Cours d’Électronique :

Les transistors

A. Arciniegas
N. Wilkie-Chancellier
A. Bouzzit

IUT Cergy-Pontoise, Dep GEII, site de Neuville

cbea

(CYU) Électronique - S1 1 / 19
Plan du cours

1 Généralités

2 Transistor bipolaire BJT

3 Transistor MOSFET

(CYU) Électronique - S1 2 / 19
Généralités

Généralités

(CYU) Électronique - S1 3 / 19
Généralités (1/2)

Transistor = transfer resistor

(CYU) Électronique - S1 4 / 19
Généralités (1/2)

Transistor = transfer resistor

Deux modes d’utilisation des transistors :

(CYU) Électronique - S1 4 / 19
Généralités (1/2)

Transistor = transfer resistor

Deux modes d’utilisation des transistors :

Analogique
Briques de base des circuits intégrés analogiques (dont l’amplificateur opérationnel)
ou des amplificateurs à composants discrets :

(CYU) Électronique - S1 4 / 19
Généralités (1/2)

Transistor = transfer resistor

Deux modes d’utilisation des transistors :

Analogique
Briques de base des circuits intégrés analogiques (dont l’amplificateur opérationnel)
ou des amplificateurs à composants discrets :
générateur et miroir de courant
amplificateurs différentiels
amplificateurs en courant ou en tension

(CYU) Électronique - S1 4 / 19
Généralités (1/2)

Transistor = transfer resistor

Deux modes d’utilisation des transistors :

Analogique
Briques de base des circuits intégrés analogiques (dont l’amplificateur opérationnel)
ou des amplificateurs à composants discrets :
générateur et miroir de courant
amplificateurs différentiels
amplificateurs en courant ou en tension
Fonctions du traitement analogique du signal :

(CYU) Électronique - S1 4 / 19
Généralités (1/2)

Transistor = transfer resistor

Deux modes d’utilisation des transistors :

Analogique
Briques de base des circuits intégrés analogiques (dont l’amplificateur opérationnel)
ou des amplificateurs à composants discrets :
générateur et miroir de courant
amplificateurs différentiels
amplificateurs en courant ou en tension
Fonctions du traitement analogique du signal :
linéaires : addition, soustraction et multiplication...
non-linéaires : conversion exponentielle, logarithmique...

(CYU) Électronique - S1 4 / 19
Généralités (1/2)

Transistor = transfer resistor

Deux modes d’utilisation des transistors :

Analogique
Briques de base des circuits intégrés analogiques (dont l’amplificateur opérationnel)
ou des amplificateurs à composants discrets :
générateur et miroir de courant
amplificateurs différentiels
amplificateurs en courant ou en tension
Fonctions du traitement analogique du signal :
linéaires : addition, soustraction et multiplication...
non-linéaires : conversion exponentielle, logarithmique...

« Tout ou rien » ou commutation

Circuits intégrés numériques, circuits de commande divers.
Alimentation à découpage, onduleurs.
Amplification numérique.

(CYU) Électronique - S1 4 / 19
Généralités (2/2)

Deux grandes familles :

(CYU) Électronique - S1 5 / 19
Généralités (2/2)

Deux grandes familles :

Transistor bipolaire (BJT)

(CYU) Électronique - S1 5 / 19
Généralités (2/2)

Deux grandes familles :

Transistor bipolaire (BJT)
Transistor à effet de champ (dont le MOSFET)

(CYU) Électronique - S1 5 / 19
Transistor bipolaire BJT

Transistor bipolaire BJT

(CYU) Électronique - S1 6 / 19
Généralités et modèle physique (1/2)
BJT : Bipolar Junction Transistor

(CYU) Électronique - S1 7 / 19
Généralités et modèle physique (1/2)
BJT : Bipolar Junction Transistor

Deux types :
PNP
NPN

(CYU) Électronique - S1 7 / 19
Généralités et modèle physique (1/2)
BJT : Bipolar Junction Transistor

Deux types :
PNP
NPN

Structure d’un transistor NPN (d’après A. Malvino).

(CYU) Électronique - S1 7 / 19
Généralités et modèle physique (1/2)
BJT : Bipolar Junction Transistor

Deux types :
PNP
NPN

Structure d’un transistor NPN (d’après A. Malvino).

Trois zones dopées :

émetteur
base (faiblement)
collecteur
(CYU) Électronique - S1 7 / 19
Généralités et modèle physique (2/2)

Régions du transistor avant

diffusion
(d’après A. Malvino).

(CYU) Électronique - S1 8 / 19
Généralités et modèle physique (2/2)

Régions du transistor avant Régions du transistor après

diffusion diffusion
(d’après A. Malvino). (d’après A. Malvino).

(CYU) Électronique - S1 8 / 19
Généralités et modèle physique (2/2)

Régions du transistor avant Régions du transistor après Modèle équivalent

diffusion diffusion (d’après A. Malvino).
(d’après A. Malvino). (d’après A. Malvino).

(CYU) Électronique - S1 8 / 19
Transistor polarisé

Transistor polarisé
(d’après A. Malvino).

Rôles :
Émetteur : injecter ses électrons libres dans la base.
Base : transmettre les électrons injectés par l’émetteur au collecteur.
Collecteur : collecter la plus grande partie des électrons de la base.

(CYU) Électronique - S1 9 / 19
Transistor polarisé

Transistor polarisé
(d’après A. Malvino).

À l’instant où la polarisation directe est appliquée sur la diode émetteur, les électrons ne
sont pas encore entrés dans la base.

(CYU) Électronique - S1 9 / 19
Transistor polarisé

Transistor polarisé L’émetteur injecte des

(d’après A. Malvino). électrons libres dans la
base (d’après A. Malvino).

Si VBB > VBE , les électrons de l’émetteur passent dans la base (courant IE ).

(CYU) Électronique - S1 9 / 19
Transistor polarisé

Transistor polarisé L’émetteur injecte des

(d’après A. Malvino). électrons libres dans la
base (d’après A. Malvino).

Si VBB > VBE , les électrons de l’émetteur passent dans la base (courant IE ).

Seul un petit nombre d’électrons libres se recombinent avec des trous dans la base.

(CYU) Électronique - S1 9 / 19
Transistor polarisé

Transistor polarisé L’émetteur injecte des

(d’après A. Malvino). électrons libres dans la
base (d’après A. Malvino).

Si VBB > VBE , les électrons de l’émetteur passent dans la base (courant IE ).

Seul un petit nombre d’électrons libres se recombinent avec des trous dans la base.

Un courant IB circule à travers RB car la diode émetteur est passante.

(CYU) Électronique - S1 9 / 19
Transistor polarisé

Transistor polarisé L’émetteur injecte des Les électrons libres de la

(d’après A. Malvino). électrons libres dans la base vont dans le
base (d’après A. Malvino). collecteur. (d’après A.
Malvino).

Presque tous les électrons de l’émetteur vont dans le collecteur.

(CYU) Électronique - S1 9 / 19
Transistor polarisé

Transistor polarisé L’émetteur injecte des Les électrons libres de la

(d’après A. Malvino). électrons libres dans la base vont dans le
base (d’après A. Malvino). collecteur. (d’après A.
Malvino).

Presque tous les électrons de l’émetteur vont dans le collecteur.

Une fois arrivés, ils ressentent l’attraction de la tension VCC .

(CYU) Électronique - S1 9 / 19
Transistor polarisé

Transistor polarisé L’émetteur injecte des Les électrons libres de la

(d’après A. Malvino). électrons libres dans la base vont dans le
base (d’après A. Malvino). collecteur. (d’après A.
Malvino).

Presque tous les électrons de l’émetteur vont dans le collecteur.

Une fois arrivés, ils ressentent l’attraction de la tension VCC .

Ils traversent le collecteur et la résistance RC pour atteindre le pôle positif de

l’alimentation VCC (courant IC ).

(CYU) Électronique - S1 9 / 19
Transistor polarisé

Transistor polarisé L’émetteur injecte des Les électrons libres de la

(d’après A. Malvino). électrons libres dans la base vont dans le
base (d’après A. Malvino). collecteur. (d’après A.
Malvino).

Résumé
Polarisation directe de la diode émetteur :
Circulation des courants IE et IB .
Traversée des électrons de l’émetteur vers le collecteur en raison de la minceur et
faible dopage de la base → circulation du courant IC .

(CYU) Électronique - S1 9 / 19
Courants du transistor

IC

IB
B

IE

Symbole graphique du transistor NPN.

(CYU) Électronique - S1 10 / 19
Courants du transistor

IC

IB
B En appliquant la loi de Kirchhoff à la jonction :
IE = IB + IC
IE

Symbole graphique du transistor NPN.

(CYU) Électronique - S1 10 / 19
Courants du transistor

IC

IB
B En appliquant la loi de Kirchhoff à la jonction :
IE = IB + IC
IE

Symbole graphique du transistor NPN.

Relations entre courants

IC
IC ≈ IE → α = IE ≈1

(CYU) Électronique - S1 10 / 19
Courants du transistor

IC

IB
B En appliquant la loi de Kirchhoff à la jonction :
IE = IB + IC
IE

Symbole graphique du transistor NPN.

Relations entre courants

IC
IC ≈ IE → α = IE ≈1
IC
IB  IC → β = IB , 100 < β < 300

(CYU) Électronique - S1 10 / 19
Courants du transistor

IC

IB
B En appliquant la loi de Kirchhoff à la jonction :
IE = IB + IC
IE

Symbole graphique du transistor NPN.

Relations entre courants

IC
IC ≈ IE → α = IE ≈1
IC
IB  IC → β = IB , 100 < β < 300

β est le gain en courant

(CYU) Électronique - S1 10 / 19
Caractéristiques

Caractéristique de la base Caractéristique du collecteur

(d’après A. Malvino) (d’après A. Malvino)

Le transistor BJT est un composant non-linéaire.

(CYU) Électronique - S1 11 / 19
Zones et modes de fonctionnement

2 jonctions → 4 modes de fonctionnement :

Mode Jonction BE Jonction BC Comportement

Amplificateur Passante Bloquée Amplificateur de courant quasi-linéaire

Amplificateur dégradé Bloquée Passante Amplificateur de courant quasi-linéaire,

mode inversé et aux caractéristiques dé-
gradées

Bloqué Bloquée Bloquée Interrupteur ouvert

Saturé Passante Passante Interrupteur fermé

(CYU) Électronique - S1 12 / 19
Modèle électrique en mode amplificateur de courant

IB β · IB

VBE D VCE

(CYU) Électronique - S1 13 / 19
Transistor MOSFET

Transistor MOSFET

(CYU) Électronique - S1 14 / 19
Généralités et modèle physique
MOSFET : Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

(CYU) Électronique - S1 15 / 19
Généralités et modèle physique
MOSFET : Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Deux types :
Canal P
Canal N

(CYU) Électronique - S1 15 / 19
Généralités et modèle physique
MOSFET : Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Deux types :
Canal P
Canal N

Deux "modes" de fabrication :

D-MOSFET ou à appauvrissement (applications en amplification RF)
E-MOSFET ou à enrichissement (applications en commutation numérique)

(CYU) Électronique - S1 15 / 19
Généralités et modèle physique
MOSFET : Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Deux types :
Canal P
Canal N

Deux "modes" de fabrication :

D-MOSFET ou à appauvrissement (applications en amplification RF)
E-MOSFET ou à enrichissement (applications en commutation numérique)

Structure d’un MOSFET à Structure d’un MOSFET à enrichissement

appauvrissement (d’après A. Malvino). (d’après A. Malvino).

(CYU) Électronique - S1 15 / 19
E-MOSFET
Concept fondamental : Quand la tension grille est nulle, le courant drain est nul ; pour
cette raison, un E-MOSFET est normalement « off » (off : non conducteur).

(CYU) Électronique - S1 16 / 19
E-MOSFET
Concept fondamental : Quand la tension grille est nulle, le courant drain est nul ; pour
cette raison, un E-MOSFET est normalement « off » (off : non conducteur).

Transistors BJT et MOSFET

Paramètres BJT MOSFET

Entrée VBE , IB VGS , IG = 0

Sortie VCE , IC VDS , ID

(CYU) Électronique - S1 16 / 19
E-MOSFET
Concept fondamental : Quand la tension grille est nulle, le courant drain est nul ; pour
cette raison, un E-MOSFET est normalement « off » (off : non conducteur).

Transistors BJT et MOSFET

Paramètres BJT MOSFET

Entrée VBE , IB VGS , IG = 0

Sortie VCE , IC VDS , ID

Principe
ID > 0 si VGS > 0

Polarisation d’un MOSFET à

enrichissement (d’après A. Malvino).

(CYU) Électronique - S1 16 / 19
E-MOSFET
Concept fondamental : Quand la tension grille est nulle, le courant drain est nul ; pour
cette raison, un E-MOSFET est normalement « off » (off : non conducteur).

Transistors BJT et MOSFET

Paramètres BJT MOSFET

Entrée VBE , IB VGS , IG = 0

Sortie VCE , IC VDS , ID

Principe
ID > 0 si VGS > 0
Attraction des électrons libres dans
la région P vers la grille.

Polarisation d’un MOSFET à

enrichissement (d’après A. Malvino).

(CYU) Électronique - S1 16 / 19
E-MOSFET
Concept fondamental : Quand la tension grille est nulle, le courant drain est nul ; pour
cette raison, un E-MOSFET est normalement « off » (off : non conducteur).

Transistors BJT et MOSFET

Paramètres BJT MOSFET

Entrée VBE , IB VGS , IG = 0

Sortie VCE , IC VDS , ID

Principe
ID > 0 si VGS > 0
Attraction des électrons libres dans
la région P vers la grille.
Recombinaison des électrons libres
avec les trous au voisinage du SiO2 .

Polarisation d’un MOSFET à

enrichissement (d’après A. Malvino).

(CYU) Électronique - S1 16 / 19
E-MOSFET
Concept fondamental : Quand la tension grille est nulle, le courant drain est nul ; pour
cette raison, un E-MOSFET est normalement « off » (off : non conducteur).

Transistors BJT et MOSFET

Paramètres BJT MOSFET

Entrée VBE , IB VGS , IG = 0

Sortie VCE , IC VDS , ID

Principe
ID > 0 si VGS > 0
Attraction des électrons libres dans
la région P vers la grille.
Recombinaison des électrons libres
avec les trous au voisinage du SiO2 .
Si VGS  0, les trous près du SiO2
sont comblés.
Polarisation d’un MOSFET à
enrichissement (d’après A. Malvino).

(CYU) Électronique - S1 16 / 19
E-MOSFET
Concept fondamental : Quand la tension grille est nulle, le courant drain est nul ; pour
cette raison, un E-MOSFET est normalement « off » (off : non conducteur).

Transistors BJT et MOSFET

Paramètres BJT MOSFET

Entrée VBE , IB VGS , IG = 0

Sortie VCE , IC VDS , ID

Principe
ID > 0 si VGS > 0
Attraction des électrons libres dans
la région P vers la grille.
Recombinaison des électrons libres
avec les trous au voisinage du SiO2 .
Si VGS  0, les trous près du SiO2
sont comblés.
Polarisation d’un MOSFET à Enfin, attraction des électrons
enrichissement (d’après A. Malvino). présents dans les régions n+ →
création du canal.

(CYU) Électronique - S1 16 / 19
E-MOSFET
Concept fondamental : Quand la tension grille est nulle, le courant drain est nul ; pour
cette raison, un E-MOSFET est normalement « off » (off : non conducteur).

Transistors BJT et MOSFET

Paramètres BJT MOSFET

Entrée VBE , IB VGS , IG = 0

Sortie VCE , IC VDS , ID

Principe

En conclusion, si VGS est supérieure à

une tension de seuil VGS (th) , le canal est
crée et l’E-MOSFET est « on » (on : con-
ducteur)

Polarisation d’un MOSFET à

enrichissement (d’après A. Malvino).

(CYU) Électronique - S1 16 / 19
Symbole électrique et courbes du courant drain
D

ID

IG
G

IS

Symbole graphique
du transistor Courbes caractéristiques de l’E-MOSFET (d’après A. Malvino).
E-MOSFET à canal N.

(CYU) Électronique - S1 17 / 19
Symbole électrique et courbes du courant drain
D

ID

IG
G

IS

Symbole graphique
du transistor Courbes caractéristiques de l’E-MOSFET (d’après A. Malvino).
E-MOSFET à canal N.

VGS < VGS (th) : transistor bloqué, ID = 0.

VGS ≥ VGS (th) : transistor passant, ID > 0.

(CYU) Électronique - S1 17 / 19
Symbole électrique et courbes du courant drain
D

ID

IG
G

IS

Symbole graphique
du transistor Courbes caractéristiques de l’E-MOSFET (d’après A. Malvino).
E-MOSFET à canal N.

VGS < VGS (th) : transistor bloqué, ID = 0.

VGS ≥ VGS (th) : transistor passant, ID > 0.

Le transistor MOSFET est un composant non-linéaire.

(CYU) Électronique - S1 17 / 19
Symbole électrique et courbes du courant drain
D

ID

IG
G

IS

Symbole graphique
du transistor Courbes caractéristiques de l’E-MOSFET (d’après A. Malvino).
E-MOSFET à canal N.

Remarques sur la zone passante

Dans la région ohmique, le transistor est équivalent à une résistance RDS (on) (donnée constructeur),
VDS (on)
RDS (on) = ID (on)

0 ≤ VDS ≤ VGS − VGS (th)

ID < Kn (VGS − VGS (th) )2 , avec Kn le paramètre de transconductance liée à la fabrication.

(CYU) Électronique - S1 17 / 19
Symbole électrique et courbes du courant drain
D

ID

IG
G

IS

Symbole graphique
du transistor Courbes caractéristiques de l’E-MOSFET (d’après A. Malvino).
E-MOSFET à canal N.

Remarques sur la zone passante

Dans la région ohmique, le transistor est équivalent à une résistance RDS (on) (donnée constructeur),
VDS (on)
RDS (on) = ID (on)

0 ≤ VDS ≤ VGS − VGS (th)

ID < Kn (VGS − VGS (th) )2 , avec Kn le paramètre de transconductance liée à la fabrication.

Dans la région active ou de saturation,
VDS ≥ VGS − VGS (th)

ID = Kn (VGS − VGS (th) )2

(CYU) Électronique - S1 17 / 19
Commutation (1/2)

Définitions
Commutation : Passage brusque, pour un élément actif, de l’état bloqué à l’état
saturé, ou inversement.

(CYU) Électronique - S1 18 / 19
Commutation (1/2)

Définitions
Commutation : Passage brusque, pour un élément actif, de l’état bloqué à l’état
saturé, ou inversement.
Électronique de commutation : applications en électro-technique et électronique
numérique.

(CYU) Électronique - S1 18 / 19
Commutation (1/2)

Définitions
Commutation : Passage brusque, pour un élément actif, de l’état bloqué à l’état
saturé, ou inversement.
Électronique de commutation : applications en électro-technique et électronique
numérique.

Exemple : Commutation avec une charge résistive

Utilisation d’un MOSFET de puissance pour alimenter une charge de 22 Ω :
5V
VCC = 5 V
0 ≤ VE ≤ 5 V
R VGS (th) = 2 V

VS

VE

(CYU) Électronique - S1 18 / 19
Commutation (1/2)

Définitions
Commutation : Passage brusque, pour un élément actif, de l’état bloqué à l’état
saturé, ou inversement.
Électronique de commutation : applications en électro-technique et électronique
numérique.

Exemple : Commutation avec une charge résistive

Utilisation d’un MOSFET de puissance pour alimenter une charge de 22 Ω :
5V
VCC = 5 V
0 ≤ VE ≤ 5 V
R VGS (th) = 2 V
Pour VE = 0 V, nous remplaçons le MOSFET par son schéma
équivalent bloqué car VE < VGS (th) .
VS

VE

(CYU) Électronique - S1 18 / 19
Commutation (1/2)

Définitions
Commutation : Passage brusque, pour un élément actif, de l’état bloqué à l’état
saturé, ou inversement.
Électronique de commutation : applications en électro-technique et électronique
numérique.

Exemple : Commutation avec une charge résistive

Utilisation d’un MOSFET de puissance pour alimenter une charge de 22 Ω :
5V
VCC = 5 V
0 ≤ VE ≤ 5 V
R VGS (th) = 2 V
Pour VE = 0 V, nous remplaçons le MOSFET par son schéma
équivalent bloqué car VE < VGS (th) .
VS
Loi de mailles à la sortie : VS = VDS = VCC car ID = 0.
VE

(CYU) Électronique - S1 18 / 19
Commutation (1/2)

Définitions
Commutation : Passage brusque, pour un élément actif, de l’état bloqué à l’état
saturé, ou inversement.
Électronique de commutation : applications en électro-technique et électronique
numérique.

Exemple : Commutation avec une charge résistive

Utilisation d’un MOSFET de puissance pour alimenter une charge de 22 Ω :
5V
VCC = 5 V
0 ≤ VE ≤ 5 V
R VGS (th) = 2 V
Pour VE = 0 V, nous remplaçons le MOSFET par son schéma
équivalent bloqué car VE < VGS (th) .
VS
Loi de mailles à la sortie : VS = VDS = VCC car ID = 0.
VE
Pour VE = 5 V, VGS > VGS (th) , donc le transistor est passant,
ID 6= 0 et VS ≈ 0 à condition que R  RDS (si zone ohmique).

(CYU) Électronique - S1 18 / 19
Commutation (2/2)

+VDD

Q1

vin vout

Q2

Inverseur logique CMOS

vin VGSN VGSP NMOS PMOS vout

0 0 −VDD bloqué passant VDD

VDD VDD 0 passant bloqué 0

(CYU) Électronique - S1 19 / 19