Impuretés et dopage des

semi-conducteurs
En réalité, tout les semi-conducteurs contiennent des impuretés et cela arrive
quelque soit le procédé de fabrication

On distingue deux types d’impuretés :

1- impuretés introduites involontairement et qui sont en général

indésirables et nuisibles telles que les impuretés métalliques (Fe, Au,
Cu…..)

2- Impuretés introduites volontairement pour mieux contrôler les

propriétés physiques telles que la conductivité électrique.
Que se passe-t-il lorsqu'un atome étranger est
substitué dans un semi-conducteur homogène?

En fait, tout va dépendre de la configuration

électronique de cet atome. On distinguera trois
cas possibles :
1er cas- L’atome étranger présente le même nombre
d’électrons sur la couche périphérique que l’atome
principal.

Le résultat obtenu sera un alliage et les propriétés électroniques de

celui-ci seront dans la majorité des cas une moyenne des constituants
de départ.

Exemple 1 : substitution d’un pourcentage d’atomes de silicium

par des atomes de carbone

le composé final sera donc : Si (x) C (1-x) ; x est un pourcentage

Dans ce cas la largeur de la bande interdite du composé est:

Eg = [Link](Si) +(1-x)Eg(C)
Exemple 2 : substitution d’un pourcentage d’atomes de Ga par
des atomes de Al

Dans le cristalGaAs on substitue (x) atomes de Ga par un (x)

atomes de Al on obtient donc :AlxGa (1-x) As
Dans ce cas la largeur de la bande interdite du composé est:

Eg = [Link](Al As) +(1-x)Eg(GaAs)

III(3) IV(4) V(5)

B:5 C6 N:7
Al: 13 Si: 14 P: 15
Ga :31 Ge :32 As :33
In : 49 Sn :50 Sb :51
 2ème cas- l'impureté a une configuration électronique
complètement différente de l’atome principal

Dans le cas où l'impureté a une configuration

électronique complètement différente de celle de
l’atome principal , les résultats précédents ne
s'appliquent pas. L'impureté déforme les fonctions
électroniques du cristal. Pour cette raison, elle va en
général créer des états proches du milieu de la bande
interdite. En règle générale, on cherche à éviter cette
situation car la présence de ces états est très nuisible
aux propriétés électriques et optiques de ces cristaux.
3éme cas- L’atome étranger présente un électrons
par défaut ou par excès sur la couche périphérique que
l’atome principal: c’est le dopage des semi-conducteurs

L'atome a une configuration similaire, mais avec un électron de plus ou de

moins. Dans cette situation, la périodicité du cristal n'est pas brisée et la
description des bandes d'énergie reste valable.

L’ élément doit être choisi de la colonne voisine de l'élément principal:

1- Si cet élément a un électron supplémentaire, comme le phosphore ou

l'arsenic dans le silicium, on parle d'un donneur d’électron.

2- Si au contraire la dernière couche de cet élément a un déficit d'électron,

comme le bore ou le gallium dans le silicium, on parlera d'accepteur
électronique.

Ces électrons et ces trous sont aisément cédés à la bande de conduction et

de valence par excitation thermique.
 Semi-conducteur de type N
Si on introduit un atome pentavalent (P, As…) dans un cristal de
cristal (tétravalent) : on réalise un dopage de type N

Cas de l’atome de phosphore dans le Silicium

*Le phosphore a 5 électrons de valence dont 4 é contribuent à la

liaison covalente avec le Silicium (Phosphore substitué à un atome
de Silicium)

*Le 5ième électrons occupe un niveau énergétique dans la bande

interdite son énergie d’ionisation Ed vaut 45meV
*Le niveau Ed est appelé niveau donneur d’électrons .
*Un électron peut donc passer dans la bande de conduction par
agitation thermique beaucoup plus faible que si le cristal était
intrinsèque; On dit que le semi-conducteur possède une
conductibilité extrinsèque de type N
 Semiconducteur de type N à T=0K (cas du Silicium)
Silicium dopé Phosphore avec une densité Nd
En pratique Nd est toujours supérieur à 1013cm-3

Représentation spatiale représentation énergétique

n = 0 et p= 0
A T=0K, le 5ième électrons à T=0 aucun atome de
de valence est toujours lié à phosphore n’est ionisé : tout les
l’atome de phosphore niveaux donneur sont occupés
Semiconducteur de type N à T≠0K (cas du Silicium)
a- À basse température: ionisation partielle
Quand on chauffe le cristal une portion des électrons (5ième électron de
Valence) sont libérés

ionisation du P
0 +
P à T≠0 P +1e-
Électrons libres dans la BC

P≈0 ;n≈
Nd+
 b- température moyenne et haute température
À la température moyenne (température ambiante) tout les atomes
donneurs sont ionisés Nd = Nd+

n ≥ Nd ; p≠0

Remarque : à partir de la température moyenne les transitions :

bande de valence bande de conduction deviennent importantes
 C- Probabilité d’occupation d’un niveau donneur Ed

Tout les atomes donneurs de densité Nd sont au même niveau

énergétique Ed (niveau donneur) dans la bande interdite .

densité de donneurs
non ionisés

Nd = nd + +
Nd (1)

densité totale du dopant. densité de donneur ionisés

(donneur)
 On divisant la relation (1)
Nd nd N
1   d
par Nd on obtient:
Nd Nd N
d
la probabilité d’occupation d’un état n
donneur. f (E )  d  1
Ou encore la probabilité d’avoir un d d N ( Ed  Ef )
d
état donneur non ionisé 1  1 e KT
2

N  1
Probabilité pour qu’un atome d  1 f (E ) 
donneur soit ionisé N
d
d d ( Ef Ed )
1  2e KT

le facteur 2 devant l'exponentielle tient compte du fait que l'on

peut placer 2 électrons de spins opposés sur chaque niveau.
 Semiconducteur de type P
Si on introduit un atome trivalent (B, Al…) dans un cristal de
cristal (tétravalent) : on réalise un dopage de type P avec une
densité Na

Cas de l’atome de bore dans le Silicium

*L’ atome de bore ne possède que 3 électrons périphériques. Donc

existence d’une liaison insatisfaite (à T=0K)

* Pour satisfaire aux 4 liaisons de valence; l’atome de bore capture un

électrons de la bande de valence ou il laisse un trou (seulement qd T≠0)

* les trous sont les porteurs majoritaires; on dit que le semiconducteur

possède une conductibilité extrinsèque de type P

* Le niveau énergique correspondant à l’énergie d’ionisation Ea au dessus

du sommet de la bande de valence est appelé niveau accepteur
 Semiconducteur de type P à T=0K (cas du Silicium
dopé Bore)

Liaisons manquées

Na niveaux
accepteurs

à T=0 aucun atome de Bore n’est ionisé :

tout les niveaux accepteurs sont
vides.
n=0 et p=0
 Semiconducteur de type P à T ≠ 0K (cas du Silicium)

a- À basse température:
on assiste à une ionisation partielle d’atomes accepteurs

-
B0 B + q (trou)

Création de trous
dans la BV

A basse température :
P  Na- et n  0
 b- Température moyenne et haute température
À la température moyenne (température ambiante) tout les atomes
accepteurs sont ionisés Na= Na-

Remarque : à partir de la température moyenne on assiste à

des transitions : bande de valence bande de conduction

Électrons de la BV

Trous dans la BV

p ≥ Na ; n≠0
C- Probabilité d’occupation d’un niveau accepteur Ea

Tout les atomes accepteurs de densité Na sont au même niveau

énergétique Ea (niveau accepteur d’é) dans la bande interdite .

Densité total du dopant Densité d’accepteurs non ionisés Densité d’accepteurs ionisés
(Accepteur)

-
Na = na + Na (1)
 N 
On divisant la relation (1) Na a na
1  
par Na on obtient: Na Na Na

la probabilité d’occupation d’un N a 1

f a ( Ea )  
état accepteur. Na ( EaEf )
Ou encore la probabilité d’avoir 1  1 e KT
un état accepteur ionisé 2

na 1
Probabilité pour qu’un atome  1  fa(Ea ) 
accepteur ne soit pas ionisé Na ( Ef Ea)
1  2e KT

le facteur 2 devant l'exponentielle tient compte du fait que l'on

peut placer 2 électrons de spins opposés sur chaque niveau.
 Densité de porteurs dans un semi-conducteur dopé

le cristal est neutre ; car la somme totale de toute les

Equation de neutralité:
charges mobiles et fixes est nulle.

pour un semiconducteur renfermant simultanément des donneurs

et des accepteurs:

Equation de neutralité
(1)

Nd   p  Na   n
La résolution du problème dans sa généralité n'est accessible qu'à des
logiciels numériques . Nous allons essayer de résoudre ce problème
dans certains cas particulier en utilisant des approximations .
Résolution de l’équation de neutralité pour semiconducteur de type N

Pour un semiconducteur dopé par des atomes donneurs uniquement ;

l’équation (1) devient:

n  Nd   p (2)

L’approximation utilisée pour la résolution de l’équation

(2) dépend du domaine de température :

1- à basse température ( ionisation partielle d'un donneur )

1- l’agitation thermique n’est pas suffisante pour

créer des paires électrons –trous: p est négligeable
A basse
température 2- ionisation partielle des atomes donneurs

3- augmentation de la densité des électrons

dans la BC
 On déduit alors qu’à basse température : n >> p (3)
n :porteur de charge majoritaire ; p : porteurs de charges minoritaires

l’équation de neutralité pour un semiconducteur non dégénéré devient :

(4)

à basse température on peut faire l’approximation suivante

(Ef  Ed ) >2 KT alors : l’équation ( 4 ) devient :

N  (E  E )
n  d exp f d (5)
2 KT
pour éliminer Ef on multiplie par n à gauche et par
 ( Ec  Ef )
[Link] à droite on obtient :
KT

Nc N  ( Ec  E )
n d exp d (6)
2 2KT

remarque à T  0 K  n0
 2eme méthode plus précise on reprend la formule(4)

(E  E )
Posons : x  exp f d
KT

x N ( Ec  E d )
On obtient: x 
2  d exp 0
2 2N c KT
La solution est alors:
(E  E ) 1 Nd ( Ec  E )
x  exp f d   exp d
KT 4 2Nc 2KT
(E  E ) Nd ( Ec  E )
x  exp f d  exp d (7)
KT 2 Nc 2KT
Vérification de l’approximation de l’équation (7)
  ( Ec  E )
Multiplions les termes de l’équation par: d
[Link]
KT



 (Ec  E )  (E  E )   (Ec  E )  Nd ( Ec  E )
 Nc. exp d  exp
f d   Nc. exp d  exp d
   
 KT  KT  KT  2 Nc 2KT
   

On obtient finalement :

 ( Ec  E )  ( Ec  E )
f  [Link]
n  [Link] exp d (8)
KT 2 2KT
 Comportement du niveau de Fermi

Remarque très importante: on peut toujours prévoir les deux cas limites
du niveau de Fermi
1er cas limite très basse température :T0
N  1
alors d  Aucun atome
( Ef Ed )
Quand T 0K : N 0
d n’est ionisé
1  2e KT

Ef  Ed
Il en résulte que:

2ème cas limite très haute température

N  Tt les atome
Quand T est grande : alors d  1 N sont ionisés
N
d ( Ef Ed ) d
1  2e KT

Ef  Ed
Il en résulte que: On constate une variation de Ef autour de Ed
Comportement du niveau de Fermi à basse température

On remplaçant n par son expression dans l’équation (6) on obtient:

 ( Ec  Ef ) N N  (E  E )
n  [Link]  c d exp c d (8')
KT 2 2KT
On déduit alors l’expression de EF

Ef  ( Ec  Ed )  KT ln Nd (9)
2 2 2Nc
 2- A température moyenne :Approximation des impuretés
complètement ionisées

à la température moyenne tous les atomes

donneurs sont ionisés :
Nd  Nd (10)
+

on définit la température moyenne le

domaine de température ou la
génération intrinsèque de paire électron ni(T) << Nd (11)
–trou est très négligeable

l’équation de neutralité s’écrit : n = Nd+ + p = Nd+ p (12)

2
en utilisant la loi d’action de masse : n.p = ni (13)
n2
on obtient : n  N  ni (14)
d
  1 
 

résolution de l’équation
Nd

  4n 2  2 

de 2me degré (14)  n 

1  1  i  

(15)
2   N 2 
  d  
 
 

*A la température ambiante pour le Silicium : ni est de l’ordre de 1010 cm-3

*le dopage est significatif seulement quand Nd > 1013 cm-3

4n 2 4.10 20
i   4.10 6 << 1 n ≈ Nd ≈ 1013 cm-3 (16)
N 2 10 26
d
et p ≈ 107cm3

p << n ; n porteurs majoritaires et p porteurs minoritaires

On dit que la conductivité est extrinsèque dans ce domaine de température

 4n 2
le domaine de température où le terme i de l’équation (15) reste
N 2
d
négligeable devant 1 est appelé régime d’épuisement de l’impureté dopante.

Ce résultat indique qu’ à des températures élevées par rapport à l’énergie

d’ionisation (Ec-Ed) , tous les atomes donneurs sont ionisés. Le
semiconducteur atteint donc un domaine de saturation . les donneurs sont
épuisés et l’excitation des porteurs intrinsèques est encore négligeable. La
densité des électrons libres dans la bande de conduction reste constante sur
une plage de température .

cette plage de température dépend énormément de la valeur de Nd imposé

par le fabriquant .
 Conséquences de la température moyenne

1- l’énergie thermique est plus élevée par rapport à l’énergie d’ionisation (Ec-Ed)

2- le semiconducteur atteint le régime de saturation: tout les donneurs sont

ionisé (régime d’épuisement)

3- la géneration de porteur intrinsèque reste toujour négligeable

4- La densité des électrons libres dans la bande de conduction reste constante sur une
plage de température .
*Position du niveau de Fermi pour les semiconducteurs à la
température moyenne

à la température moyenne: Nd+ Nd (11)

N
 N   d
Nd
d ( Ef  Ed )
1  2e KT

 ( Ed  Ef ) 0
e KT

 Il faut que : (Ed-Ef) ≥ 3KT

donc:
Ef ≤ Ed-3KT
 3- A haute température
 1 
 

Nd

  4n 2  2 

n 1  1  i 




(15)
2   N 2 
  d  
 
 

Le terme ( 4ni2/Nd2) de l’équation (15) n’est plus négligeable puisque on assiste à une génération
thermique intrinsèque qui devient importante à fur et à mesure que l’on augmente la température.

Remarque : à partir d’une certaine température le semiconducteur devient intrinsèque;

c’est la température intrinsèque définie par: ni(Ti) = Nd

Pour T > Ti le semiconducteur devient intrinsèque ni > Nd

dans le cas d’applications à haute température il faut repousser au maximum

cette transition qui se manifeste du passage du régime d’épuisement au régime
intrinsèque
Densité d'électrons en fonction de la température, montrant
clairement les trois régimes d'activation (régime de gel), de
saturation (régime d’épuisement) et régime intrinsèque
 Nd  ni Ef = Efi

(comportement intrinsèque
a partir de Ti)

Ti
Semiconducteur renfermant à la fois des atomes
donneur et accepteurs

Le semiconducteur contient : Nd atomes donneurs

Na atomes accepteurs

ÀT = 0K

-Bande de valence complètement pleine

N = p =0
-Bande de conduction complètement vide
1er cas : semiconducteur compensé Nd = Na

Les électrons appartenant au donneur

vont être capturés par les accepteurs
n=0
Ec
Ed

Nd+ = Na-

Ea
Ev
p=0
Dans ce cas le semiconducteur compensé se comporte comme un
semiconducteur intrinsèque puisque les atomes donneurs ne peuvent
fournir aucun électrons libres et de même que les atomes accepteurs ne
peuvent fournir de trous .

L’équation de neutralité s’écrit alors: n = p

Attention: bien que la densité de porteurs de charge d’un semiconducteur

compensé soit égale à celle d’un semiconducteur intrinsèque , le
semiconducteur compensé se comporte différemment de ce dernier.

La densité d’imperfections est beaucoup plus importante, ce qui entraîne

une diminution de la mobilité et de la durée de vie des porteurs de charge libres
Position du niveau de Fermi pour un semiconducteur compensé: Nd = Na

a- quand T 0K (tempèrature est très voisine de 0K)

L’équation de neutralité de charge: n + Na- = Nd+ + p (1)

Au voisinage de T =0 n = p≈ 0

L’équation (1) devient : Na- = Nd+ (2)

Na N
 d
Ea Ef )
( ( Ef  Ed )
1  1 e KT 1  2e KT
2
La résolution de cette équation montre que à T = 0K

Ed  Ea Ec  Ev
E f 
2 2
Ec
0.045eV
Ed

Ex : pour le Si 1.12eV

Ea

Remarque: Ev

Le semiconducteur se comporte pratiquement comme un semiconducteur intrinsèque

b- comportement de Ef à T ≠ 0K

L’equation de neutralité: n + Na- = Nd+ + p (1)

n = p (3)

( Ec  Ev ) KT N v N v mh 3l 2
Ef   ln ( ) ; avec :  ( )
2 2 Nc Nc me