Télécommunications Optiques ED n° 9
Année universitaire 2009 - 2010
Corrigé
Photodiode
1. Un faisceau de lumière monochromatique, de longueur d’onde λ = 0,9 µm,
transportant une puissance optique P = 1 µW éclaire une photodiode.
a) Calculer le nombre de photons qui atteignent chaque seconde la photodiode.
Soit Nph le nombre de photons (unité s-1). Chaque photon apporte
l’énergie w = hν . La puissance optique incidente Pi représente l’énergie apportée
par seconde au détecteur, soit :
hc
Pi = N ph hν = N ph
λ
λ 10 × 0,9 × 10−6
−6
d’où N ph = Pi = = 4,53 × 1012 s −1
hc 6, 62 ×10−34 × 3 × 108
b) Calculer le courant photoélectrique Iλ généré par une photodiode idéale et par une
photodiode qui présente une efficacité quantique η = 0,8.
nombre de paires collectées / s I q
Efficacité quantique apparente :ηa = = λ
nombre de photon s in cidents / s N ph
Soit : I λ = η a qN ph
Pour ηa = 1 , le courant vaut :
I λ = η a qN ph = 1, 6 × 10−19 × 4,53 × 1012 = 7, 25 × 10−7 C / s (c’est à dire Ampère)
Pour ηa = 0,8 , le courant vaut I λ = 0,8 × 7, 25 × 10−7 = 5,8 × 10 −7 A
I 5,8 ×10 −7
La sensibilité s’exprime par : S = = = 0,58 A / W
Pi 10 −6
2. La photodiode de type pin est en silicium, le coefficient d’absorption optique vaut α =
105 m-1 à cette longueur d’onde.
a) Pour optimiser la sensibilité de la photodiode dans ce domaine spectral, on
demande de calculer l’épaisseur wi de la couche intrinsèque, en admettant que 90
% de la puissance transmise doit être absorbée dans cette couche.
Les photons étant absorbés dans le milieu, la puissance optique décroît selon :
P( x) = P0 exp ( −α x )
Après traversée de la couche d’épaisseur wi, il reste 10% de la puissance initiale :
P0
P( wi ) == P0 exp ( −α wi )
10
Ln 10 2, 3
Soit : wi = = 5 = 2,3 × 10 −5 m ou 23 µm
α 10
b) En déduire le temps de transit des porteurs et l’ordre de grandeur de la bande
passante correspondante.
Dans une photodiode pin optimisée, les porteurs se déplacent à la vitesse de
saturation, vsat 105 m / s . Le temps de transit τt est au maximum :
wi 23 × 10 −6
τt = = 5
= 230 × 10 −12 s
vsat 10
La bande passante en petit signal correspondante est approximativement :
1 1012
∆F1 = = 4,3 × 109 Hz soit 4,3 GHz
τ t 230
3. Reprendre les calculs pour le composé III-V GaInAs qui a un coefficient d’absorption
α = 106 m-1 à la même longueur d’onde.
On trouve dans ce cas une épaisseur wi = 2,3 µm dix fois plus petite, et une bande
passante ∆F2 = 43 GHz, dix fois plus élevée.
4. La capacité de la photodiode en polarisation inverse est équivalente à celle d’un
condensateur plan avec εr = 12. Le diamètre de la jonction cylindrique vaut D = 50
µm. La photodiode débitant sur une impédance de charge de R = 50 Ω, calculer dans
les deux cas la bande passante à – 3dB en petit signal.
Dans le schéma équivalent « petit signal » de la photodiode, la capacité de la jonction
est en parallèle sur la résistance de charge. On montre facilement que la bande
passante à –3 dB de ce circuit RC est donnée par :
1
∆f −3dB =
2π RC
ε 0ε r A
On rappelle la capacité de la jonction (condensateur plan) : C = , où l’aire de la
wi
π D2
jonction vaut A = = 1,96 × 10−9 m 2
4
10−9
D’autre part ε 0ε r = × 12 = 1, 06 ×10 −10 F / m
36π
Dans le cas de la photodiode silicium, pour une épaisseur intrinsèque wi = 23 µm, la
1, 06 × 10−10 × 1, 96 × 10−9
capacité a pour valeur : CSi = −6
= 9, 04 × 10−15 F
23 × 10
1 1015
Et la fréquence de coupure est de ∆f1 = = = 3,52 ×1011 Hz
2π RC 2π × 50 × 9, 04
Soit environ 350 GHz. L’effet le plus pénalisant provient du temps de transit, avec
une valeur ∆F1 = 4,3 GHz.
Dans le cas de la photodiode GaInAs, le calcul donne immédiatement :
CGaInAs = 9, 04 ×10 −14 F
∆f 2 = 35 GHz
Avec une valeur ∆F1 = 43 GHz trouvée précédemment, on voit que la seconde
photodiode est la plus rapide
5. On considère une photodiode pin à hétérojonction, dans laquelle la couche i est
constituée du composé à petit gap GaInAs (EG1 = 0,75 eV) placé entre deux couches
à grand gap en InP (EG2 = 1,35 eV). La couche intrinsèque étant éclairée à travers la
couche d’InP, dans quel domaine spectral peut-on utiliser cette photodiode ?
La couche d’InP devient absorbante pour des photons d’énergie hν > 1,35 eV , c’est à
1, 24
dire aux longueurs d’ondes inférieures à λ = = 0,92 µ m . Dans ce cas, les
1,35
photons ne parvenant pas jusqu’à la couche intrinsèque, la sensibilité est nulle. On
peut donc utiliser cette photodiode dans le domaine : 0, 75 eV < hν < 1, 35 eV , soit en
longueur d’onde : 0,92 µ m < λ < 1, 65 µ m
Ces valeurs sont conformes aux caractéristiques spectrales d’une photodiode
GaInAs/InP indiquées ci-dessous.
