III.

Les technologies du PV

III.1 - Généralités
III.2 - Filière classique du Silicium (monocristalin et polycristalin)
III.3 - Couches Minces
III.4 - Multi-jonction (intégration III-V, IV…)
III.5 - Nouveaux concepts : vers les 3ème générations

1
III.1 – Généralités

3 grandes catégories de technologie PV

Silicium cristallin épais

Monocristallin Multicristallin (polycrist)
Fonte de silicium à l ’état brut pour Elaborées à partir de blocs de silicium
créer un barreau, refroidissement cristallisé en forme de cristaux multiples
lent et maitrisé afin d’obtenir un sous l’effet d’un refroidissement forcé
monocristal. créant ainsi une structure multicristalline.

Couches minces
Fabriquées par le dépôt d’une ou plusieurs couches semi-conductrices et
photosensibles sur un support en verre, plastique, acier….
Plusieurs technologies existent telles que :
- Silicium amorphe - CIS et CIGS
- CdTe - Organique

Multi-jonction (III-V, IV….)

Intégration de plusieurs couches (p-n) de différents gaps (III-V, IV…) afin
de convertir électriquement un maximum du spectre électromagnétique
Structure complexe à élaborer par épitaxie (MOCVD) et très couteuse.
Technologie intéressante pour des applications spatiales. 2
III.1 – Généralités

Evolution des meilleures performance de cellules

Le rendement PV est le paramètre capital, mais pas seulement car pour le marché PV…. 3
III.1 – Généralités

Coût au Wc des modules des différentes technologies

3ème génération
Rendement (%)
0,5 $/Wc Limite SQ pour
1 $/Wc 1 seule jonction
30
Très hauts 2 $/Wc
futur III-V
rendements
marché
c-Si existant
20
mc-Si
1ère génération
CIGS
CdTe
10
orga 2ème génération
En cours a-Si
Coût en $/m²
0
0 100 200 300 400 500

…il faut aussi tenir compte du coût de la fabrication des modules PV !!!
4
III.1 – Généralités

Perspectives technologiques

• Amélioration incrémentielles des technologies Si cristallin épais et couches minces

• Ruptures technologiques à partir de 2025 ?

5
III.2 – Filière du Silicium cristallin et polycristallin

Filière historique du Silicium

• Filière historique majoritaire (80% du marché)

• Filière mature (suivi depuis 30 ans)
• Procédé de fabrication complexe
• Forts rendements industriels 16-22%
• Stabilité des panneaux PV (peu de vieillissement) 150-300 µm

Acteurs majeurs : Suntech (mono), Trina, Yinglin 6

III.2 – Filière du Silicium cristallin et polycristallin

Pourquoi le silicium a t-il autant de succès ?

• Elément très stable (durée de vie du matériau quasi infinie)
• Non contaminant, non toxique
• Elément très abondant : 27% de la croûte terrestre (2ème élément sur Terre après O)
Fabrication des cellules PV limitée uniquement par la capacité de purification
• Possibilité de présenter sous plusieurs formes cristallines : Mono ou polycristallin

Silicium mono, multi, poly, micro cristallin et amorphe ?

• Mono-cristallin (c-Si) : Composé d’un seul cristal. Atomes arrangés de façon régulière (structure cristalline)
• Poly-cristallin (pc-Si) : Composé de plusieurs petits (mono)cristaux de tailles, formes variées et
d’orientations différentes, séparés les uns des autres par une zone perturbée (joint grain) qui lui confère des
propriétés différentes du mono.
Multi-cristallin (mc-Si) : Poly composé de gros cristaux afin de limiter les effets néfastes des joints de grains.
• Microcristallin (µc-Si) : Couche polycristalline dont les cristaux sont de tailles micrométriques.
Composé entre état amorphe/polymorphe et cristallin.

• Amorphe (a-Si) : Composé non cristallisé dans lequel les atomes de Si sont désordonnés et ne sont donc
pas rangés de façon régulière.
Polymorphe (pm-Si) : Quelques cristaux ordonnés dans le matériau amorphe
7
NB : Poly ou multi ? Le terme poly est plutôt utilisé pour des couches déposées sur un substrat
III.2 – Filière du Silicium cristallin et polycristallin

Pourquoi le silicium a t-il autant de succès ?

• Elément très stable (durée de vie du matériau quasi infinie)
• Non contaminant, non toxique
• Elément très abondant : 27% de la croûte terrestre (2ème élément sur Terre après O)
Fabrication des cellules PV limitée uniquement par la capacité de purification
• Possibilité de présenter sous plusieurs formes cristallines : Mono ou polycristallin

Silicium mono, multi, poly, micro cristallin et amorphe ?

Défauts = taux élevé de recombinaison 8

 Couches minces obligatoires
III.2 – Filière du Silicium cristallin et polycristallin

Procédés de fabrication du Si : de la silice au wafer

Réduction Réaction avec HCl

réaction avec C en trichlorosilane
à 1900°C et distillation
Sable /silice SiO2 Grains de Si (pur à 98%)

wafer

Si polycristallin pur
à 99,999999999%
Formation de lingots de Si : (9N)
monocristallin par méthode de Czochralski
multicristallin par solidification directionnelle 9
wafer
III.2 – Filière du Silicium cristallin et polycristallin

Formation de Si mono ou multi-cristallin ?

Si monocristallin par tirage Czochralski Si multicristallin par solidification directionnelle

Four 1450°C
Atm Ar

Blocs de plus de 250 kg peuvent être obtenus par

1 : Germe de Si monocrist de petite taille plongé dans la Si fondu. refroidissement contrôlé du silicium en fusion dans un
2-3-4 : Tirage lent (2 mm/min) + rotation tige (qq tour/min). moule de nature appropriée (souvent en quartz).
…………Creuset et cristal en formation tournent en sens inverse. Méthode plus rapide et moins couteuse en énergie
5 : Lingots Si. 30 heures pour lingot 75kg (H=2m et Ø=250mm) que Czochralski 10
III.2 – Filière du Silicium cristallin et polycristallin

Formation de Si mono ou multi-cristallin ?

Monocristallin
Silice

Procédé de
Découpe Wafer Cellule Module
Czochralski
Silicium de
faible pureté

Silicium de Creuset
Lingot Découpe Wafer Cellule Module
haute pureté Sol dir

Multicristallin

11
III.2 – Filière du Silicium cristallin et polycristallin

Hétérojonction Si : exemple cellule HIT

Produit par Panasonic (avant Sanyo)

Electrodes supérieurs

Protection/anti-reflet
a-Si:H type p
~10-20 nm
a-Si:H intrisèque

c-Si_n 98 µm
Utilisation a-Si:H pour limiter les recombinaisons de surface a-Si:H intrisèque
(passivation surface) ~10-20 nm
a-Si:H type n
 meilleur performance Contact arrière

• Rendement 22% pour cellule (record 25,6% en 2015)

• Rendement module VHB N240 SJ25 d’environ 19,4% (un des plus élevé du marché)

12
III.3 - Couches Minces

Couche épaisse vs couche mince

Exemple : Si traditionnelle

• Filière traditionnelle :
épaisseur de 150 à 300 µm
• Filière couche mince : mince
épaisseur de l’ordre du µm

Le pourquoi des couches minces  Réduction des coûts

- Moins de matière première

- Réduction du nb d’étapes
- réduction de la durée de production d’un panneau (env 2H)
- procédé peu couteux
13
Quasi 2 fois moins cher
III.3 - Couches Minces

Silicium amorphe (a-Si:H) et µc-Si en couches minces

TCO : oxyde conducteur,

récupère les porteurs de
charges

Couches minces obligatoires

• Avantages
- Matériau déposé à « basse température » (<250°C) par Plasma Enhanced
Chemical Vapour deposition (PECVD).
Réduction coûts
- Fort taux d’absoption (car l’absorption de la lumière ne se fait que sur quelques µm)
matériaux et cellules
- Possibilité de faire des cellules tandem a-Si/c-Si ou a-Si/µc-Si car gap différent
- Dépôt sur de grandes surfaces, plusieurs m² (comme industrie des écrans LCD).

• Inconvénients
- Rendement de conversion PV faible : <8% sur modules à jonction simple, <10% pour jonction tandem.
- Vieillissement du à l’exposition à la lumière (10-20% de pertes de rendement durant les 1ère expositions)
liée à la création de centre de recombinaison (effet Staebler-Wronsky). Non présent pour µc-Si (car lié14à H).
(on parle plutôt de stabilisation que de vieillissement , car le rendement ne varie plus après quelques expositions)
III.3 - Couches Minces

Silicium amorphe (a-Si:H) en couches minces

• Silicium amorphe sans traitement (a-Si):

- Organisation d’atomes n’est plus régulière mais déformée
(ordre cristallin maintenu qu’à courte distance, 2 ou 3 liaisons)
- Création de liaisons non satisfaites dite pendantes
(présence d’une forte quantité d’état de défauts dans le gap)
 Mauvais conducteur
 Impossibilité de le doper
Atome d’hydrogène
Pour contourner le pb :
Traitement à l’hydrogène

• Silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) : µe ≈ 1000

cm²/V.s
- Saturation des liaisons pendantes = passivation
 Diminution de la densité d’état de défauts
- Arrangement possible d’atomes de a-Si avec H
 Possibilité de doper le matériau

Propriétés spécifiques du a-Si:H par rapport au Si (bulk) :

µe ≈ 1
- Gap plus grand (1,8 eV) cm²/V.s
- Présence d’états de défauts dans le gap
- Faible mobilité des porteurs de charges
Etats dûs à la
15
non-périodicité
III.3 - Couches Minces

Silicium amorphe (a-Si:H) en couches minces

• Elaboration a-Si:H par technique plasma (PECVD) :

Le a-Si:H est déposé sur un support en verre (substrat) chauffé à 150-200°C dans une enceinte sous vide secondaire.
Couches déposées directement à partir du gaz silane (SiH4). Le SiH4 est décomposé par décharge RF.
 Dans le plasma ainsi formé, Si et les H libérés reforment un matériau solide désordonné sur le verre.

• Avantage de la technique plasma (PECVD) :

-Empilement de toutes sortes de couches différentes juste en modifiant la composition gazeuse (souvent sans arrêter le plasma).
 Technique facile pour doper le a-Si:H, et donc réaliser des jonctions P-i-N.
Dopage p effectué à l’aide du B2H6 gazeux pour le B et dopage n effectué à l’aide du PH3 gazeux pour le P

• Cellule complète à base de a-Si:H : Schéma d’une cellule complète à base de a-Si:H

- Dépôt d’une couche (+) conductrice et transparente

(SnO2 ou ITO) directement sur le verre avant le a-Si:H.
- Terminaison par une électrode métallique (-) souvent Al
déposée en couche mince (Al est un bon réflecteur de lumière, donc 2nd
chance d’absorption pour les photons). Puis dépôt de Ni ou d’un autre
Electrode transparent
matériau soudable par-dessus Al. (SnO2 ou ITO)
Couche p
Jonction Si (i) intrinsèque
Couche n
• Epaisseurs de matériaux : Electrode métallique arrière
- (p) a-Si:H et (n) a-Si:H < 50nm
- (i) a-Si:H (non-dopé) ≈ 200 à 400 nm Acteurs majeurs : Kaneka, Sharp, Oerlikon 16
Région intrinsèque (i) nécessaire pour ZCE et étendre l’épaisseur d’absorption des photons (car faible LD dans a-Si)
III.3 - Couches Minces

cellule tandem : a-Si:H / µc-Si:H

Brevetée sous la contraction de concept micromorphe :

Eg≈ 1,2eV
indirect

<0,3µm Eg≈ 1,8eV

direct

Ex : Oerlikon Solar
Cout de production le plus bas de module 0.50 € /Wc pour un rendement
de 10% stabilisé à 143 Wc (Record est de 11,9%)
17
III.3 - Couches Minces

cellule triple : a-Si:H / a-SiGe:H

grille grille

ITO
p3 a-Si:H
i3 a-Si:H Eg=1,75 eV
n3
p2
Alliage pauvre Ge
i2 a-Si1-xGex:H Eg=1,5 eV
n2
p1
Alliage riche Ge
i1 a-Si1-xGex:H Eg=1,3 eV
n1
ZnO
Ag
Acier inox
J. Yang, A. Banerjee, and S. Guha,
Appl. Phys. Lett. 70, 2975 (1997)
18
III.3 - Couches Minces

Filière CIS , CIGS (Cu, In, Ga, Se ou S)

type n

type p

Acteurs majeurs : Hanergy, Avancic, Ascent

Filière prometteuse :
• 21,7% rendement record en 2015
• Modules industriels 11%
• Elaboration par procédés très variés
Ascent Solar : CIGS sur substrat flexibles 19
• Applications sur substrats flexibles possibles
III.3 - Couches Minces

Filière CIS , CIGS (Cu, In, Ga, Se ou S)

Structure cristallographique
Propriétés des CIGS

• Gap direct : 1 à 2,5 eV

• Coefficient d’absorption élevé : 104 à 105 cm-1

• Absorbeurs fins 2 à 3 µm

• Type p ou n selon la stœchiométrie

• Tolérants aux défauts et joints de grains

Système cristallin tétragonal

20
III.3 - Couches Minces

Filière CIS , CIGS (Cu, In, Ga, Se ou S)

Variation du gap selon les composés

Pour élargir les gaps des CIS (Cu, In, Se) qui sont faibles :
- Ga est allié à l’In
pour former des CIGS
- S est allié au Se
Gap ajustable
entre 1 - 2,7 eV

Le gap diminue lorsque paramètre

de maille a augmente

Rendements record :
dépendent de la largeur du gap
21
III.3 - Couches Minces

Filière CIS , CIGS (Cu, In, Ga, Se ou S)

Dispositif détaillé :

Comme pour la filière du silicium en couche mince, le module est fabriqué par la mise en
série intégrée de cellules séparées au laser.
22
III.3 - Couches Minces

Filière CIS , CIGS (Cu, In, Ga, Se ou S)

Techniques de dépôt :

Nombreuses possibilités de méthodes :

- Co-évaporation des 3 éléments
- Sélénisation de films In et Cu
- Pulvérisation cathodique de cibles prédéposées
- Irradiation laser d’un empilement de films des 3 éléments
- Electrochimie
- Pulvérisation par spray
- Sérigraphie
Section transverse d’une cellule réelle

Absorbeur
co-évaporé

23
III.3 - Couches Minces

Filière CIS , CIGS (Cu, In, Ga, Se ou S)

Techniques de dépôt :

24
III.3 - Couches Minces

Filière CdTe

CdTe
(1-6µm)

Couche absorbante CdTe d’épaisseur 1 à 6 µm. 40-MW CdTe PV Array, Waldpolenz, Germany

• Acteur industriel hégémonique très dynamique (First Solar)

• Rendements industriels d’environ 11%, prospective 15% en 2020
..(record de 21,0% pour cellule en 2015)
• Réticences des pouvoirs publics liées à la présence de Cd toxique
25
III.3 - Couches Minces

Filière CdTe

~0,1µm (couche avant)

Structure Zinc-Blende ~1-6µm

Structure de bandes d’une cellule
solaire en CdTe

• Propriétés du CdTe : Empilement d’une cellule solaire en CdTe

- Semi-conducteur II-VI donc de structure de type Zinc-Blende
- Gap intéressant pour PV de largeur Eg=1,45 eV
- Grande capacité d’absorption (une épaisseur de 2µm permet d’absorber la quasi-totalité du spectre visible)
 Maintient bonne performance même en cas de faible luminosité (soleil levant/couchant)

• Dépôt du CdTe dans l’empilement complet:

- une couche absorbante CdTe de (1-6µm) type p sur CdS type n (100-200nm)
- Difficulté à maîtriser le dopage p
- Mauvaise fiabilité du contact arrière 26
III.3 - Couches Minces

Filière CdTe

Bâti de dépôt par sublimation en espace clos

Bâti de sublimation de First Solar

• Techniques de dépôt du CdTe type p :

De nombreuses méthodes permettent de préparer des couches type P de bonnes cristallinités et de
grandes mobilités électroniques :
- sublimation et sublimation espace clos (soit proximité du substrat, soit transport par vapeur)
- vaporisation chimique,
- électrodéposition,
- sérigraphie,
- déposition vapeur chimique (CVD),
Méthode de type sublimation qui présentent de loin les plus grandes vitesses de dépôt
(jusqu’à 1 µm/s chez First Solar)
 plus intéressantes pour investissement de production de masse
27
III.3 - Couches Minces

Filière organique

N.B. Ces produits ne sont pas encore commercialisés

Filière toute organique (base de Carbone) :

• Rendement record de 11,1 % en 2015

• Promesse de coût très bas
• Nombreux choix de molécules et préparations
• Inconvénient : stabilité dans le temps

Acteurs majeurs : Konarka, Solarmer, Heliatek 28

III.3 - Couches Minces

Filière organique

• Propriétés particulières des organiques : (≠ des semi-conducteurs inorganiques)

- faible conductivité électrique

- faible constance diélectrique empêche un dopage contrôlé
- morphologie particulière

Les électrons et trous sont confinés à une molécule (e- excité reste lié au trou)
 Formation d’exciton (paire électron-trou liée, quasi-particule)

SC 2 (Ec,2>Ec,1) donneur
(ex : P3HT)
• Pour une application dans le PV : SC 1 (Ec,1<Ec,2)
accepteur
 nécessité de pouvoir séparer les charges (ex : PCBM)
(dissocier l’exciton)

Mise en jonction d’un Sc1 avec un Sc2 tel que (Ec,1<Ec,2) :

- Sc1 devient « de type donneur »
- Sc2 devient « de type accepteur »

Lorsqu’un exciton arrive à l’interface Sc1/Sc2 :

- l’électron est transféré à l’accepteur Dissociation de l’exciton
- Le trou est transféré au donneur et séparation des charges
29
III.3 - Couches Minces

Filière organique
Principe de fonctionnement des cellules organiques :

Effet à
éviter

- Etape 1 : Absorption d’un photon si hν>Eg

- Etape 2 : Diffusion de l’exciton jusqu’à l’interface (l’électron est encore lié au trou)
- Etape 3 : Dissociation de l’exciton à l’interface et création d’une paire électron-trou
- Etape 4 : Séparation des porteurs de charges
- Etape 5 : Transport des porteurs de charges jusqu’aux électrodes externes pour y être collectées
- Etape 6 : Extraction des charges par les électrodes et application d’une tension aux bornes de la jonction 30
III.3 - Couches Minces

Filière organique

Dispositif : Matériaux actifs :

Konarka products

Fullerène C60 2 maillons de PEDOT

(accepteur e-) (donneur e-)

Matériau actif : mélange de polymères Autres polymères conducteurs :

- para-phénylène-vinylène PPV
donneur/accepteur - polyaniline (X = N, NH)
- sulfure de polyphénylène (X = S)
- polypyrrole (X = NH)
- polythiophène (X = S) 31
III.3 - Couches Minces

Filière organique

Le concept de cellules tandem est aussi appliqué aux cellules organiques

Rendement record de 12% par Héliatek (ligne de production roll-to-roll) en 2013 (pas encore validé par NREL)
Production industrielle grande échelle proche. 32
III.3 - Couches Minces

Techniques de dépôt utilisées dans les

différentes filières couches minces

33
Source : Modules photovoltaïques, filières technologiques, Alain Ricaud, Les Techniques de l'Ingénieur
III.4 - Multi-jonction (intégration III-V, IV…)

• Cellules PV possédant les plus hauts rendements

• Technologie la plus couteuse ! 34
III.4 - Multi-jonction (intégration III-V, IV…)

Exemple et idée

Chaque type de semi-conducteur est caractérisé par une longueur d'onde maximale :
- Au-delà de laquelle il est incapable de convertir le photon en énergie électrique (suivant Eg).
- En deçà, le surplus d'énergie véhiculé par le photon est perdu.
 Intérêt de choisir des matériaux avec des longueurs d’onde max aussi proches les unes des
autres (en multipliant leur nombre d'autant) de manière à ce qu'une majorité du spectre solaire
soit absorbé, ce qui génère un maximum d'électricité à partir du flux solaire.

Gap le plus grand

Gap le plus petit

35
• Multijonction  repousse la limite SQ (jusqu’à rmax=83% pour une N-jonction)
III.4 - Multi-jonction (intégration III-V, IV…)

Dispositif réel
Rajout d’interfaces supplémentaires par rapport
à des jonctions p-n « classiques »
(couche fenêtre, tampon ou barrière tunnel).
 Augmentation du nombre d’interfaces

Couches
supplémentaires Complexité + matériaux préparés par
épitaxie (MBE, MOCVD)
Barrière tunnel

Couche fenêtre

Coût important au cm2 mais hauts

rendements PV (>30%)

Couche tampon

Barrière tunnel Applications spatiales…

Mais applications terrestres
envisagées sous concentration avec
système de tracking
36
Rendement record de 42,3 % avec une 3-jonction  vers les couches minces ?
III.4 - Multi-jonction (intégration III-V, IV…)

Prospective R&D à moyen terme

sun)

• Réalisation de structure possédant de plus en plus de jonction (3J à 6J)

• Réduction des couts par 6 pour 2030 6 fois moins
que 2010
• Amélioration (x 10) des systèmes optiques pour la concentration de lumière

tiré de : Yamaguchi et al. (Toyota, Sanyo, U. Tokyo) "STUDIES OF CONCENTRATOR MULTI-JUNCTION SOLAR CELLS AND MATERIALS 37
IN THE JAPANESE INNOVATIVE PV R&D PROGRAM", 24th EPSEC, 2009.
III.5 - Nouveaux concepts : vers les 3ème générations

Vers les très hauts rendements PV ?

3ème génération
Rendement (%)
0,5 $/Wc Limite théorique pour
1 $/Wc
1 seule jonction
30
Très hauts 2 $/Wc
futur
rendements III-V
c-Si marché
20 existant

mc-Si
CIGS
CdTe
10
orga
a-Si
En cours
Coût en $/m²
0
0 100 200 300 400 500
Pour être encore plus compétitif par rapport aux autres énergies non renouvelable.
 Vers 3ème génération de panneau PV
- vers la nanostructuration ?
Pistes possibles - Intégration de nanoparticule, nano-objet
38
?
- nouveaux concepts ?
III.5 - Nouveaux concepts : vers les 3ème générations

Vers les très hauts rendements PV ?

Pour une seule jonction : rmax =34%  Il faut surpasser la limite SQ !!!

But : limiter les pertes d’énergie

1 hν<Eg : pas d’absorption

2 hν>Eg : thermalisation e- / trou

3 perte énergie dans la jonction

4 perte énergie sur les contacts

5 perte énergie par recombinaison

Processus de perte d’énergie

Moyens et nouveaux concepts possibles :

- Porteur chaud  permet de s’affranchir de la thermalisation des porteurs de charges

- Cellule à bande intermédiaire  augmenter l’absorption
- Utilisation du spin électronique  diminuer le taux de recombinaison non-radiative
- Utilisation conversion optique et phénomène plasmonique  augmenter l’absorption

+ Nanostructuration  effet de concentration lumière ??? Nature Photonic 7, 306 (2013)

39
III.5 - Nouveaux concepts : vers les 3ème générations

Vers la nanostructuration : les Nanofils hν

Idée : Utilisation de nanofils à la place de structure « plein plaque »
 Amélioration du piégeage de la lumière (par effet anti-reflet)

Géométrie radiale
• 2 types de techno : Substrate
Géométrie axiale

• 2 types de réseau : Réseau vertical de nanofils bien arrangés

Réseau de nanofils orientés aléatoirement dans toutes les directions

structure radiale structure axiale région (i)

région (n)

région (p)

isolant

région passivée

métal

Transparent &
anti-reflet

Isolant (sol-gel)

Structure radiale est plus avantageuse (cout, quantité matière, absorption…) 40

III.5 - Nouveaux concepts : vers les 3ème générations

Vers la nanostructuration : les Nanofils de Si (aussi III-V)

Structure planaire texturée Nanofils géométrie radiale

Texture dentelée Forte dépendance du
pour mieux collecter
la lumière rapport d’aspect (L/Ø):

Ø ~ 100-300 nm
L ~ 1 µm

Réduction des structures à la taille nanométrique permet :

-d’utiliser de moins de matière  réduction des coûts
- Réduire le trajets des porteurs de charge
 augmente l’efficacité de collecter les porteurs de charge Découple l’absorption radiative
 augmentation de l’absorption des photons de hautes énergies des porteurs de charge collectés
(collecte jusqu’à 12-15 fois plus de lumière qu’une pleine plaque)
Vrai surtout pour radiale

Rendement théorique de 34% (comme les structures jonctions uniques) ???

41
III.5 - Nouveaux concepts : vers les 3ème générations

Vers la nanostructuration : les Nanofils de Si (aussi III-V)

Réalisation de structures radiales :
 Plusieurs méthodes de croissance et lithographie possible (bottom–up ou Top-down)

Exemple : élaboration de nanofils de a-Si:H/c-Si au LPICM (bottom-up) :

Cœur Intérieur Extérieur

Si(p) a-Si(i) & a-Si(n) TCO

Plusieurs
étapes
préliminaires
1µm
précurseur

LPICM, école polytechnique (2012)

(rendement η=8,2%)
Recherche au LPICM avance sur :
• Optimisation de la méthode de croissance (et verticalité ???)
• Maitrise de la taille des nanofils (L et Ø)
• Contrôle de la densité des nanofils (écartement…) et de la géométrie du réseau (carré, hexagonal…)

Pour l’instant un rendement de 11% a été obtenu pour nanofils de Si (2013) 42

(empilement différent que celui présenté ici)
III.5 - Nouveaux concepts : vers les 3ème générations

Vers la nanostructuration : nano-photonique et plasmonique

Problématique :
Diminution de l’épaisseur des cellules solaires et réalisation de
structures de plus en plus réduite (nanostructure) :
Optique conventionnelle n’est plus valide

Faire appel à la nano-photonique

Optique dans les cellules conventionnelles

Optique conventionnelle
(L>λ) Limite optique
Nano-photonique ( L< λ)
ondulatoire (L ~ λ)
L

diffusion
Diffraction Plasmonique, modes guidés….
Diffusion lumière
Anti-réflection

Question ouverte :
Peut-on éviter les réflexions de la lumière et absorber toute la
lumière uniquement dans le semi-conducteur ? 43
(et donc éviter l’absorption dans le métal ?)
 III.5 - Nouveaux concepts : vers les 3ème générations

Vers la nanostructuration : nano-photonique et plasmonique

Utilisation de nanostructures métalliques (ou nanoparticules) pour améliorer l’absorption optique :
 phénomène de plasmonique
Plasmon : oscillation collective d’un gaz d’électron excité (ici fréquence optique)

SC

Piégeage de la lumière dans le SC Piégeage de la lumière par Piégeage de la lumière par

par diffusion sur nanoparticules excitation des plasmons de excitation des plasmons à
localisées à la surface du SC. surface incorporés dans le SC. l’interface métal/SC.

Nature Materials 9, 205 (2010) Utilisation spécifique Conception d’électrode métallique

de nanoparticule métallique nanostructurée (nano-cavité plasmonique)
III.5 - Nouveaux concepts : vers les 3ème générations

Semi-conducteur à bande intermédiaire ?

Idée : Donner la possibilité aux électrons de transiter de BC vers BV par l’intermédiaire de bandes ou d’un
niveau profond dans le gap.
 Augmentation de l’efficacité d’absorption en gardant un large Voc Equivalent à une
 Elargissement du spectre électromagnétique absorbé 3-jonction
(3 transitions dans un seul matériau)

Générer plus de
courant Jsc

Générer plus de Jsc tout tant gardant une

grande valeur de Voc…

Réalisation d’une bande intermédiaire (IB):

Introduction d’une bande de défauts profonds en grande quantité (continuum).
- IB ne doit pas être électriquement couplée aux BC et BV via phonon.
- Requière des contacts sélectifs car les porteurs ne doivent pas être extrait de la IB. 45
III.5 - Nouveaux concepts : vers les 3ème générations

Semi-conducteur à bande intermédiaire ?

Ex : Travaux du groupe pionner (A. Luque)

Structure optimum théorique

Permet de repousser la limite SQ d’une 3-jonction

Structure expérimentale InAs/GaAs quantum Dot (QD)

Se rapproche le plus
des gaps optima

46

Adv. Mat. 22, 160 (2010)

III.5 - Nouveaux concepts : vers les 3ème générations

Semi-conducteur à bande intermédiaire ?

Ex : Structures expérimentales Quantum Dot (QD)

Intégration de QD dans une

couche intrinsèque :
Sc(p) / Sc(i) +QD / Sc (n)

 Etats quantiques périodiques

localisés dans la BI

InAs/GaAs-GaP InAs/Ga(N)As InAs/GaAs-GaP InAs/GaAs-GaP

Applied Physics Letters 92, Applied Physics Letters 93, Physical Review B 78, Physics & Semicond
123512 (2008) 083111 (2008) 205321 (2008) technique 43, 537 (2009)

observation d’un courant Jsc plus important (meilleure absorption optique) mais chute du Voc 47
 Rendement sont moins bon que la référence… mais la recherche progresse
III.5 - Nouveaux concepts : vers les 3ème générations

Semi-conducteur à bande intermédiaire : apport du spin électronique ?

Problème principale provient des mécanismes de recombinaison :

L’efficacité chute fortement quand les processus non-radiatives > radiatives
recombinaison

Comment atteindre un bon rapport Radiative/non-radiative ?

L’ampleur du rapport est liée au spin des électrons (interaction S-O) qui induit
des règles de sélection lors des transitions (état triplets)
 Utilisation des propriétés du spin électronique dans les semi-conducteurs

Utilisation de semi-conducteurs magnétiques dilués (DMS)

Comportement identique qu’un état triplet

- La séparation des 2 canaux de spin up et down lors de la transition est similaire à celle d’un état triplet (sans spin).
- La recombinaison non-radiative est minimisée du fait de la levé de dégénérescence dans la BC et BV
Rendement théorique de 50% peut être obtenu avec AlP dopé Cr 48
….(sans bande intermédiaire) Guillemoles_PRL 102, 227204 (2009)
III - Pour finir, comparatif des différentes technologies

Comparatifs des différentes technologies du PV

~ 97% du marché mondial en 2012

Monocristallin Multicristallin Couches minces

Amorphe CdTe CIS / CIGS

Rendement cellule 17–19 % 14-17 % 5-8 % 8-11 % 10-12 %

Coût (T3 2013) Coût élevé Coût modéré Coût réduit

(~ 75 cents/Wc) (~ 65 cents/Wc) (~ 45 cents/Wc)

Durée de vie > 25 ans (80% de la puissance nominale)

Caractéristiques
+ Très performants, + Rapport Prix/Performance, + Prix,
Meilleur rendement à faible
+ Puissance / m², + 53% de la production mondiale
en 2010, + éclairement, faible sensibilité
à la température,
+ Recyclage, + Recyclage, Moins de matière, flexible,
- Coût de fabrication élevé
- Coût de fabrication élevé et + Puissance / m²,
et laborieux, laborieux, Matériaux polluants (sauf
- Forte sensibilité à la - Forte sensibilité à la lumière, à - amorphe).
lumière, à la température. la température.
- Rendement plus modeste

Utilisation Spatial, bâtiment, sites Spatial, bâtiment, sites Site ombragés, appareils
isolés, surfaces limitées isolés, surfaces limitées électroniques

D’après Laurent Prieur 49

III - Pour finir, comparatif des différentes technologies

Comparaison des rendements cellules/modules

50
SOLAIRE MODULE PV RESEAU
Energie Energie ELECTRIQUE
• Diode PN

solaire électrique
• Cellule PV

Chapitre I Ch II : fonctionnement Chapitre IV

(Physique)
Ch III : technologies
(Matériaux) 51