IngéSpé : Electronique analogique

Etude d’un amplificateur à transistor bipolaire par simulation

On se propose d’étudier le montage amplificateur de la figure suivante et dans lequel :

R1=62k ; R2=10k ; RC=2.7k ; RE1=100 ; RE2=470 ; RL=12k ; C1=C2=C3=47uF

Le gain en courant du transistor est 0=212. En régime continu, la tension base-émetteur VBE est
approximée à 0.6V.

VCC= 15 V
IC
R1 RC
C2
C1
IB 2N2222
VCC

Rg RE1
R2 Vs RL
Ve
eg
RE2
C3

A/ Etude théorique :

1/Etude en régime continu :

Seul le générateur de tension continue VCC est impliqué. Le générateur d’entrée eg est
neutralisé.

Que devient alors le schéma du montage (à représenter).

Calculer: IC, IB, VCE qui définissent le point de repos ou point de fonctionnement

On rappelle :

R2
VCC -VBE0
R1+R2
IC = , avec VBE0  0.6V
R1//R 2
+RE
β0

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RE est la résistance d’émetteur qui vaut dans ce cas RE1+RE2.

On pourra vérifier que R1//R2)/β0 est négligeable devant RE pour pouvoir le négliger.

Calculer la valeur de la résistance dynamique r.

2/ Régime sinusoïdal
2/1- Le condensateur C3 est enlevé (résistance d’émetteur non découplée)

Le point de fonctionnement est-il modifié ?

Calculer la valeur du gain en tension théorique à vide (sans RL) Av0, donné par la formule :

V   .RC
AV 0   S  
 Ve  RL  r   RE

r étant la résistance dynamique de la diode base-émetteur (calculée précédemment) et RE=RE1+RE2

Calculer la valeur du gain en tension en charge (avec RL) donné par la formule :

V   .( RC // RL )
AV   S   
 Ve RL r   RE

2/2- Le condensateur C3 en parallèle avec RE2 (résistance d’émetteur partiellement

découplée).

RE1

RE2 C3

Justifier pourquoi la polarisation ne change pas.

Calculer l’impédance ZC du condensateur C3 à la fréquence f=1000Hz et justifier qu’on peut

approximer RE1+RE2//ZC par RE1.

L’expression du gain en tension en charge Av s’écrit :

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 V   .( RC // RL )
AV   S   
 Ve RL r   RE1

Calculer la valeur du gain en charge Av.

2/2- Le condensateur C3 en parallèle avec RE1+RE2 (résistance d’émetteur totalement

découplée).

RE1

C3
RE2

L’expression du gain en tension en charge Av s’écrit :

V   .( RC // RL )
AV   S   
 Ve RL r

Calculer la valeur du gain en charge Av.

B/ Simulation avec LTSPICE

Lancer le logiciel LTSPICE IV en cliquant sur l’icône situé sur le bureau ou en allant sur le menu démarrer.

Répondez NON à la demande de mise à jour

Vous devez répondre aux questions posées en vous aidant avec les résultats graphiques donnés
par la simulation

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I/ Etude en régime continu ou statique :
Les fichiers concernés par le TP se trouvent dans le répertoire TP_BJT_simul_2018 situé dans
votre domaine de sauvegarde (spéXX sur M).

Ouvrir le fichier BJT_POLARISATION.asc.

Régler les paramètres pour une simulation temporelle sur 2ms avec un pas de 100n

Lancer la simulation (click sur le bonhomme) et représenter en couleur noire la courbe du

courant collecteur IC seul: on prendra soin de prendre un fond d’écran (background) blanc
comme expliqué ci dessous. Relever la valeur de IC.

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 IC= ?

Comment changer le fond d’écran, la couleur et l’épaisseur des courbes ?

Cliquer sur la figure des courbes

Aller dans menu-control panel- Sélectionner waveform

Sélectionner la fenêtre ‘color scheme’

Couleur et épaisseur de trait d’une courbe

TRACE(V1) correspond à la 1ère courbe demandée en

Affichage.

On régle la couleur avec les 3 curseurs : complétement à gauche donne la couleur noire et
complétement à droite la couleur blanche.

Couleur de l’arrière plan(background)

Sur la même mini fenêtre, à la place de Trace V1, on peut sélectionner ‘Background’ et choisir une
couleur de fond d’écran.

Comment représenter un courant ou une tension ?

1er cas : on lance la simulation, on vient pointer sur le schéma le point dont on veut connaitre le potentiel,
ou l’élément pour représenter le courant qui le traverse.

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 Représenter VB ou IC

2ème cas : on lance la simulation, on clique droit dans la fenêtre des courbes qui apparait, puis on
sélectionne ‘Add trace’ dans le menu qui apparait.

Dans la nouvelle fenêtre, on peut choisir la grandeur souhaitée (courant ou tension) ou le

multiple de la grandeur (dans l’exemple : IC et 100IB.)

Lorsque le curseur en forme de croix est disposé dans la fenêtre des courbes, la position de ce
curseur par rapport à l’origine peut-être lue en bas à gauche de l’écran. Cela est utile pour
déterminer la valeur des grandeurs.

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Faire de même pour le courant émetteur IE, après avoir supprimé la courbe de courant IC (F5).
Relever sa valeur et comparer avec le courant IC

IE= ?
Faire de même avec le courant IB : relever sa valeur sans exporter la courbe. En déduire la valeur
du gain en courant 0=IC/IB.

IB= ?

 0= ?
En déduire la résistance dynamique au point de repos:

r= ?
Comparer les résultats de simulation avec ceux obtenus par le calcul.

Représenter la courbe donnant le potentiel VC du collecteur. Relever la valeur de VC.

VC= ?
Après avoir supprimé la courbe précédente, représenter la courbe donnant le potentiel VE de l’émetteur.
Relever la valeur de VE.

VE= ?
Après avoir supprimé la courbe précédente, représenter sans l’exporter la courbe donnant le potentiel
VB de la base. Relever la valeur de VB.

VB= ?
Calculer la tension Base-émetteur VBE

VBE= ?
Calculer la tension Collecteur-émetteur VCE

VCE= ?
Comparer avec les résultats supposés (VBE) ou calculés (VCE).

II/ Simulation en régime sinusoïdal, résistance d’émetteur non découplée.

Ouvrir le fichier TP_BJT_dyn1. Remarquer que le condensateur de découplage de la résistance
d’émetteur n’est pas mis.

On applique à l’entrée une tension eg d’amplitude 10mv et de fréquence 1kHz.

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Faire les réglages pour une simulation temporelle (transcient) sur 3 périodes avec un pas de calcul de
100nS.

Détermination du gain à vide Av0.

Pour ne pas modifier le montage, on donne à RL une valeur très grande, par exemple 120MΩ,
représentant l’infini ou circuit ouvert.

Pour modifier la valeur d’un composant, on clique droit dessus et on modifie sa valeur : 120meg

Détermination du gain en charge Av.

On redonne à RL la valeur 12kΩ

Représenter la tension de sortie vs aux bornes de RL et la tension d’entrée ve. En déduire le gain en
tension du montage.

Comparer avec les résultats du calcul.

III/ Simulation en régime sinusoïdal, résistance d’émetteur partiellement

découplée.
Ouvrir le fichier TP_BJT_dyn2. La résistance RE2 est découplée.

Le même générateur que précédemment est appliqué à l’entrée.

Représenter sur le même graphe vs(t) et 10*ve(t). Exporter le graph sous word, puis déduire le gain du
montage.

Relevez l’amplitude de la tension de sortie vs(t) et comparer avec les résultats du calcul.

IV/ Simulation en régime sinusoïdal, résistance d’émetteur totalement

découplée.
Ouvrir le fichier TP_BJT_dyn3.

Reprendre toutes les opérations de la question précédente, mais on représentera sur le même graphe, vs
et 100*ve.

V/ Transistor en saturation :
On modifie l’amplitude de eg (click droit sur eg) et on prend | eg|=200mV crête. Représenter vs et 20*ve.

Commenter l’allure de la tension de sortie.