Électronique
Chapitre 2
Le transistor bipolaire
Par Adil BROURI
Adil BROURI 1
Présentation Polarisation Transistor Transistor Transistor
du Réseaux de du en régime en
caractéristiques
en
transistor transistor dynamique Commutation amplification
I. Présentation du transistor
1. Description
Le transistor bipolaire est un composant
électronique composé de 3 électrodes :
Le Collecteur (C), l’Emetteur (E) et la Base (B).
Le transistor contient trois couches de semi-
conducteur NPN ou PNP :
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Fig. 2.1a : Transistor NPN Fig. 2.1b : Transistor PNP
2. Symbole
Fig. 2.2a : Transistor NPN Fig. 2.1b : Tr PNP 3
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3. Equations
Fig. 2.3a : Grandeurs électriques d’un Tr NPN
On a : 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 +𝐼𝐶 ;
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐵𝐸 +𝑉𝐶𝐵 ;
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4. Fonctionnement du transistor
Le transistor bipolaire est équivalent à deux
jonctions PN (diodes) :
Fig. 2.4 : Principe d’un transistor bipolaire NPN
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Pour polariser correctement un transistor
(fonctionnement normal), il faut 2 conditions :
La jonction entre B et E soit polarisée dans le
sens direct.
La jonction entre C et B soit polarisée dans le
sens inverse (est bloquée).
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II. Réseaux de caractéristiques
1. Principe de fonctionnement du Transistor
a. Transistor bloqué
On note d’abord que la base du transistor est
très fine et faiblement dopée.
Adil BROURI Fig. 2.5 : Polarisation du transistor 7
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Lorsque la jonction CB est polarisée en inverse
(𝑉𝐶 > 𝑉𝐵 ) et la jonction BE n’est pas polarisée (ou
𝑉𝐵 < 𝑉𝑆 ≈ 0.6𝑉),
alors les deux jonctions (diodes) sont bloquées.
⟹ 𝐼𝐵 = 0 et 𝐼𝐶 = 0.
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b. Effet transistor
On considère que 𝑉𝐶 > 𝑉𝐵 et 𝑉𝐵 > 𝑉𝑆 ≈ 0.6𝑉.
⟹ la jonction BE est passante.
⟹ 𝐼𝐵 > 0 et 𝑉𝐵𝐸 ≈ 𝑉𝑆 .
𝐼𝐵 > 0 signifie un flux d’𝑒 − de E vers la B.
⟹ Ces 𝑒 − peuvent rester libres
avant d'être piégés.
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La majorité de ces 𝑒 − injectés par l'émetteur vont
sous l'action du champ électrique 𝐸 , crée par la
source 𝑉𝐶 rejoindre le collecteur.
⟹ création alors d’un courant 𝐼𝐶 > 0.
⟹ Le transistor devient passant.
Ceci constitue l’effet transistor.
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Remarque :
On remarque le même phénomène dans le cas d’un
Tr PNP en appliquant des tensions négatives :
Fig. 2.6 : Schéma de principe du PNP
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Le courant 𝐼𝐶 va augmenter proportionnellement
à 𝐼𝐵 . D’où la relation suivante :
⟹ 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
𝛽 est appelé le gain en courant du transistor.
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2. Réseaux de caractéristiques
a. Caractéristique d’entrée 𝐼𝐵 = 𝑓 𝑉𝐵𝐸
La caractéristique 𝐼𝐵 = 𝑓 𝑉𝐵𝐸 s’approche de celle
d’une diode normale :
Fig. 2.7 : Caractéristique 𝐼𝐵 = 𝑓 𝑉𝐵𝐸 13
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b. Caractéristique de sortie 𝐼𝐶 = 𝑓 𝑉𝐶𝐸
On rappelle que la jonction BC soit polarisée en
inverse (𝐼𝐶 > 0). ⟹ 2 modes de fonctionnement :
Régime linéaire : 𝐼𝐶 est indépendant de 𝑉𝐶𝐸
(𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ).
Fig. 2.8 : Caractéristique 𝐼C = 𝑓 𝑉C𝐸 14
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Régime saturé : les courbes 𝐼𝐶 = 𝑓 𝑉𝐶𝐸 sont
presque verticales ⟹ 𝐼𝐶 dépend de 𝑉𝐶𝐸 .
⟹ Le transistor est équivalent à une résistance
commandée par la base.
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c. Caractéristique de transfert 𝐼𝐶 = 𝑓 𝐼𝐵
Pour 𝐼𝐵 < 𝐼𝐵 𝑠𝑎𝑡 , 𝐼𝐶 = 𝑓 𝐼𝐵 est presque une
droite ⟹ 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 .
Adil BROURI Fig. 2.9 : Caractéristique 𝐼C = 𝑓 I𝐵 16
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d. Récapitulation des caractéristiques
Fig. 2.9 : Réseaux des caractéristiques du transistor 17
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III. Polarisation du transistor
1. Polarisation avec deux sources
Soit le montage suivant :
Fig. 2.10 : Polarisation du Tr avec 2 sources
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2. Polarisation par résistance de base
Soit le montage suivant :
Fig. 2.11 : Polarisation par résistance de base
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3. Polarisation par réaction d'émetteur
Soit le montage suivant :
Fig. 2.12 : Polarisation par réaction d'émetteur
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4. Polarisation par réaction de collecteur
Soit le montage suivant :
Fig. 2.13 : Polarisation par réaction de collecteur
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5. Polarisation par pont de base
Soit le montage suivant :
Fig. 2.14 : Polarisation par pont de base
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IV. Transistor en régime dynamique
1. Introduction
En régime dynamique, les grandeurs d’entrée et de
sortie résultent de la superposition de grandeurs
continues ou statiques (𝐼𝐵0 , 𝐼𝐶0 , 𝑉𝐵𝐸0 et 𝑉𝐶𝐸0 ) et de
grandeurs alternatives, effet de sources
alternatives.
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Fig. 2.16 : Transistor en régime dynamique 24
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2. Paramètres hybrides du Tr
Les grandeurs électriques = Composantes statique +
dynamique :
𝐼𝑏 (𝑡) = 𝐼𝐵0 +𝑖𝑏 (𝑡) 𝑉𝑏𝑒 (𝑡) = 𝑉𝐵𝐸0 +𝑣𝑏𝑒 (𝑡)
𝐼𝑐 (𝑡) = 𝐼𝐶0 +𝑖𝑐 (𝑡) 𝑉𝑐𝑒 (𝑡) = 𝑉𝐶𝐸0 +𝑣𝑐𝑒 (𝑡)
Le transistor en régime dynamique peut être vu
comme un quadripôle :
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Le transistor en régime dynamique peut être vu
comme un quadripôle :
Fig. 2.17 : Paramètres hybrides du transistor
𝑣𝑏𝑒 = ℎ11 . 𝑖𝑏 +ℎ12 . 𝑣𝑐𝑒 𝑖𝑐 = ℎ21 . 𝑖𝑏 +ℎ22 . 𝑣𝑐𝑒
𝑣𝑏𝑒
⟹ ℎ11 =
𝑖𝑏 𝑣𝑐𝑒 =0
C’est la résistance dynamique d’entrée. 26
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𝑣𝑏𝑒
⟹ ℎ12 = ≈0
𝑣𝑐𝑒 𝑖𝑏 =0
𝑖𝑐
⟹ ℎ21 = =𝛽
𝑖𝑏 𝑣𝑐𝑒 =0
C’est le coefficient d’amplification du transistor.
𝑖𝑐 1
⟹ ℎ22 = =
𝑣𝑐𝑒 𝑖𝑏 =0
𝜌
C’est l’admittance de sortie du transistor.
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3. Schéma équivalent en petit signaux du Tr
Le schéma équivalent en petit signaux du transistor
bipolaire en régime dynamique est comme suit :
Fig. 2.18 : Schéma équivalent transistor
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V. Transistor en Commutation
1. Principe
Soit la droite de charge d’un transistor :
Fig. 2.19 : Polarisation du transistor en commutation
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On suppose que l’excitation permet de placer les
points de fonctionnement au points A et B.
Au point A, le courant 𝐼𝐶 = 0
⟹ blocage du transistor.
Au point B, la tension 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 ≈ 0
⟹ saturation du transistor.
On dit que le transistor fonctionne
en commutation.
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2. Exemple 1
Soit le montage suivant où le transistor fonctionne
en commutation :
Fig. 2.20 : Transistor en commutation
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2. Exemple 1
Soit le montage suivant :
Fig. 2.21 : Réalisation des fonctions logiques
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VI. Transistor en amplification
Exercice d’application : régime des petits signaux
Soit le montage émetteur commun suivant :
Fig. 2.21 : Transistor en régime des petits signaux
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1. Donner le schéma équivalent du montage en
régime dynamique des petits signaux.
2. Calculer l’ amplification en tension 𝐴𝑣 = 𝑣𝑠 /𝑣𝑒 .
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