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Travaux Dirigés

Ce document contient deux exercices sur les transistors. Le premier exercice porte sur un montage à deux étages de transistors et demande de calculer divers paramètres électriques. Le second exercice porte sur un montage en base commune et demande de déterminer le schéma équivalent, les gains en courant et tension, ainsi que les impédances d'entrée et de sortie.

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Ce document contient deux exercices sur les transistors. Le premier exercice porte sur un montage à deux étages de transistors et demande de calculer divers paramètres électriques. Le second exercice porte sur un montage en base commune et demande de déterminer le schéma équivalent, les gains en courant et tension, ainsi que les impédances d'entrée et de sortie.

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Travaux dirigés

Module  : complément de matière 1


Correction de la série  sur les transistors

Exercice 1 :
Le montage de la figure suivante est formé de deux étages à transistor. T1 et T2 sont
deux transistors identiques de gain en courant β et de même tension base-émetteur.
1) Calculer IB1 en fonction de VE2M, VB1M et RB.
2) Calculer VB1M en fonction de R1, β, IB1 et VB1E1.
3) En supposant IB2 négligeable devant IC1,
calculer VE2M en fonction de VCC, R2, β, IB1
et VB2E2.
4) En déduire l'expression de IB1 en fonction
de VCC, VB1E1, VB2E2, β, RB, R2 et R1.
Donner sa valeur numérique sachant que :
β = 100 ; VB1E1 = VB2E2 = 0,5V ; VCC = 12V ; RB
= 180kΩ ; R1 = 1kΩ ;
R2 = 8,2KΩ ; R3 = 3,3kΩ et R4 = 4,7KΩ.
5) Calculer : IC1 et IC2.
6) Calculer : VCE1 , VCE2 , VE1M et VE2M.

1) D’après la figure suivante on a :


VE2M = VE2B1 + VB1M = RBIB1 + VB1M
V E 2 M −V B 1 M
I B 1=
RB

2) D’après la figure on a :


VB1M = R1IE1 + VB1E1
On sait que : IE1 = ( + 1) IB1
VB1M = R1( + 1)IB1 + VB1E1
3) D’après la loi des mailles on a :
VCC = R2IC1 + VB2E2 + VE2M
VCC = R2  IB1 + VB2E2 + VE2M
VE2M = VCC - R2  IB1 - VB2E2
4) L’expression de IB1 est :

Donc

IB1(RB + (R2 + R1) ) = VCC – 2VBE ( + 1   et VB1E1 = VB2E2 = VBE)

Alors IB1 = 10 µA
5) Calcul de IC1 et IC2.
IC1 = IB1 IC1 = 1mA
IC2 = IB2 IB2 ?
VCC = R2(IB1 + IB2) + VBE + R3(( + 1)IB2 – IB1)
VCC = (R2 - R3)IB1 + VBE + (R2 + R3( + 1))IB2

AN : IB2 = 10A

Et IC2 = IB2 IC2 = 1mA


6) Calcul : VCE1 , VCE2 , VE1M et VE2M .
La loi des mailles donne :
VCC = R2(IC1 + IB2) + VCE1 + R1( + 1)IB1
VCE1 = VCC - R2(IC1 + IB2) - R1( + 1)IB1
AN : VCE1 = 2,8V
VCC = R4IC2 + VCE2 + R3(( + 1)IB2 - IB1)
VCE2 = VCC - R4IC2 - R3(( + 1)IB2 - IB1)
AN : VCE2 = 4V
VE1M = R1( + 1)IB1 AN : VE1M = 1V
VE2M = R3(( + 1)IB2 - IB1) = R3IB AN VE2M = 3,3V

Exercice 2 : (Montage base commune)


Soit le montage base commune à base d’un
transistor. On utilisera on dynamique le
transistor en émetteur commun où h12 = h22 = 0
(figure suivante) :
1) Donner le schéma équivalent du
montage en dynamique et simplifier ce
schéma.
2) Calculer le gain en courant du montage.
3) Calculer le gain en tension du montage.
4) Calculer l’impédance d’entrée du montage.

Calculer l’impédance de sortie du montage.

1) Le schéma équivalent du montage en dynamique set le suivant :


Equations d’entrée du montage :
Ve = - h11IB Ve = REIE
Ie + IB + IB = IE Ie = IE - IB( + 1)
Equations de sortie du montage :
Vs = RCIB
Déterminons Ai, Av, Re et Rs
2) Calcul du gain en courant

β IB
Ai=
I E −(β +1) I B

−h11
- REIE = h11IB → I E=
RE B
I

−β R E
Ai=
h 11+ ( β +1 ) R E

Avec 0<Ai<1

3) Calcul du gain en tension

4) Calcul de la résistance de sortie


Vs
Rs= =Rc
Is

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