MINISTERE DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR وزارة التعليـم العالـي و البحـث العلمـي
ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
.اﻟﻤﺪرﺳﺔ اﻟﻌﻠﻴﺎ اﻟﻌﻠﻮم اﻟﺘﻄﺒﻴﻘﻴﺔ ﺑﺘﻠﻤﺴﺎن
ECOLE SUPERIEURE EN SCIENCES APPLIQUEES DE
TLEMCEN
Département de la formation préparatoire Module : Electricité Générale 1
TD N°7 : Transistor bipolaire
Exercice N°1 Calcul d’un point de polarisation
Dans le montage de la Fig.1, on donne: RB = 10 kΩ et Rc =50 Ω. La tension
d’alimentation est égale à Vcc = 10V. Le transistor est caractérisé par le
paramètre β = 100. Montrer que le transistor est polarisé dans sa zone de
fonctionnement linéaire et calculer le point de polarisation de ce transistor. On
supposera que la tension de saturation du transistor est telle que VCEsat = 0,2 V.
Exercice N°2 Saturation du transistor Fig.1
On reprend le schéma de la Fig.1 en changeant la valeur de la résistance de
collecteur. On prend à présent Rc =1000 Ω. Montrer que le transistor est
saturé. Calculer le courant Ic et montrer que l’égalité Ic = β IB n’est plus
vérifiée.
Exercice N°3 Calcul des grandeurs électriques associées à transistor NPN
Dans le montage de la Fig. 2, calculer les valeurs des courants IB, Ic et IE puis
déterminer les trois potentiels aux points B, C et E. On donne β = 200, RB=14 kΩ,
Rc = 50 Ω, RE = 70 Ω et Vcc = 15 V.
Exercice N°4 Calcul des grandeurs électriques associées à transistor PNP
Fig.2
Dans le montage de la Fig.3, calculer les valeurs des courants IB, IC et IE puis
déterminer les trois potentiels aux points B, C et E. On donne β= 100, RB = 10kΩ,
Rc =50 Ω et - VDD = -10 V.
Exercice N°5 Montage Darlington
Dans le schéma représenté sur la Fig.4, déterminer les relations entre les
courants IB1 et Ic d’une part, et entre les courants IB1 et IE2 d’autre part.
Le transistor 1 possède un gain en courant β1 et le transistor 2, un gain
β2. Tous deux sont supposés polarisés dans leur zone de fonctionnement
linéaire.
Fig.4
Fig.3
1
Exercice N°6 Polarisation à quatre résistances
Dans le montage de la Fig.5, calculer les valeurs des trois résistances de sorte
que l’on obtienne un point de polarisation caractérisé par les potentiels Vc= 6V
et VE = 2V et par un courant de base IB = 100 µA et R2 =10 kΩ .
On donne β= 150 et Vcc = 10 V.
Fig.5
Exercice N°7
On suppose que les transistors sont identiques dans les 03 montages de la figure
suivante. Vcc=15V, VBE=0.7V, Rc=1kΩ , Re=100Ω , Rb=200kΩ
1-) Déterminer le courant collecteur de chaque montage pour un gain β=100 puis 300.
2-) Quel est le montage qui présente une stabilité thermique maximale (le moins sensible aux variations de
β)
Exercice N°8 Stabilisation du point de repos par résistance base-collecteur
La Fig.6 représente un circuit de polarisation du transistor NPN par résistance base-collecteur.
1. Calculer les coordonnées IC0 et VCE0 du point de fonctionnement de ce montage.
On donne : R1=27 kΩ, R2 = 3 kΩ, RC = 3 kΩ, VBE0 = 0,7 V, VCC =12 V et β = 100.
2. Calculer les variations des coordonnées du point de fonctionnement lorsque β varie de 100 à 200. En
déduire les taux de stabilisation :
3. Comment faire pour diminuer l’influence des variations de β sur le point de fonctionnement ?
Fig.6
