Institut Supérieur des Etudes Technologiques en Communications de Tunis

Fonctions Electroniques

Support de Cours

Préparé par

KHOJET EL KHIL Sejir

Assistant

2008
Avant propos

Avant propos

Ce support de cours de «Fonctions électroniques », s’adresse principalement aux étudiants

de second niveau en formation de technicien supérieur en télécommunications.

Au sein de l’Iset’Com, le module « Fonctions électroniques », constitue le premier cours

faisant appel à la technologie électronique dans le domaine des télécommunications. L’objet
de ce support de cours est de permettre au lecteur de mieux comprendre le fonctionnement des
principaux composants utilisés en électronique analogique notamment la diode à jonction, le
transistor bipolaire, le transistor à effet de champ et les amplificateurs opérationnels parfaits.

A ce titre, ce cours se focalisera sur les principales applications de ces composants, leurs
limites de fonctionnement ainsi qu’aux principaux circuits qui leurs sont associés. Dans
chaque chapitre, des remarques ont été faites afin de mieux expliquer le fonctionnement d’un
composant électronique ou d’un montage.

La quasi-totalité des montages présentés dans ce document ont été réalisés à l’aide des
logiciels de CAO PSIM et Circuitmaker. Les courbes et les graphes présentés ont été simulés
à l’aide des logiciels de CAO PSIM et Matalb. Quelques résultats expérimentaux ont permis
d’illustrer le fonctionnement de certains composants électroniques. L’une des perspectives de
ce support de cours est la généralisation des résultas expérimentaux à tous les chapitres.

Ce support de cours est divisé en six chapitres :

9 Chapitre premier : La Diode Semi-conductrice.
9 Chapitre deuxième : Les autres types de Diodes
9 Chapitre troisième : Le transistor Bipolaire
9 Chapitre quatrième : Les amplificateurs de puissance
9 Chapitre cinquième : Le transistor a effet de champ
9 Chapitre sixième : Les amplificateurs opérationnels parfaits

Une bibliographie, présentée à la fin de ce support de cours, expose l’ensemble des

ouvrages utilisés pour la préparation de ce document. Concernant les ouvrages disponibles
dans la bibliothèque de l’Iset’ Com, leurs codes ont été mentionnés afin de faciliter à
l’étudiant leur consultation en cas de besoin.

i
Table des matières

TABLE DES MATIERES

CHAPITRE PREMIER : LA DIODE SEMI-CONDUCTRICE………………………… 1

CHAPITRE DEUXIEME : LES AUTRES TYPES DE DIODES……………………….. 18

CHAPITRE TROISIEME : LE TRANSISTOR BIPOLAIRE…………………………... 23

CHAPITRE QUATRIEME : LES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE……………… 36

CHAPITRE CINQUIEME : LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP………………… 46

CHAPITRE SIXIEME : LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS PARFAITS…… 52

ii
CHAPITRE PREMIER LA DIODE SEMI-CONDUCTRICE.

CHAPITRE PREMIER
LA DIODE SEMI-CONDUCTRICE

I – Les Semi conducteurs

Les semi-conducteurs sont des matériaux dont la conductivité, comme le montre le tableau
1.1, est intermédiaire entre celle des conducteurs et celle des isolants.

Matériaux Conductivité (S/cm)

Conducteurs 102 – 106
Semi-conducteurs 10-6 – 102
Isolants 10-16 – 10-8

Tab 1.1. Zone de charge d’espace dans une jonction PN

Il faut souligner que la conductivité des semi-conducteurs, à la différence de celle des

conducteurs et des isolants, dépend fortement de leur pureté, de la température et d’autres
quantités physiques et chimiques. Ainsi, il est possible aux semi-conducteurs de se comporter
tantôt comme des conducteurs (laisser passer le courant électrique) tantôt se comporter
comme des isolants (bloquer le passage du courant électrique) suivants certaines conditions
qui seront présentées dans les paragraphes suivants.
Cette propriété présente leur principal avantage : la construction de la plus part des
composants électroniques. Parmi les semi-conducteurs, on peut citer : le Silicium (Si), le
Germanium (Ge), le Sélénium (Se), …etc. Le silicium reste néanmoins le semi-conducteur le
plus utilisé en électronique.

I – 1 – Les Semi-conducteurs intrinsèques

Un semi-conducteur est constitué par un réseau cristallin de matériau très pur. On utilise soit
des éléments du tableau périodique possédant chacun 4 électrons de valence, soit des
combinaisons de matériaux qui possèdent 3 et 5 électrons de valence. Les atomes sont liés
entre eux par des liaisons covalentes. Ces liaisons sont robustes, ce qui fait que pour arracher
des électrons des atomes, il faut fournir une énergie assez importante (environ 1eV, contre
0,1eV pour les conducteurs et 5eV pour les isolants).
L’agitation thermique fait que certains électrons quittent leur liaison et deviennent des
électrons libres. Ils créent alors un trou qui ne demande qu'à être rebouché par un autre
électron libre, surtout si on applique un champ électrique sur le cristal : électrons et trous se
déplacent en sens inverse, engendrant ainsi un courant électrique.
La résistivité des semi-conducteurs diminue quand la température augmente : en effet, plus
la température est élevée, plus le nombre de trous et d’électrons libres augmente, et plus le
courant produit est intense quand on branche un générateur sur le cristal.

I – 2 – Les Semi-conducteurs extrinsèques

L’utilité des semi-conducteurs intrinsèques est sévèrement limitée à cause de leur faible
conductivité. Ainsi, et afin d’augmenter sa conductivité et de le rendre utilisable, on introduit
à l’intérieur du cristal semi-conducteur des atomes étrangers, appelés atomes d’impuretés.

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 1

CHAPITRE PREMIER LA DIODE SEMI-CONDUCTRICE.

Le processus d’ajout d’impureté s’appelle dopage. L’objectif du dopage est l’augmentation

du nombre d’électrons libres et du nombre de trous. Le semi-conducteur dopé est dit alors
extrinsèque.
A titre d’exemple, pour le silicium possédant quatre électrons de valence, le dopage consiste
à ajouter des atomes d’impuretés possédant trois électrons de valence (trivalent) ou cinq
électrons de valence (pentavalent). On distingue alors deux types de dopages : la dopage de
type P et le dopage de type N.

I – 2 – 1 – Semi-conducteur de type P

Si un atome trivalent (indium, bore) est introduit dans le cristal de silicium, ses trois
électrons de valence entrent en liaison covalente avec trois atomes de silicium voisins
(figure1.1 (a)). La liaison avec le quatrième atome de silicium voisin reste incomplète. Ce
manque d’électron périphérique au niveau de la liaison, donne naissance à un trou. L’atome
de l’impureté devient un ion négatif.
Un tel atome d’impureté est dit accepteur, car il a tendance à capter un électron de valence
voisin pour compléter la liaison covalente. Le semi-conducteur extrinsèque est appelé dans
cas de figure un semi-conducteur de type P.
Dans un semi-conducteur de type P, les trous sont les porteurs de charges majoritaires et les
électrons sont minoritaires.

I – 2 – 1 – Semi-conducteur de type N

Dans le cas d’un semi-conducteur de type N, l’atome d’impureté est pentavalent (phosphore,
arsenic). Lorsqu’il est introduit dans le cristal de silicium, quatre de ses électrons de valence
entrent en liaison avec quatre atomes de silicium voisins (figure1.1 (b)). Le cinquième
électron se trouve en surnombre et a tendance à devenir libre. L’atome de l’impureté devient
un ion positif.
Un tel atome d’impureté est dit donneur puisqu’il fournit des électrons libres
supplémentaires. Le semi-conducteur extrinsèque est appelé dans cas de figure un semi-
conducteur de type N.
Dans un semi-conducteur de type N, les électrons sont les porteurs de charges majoritaires
et les trous sont minoritaires.

Electron
Trou libre
Si Si

Si B Si Si P Si

Si Si

a/ b/

Fig. 1.1. Semi-conducteurs de type P (a) et de type N (b)

I – 3 – La jonction PN

Lorsque un semi-conducteur de type P est mis en contact avec un semi-conducteur de type

N, comme l’illustre la figure 1.2, une jonction PN est créée. Cette jonction possède une
caractéristique particulière : la capacité de laisser passe le courant dans un seul et unique sens.

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 2

CHAPITRE PREMIER LA DIODE SEMI-CONDUCTRICE.

Avant de comprendre le fonctionnement de la jonction PN, rappelons que dans un pareil

semi-conducteur quatre types de charges existent :
- Charges fixes : ions positifs (cristal de type N) et ions négatifs (cristal de type P).
- Charges mobiles : électrons (porteurs majoritaires dans le cristal de type N) et trous
(porteurs majoritaires dans le cristal de type P).

I – 2 – 1 – Jonction PN non polarisée

Au moment de la réunion des deux cristaux (type P et type N), un processus de diffusion se
déclenche : les porteurs majoritaires, au voisinage immédiat de la jonction, vont diffuser du
côté où ils sont minoritaires. Ainsi, les trous vont diffuser du côté P au côté N ; de même, les
électrons diffusent de la région N à la région P (figure 1.2).
En arrivant dans la région N, les trous se recombinent avec les électrons libres. De même,
en arrivant dans la région P, les électrons se recombinent avec des trous.

Région P Région N

ion négatif

trou électron
libre
Sens de diffusion des trous ion positif
Sens de diffusion des électrons
Fig. 1.2. Jonction PN non polarisée

Lorsque les électrons diffusent vers la région P, il y a création dans la région N, au

voisinage de la jonction, une zone contenant des charges positives immobiles. Pareillement,
lorsque les trous diffusent vers la région N, il y a création dans la région P, au voisinage de la
jonction, une zone contenant des charges négatives immobiles.
Ainsi, va prendre naissance des deux côtés de la jonction, une zone pratiquement vide de
porteurs libres appelée Zone de charge d’espace. Cette zone est chargée positivement côté N
et négativement côté P.

Région P Région N

r
Eint

ion négatif

trou électron
Zone de charge d'espace libre
ion positif
Sens de répulsion des électrons
Sens de répulsion des trous

Fig. 1.3. Zone de charge d’espace dans une jonction PN

A l’intérieur de la zone de charge d’espace et entre les deux charges opposées, il existe un
r
champ électrique Eint dirigé de la région N vers la région P, s’opposant ainsi à la diffusion des
trous et des électrons. Comme le processus de diffusion continu, la zone de charge d’espace
devient plus large et le champ s’intensifie causant la diminution de la diffusion.
Ce processus continu, jusqu’à ce que la quantité des charges immobiles et le champ
électrique dans la jonction cesse d’accroître. Un équilibre dynamique s’installe dans la

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 3

CHAPITRE PREMIER LA DIODE SEMI-CONDUCTRICE.

r
jonction, caractérisé par une intensité E0 de Eint et une différence de potentiel V0 entre les
deux charges immobiles dans la jonction. A 25°C, V0 est de l’ordre de 0.7V pour la jonction
PN au silicium.

I – 2 – 2 – Jonction PN polarisée

On applique maintenant une tension U0 aux bornes des la jonction PN (figure1.4), telle que
la borne positive de U0 est liée au semi-conducteur de type P et sa borne négative au semi-
r
conducteur de type N. La tension appliquée produit un champ électrique E dirigé de la région
r r
P vers la région N et de sens opposé au champ interne Eint . On obtient alors un champ Er qui
r
est inférieur à Eint . La barrière de potentiel diminue et s’oppose moins au passage des porteurs
majoritaires. Il y a alors naissance alors d’un courant appelé courant direct noté iF.

Région P Région N

r
iF Er

Zone de charge d'espace

+ -

U0
Fig. 1.4. Jonction PN polarisée

II – La diode Semi-conductrice
II – 1 – Définition et symboles

La diode semi-conductrice (D) est un dipôle passif, non linéaire formé à partir d’une
jonction PN (figure1.5). La diode est composé de deux électrodes appelées respectivement :
Anode (côté P) et Cathode (côté N).

D
A P N K
Anode Cathode
Jonction PN
Fig. 1.5. Diode et jonction PN

La figure 1.6, représente différents symboles graphiques d’une diode de redressement. Le

courant (iF) dans une diode de redressement, ne circule que dans un seul sens : de l’anode vers
la cathode.

D D D
iF iF
A K A K A iF K
Anode Cathode Anode Cathode Anode Cathode
VF VF VF

Fig. 1.6. Différents symboles de la diode semi-conductrice

Le courant passant dans la diode est noté iF, la tension aux bornes de la diode est VF = VA-VK.

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CHAPITRE PREMIER LA DIODE SEMI-CONDUCTRICE.

II – 2 – Caractéristiques électriques d’une diode

II – 2 – 1 – Caractéristique directe

Soit le circuit de la figure1.7 qui permet de mesurer le courant et la tension de la diode D,

qui est polarisée dans ce cas de figure en direct c'est-à-dire que le potentiel de l’anode est
supérieur au potentiel de la cathode.

Fig. 1.7. Circuit à diode

La figure 1.8 illustre la caractéristique directe courant tension : iF = f(VF) de la diode. On

augmente la valeur de la tension Ve à partir de 0 et on mesure respectivement la courant iF et
la tension VF. La variation de iF en fonction de VF est non linéaire et plus précisément
exponentielle, dont l’équation caractéristique est :
⎛ ⎛ qV ⎞ ⎞
i F = IS ⎜⎜ exp⎜ F ⎟ − 1⎟⎟ , à 25°C = 26mV (1.1)
kT
⎝ ⎝ kT ⎠ ⎠ q
Avec :
9 Is : courant de saturation inverse.
9 VF : tension directe.
9 q : charge de l’électron : 1.6 10-19C.
9 k : constante de Boltzmann : 1.38 10-23 JK-1.
0.1

0.08

0.06

iF (A)

0.04
I II

0.02

III
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
VF (V)

Fig. 1.8. Caractéristique directe courant tension de la diode

L’analyse la courbe de la figure précédente montre que si la tension VF < Vseuil, le courant iF
est nul : la diode est dite alors bloquée. Si VF ≥ Vseuil, iF devient positif : la diode est dite
passante. Au-delà de la tension Vseuil, une petite variation de VF produit une forte
augmentation du courant iF. Pour une diode au silicium, généralement Vseuil ≈ 0.7 V (0.3 V
pour la diode au germanium).

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 5

CHAPITRE PREMIER LA DIODE SEMI-CONDUCTRICE.

La caractéristique directe de la diode peut être répartie en trois zones de fonctionnement :

9 Zone de non-conduction (I) : VF < Vseuil ↔ iF =0. La diode est bloquée et se comporte
comme un interrupteur ouvert.
9 Zone de conduction non linéaire (II) : VF ≥ Vseuil ↔ iF > 0. La diode est passante,
néanmoins on évite de travailler dans cette zone car les signaux de faibles amplitudes
y subissent de fortes distorsions.
9 Zone de conduction quasi linéaire (III) : VF ≥ Vseuil ↔ iF > 0. La diode est passante.
La variation de iF en fonction de VF dans cette zone est quasi linéaire. C’est la zone de
fonctionnement normale de la diode.

La figure 1.9, présente la caractéristique directe expérimentale de la diode 1N4003.

L’indication ΔX sur l’oscilloscope, précise la valeur de la tension seuil égale environ à 0.7V.

Fig. 1.9. Caractéristique directe courant tension de la diode 1N4003

II – 2 – 2 – Caractéristique inverse

On reprend le même circuit que celui de la figure 1.7 sauf que la diode est maintenant
polarisée en inverse. On augmente la valeur de la tension d’alimentation. Le courant et la
tension mesurée sont appelés respectivement courant inverse iR et tension inverse VR. Lorsque
la tension inverse est appliquée, on obtient courant inverse extrêmement faible appelé courant
de fuite. Si l’on augmente suffisamment la tension inverse, on atteint la tension de claquage
VRRM de la diode. Le courant inverse commence alors à augmenter rapidement (figure 1.10).

VRRM
VR

iR

Fig. 1.10. Caractéristique inverse de la diode.

Si le courant inverse n'est pas limité par des éléments externes, il y a destruction rapide de la
diode due à deux phénomènes :
9 Phénomène d’avalanche : quand le champ électrique au niveau de la jonction devient
trop intense, les électrons accélérés peuvent ioniser les atomes par chocs, ce qui libère

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 6

CHAPITRE PREMIER LA DIODE SEMI-CONDUCTRICE.

d'autres électrons qui sont à leur tour accélérés Il y a divergence du phénomène, et le

courant devient très important en un temps extrêmement court.
9 Phénomène Zener : les électrons sont arrachés aux atomes directement par le champ
électrique dans la zone de transition et créent un courant qui devient vite intense quand
la tension VR atteint une valeur Vz dite tension Zener.

Remarques :

9 Résistance dynamique de la diode : En observant la zone III de la caractéristique

directe et la zone de claquage de la zone inverse de la diode, on remarque que la
variation du courant en fonction de la tension aux bornes de la diode est quasi
linéaire. Il est donc possible de conclure que la diode possède une résistance
dynamique directe faible et une résistance dynamique inverse grande.
9 En polarisation directe, la tension VF varie généralement entre 0.8 V et 1.1V.
9 Effet de la température sur la caractéristiques courant – tension : L’augmentation de
la température modifie les caractéristiques directe et inverse de la diode : diminution
des valeurs de la tension seuil et de la tension de claquage, augmentation du courant
inverse (voir figure 1.11).
iF
25°C+Δθ

25°C

VRRM VRRM’
VR VF
0.7V-ΔV 0.7V

iR
Fig. 1.11. Influence de la température sur la caractéristique courant – tension

9 Le tableau suivant résume les conditions de passage et de blocage de la diode :

Diode passante Diode bloquée

VF > Vseuil VF < Vseuil
iF > 0 iF = 0

Tab 1.2. Conditions de passage et de blocage d’une diode semi-conductrice

II – 2 – 3 – Limites de fonctionnement de la diode.

Dans son fonctionnement, la diode est soumise à plusieurs contraintes qui peuvent causer
soit sa destruction, soit la réduction de sa durée de vie ou encore un disfonctionnement aussi
bien en polarisation directe qu’en polarisation inverse.
L’une des contraintes les plus importantes est la température. En effet, la diode possède une
résistance dynamique, la dissipation de la puissance se fait alors sous forme de chaleur. Si
cette chaleur est trop grande, il y a risque de destruction de la diode.
Ainsi, si la puissance dissipée (P) par la diode dépasse une puissance dissipée maximale
Pmax la diode peut être détruite. La figure 1.12 indique la zone de fonctionnement possible de

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 7

CHAPITRE PREMIER LA DIODE SEMI-CONDUCTRICE.

la diode (zone hachurée), en polarisation directe, pour une puissance dissipée inférieure à
Pmax.
Le constructeur indique généralement la puissance maximale dissipée par la diode. Si cette
valeur n’est pas précisée, le constructeur spécifie un courant direct limite. Généralement pour
les diodes redresseuses la valeur de ce courant est de l’ordre de 1A.
En polarisation inverse, surtout pour les circuits de redressement, il est nécessaire de vérifier
que la tension inverse à laquelle est soumise la diode soit inférieure à la tension de claquage
de la diode. En effet si l’on dépasse la tension inverse de claquage, on risque de détruire la
diode. Le constructeur indique aussi la valeur de la tension de claquage. Cette dernière varie
pour les diode de redressement de 50 à 1000 V (voir annexe 1).
Il faut souligner néanmoins que le fonctionnement au niveau de la tension de claquage n’est
pas toujours destructif pour certaines diodes comme la diode zener, qui sont conçues pour
fonctionner dans cette zone.

Destruction
thermique

iF (mA)
Pmax
P ≤ Pmax

0
VF (V)
Zone de fonctionnement possible de la diode
Fig. 1.12. Influence de la température sur la caractéristique courant – tension

Enfin, il est important de rappeler que la diode est un interrupteur électronique possédant un
temps d’ouverture et un temps de fermeture appelé temps de recouvrement inverse. Si la
fréquence du signal d’entrée devient importante, la diode ne fonctionne plus convenablement
causant des perturbations au niveau du signal de sortie. Généralement la diode de
redressement est conçue pour fonctionner en basse fréquence (quelques dizaines de Hz). Pour
les applications hautes fréquences ou hyperfréquences, d’autres diodes sont utilisées telles la
diode Schottky (voir second chapitre).

II – 3 – Point de fonctionnement

Soit le montage suivant

Fig. 1.13. Circuit à diode

Deux équations électriques caractérisent ce circuit :

⎛ ⎛ qV ⎞ ⎞
• i F = IS ⎜⎜ exp⎜ F ⎟ − 1⎟⎟ : équation caractéristique de la diode
⎝ ⎝ kT ⎠ ⎠

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CHAPITRE PREMIER LA DIODE SEMI-CONDUCTRICE.

Ve − VF
• iF = : équation de la droite de charge statique
R
Le point d’intersection P entre la caractéristique directe de la diode et la droite de charge
statique s’appelle point de fonctionnement ou point de repos de la diode (figure1.14). Ce point
possède pour coordonnées la tension VFP et le courant iFP.

iF (mA)

VCC
R Caractéristique
directe de la diode

Droite de charge
P statique
iFP

0 VFP Vcc VF (V)

Fig. 1.14. Point de fonctionnement d’une diode

II – 4 – Schémas équivalents de la diode

La représentation de la diode par sa loi exponentielle est un peu complexe pour l'emploi de
tous les jours. Afin de mieux comprendre son comportement, plusieurs schémas ou modèles
équivalents simplifiés peuvent être employés. Pour établir ces schémas, on « linéarise » plus
ou moins grossièrement la caractéristique électrique de la diode, puis on cherche quels
composants permettent d’obtenir ces caractéristiques linéaires.

II – 4 – 1 – La diode idéale

C'est le modèle le plus simplifié de la diode. Lorsque la diode est bloquée, elle est assimilée
à un interrupteur ouvert (k0). Lorsqu'elle est passante, elle est assimilée à un court circuit
(Vseuil = 0). La figure 1.15, illustre le schéma équivalent dans chaque cas (a) ainsi que la
caractéristique courant tension correspondante (b).

iF
Diode iF k0 iF = 0
A K A K
bloquée

VF VF < 0 Diode
passante
Diode iF
A K A k0 iF > 0 K VF
passante
0
VF VF = 0 Diode
a/ bloquée b/

Fig. 1.15. La diode idéale

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 9

CHAPITRE PREMIER LA DIODE SEMI-CONDUCTRICE.

II – 4 – 1 – La diode parfaite

Lorsque la diode est bloquée, elle est assimilée à un interrupteur ouvert (k0). Lorsqu'elle est
passante, elle est assimilée à un interrupteur fermé (k0) en série avec un contre f.e.m de valeur
égale à Vseuil. La figure 1.16, illustre le schéma équivalent dans chaque cas (a) ainsi que la
caractéristique courant tension correspondante (b).

iF
Diode iF k0 iF = 0
A K A K
bloquée
Diode
VF VF < Vseuil passante

Diode iF Vseuil VF
A K A k0 iF > 0 + - K
passante 0 Vseuil

VF VF = Vseuil Diode
bloquée

Fig. 1.16. La diode parfaite

II – 4 – 1 – La diode réelle

Lorsque la diode est bloquée, elle est assimilée à un interrupteur ouvert (k0). Lorsqu'elle est
passante, elle est assimilée à un interrupteur fermé (k0) en série avec un contre f.e.m de valeur
égale à Vseuil et la résistance dynamique de la diode rd. La figure 1.17, illustre le schéma
équivalent dans chaque cas (a) ainsi que la caractéristique courant tension correspondante (b).

iF
Diode iF k0 iF = 0
A K A K
bloquée
Diode
VF VF < Vseuil passante

1/rd
Diode iF Vseuil rd VF
A K A k0 iF > 0 + - K
passante 0 Vseuil
Diode
VF VF = Vseuil+ rd iF bloquée

Fig. 1.17. La diode réelle

Exemple d'application:

Soit le montage suivant

R1 R3 iF

R2
+
E1 VF D
-
+
E2
-

1/ La diode est-elle passante ou bloquée ?

2/ Pour chaque schéma équivalent de la diode, calculer le point de fonctionnement (VF, iF)

On donne : E1 = 5V, E2 = 1V, R1 = 3kΩ, R2 = 1kΩ, R3 = 0.25kΩ, rd = 10Ω.

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CHAPITRE PREMIER LA DIODE SEMI-CONDUCTRICE.

III – Redressement à base de diodes

L'une des principales applications de la diode semi-conductrice est le redressement des
tensions alternatives. Les circuits de redressement permettent d'obtenir une source de tension
stabilisée à partir d'une tension d'entrée alternative. La suite de ce chapitre s'inscrit dans ce
cadre, c'est-à-dire l'étude des différents étages permettant la réalisation de la source de tension
stabilisée.
On distingue deux types de redressement : le redressement simple ou mono alternance et le
redressement double alternances.

III – 1 – Redressement simple alternance

Ve (t) = Vemax sin (ωt )

Soit le montage de la figure 1.18. La tension d'alimentation Ve est de la forme :

Fig. 1.18. Circuit de redressement simple alternance

Vu que la tension d'alimentation est alternative, alors l'étude du circuit se fait suivant que
l'alternance de Ve est positive ou négative. La diode est supposée parfaite (Vseuil = 0.7V).

9 Alternance positive de Ve : Pendant l'alternance positive de Ve, la diode est polarisée

en direct. Elle alors passante et on a :
VF = Vseuil
Vs (t) = Ve (t) − VF = Ve (t) − Vseuil
V (t) V (t) − Vseuil
, (1.2)
iF (t) = s = e
RL RL
9 Alternance négative de Ve : Pendant l'alternance négative de Ve, la diode est
polarisée en inverse. Elle alors bloquée et on a :
iF = 0
Vs (t) = 0
VF (t) = Ve (t)
, (1.3)

La figure 1.19 présente l'allure des tensions : d'alimentation, Ve, de sortie, Vs appelée
tension redressée ainsi que celle aux bornes de la diode, VF.

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 11

CHAPITRE PREMIER LA DIODE SEMI-CONDUCTRICE.

VF

Fig. 1.19. Allures des tensions Ve, Vs et VF pour un redressement simple alternance

Remarques :

9 Dans un redressement simple alternance, la tension redressée VS possède la même

fréquence que celle de la tension d'alimentation Ve.
Vemax − Vseuil
9 La valeur moyenne de la tension redressée : Vsmoy = π
, (1.4)

III – 2 – Redressement double alternance

Il existe plusieurs procédés et circuits permettant de réaliser un redressement double

alternance. Dans notre étude on s'intéresse principalement au circuit la plus utilisé à savoir le
redressement par pont de diodes comme le montre la figure 1.20.

Fig. 1.20. Circuit pour un redressement double alternance par pont de diodes

De la même manière que pour le redressement simple alternance, l'étude du circuit la figure
1.20 suivant l'alternance positive puis négative de la tension d'alimentation.

9 Alternance positive de Ve : Pendant l'alternance positive de Ve, les diodes D1 et D3

sont polarisées en directs donc passantes. Les diodes D2 et D4 sont par contre
polarisées en inverse donc bloquées. On a alors:
VD1 = VD3 = Vseuil
Vs (t) = Ve (t) − VD1 − VD3 = Ve (t) − 2Vseuil
V (t) V (t) − 2Vseuil
iF (t) = iD1(t) = iD3 (t) = s = e , (1.5)
RL RL
iD2 = iD4 = 0
VD2 (t) = VD4 (t) = − Ve (t) + Vseuil

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 12

CHAPITRE PREMIER LA DIODE SEMI-CONDUCTRICE.

9 Alternance négative de Ve : Pendant l'alternance négative de Ve, les diodes D2 et D4

sont polarisées en directs donc passantes. Les diodes D1 et D3 sont par contre
polarisées en inverse donc bloquées. On a alors:
VD2 = VD4 = Vseuil
Vs (t) = − Ve (t) − VD2 − VD4 = − Ve (t) − 2Vseuil
V (t) - V (t) − 2Vseuil
iF (t) = iD2 (t) = iD4 (t) = s = e , (1.6)
RL RL
iD1 = iD3 = 0
VD1(t) = VD1(t) = Ve (t) − Vseuil

La figure 1.21 présente l'allure des tensions d'alimentation: Ve, de sortie redressée: Vs ainsi
que celles aux bornes des différentes diodes.

Fig. 1.21. Allures des différentes tensions pour un redressement double alternances

Dans le cas d'un redressement double alternance, La fréquence de la tension redressée est
égale au double de celle de la tension d'alimentation Ve.
La valeur moyenne de la tension redressée est donnée par :
2(Vemax − 2 Vseuil )
Vsmoy = , (1.7)
π

La valeur moyenne de la tension redressée pour un redressement double alternance est

environ égale au double de celle pour un redressement simple alternance. Le redressement
double alternance est donc plus avantageux et sera majoritairement utilisée dans les circuits de
redressement. La tension une fois redressée, elle est par la suite filtrée.

IV – Filtrage des tensions redressées

IV – 1 – Redressement simple alternance

Un condensateur C, supposé initialement déchargé, est placé en parallèle avec la résistance

RL (figure 1.22). Le principe de filtrage de la tension redressée, se base sur la charge et la
décharge du condensateur qui sont à leur tour étroitement liées au fonctionnement de la diode.

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CHAPITRE PREMIER LA DIODE SEMI-CONDUCTRICE.

Fig. 1.22. Filtrage de la tension redressée

La figure 1.23 représente l’allure de la tension redressée filtrée VS et celle de la tension

d’entrée Ve.

T/4 t0
Fig. 1.23. Allures des différentes tensions pour un redressement double alternances

Etude du circuit :

9 Pour 0 < t < T/4, (T : période du signal d’entrée) : la diode est polarisée en direct
(alternance positive), donc passante et le condensateur C se charge. A t = T/4, le
condensateur est chargé à sa plus grande valeur : Vsmax = Vemax-Vseuil. A t = T/4+Δt,
la tension d’alimentation décroît et le condensateur garde sa tension maximale : la
diode est donc polarisée en inverse et donc bloquée. Ainsi le condensateur se
décharge dans la résistance RL.
9 Pour t = t0, la tension d’entrée Ve devient de nouveau supérieure à la tension Vs aux
bornes du condensateur. La diode est polarisée de nouveau en direct et donc
passante. Le condensateur se charge de nouveau jusqu’à Vsmax à t = 5T/4 puis la
diode est de nouveau bloquée.

Ce scénario se répète de manière successive pour avoir une tension de sortie filtrée.

IV – 2 – Redressement double alternance

Un scénario semblable au cas du redressement simple alternance se produit, sauf que cette
fois-ci il est un peu plus compliquée du fait de l’existence des quatre diodes (figure 1.24).

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CHAPITRE PREMIER LA DIODE SEMI-CONDUCTRICE.

Fig. 1.24. Filtrage pour un redressement double alternance

La figure 1.25, montre l’allure de la tension redressée filtrée Vsf ainsi que celles des
courants dans les diodes D1 (iD1) et D4 (iD4). On remarque que ces courants sont nuls lors de la
décharge du condensateur. Ainsi tout au long de la décharge du condensateur C, toutes les
diodes sont bloquées.

T/4 t0

Fig. 1.25. Allures des différentes tensions pour un redressement double alternances

Etude du circuit (figure1.24) :

9 Pour 0 < t < T/4, (T : période du signal d’entrée) : les diodes D1 et D3 sont polarisées
en direct (alternance positive), donc passantes. Les diodes D2 et D4 sont polarisées
en inverse, donc bloquées. Le condensateur C se charge. A t = T/4, le condensateur
est chargé à sa plus grande valeur : Vsmax = Vemax-2Vseuil. A t = T/4+Δt, la tension
d’alimentation décroît et le condensateur garde sa tension maximale : les diodes D1
et D3 sont donc polarisées en inverse et donc bloquées. Ainsi le condensateur se
décharge dans la résistance RL.
9 Pour t = t0, la tension d’entrée Ve devient de nouveau supérieure à la tension Vs aux
bornes du condensateur. Il s’agit de l’alternance négative de Ve. Les diodes D2 et D4
sont polarisées en direct et donc passantes. D1 et D3 sont bloquée car polarisées en
inverse. Le condensateur se charge de nouveau jusqu’à Vsmax à t = 5T/4 puis toutes
les diodes sont de nouveau bloquées.

Le tableau 1.2 résume le fonctionnement des diodes lors de la charge et de la décharge du

condensateur C pour un redressement simple alternance et un redressement double
alternances.

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CHAPITRE PREMIER LA DIODE SEMI-CONDUCTRICE.

Redressement simple Redressement double alternances

alternance Alternance + Alternance -
Charge de C Diode passante D1, D3 passantes D2, D4 passantes
D2, D4 bloquées D1, D3 bloquées
Décharge de C Diode bloquée Toutes les diodes bloquée

Tab 1.3. Fonctionnement des diodes de redressement lors du filtrage

Comme nous pouvons le remarquer, la tension redressée filtrée Vs varie entre deux valeurs :
Vsmax et Vsmin. On définit le taux d’ondulation ΔVs :
Vs max − Vs min
ΔVs (%) = , (1.8)
Vs max
L’objectif du filtrage est d’obtenir une tension continue stable. Il est nécessaire alors de
réduire la valeur de ΔVs : ΔVs → 0. Ceci est possible en augmentant la valeur de la capacité C
(il s’agit en fait d’augmenter le temps de décharge du condensateur).

Il existe plusieurs méthodes qui permettent de calculer la valeur adéquate de la capacité C.

Parmi ces méthodes on peut citer :
9 La règle du dixième qui s’exprime ainsi :
RL Cmin ≥ 10Tr , avec Tr : période du signal redressée. (1.9)
9 La formule de Norton : la capacité peut être calculée à partir de l’équation suivante :
C=
Tr
RL ΔVs (%) , (1.10)
9 Les abaques de Schade : ces abaques, permettent de déterminer d’une manière très
précise compte tenu des caractéristiques réelles des diodes et des transformateurs.

V – Autres applications de la diode redresseuse

La diode semi-conductrice peut être utilisée dans plusieurs autres applications utiles. On
citera dans ce paragraphe quelques unes des ces applications, sachant que les principe de
fonctionnement de chaque circuit sera développé dans le TD.

Fig. 1.26. Détecteur de crête Fig. 1.27. Détecteur d’enveloppe

Fig. 1.28. Restaurateur à diode Fig. 1.29. Doubleur de tension

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CHAPITRE PREMIER LA DIODE SEMI-CONDUCTRICE.

A/ Redressement Simple Alternance

Ve(t) 10

-10
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1

10
Vs(t)

-10
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1

10
Vd(t)

-10
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
Temps (s)

B/ Redressement double alternances

10
Ve(t)

-10
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1

10
Vs(t)

-10
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1

10
Vd(t)

-10
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
Temps (s)

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CHAPITRE PREMIER LA DIODE SEMI-CONDUCTRICE.

C/ Filtrage de la tension redressée

Redressement simple alternance

10
U-red
U-red-C
8

6
(V)

-2
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08
Temps (s)

Redressement double alternances

10
U-red-C1
9 U-red
U-red-C2
8
U-red-C3
7

6
Tension (V)

-1
0.04 0.045 0.05 0.055 0.06 0.065 0.07 0.075 0.08
Temps (s)

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CHAPITRE DEUXIEME LES AUTRES TYPES DE DIODES

CHAPITRE DEUXIEME
LES AUTRES TYPES DE DIODES
I– Introduction
Dans le précédent chapitre, nous avons traité la diode redresseuse et ses principales
applications.
Au cours de ce chapitre nous passons en revue d’autres types diodes en précisant leurs
principales applications. Ainsi nous étudions les diodes suivantes :
ƒ La diode zener
ƒ La diode LED
ƒ La photodiode
ƒ La diode Schottky
ƒ La diode Varicap

II – La diode Zener
Dans la zone de claquage, la diode possède la propriété que la tension inverse est quasiment
indépendante du courant inverse. Ainsi, si on souhaite dans une application donnée, travailler
avec une tension constante on peut utiliser une diode fonctionnant en zone de claquage. Les
diodes dédiées à une pareille application s’appellent les diodes zener. La figure 2.1 montre le
symbole graphique de cette diode.

DZ DZ DZ
A iZ
K A
iZ K A iZ K
Anode Cathode Anode Cathode Anode Cathode
VZ VZ VZ

Fig. 2.1. Différents symboles de la diode zener

La diode zener est conçue pour fonctionner en zone inverse. La figure 2.2 montre la
caractéristique courant tension de cette diode.
iF

II I
K K K K

DZ
≡ k0 DZ
≡ D

A A A A
VZ
VR VF
Vseuil
III K
K ZZ
K K iZ
iZ
+ +
DZ
≡ - VZ Ou DZ ≡ - VZ
A A A A

iR

Fig. 2.2. Caractéristique courant tension de la diode zener

D’après la caractéristique précédente, le fonctionnement de la diode zener peut être réparti

en trois zones de fonctionnement :

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CHAPITRE DEUXIEME LES AUTRES TYPES DE DIODES

9 Zone I : la diode zener est polarisée en direct, elle se comporte comme une diode
redresseuse.
9 Zone II : la diode zener est polarisée ne inverse et VR < VZ, la diode est bloquée et se
comporte comme un interrupteur ouvert.
9 Zone III : la diode zener est polarisée en inverse et VR = VZ, le courant inverse iZ
appelé courant zener croît rapidement alors que la tension aux bornes de la diode reste
sensiblement constante. On peut écrire alors : VZ ≈ cte ∀ i Z , (2.1)

La figure 2.3, présente la caractéristique directe expérimentale de la diode zener BZX5.6.

L’indication ΔX sur l’oscilloscope, précise la valeur de la tension zener égale environ à 5.5V.

Fig. 2.3. Caractéristique expérimentale courant tension de la diode BZX5.6

Les principales applications de la diode zener sont : la régulation de la tension (figure 2.4) et
l’écrêtage des tensions.

Fig. 2.4. Circuit complet de stabilisation de tension utilisant la diode zener pour la régulation de la tension
de sortie.

Remarque :

9 Vu que la courant zener iZ croît rapidement, il est très important de le limité en

respectant la puissance maximale dissipée par la diode indiquée par le constructeur.

Exemple d’application :

Soit le montage suivant

- La tension d’alimentation Ve est sinusoïdale de la forme :
Ve = 20 sin (ωt).
- La diode zener possède une tension zener VZ = 10V et une
tension seuil Vseuil = 0.7V.

- Donner l’allure di signal de sortie Vs aux bornes la diode DZ

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CHAPITRE DEUXIEME LES AUTRES TYPES DE DIODES

III – La diode électroluminescente : la diode LED

Nous avons vu dans le chapitre précédent que lorsque la jonction PN est polarisée en direct,
les électrons libres de zone N traverse la jonction et se recombinent avec les trous de la zone
P. Dans les diodes redresseuse, l’énergie du à ce mouvement se dissipe sous forme de chaleur,
alors que pour les diodes électroluminescentes cette énergie est émise sous forme de lumière.
Les semi-conducteur utilisés dans la fabrication des LEDs sont : l’arséniure de gallium
(GaAs), le phosphate de gallium (GaP)…etc. La figure 2.5 représente le symbole graphique
de la diode LED.

A K

Fig. 2.5. Symbole de la diode LED

La diode LED fonctionne en polarisation directe. Le seuil de conduction varie suivant la

diode de 1 à 2 V. La couleur émise par la diode LED dépend du semi-conducteur utilisé. En
polarisation inverse la diode est bloquée et la tension de claquage varie de 3 à 10 V.
Les principales application des diodes électroluminescentes sont : les témoins lumineux, les
afficheurs alphanumériques, les télécommandes, les panneaux d’affichage…etc.

IV – La photodiode
La photodiode (figure2.6) est un composant à jonction PN qui fonctionne en polarisation
inverse. La photodiode possède une petite fenêtre transparente qui permet à la lumière de
toucher la jonction PN. En absence de lumière le courant inverse négligeable. Une
augmentation de l’intensité de la lumière produit une augmentation du courant inverse.
A K

Fig. 2.6. Symbole de la photodiode

La photodiode est généralement utilisée dans des applications utilisant les détecteurs de
lumière : TV, alarmes, transmissions optiques…etc.

V – La diode Schottky
Comme nous l’avons vu dans le chapitre précédent, la fréquence constitue une contrainte
dont il faut tenir compte lors du choix d’une diode. Pour les applications à haute fréquence et
à commutation rapide on utilise les diodes Schottky dont le symbole est illustré dans la figure
2.7.

A K

Fig. 2.7. Symbole de la diode Schottky

Une diode Schottky se compose d’une région à semi-conducteur dopé (généralement de

type N) joint à un métal pur tel que l’or, l’argent ou le platine. La diode Schottky est utilisée
ne polarisation directe. Le seuil de conduction est d’environ 0.3V.

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CHAPITRE DEUXIEME LES AUTRES TYPES DE DIODES

Les principales applications de la diode Schottky sont : les circuits de redressement des
alimentations à découpage, les circuits logiques, les applications hautes fréquence et
hyperfréquence.

VI – La diode à capacité variable : la diode Varicap

La diode varicap, dont le symbole est représente dans la figure 2.8, est une diode opérant en
polarisation inverse et utilisant la capacité C de la zone de transition.

A K

Fig. 2.8. Symbole de la diode Varicap

La valeur de la capacité C dépende de la tension inverse VR et est définit par :

C( VR ) =
C0

1+
VR (2.2)
VS
Avec :
9 C (VR) : capacité à la tension inverse VR
9 C0 : capacité sans tension extérieure
9 VS : tension seuil de 0.7V (Si)

Les principales application de la diode varicap sont : accord des récepteurs radio, TV (AM,
FM), modulation…etc.

VII – Conclusion
Le tableau 2.1 résume les principales caractéristiques des différentes diodes étudiées dans ce
chapitre (symbole, type de polarisation, seuil de conduction et applications).

Type Symbole Polarisation Seuil de Applications

conduction
La diode zener A K
inverse Régulation de la
tension

La diode Afficheurs
A K
électroluminescente Directe 1à2V alphanumériques,
(diode LED) témoins lumineux,
panneaux d’affichages.
La photodiode A K Inverse Détecteurs de
lumière : TV, alarmes
Les diodes à capacité A K
Inverse Accord récepteur
variable « VARICAP » radio, TV, modulation
La diode Schottky A
Directe ≈ 0.3 V Circuits logiques,
K
applications hautes
fréquence,
hyperfréquence

Tab 2.1.

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 22

CHAPITRE TROISIEME LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

CHAPITRE TROISIEME
LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
I – Définition
Le transistor bipolaire à jonction (BJT) est la mise ne contact de trois régions à semi-
conducteurs (silicium ou germanium) dopés, séparées par deux par deux jonctions PN (figure
3.1) de manière à former un transistor de type NPN ou de type PNP.
Les trois régions sont appelées respectivement émetteur, base et collecteur. Le symbole
graphique standard du transistor est illustré dans la figure 3.1. Dans toute la suite de ce
chapitre on s’intéresse exclusivement à l’étude du transistor NPN.

Transistor NPN Transistor PNP

Collecteur Collecteur
C C

N P
C C

B Base B P Base B N B

E E
N P

E E
Emetteur Emetteur

Fig. 3.1. Structure et symbole d’un transistor bipolaire

Un transistor NPN est constitué de :

- Un émetteur : couche fortement dopée (type N), d’épaisseur moyenne. Son rôle est
d’émettre les électrons libres vers le collecteur.
- Une base : couche faiblement dopée (type P), très mince. Son rôle est d’émettre la plus
part des électrons venant de l’émetteur vers le collecteur.
- Un collecteur : couche moyennement dopée (type N) et de forte épaisseur. Son rôle est
de collecter les électrons provenant de l’émetteur et transitant par la base.

II – Principe de fonctionnement d’un transistor bipolaire

II – 1 – L’effet transistor

Le fonctionnement du transistor bipolaire NPN ou PNP se base sur l’effet transistor. Pour
cela il faut polariser convenablement le transistor.
La figure 3.2, présente le principe de fonctionnement de l’effet transistor dans le cas d’un
transistor NPN. La jonction base - émetteur (BE) est polarisée en direct tan disque la jonction
base - collecteur (BC) est polarisée en inverse. L’effet transistor peut se résumer en trois
points :
9 La région N fortement dopée de l’émetteur abonde en électrons libres. Lorsque le
potentiel VBE dépasse le seuil de conduction de la jonction BE, ces électrons

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 23

CHAPITRE TROISIEME LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

diffusent aisément à travers la jonction BE jusqu’à la région de la base de type P

d’où la naissance d’un courant émetteur iE.
9 Une fois arrivée dans la région P, les électrons venant de l’émetteur deviennent des
porteurs minoritaires. La région de la base, faiblement dopée et très mince, possède
un nombre très limité de trous. Ainsi, seul un faible pourcentage des électrons peut
se recombiner avec les trous disponibles donnant naissance à un courant de base iB.
9 La majorité des électrons libres venant de l’émetteur ne se recombinent pas avec les
trous dans la base mais diffusent vers le collecteur. Ceci crée la courant du collecteur
i C.

N P N
Emetteur Base Collecteur

Flux d’électrons

iE iC
Recombinaison
VBE - +
+ - VCB
Mouvement des trous iB

Fig. 3.2. L’effet transistor

II – 2 – Gain statique en courant : β

Soit α (0 < α < 1) le pourcentage d’électrons venant de l’émetteur et qui ont atteint le
collecteur. Le pourcentage des électrons venant de l’émetteur et qui se sont recombinés avec
les trous dans la base est alors (1-α).
On peut alors facilement exprimer la relation entre les différents courants du transistor : iE,
iB et iC :
iC = αiE
iB = (1 − α )iE (3.1)

On montre alors que le courant de l’émetteur est la somme du courant de la base et du

courant du collecteur :
iE = iB + iC (3.2)

On peut de même exprimer la courant du collecteur en fonction du courant de la base. En

effet, à partir de l’équation (3.1) on a :
α
(1 − α ) B (3.3)
iC = i

En posant :
α
(1 − α )
β= (3.4)

On peut écrire :
iC = β iB (3.5)
β est appelé : Gain statique en courant du transistor

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 24

CHAPITRE TROISIEME LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

Remarque :

Le transistor se comporte comme une source de courant commandée. On a :

iC = β iB
iE = (β + 1)iB

iE =
(β + 1) i
β
(3.6)
C

III – Etude en régime statique

III – 1 – Réseau de caractéristiques

Le transistor fonctionne avec un circuit d'attaque et un circuit de charge. Le transistor

bipolaire (de type NPN dans notre cas) est en montage émetteur commun comme l'illustre la
figure 3.3. Il peut alors être assimilé à un quadripôle avec comme grandeurs d'entrée (iB, VBE)
et comme grandeurs de sortie (iC, VCE)

RC

iC
iB RB C
B
iE VCE VCC
VBE E
VBB

Fig. 3.3. Transistor bipolaire en montage émetteur commun

V − VBE
Ainsi les équations de la droite d'attaque et de la droite de charge sont :
iB = BB , équation de la droite d'attaque (3.7)
RB
V − VCE
iC = CC , équation de la droite de charge (3.8)
RC

f (VBE , iB , VCE , i C ) = 0 , (3.9)

Les équations caractéristiques du transistor peuvent s'exprimées de la forme suivante:

g(VBE , iB , VCE , i C ) = 0 , (3.10)

La figure 3.4 représente le réseau de caractéristique du transistor bipolaire en montage

émetteur commun. Ce réseau est composé de quatre courbes. Ces courbes sont :

9 Caractéristique d’entrée :
C’est la courbe VBE = f(iB) lorsque VCE est maintenu constante. Cette caractéristique est
pratiquement celle d’une diode polarisée en direct, la tension VBE est de l’ordre de 0,7V
lorsqu’un transistor au silicium conduit.

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 25

CHAPITRE TROISIEME LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

9 Caractéristique de sortie :
C’est la courbe iC = f(VCE) lorsque iB est constant. Dans un transistor idéal, ces
caractéristiques sont des droites horizontales puisque iC ne dépend que de iB : iC = β.iB .

9 Caractéristique de transfert en courant ou transfert direct :

C’est la courbe iC = f(iB) lorsque VCE est constant. Cette courbe est une droite passant
par l’origine qui traduit la proportionnalité entre iC et iB. La droite est de pente β qui est
appelée gain en courant en « émetteur commun ».

9 Caractéristique de réaction ou transfert inverse :

C’est la courbe VBE = f (VCE ) lorsque iB est constant. Les caractéristiques tracées pour
différentes valeurs de iB sont des droites horizontales, ce qui signifie que la tension
d’entrée ne dépend pas de la tension de sortie.

Fig. 3.4. Réseau de caractéristiques d’un transistor bipolaire en montage émetteur commun

III – 2 – Point de fonctionnement d’un transistor

Le point de fonctionnement ou point de repos Q, correspond au point d’intersection entre la

droite de charge et la caractéristique de sortie du transistor pour un courant iB donné (figure
3.5). Pour un courant iB donné les coordonnées du point de fonctionnement Q sont (VceQ, icQ).

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 26

CHAPITRE TROISIEME LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

Ic (mA)

Vcc
Rc QS Zone
IB = cte de dissipation
maximale de
Transistor puissance
saturé

Q
IcQ

Zone de
saturation

Zone linéaire

QB
0
0 Vce (V)
VceQ Vcc
Zone de blocage
Transistor bloqué

Fig. 3.5. L’effet transistor

D’après la figure 3.5, suivant l’emplacement du point de repos sur la droite de charge, on
distingue trois types de fonctionnement du transistor :
9 Si le point de fonctionnement est situé dans le segment ]QS , QB[, le transistor
fonctionne en régime linéaire. Ce type de fonctionnement est dédié notamment pour
applications telles les amplificateurs linéaires. Généralement on choisi VceQ = Vcc/2
afin d’éviter toute saturation ou blocage du transistor en régime dynamique (voir
remarque suivante).
9 Si le point de fonctionnement correspond à QS, on dit que le transistor est saturé.
Vce ≈ 0, ic ≈ icsat (courant de saturation). Le transistor se comporte alors comme un
interrupteur fermé.
9 Si le point de fonctionnement correspond à QB, on dit que le transistor est bloqué.
Vce = Vcc, ic = 0. Le transistor se comporte alors comme un interrupteur ouvert.

Si le transistor est saturé ou en bloqué, on dit qu’il fonctionne en commutation. Ainsi, en

régime de commutation le transistor bipolaire se comporte comme un interrupteur commandé
par le courant de base iB.
Sur la figure 3.5 toutes les zones de fonctionnement sont déterminées. Quelque soit la nature
du fonctionnement du transistor (régime linéaire ou en commutation), il faut veiller à ce que
le point de fonctionnement ne soit pas situé dans la zone de dissipation maximale de
puissance.

Remarque :

9 Distorsion de la forme d’onde : en régime linéaire, lorsque le transistor est utilisé dans
un montage amplificateur, l’emplacement du point de fonctionnement Q sur la droite

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 27

CHAPITRE TROISIEME LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

de charge peut engendrer l’écrêtement de l’une ou de l’autre alternances de la forme

d’onde du signal de sortie. (cette remarque sera détaillée dans la séance de cours).
9 Le tableau suivant résume le fonctionnement en commutation du transistor (saturation
et blocage).

Transistor saturé Transistor bloqué

Vce ≈ 0 Vce = Vcc
ic ≈ icsat ic 0 0
iB ≈ iBsat, iBsat = icsat/β iB 0 0
VBe ≈ 0.7V VBe < 0

Exemple d’application :

Soit le montage suivant. Calculer les valeurs des

résistances R1 et RC pour le point de fonctionnement
suivant :
iC = 5.1 mA, VCE = 2 V.

On donne : β = 100, R2 = 5.6 kΩ, RE = 560 Ω

III – 3 – Les circuits de polarisation

Pourquoi un circuit de polarisation ?

Un circuit de polarisation permet de faire fonctionner un transistor en régime linéaire ou en

régime de commutation en fixant le point de fonctionnement soit dans la zone linéaire, soit
dans la zone de blocage ou encore dans la zone de saturation. En effet si un amplificateur
linéaire n’est pas bien polarisé, il peut passer en saturation ou en blocage lorsqu signal
d’entrée est appliqué. Pour cela, en régime dynamique, il faut veiller à ce que les variations
des grandeurs électriques autour du point de fonctionnement soient linéaires.
Pour certaines applications telles l’amplification, il faut que le circuit de polarisation assure
une stabilité du point de fonctionnement face aux variations de la température.
Il existe plusieurs types de circuits de polarisation. Dans cette partie on s’intéresse aux plus
utilisés d’entre eux en mentionnant leurs principaux avantages, inconvénients et applications.

III – 3 – 1 – Circuit de polarisation par résistance de base

- Avantages : Simple et facile à mettre en

œuvre.
- Inconvénients : sensible aux variations
de la température (point de
fonctionnement instable).
- Applications : Circuits de commutation
et circuits numériques.

Fig. 3.6. Circuit de polarisation par résistance de base

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CHAPITRE TROISIEME LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

III – 3 – 2 – Circuit de polarisation par diviseur de tension

- Avantages : point de fonctionnement

stable
- Inconvénients : Nombre de résistances
mises en jeu
- Applications : amplificateurs linéaires
de tension

Fig. 3.7. Circuit de polarisation par diviseur de tension

III – 3 – 3 – Circuit de polarisation par réaction du collecteur

- Avantages : Simple et bien adapté aux

signaux basses fréquences.
- Inconvénients : Point de
fonctionnement dépend partiellement
de β.
- Applications : Amplificateurs à faibles
signaux

Fig. 3.8. Circuit de polarisation par réaction du collecteur

III – 3 – 4 – Circuit de polarisation par diode

- Avantages : insensible aux variations

de la température.
- Inconvénients : Délicat à mettre en
œuvre en composants discrets.
- Applications : montage push-pull,
circuits intégrés linéaires.

Fig. 3.9. Circuit de polarisation par diode

IV – Etude en régime dynamique

Dans la première partie de ce chapitre nous nous sommes intéressés à l’étude en régime
statique du transistor bipolaire. Dans cette partie on étudie le fonctionnement en régime
dynamique du transistor bipolaire et sa principale application : l’amplification.
L’amplification est une fonction largement utilisée en électronique. En partant d’un signal
de faible amplitude et de faible puissance, on souhaite obtenir un autre, de même forme,
capable de fournir l’énergie nécessaire à une charge quelconque (haut parleur, antenne…etc.).

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 29

CHAPITRE TROISIEME LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

Avant d’étudier quelques montages amplificateurs à base de transistor bipolaire, il est

indispensable de déterminer le schémas équivalent du transistor en régime dynamique basse
fréquence.

IV – 1 – Modèle petits signaux d’un transistor bipolaire

Notre étude se limite aux de « faibles ou petits signaux », c'est-à-dire qu’on suppose que le
point de fonctionnement du transistor est bien déterminé à l’aide d’un circuit de polarisation.
On injecte à l’entrée du transistor un signal sinusoïdal de faible amplitude qui vient se
superposer au signal continu dû à la polarisation. On limite aussi au fonctionnement basse
fréquence et on s’intéresse au montage émetteur commun du transistor.
Dans ce cas de figure, en régime dynamique, le transistor peut être représenté sous forme
d’un quadripôle comme le montre la figure 3.10.

B ib ic C

Vbe
Vce

E E

Transistor bipolaire

Fig. 3.10. Le transistor en régime dynamique

Les quatre variables Vbe, ib, ic et Vce sont liées entre elles par deux relations :
⎧Vbe = h11ib + h12 Vce
⎨
⎩ ic = h21ib + h22 Vce
(3.10)

Les paramètres h11, h12, h21 et h22 sont appelés des paramètres hybrides. Leurs valeurs sont
indiquées par le constructeur. Chaque paramètre hybride correspond à une mesure prise des
courbes caractéristiques du transistor (§ III-1). Ainsi on a :
⎛ ∂V ⎞ ⎛V ⎞
9 h11 = ⎜⎜ be ⎟
⎟ ou h11 = ⎜⎜ be ⎟
⎟
⎝ ∂ib ⎠ Vce = cte ⎝ ib ⎠ Vce = 0
: c’est l’impédance d’entrée lorsque la sortie est en

court-circuit. Unité : (Ω)

⎛ ∂V ⎞ ⎛V ⎞
9 h12 = ⎜⎜ be ⎟
⎟ ou h12 = ⎜⎜ be ⎟
⎟
⎝ ∂Vce ⎠ib = cte ⎝ Vce ⎠i b = 0
: c’est le coefficient de réaction interne de la sortie sur

l’entrée lorsque cette dernière est en circuit ouvert. Unité : s.u.

⎛ ∂i ⎞ ⎛i ⎞
9 h 21 = ⎜⎜ c ⎟
⎟ ou h 21 = ⎜⎜ c ⎟
⎟
⎝ ∂ib ⎠ Vce =cte ⎝ ib ⎠ Vce =0
: c’est le coefficient d’amplification en courant lorsque

la sortie est en court-circuit (c’est le gain maximal en courant). Unité : s.u.

⎛ ∂i ⎞ ⎛ i ⎞
9 h 22 = ⎜⎜ c ⎟
⎟ ou h 22 = ⎜⎜ c ⎟
⎟
⎝ ∂Vce ⎠ib =cte ⎝ Vce ⎠ib =0
: c’est la conductance vue de la sortie lorsque l’entrée

est en circuit ouvert. Unité : (Ω-1).

Enfin, la schéma équivalent petits signaux du transistor bipolaire est représenté dans la
figure 3.11.

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 30

CHAPITRE TROISIEME LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

ib h11
ic
B C

Vbe Vce
h12 Vce h21 ib 1/h22

E E
Fig. 3.11. Modèle petits signaux d'un transistor bipolaire

Remarque :

Dans toute la suite et afin de simplifier l’étude des différents montages d’amplificateur à
base de transistor bipolaire, on suppose que h12 = 0 et que h22 = 0. La figure 3.12 présente le
schéma équivalent petits signaux simplifié du transistor bipolaire.
ib ic
B C

Vbe Vce
h11 h21 iB

E E
Fig. 3.12. Modèle petits signaux simplifié d'un transistor bipolaire

IV – 2 – Méthode générale du régime dynamique

L’étude des montages amplificateurs à base de transistor bipolaire se base sur la méthode
générale du régime dynamique. En effet, les montages amplificateurs à base de transistor
bipolaire correspondent à la superposition de deux régimes :
9 Un régime statique : correspondant au circuit de polarisation.
9 Un régime dynamique : correspondant au circuit d’amplification.

Vu qu’on suppose que le point de fonctionnement est correctement fixé, la méthode

générale du régime dynamique ne s’intéresse qu’au circuit d’amplification. Elle se résume en
deux étapes :
1. Etteindre toutes les sources d’énergie continue : replacer les sources de
tensions continues par un court-circuit et les sources de courant continu par un
circuit ouvert.
2. Remplacer le transistor bipolaire par son schéma équivalent petits signaux.

IV – 3 – Etude de quelques montages amplificateurs

Il existe trois montages amplificateurs de base appelés « montages fondamentaux ». Ces

montages sont :
- Le montage émetteur commun.
- Le montage collecteur commun.
- Le montage base commune.

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 31

CHAPITRE TROISIEME LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

Dans ce chapitre on étudie les deux premiers montages. Le montage basse commune est
étudié dans le TD. Un amplificateur est défini par ses trois paramètres fondamentaux :
- L’impédance d’entrée Ze.
- L’impédance de sortie Zs.
- Le gain en tension à vide GV0.

Afin d’étudier les montages amplificateurs, on se place dans les conditions de travail
suivantes :
9 On suppose que le transistor est bien polarisé quelque soit le circuit de polarisation qui
lui est associé. Le point de fonctionnement est situé dans la zone de fonctionnement
linéaire.
9 On ne traite que les signaux de faibles amplitudes de manière à ce que leurs variations
autour du point de fonctionnement soient considérées comme linéaires.
9 On se place en régime basse fréquence pour lequel les transistors sont considérés
comme des quadripôles et peuvent être remplacés par leur schéma équivalent petits
signaux (on utilise le schéma simplifié).
9 Les condensateurs de liaison et de découplage sont calculés pour qu’à la fréquence de
travail leurs impédances puissent être négligées. Ils sont eux aussi remplacés par des
courts-circuits lors de l’application de la méthode générale du régime dynamique.

IV – 3 – 1 – Montage émetteur commun

Soit le montage émetteur commun représenté dans la figure 3.13. La tension d’entrée de
l’amplificateur est Ve et sa tension de sortie est Vs (aux bornes de Rs). Les capacités C1 et C2
sont appelées capacités de liaison. La capacité CE est appelée capacité de découplage.

Fig. 3.13. Montage émetteur commun

• Etude du montage émetteur commun :

On applique la méthode générale du régime dynamique. La figure 3.14 représente le circuit
obtenu après application de la première étape de la méthode générale du régime dynamique.

Fig. 3.14. 1ère étape de la méthode générale du régime dynamique

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 32

CHAPITRE TROISIEME LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

Dans la figure 3.15, le transistor est remplacé par son schéma équivalent petits signaux d’où
le montage final de l’amplificateur. RCS = (RC // RS) et R12 = (R1 // R2)
Le gain en tension GV est donné par :

G V = s = −β CS
V R
Ve h11 , (3.11)

ie ib B C

ic

Ve
R12 h11 h21 iB RCS Vs

Fig. 3.15. Montage émetteur commun en régime dynamique

A partir de l’expression du gain en tension GV, on conclue que dans un montage émetteur
commun la tension de sortie amplifiée Vs est en opposition de phase avec la tension d’entrée
Ve.

Fig. 3.16. Montage émetteur commun en régime dynamique

L’impédance d’entrée Ze est l’impédance équivalente à l’entrée du montage amplificateur

Z e = e = (R12 // h11 ) , (3.12)

vue par la source de tension. Elle est définie par :
V
ie
L’impédance de sortie Zs de l’amplificateur est définie par :
Z s = s = R S , (3.13)
V
is

Remarque :

9 Découplage de la résistance RE : Le condensateur CE placé en parallèle avec la

résistance RE fournit un court-circuit réel de point de vue alternatif. On dit alors que la
résistance de l’émetteur est découplée. Le découplage de RE permet d’obtenir un gain

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 33

CHAPITRE TROISIEME LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

en tension maximal. La valeur de CE doit être suffisamment élevée pour que sa

réactance soit très faible comparativement à RE. il faut néanmoins souligner que bien
que RE soir découplée en régime dynamique, elle très importante en régime statique
puisqu’elle permet de bien stabiliser le point de fonctionnement du transistor.
9 Distorsion de la tension de sortie : il est important de rappeler que si la tension
d’entrée Ve est élevée, la tension de sortie Vs peut être écrêtée ou distordue.

IV – 3 – 2 – Montage collecteur commun

La figure 3.17 présente le montage émetteur commun. Comme dans le cas précédent, la
tension d’entrée de l’amplificateur est Ve et sa tension de sortie est Vs (aux bornes de Rs). Les
capacités C1 et C2 sont des capacités de liaison.

Fig. 3.17. Montage collecteur commun

• Etude du montage collecteur commun :

On applique la méthode générale du régime dynamique. La figure 3.18 représente le circuit
obtenu après application de la première étape de la méthode générale du régime dynamique.

Fig. 3.18. 1ère étape de la méthode générale du régime dynamique

Dans la figure 3.19, le transistor est remplacé par son schéma équivalent petits signaux d’où
le montage final de l’amplificateur. RES = (RE // RS) et R12 = (R1 // R2)

G V = s = (β + 1)
Le gain en tension GV est donné par :

h11 + (β + 1)RES
≈β
V R ES RES
Ve h11 + βRES , (3.14)

On remarque que si on choisit RES >> h11, GV ≈ 1.

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 34

CHAPITRE TROISIEME LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

B C
ib
ic

Ve R12 h11 h21 iB

E
ie

RES Vs

Fig. 3.19. Montage collecteur commun en régime dynamique

L’expression du gain en tension GV montre que dans un montage collecteur commun la

( )
tension de sortie est en phase avec la tension d’entrée. Le gain en tension est inférieur à 1.
Les impédances d’entrée et de sortie Ze et Zs de l’amplificateur sont définies par :

Z e = e = (R12 // (h11 + (β + 1)R ES )) , Z s = s = ⎜⎜

⎛ R g // R12 + h11 ⎞
⎟ // RE
⎟
V V
ie is ⎝ β +1 ⎠
, (3.15)

On remarque que l’impédance d’entrée du montage collecteur commun est supérieure à

celle du montage émetteur commun. Par contre son impédance de sortie est très faible.
Ainsi un montage collecteur commun est caractérisé par un gain en tension unitaire, une
impédance d’entrée très grande et une impédance de sortie très faible.
L’intérêt du montage collecteur commun est que bien que le gain en tension soit voisin de 1,
son impédance de sortie est très faible ce qui permet d’alimenter avec bon gain en puissance
une charge d’impédance faible.

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CHAPITRE QUATRIEME LES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE

CHAPITRE QUATRIEME
LES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE
I – Introduction
Dans le chapitre précédent, nous avons étudié quelques montages amplificateurs à base de
transistor bipolaire. Le signal de sortie fourni par l’amplificateur doit être capable d’exciter
une charge quelconque: moteur, haut-parleur, etc.

Exemple :
Si on relie directement un microphone délivrant une tension sinusoïdale de 10 mV à un haut

( )
parleur dont la résistance équivalente est de 8Ω. La puissance de sortie est :
10 −2
Ps = = = 12.5μW
2 2
Ueff
R 8

Ce résultat montre bien que le signal issu du microphone ne peut pas exciter le haut-parleur
et qu’il est nécessaire de l’amplifier. Cet exemple indique que la fonction amplification doit, à
partir d’un faible signal, fournir l’énergie nécessaire à une charge quelconque. Il est
nécessaire d’avoir recours à un amplificateur de puissance pour émettre un son.
Ainsi, Un amplificateur complet est toujours réalisé en deux parties :
9 Un amplificateur de tension, faible niveau fonctionnant en régime linéaire.
9 Un amplificateur de puissance fonctionnant en régime non linéaire, à cause des
fortes variations.

II – Caractéristiques d’un amplificateur de puissance

II – 1 – Classes de fonctionnement d’un amplificateur

On classe les amplificateurs suivants leurs fréquences d’utilisation et suivant leurs classes
de fonctionnement. On parle notamment :
9 amplificateur continu (TBF : très basses fréquences) : amplificateur pilotant les
9 MCC : moteur à courant continu
9 amplificateur audiofréquence (f < 20 kHz) : amplificateur des signaux audibles
9 amplificateur radiofréquence (f > 30 kHz) : amplificateur FI : fréquence

9 amplificateur vidéofréquence (f < qq MHz) : TV, radar

intermédiaires

On distingue aussi plusieurs classes de fonctionnement des amplificateurs de puissance

suivant leur rendement et leur taux de distorsion. Soit le montage élémentaire suivant :

Fig. 4.1. Montage d’un amplificateur de puissance

Le point de fonctionnement en continu appartient à la droite de charge d’équation :

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CHAPITRE QUATRIEME LES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE

VCE = E − R chi C , (4.1)

Ic (mA)

QS

IB = cte

0
0 QB Vce (V)

Fig. 4.2. Droite de charge et point de fonctionnement

Suivant la résistance Rp, le point de repos Q se déplace sur la droite de charge.

9 Classe A : le fonctionnement est en classe A si le point de repos appartient au segment
QB QS (entre blocage et saturation). On a intérêt à placer le point de fonctionnement au
milieu de la droite de charge pour obtenir une excursion maximale de la tension de
sortie.
9 Classe B : le fonctionnement est en classe B si le point de repos est situé en QB. En
régime sinusoïdal, le transistor ne conduit que sur une demi période. Pour une
reproduction fidèle du signal, il faudra utiliser deux transistors. L’intérêt de ce

9 Classe AB : le fonctionnement est en classe AB si le point de repos est situé prés de

montage est l’absence de consommation en continu.

QB. Il en résulte une très faible consommation en continu avec une meilleur restitution
du signal que dans la classe B (plus faible distorsion).
9 Classe C : le fonctionnement est en classe C si la jonction émetteur base est polarisée
en inverse. En régime sinusoïdal, le transistor ne conduit que pendant une fraction de
la demi période. Ce fonctionnement est utilisé en émission HF : haute fréquence
(radio, télévision, téléphonie, etc.).

II – 2 – Puissances, rendement et distorsion

Dans un étage amplificateur de puissance, les puissances mises en jeu sont la préoccupation
essentielle de l'utilisateur. Il faut que la puissance fournie soit maximale et que les pertes par
effet joule soient minimales. Il faut donc veiller à obtenir un rendement aussi grand que
possible.

II – 2 – 1 – Puissance utile

La puissance utile est la valeur moyenne de la puissance instantanée disponible dans la

∫ V (t)i (t)dt ,
charge.
Pu =
1
T
s s (4.2)
T

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CHAPITRE QUATRIEME LES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE

Vs ( t ) = 2 Vseff sin(ωt ), is ( t ) = 2Iseff sin(ωt − ϕ) , (4.3)

Si on se place dans le cas du régime sinusoïdal :

Pu = Vseff Iseff cos(ϕ) , (4.4)

On a :

II – 2 – 2 – Rendement

Le rendement est un des critères de choix des montages permettant la réalisation des
amplificateurs de puissance. Il caractérise la capacité de l’amplificateur à fournir à la charge
toute la puissance qu’il reçoit. On définit :

ƒ Pf : puissance fournie par l’alimentation

ƒ Pd : puissance dissipée par l’amplificateur (transistor, résistance de polarisation, etc…)
ƒ Pu : Puissance de sortie.
ƒ Pe : Puissance de commande.

Pd

Pe Amplificateur Pu
Commande de Utilisation
puissance

Pf

Alimentation

Fig. 4.3. Bilan des puissance dans un amplificateur de puissance

Le rendement est défini par la relation suivante :

η=
Pu
Pf + Pe , (4.5)

Généralement, la puissance de commande est négligée devant la puissance fournie par

l’alimentation. Le rendement s’exprime alors :
η=
Pu
Pf , (4.6)

II – 2 – 3 – Distorsion

Toute transmission d’un signal s’accompagne de la modification de celui-ci. Ce phénomène

est appelé distorsion. Nous rencontrons plusieurs types de distorsions :
9 Distorsion liée à la variation du gain. Le signal n’est pas déformé mais l’amplitude
varie en fonction de la fréquence.
9 Distorsion liée à la variation de phase.
9 Distorsion apportée par un bruit.

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 38

CHAPITRE QUATRIEME LES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE

9 Distorsion de non-linéarités. Elles ne permettent pas de conserver la forme du signal

transmis, elles sont dues aux non-linéarités des composants surtout quand ceux-ci
fonctionnent en forts signaux, ce qui est le cas des amplificateurs de puissance. On
distingue la distorsion harmonique et la distorsion d’inter modulation. Dans notre
étude on s’intéresse particulièrement à la distorsion harmonique.

La distorsion harmonique est définie à partir de la décomposition en série de fourrier pour

un signal f(t) de pulsation ω0. Ce signal périodique peut être décomposé en une somme
comprenant :
- Un terme constant.
ω
- Un terme sinusoïdal de fréquence : f = 2π
0

- Une suite limitée ou non des termes sinusoïdaux de fréquences multiples entier de f
(les harmoniques).

La distorsion, d, est définie comme étant le rapport entre la valeur efficace des harmoniques
de rang supérieur à 1 et la valeur efficace du fondamental qui est l’harmonique de rang égal à

∑A
1.
2

d=
k
k ≥2

A1
, (4.7)

III – Etude de l’amplificateur de classe A

Soit le montage de la figure 4.4. Pour assurer une excursion maximale de la sortie, on place
le point de repos, Q, au milieu de la droite de charge.

III – 1 – Calcul des puissances

La tension de sortie Vs ainsi que le courant de sortie is (dans la résistance Rch) de

+ 2 Vseff sin(ωt )
l’amplificateur sont donnés par les relations suivantes :
Vs ( t ) =
Vcc

is ( t ) = cc + 2 seff sin(ωt ) , (4.8)

2
V V
2Rch Rch

∫ ∫
La puissance utile est donc :

+ 2 Vseff sin(ωt )⎟⎟⎜⎜ cc + 2 seff sin(ωt )⎟⎟dt

⎛ Vcc ⎞⎛ V ⎞
Pu = Vs ( t )is ( t )dt = ⎜⎜
1 1 V
T T ⎝ 2 ⎠⎝ 2R ch Rch ⎠
T T

Pu = + seff , (4.9)
Vcc2 V2
4Rch Rch

Cette puissance est composée d’une partie consommée par la charge en continu (partie
inutile) et d’une partie utile en régime variable.

La puissance fournie par l’alimentation est :

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CHAPITRE QUATRIEME LES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE

∫ ∫ Vcc ⎜⎜ cc + 2 seff sin(ωt )⎟⎟dt

⎛ V ⎞
Pf = Vcc is ( t )dt =
1 1 V
T
T
T
T
⎝ 2Rch Rch ⎠

Pf =
Vcc2
2R ch , (4.10)

∫ ∫ − 2 Vseff sin(ωt )⎟⎟⎜⎜ cc + 2 seff sin(ωt )⎟⎟dt

La puissance dissipée par le transistor est :
⎛ Vcc ⎞⎛ V ⎞
Pd = Vce ( t )is ( t )dt = ⎜⎜
1 1 V
T T ⎝ 2 ⎠⎝ 2Rch Rch ⎠
T T

Pd = − seff , (4.11)
Vcc2 V2
4R ch R ch

Cette puissance est maximale en continu (Vs =0) et minimale à excursion maximale de la
tension de sortie (Vs = E/2).

III – 2 – Calcul du rendement

Si on ne considère que la partie alternative du signal de sortie (partie utile), on peut écrire :
2
Vseff

η = u = ch =
2
P R Vseff
Pf Vcc2 2 Vcc2 , (4.12)
2R ch

Le rendement maximal est obtenu pour Vs = Vcc :

ηmax = ≈ 25% , (4.13)
Vcc2
4 Vcc2

IV – Etude de l’amplificateur de classe B : push-pull

Le principal inconvénient de l’amplificateur A est que son rendement est faible (≈ 25%)
avec une consommation en courant même lorsque la composante alternative du signal
d’entrée est nulle. Pour éviter cela, on place le point de repos au point de blocage QB.
L’amplificateur est alors de classe B.
Un inconvénient majeur apparaît alors : si on applique un signal sinusoïdal à l’entrée, le
transistor ne conduira que pendant une demie période. Pour obtenir une reproduction correcte
de la tension de commande, il conviendra alors d’utiliser deux transistors conduisant chacun
pendant une alternance. On fait appel alors à des transistors complémentaires : un PNP et un
NPN dont les caractéristiques sont identiques. On réalisera alors un montage "Push-pull".

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 40

CHAPITRE QUATRIEME LES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE

Ve Vs

Fig. 4.5. Montage d’un amplificateur push-pull

IV – 1 – Etude d’un transistor fonctionnant en classe B

Soit le montage de la figure 4.6. On suppose que la tenions Vbe =0 lorsque le transistor
conduit.

Fig. 4.6. Montage d’un transistor fonctionnement en classe B

Les équations électriques qui régissent ce circuit sont :

⎧Vs = Ve − R gib − Vbe
⎪
⎨ Vs = R s i e
⎪ = +
⎩
, (4.14)
i e i b i c

Si le transistor est bloqué on a :

⎧ie = ib = ic = 0
⎪
⎨ Vs = R sie = 0 , (4.15)
⎪V =V <0
⎩ e be

Ainsi si Ve < 0, le transistor est bloqué. Donc il ne conduit que pendant l’alternance positive
de Ve.
Si le transistor est saturé on a :
⎧ Vcesat = 0
⎪
⎨i = e − Vbe − Vs , (4.16)
⎪b
V
⎩ Rg

Avec : Vbe = 0 et Vs = Vcc.

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CHAPITRE QUATRIEME LES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE

Donc :

RS (β + 1) , (4.17)
ib ≥
Vcc

D’où :
⎛ Rg ⎞
⎝ R S (β + 1) ⎠
Ve ≥ ⎜⎜ + 1⎟⎟ Vcc = Ve 0 , (4.18)

Le transistor est donc saturé pour tout Ve positif supérieur à Ve0 et la tension de sortie Vs est
égale à Vcc.
Le transistor ne fonctionne en amplificateur que si 0 < Ve < Ve0. Dans ce cas la tension de

(β + 1)RS V
sortie peut être exprimée sous la forme :

(β + 1)RS + Rg e ,
Vs = (4.18)

Si on choisi RS >> Rg, on a : Vs ≈ Ve.

La figure 4.7, illustre la variation de Vs en fonction de Ve pour un transistor NPN.

Fig. 4.7. Variation de Vs en fonction de Ve pour un transistor NPN

Pour un transistor PNP, Vs = f (Ve) est donnée par la figure suivante :

Fig. 4.8. Variation de Vs en fonction de Ve pour un transistor PNP

Pour un fonctionnement push-pull, la caractéristique devient :

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 42

CHAPITRE QUATRIEME LES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE

Fig. 4.9. Variation de Vs en fonction de Ve pour un montage push-pull

IV – 2 – Bilan des puissances et rendement d’un montage push-pull

Dans le cas d’un régime sinusoïdal, la puissance utile est donnée par :
Pu = , Pu max = cc , (4.19)
Vs2 V2
2R s 2R s

La puissance fournie par la source est :

⎛⎛ T ⎞ ⎛T ⎞⎞

∫ ∫ ∫
⎜⎜ 2 ⎟ ⎜ ⎟⎟
Vs ( t )(ie1 ( t ) + ie 2 ( t ))dt = ⎜ Vcc sin(ωt )dt − sin(ωt )dt ⎟ ⎟
1 ⎜⎜ ⎟ ⎜ ⎟
Pf =
⎜ ⎟ ⎜ ⎟
1 Vs Vs
⎜⎜ ⎜ 0 ⎟ ⎟⎟
Vcc
⎟ ⎜T
T T Rs Rs , (4.20)
⎝⎝ ⎠ ⎝2 ⎠⎠
T

Pf = , Pf max =
2 Vcc Vs 2 Vcc2
πR s πR s , (4.21)

Ainsi le rendement d’un amplificateur de classe B est :

π Vs π
η= , ηmax ≈ ≈ 78.5% , (4.22)
4 Vcc 4

IV – 3 – Etude de la distorsion

Jusqu’à présent, nous avons supposé que le seuil de conduction Emetteur-Base était nul, la
prise en compte de la tension Vbe fait apparaître un palier dans la caractéristique de transfert.

Fig. 4.10. Variation de Vs en fonction de Ve pour un montage push-pull avec distorsion

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 43

CHAPITRE QUATRIEME LES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE

Il en résulte un signal de sortie entaché d’une distorsion particulière à faible niveau ou

« distorsion de croisement ». Cette déformation est d’autant plus marquée que l’amplitude du
signal est faible. Elle est de la forme :

Fig. 4.11. Allures de Vs et de Ve avec distorsion

IV – 4 – Correction de la distorsion

Afin de corriger cette distorsion, on introduit deux diodes à jonction dans le montage push-
pull comme le montre la figure 4.12.

Vs
Ve

Fig. 4.12. Montage push-pull avec correction de la distorsion

Avec cette configuration l’amplificateur est de classe AB : La polarisation en début de la
droite de charge s’effectue à l’aide des diodes D1 et D2. La figure 4.13 représente les allures
de la tension d’entrée et de la tension de sortie après correction de la distorsion

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 44

CHAPITRE QUATRIEME LES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE

Fig. 4.13. Allures de Vs et de Ve après correction de la distorsion

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 45

CHAPITRE CINQUIEME LE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP

CHAPITRE CINQUIEME
LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
I – Définition
Le transistor à effet de champ (TEC), ou Field-Effect Transistor (FET) ou encore transistor
unipolaire est semi-conducteur dont la résistance de conduction est fonction du champ
électrique extérieur appliqué perpendiculairement lignes de courant qui le traverse.
Les transistors à effet de champ sont largement utilisés dans les circuits numériques et dans
les circuits analogiques de traitement des signaux.. On distingue deux grandes familles de
transistors à effet de champ soit les FETs à jonctions p-n : les JFET et les FET à grille isolée
(jonctions métal-oxyde-semiconducteur) : les MOSFET.

9 Faible coût de production

Les avantages les plus marqués des MOSFET sont reliés à des aspects de leur fabrication :

9 Faible encombrement et donc possibilité d’intégration à grande échelle

II – Le JFET
II – 1 – Constitution d’un JFET

Il existe deux types de JFET : le canal N et le canal P. dans ce chapitre on s’intéresse

principalement au JFET à canal N. la figure 5.1 montre une coupe d’un JFET à canal N. Ce
dernier est constitué d’une plaquette de semi-conducteur de type N qui forme le canal
conducteur principal et dans laquelle on a inséré par diffusion partielle deux couches fines de
semi-conducteur de type P de façon à réaliser deux jonctions PN latérales. Le transistor est
formé de trois électrodes appelées respectivement : Source, Drain, liées au semi-conducteur
de type N, et Grille (liée au semi-conducteur de type P). L’espace inter-jonctions est appelé
canal.
Le courant électrique circule dans le canal, rentrant par le drain et sortant par la source. La
grille permet de commander la conduction du courant dans le canal.
Grille

Source P
Drain
N
Canal N
P

Fig. 5.1. Coupe d'un JFET de canal N

La figure 5.2 présente les symboles d’un JFET canal N et d’un JFET canal P.

Drain Drain
D D
Grille Grille
G G

Source Source
S S
JFET Canal N JFET Canal P

Fig. 5.2. Symbole d'un JFET

II – 2 – Principe de fonctionnement d’un JFET

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 46

CHAPITRE CINQUIEME LE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP

On considère un JFET de canal N polarisé comme l’indique la figure 5.3. Le semi-

conducteur constituant le canal est défini par la résistivité ρ et dont les dimensions sont
précisées sur la même figure.
Grille

VGS

b
Source P
Drain
iDS a
P W
l

VDS

Fig. 5.3. Polarisation d'un JFET de canal N

- 1er cas : VGS = 0

La tension VDS est appliquée entre le drain et la source fait circuler un courant iDS dû au
départ des électrons de la source vers le drain. Le canal présente une résistance de
conduction :
RDS = =ρ
VDS l
iDS ba , (5.1)

- 2ème cas : VGS < 0

Les jonctions grille-source sont polarisées en inverse. Il apparaît au sein du barreau et aux
voisinages des deux jonctions deux zones privées de porteurs donc isolantes dont l’épaisseur
e est sensiblement proportionnelle à la racine carrée de la valeur absolue de la tension
inverse VGS :
e = K VGS , (5.2)

L’épaisseur de la zone de conduction du canal se trouve ainsi réduite et la résistance RDS

devient alors :

b(a − 2e )
RDS = ρ =ρ
l l
⎛
b⎜ a − 2K VGS ⎞⎟
, (5.3)
⎝ ⎠

Ainsi on peut conclure que la résistance de conduction d’un transistor à effet de champ est
fonction de la tension inverse de la jonction grille source.

II – 3 – Polarisation d’un JFET

La figure 5.4 représente la polarisation d’un transistor JFET canal N. Elle peut être soit
normal (a) soit automatique (b)

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CHAPITRE CINQUIEME LE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP

VDS VDS
10V 10V
+V +V

RD RD
1k 1k

Q1 Q1
NJFET NJFET

Rg Rg
1k 1k RS
1k

VGS
-10V
+V

(a) (b)
Fig. 5.4. Polarisation d'un JFET: normale (a), automatique (b)

II – 3 – 1 – Polarisation normale

Cette polarisation présente l’inconvénient d’employer deux sources d’alimentation dont

l’une est négative. La résistance Rg peut être choisie très élevée. On utilise généralement des
valeurs variant de quelques MΩ à quelques dizaines de MΩ.

VDD = RDiD + VDS , (5.4)

L’équation de la droite de charge est donnée par :

II – 3 – 2 – Polarisation automatique

C’est la méthode polarisation la plus utilisée. La grille est reliée à la masse par une
résistance RG de forte valeur. Comme le courant grille est nul, le potentiel de grille est nul. Le
courant drain produit dans la résistance de source une chute de tension égale à RS iDS. La
tension grille-source vaut donc : VGS = VGM – VSM = - RS iD La grille est bien négative par
rapport à la source.

II – 3 – 3 – Le phénomène de pincement

La variation de RDS en fonction de VGS est représentée dans la figure 5.5. Pour une certaine
valeur de la tension VGS, les zones isolantes vont envahir toute l’épaisseur de la zone de
conduction. On assiste alors à un étranglement du canal. La résistance de conduction RDS
devient alors infinie. Cette valeur particulière de VGS est appelée tension de pincement Vp ou
encore tension de coude. Vp est donnée par l’expression suivante :

Vp = 2 , (5.5)
a2
K

RDS

VGS Vp

Fig. 5.5. Variation de RDS en fonction de VGS

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CHAPITRE CINQUIEME LE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP

II – 4 – Réseau de caractéristiques d’un JFET

Fig. 5.6. Réseau de caractéristiques d'un JFET

Réseau de sortie iDS = f(VDS) pour VGS = Cte

Région ohmique RDS minimale pour VGS = 0 et tend vers l’infini pour VGS = -VP. (VP: tension
de pincement).

Réseau de transfert iDS = f(VGS) pour VDS = Cte

La caractéristique peut être assimilée à une parabole d’équation :
⎛ V ⎞
= IDSS ⎜⎜1 − GS ⎟
2

⎟ , (5.6)
⎝ ⎠
iDS
VP

Avec IDSS : courant drain-source de saturation.

II – 5 – Etude en régime dynamique

Pour de petits signaux variant autour d’un point de fonctionnement situé dans la région de
pincement, le schéma équivalent comprend essentiellement une source de courant :
iDS = gm VGS , (5.6)
Cette équation stipule que le courant de sortie iDS est égal à la tension VGS multipliée par la
transconductance gm.
Pour compléter le schéma équivalent du FET, on ajoute la résistance d’entrée, la résistance
de sortie et les capacités parasites inter-électrodes. Le schéma équivalent petits signaux du
FET est donnée par la figure 5.7.
G D
CDG

Vgs Vds
RGS CGS gm Vgs RDS

S S
Fig. 5.7. Modèle petits signaux d'un FET en régime dynamique

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CHAPITRE CINQUIEME LE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP

Remarque :

9 Lorsqu’on travaille en basse fréquence et si la résistance de drain RD est choisie

faible devant RDS, le schéma équivalent petits signaux du FET peut être représenté
par la figure 5.8.
iDS
G D

Vgs Vds
gm Vgs

S S
Fig. 5.8. Modèle petits signaux simplifié d'un FET en régime dynamique

II – 6 – Etude de quelques montages de base

Comme pour le transistor bipolaire, le FET peut être utilisé dans trois montages de base :
9 Le montage à source commune
9 Le montage à drain commun
9 Le montage à grille commune

II – 6 – 1 – Le montage à source commune

La figure 5.9 représente le montage à source commune. Le gain en tension de ce montage

est:

GV = = − m D , (5.7)
Vs g R
Ve 1 + gmRS
Si RS est découplée, alors ce gain s'exprime:

GV 0 = = −gmRD , (5.8)
Vs
Ve
VDD

RD

VS
Ve

Q1
NJFET

Rg
RS

Fig. 5.9. Montage à source commune

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CHAPITRE CINQUIEME LE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP

II – 6 – 2 – Le montage drain commun

La figure 5.10 représente le montage drain commun. Le gain en tension de ce montage est:

GV = = 1−
Vs 1
, (5.9)
Ve gmR S

VDD

Ve
C
Q1
NJFET VS

Rg
RS

Fig. 5.10. Montage drain commun

II – 6 – 3 – Le montage grille commune

La figure 5.11 représente le montage grille commune. Le gain en tension de ce montage est:

GV = = gmRD , (5.10)
Vs
Ve
VDD

RD

VS
C

Q1
NJFET
Ve
C RS

Fig. 5.11. Montage grille commune

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CHAPITRE SIXIEME LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS PARFAITS

CHAPITRE SIXIEME
LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS PARFAITS
(Résumé)

I – Définition
Les principaux inconvénients des montages amplificateur à base de transistor sont :
9 Il ne transmet pas en continue
9 Le gain en amplification est tributaire des caractéristiques du transistor, donc imprécis.

L’avantage des amplificateurs opérationnels parfaits (AOP) est que le gain en tension ne
dépend que des composants du montage et ne dépend pas des caractéristiques internes de
l’AOP.

II – Caractéristiques d’un AOP

II – 1 – Symbole
Un AOP est composé de quatre entrées et d’une sortie. Deux symboles sont généralement
utilisés :
Vcc+
Vcc+

V- - V- -
ε Vs ε Vs
V+ + V+ +

Vcc-
Vcc-
Fig. 6.1. Symboles d’un AOP

Les entrées V+ et V- sont appelées respectivement entrée non inverseuse et entrée

inverseuse. Vcc+ et Vcc- sont les alimentations de l’AOP. Vs est la tension de sortie de l’AOP.
La tension différentielle ε de l’AOP est définie par :
ε = V + − V − , (6.1)

II – 2 – Caractéristiques d’un AOP

On considère, tout d’abord, que l’impédance d’entrée Ze de l’AOP est infinie donc :
i = i- = 0.
+

La tension Vs, dépend de la tension d’entrée différentielle ε : Vs = Aε.

9 Si ε = 0 : l’AOP fonctionne en amplificateur linéaire. Ainsi on a : V+ = V-.
9 Si ε ≠ 0 : l’AOP fonctionne en mode de saturation. On distingue deux cas :
ƒ Si ε > 0, alors Vs= Vcc+.
ƒ Si ε < 0, alors Vs= Vcc-.

Ainsi, la caractéristique de transfert de l’AOP est donnée par la figure 6.2

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 52

CHAPITRE SIXIEME LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS PARFAITS

Fonctionnement en mode de
saturation

Fonctionnement en mode
linéaire

Fig. 6.2. Variation de Vs en fonction de ε

III – Applications aux AOP en régime linéaire

L’AOP fonctionne en régime linéaire donc : ε = 0, V+ = V-. On suppose aussi que
i = i- = 0.
+

III – 1 – Montage non-inverseur

= 1 + 2 , (6.2)
Vs R
Ve R1

Fig. 6.3. Montage non inverseur

III – 2 – Montage inverseur

= − 2 , (6.3)
Vs R
Ve R1

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 53

CHAPITRE SIXIEME LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS PARFAITS

Fig. 6.4. Montage inverseur

III – 3 – Montage sommateur inverseur

⎛V V ⎞
= −R⎜⎜ 1 + 2 ⎟⎟ , (6.4)
Vs
Ve ⎝ R1 R 2 ⎠

Fig. 6.5. Montage sommateur inverseur

III – 4 – Montage amplificateur de différence

⎛V V ⎞
= −R⎜⎜ 1 + 2 ⎟⎟ , (6.5)
Vs
Ve ⎝ R1 R 2 ⎠

Fig. 6.6. Montage amplificateur de différence

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CHAPITRE SIXIEME LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS PARFAITS

III – 5 – Montage dérivateur

Vs = −RC
dVe
dt , (6.6)

Fig. 6.7. Montage dérivateur

∫ V dt ,
III – 5 – Montage intégrateur

Vs = −
1
RC
e (6.7)

Fig. 6.8. Montage intégrateur

III – 6 – Montage suiveur

Vs = Ve , (6.8)

Fig. 6.9. Montage suiveur

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CHAPITRE SIXIEME LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS PARFAITS

Le montage suiveur est utilisé dans les circuits d’adaptation d’impédance.

IV – Applications aux AOP en boucle ouverte

IV – 1 – Montage comparateur
La tension V1 est liée à la borne inverseuse de l’AOP. La tension V2 est liée à la borne non-
inverseuse de l’AOP.
Ainsi :
ƒ Si V1 > V2, Vs = -Vcc.
ƒ Si V1 < V2, Vs = Vcc.

Fig. 6.10. Montage comparateur

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 56

REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES

REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES

[1] Bourgeron Roger

«2000 schémas et circuits électronique»
Editions DUNOD, 4ème édition, 2000. Code Bibliothèque Iset’Com : EQD99

[2] Boucher J., Simonne J.

«Principes et fonctions de l’électronique analogique», TOME 1.
CEPADUES Editions, 1985, 3ème édition. Code Bibliothèque Iset’Com : EQA46

[3] Chevalier Gérard, Chauveau Jean-Claude, Chevalier Bruno

«Mémotech Electronique, composants»
Editions educalivre, 1997, 4ème édition. Code Bibliothèque Iset’Com : EQE39

[4] Floyd Thomas L.

«Electronique, composants et systèmes d’application»
Editions REYNALD GOULET inc, 1999, 5ème édition. Code Bibliothèque Iset’Com :
EQA215

[5] Girard Michel

«Amplificateurs de puissance»
Editions EDISCIENCE international, 1993, 2ème édition.

[6] Krob Michel

«Electronique expérimentale»
Editions Ellipses, 2002, 1ère édition. Code Bibliothèque Iset’Com : EQA239

[7] Malvino Albert Paul

«Principe d’électronique»
Editions EDISCIENCE international, 1997, 3ème édition. Code Bibliothèque
Iset’Com : EQA60

[8] Senturia Stephen D., Wedlock Bruce D.

«Electronic circuits and applications»
Wiley International Editions, 1975. Code Bibliothèque Iset’Com : EQA129

[9] Valkov Stéphane

«Electronique analogique»
Editions educalivre. Code Bibliothèque Iset’Com : EQA170

[10] Zbar Paul B., Malvino Albert P., Miller Michael A.

«Basic electronics»
MacGraw-Hill International Editions, Electrical Engineering Series, 1994, 7ème
édition. Code Bibliothèque Iset’Com : EQA147

[11] Zouabi Béchir

«Cours d'électronique analogique»
Ecole Nationale d'Ingénieurs de Tunis, 1999.

Sejir Khojet El Khil – Support de cours – Fonctions électroniques – Iset’Com 2008 57