Licence Appliquée en Énergétiques et Énergies Renouvelables

L3 LAEER- Université de Djibouti

TP 1 : Modélisation et simulation d’un panneau photovoltaïque sous Matlab/Simulink
Responsable : M. Hamza ABDI FARAH
Durée : 2 séances (4 heures)

Objectif
La modélisation mathématique des générateurs photovoltaïques est indispensable pour l’étude
ou l’optimisation du rendement du générateur photovoltaïque. Le module photovoltaïque est
représenté généralement par un circuit équivalent dont les paramètres sont calculés expérimen-
talement en utilisant la caractéristique courant-tension. Ces paramètres ne sont généralement
des quantités mesurables ou incluses dans les données de la fabrication. En conséquence, ils
doivent être déterminés à partir des systèmes des équations I-V à divers points de fonctionne-
ment donnés par les constructeurs ou issus de la mesure directe sur le module. La modélisation
du générateur photovoltaïque s’impose comme une étape cruciale et a conduit à une diversifi-
cation dans les modèles proposés par les différents chercheurs.

Dans ces travaux pratiques, on va s’intéresser sur la modélisation et la simulation de tous

les éléments du système photovoltaïque sous le logiciel MATLAB/SIMULINK en utilisant des
équations mathématiques.
L’objectif de ce TP se résume en trois points :

• Se familiariser avec le logiciel MATLAB/SIMULINK.

• Concevoir un modèle équivalent de PV d’un générateur photovoltaïque.

• Obtenir les caractéristiques I-V et P-V d’une Centrale photovoltaïque sous insolation
solaire uniforme

Consignes
Toutes les commandes Matlab seront inscrites dans un fichier de commande (script) que vous
exécuterez. Pensez à commenter vos scripts de façon détaillée. Pensez à ajouter une introduction
et une conclusion détaillée à votre compte-rendu (2 points). Tous les graphes que vous présentez
dans votre compte-rendu doivent être correctement commentés pour qu’ils soient pris en compte
dans la notation. Le compte-rendu doit être envoyé par mail à : [email protected] sous
la forme d’un dossier comprenant le compte-rendu (format PDF) et l’ensemble des codes sources
Matlab-Simulink pleinement fonctionnels. N’oubliez pas d’indiquer les noms de votre binôme
de TP.
Attention ! !
Travailler en groupe est encouragé, cependant :

• si votre compte-rendu est identique à l’un d’une année précédente votre note sera de 0/20 ;

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 • si deux comptes-rendus sont identiques, la note de chaque compte-rendu sera divisée par
deux.

Description du modèle utilisée

On rencontre dans la littérature plusieurs modèles dont la précision reste tributaire de la
modélisation mathématique des différents phénomènes physiques intrinsèques intervenant dans
le processus de production d’électricité.
Dans le cadre de ce TP nous utiliserons le modèle simple diode qui est le modèle qui repré-
sente le comportement électrique de la jonction P-N. Ce modèle est basé à une diode avec les
cinq paramètres d’un modèle PV à savoir une diode caractérisant la jonction , une source de
courant (Iph)caractérisant le photo-courant, un courant de saturation inverse de la diode (Is)
,une résistance série (Rs) représentant les pertes par effet de joule et une résistance shunt (Rsh)
caractérisant un courant de fuite très élevé par rapport à la résistance série.

Le schéma équivalent d’une cellule photovoltaïque peuvent être schématisé ci-dessous :

Figure 1 – Circuit équivalent d’une cellule PV

L’équation caractéristique est déduite à partir de la loi de Kirchhoff :

Ipv = Iph − Id − Ish (1)

Le courant de la diode se calcule par la relation suivante :

q.v
Id(v) = Is (exp( ) − 1) (2)
A.k.T
Avec :

• A : Facteur de qualité

• Is : Courant de saturation de la diode

• q : charge d’électron=1.602.1019 (C)

• k : constante de Boltzman=1.38.1023 (J/K)

Le photocourant créé par la cellule est exprimé de la façon suivante :
G
Iph = (Isc, n + Ki ∆T ) (3)
Gn

2
Avec :

∆T = T − T n (4)

• G : Ensoleillement mesuré

• Gn : Ensoleillement nominal

• T : Température mesurée

• Tn :Température nominale

Le courant traversant la résistance de shunt est donné par la relation ci-dessous.

V + Ipv Rs
Ish = (5)
Rsh
Le courant de saturation de la diode supposé variable avec la température selon l’expression
suivante :
Tc 3 q.Eg 1 1
Is = Isref ( ) exp[( ( − )] (6)
Tref A.k Tref Tc
• Is : courant de saturation de la diode

• q : charge d’électron1.602.1019 (C)

• k : constante de Boltzman1.38.1023 (J/K)

• Eg : largeur du gap (eV)

• A : facteur de qualité

Avec Isref , le courant de saturation référence est exprimé par cette relation :

Iccref
Isref = q.V ocref
(7)
(exp( n.N s.K.Tref ) − 1)

Le courant électrique produit par la cellule est donc :

Vpv + Iph .Rs Vpv + Iph .Rs
Ipv = Iph − Is (exp − 1) − ( ) (8)
Vt .n Rsh
Avec :
Iph : photo-courant du module.
Is : courant de saturation inverse de la diode.
n : Facteur d’idéalité de la jonction comprise entre 1 et 2.
Vt : est la tension thermique du module pour un nombre Ns : de cellules en série et définie par :
Ns .K.T
Vt = (9)
q
N oct − 20
Tc = Ta + φ × ( ) (10)
800
Avec :
Ta : température ambiante (K)
φ : flux lumineux (w/m2 )

3
Noct : condition de température nominale de la cellule donnée par le constructeur(K).

La description et les valeurs des différents paramètres mentionnés ci-dessus sont données
dans le tableau suivant.

Paramètres Description Valeurs Paramètres Description Valeurs

Voc Tension de circuit ouvert 32.9V T Température ambiante 28˚C
Isc,n courant de court circuit 8.21A Tn Température nominale 25˚C
k constante de Boltzman 1.38 ∗ 10−23 q charge d’électron 1.6 ∗ 10−19
Ns Nombre des cellules en série 54 n Facteur d’idéalité 2
NP Nombre des cellules en para 1 Rs Résistance en série 0.221 ohm
G Ensoleillement mesuré 800 Rp Résistance en parallèle 414 ohm
Gn Ensoleillement nominale 1000 Eg bande d’énergie du gap 1.12 eV
Kv coefficient de tension −0.1230 Ki coefficient de courant 0.0032

Création d’un modèle du panneau photovoltaïque sous Mat-

lab/simulink
Création d’une boite noire
Les étapes à suivre pour la modélisation du module photovoltaïque :

1. Lancer Matlab et créer un répertoire de travail

2. Lancer Simulink ensuite aller dans file puis new model. Une fenêtre doit apparaître et
elle va nous permettre de créer notre modèle de panneau photovoltaïque.

3. On va travailler avec des composants disponibles dans la library simscape du Simulink

(si vous ne connaissez pas l’emplacement d’un composant il suffit juste d’écrire son nom
dans le barre de recherche).
4. Enregistrer le nouveau modèle dans le dossier que vous aviez créé précédemment dans le
bureau. Nommez-le.

5. Nous allons commencer à définir les constants pour cela il faudra cliquer sur file −→
model properties −→ callbacks ensuite une fenêtre va apparaitre on clique sur −→ InitFcn
c’est dans cette fenêtre que nous allons définir constants qui sont dans les données du fabricant.

4
6. Nous allons modéliser l’équation de saturation en utilisant des blocs des fonctions.

5
 7. À partir de l’équation 7 modéliser le courant de saturation référence sous Simulink .

8. En se basant l’équation 5 modéliser modéliser mathématiquement sous Simulink le cou-

rant traversant la résistance de shunt.

9. Établir le modèle du photocourant sous simulink (équation 3).

10. Insérer l’équation 8 le courant électrique produit par le panneau sous Simulink .

11. Créer une boite noire pour l’équation de la saturation pour cela on sélectionne l’ensemble
du schéma du courant de la saturation puis on clique sur le bouton droit de la souris −→ create
subsytem. Si on double-clique sur la boite noire, on doit voir apparaître dans une fenêtre le
modèle qui a été élaboré auparavant.

12. Créer une boite noire pour le modèle de courant de saturation inverse de la diode .

13. Créer une boite noire pour le modèle de courant traversant la résistance de shunt.

6
 14. Créer un sous système pour le modèle du photocourant établit précédemment.

15. Même question pour le modèle du courant électrique produit par le panneau.

16.Une fois terminer les sous-systèmes ainsi de tous les modèles des équations nous allons
insérer une rampe en configurant avec un slope 10.

17. Relier toutes les entrées du modèle comme la montre la figure suivante :

18. Faire un sous-système de la figure ci dessus, on aura un panneau qui a comme entré
l’irradiation ou l’éclairement énergétique (la puissance du rayonnement solaire reçue sur terre

7
sur une surface de 1m2 ) et la température. Il a également comme sortie le courant et la
tension. On doit l’insérer également XY graph qui affiche un tracé X-Y de ses entrées dans
une fenêtre de figure MATLAB.Le bloc a deux entrées scalaires. ce dernier trace les données
dans la première entrée (la borne x qui correspond dans notre cas la tension générée par le
module PV) par rapport aux données dans la deuxième entrée (la borne y qui représente pour
notre cas le courant généré par le panneau). Ce bloc est utile pour examiner les cycles limites
et d’autres données à deux états.

Pour paramétrer l’outil de visualisation de graphe, il faut effectuer un double clic sur le XY
graph.

Après avoir exécuter le modèle en temps réel, l’outil To workspace va nous permettre
d’enregistrer les données dans l’espace de travail MATLAB donc on pourra tracer les données
dans la commande windows du MATLAB. Configurer les 2 blocs To workspace comme ci-
dessous :

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19. Lancer la simulation en appuyant sur l’icône Run pour un éclairement énergétique de
2
1000W/m et pour une température de 25˚C. Relever les valeurs de la tension, du courant et
de la puissance produite par le panneau.

20. Fixer l’irradiation à 800W/m2 et la température à 25˚C ensuite reporter les paramètres
caractéristiques du module PV dans le tableau suivant :

Paramètres du module PV Valeurs du constructeur valeurs de simulation pour G=800 pour T=25˚C
Vco (V) 32.9
Pmax (W) 210
Icc (A) 8.21
Vmpp (V) 26.6
Impp (A) 7.90

Table 1 – Comparaison des valeurs données par le constructeur et celles issus de la simulation
Faire la comparaison avec les valeurs de la constructeur puis calculer l’écart relatif entre la
valeur de la puissance maximale simulée et la valeur de la puissance maximale attendue.

21. Refaire la simulation en prenant 500W/m2 de l’ensoleillement puis calculer l’écart relatif
entre la valeur de la puissance maximale simulée et la valeur de la puissance maximale attendue.
Analyser le comportement du système et interpréter les résultats ?

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 22. Décrire l’influence de l’éclairement énergétique sur la puissance produite par le panneau
solaire.

23. Refaire la simulation en réglant la température du panneau à 28˚C puis à 32˚C en

fixant l’irradiation à 1000W/m2 . Reporter les paramètres caractéristiques du module PV dans
un tableau. Analyser le comportement du système et interpréter les résultats

24. Décrire l’influence de la température du panneau sur la production.

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