Module : Electronique générale Niveau : 2 ème année
Serie de TD NO 01
Exercice 1
Sachant que la concentration de porteurs intrinsèques de InSb (Eg=0.18 eV) est de 1x10 15 cm-3
à température ambiante (300 K), si nous avons maintenant un échantillon dopé avec une
concentration de 1016 cm -3 donneurs, quelle sera la concentration de trous ?
Réponse Exo 1
Exercice 2
Pour doper un échantillon de silicium, on peut utiliser des composés tels que le phosphore (P)
ou bien encore le bore (B).
1) Déterminer quel est le type de dopage induit par ces composés, dès lors qu'on les introduit
dans un monocristal de silicium.
2) Pour chacun des trois cas suivants, déterminer les concentrations (et le type) des porteurs
majoritaires, minoritaires ainsi que la position du niveau de Fermi dans le gap (dessin).
Cas 1 : dopage au phosphore à 1016 cm−3
Cas 2 : dopage au bore à 1015 cm−3
Cas 3 : codopage au phosphore à 1016 cm−3 et au bore à 1015cm−3
Données : ni (300 K)=1.1010 cm−3, Nv(300 K) = 1,04.1019 cm−3, Nc(300 K) = 2,8.1019 cm−3.
Reponse Exo 3
1. Lorsqu'on introduit du phosphore dans un monocristal de silicium, on parle de dopage
de type N car le phosphore possède un électron supplémentaire par rapport au
silicium. En revanche, lorsqu'on introduit du bore dans un monocristal de silicium, on
parle de dopage de type P car le bore possède un électron de moins que le silicium,
créant ainsi des trous qui agissent comme des porteurs de charge positive.
2.
Cas 1 : dopage au phosphore à 10^16 cm^-3
Porteurs majoritaires : électrons
Porteurs minoritaires : trous
Concentration de porteurs majoritaires (n) : n ≈ N_d = 10^16 cm^-3 (où N_d
représente la concentration de dopants)
Concentration de porteurs minoritaires (p) : p ≈ n_i^2/N_d = (1.10^10 cm^-
3)^2/10^16 cm^-3 = 10^4 cm^-3
Le niveau de Fermi est situé proche du milieu de la bande interdite, à une
énergie Eg/2 au-dessus de la bande de valence.
Cas 2 : dopage au bore à 10^15 cm^-3
Porteurs majoritaires : trous
Porteurs minoritaires : électrons
Concentration de porteurs majoritaires (p) : p ≈ N_a = 10^15 cm^-3
Concentration de porteurs minoritaires (n) : n ≈ n_i^2/N_a = (1.10^10 cm^-
3)^2/10^15 cm^-3 = 10^5 cm^-3
Le niveau de Fermi est situé proche du milieu de la bande interdite, à une
énergie Eg/2 en dessous de la bande de conduction.
Cas 3 : codopage au phosphore à 10^16 cm^-3 et au bore à 10^15cm^-3
Porteurs majoritaires : électrons
Porteurs minoritaires : trous
Concentration de porteurs majoritaires (n) : n ≈ N_d - N_a = 10^16 cm^-3 -
10^15 cm^-3 = 9.10^15 cm^-3
Concentration de porteurs minoritaires (p) : p ≈ n_i^2/N_d = (1.10^10 cm^-
3)^2/10^16 cm^-3 = 10^4 cm^-3
Le niveau de Fermi est situé plus proche de la bande de conduction que pour le
cas 1, mais moins que pour le cas 2.
Voici une représentation graphique de la structure électronique pour les trois cas :
Exercice 3
Un semi-conducteur est en silicium de largeur de bande interdite (ou gap) Eg=1,1eV et pour
lequel les densités équivalentes d'états énergétiques dans la bande de conduction NC=2,7.10 19
cm -3 et dans la bande de valence NV=1,1.1019 cm -3.
1- Calculez sa densité intrinsèque et la position du niveau de Fermi à 27°C, 127°C et 227°C.
On rappel qu'à 300K, kT= 0.026 eV, on prendra comme référence énergétique, le haut de la
bande de valence (EV = 0 eV).
Le silicium est dopé avec du phosphore de concentration 1018 cm -3
2- Calculez à 27°C, la densité d'électrons du Si ainsi dopé. En déduire la densité de trous.
Quel est le type de semi-conducteur ainsi obtenu ?
Réponse Exo 3
Exercice 4
Dans le cas du Silicium, à T= 300 K, avec ni= 1.5.1010 cm-3, nombre total d’atomes par cm3=
5.1022.
1. Quel est le rapport du nombre d’atomes ionisés au nombre total d’atomes ?
2. Quelle est la largeur de la bande interdite en eV ?
3. Déterminer sans calculs le type de semiconducteur (n ou p) puis les concentrations des
porteurs à l’équilibre dans les cas suivants :
a) Silicium dopé par 1015 atomes de Ga par cm-3.
b) Silicium dopé par 1012 atomes de Sb par cm-3.
c) Silicium dopé par 3.1010 atomes de In par cm-3.
Nc = 3.1019 atomes/cm-3 Nv = 1019 atomes/cm-3
Reponse Exo 4
1. Pour calculer le rapport du nombre d'atomes ionisés au nombre total d'atomes pour le
silicium à une température de 300 K, nous avons besoin de connaître le nombre
d'électrons libres et le nombre de trous dans le matériau.
À 300 K, le silicium intrinsèque a une concentration intrinsèque de porteurs de charge
(électrons et trous) de ni = 1,5 × 10^10 cm^-3. Cela signifie qu'à cette température, il y a une
concentration de 1,5 × 10^10 électrons et de 1,5 × 10^10 trous dans le matériau.
Le nombre d'atomes ionisés dépend de la concentration de porteurs de charge libres dans le
matériau. À une température de 300 K, le silicium intrinsèque n'a pas de dopants, ce qui
signifie qu'il n'y a pas d'impuretés qui fournissent des porteurs de charge supplémentaires.
Ainsi, tous les porteurs de charge dans le matériau proviennent de la rupture thermique de
liaisons covalentes dans le cristal.
Le nombre d'atomes ionisés est donc égal à la somme des électrons libres et des trous dans le
matériau, soit :
n = n_e + n_h = 1,5 × 10^10 + 1,5 × 10^10 = 3 × 10^10 cm^-3
Le nombre total d'atomes dans le matériau est de 5 × 10^22 cm^-3, comme indiqué dans la
question.
Le rapport du nombre d'atomes ionisés au nombre total d'atomes est donc :
n / N = (3 × 10^10) / (5 × 10^22) = 6 × 10^-13
Ainsi, le rapport du nombre d'atomes ionisés au nombre total d'atomes dans le silicium
intrinsèque à 300 K est d'environ 6 × 10^-13. Cela montre que la plupart des atomes de
silicium dans le matériau sont neutres et que seuls quelques-uns sont ionisés.
2. Nous pouvons résoudre pour Eg(0) en utilisant les valeurs données dans la question :
ni = 1,5 × 10^10 cm^-3
N = 5 × 10^22 cm^-3
La relation entre la concentration intrinsèque et l'énergie de la bande interdite à zéro Kelvin
est donnée par l'équation d'Arhenius :
ni^2 = N * exp(-Eg(0) / (2kT))
où k est la constante de Boltzmann.
En résolvant pour Eg(0), nous avons :
Eg(0) = 2kT*ln(N/ni^2)
En substituant les valeurs numériques, nous avons :
Eg(0) = 1.17 eV
En utilisant cette valeur dans la relation d'Einstein, nous avons :
Eg(300) = 1.17 - (4.73 × 10^-4 * 300^2) / (300 + 636)
Eg(300) ≈ 1.12 eV
Ainsi, la largeur de la bande interdite du silicium intrinsèque à 300 K est d'environ 1,12 eV.
1.
a) Type P ; n= 2.25.105 cm-3
b) Type N ; p= 2.25.108 cm-3
c) Type P ; p= 0.5625 cm-3
