Par : Omar ENASSIRI

Filière : années préparatoires

Semestre : 3

Année universitaire : 2022/2023

 Université Mohamed V électronique Analogique 2022/2023
ENSAM RABAT Travaux dirigés
2eme Année AP S3

Exercice 1
Soit le circuit suivant. On veut imposer un courant I = 10 mA à partir d’une source E = 4 V. En utilisant le
modèle exponentiel de la diode, ID = IS. [e(VD /Vth) – 1] avec IS = 10-10 mA et Vth = KT/q = 26 mV. Calculez
1) la chute de tension aux bornes de la diode VD
2) la résistance R nécessaire pour imposer le courant I = 10 mA
3) ca résistance dynamique de la diode au point de fonctionnement

Exercice 2 :
Considérons le circuit suivant, R1 = 10 Ω et R2 = 15 Ω. La tension seuil de la diode est 0,6 V
et ID = IS.(e VD/VT -1) courant de la diode avec IS = 10-8 mA et VT = KT/q = 26 mV à 300 °K
1- Calculer le courant ID pour VD = 0,6 V
2- Quelle est la condition sur E pour que la diode soit passante ?
3- On prend E = 2 V, Calculer VD et le courant ID qui circule dans la diode,
4- Calculer les tensions VR1 et VR2 aux bornes de R1 et R2.

Exercice 3 :
On souhaite déterminer le point de fonctionnement de la jonction B/E du transistor NPN placé dans le montage
ci-contre. Avec la caractéristique I(V) de la jonction B/E (donnée).
a) Exprimer la relation de I en fonction de V, pour le dipôle
constitué de la source «e» et de la résistance «Rb» (à gauche
des points A et M). avec e = 4V et Rb = 4 KΩ.
b) La caractéristique Ib(Vbe) (courbe donnée) représente la
relation entre la tension et le courant dans le dipôle base-
émetteur (à droite des points A et M). Déterminer le point de
fonctionnement du montage.
c) Lorsque le courant Ib est supérieur à quelques µA, on peut
modéliser la jonction base-émetteur par une source de
tension Vbe ≈ 0.7 V. Calculer la valeur numérique de Ib
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avec ce modèle Page 1
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Exercice 4 :

Soit le circuit suivant, avec Vcc = 5 V, RB = 86 KΩ, Rc = 1 KΩ, β = 100 et la tension de seuil de la jonction B/E
est de 0.6 V. 1- Calculer Vout pour Vin = 0 V (T bloqué) 2- Calculer Vin pour Vout = 0V (T saturé) avec la
tension de fonctionnement de IB(VBE), VBE = 0.7V.

Exercice 5 :

On considère le montage suivant avec un transistor NPN de gain

en courant statique β = 100, VBE = 0.7 V et RL = 60Ω La tension
de seuil de la jonction B/E est de 0.6 V.
1) On désire avoir un courant de 100 mA dans la charge RL,
quelle est valeur de la résistance RB ?
2) Si on fait varier RB , alors IB varie et donc IC varie aussi.
Quelle est la valeur maximale qu'on peut obtenir pour IC
(transistor saturé)?
3) Quelle est la valeur minimale de RB pour saturer le transistor

Exercice 6 :

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Exercice 6

Exercice 7

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Exercice 8 :
On se propose d'étudier un montage amplificateur. A partir d'un schéma de base (Figure 1) on essaiera
d'améliorer les caractéristiques de l'amplificateur, et plus précisément la résistance d'entrée.
Les transistors TI et T, utilisés dans les différents montages sont définis par leurs paramètres hybrides en
émetteur commun hll = r = 1 kΩ; h21 = β= 100 et h12 = h22 = 0 On étudie tout d'abord le montage de la Fig.1.
A. Étude Statique:
On désire obtenir le point de fonctionnement en régime continu (point de repos) de coordonnées
LC = 5 mA; VCE = 20 V et VBE=0,6 V. D'autre part on a RE. = Ra, et on prend lp = 8 IB .
Déterminer les valeurs des résistances RC0. REO• RSI et RB2 à adopter.
B. Étude dynamique:
I) On attaque le montage avec un générateur de f . é. m. eg et de résistance interne Rg. Les
condensateurs C0, C1 et C2, ont des impédances négligeables à la fréquence du générateur. On
définit deux sorties: VI et V2.
1) Déterminer le schéma équivalent du montage aux petits signaux.
2) En notant RB=RB1//RB2, RE=RE0//REU et RC= RC0//Rcu exprimer (expressions littérales).
- Les gains en tension AVI = VI/Ve et AV2 = V1/Ve
- La résistance d'entrée Re = Ve/Ie
- Les résistances de sortie RSI et Rs2 correspondant respectivement aux sorties VI et V2. On
pourra noter Ro = (Rg/RB) + h11 pour ce calcul
II) On néglige 1 devant β (β >> 1) A quelle condition a-t-on AV1=AV2? Les deux sorties sont-
elles équivalentes?
A.N : Rcu=REU =RE0=2KΩ. Calculer AV1, AV2 ,Re, RS1 et RS2.
Afin d'accroître l'impédance d'entrée, on ajoute l'ensemble (R3, C3) (montage bootstrap) selon la Fig :2. On
admettra que l'impédance de C3 est nulle aux fréquences considérées. On prend R3=5KΩ.
1) Donner le schéma équivalent en petits signaux basse fréquence et calculer la résistance de charge
équivalente REl (pour VI)
2) Calculer AV’=V1/Ve, et la nouvelle résistance d'entrée de l'étage Re1.
3) Comparer aux valeurs trouvées précédemment.
III) L'impédance d'entrée calculée précédemment est jugée encore trop faible. Pour l'augmenter, on
utilise un montage Darlington tout en conservant le dispositif (R3 C3,), mais avec R 3= 50 kΩ,

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selon la Fig 3. Calculer AV’’, = VI/Ve et la nouvelle résistance d'entrée du montage Re2. Conclure

Exercice 9 :
Déterminer la tension de sortie en fonction de la tension d'entrée des circuits ci-dessous

Exercice 10

A partir des montages élémentaires des exercices précédents. Déterminer la tension de sortie Vs.
du montage décrit par la figure ci-dessous :

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Exercice 11 :

Une des applications de l'amplificateur opérationnel est le filtrage actif. Déterminer la fonction de transfert
H(jw)=VS/Ve du filtre actif de Rauch de la figure ci-dessous
Calculer H(jw) quand :YI =Y3 =Y4 = 1/R et Y2 = Y5= jCω?

Exercice 12 :

Soient les deux montages ci-dessous

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La caractéristique de la diode est donnée par l'expression suivante:

V
(− )
I S = I 0 ( −e VT
)avecV ≥ 0

Déterminer pour chacun des deux montages, la tension de sortie Vs en fonction de la tension
d'entrée Ve

Soit le montage suivant :

A partir des montages élémentaires des exercices précédents. déterminer la tension de sortie VS du montage
décrit par la figure 3

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