Se UNIVERSITE IBA DER THIAM DE (Po: THIES Licence 3 PC Eff AWA AS Electronique Nw Ly UFR SCIENCES ET TECHNOLOGIES 2021/2022 Ze Département de Physique-Chimie Travaux Dirigés n°4 Exercice 1 : L Etude statique On considére le circuit suivant (Fig 5.8) oi la diode Zéner est supposée idéale (a= 12 = 0 et Vy 0) 5a tension Zéner est V; = 5,6 V- Le transistor est caracténisé par les paramétres suivants = B= 200 et Ver = 0,6 V. On donne Re = 500 2; Re = 100 2; Re = 400 Net Voc = 12 V. 1.1, Montrer que le courant Ic est indépendant de la résistance Rc- 1.2. Déterminer alors le courant he 1.3. Détermuner la tension Vcr. 2. Etude dynamique en. petits signaux. alternatifs autour du point de repos : On se propose de déterminer la résistance de sortie ts du montage en tant que source de courant (Rc jouant le rdle de la charge). Les paramétres hybrides en émetteur commun du transistor sont: hy = 1.8 KQ: hn = B =200 ; hy =Oetp = Ih: = 40k. 2.1. Donner le schéma équivalent @ ce montage a vide en régime petits signaux basse fréquence. 2.2. Déterminer Ia résistance de sortie rs. Application numérique. 2.3. Conelure. Scanned with CamScannerget, UNIVERSITE IBA DER THIAM DE : PN, Tues Licence 3 PC BANS Electronique wt De UFR SCIENCES ET TECHNOLOGIES 2021/2022 RSTEDE Département de Physique-Chimie Travaux Dirigés n°4 Exercice 2: L'entrée du montage (Fig.5.16) est attaquéc par un génératcur de tension ve(t) par I'intermédiaire d'un condensateur de forte capacité C.= 4.4 uF. La sortie du montage est prise sur le collecteur. Dans les premiéres questions de ce probléme, on négligera Vimpédance du condensateur C.(1/C, w = 0). Par contre, pour s¢ rapprocher d'un cas réel, on tiendra compte de l'existence d'un condensateur parasite de capacité Cy, dont Ja présence est due a la jonction collecteur- base, polarisée en inverse. Les paramétres hybnides du transistor monté en émetteur commun sont : f= 18009; hy P= 180; hn =—™ 20KA et haw 0 1 Donner le schéma equivalent du montage (pour le transistor on prendra un schéma & une source de courant). 2. Om tient compte du fait que p >> Re, Ry >> hy et WC 8 0. Simplifier le schéma équivalent du montage. 3. On pose Z = 1/GCxxt2). Calculer l'amplifieation en tension du montage en Fonction de Z et des données du probléme. Montrer que s 0 <= 0 cette amplification est celle du montage émetteur commun tandis que si @ > © cette amplification tend vers 1. Calculer le module | Avo| de l’amplification pour > © © et en déduire Trenutenee d'une fréquence de coupure haute, Tracer la courbe du gain en tension du montage. 4. Donner expression de la fréquence de coupure haute fe, (on utilisera 2 Papoxinaon( } <<[Link] fy pour Cy, = 40 pF ¢ 5. A basse fréquence on peut négliger Cre. Montrer que Je condensateur Ce introduit une fréquence de coupure basse fp. Calculer cette fréquence ct tracer la courbe du gain en tension du montage. Scanned with CamScannerUNIVERSITE IBA DER THIAM DE THIES UFR SCIENCES ET TECHNOLOGIES Département de Physique-Chimie Licence 3 PC Electronique 2021/2022 Travaux Dirigés n°4 Exercice 3 : Les deux transistors sont identiques et sont polarisés au méme poi s point de repos P (Fig.5.17). Pour chacun des transistors on a fixé ce point P tel que : Vee =4V; Voe™0,8V; k=l mA et lp= 10 pA Deplus E=12V;Rc=3Re etRy = 18 kM. Fig.S.17 1. Calculer les valeurs manquantes des éléments de polarisation ainsi que les courants I), 1 ¢t 1) dans, respectivement, les résistances R,, R; ct Ry et les potentiels par rapport 3 la masse de tous les points du circunt. On négligera 1 devant 8 2. Les condensateurs sont des courts-circuits parfails aux fréquences de travail. Déterminer le type de montage de chaque transistor et donner le schéma équivalent de l'amplificateur. ‘On donne les paramétres hybrides : hi, © 1,2 kQ; hy, = PB =100, hy: = biz > 0. 3, Déterminer Ia résistance d'entrée du transistor Tz vue de T, et Famplification en tension de T), 4. Déterminer lamplification en tension et la résistance d'entrée de T, chargé par T, et en déduire amplification en tension toule. EXERCICE: 4 Scanned with CamScannerUNIVERSITE IBA DER THIAM DE Licence 3 PC THIES Electronique UFR SCIENCES ET TECHNOLOGIES 2021/2022 Département de Physique-Chimie Travaux Dirigés n°4 On veut stabiliser une tension en utilisant un transistor bipolaire et une diode Le schéma est celui de la Fig.5.10: .[ D Fig.5.10 On donne pour le transistor ;B = 100; Vac = 0.6 V et pour la diode Zéner: Vz~ U6 Vj tz = 102. De plus E= 25 V: Rp= 1 kQ. 1, Montrer que l'un peut écrire Vs = Vz - Vee. On supposera que (B+!) Re >> Tr. 2. Entre quelles limites peut varier R,, pour que Vs reste constante. (1 mA < Ig <10 mA). 3, Quelle est la puissance maximale dissipée dans la charge Ry? Scanned with CamScanner182 Exercices et problémes corrigés d’électronique analogique Le point de polarisation varie peu par rapport au montage par résistance de base. En effet : I’erreur relative sur Ic et Vee passe de 33% au premier cas a 21.8 % pour le deuxiéme. Alcflc= 33% A Iclle = 2,4 % AVce/Vee = 33% AVce/V ee = 2,5%. Le montage par pont de résistance est donc micux adapté en pratique étant donné Ia dispersion des gains B pour une méme famille de transistors, et leur variation avec la température. Exercice 2 1 Etude statique : La diode Zéner est polarisée en sens inverse et on la remplace par son schéma équivalent, on obtient : (Fig.5.23) “1 ge B c Fast" ve f= [] ® ar Fig.5.23 1.1. En écrivant la loi des mailles pour le circuit diode Zéner-base- émetteur on aura : —N27Voe Re +1 Or Ie=IcHs et Ic=Bls dot oe econ V2-Voe-Rele=0 soit’ Ie >>I, on peut écrire Tp = Ic I -f_ Ve-Voe_,. Vz-Vee_ soit enfin : Cv ptt Re Re Scanned with CamScannerLes transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 183 Ic est bien indépendant de Re et il est constant. AN, I= 1.2. On peut écrire : = i Vee = Vz I Vee =Ra(Iztle) Vz soit. Iz=—SS "2 — 1, Aves Ip = = : Rp 8 Soit te B AN: 12-56 12,5 k= 10? = 12,74 mA 7500 200 ~ 3, En écrivant la loi des mailles pour la maille de sortie on a : Vec = Vee +(Re#Re) le en supposant que Ic * le (car B>>1). Soit Vee = Vee-(Re#Redle AN: Vee = 12 (500 x12.5 10°) = 6,25 V 2- Etude dynamique : 2.1. Remarquons tout d’abord que si on veut utilisé ce montage en régime variable il ne peut étre alors utilisé qu’en base commune, le signal d’entrée est appliqué éventuellement sur I’émeuicur et la sortie se fait sur le collecteur. En effet, on obtient le schéma equivalent au montage en régime pelits signaux basse fréquence en (hirtRe) in=-Reis __ -Re , (6.4) D'ot ig +R, Is A partir des équations (5.3) et (5.4), on obtient : ,-[AeeBeenaRe tots . hy +Re 7 14 BRe_), Pus Dial i +Re)” Ba #Re <= 40. 10 a 0’=1,5Ma 200.0,4 ame). 18.04 | 18404) 18+0,4 2,3. On a bien une source de courant vis-a-vis de Rc de résistance inteme trés élevée. Scanned with CamScanner186 Exercices et problémes corrigés d’électronique analogique Exercice 4 Préliminaire : Le schéma du montage est équivalent au suivant : (Fig.5.27 ou bien Fig.5.28) . Fig.5.. Fig.5.27 S28 ot Ep et Ro sont respectivement la f.é.m. et la résistance interne du génératcur équivalent de Thévenio vu des points A et B. Sachant que la diode Zéner est polarisée en sens inverse, on la remplace par son schéma Equivalent, on obtient : (Fig.5.29) E mila E wf] ian : Ds @ = 5 B = b (te Fig.5.29 Dot Ej- etReVe wy, car Re>> te et ReV2>> rE Rgth et BRe a +R, _ AN: Fo foams =11,23V=V2 Ro= 9,92 “tz. 3.1. Considérons le schéma du montage de la figure 5.30 : Tc 4 E Bo R fi. Te Fig.5.30 Scanned with CamScannerLes transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 187 on peut écrire : Vs = Eo~ Vae- Role = Rule=(B+1) Ru Ia. a Gal a) Eo- Ver Or nara et Rote Done <1 Dob: | Vs=Vz- Var | indépendante de E et de ses variations) 5 Vs =11,6-0,6=11V. [Link]: 1 mA>hn 3. Amplification en tension verhnis ip = vs = -Resis Or igtigti avec i= 84 = jCo(vs-¥,) v D'ou vs = -Re-GCret).(vs- ve) “Re be nD ~BRe f -j NG o| oubien Ay =“8=—2t ee ee ye 1+jR-C,.0 Scanned with CamScannerLes transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 201 .@ 1-j— o, De la forme Av =Ayo = 1+j— 2 pec Ave OE rag eee al eee Ln hyCy RCye : R, © Siw — 0 alors |Av| > |Avol = ——© : Amplification du montage ny Emetteur commun. © Sio— walors [Ay > PRe 2 _BRe hn _y hy @ by BRCy . Sica» 0 alors -+ = SRE = 60 1 Done |Avlen = 20 log(60) = 35,6 dB Pour i> co Avlag= 04B => Existence d’une fréquence de coupure haute rp > ES je — => enremplacant @, et @, par leurs expressions et en + aN fle ad x 2 tenant compte de Vapor BR. ) << 1, on obtient : c 1 1 ates Z RC, | o? amRC, @ =, = AN: 02=4,17.10' rads! et [f, =f, = 6,6MHz Scanned with CamScanner202 Exereices et problémes corrigés d’électronique analogique Diagramme Av (4B) asymptotique so 35,6 { 1 i (rads) oO Fig.5.49 5. Schéma équivalent en négligeant l'effet du condensateur Cyc : Fig-5.50 ee Ay, = BRC (a. =a hie v1 jh,,C.o oe De Ja forme Aty=Avw—9 Hj ~BRe 1 Aveo AF Ohne 5 © Sia Oalors |A’vas >= « Siavre alors |A'vlas — |Avolas = 20 1og(60) = 35,6 dB => Existence d’une fréquence de coupure basse Scanned with CamScannerLes transistors bipolatres utilisés en amplificateurs 203 Ala La fréquence de coupure existe pour . aad Av) vo" On obtient : =a ps dod AN: 5 =126rads* et f'-= f, = 20Hz| © Courbe de gain (Fig.5.51) Aty(4B) Diagrams, (rads) Fig 5.51 1, En continu, les condensateurs ont une impédance infinie. Désignons par I; le courant dans R;. Les courants dans R; et Ri sont donc respectivement Is + Iai et 1s + foi + Ip. De méme désignons par lc) = Ie Ie courant de collecteur dans Re. Le courant de collecteur du premier transistor est : (Fig.5.52) I Tey = Tea + Tn = Ten + 2 ale Son courant d’émetteur est Ter + Ip: =Ic La loi d’Ohm conduit 4 : Vv, = cet cze2 E -E+Rele+ Vou + Vers) + Rele=0 > Ret Re= 1 c Scanned with CamScanner204 Exercices et problémes corrigés d'électronique analogique Ret Ren BoAo4 wana => 3RetRe=4kQ => Re=1kQ Re=3Re > Re=3kQ +Ipi + Ie L Tea * Tos + Tea. Ry ly + Varen + Re lo= 0 = Robs = (Vanes + Relc) = (0,8 + 1) =1,8V Vanes tRele _ 0,841 I= Be ewe = ET 10-4 - Is R, a => 1 =100pA h=h+Ii=> b= Opa W=htk, => [= 120paA EAR +Vee + Vous +Rdc=0 = Ry=2—Venea Vow “Role \ Rh =(12-0,8-4-1)=62V 62 D’ot R= —“_ = 5,17 10" * 120.10 oT > Ri=52kQ -E + Ril, + Rol, t Rab =0 => Rol, = E-Rili- Rob = 12-62-18 =4V 4 R, = ——=3,64 10° ; = b= Tape NOt; Raa 36KN Scanned with CamScanner‘Les transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 205 Les potentiels par rapport 4 la masse de tous les points du circuit sont indiqués sur la Fig.5.53: Fig.5.53 2. i condensateurs sont des courts-circuits parfaits aux fréquences de travail : L’émetteur de T, est a la masse par Cy. Le transistor T, est donc monté en émetteur commun. La base de T, est a la masse par Cg. Le transistor T, est donc monté en base commune. Le schéma équivalent de t'amplificateur (hy, = hy = 0) s’obtient donc de Ia fagon suivante : (Fig.5.54) By isz Q Fig.5.54 On remarque que la résistance R; est en paralléle sur Ry : R,R. 36.18 On peut poser: Rg = —2—2- = 10° = 12 kQ. a PTR, +R, 54 Scanned with CamScanner206 Exercices et problémes corrigés d’électronique analogique Et obtenir ainsi le schéma simplifié qui est représenté par la Fig.5.55 : 3. La loi d’Ohm permet d’obtenir successivement : En sortie (Tz) : -Vs - BRe ins = 0 => vs = -BRe is Vea — hy ipa = 0 = Ver = “huni La loi des nceuds nous permet d’écrire : eg + isn +Bip = 0 = in = -~(B+Niea- et Binsting = Bins > fon= Pin B+t sachant que Veo = -hi ip2 On aura donc : 4, Le premier étage est chargé par Ry = 12.2 La résistance d’entrée du montage base commune est sensiblement égale ae a, p+ Son amplification sera égale a — ae =-l 1 Scanned with CamScannerLes transistors bipolaires utilisés en amplifleateurs 207 En entrée (T1) : Ve + huis = 0 = Ve = hirias -G+), __ B+t Par aute verona = va Diot Aut =-—F_ = .9,99 ! pa i ed ok oa eee 1 ig itin > i= —+—2 = v,] —+ Ry hy R, hh, L*impédance d’entrée du premier étage est : pew Reb 121200 oko R,+h, 12+1200 L’ amplification totale est : Av=AvAv = BRe -B -0,99. 250 =-247,5 h, B+l Exercice 11 1. Schéma équivalent : (Fig.5.56) pris 5 Qart1)ing = (hav #N).ipe Bt ipa Bo Fig.5.56 2. Les tensions de sorties vs; et Vs: s’écrivent : sy = -haRe ip: et Vs2 = “hae ips d’autre part : Ves = bitin + Re [(har+1) iny + (hort) ipa] et Veo = hysinz + Re [(hart1) int + (hay+1) ipa). Soit Ver + vez = [hy +2 (hart1) Re} (ips + ina) et Ver-Ver = hs(isi-is2). D'oh vs) ~via tae (ir~in)= ~*2HRe (Yer — Yer) Scanned with CamScanner