FP de Larache 2019-2020 SMP-S4

Université Abdelmalek Essaadi

Faculté Polydisciplinaire de Larache

TRAVAUX PRATIQUES

SMP – S4
Année Scolaire : 2019-2020

KHAOULA
CHETOUA
N
CHAIMAE
1
BAACHOU
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Sommaire

LES DIODES : Diode à Jonction – Diode Zener

 Diode à jonction
 Généralités
 Caractéristique Id(Vd) d’une diode
 Caractéristique directe
 Caractéristique inverse
 Exploitation de la caractéristique Vd(Id)
 Diode Zener
 Généralités
 Caractéristique de la diode Zener
 Caractéristique directe
 Caractéristique inverse
 Exploitation de la Caractéristique
 Visualisation des caractéristiques
 Diode à jonction
 Diode Zener
 Applications
 Diode à jonction
 Redressement mono – alternance
 Redressement bi – alternance
 Filtrage
 4.2. Diode Zener
 Stabilisateur de tension
 Montage érecteur

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Le Transistor bipolaire

 Généralités

 Le transistor NPN

 Réseaux de caractéristiques d’un transistor NPN

 Réseaux d’entrée

 Réseaux de transfert en courant

 Réseaux de sortie

 Paramètres hybrides

 Manipulation

 Caractéristique d’entrée

 Caractéristique de sortie

 Caractéristique de transfert en courant

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 LES DIODES

Diode à jonction – Diode Zener

BUT

Le but de cette manipulation est de :

 Tracer les caractéristiques courant/tension de la diode à jonction et diode Zener.

 Voir des exemples de leurs applications.

I. DIODE A JONCTION
1. Généralité

Une diode est un composant électronique non linéaire formée d’une jonction PN. Elle ne laisse passer le courant
électrique que dans un seul sens (de l’anode vers la cathode).

Symbole d’une diode

En règle générale (sur un composant neuf) la patte correspondant à la borne + est plus longue et la borne – porte
un trait rappelant le trait du symbole réelle est souvent de cette forme :

Caractéristiques d’une diode

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Grandeurs caractéristiques

Les grandeurs électriques caractéristiques d’une diode à jonction sont :

 Le courant direct moyen

 Le courant direct maximal
 Le courant inverse maximal

Applications

Parmi les applications d’une diode à jonction ; le redressement, la protection, la réalisation des fonctions logiques.
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2. Caractéristique Id(Vd) d’une diode

2.1 Caractéristique directe

En faisant varier E à partir de 0 V, fixer Vd et relever le courant Id correspondant. Veiller à ne pas dépasser un
courant de 70 mA.

Vd(V) 0,1 0,25 0,4 0,5 ... 0,7

Id(mA)

2.2 Caractéristique inverse

En faisant varier E a partir de 0V, relever Vd et Id. Ne pas dépasser une tension Vd de 10V.

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Vd(V) 1 2 3 4 5 ...

Id(mA)

2.3 Exploration de la caractéristique Vd(Id)

 Tracer sur le même graphe les caractéristiques directes et inverse de la diode.
 Approcher la caractéristique directe par deux demi- droites.
 Déterminer Vdo et rd du schéma équivalent de la diode directe.

 Quel est le schéma équivalent de la diode inverse.

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II. DIODE ZENER

1. Généralités

La diode Zener est une diode à jonction, qui permet la circulation d’un courant en inverse sous une tension
quasi-constante Vz. En direct, la diode Zener est identique à une jonction.

Caractéristiques d’une diode Zener

Symbole d’une diode Zener

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Grandeurs caractéristiques

Une diode Zener est caractérisée essentiellement par :

 La tension inverse Vz,

 La puissance Pz(Pz=Vz.Iz).

Applications

La diode Zener est très employé pour la stabilisation et la protection des entrés des circuits électroniques.

2. Caractéristique de la diode Zener

2.1 Caractéristique directe

Relever la tension Vd et le courant Id correspondant en faisant varier E.

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Ne pas dépasser un courant Id de 70 mA.

2.2 Caractéristique inverse

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Relever, en faisant varier E, Vd et Id correspondant. Ne pas dépasser un courant Id de 30 mA.

2.3 Exploitation de la caractéristique

 Tracer sur le même graphe les caractéristiques directes et inverses de la diode Zener.
 En adoptant comme schéma équivalent de la diode Zener en inverse le schéma ci-dessous, déterminer
Vz et rz.

 Quel est le schéma équivalent de la diode inverse.

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3. VISUALISATION DES CARACTERISTIQUES

L’oscilloscope permet sur la postions X-Y la visualisation de Vch2 en fonction de Vch1, Vch2(Vch1) avec :

 Vch1 : Tension appliqué à la voie 1.

 Vch2 : Tension appliqué à la voie 2.

On peut donc visualiser aisément la caractéristique I(V) d’un composant, la tension prise aux bornes d’une
résistance placée en série avec le composant permet de voir l’image du courant I qui le traverse.

Attention : Les masses des deux voies de l’oscilloscope sont connectés, il faut impérativement que les deux
tensions Vch1 et Vch2 aient un point commun. Ce point sera relié à la masse l’oscilloscope.

3.1 Diode à jonction

Paramètres du GBF :

 Signal triangulaire ;
 Amplitude crête à crête V ;
 Composante continue ;
 Fréquence Hz
3.2 Diode Zener

Paramètres du GBF :

 Signal triangulaire ;
 Amplitude crête à crête V ;
 Composante continue ;
 Fréquence Hz

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4. APPLICATIONS

4.1. Diode à jonction

a. Redressement mono alternance

 Choisir sur le GBF la fonction Sinusoïdale, la fréquence 50 Hz.

 Régler l’amplitude de Ve à 12V.
 Visualiser simultanément sur l’oscilloscope les tensions Ve et Vs.
 Tracer l’allure de Ve et Vs. Interpréter

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b. Redressement bi-alternance

Dans ce type de redressement, on a besoin de quatre diodes à jonctions identiques.

 En gardant la même tension d’entrée que précédemment, visualisé uniquement la tension Vs.

Attention : on ne peut pas visualiser simultanément les deux tensions Ve et Vs, car on va court-circuiter la
diode D2 (masses connectées de l’oscilloscope).

 Comparer les deux montages (forme de Vs).

 Quels sont les intérêts de ce montage par rapport au précédent (forme de Vs, sa valeur moyenne et
efficace...).

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4.2 Diode Zener

4.2.1 Stabilisateur de tension

On propose d’étudier la stabilisation de la tension de sortie Vs pour :

 Une tension de la charge Vs(Is)

 Une fluctuation de la tension E

a. VARIATION DE LA CHARGE
 Fixer E à 15V
 Faites varier la charge et relever le courant Is et la tension Vs
 Tracer Vs(Is).
 Conclure
b. FLUCTUATION DE L’ENTREE
 Fixer Rch à 100
 Faites varier E autour de 15V, et relever Vs.
 Conclure

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Le Transistor Bipolaire

BUT

Le but de cette manipulation est le tracé des réseaux de caractéristiques d’un transistor bipolaire et leur exploitation
dans la détermination de ces différents paramètres.

1. Généralités

Un transistor est constitué de trois zones de semi-conducteur de connectivités différentes et alternativement opposées
formant deux jonctions. Deux structures sont possibles : PNP et NPN. Leur fonctionnement est identique, seuls
les sens de courants et des tensions sont inverses.

1.1. Le transistor NPN

Il est représenté par le symbole suivant :

Nous avons : IB + IC = IE
VE + VCB + VEC = 0

1.2. Réseaux de caractéristiques d’un transistor NPN

Le schéma ci-dessous représente les réseaux de caractéristiques d’un transistor NPN

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1. Réseau de sortie : IC = f(VCE) à IB = Cte

2. Réseau d’entrée : IB = f(VBE) à VCE = Cte
3. Réseau de transfert en courant IC = f(IB) à VCE = Cte
4. Réseau de transfert en tension : VBE = f(VCE) à IB = Cte

Pour tracer les caractéristiques d’un réseau, on prend une grandeur en fonction d’une autre tout en gardant une
troisième fixe.

a. Réseau d’entrée : IB = f(VBE) à VCE = Cte

Il représente l’évolution du courant de base IB en fonction de la tension entre la base et l’émetteur VBE. C’est la
caractéristique d’une diode à jonction.

b. Réseau de transfert en courant : IC = f(IB) à VCE = Cte

Le courant qui parcourt le collecteur IC est proportionnel au courant de base IB. C’est l’effet amplificateur du
transistor.

c. Réseau de sortie : IC = f(VCE) à IB = Cte

Pour un courant IB donne, le courant collecté IC reste constant même si VCE varie. Le réseau de sortie est donc
un réseau de courbes sensiblement parallèle paramétré par IB.

1.3. Paramètres hybrides

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Le transistor peut être considéré comme un quadripôle pour les faibles signaux.

vbe = h11 ib + h12 vce ic = h21

ib + h22 vce

Tel que :

 h11 = Re = (Δvbe /Δib)vce=cte Résistance d’entrée

 h12 = (Δvbe /Δvce)ib=cte Coefficient de réaction interne
 h21 = = (Δic /Δib)vce=cte Coefficient d’amplification de courant
 h22 = 1/Rce = (Δic /Δvce)ib=cte Conductance de sortie

2. Manipulation

2.1 Caractéristiques d’entrrée VBE = f(IB) VCE = Cte Montage

En variant la tension VBB, mesurer la tension VBE pour différentes valeurs de IB ;

IB (µA) 0 50 100 150 200 250

VBE(mV)

 Tracer la courbe VBE = f(IB).

 Déterminer la valeur de IB à partir de laquelle VBE peut être considérée comme égale à 0,6 V.
 Déterminer la résistance d’entrée Re = (Δvbe /Δib)vce=cte
 Conclusion

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2.2 Caractéristique de sortie Ic = f(VCE) IB =

Cte Montage

 Fixer IB
 En variant la tension Vcc, mesurer Ic pour différentes valeurs de VCE.

IB = 100 IC(mA)
µA

VCE(V) 2 4 6 8 10 12

IB = 200 IC(mA)
µA

VCE(V) 2 4 6 8 10 12

 Tracer la courbe IC = f(VCE)

 Déterminer Rs = (Δvce /Δib)ib=cte
 Conclusion
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2.3 Caractéristique de transfert en courant Ic = f(IB) VCE =

Cte Montage

 Fixer VCE
 En variant la tension Vcc, mesurer Ic pour différentes valeurs de IB.

VCE = 5 V IC(mA)

IB(µA) 2 4 6 8 10 12

VCE = 10 V IC(mA)

IB(µA) 2 4 6 8 10 12

 Tracer la courbe IC = f(IB)


Déterminer le coefficient d’amplification en courant β = (Δic/Δib)vce=cte

Conclusion

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