CHAP II LA DIODE A JONCTION

Une diode à jonction est un dipôle passif composé de deux matériaux semi-conducteurs liés par une
jonction. L’appellation des matériaux semi-conducteurs provient de leurs conductivités électriques,
intermédiaires entre celles des conducteurs et des isolants. Une autre particularité importante, qui sera
expliquée plus loin, est que cette conductivité, contrairement aux conducteurs courants, dépend beaucoup de
la température et augmente avec celle-ci.

10−6 𝑆/𝑚) 108 𝑆/𝑚)

𝜎(𝑆/𝑚)

Isolants Semi-conducteurs Conducteurs

Les matériaux semi-conducteurs peuvent être classifiés en deux catégories : les semi-conducteurs
intrinsèques et les semi-conducteurs extrinsèques.
Les sc intrinsèques encore appelé sc purs sont contenus dans le groupe IV du tableau de classification
périodique, il s’agit principalement du Si et du Ge.

1
Chaque atome de Si ou de Ge étant tétravalent, aucun électron de sa couche de valence n’est libre
au zéro absolu (𝑇 = 0°𝐶). Les électrons étant immobiles, aucun d’eux ne participe à la conduction
électrique : le corps est isolant.

l’ionisation :
Lorsqu’on élève la température, l’agitation thermique désordonne la configuration
précédente : les électrons possèdent une énergie supplémentaire positive qui provoque la rupture de
quelques liaisons de covalences (figure 1b). Un des électrons participant à cette liaison acquiert ainsi
de l’énergie nécessaire pour quitter l’atome auquel il était lié. Il devient un porteur de charge libre,
capable de se déplacer dans le cristal, et autorisant ainsi la circulation d’un courant électrique sous
une différence de potentiel.

L’atome de silicium qui a perdu un électron n’est plus électriquement neutre : il est devenu
un ion positif. Ce phénomène n’intéresse qu’un nombre très faible d’atomes de silicium ( 3 sur 1013
à la température de 300 °K). La liaison de covalence non satisfaite est appelée trou !
Semi-conducteur extrinsèque

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L’utilisation du semi-conducteur pur présente assez peu d’intérêt. L’utilisation de
semi-conducteur dans la plupart des composants électroniques se fait dans un état « dopé » (semi-
conducteur extrinsèque), par opposition avec le semi-conducteur pur, ou intrinsèque
a) Semi-conducteur de type N

On obtient un S.C. de type N en injectant dans le cristal de silicium des atomes qui possèdent
5 électrons sur leur couche périphérique (phosphore ou arsenic de la 5° colonne de la classification).

Quatre de ces cinq électrons sont mis en commun avec les atomes de silicium voisins pour
réaliser des liaisons de covalences (figure 4a). Le 5° électron, inutilisé, est très faiblement lié à
l’atome pentavalent. Une très faible énergie suffit pour le libérer et il se retrouve “libre” dans la
bande de conduction. L’atome de phosphore qui a fourni un électron libre est appelé atome donneur.
Il a perdu sa neutralité pour devenir un ion positif fixe.
Semi-conducteur de type P

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Introduisons maintenant dans le semi-conducteur intrinsèque, en faible quantité, un
corps trivalent (par exemple Bore, Aluminium, Gallium ou Indium). Les atomes de
cette impureté vont se substituer, de place en place, à ceux du semi-conducteur :

Il manque ainsi un électron à l’atome trivalent pour réaliser les liaisons covalentes avec les
quatre atomes de silicium qui l’entourent (figure 5a). En fait, les électrons participant aux liaisons
sont indiscernables les uns des autres. Tout se passe alors comme si un des atomes de silicium voisin
avait cédé un électron à l’atome trivalent de bore, créant ainsi un trou dans le cristal de silicium.
L’atome de bore qui capte un électron est appelé atome accepteur, il a perdu sa neutralité pour
devenir un ion négatif fixe.

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 Une diode est un dipôle passif non linéaire et polarisé. Son fonctionnement macroscopique est
assimilable à celui d’un interrupteur commandé qui ne laisse passer le courant que dans un seul sens
ce qui lui permet d’avoir deux mode de fonctionnement le mode de fonctionnement bloqué et le
mode de fonctionnement passant.
Symbole et constitution

Figure 1:symbole de la diode à jonction

I. POLARISATION DE LA DIODE

Le comportement d’une diode diffère selon la d.d.p. 𝑉𝐷 = 𝑉𝐴𝐾 que l’on applique à ses bornes.
1.1. Polarisation directe :
Sous polarisation directe, la tension 𝑉 = 𝑉𝑎𝑘 = 𝑉𝑎 − 𝑉𝑘 > 0 ; la diode est en court-circuit et se
comporte comme un interrupteur fermé. Le courant 𝐼𝐷 traversant ses bornes est donné par la relation
suivante :
𝑞𝑉𝑑 𝑞𝑉𝑑
𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 (𝑒 𝐾𝑇 − 1) = 𝐼𝑠 𝑒 𝐾𝑇

On dit que « la diode est passante » : c’est l’état de la diode lorsque Id>0, ce qui entraine
𝑉𝐴𝐾 ≥ 𝑉0
Où V0 est la tension de seuil de la diode.
La tension de seuil est une donnée fournie par le constructeur et vaut typiquement :
 Diode germanium Vseuil= V0=0.3V
 Diode au silicium : Vseuil= V0=0.7V

1.2. Polarisation inverse :

Si on branche le générateur dans le sens inverse du cas précédant 𝑉 = 𝑉𝑎𝑘 = 𝑉𝑎 − 𝑉𝑘 < 0 ; le
fonctionnement de la diode est dit « bloqué ».
Le courant la traversant a pour expression :
𝑞𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 (1 − 𝑒 𝐾𝑇 ) = 𝐼𝑠

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Il est de l’ordre du nanoAmpère.
Remarque
𝐾𝑇 𝑞
= 26𝑚𝑉 𝑑𝑜𝑛𝑐 = 39𝑉 −1 à 𝑇 = 300° 𝐾
𝑞 𝐾𝑇

II. PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT DE LA DIODE

2.1. Caractéristiques tension-courant de la diode 𝑰𝑫 = 𝒇(𝑽𝑫 ) :

En polarisation directe, la caractéristique électrique (courant/tension) d’une diode n’est pas linéaire.
Elle obéit à la loi exponentielle suivante :

𝑞𝑉𝐷 𝑞𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 (𝑒 𝐾𝑇 − 1) = 𝐼𝑠 𝑒 𝐾𝑇

𝐾 : 𝑙𝑎 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑐𝑒 𝑑𝑒 𝐵𝑜𝑙𝑡𝑧𝑚𝑎𝑛𝑛 𝐾 = 1.38. 10−23 𝐽/𝐾

𝑞 : 1.6. 10−19 𝐶𝑜𝑢𝑙𝑜𝑚𝑏
𝐼𝑠 : 𝑐𝑜𝑢𝑟𝑎𝑛𝑡 𝑑𝑒 𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑡𝑖𝑜𝑛 𝑖𝑛𝑣𝑒𝑟𝑠𝑒

2.1.1. Diode à jonction idéale V0

La jonction PN étudiée précédemment présente donc un effet unidirectionnel très marqué ; en
polarisation directe, le courant croit très rapidement (exponentiellement) en fonction de la tension,
alors qu’en polarisation inverse, le courant traversant la jonction est pratiquement négligeable tout
comme la tension de seuil et la résistance interne

Figure 2: caractéristique tension/courant d'une diode parfaite

2.1.2. Diode réelle au silicium

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Dans ce cas, on considère que la résistance dynamique est constante. Ce qui n’est vrai que si la
variation du signal alternatif est très petite autour du point de polarisation en continu

Figure 5:Figure 3:caractéristique de la diode réelle

En régime statique, la tension et le courant sont indépendantes du temps (continus). Nous

distinguons 03 zones.
 𝑷𝒐𝒖𝒓 𝑽𝒅 < 𝟎
La diode est polarisée en inverse la tension à ses bornes est négative les constructeurs la note VR=-
Vd . Elle se comporte comme un bon isolant : Is ~ 1 pA - 1µA.
La diode est dite “bloquée”
Dans ce domaine, son comportement est approximativement linéaire ;
Le courant “inverse”, Is, augmente avec la température comportement linéaire
 Pour Vd≥0,7V
Le courant augmente rapidement avec une variation à peu près linéaire ;La diode est dite “passante”
Mais Id n’est pas proportionnel à Vd (il existe une “tension seuil”~ Vo)
 𝑃𝑜𝑢𝑟 0 < 𝑉𝑑 < 0,7𝑉 𝑍𝑜𝑛𝑒 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑢𝑑𝑒

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Figure 4: Zone de coude de la diode

Le courant augmente de manière exponentielle selon l’expression :

𝑞𝑉𝐷
𝐼𝐷 ≈ 𝐼𝑠 (𝑒 𝐾𝑇 − 1)

𝑳𝒊𝒎𝒊𝒕𝒆𝒔 𝒅𝒆 𝒇𝒐𝒏𝒄𝒕𝒊𝒐𝒏𝒏𝒆𝒎𝒆𝒏𝒕
Si la tension inverse 𝑉𝑅 = −𝑉𝑑 aux bornes de la diode devient trop importante, il y’a risque de
destruction par claquage de la jonction. Les constructeurs précisent la tension de claquage inverse ;
elle correspond à la tension maximale que peut supporter la diode en polarisation inverse.

III. DIODE DANS UN CIRCUIT DE CHARGE

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Grâce à l’analyse du réseau électrique ( loi des mailles) il vient :𝑉𝑎𝑙 = 𝑅𝐿 . 𝐼𝑑 + 𝑉𝑑 .
Mais que valent 𝑰𝒅 𝒆𝒕 𝑽𝒅 ?
Toutefois. . .
𝐼𝑑 𝑒𝑡 𝑉𝑑 respectent les lois de Kirchhoff ;
𝑰𝒅 𝒆𝒕 𝑽𝒅 sont sur la caractéristique Id(Vd) du composant ;
Au point de fonctionnement de la diode, (Id; Vd) remplissent ces deux conditions.
Droite de charge
Loi de Kirchhoff :

𝑉𝑎𝑙 − 𝑉𝑑
𝐼𝑑 =
𝑅𝐿
C’est la droite de charge de la diode insérée dans le circuit. Il s’agit ainsi de rechercher le point de
fonctionnement (Id; Vd).

Point de fonctionnement

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Il existe différentes méthodes pour retrouver le point de fonctionnement (Id;Vd) :
Méthode “calculatoire” : calcul du point d’intersection des deux courbes parfois inutilement
long. . .
Méthode “graphique” : connaissant la caractéristique Id(Vd) on peut déterminer
graphiquement le point de fonctionnement en établissant la droite de charge de la diode dans le
circuit. Cela nécessite de connaître la caractéristique Id(Vd) de la diode.
Utilisation des schémas équivalents : on peut “déterminer le point de fonctionnement” en
utilisant un modèle simplifié de la diode.
Seul le modèle approprié (diode passante ou bloquée) donnera des résultats cohérents ; on peut
arbitrairement choisir l’une des deux possibilités et vérifier la cohérence des résultats.

CARACTERISTIQUES TECHNIQUES D’UNE DIODE :

Vseuil
C’est la valeur de la tension de seuil, généralement notée VF dans les documents constructeurs ( F
étant l’abréviation de forward, direct). Néanmoins, les constructeurs précisent souvent plusieurs
tensions de seuil pour différentes valeurs I_D de donnent souvent la caractéris8tique complète
ID=f(VD). Le courant I_D est souvent noté IF dans les documentations
Exemples :
la diode de commutation IN4148 : V_F=1V pour I_F=10mA
la diode de redressement RURG3060 : IN4148 : VFmax=1,5V

IV. APPLICATIONS DES DIODES

Les diodes trouvent leurs utilités dans de nombreux domaines d’application, comme par
exemple :
 Protection contre les erreurs de branchement et les inversions accidentelles de polarité ;
 Protection contre les surtensions ;
 Redressement ;
 Doubleur, tripleur, multiplicateur de tension ;
 Circuits logiques simples ;
 Obtention d’une faible chute de tension ;
 Thermométrie par diodes ;

4.1. Limiteur de crête

Les diodes sont souvent employées pour protéger les circuits sensibles ( circuits intégrés,
amplificateurs à grand gain…) contre une tension d’entrée trop élevée ou d’une polarité donnée. On
parle de circuit limiteur de tension ou d’excréteur (clipping).

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 Clipping parallèle (diode en parallèle)

Clipping Série

4.2. Redressement :
Objectif : transformer un signal alternatif sinusoïdal en signal continu
Redressement mono alternance :

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Figure 5: redressement mono-alternance sur charge purement résistive

La figure ci-dessus présente le redressement sur une charge purement résistive.

v = VM sinωt = √2Veff . sinωt

𝑷𝒐𝒖𝒓 𝟎 < 𝝎𝒕 < 𝝅 ∶
V>0 et VA>VK la diode est passante si V>0.6V
𝑈𝑅
𝑈𝑅 = 𝑉 − 𝑉𝐷 = 𝑉 − 0.6 𝑒𝑡 𝑖𝐷 =
𝑅

𝑷𝒐𝒖𝒓 𝟎 < 𝝎𝒕 < 𝟐𝝅

V<0 et VA<VK la diode est bloquée
𝑈𝑅 = 0 𝑉 = 𝑉𝐷 𝑒𝑡 𝑖𝐷 = 0

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Valeurs moyennes :
1 𝑇 1 𝜋 2𝜋
𝑉𝑀
̅̅̅̅
𝑈𝑅 = ∫ 𝑈𝑅 (𝑡)𝑑𝑡 = [∫ (𝑉𝑀 sin(𝜔𝑡) − 0.6)𝑑𝑡 + ∫ 0𝑑𝑡 = ]
𝑇 0 𝑇 0 𝜋 𝜋
̅̅̅̅
𝑈𝑅 𝑉𝑀 1
𝐼̅𝑅 = = . = 𝐼̅𝐷
𝑅 𝜋 𝑅
Valeurs efficace

1 𝑇/2 1 𝑇/2 𝑉𝑀
𝑈𝑅 = √ ∫ [𝑈𝑅 (𝑡)]²𝑑𝑡 = √ ∫ [𝑉𝑀 𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡)]²𝑑𝑡 =
𝑇 0 𝑇 0 2

Taux d’ondulation

∆𝑉 𝑉𝑀
𝜏= = =𝜋
𝑉̅ 𝑉𝑀
𝜋
Redressement double alternance

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14
15
STABILISATION

VI. DIODES PARTICULIÈRES13

Il existe plusieurs types de diodes dites particulières : les diodes Zener, les diodes
électroluminescentes,
Les diodes Zener :
Une diode Zener est une diode qui a la particularité de conduire en sens inverse

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Effet Zener
En polarisation inverse, dans certaines conditions, des électrons dans la bande de valence du côté P
peuvent passer directement dans la bande de conduction du côté N, par un processus quantique
appelé « effet tunnel ». Cet effet, donnant naissance à une augmentation du courant inverse, est
appelé effet Zener.
Avalanche
L’effet d’avalanche est le mode de claquage le plus courant dans les diodes et dans les transistors.
Caractéristique courant-tension de la diode Zener

Les diodes zéner sont caractérisées par leur tension de claquage et par la puissance maximale
qu'elles peuvent dissiper.
LED
Les électrons libres traversant la jonction se recombinent avec des trous. Lors de cette
recombinaison, ils perdent de l'énergie. Dans les autres diodes cette énergie est dissipée en chaleur,
mais dans les diodes électroluminescentes (DEL, LED) elle est transformée en radiation lumineuse.

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TRAVAUX DIRIGES

Exercice1 :
On suppose que la tension seuil de la diode
est 0,6 V et sa résistance dynamique nulle.
R1 = 220 Ω et R2 = 560Ω.
Pour quelle valeur de VE la diode devient
passante?
On prend VE = 6 V, Calculer ID qui circule
dans la diode, et les tensions
VR1 et VR2 aux bornes de R1 et R2

Exercice 2 : Application du modèle linéarisé d’une diode

On fait une approximation de la caractéristique d’une diode par la courbe donnée à la figure 1.20
(a). Cette diode est utilisée dans le circuit de la figure b
1. Tracer la droite de charge du circuit et déterminer le point de fonctionnement de la diode. On
donne R = 50Ω et E = 12 V.
2. Comment varie la droite de charge si la tension E varie d’une quantité égale à ± 2 V ? En déduire
la résistance dynamique au point de repos choisi.
3. On laisse la tension continue E = 12 V à laquelle on superpose une tension alternative basse
fréquence vBF d’amplitude égale à 100 mV ? Calculer la tension alternative de sortie VS.

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Dans le circuit suivant, la tension seuil de la diode est 0,7 Volts et sa résistance dynamique est nulle.
Étudier ce circuit et tracer la tension de sortie Vs(t) sur le même graphe que Ve(t).
• Tracer la caractéristique de transfert Vs = f(ve).
• Donner la valeur maximale de vs et sa valeur minimale
• Pour quelles valeurs de Ve la diode est-elle passante ?

Exercice3 :La caractéristique tension-intensité, linéarisée de la diode : I = f (U) est donnée ci-contre.
1°/ Déterminer à partir du graphique de l’intercalaire, la tension seuil Us de la diode, de même que
sa résistance dynamique Rd. Expliquer la méthode.
2°/ Écrire la loi des mailles pour le circuit; en déduire l’expression de I, intensité du courant dans le
circuit en fonction de E et de U. Cette équation est celle de la droite de charge statique ∆ du circuit.
E = 12V R = 40 Ω
3°/ Tracer cette droite ∆ sur le graphique I = f (U) et déterminer le point de fonctionnement P du
circuit (Intensité traversant le circuit et tension aux bornes de la diode)
4°/ L’intensité maximale supportée par la diode est Imax = 400 mA. Déterminer la tension U aux
bornes de la diode, quand elle est traversée par cette intensité de courant et en déduire la puissance
maximale Pmax admissible par la diode.

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Exercice 4 :
Une diode au silicium est utilisée comme redresseur de courant ; elle sera assimilée à une diode
idéale, car on peut négliger la valeur de sa tension seuil devant les autres tensions du circuit.
1°/ On utilise le montage ci-dessous. Le transformateur utilisé est considéré comme parfait. Il a
1834 spires au primaire, et 200 spires au secondaire. Le circuit primaire est alimenté par une tension
sinusoïdale de valeur efficace 220 V et de fréquence 50 Hz.
1.1) Quelle est la valeur efficace U2 de la tension u2 obtenue au secondaire, quelle est sa valeur
maximale U2max, sa valeur moyenne U 2 et la valeur de sa fréquence ? Justifier.
1.2) u1= 220 2 sin (314×t - π). Donner l'expression de u2 en fonction du temps t
1.3) On veut visualiser la tension uD sur le canal 1 et la tension uR sur le canal 2 d’un oscilloscope.
Redessiner sur la copie la portion de circuit AB (diode + résistance), en indiquant les

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branchements à effectuer à l’oscilloscope.
4/En appliquant la loi des mailles au circuit secondaire, établir l'expression de i, l'intensité du courant
en fonction de u2, R et uD.
4.1) Quelle est la valeur de uD lorsque la diode est passante ?
4.2) Quelle est la valeur maximale Imax de l’intensité i du courant traversant la résistance R et la
diode ? Justifier.
5) Compléter le graphique i = f (t) Montage N°1
5.1) En dessinant la courbe i = f (t) en trait plein. Justifier.
5.2) En indiquant les échelles du graphique. Justifier.
5.3) Quelle tension uD ou uR visualisée sur l’oscilloscope, permet de reproduire les variations de
l’intensité i dans le circuit ? Justifier.

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22