Série n°3
– Exercice N° :01
Une plaquette en Si dopé avec 1017 cm−3 atomes de As , la longueur de la plaquette est de 100µm
,de largeur 10µm et d’épaisseur de 1µm
– Calculer la résistance de cette plaquette ?
– ExerciceN° :02
Un semi-conducteur au Si de type N de longueur 2 mm et de section de 1 mm2 .
Sa résistance à T=300°K est de 100Ω :
1. Calculer la résistivité du semi-conducteur ?
2. La concentrations des porteurs majoritaires et minoritaires ?
3. A quelle température T1 , le nombre d’électrons provenant de la rupture des liaisons de
valence est-il égale au nombre d’électrons provenant de l’ionisation des donneurs.
Nc et Nv sont supposées indépendantes de la température
On donne : Eg = 1, 12 eV , µn = 1, 4 103 cm2V −1 s−1 ,µ p = 0, 5 103 cm2V −1 s−1 , NC = NV =
2, 5 1025 m−3 et k = 1, 38 1023 JK −1
– ExerciceN° :03
Une jonction PN abrupte au Germanium (Ge) est dopée d’un côté avec 1020 atomes de Bore par
m3 et de l’autre côté avec 1021 atomes de Phosphore par m3 .
Si Eg = 0, 66 eV à T=300°K ,NC = 1, 04 1019 cm−3 , NV = 6 1018 m−3 et εr = 16 calculer :
1. La concentration intrinsèque ni ?
2. La concentration en majoritaires et minoritaires de chaque côté ?
3. Le potentiel de diffusion Vφ ?
4. La largeur de la ZCE ?
– ExerciceN° :04
Une jonction PN abrupte au (Si) est dopée d’un côté avec 1014 atomes de Bore par m3 et de l’autre
côté avec 1015 atomes de Phosphore par m3 .
Si Eg = 1, 12 eV à T=300°K , NC = 2, 8 1019 cm−3 , NV = 1, 04 1019 m−3 et εr = 11, 8 ,calculer :
1. La concentration intrinsèque ni ?
2. La concentration en majoritaires et minoritaires de chaque côté ?
3. Le potentiel de diffusion Vφ ?
4. La largeur de la ZCE ?
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