Modèle de Kronig-Penny

But : Description schématique à une dimension d’un cristal.

Possibilités offertes: En dépit de sa simplicité, le modèle permet de comprendre l’existence de

bandes d’énergie permises et interdites.

Solution
1. Solutions de l’équation de Schrödinger
1.1. Région I
2 2 2
  d
Dans cette région, V= 0  H  
2m 2m dx 2
L’équation de Schrödinger est de la forme :

d  2mE
2
 2  0
dx 2 
2mE
En posant 2  2 les solutions sont de la forme :

( x) A exp i (x) B expi(x ) (1)

1.2. Région II
2 2
 d
Dans cette région, V= V0  H  V0
2m dx 2
L’équation de Schrödinger est de la forme :

d  2m( E V 0 )
2
  0
dx 2 2
2m (E V0 )
En posant 2  les solutions sont de la forme :
2
( x) A exp i (x) B expi (x) (2)

N.B. : est réel si E>V0 et est imaginaire si E<V0

2. Expression de III en fonction de C et D

Comme le potentiel est périodique et d’après le théorème de Bloch, on a :
III ( x) II ( x a )  III ( x ) uk (x a)e ik ( x a ) uk (x )e ikx .e ika II ( x )e ika
 
II ( x)

Par conséquent
III ( x) e  C exp i (x) D expi (x )
ika
(3)

3. La séquence des valeurs discrètes que peut prendre le vecteur d'onde k

A partir de la condition cyclique, on obtient :
( x Na ) (x )   u k ( x Na )e ik ( xNa) uk ( x ).e ikx
Comme uk ( x Na ) uk (x )  e ik ( xNa) .e ikx  e ikNa 1  kNa 2n
Par conséquent :
2
k n avec n Z 
Na

4. La condition de continuité et les constantes d’intégration

En écrivant la condition de continuité des fonctions d’onde et de leur dérivée aux points o et c, on
obtient :

II (0) I (0)  A B C D (5)

 (0)  (0)  
'
II I
'
A B 
C D  (6 )
I (c) III (C)  A exp i (c ) B expi(c ) exp i( ka)
C exp i ( c ) D expi( c) (7 )
 (c)  (C)  
'
I
c
III A exp i(c ) B expi (c)exp i (ka)
C exp i( c ) D expi( c) (8 )

Le système (5)-(8) est un système homogène de 4 équations linéaires avec 4 inconnues A, B, C et D.

Ce système ne peut avoir une solution non triviale (A=B=C=D=0) que si le déterminant est nul.
Ainsi, lorsque = 0 on obtient l’équation :
2 2
cos( ka) cos(c). cos( b)  sin(c). sin( b) (9)
2

5. Retrouver la relation E=f (k) des électrons libres

Lorsque V0 0  b  0 et c  a
V0 0  
2mE 2
Dans ce cas, (9) se réduit à cos(ka ) cos(a)  k   E  k 2 (10)
2 2m
L’expression (10) est l’équation de dispersion des électrons libres.

6. Etude du cas qb<<1 et E<V0

6.1. La nouvelle forme de l’expression (9) (équation en a)
Dans le cas où E<V0, le paramètre est imaginaire i.e. :
2m( E V0 ) 
2m (V0 E) 
iq  2 q 2  q 2  2
q (11)
 2
Dans ce cas, l’équation (9) devient :
q 2 2
cos( ka) cos(c).ch (qb)  sin(c ).sh (qb) (12)
2q
Si qb 1  ch(qb) 1 et sh (qb) qb
Par conséquent l’expression (12) devient :
q 
2 2
q 
2 2

cos( ka) cos(c).1  sin(c ).qb  cos( ka) cos(c)  sin(c).b
2q 2 

2m (V0 E ) 2mE 
q et  

2 2
 
 mV 0
cos( ka )  cos( c )  b . sin( c )
2 
mV sin(a)
si b   c  a  cos( ka) cos(a )  2 0 ba.
 a
Cette dernière équation est de la forme:

sin(a)
cos( ka) cos(a ) P. (13)
a

6.2. Expliciter P

D’après ce qui précède, il est clair que :

mV
P  2 0 ba (14)

sin(a)
6.3. Représentation graphique de cos(a) P. dans le cas P=3/2
a
Voir Figure ci-dessous

6.4. En déduire l'existence de bandes d'énergie alternativement permises et interdites

Comme 1 cos( ka) 1, l’équation (13) ne peut avoir une solution que
sin(a)
si 1 P. cos(a) 1
a
Il est clair, d’après le graphe, que les solutions existent uniquement dans les zones ombrées ; ce qui
justifie l’existence de bandes permises séparées par des bandes interdites.

6.5. Le nombre d'états électroniques que peut contenir chacune des bandes autorisées
On déduit, de ce qui précède, que chaque bande permise correspond aux valeurs de ka pour lesquelles :
    
1 cos( ka) 1  ka    k    2n 
a a a Na a
Ce qui donne :
N N
 n 
2 2
Cette dernière expression montre que si N est le nombre de motifs, l’entier relatif n peut prendre N
valeurs. Par conséquent, le vecteur d’onde possède N valeurs discrètes par bande.
Ainsi, chaque bande peut recevoir 2N électrons (2=dégénérescence de spin), soit 2 électrons par motif.

6.6. Le spectre d'énergie quand P tend vers l'infini.

mV
Si P  2 0 ba    V0  

2mE
Comme 1 cos( ka) 1  sin(a)  0  a n  a n
2
Ce qui donne :
2 
2 2
E n (15)
2ma 2
Le spectre est discret, on retrouve le cas d’une particule confinée dans un puits de potentiel infini.
7. La largeur des bandes
7.1. La largeur de la 1ère bande autorisée
sin(a)
Il faut trouver les valeurs de a pour lesquelles la fonction cos(a) P. devient inférieure ou
a
égale à +1 et supérieure ou égale à -1. Les deux valeurs sont respectivement :
2
E min E n 1  (min ) 2 2 eV
2m
(a )min=2 rad et (a )max= 
2
E max E n 1  (max ) 2 4.1 eV
2m
Par conséquent :
E E max Emin 4.1 2 2.1eV

ère
7.2. La largeur de la 1 bande interdite
Le retour de la fonction à la valeur -1 s’opère à(a ) max =3.5 rad 
’

2

E ' max  (' max ) 2 5.1 eV
2m
Par conséquent la largeur de la bande interdite est ::
E g E ' max E max 5.1 4.1 1 eV

8. Donner l'expression puis la valeur numérique de la masse effective m* des particules situées
au sommet de la première bande autorisée

2mE 2
On   E  2
2 2m

dE dE d dE 2 d
    
dk d dk dk m dk

d 2E d 2 d 2 d d 2 d 2
      2 (16)
dk 2
dk m dk  m dk dk m dk

En différenciant l’expression :
sin(a)
cos( ka) cos(a ) P.
a
On obtient :
 a(a) cos(a) a sin( a) 
a sin( ka) dk  P a sin(a)
d
(a )
2
 
Ce qui donne :
d a sin( ka)
 (17)
dk  a(a) cos(a) a sin(a ) 
P a sin(a) 
 (a) 2

Au sommet de la première bande on a :
d
cos( ka) 1 et a   0 (18)
dk a

En différenciant (17), on obtient :

d  a cos( ka )
2 2

dk 2  a(a) cos(a) a sin(a) 
P a sin(a)
 (a) 2


Ce qui donne :
d 2 a2 
  a (19)
dk a   a()  P
2

P 2
 () 

D’après (16) et (18) on a :

d E  d 
2 2 2
  2 (20)
dk 2 m dk

Comme :
1 1 d 2E 1 2 d 2 1 d 2
     
m  2 dk 2 2 m dk 2  m dk 2

Au sommet de la bande de on a, d’après (19) :

1 1   a 2 2

  a    
m m P  mP mP P3 3m
2

Par conséquent :
 3m 31
m  0.48m 4.37 10 kg
2
Exo.1
1.1. Représenter l’édifice cristallin


a

b

1.2. Déterminer le taux de compacité surfacique.

r 2 
2
S a 
 occupée 2. 2   
Stotale a  2 2  
 2.  0.785
a  a2 4
4r a 2  r 
2 2 

1.3. Le facteur de structure.

Fhk f j exp 2i(h.x j k .y j ) 
 h k 
f 0 f 1 2 exp2i (  )
j  2 2 
f 0 f 12 exp
i (h k )f 0 f 0 exp i (h k )f 0 1 exp 
i (h k ) 

1.4. Calculer l’angle de Brague


2.d hkl sin() n sin() n.
2.d hkl
1.50
A.N. sin() n 1  0.296  17.22
2 2.53
1.5. Déterminer les indices de Miller

Les points d’intersection sont : 

, 1, 1

Les indices de Miller sont : 

1, 1, 1
Exo.2
2.1. Déterminer les abscisses des intersections des plans
Les coordonnées d’intersection sont respectivement :
1, , 
, 1, 1, 
, 1, 1, 1
, 1 , 
2 , 1

2.2. En déduire les indices de Miller

Les indices de Miller sont donc :
100, 110 , 
111 ,  201
ème
2.3. La distance réticulaire pour le 3 cube
a 5.43 5.43
d hkl    3.135 A
h k l 1 1 1
2 2 2 2 2 2
3

er
2.4 L’angle de diffraction du 1 ordre
  5
2d hkl sin() n sin() n  sin() n 1   0.797  52.88
2d hkl 2d hkl 2 3.135

Exo.3
3.1. La hauteur de barrière de diffusion
kT N A N D  1.38 10 23  300  10 2410 21 
V D  Ln  n2 
 Ln
(1.45 1016 ) 2 
0.76 V
e  i  1.6 10 19  

3.2. Les largeurs xn et xp

2s N AV D 2 11.9 8.85 10 1210 240.76
xn  . 
106 m 1µm
e N D ( N D N A ) 1.610 10 (10 10 )
19 21 21 24

2s N DV D 2 11.9 8.85 101210210.76

xp  . 109 m 1nm
e N A ( N D N A ) 1.610 1910 24 (10 21 1024 )

3.3. La largeur de la Z.C.E.

W xn x p x n 1µm

3.4. Pourquoi xn >xp

De la condition de neutralité : N A x p N D x p 
 x n x p
et comme N D N A 

Exo.4
4.1. La longueur d’onde maximale
hc hc 12400
hmin E g  E g  max   max  11071.4 A1.10714 µm
max Eg 1.12
4.2. La position de EF par rapport à EC
N C  23 3.22 10 25 
E F EC kTLn 
N  C E  1 . 38 10 
300 Ln 
 1022  E C 0.2eV
 D  
4.3. La concentration des porteurs minoritaires.
n.p n i 
2
n2i 
1.45 1016
2
 3
 p   2.1 10 cm
4

n N D  ND 1022

4.4 La conductivité
enµn epµp enµn 1.6 101910 220.14 224 1 m 1

Exo.5
q( N D n p N A )
Simplification de l’équation de Poisson : V 
0 s
5.1. ZCE coté p
qN
V  A
0 s
5.2. ZCE coté n
qN D
V 
0 s
5.3. Dans la région neutre du coté n.
q( N D n)
V 
0 s
5.4. Dans la région neutre du coté p.
q( p N A )
V 
0 s

Exo.6
6.1. La relation qui relie D et µ
kT
D
m 
 D kT
 
e  µ e
µ
m  

6.2. Le nom de la relation

D kT
La relation  s’appelle l’équation d’Einstein
µ e
6.3. L’utilité de cette relation
L’équation d’Einstein permet la détermination de l’une des deux grandeurs, D et µ, connaissant l’une
d’elles.
6.4. La constante de diffusion des électrons dans GaAs

1.38 10 
23
D kT kT 300
 D  µ  
0.85 0.022 m 2 s 1
µ e e 1.6 10
19
6.5. La longueur de diffusion des électrons
L  D.T  0.022  109 14µm
10 

Exo.7
7.1. Est-ce que ce rayonnement est capable de créer des paires électron-trou
E=2eV > Eg=1.42 eV  le rayonnement est capable de créer des paires électron-trou

7.2. La longueur d’onde

12400 12400
( A )  6200 A0.62µm
E( eV ) 2
Exo.8
8.1. La vitesse de groupe
0 pour k x 0
Vg 
d d dE 1 d
    E'
E0 E ' cos( k x a)  a sin( k x a ) 


dk x dE dk x dk x  0 pour k x 
 a
8.2. La masse effective
E ' a 2
 pour k x 0  m * 2.17 10 30 kg
1 d E
  
2 2
1 1
 2  2 E ' a 2 cos(k x a) 

* 2
m  dk x  E ' a
2
pour k x   m * 2.17 1030 kg

  2
a
8.3. La densité d’états

E max E 0 E'
E (k x ) E0 E ' cos(k x a)  
E min E 0 E '
 2m 1 2m 1 
    pour k x 
 Emax E  E '  1 cos( k x a)  a
à 1D on a ( E) 
 2m 1 2m 1
 E E    pour k x 0
 min
  E ' 
1 cos(k x a ) 

Application numérique :
0.01
kx  , E' 0.2eV , a 4 A
a
E' 0.2 1.6 1019
V g  a sin( k x a)  4. 10 10 sin(0.573) 1214 m / s
 1.054 10 34
1

1 ' 2
 2 E a cos(k x a)  1
 19 
 30
0.2 1.6 10 (410 ) cos( 0.573)  m 2.1610 kg
10 2 *

m *
 
1.054 10  34 2

30
2m 1 2m 1 2 0.91 10 1
 
 E Emin  E ' 
1 cos( k x a) 3.14 1.054 10

34
0.2 1.6 1019 
1 cos( 0.573 )
3.07 1016 J 1m 1 1.92 1035 eV 1 m 1
Exo.9
9.1. Le type de dopage. Justifier votre réponse
Le phosphore est pentavalent  libération du 5 ème électron  dopage de type n
9.2. Concentration
9.2.1. Electrons

n N D 10 cm
14 3

9.2.1. Trous
2
n 10 32
n. p ni2  p  i  20 1012 m 3 106 cm 3
n 10
9.3. La conductivité du cristal
enµn epµp enµn 1.6 1019  0.14 2.24 1 m 1
10 20 
9.4. La résistance du cristal
l 1 l 1 100 106
R .   11.2 10 6 11.2M
s  s 2.24 4 10 12
9.5. La longueur d’onde du rayonnement

hc hc 12400
hmin E g  E g  max   max  11071.4 A1.10714 µm
max Eg 1.12
Exo.10
10.1. La position du niveau de Fermi
10.1.1 Dans la région n
N C  23 2.7 1025 
E F EC kTLn N    1 . 8 10 300 Ln
 1022   E F EC 0.204 eV
 D  
10.1.1 Dans la région p
NV  1.2 10 25 
E F EV kTLn N 
1.8 10 23300 Ln  25  E F E V 4.718 10 3 eV
 10 
 D  
10.2. Le potentiel de diffusion
kT N .N  1.38 1023  300 10 22  10 25 
V D  Ln A 2 D  Ln 
(1.45 1016 )2 0.874 V
e  n  19
 i  1.6 10  
10.3. Les épaisseurs xn et xp
2s N AV D 2
11.9 8.85 1012 
10 22 
0.76
xn  . 19
0.339110 6 m 0.3391µm
e N D ( N D N A ) 1.610  10 
25
(10 10 22 )
25

2s N DV D 211.9 8.85 1012 

10 25 
0.76 
xp  3.39110 m 3.391 A
10
. 19
e N A ( N D N A ) 1.610  10 
25
(10 10 )
25 22

10.4. Relation entre xn et xp et commentaire

On constate que x n x p car, compte tenu de la neutralité électrique N A x p N D x n 
N
x n  A x p 10 x p
3

Nd
10.5. Calcul de Lpn
L pn  D pnpn  7.5 104 
10 6 27.39 106 m 27.39µm
Exo.11
11.1. Le type de la polarisation sur la grille et les porteurs majoritaires
 On a une structure Métal (Al)-Oxyde(SiO2)-Semi-conducteur(p)la grille doit être polarisée
positivement avec une amplitude suffisante pour avoir l’inversion à l’interface
 Les porteurs majoritaires qui apparaissent à l’interface sont les électrons.

11.2. L’allure de la caractéristique CBF(V)

Voir Fig.1.a

11.3. Les régimes C(V)

Voir Fig.1.b

(a). (b).
C C

Accumulation Inversion

Dépeuplement

V V

Fig.1.

11.4. La capacité maximale

La capacité maximale CI est celle de l’isolant (oxyde)
s  106 12
C I I 0 3.9  345.15 10 F 345.15 pF
12
8.85 10 
d 1000 10 10

Exo.12
La larguer de la ZCE côté base
2s N D (VD Vbc )
xp  .
e N A ( Nd Na)
kT [Link]  1.38 10 
23
300 10 21  10
22

V D  Ln 2  Ln 
(1.45 1016 )2
0.723V

e n  1.6 1019
 i   
2 8.85 10 12 
11.9  1022 (0.723 5)
xp  0.3710 6 m 0.37µm
1.610 19 
10 21 (1022 10 21 )

Exo.13
La barrière de potentiel de la structure à l’équilibre
La hauteur de la barrière est donnée par la différence des travaux de sortie du métal et du semi-
conducteur.
m 
 Eg

 E Fi E Fp 


 2 
N A   1020 
E iF E Fp kT ln
n  1. 38 10 23

300 Ln 
 0.22 eV
i  1.45 1016 
 
4.1 
4.15 0.56 0.22
0.83 eV

Exo.14
14.1. Déterminer la hauteur de la barrière métal - semi-conducteur
Pour une structure Schottky polarisée en inverse, la capacité est donnée par l’expression :
1 2
 
V D V 
C  s eN D
2

 
s 
Par conséquent :
C22 
V DV1  C12V1 C22 V2 (39.8 1012 ) 2 5 (28.7 10 12 ) 2 10
  VD  2  0.42 eV
C12  V D V 2  C2 C12 (28.7 1012 ) 2 (39.8 1012 ) 2
14.2. En déduire le dopage
2 (39.8 10 )  0.42 5
12 2
2C 2 (V D V )
1

2

V D V   N D   1.01 1015 cm 3
C  s eN D
 
2
es s 2
1.6 10 19
12  
 
12
8.85 10 10 6 2

s 

Exo.15
15.1 Les structures MOS
15.1.1. L’épaisseur de l’isolant
La capacité maximale est la capacité de l’isolant CI qui, d’après le graphe C(V), CI=60pF.
2 2
D  D 
  0 I  
s
C I 0 I 0 I
2 
 e
2  8.85 

1012 4  106
3.14 200 
2

741A
e e CI 60 10 12
15.1.2. Le dopage du semi-conducteur

Le régime d’inversion (CHF minimale est situé du coté des polarisations positives)  la structure est de
type Métal – Isolant - Sc (p). De plus on a :
HF C inv 20 pF
C min
C C CC 60 20
Cinv  I Dl  CDl  I inv  30 pf
C I C Dl C I Cinv 60 20
C Dl 0 sc 0 sc  3.14
1012 
s 8.85  10 6 
200 
2
08
  xDl   3.70 
10 m 370 A
0
12
s x Dl C Dl 30 
10
4sc0 kT  N A ,D 
x Dl    Ln 
qN A,D   
q   ni 

Pour déterminer le dopage, soit en résout la dernière équation numériquement, soit on utilise les
HF C I  f ( xDl ) paramétré en N A,D.
abaques qui donnent le graphe C min
Dans notre cas on a :
C HF C I 20 / 60 0.333
min
3
 (d ' après l ' abaque)  N A 10 cm
16

x Dl 370 A 

15.1.3. La capacité de bandes plates

La capacité des bandes plates CFB est donnée par :
C FB I 0   2 8.85 10 12 12 1.38  10 23 300 
     
s I L D
1 .6  
10  16 
10  1.6   58.6µm
eI  LD  
19 19
 
10 
2SC   12
 CFB 
20sc kT   
4 8.85 
4
10
 106
3.14 200  22 pF
2

LD    741 

10 
10
58.6 
6
qN A   10
q      2 12

15.1.4. La charge image en supposant M-S=0.

La charge image est donnée par :
 12 12 10 12 C
Q I C I VFB 2 60  
0.2 12  C 5.97 
12 10 2
10 10 10 ch arg es / cm

3.14 200  106 
2

15.2. Les transistors MOS

15.2.1. La tension de seuil pour une tension de substrat de -2 V.
kT N A  1.38  1023  300  10 22 
B  Ln  n   Ln
1.45  0.35V
10 
19
q 1 .6 
16
i  10  

2qN A0 sc 

VBS 2B 
1
VT VFB 2B 
CI
2 1 .6 1019  10 12 
10 228.85  12 
2 2  0.35
0.2 2 
0.35  12
0.2 2 0.35 0.032 0.532V
 60  10 

3.14  
 (200 10 6 ) 2 

15.2.2. La transconductance pour le point de fonctionnement: grille +5 V, drain 0V, substrat -2V.
 60  1012 
100 10 6 
0.08 
 
6 2 
Z n C I 3.14  (200 10 ) 
gm  
V GS VT  6
104
(5 0.532) 8.54 
L 20 10