρ (ε )

i=2
i=3

h
RH = ε
N e2

R=
h
= 25812,807Ω
e2
K 2 σ xy= N g s
e h
Constante de von Klitzing 17
Niveaux de Landau
gaz 2D ρ (ε ) graphène

ρ (ε )

ε
n=0

1 eB
ε L = (n + ) ε L = ±c 2neB
2 m
Conséauence de la structure spinorielle de la fonction d’onde
(phase de Berry)
18
  1  e B
Gaz 2D En =  n +  graphène En =
± c 2 n e B
 2 m
5
3
3
2
1 ν=1
n=0
−1
ν=0
−3

e2 e 2
1 e 2
σ xy= N g s σ xy = (2 N + 1) g s −5 = ( N + ) g s g v
h h 2 h
 e2 1 e2
σ xy = (2 N + 1) g s = ( N + ) g s g v
h 2 h

Echelles caractéristiques
e B
particules massives E= *
= 20 B(T ) K
m

Fermions de Dirac =
E vF 2 e =
B 420 B (T ) K
Propriétés de transport

21
Dépot sur un substrat Si/SiO2 . Contacts métalliques (or)
Une tension de grille Vg controle la densité électronique dans la couche de
graphène (“dopage électrostatique”)
Condensateur = graphène / isolant SiO2 /conducteur n-Si

Effet Hall

electrons
N c = CgVg / e
10
B =2T
T =10K contacts (Au) Nc
1/ρxy (1/kΩ)

0
nc = α Vg
=
trous A
graphène
-10
-100 -50 0 50 100
Vg (V)

n-Si

α  7.1010 cm −2 .V −1
ε F = ±vF π nc
Geim,Novoselov et al. (Manchester 2004) P. Kim et al. (Columbia)
 Graphène suspendu
Conductivité ε F = vF π nc
3 nc = αVg
σ (1/kΩ)

T =10K
0
-100 -50 0 50 100
Bolotin et al., Columbia PRL 101, 096802 (
Vg (V)
Novoselov, Geim et al. Science (2005)

e2
σ (ε F ) = 2 ε Fτ e
h

si τ e  Cte σ (ε F ) ∝ ε F ∝ Vg

Expérience : σ (ε ) ∝ Vg ∝ ε F2

τ e (ε F ) ??? M. Monteverde et al., PRL 104, 126801 (2010)

Nature du couplage aux impuretés ?
Minimum de conductivité devrait être nulle au point de neutralité ?

3
σ (1/kΩ)

T =10K
0 24
-100 -50 0 50 100
Vg (V) Tan et al. PRL 99, 246803 (2007)
Explication : « flaques » de trous et d’électrons nc = 0 δ nc ≠ 0

Yacoby et al., Nature Phys. 2008

« Les graphènes »

Forte dépendance de la nature du substrat, des impuretés

Fabrication Substrat

exfolié SiO2
épitaxie SiC SiC

CVD Suspendu

Croissance chimique Nitrure de Bore

 Désordre
A B

 0 px − ip y   1 0  0 Σ( r )   2 1 0 
H K = c   + V (r )  + *   + δ m( r )c  
 px + ip y 0   0 1   Σ ( r ) 0   0 −1 

Scalaire
Distortions statiques (« ripples »)
Dissymétrie A-B locale

Couplage intervallée et portée du potentiel de désordre

désordre longue portée ne couple pas les vallées

désordre courte portée couple les vallées

26
phase de Berry
= φ i ∫ uk | ∇ k uk .d k=
1
= ∫ ∇ kθ k .d k ±π
θk
B
C
2C

1  1 
uk ∝  iθk 
2 e  −π π
π
ε L = ±c 2neB

Absence de rétrodiffusion

Diffusion de k à k’:

2
 1 
 ( 2
P(θ ) ∝ Vk − k ' 1 e
iθk '
)
 iθk  =
e 
 2
Vk − k ' cos 2θ

2 θ= θ k − θ k '

θ π=
P (= ) 0
Effet tunnel de Klein

Oskar Klein (1894-1977)

Transmission parfaite vers l’avant T(φ=0) =1

T(φ) dépend de

* Angle d’incidence
* Épaisseur de la barrière
* Énergie
* Nature du potentiel

Difficile de confiner les électrons... 28

Le nitrure de bore
C-C B-N
 
H c p ⋅σ
=
 
  H = c p ⋅ σ + mc 2σ z
ε ( p) = ± c p

ε ( p) =
± p 2c 2 + m2c 4

2∆  6 eV

Graphène sur nitrure de bore

2∆  50 meV Et pourtant … 29
Excellente mobilité, meilleur substrat actuellement….

30
Nouveaux matériaux 2D

K. Novoselov 31
Les rubans de graphène

Mosaique romaine, El Djem, Tunisie

32
Les rubans de graphène

Mosaique romaine, El Djem, Tunisie

33
Rubans de graphène STM image, 5.6 × 5.6 nm2

From Geim, Novoselov, Nature mat. 6, 183 (2007) Y. Kobasashi et al. PRB 71, 193406 (2005).

34
Nature 466, 470 (2010)
 nanorubans
Armchair Zigzag

y
y

E (knx , k y )

Avouris, IBM (2007)

P. Kim, Columbia, PRL (2007)
Le graphène « bicouche »

Empilement « A-B » ou « Bernal »

t couplage intracouche t  2.8eV

∆ couplage intercouche ∆  0.35eV
36
 Structure de bande

 3t

Γ K M K’ Γ

∆t

ε= ± pc
2
p c2 p2 ∆
ε  m* = 2
∆ 2m * 2c
37

La physique des bicouches est très différente de celle des monocouches !!

   2 2
ε (q ) = ±c q ε (q ) = ± * q
2m

 0 qx − iq y  2  0 (qx − iq y ) 2 
H K = c   H K =  
 qx + iq y 0  2m*  (qx + iq y ) 2 0 

1  1  1  1 
=  iθq 
uq
2 e  K uq =  i 2θ 
2  e q  K

2 jθ
uq' V uq ∝ cos 2
2

Absence de rétrodiffusion Rétrodiffusion

 1
2D gas En = (n + ) ωc
2

monolayer En = 2n ceB

bilayer En = n(n − 1) ωc

Autre répartition des niveaux de Landau dans les bicouches, EHQ différent 39
Bicouche avec champ électrique Ez

+V
−V

V =0 V ≠0

40
Nature mat. 2007

41
42
43
En résumé...
Premier cristal parfaitement bidimensionnel

Structure de bande particulière, deux atomes par maille

Mauvais métal ou semi-conducteur à gap nul

Relation de dispersion linéaire près du niveau de Fermi

Particules sans masse, avec une vitesse élevée

La fonction d’onde a un degré de liberté interne (A,B)

Propriétés thermodynamiques et de transport nouvelles

Effet Hall quantique particulier

Forte dépendance des propriétés de transport en fonction de la nature du

substrat

Importance de la nature des bords pour les rubans de graphène

Transport quantique (antilocalisation faible)

Interactions électron-électron, Effet Hall quantique fractionnaire

Physique des points de Dirac

44
Quelques références
Electic field effect in atomically thin carbon films,.
K. Novoselov, A. Geim et al., Science 306, 666 (2004)

Two-dimensional gas of massless Dirac fermions in graphene,

K. Novoselov, A. Geim et al., Nature 438, 197 (2005)

Experimental observation on the quantum Hall effect and Berry’s phase in graphene,
Y. Zhang, Y. Tan, H. Stormer and P. Kim, Nature 438, 201 (2005)

The rise of graphene,

A. Geim and K. Novoselov, Nat. Mat. 6, 183 (2007)

The electronic properties of graphene,

A.H. Castro Neto, F. Guinea, N.M.R. Peres, K.S. Novoselov and A.K. Geim, Rev. Mod. Phys. 81, 109 (2009)

Graphene: Status and prospects,

A. Geim, Science, 324, 530 (2009)

Electronic transport in two dimensional graphene

S. Das Sarma, S. Adams, A. Hwang and E. Rossi, arXiv:1003:4731

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