Ch2: Amplificateurs de base à transistors
❑ Introduction
▪ Le rôle principal de l’amplificateur de base à transistors est d’augmenter le signal utile (tension,
courant ou puissance) en ajoutant de l’énergie prélevée par une source d’alimentation.
▪ Le transistor bipolaire n'est pas un élément
linéaire. Pour palier à ce problème, on
pratique ce qu'on appelle l'amplification
petits signaux : on polarise l'entrée avec un
niveau continu et le signal à amplifier se
superpose à ce niveau.
En sortie, on doit déduire le niveau continu,
pour ne garder que le niveau alternatif,
résultant de l'amplification petit signal.
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Ch2: Amplificateurs de base à transistors
❑ Notations
▪ La composante continue de la tension base émetteur est désignée par : 𝑉𝐵𝐸
▪ La composante alternative de la tension base émetteur est désignée par : 𝑣𝑏𝑒
▪ La valeur instantanée de la tension base émetteur, constituée par la superposition d’une
composante continue et d’une composante alternative, est désignée : 𝑣𝐵𝐸 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑣𝑏𝑒
❑ Hypothèses
Afin de faciliter l’étude des amplificateurs, nous adoptons les hypothèses suivantes :
• Le signal alternatif à amplifier est de faible amplitude par rapport au signal continu de
polarisation ;
• Le fonctionnement du circuit est linéaire ce qui nous permet d’appliquer le théorème
de superposition ;
• Les condensateurs utilisés dans le montage se comportent comme des courts-circuits
en régime alternatif, et comme des circuits ouverts en régime continu.
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Ch2: Amplificateurs de base à transistors
❑ Méthodologie
Afin d’étudier les amplificateurs à transistors linéaires, on adopte la méthodologie suivante basée sur
l’exploitation du théorème de superposition :
▪ On étudie tout d’abord le comportement de l’amplificateur en continu en annulant toutes les
sources alternatives (choix du point de fonctionnement du transistor) ;
▪ On annule par la suite toutes les sources continues pour étudier le comportement en régime
alternatif ;
▪ On considère enfin le transistor comme un quadripôle linéaire représenté par ses paramètres
hybrides ;
▪ Les caractéristiques fonctionnelles d’un amplificateur en régime alternatif sont celles d’un
quadripôle : gain en tension à vide, gain en courant, impédance d’entrée et impédance de sortie.
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❑ Amplificateurs fondamentaux à transistors bipolaires
▪ Amplificateurs en émetteur commun
On suppose que le transistor est polarisé correctement avec un point de fonctionnement de
coordonnées : N(𝑉𝐶𝐸0 , 𝐼𝐶𝐸0 ). On suppose que 𝑟𝐶𝐸 = 𝜌 = ∞
▪ Droite de charge
• En continu :
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Ch2: Amplificateurs de base à transistors
❑ Amplificateurs fondamentaux à transistors bipolaires
▪ Amplificateurs en émetteur commun
On suppose que le transistor est polarisé correctement avec un point de fonctionnement de
coordonnées : N(𝑉𝐶𝐸0 , 𝐼𝐶𝐸0 ). On suppose que 𝑟𝐶𝐸 = 𝜌 = ∞
▪ Droite de charge
• En continu :
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐶 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐶
1 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶 = − 𝑉 +
𝑅𝐶 +𝑅𝐸 𝐶𝐸 𝑅𝐶 +𝑅𝐸
C’est l’équation de la droite de
charge statique
1
La pente de cette droite : −
𝑅𝐶 +𝑅𝐸
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▪ Amplificateurs en émetteur commun
▪ En alternatif:
- Le condensateur de découplage 𝐶𝐸 , annule l’effet de 𝑅𝐸 :
IC
Rg
VS RC //RU
Ve R1 //R2
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▪ Amplificateurs en émetteur commun
▪ En alternatif: 𝑖𝐶
- Le condensateur de découplage 𝐶𝐸 , annule l’effet de 𝑅𝐸 : B C
On a : 𝑣𝑐𝑒 = −(𝑅𝐶 //𝑅𝑈 )𝑖𝑐 E
1 𝑅𝐶 +𝑅𝑈
soit : 𝑖𝑐 = − 𝑣 =− 𝑣
𝑅𝐶 //𝑅𝑈 𝑐𝑒 𝑅𝐶 𝑅𝑈 𝑐𝑒
1
- La pente − est plus forte que celle de la droite
𝑅𝐶 //𝑅𝑈
1
de charge statique (− ).
𝑅𝐶 +𝑅𝐸
- Cette droite coupe l’axe 𝑖𝐶 plus haut pour
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝐶 > et l’axe 𝑣𝐶𝐸 moins loin que 𝑉𝐶𝐶 .
𝑅𝐶 +𝑅𝐸
- Les deux droites se coupent au point de polarisation
N(𝑉𝐶𝐸0 , 𝐼𝐶0 ).
- L’équation de la droite de charge dynamique s’écrit:
𝑅𝐶 + 𝑅𝑈
𝑖𝐶 = − 𝑣 + 𝐼𝐶𝐶
𝑅𝐶 𝑅𝑈 𝐶𝐸
- Cette droite doit passer par le point de fonctionnement du montage.
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▪ Amplificateurs en émetteur commun
▪ Schéma équivalent en petites variations du transistor NPN ou PNP
𝑣𝐵𝐸 = ℎ11 𝑖𝐵 + ℎ12 𝑣𝐶𝐸
= 𝑟𝐵𝐸 𝑖𝐵 + 𝜇 𝑣𝐶𝐸
= 𝑟𝐵𝐸 𝑖𝐵
𝑖𝐶 = ℎ21 𝑖𝐵 + ℎ22 𝑣𝐶𝐸
1
= β𝑖𝐵 + 𝑣𝐶𝐸
𝑟𝐶𝐸
1 1
=β𝑟 𝑣𝐵𝐸 + 𝑟 𝑣𝐶𝐸
𝐵𝐸 𝐶𝐸
1
= 𝑔𝑚 𝑣𝐵𝐸 + 𝑟 𝑣𝐶𝐸
𝐶𝐸
• La jonction BE passante, est représentée par sa résistance dynamique 𝑟𝐵𝐸
• Entre collecteur et émetteur, l’effet transistor est représenté par un générateur de courant
dépendant de 𝑣𝑏𝑒 ou de 𝑖𝐵 à savoir 𝑔𝑚 . 𝑣𝑏𝑒 ou 𝛽𝑖𝐵 .
• La résistance 𝑟𝐶𝐸 représente la résistance interne du générateur de courant dépendant.
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Ch2: Amplificateurs de base à transistors
▪ Amplificateurs en émetteur commun
▪ Schéma équivalent en petites variations du transistor NPN ou PNP
Détermination des paramètres 𝒓𝑩𝑬 , 𝜷 et 𝒓𝑪𝑬
Ces paramètres se déterminent graphiquement autour du point de repos :
𝑑𝑉𝐵𝐸 𝑑𝐼 𝑑𝑉𝐶𝐸
𝑟𝐵𝐸 = ቚ , 𝛽 = 𝑑𝐼 𝐶 ቚ et 𝑟𝐶𝐸 = ቚ
𝑑𝐼𝐵 𝑃 𝐵 𝑉𝐶𝐸 𝑐𝑡𝑒 𝑑𝐼𝐶 𝑉
𝑟𝑒𝑝𝑜𝑠 𝐶𝐸 𝑐𝑡𝑒
Il est plus commode de calculer ces
paramètres à partir de la connaissance :
• du courant de repos 𝐼𝐶0
• du gain en courant 𝛽
• de la tension de Early 𝑉𝐴
𝑉 𝐼𝐶0 𝛽
𝑟𝐵𝐸 = 𝛽 𝐼 𝑇 ; 𝑔𝑚 = =𝑟
𝐶0 𝑉𝑇 𝐵𝐸
𝑉𝐴 +𝑉𝐶𝐸0
et 𝑟𝐶𝐸 = 𝐼𝐶0
Dans la suite, on suppose que : 𝑟𝐶𝐸 = 𝜌 = ∞
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Ch2: Amplificateurs de base à transistors
▪ Amplificateurs en émetteur commun
▪ Schéma équivalent en petites variations du montage complet
On applique le théorème de superposition : pour l’alternatif petits signaux, on passive la
source de tension continue 𝑉𝐶𝐶 , ce qui revient à la remplacer par un court-circuit. puis,
on court-circuite les condensateurs.
iC
iC
R2 RC
Rg
VCC
VS RU
eg Ve R1
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Ch2: Amplificateurs de base à transistors
▪ Schéma équivalent en petites variations du montage complet
On pose : 𝑅𝑃 = 𝑅1 Τ/ 𝑅2
On suppose : 𝑟𝐶𝐸 = ∞
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Ch2: Amplificateurs de base à transistors
▪ Détermination des performances du montage amplificateur EC
Gain en tension en charge:
on a : 𝑣𝑒 = 𝑣𝑏𝑒 et 𝑣𝑠 = −𝑔𝑚 𝑅𝐶 //𝑅𝑢 𝑣𝑏𝑒
𝑣𝑠
D’où: 𝐴𝑉 = = −𝑔𝑚 𝑅𝐶 //𝑅𝑢
𝑣𝑒
Gain en tension à vide :
𝑣𝑠
Le gain en tension à vide est : 𝐴𝑉0 = = −𝑔𝑚 𝑅𝐶
𝑣𝑒
La pente 𝑔𝑚 est : 𝑔𝑚 ≈ 38𝐼𝐶0
Gain en Puissance:
𝑣𝑠
𝑃𝑠 𝑣𝑠 . 𝑖𝑠 𝑖𝑠 𝑅 𝑣𝑠 𝑅𝑒 𝑅𝑒 2
Le gain en puissance est : 𝐴𝑃 = = = 𝐴𝑉 = 𝐴𝑉 𝑣 𝑠 = 𝐴𝑉 = 𝐴
𝑃𝑒 𝑣𝑒 . 𝑖𝑒 𝑖𝑒 𝑒 𝑣𝑒 𝑅𝑠 𝑅𝑠 𝑉
𝑅𝑒
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▪ Détermination des performances du montage amplificateur EC
Impédance d’entrée :
C’est l’impédance vue par le générateur (eg, Rg):
𝑣𝑒
𝑍𝑒 = 𝑅𝑒 =
𝑖𝑒
= 𝑅𝑃 //𝑟𝐵𝐸
= 𝑅1 //𝑅2 //𝑟𝐵𝐸
1 1 1 −1
= + +
𝑅1 𝑅2 𝑟𝐵𝐸
La méthode de l’ohmmètre permet de
calculer 𝑹𝒔 :
Impédance de sortie:
C’est l’impédance de sortie vue par la charge 𝑅𝑢 . • Court-circuiter 𝒆𝒈 ( et non 𝒗𝒆 )
𝑣𝑠 • Enlever 𝑹𝒖 et mettre à sa place un
𝑍𝑠 = 𝑅𝑠 = ቤ = 𝑅𝐶
𝑖𝑠 𝑣 =0 générateur sinusoïdal u qui débite un
𝑒
courant 𝒊
𝒖
Dans ces conditions : 𝑹𝒔 =
𝒊
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𝑅𝑢 𝑅𝑢
Puisque 𝑣𝑠 = −𝑔𝑚 𝑅𝑠 //𝑅𝑢 𝑣𝑒 = −𝑔𝑚 𝑅𝑠 𝑣 = 𝐴 𝑣 (diviseur de tension)
𝑅𝑠 +𝑅𝑢 𝑒 𝑅𝑠 +𝑅𝑢 𝑣0 𝑒
𝑅𝑒
et 𝑅𝑒 la résistance d’entrée vu par le générateur (𝑒𝑔 , 𝑅𝑔 ): 𝑣𝑒 = 𝑒
𝑅𝑒 +𝑅𝑔 𝑔
𝑅𝑢 𝑅𝑢 𝑅𝑒
Donc 𝑣𝑠 = 𝐴 𝑣 = 𝐴 𝑒
𝑅𝑠 +𝑅𝑢 𝑣0 𝑒 𝑅𝑠 +𝑅𝑢 𝑒 𝑅𝑒 +𝑅𝑔 𝑣0 𝑔
Compte tenu de ces résultats, l’étage amplificateur prend la forme de synthèse suivante :
Représentation synthétique de l’étage amplificateur
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Ch2: Amplificateurs de base à transistors
▪ Performances du montage amplificateur EC Sans Capacité de
découplage C E de la résistance d’émetteur
Sachant que la polarisation est inchangée. Le schéma équivalent du montage complet aux petites
variations en 𝛽𝑖𝐵 (plus pratique pour ce montage) devient :
L’analyse de schéma permet de déterminer
Gain en tension :
𝑣𝑠 𝛽𝑅𝐶 //𝑅𝑢
𝐴𝑉 = =−
𝑣𝑒 𝑟𝐵𝐸 +(𝛽+1)𝑅𝐸
Résistance d’entrée :
𝑅𝑒 = 𝑅1 //𝑅2 // 𝑟𝐵𝐸 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸
Résistance de sortie :
𝑅𝑠 = 𝑅𝐶
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❑ Amplificateur en collecteur commun découplé
▪ Le signal d’entrée est injecté sur la base et le signal de sortie est prélevé sur l’émetteur.
▪ C’est le collecteur qui sert comme point commun en alternatif entre l’entrée et la sortie.
▪ On polarise le transistor par pont de base.
iS iS
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❑ Amplificateur en collecteur commun découplé
▪ Schéma équivalent
iS
Gain en tension
𝑣𝑒 = 𝑟𝐵𝐸 𝑖𝐵 + 𝑅𝐸 (𝛽 + 1)𝑖𝐵 ; 𝑣𝑠 = 𝑅𝐸 (𝛽 + 1)𝑖𝐵
𝑣𝑠 (𝛽+1)𝑅𝐸
Le gain à vide d’un collecteur commun est : 𝐴𝑉 = =
𝑣𝑒 𝑟𝐵𝐸 +(𝛽+1)𝑅𝐸
Remarque: La sortie et l’entrée sont en phase et le gain est légèrement inférieur à 1. ( 𝐴𝑉 ≅ 1)
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Ch2: Amplificateurs de base à transistors
❑ Amplificateur en collecteur commun découplé
Impédance d’entrée
Soit 𝑖𝑃 le courant qui passe dans 𝑅𝑃 = 𝑅1 //𝑅2 ;
𝑣𝑒 𝑣𝑒 𝑖𝑒
𝑍𝑒 = 𝑅𝑒 = =𝑖
𝑖𝑒 𝑃 +𝑖𝐵
• 𝑣𝑒 = 𝑟𝐵𝐸 𝑖𝐵 + 𝑅𝐸 𝛽 + 1 𝑖𝐵
⇒ 𝑣𝑒 = 𝑟𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝛽 + 1 𝑖𝐵
• 𝑣𝑒 = 𝑅𝑃 𝑖𝑃
1 𝑖 𝑖 1 1
Soit : = 𝑣𝑃 + 𝑣𝐵 = 𝑅 + 𝑟
𝑍𝑒 𝑒 𝑒 𝑃 𝐵𝐸 +𝑅𝐸 𝛽+1
On en déduit : 𝑍𝑒 = 𝑅𝑒 = 𝑅𝑃 //(𝑟𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝛽 + 1 )
Remarque : Toute résistance de charge 𝑅𝑈 est obligatoirement en parallèle avec 𝑅𝐸 .
La résistance d’entrée devient : 𝑍𝑒 = 𝑅𝑒 = 𝑅𝑃 //(𝑟𝐵𝐸 + 𝛽 + 1 (𝑅𝐸 //𝑅𝑈 ))
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❑ Amplificateur en collecteur commun découplé
Impédance de sortie
la résistance de sortie est obtenue en annulant
la tension d’entrée et en débranchant la
résistance 𝑅𝑢 :
𝑣𝑠
𝑍𝑠 = 𝑅𝑠 = ቤ
𝑖𝑠 𝑣
𝑒 =0
Le courant 𝑖𝐵 circule dans 𝑅é𝑞 :
𝑅é𝑞 = (𝑅𝑔 //𝑅1 //𝑅2 ) + 𝑟𝐵𝐸 ; si 𝑅𝑔 = 0, alors : 𝑅é𝑞 = 𝑟𝐵𝐸
𝑉𝑆 𝑉𝑆 𝛽+1 1
Or, 𝑖𝑆 = 𝛽 + 1 × 𝑖𝐵 + et 𝑖𝐵 = ⇒ 𝑖𝑆 = ( + )𝑉
𝑅𝐸 𝑅é𝑞 𝑅é𝑞 𝑅𝐸 𝑆
−1
1 𝛽+1
On en déduit : 𝑍𝑆 = +
𝑅𝐸 𝑅é𝑞
𝐼𝑆 1 𝛽+1 𝛽
Souvent, si 𝑅𝑔 = 0 , on a : 𝑌𝑆 = 𝐺𝑆 = = + ≈ = 𝑔𝑚
𝑉𝑆 𝑅𝐸 𝑟𝐵𝐸 𝑟𝐵𝐸
𝑉𝑆 𝑟𝐵𝐸 1
La résistance devient : 𝑅𝑆 = ≈ ≈
𝐼𝑆 𝛽 𝑔𝑚
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Ch2: Amplificateurs de base à transistors
Le montage collecteur commun présente donc les caractéristiques suivantes :
Gain en tension quasiment égal à l’unité ;
Impédance d’entrée élevée (plusieurs dizaines à plusieurs centaines de kΩ) ;
Impédance de sortie faible (sa valeur est de l’ordre de quelques dizaines Ω).
Il est évident que ce montage ne sert pas pour amplifier un signal, mais il est utilisé comme
adaptateur d’impédance.
❑ Amplificateur base commune
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Ch2: Amplificateurs de base à transistors
❑ Amplificateur base commune
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Ch2: Amplificateurs de base à transistors
❑ Amplificateur base commune
𝑖𝑒 𝐸 𝐶 𝑖𝑠
𝑖𝑏
𝑅𝑔 𝛽𝑖𝑏
𝑉𝑒 𝑉𝑠
𝑅𝐸 𝑟𝐵𝐸 𝑅𝐶
𝑒𝑔
𝐵
Souvent, 𝑅𝐸 ≫ 𝑟𝐵𝐸
𝑉𝑆 −𝑅𝐶 𝛽𝑖𝑏 𝛽𝑅𝐶
• Gain en tension à vide : 𝐴𝑉 = = = ;
𝑉𝑒 −𝑟𝐵𝐸 𝑖𝑏 𝑟𝐵𝐸
𝑉𝑒 𝑉𝑒 𝑉𝑒 1 𝑟𝐵𝐸 𝑟𝐵𝐸
• Résistance d’entrée ∶ 𝑅𝑒 = = 𝑉𝑒 = 𝑉𝑒 𝑉 = 1 1 = 𝑅𝐸 ∕∕ ≈ ;
𝑖𝑒 −(𝛽+1)𝑖𝑏 +(𝛽+1) 𝑒 +
𝑅𝐸 𝑟𝐵𝐸
𝛽+1 𝛽+1
𝑅𝐸 𝑅𝐸 𝑟𝐵𝐸
𝛽+1
𝑉𝑆
• Résistance de sortie ∶ 𝑅𝑆 = ≈ 𝑅𝐶 ;
𝑖𝑠
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Ch2: Amplificateurs de base à transistors
❑ Comparaison entre les trois montages
Montage Gain en tension impédance d’entrée Impédance de sortie Signal de sortie
Emetteur Grand Grande Grande Dépahasé de 𝜋
commun
Collecteur Unitaire Grande Petite En phase
commun
Base Grand Petite grande En phase
commune
❑ Amplificateurs fondamentaux à transistors FET
▪ Amplificateurs source commune
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▪ Amplificateurs source commune 𝑖𝑠
Gain en tension à vide 𝑖𝐷𝑆 𝑖
𝐷
Souvent 𝑅𝐺 >>, l’amplification à vide 𝐴𝑉0 devient :
𝑣𝑆 𝑔𝑚 𝑢𝐺𝑆 × (𝑅𝐷 //𝑟𝐷𝑆 )
𝐴𝑉0 = =−
𝑣𝑒 𝑢𝐺𝑆
𝐴𝑉0 = −𝑔𝑚 × (𝑅𝐷 //𝑟𝐷𝑆 )
𝑣𝑆
Généralement, 𝑟𝐷𝑆 ≫ 𝑅𝐷 , l’amplification 𝐴𝑉0 devient : 𝐴𝑉0 = ≈ −𝑔𝑚 𝑅𝐷
𝑣𝑒
Impédance d’entrée
L’impédance d’entrée du transistor seul étant considérée comme infinie,
L’impédance d’entrée du montage est : 𝑍𝑒 = 𝑅𝐺 .
Impédance de sortie
La résistance entre 𝐺 et 𝑆 étant infinie, il n’y a aucune réaction de la sortie sur l’entrée.
1 𝑖𝑠 𝑖𝑠 𝑖𝐷 𝑖𝐷𝑆 1 1
L’admittance de sortie est : 𝑌𝑆 = = = = + = 𝐺𝐷 + 𝑔𝐷𝑆 = +
𝑅𝑠 𝑉𝑠 𝑢𝑠𝑑 𝑢𝑠𝑑 𝑢𝑠𝑑 𝑅𝐷 𝑟𝐷𝑆
Souvent 𝑅𝐷 ≪ 𝑟𝐷𝑆 , la résistance de sortie devient : 𝑅𝑆 = 𝑅𝐷 //𝑟𝐷𝑆 ≈ 𝑅𝐷
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▪ Amplificateurs drain commun
𝑖𝑠
𝑖𝐷𝑆 𝑖𝑅𝑆
Gain en tension à vide
1 1
La conductance de source est : 𝐺𝑆 = et la conductance drain - source 𝑔𝐷𝑆 est : 𝑔𝐷𝑆 =
𝑅𝑆 𝑟𝐷𝑆
À vide, 𝑅𝑈 = ∞, et 𝑅𝐺 ≫, l’amplification à vide 𝐴𝑉0 devient :
𝑣𝑆 𝑢𝑆𝐷 𝑢𝑆𝐷 (𝑟𝐷𝑆 ∕∕ 𝑅𝑆 )𝑔𝑚 𝑢𝐺𝑆 (𝑔𝐷𝑆 + 𝐺𝑆 )𝑔𝑚
𝐴𝑣0 = = = = =
𝑣𝑒 𝑢𝐺𝐷 𝑢𝐺𝑆 + 𝑢𝑆𝐷 (1 + (𝑟𝐷𝑆 ∕∕ 𝑅𝑆 )𝑔𝑚 )𝑢𝐺𝑆 1 + (𝑔𝐷𝑆 + 𝐺𝑆 )𝑔𝑚
Généralement, 𝑔𝐷𝑆 ≪ 𝑔𝑚 et que 𝑔𝐷𝑆 ≪ 𝐺𝑆 , l’amplification 𝐴𝑣0 devient :
𝑔𝑚 𝐺𝑆 𝑔𝑚
𝐴𝑣0 = =
1 + 𝑔𝑚 𝐺𝑆 𝑅𝑆 + 𝑔𝑚
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Ch2: Amplificateurs de base à transistors
▪ Amplificateurs drain commun
Impédance d’entrée
L’impédance d’entrée du transistor seul étant considérée comme infinie,
L’impédance d’entrée du montage est : 𝑍𝑒 = 𝑅𝐺 .
Impédance de sortie
La résistance entre 𝐺 et 𝑆 étant infinie, il n’y a aucune réaction de la sortie sur l’entrée et la tension
entre la grille et le drain est nulle : 𝑢𝐺𝐷 = 0, ce qui fait que : 𝑢𝐺𝑆 = −𝑢𝑆𝐷
𝑖𝑠 𝑖𝑅𝑆 𝑖𝐷𝑆 𝑔𝑚𝑢𝐺𝑆
L’admittance de sortie est : 𝑌𝑠 = = + − = 𝐺𝑆 + 𝑔𝑆𝐷 + 𝑔𝑚 ≈ 𝐺𝑆 + 𝑔𝑚
𝑢𝑆𝐷 𝑢𝑆𝐷 𝑢𝑆𝐷 𝑢𝑆𝐷
Dans le cas particulier : 𝑔𝑚 𝑅𝑆 ≫ 1, alors, 𝑌𝑠 ≈ 𝑔𝑚 .
𝑢𝑆𝐷 1
La résistance de sortie devient : 𝑅𝑆 = ≈
𝑖𝑠 𝑔𝑚
Gain en charge
L’amplificateur se met sous la forme d’un quadripôle
avec une impédance d’entrée 𝑍𝑒 , une impédance de sortie 𝑍𝑆
et une source de tension commandée en tension 𝐴𝑣0 𝑢𝐺𝑆 . Le gain en charge devient :
𝑣𝑆 𝑣𝑆 𝑢𝐺𝑆 𝑅𝑈 𝑍𝑒 𝑅𝑈 𝑍𝑒 𝑔𝑚
𝐴𝑉 = = × = × 𝐴𝑉0 × = × ×
𝑒𝑔 𝑢𝐺𝑆 𝑒𝑔 𝑅𝑈 + 𝑍𝑆 𝑍𝑒 + 𝑅𝑔 𝑅𝑈 + 𝑍𝑆 𝑍𝑒 + 𝑅𝑔 𝑅𝑆 + 𝑔𝑚
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Ch2: Amplificateurs de base à transistors
▪ Amplificateurs drain commun
Les principaux résultats de ce montage sont :
Impédance d’entrée :
𝑅𝑆
𝑍𝑒 ≅
1+𝑔𝑚 𝑅𝑆
Impédance de sortie:
𝑍𝑒 ≅ 𝑅𝐷
Amplification en tension à vide:
𝑉𝑆
𝐴𝑉 = ≅ 𝑔𝑚 𝑅𝐷
𝑉𝑒
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