Electronique fondamentale 2

Chapitre 1
Le transistor bipolaire

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1- Définition et formation du transistor :

Le transistor bipolaire (de l’anglais transfert resistor) est le composant actif de base
de l'électronique. Bien que de moins en moins employé en tant qu'élément discret, il reste
l'élément essentiel de base de la plupart des circuits intégrés analogiques ou numériques.

Le transistor, découvert en 1947 dans les laboratoires de Bell aux Etats-Unis, est un
élément semi-conducteur constitué de deux jonctions PN montées en tête bêche. Il peut y
avoir 2 types de transistors suivant que la région centrale est de type N ou P. Les deux types
de transistors sont représentés sur la figure suivante. Leur étude est conduite strictement de la
même façon et les propriétés de l'un valent pour l'autre.

Le principe de fonctionnement d'un transistor est basé sur l'injection et la collection

des porteurs minoritaires, électrons et trous, c'est pour cela qu'on l'appelle transistor bipolaire.
Le transistor contient trois régions :

• L'émetteur (E) : zone N fortement dopé dont le rôle est de fournir les porteurs libres
injectés.

• Le collecteur (C) : zone N, peu dopée dont le rôle est de recueillir les porteurs injectés.

• La base (B) : zone P très mince et faiblement dopé dont le rôle est de contrôler la
quantité de porteurs qui arrivent au collecteur.

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2- Effet transistor :
Le transistor est composé de deux jonctions PN : une jonction Base-Emetteur (BE) et
une jonction Base-Collecteur (BC).

En circuit ouvert, nous avons affaire à 2 jonctions PN à l'équilibre thermodynamique.

Il se crée 2 zones de charges d'espace au niveau des jonctions Base-Emetteur et Base-
Collecteur.

1er cas :
On applique sur la jonction BE une différence de potentiel V EE tel que le pôle positif
est connecté à la région P, et le pôle négatif à la région N. La jonction est donc polarisée dans
le sens direct est un courant important la traverse.

E N P N

B
V EE
- +

2ème cas :
On débranche le premier générateur et on applique sur la jonction BC une différence
de potentiel V CC >V EE tel que le pôle positif est connecté à la région N, et le pôle négatif à la
région P. La jonction est donc polarisée dans le sens inverse est un très faible courant inverse
la traverse. Ce courant s'appelle le courant collecteur-base à émetteur ouvert ICB0 .

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N P N C

B
V CC
- +

3ème cas :
On applique maintenant simultanément V EE et V CC respectivement sur la jonction BE
et BC tel que V CC >>V EE .

VEE VCC

Au niveau de la jonction BE circule un important courant direct. Il y a donc un

déplacement des électrons du pôle – vers le pôle + du générateur V EE . Mais comme la base est
moins large que l'émetteur et le collecteur, et aussi à cause du champ électrique important
résultant du générateur V CC au niveau de la jonction BC, ces électrons n'ont pas le temps de
rejoindre la base, et la plupart de ces électrons sont poussés vers le collecteur pour atteindre le
pôle + du générateur V CC . On a ainsi créé le courant du collecteur, le reste des électrons crée
le courant de la base.

Ainsi le passage d'un faible courant dans la base provoque le passage d'un courant
important dans le collecteur, c'est ce qu'on appelle l'effet transistor.

Comme tous les électrons qui passent dans le collecteur viennent de l'émetteur, on peut
donc écrire :

I E = IC + I B

I E : courant d'émetteur
I C : courant de collecteur
I B : courant de base

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On conclue donc que le courant dans un transistor NPN rentre du collecteur et de la

base et sort de l'émetteur.

Dans le cas d'un transistor PNP, le principe de fonctionnement et le même en

changeant la polarité des générateurs V EE et V CC .

Soit α le rapport entre I C et I E en un point de fonctionnement défini :

I C = αI E + I CB 0 comme : I CB 0 << I E

IC
donc : α=
IE

β est le rapport entre I C et I B en un point de fonctionnement donné :

I C = βI B + I CE 0

I C = βI B + (β + 1)I CB 0 comme : I CB 0 << I B

IC
donc : β=
IB

La valeur de α est légèrement inférieure à 1 de 0,96 à 0,99. Par contre la valeur de β

est comprise entre 50 et 200.

I E = IC + I B

IE I
= 1+ B
IC IC

1 1 1 1 1−α
= 1+ ⇒ = −1 =
α β β α α

α β
β= et α=
1−α 1+ β

3- Les montages fondamentaux du transistor :

Le transistor est connu comme étant un quadripôle, et comme il ne contient que trois
électrodes, C, B et E, il y a donc forcement un pôle qui sera commun à l'entrée et à la sortie. Il
existe donc trois types de montages : le montage base commune, le montage émetteur
commun et le montage collecteur commun.

3.1- Le montage base commune

Dans ce montage, le signal d'entrée est appliqué entre l'émetteur et la base et le signal
de sortie entre le collecteur et la base.

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E C

Entrée Sortie

3.2- Le montage émetteur commun

C'est le montage le plus utilisé. Le signal d'entrée est appliqué entre la base et
l'émetteur et le signal de sortie entre le collecteur et l'émetteur.

B C

E Sortie

Entrée

3.3- Le montage collecteur commun

Dans ce montage, le signal d'entrée est appliqué entre la base et le collecteur et le
signal de sortie entre l'émetteur et le collecteur. Ce montage est utilisé dans l'amplification du
courant.

E
B

C
Sortie
Entrée

4- Les caractéristiques statiques du transistor

Les caractéristiques sont des courbes qui représentent les relations existantes entre les
différentes grandeurs variables comme le courant et la tension. La connaissance de ces
caractéristiques nous permet de déterminer les paramètres d'amplification aux faibles
fréquences.

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Pour un transistor émetteur commun il existe quatre caractéristiques :

• La caractéristique I C = f (VCE ) pour différentes valeurs de I B .

• La caractéristique I C = f ( I B ) pour différentes valeurs de V CE .
• La caractéristique VBE = f ( I B ) pour différentes valeurs de V CE .
• La caractéristique VBE = f (VCE ) pour différentes valeurs de I B .

4.1- La caractéristique I C = f (VCE ) pour différentes valeurs de I B

+
A

R I +
B
A+ V
CE V V2

V1

Ces caractéristiques, appelées aussi caractéristiques de sortie nous permettent de

calculer la résistance de sortie du transistor, le gain en courant, et la droite de charge.

I C (mA)
10 I B =120μA

9 I B =100μA
droite de charge
8
I B =80μA
7
6

5
I B =60μA
4
I B =40μA
3
2
I B =20μA
1

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 V CE (V)
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∆VCE
• La résistance de sortie: RS = pour I B constant, par exemple : I B =60μA
∆I C
V CE1 =3V I C1 =3,5mA

V CE2 =8V I C2 =4mA

VCE 2 − VCE1 8−3 5

RS = = = = 10.10 3 Ω = 10 KΩ
I C 2 − I C1 (4 − 3,5)10 −3
0,5.10 −3

∆I C
• Le gain en courant : β= pour VCE constant, par exemple : V CE =5V
∆I B
I B1 =60μA I C1 =3,8mA

I B2 =80μA I C2 =5,75mA

I C 2 − I C1 (5,75 − 3,8)10 −3 1,95

β= = = = 97
I B 2 − I B1 (80 − 60)10 −6
20.10 −3

4.2- La caractéristique I C = f ( I B ) pour différentes valeurs de V CE

Cette caractéristique de transfert en courant nous permet de contrôler le gain en

∆I
courant du transistor et étudier ses variations : β = C
∆I B
I C (mA)
50

40
VCE = 5V

30

20

10

I B (μA) 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10

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Par exemple : V CE =5V

I B1 =23μA I C1 =10 mA

I B2 =64μA I C2 =30mA

∆I C I C 2 − I C1 (30 − 10 )10 −3 20
β= = = = = 487
∆I B I B 2 − I B1 (64 − 23)10 −6
41.10 −3

4.3- La caractéristique VBE = f ( I B ) pour différentes valeurs de V CE

Cette caractéristique, appelée aussi caractéristique d’entrée, nous permet de déterminer

la résistance d’entrée du transistor ainsi que la droite d’attaque.

∆VBE
Re = pour V CE constante
∆I B

I B (μA) 125 100 50

610
632
VCE = 5V

V BE (mV)

∆VBE
• La résistance d’entrée du transistor : Re =
∆I B
Par exemple : V CE =5V

V BE1 =610mV I B1 =50μA

V BE2 =632mV I B2 =125μA

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VBE 2 − VBE1 (610 − 632 )10 −3

Re = = = 293,3Ω
I B 2 − I B1 (125 − 50)10 −6

4.4- La caractéristique VBE = f (VCE ) pour différentes valeurs de I B

Cette caractéristique, appelée aussi caractéristique de transfert en tension nous permet

de calculer le taux de réaction interne du transistor.
∆VBE
η= pour I B constant
∆VCE

V CE1 V CE2 V CE (V)

IB =10μA

V BE1 IB =20μA

V BE2 IB =30μA

IB =40μA

IB =50μA

IB =60μA

IB =70μA

IB =80μA

V BE (V)

∆VBE VBE 2 − VBE1

η= = pour I B = 30 µA
∆VCE VCE 2 − VCE1

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4.5- Réseau de caractéristiques

I C (mA)

I C =f(I B ) I C =f(V CE )

IB(μA) VCE(V)

V BE =f(I B ) V BE = f(V CE )

V BE (V)

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5- La polarisation du transistor

Nous essayons d'étudier les différents circuits qui nous permettent de polariser la jonction
BE dans le sens direct et la jonction BC dans le sens inverse.

5.1- La polarisation par une seule résistance de base

I Rc
C

I
B
V
CE

RB V
BE I Vcc
E

VBB

a) La droite d'attaque :

La source de tension V BB polarise la jonction BE dans le sens direct à travers la

résistance R B .

VBB = RB I B + VBE ⇒ RB I B = VBB − VBE

VBB − VBE
IB =
RB

Cette équation est l'équation de la droite d’attaque. VBE = 0,7V pour un transistor en
silicium.
V BB /R B I B0
I B (μA)

Droite d'attaque

V BE0
P1
V BB
Caractéristique d'entrée V BE (V)

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Les points d'intersection avec l'axe des courants I B et l'axe des tensions V BE dans la
caractéristique VBE = f ( I B ) sont :

IB = 0 ⇒ V BE = V BB
VBB
VBE = 0 ⇒ VBB = RB I B ⇒ I B =
RB

I B0 et V BE0 sont les coordonnées du point d'intersection P 1 de la droite d'attaque avec la

caractéristique d'entrée du transistor.

b) La droite de charge statique ou en courant continu

La source de tension V CC polarise la jonction BC dans le sens inverse à travers la

résistance R C .

VCC = RC I C + VCE

VCE = VCC − RC I C

Cette équation est l'équation de la droite de charge.

I C (mA)

VCC
droite de charge
RC

P2
I C0

V CE0 V CC V CE (V)

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Les points d'intersection avec l'axe des courants I C et l'axe des tensions V CE dans la
caractéristique VBE = f ( I B ) sont :

IC = 0 ⇒ VCE = VCC
VCC
VCE = 0 ⇒ VCC = RC I C ⇒ I C =
RC

I C0 et V CE0 sont les coordonnées du point d'intersection P 2 de la droite de charge avec la

caractéristique de sortie du transistor.

c) Blocage et saturation du transistor

I C (mA)
I B =I Bsat
VCC
RC
I Csat

I B =0

VCEbloc V CC
V CE (V)
Le point de la droite de charge qui coupe la caractéristique I B =0 s’appelle le point de
blocage.
I Cbloc ≈ 0 VCEbloc ≈ VCC

Le point d’intersection entre la droite de charge et la caractéristique I B =I Bsat s’appelle

le point de saturation.
V
I Csat = CC VCEsat ≈ 0
RC

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Tous les points qui se trouvent entre le point de blocage et le point de saturation
constituent la région efficace dans laquelle le transistor est polarisé et où on obtient l’effet
transistor.

5.2- La polarisation par un diviseur de tension

C'est la méthode la plus utilisée. Il y a une seule source de tension V CC qui polarise la
jonction BE en direct et la jonction BC en inverse. Soit un diviseur de tension constitué de
deux résistances R 1 ET R 2 , tel que la tension aux bornes de la résistance R 2 polarise la
jonction BE.

V
CC

R1 Rc

V
CE

V
BE

R2 V2 RE VE

La tension aux bornes de la résistance R 2 est :

R2
V2 = VCC
R1 + R2

D'après Kirchoff on a :

VE + VBE − V2 = 0 ⇒ VE = V2 − VBE

V2 − VBE
RE I E = V2 − VBE ⇒ I E =
RE

Nous avons aussi :

VCC = RC I C + VCE + RE I E

VCE = VCC − RC I C − RE I E

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En supposant que : I E = I C

VCE = VCC − (RC + RE )I C

C'est l'équation de la droite de charge statique. Les points d'intersection avec les axes
I C et V CE sont :

IC = 0 ⇒ VCE = VCC
VCC
VCE = 0 ⇒ I C =
RC + RE

6- La stabilisation thermique

6.1- Les courants résiduels

On polarise la jonction BC d'un transistor et on laisse l'émetteur ouvert :

E +
A
I I
CB0 C1

I
B1

Si on place un micro-ampéremetre entre le collecteur et la source de tension, on

remarque la présence d'un courant, c'est le courant I CB0.

I CB0 : courant résiduel du collecteur avec un émetteur ouvert, c'est le courant inverse de la
jonction collecteur à une température donnée.

Ce courant est produit grâce aux porteurs de charge minoritaires résultant de l'agitation
thermique.

On polarise maintenant la jonction collecteur-émetteur et on laisse la base ouverte :

+
A
B I
CE0 I
C2

I
E2

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 Electronique fondamentale 2

Si on place un micro-ampéremetre entre le collecteur et la source de tension, on

remarque la présence d'un courant, c'est le courant I CE0.

I CE0 : courant résiduel du collecteur avec une base ouverte.

Ce courant est produit grâce aux porteurs de charge à origine thermique ainsi qu'au
courant de fuite superficiel.

La relation entre I CB0 et I CE0 est :

I CE 0 = (β + 1)I CB 0

Nous avons aussi :

I C = βI B + I CE 0

I C = βI B + (β + 1)I CB 0

Ces courants résiduels sont très petits dans les températures normales mais deviennent
importants lorsque la température augmente.

I CB 0 double de valeur tous les 10°c pour un transistor au germanium et tous les 6°c
pour un transistor en silicium.

Les courants I CB0 et I CE0 qui résultent de l'agitation thermique, provoquent le

déplacement du point de fonctionnement du transistor.

6.2- Le coefficient de stabilisation

Soit un transistor à courant de collecteur I C au repos et soit ΔI C les variations de ce

courant sous l'effet des variations de température.

Ces variations sont dues aux variations ΔI CB0 et aux variations ΔV BE :

∆I C = S∆I CB 0 + S ′∆VBE

Les coefficients S et S' sont les coefficients de stabilisation et sont définis comme suit:

 ∆I C   ∆I 
S =   et S ′ =  C 
 ∆I CB 0  ∆VBE =0  ∆VBE  ∆ICB 0 =0

Plus les coefficients de stabilisation sont faibles, plus la stabilisation thermique est
grande.

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6.3- Les méthodes de stabilisation thermique

a) Stabilisation par résistance du collecteur :

V
CC

I
C

Rc
R2

V
CE

R1

VCC = RC I C + VCE ⇒ VCE = VCC − RC I C

La puissance consommée par le transistor en régime continu est :

PC = V CE I C = (V CC − R C I C )I C

Cette puissance sera maximale quand :

PC′ ( I C ) = 0
VCC
PC′ ( I C ) = VCC − 2 RC I C = 0 ⇒ I C =
2 RC
VCC V V
VCE = VCC − RC I C = VCC − RC = VCC − CC = CC
2 RC 2 2

PC

PC max

IC
VCC VCC
2 RC RC

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 Electronique fondamentale 2

2
V
PC max = CC
4 RC
VCC V
Si on choisit un point de repos tel que : I C = et VCE = CC , alors quelque soit
2 RC 2
les variations du courant I C , la puissance consommée par le transistor diminue et ainsi on ne
craint aucune agitation thermique.

b) Stabilisation par résistance d'émetteur :

V V
CC CC

Rc Rc
R2
≡ RB

R1 RE VBB RE

R1 .R2 R1
RB = R1 // R2 = et VBB = VCC
R1 + R2 R1 + R2
I C = βI B + I CE 0 = βI B + (β + 1)I CB 0
VBB = RB I B + VBE + RE (I C + I B )

∆I C = β∆I B + (β + 1)∆I CB 0 ....................(1)

0 = (RB + RE )∆I B + ∆VBE + RE ∆I C ........(2)

RE 1
de l'équation (2) : ∆I B = − ∆I C − ∆VBE
RB + RE RB + RE
 RE 
∆VBE  + (β + 1)∆I CB 0
1
de l'équation (1) : ∆I C = β − ∆I C −
 RB + RE RB + RE 
 R + (β + 1)R E  β
∆I C  B =− ∆V BE + (β + 1)∆I CB 0
 RB + RE  RB + RE
β (β + 1)(RB + RE )
∆I C = − ∆VBE + ∆I CB 0
RB + (β + 1)RE RB + (β + 1)RE

19
 Electronique fondamentale 2

calcul de S et S' :

 ∆I C  (β + 1)(RB + RE )
S =   =
 ∆I CB 0  ∆VBE =0 RB + (β + 1)RE

 ∆I  β
S ′ =  C  =−
 ∆VBE  ∆I CB 0 =0 RB + (β + 1)RE

Lorsque RE = 0 (sans résistance d'émetteur) :

β
S 0 = (β + 1) et S 0′ = −
RB
S0
S=
RE
1+ β
RB + RE
S 0′
S′ =
R
1 + (β + 1) E
RB

On remarque que les coefficients de stabilisation de température diminuent

considérablement lorsqu'on introduit une résistance d'émetteur.

7- Le transistor en régime dynamique

7.1- Le schéma équivalent d'un transistor aux basses fréquences

i i
B B C
C

h
11

v h i h -1
v
BE 21 B 22 CE
h v
12 CE

E E

v BE = h11i B + h12 vCE

iC = h21i B + h22 vCE

h 11 , h 12 , h 21 et h 22 sont les paramètres hybrides.

Ce montage nous permet de déterminer :

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 Electronique fondamentale 2

• Le gain en tension et le gain en courant.

• La résistance d'entrée et la résistance de sortie.

Souvent, les caractéristiques statiques du transistor sont données par le constructeur.

Le point de fonctionnement est fixé par l'utilisateur. On peut ainsi déduire les paramètres
hybrides h ij au voisinage du point de fonctionnement choisi.

7.3- Les condensateurs de liaison et de rupture

a) Les condensateurs de liaison :

Le condensateur de liaison envoi un signal périodique d'un point non lié à la terre à un
autre point non lié à la terre. L'impédance de ce condensateur est très petite (interrupteur
fermé) en courant alternatif, et infinie (interrupteur ouvert) en courant continu.

b) Les condensateurs de rupture :

Le condensateur de rupture envoi un signal périodique d'un point non lié à la terre vers
la terre. Ce condensateur se comporte comme un interrupteur ouvert en courant continu et
comme un interrupteur fermé en courant alternatif.

7.4- Exemple

V
CC

Rc
R1 C2

Rs C1

RL Vs
eg R2
Ve RE CE

Dans ce circuit nous avons deux sources de tension : l'une continue et l'autre
alternative. Pour analyser ce circuit, nous partageons l'étude en deux parties :

• L'analyse en régime statique.

• L'analyse en régime dynamique.

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 Electronique fondamentale 2

a) Schéma équivalent en régime statique (courant continu) :

Nous isolons les sources de tension alternative, et nous ouvrons les condensateurs.

V
CC

Rc
R1

R2
RE

b) Schéma équivalent en régime dynamique (courant alternatif) :

Nous annulons les sources de tension continue, et nous court-circuitons les

condensateurs.

Rs ie B C iS
iB

eg ve R1 R2 h11 h21iB -1
h22 Rc RL vS

E E

iS
• Calcul du gain en courant : Gi =
ie
RB h + RB
iB = ie ⇒ ie = 11 i B ..........(1)
h11 + R B RB
vS
i S = h21i B + −1
h22 // RC

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 Electronique fondamentale 2

v S = − RL iS
RL
i S = h21i B − −1
iS
h22 // RC

−1
on pose : R = h22 // RC

 R + RL  h21 R
iS   = h21i B ⇒ iS = i B ......(2)
 R  R + RL

Des relations (1) et (2) on déduit :

h21 R
iB
iS R + RL h21 RRB
Gi = = =
ie h11 + RB
iB
(R + RL )(h11 + RB )
RB

h21 RRB
Gi =
(R + RL )(h11 + RB )

vS
• Calcul du gain en tension : GV =
ve
ve = h11i B
v S = −(R // RL )h21i B
v − (R // R L )h21i B (R // RL )h21
GV = S = =−
ve h11i B h11

(R // RL )h21
GV = −
h11
ve
• Calcul de la résistance d’entrée : Re =
ie
ve = (h11 // RB )ie

ve
Re = = h11 // RB
ie
vS
• Calcul de la résistance de sortie : RS =
iS
Pour calculer la résistance de sortie on supprime la charge et on la remplace par une
source de tension v S délivrant un courant i S , puis on annule les sources non contrôlées, le
schéma équivalent devient :

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 Electronique fondamentale 2

iB iS

Rs h11 h21iB -1
vs
R1 R2 h22 Rc

(RS // RB + h11 )i B = 0 ⇒ i B = 0 ⇒ h21i B = 0

( −1
)
v S = h22 // RC i S

vS −1
RS = = h22 // RC
iS

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