Electromagnétisme dans la matière

Agnès Maître
29 septembre 2021

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

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Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

Table des matières

I Structure de la matière 1
I.1 Les états de la matière . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
I.1.1 Gaz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
I.1.2 Liquides . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
I.1.3 Solides . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
I.2 Les liaisons . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
I.2.1 Liaison ionique ou électrovalente . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
I.2.2 La liaison covalente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
I.2.3 La liaison hydrogène . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
I.2.4 La liaison de Van der Waals . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
I.3 Les différents types de cristaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
I.3.1 Les cristaux ioniques (N aCl, LiF, M gO, Al2 O3 , ...) . . . . . . . . 4
I.3.2 Les cristaux covalents (Si, Ge, Cdiamant ) . . . . . . . . . . . . . . 4
I.3.3 Les cristaux iono-covalents (GaAs, InP) . . . . . . . . . . . . . . 5
I.3.4 Les cristaux moléculaires . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
I.3.5 Cristaux liquides . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
I.4 Classification périodique des éléments . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
I.4.1 Orbitales atomiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
I.4.2 Classification . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
I.4.3 Les métaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
I.4.4 Les propriétés optiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
I.5 Propriétés physiques et optiques dans un cristal . . . . . . . . . . . . . . 11
I.5.1 Symétrie cristalline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
I.5.2 Niveaux d’énergie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
I.5.3 Statistique de Fermi-Dirac . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

II Électromagnétisme de la matière 15
II.1 Equations de Maxwell . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
II.1.1 Dans le vide . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
II.1.2 Champs et charges en milieu matériel . . . . . . . . . . . . . . . 15
II.1.3 Equations de Maxwell dans les milieux matériels . . . . . . . . . 18
II.1.4 Calcul des densités de charges induites . . . . . . . . . . . . . . . 20
II.2 Polarisation des milieux matériels . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
II.2.1 Du microscopique au macroscopique . . . . . . . . . . . . . . . . 22
II.2.2 Champ macroscopique et champ local . . . . . . . . . . . . . . . 23

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ii TABLE DES MATIÈRES

II.2.3 Polarisabilité . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
II.3 les différents types de polarisabilité . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
II.3.1 Les isolants . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
II.3.2 Polarisabilité électronique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
II.3.3 Polarisabilité atomique ou ionique . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
II.3.4 Polarisabilité d’orientation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
II.4 Les isolants en régime sinusoidal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
II.4.1 Modèle de l’électron élastiquement lié ou modèle de Lorentz . . . 34
II.4.2 Susceptibilité diélectrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
II.4.3 Constante diélectrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
II.5 Les conducteurs en régime sinusoïdal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
II.5.1 Modèle de Drude Lorentz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
II.5.2 Constante diélectrique des métaux réels . . . . . . . . . . . . . . 44
II.5.3 Constantes diélectriques des métaux nobles . . . . . . . . . . . . 48
II.5.4 Conductivité . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
II.5.5 Oscillation de volume pour un gaz d’électrons . . . . . . . . . . . 55
II.5.6 Oscillation de plasmon de surface sur une surface plane . . . . . 56
II.5.7 Plasmon de surface dans une nanoparticule . . . . . . . . . . . . 59

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Chapitre I
Structure de la matière

I.1 Les états de la matière

On peut classer les propriétés optiques des matériaux en fonction de l’interaction
entre atomes et de leur cristallinité.

I.1.1 Gaz
• Distances atomes-molécules grandes
• Les interactions sont décrites par la physique statistique
• Les atomes occupent tout l’espace disponible, le milieu est compressible
• Les propriétés optiques des gaz sont proches des atomes isolés (raies fines et
élargissement doppler possible, règles de sélectivité pour les transitions).
• A haute pression les propriétés peuvent être très modifiées par la réabsorption
et les interactions

I.1.2 Liquides
• Les atomes, molécules ions sont proches les uns des autres.
• Le milieu est incompressible en première approximation. Sa compressibilité est
proche de celle du solide.
• Le liquide prend la forme du récipient qui le contient.
• Les particules sont en mouvement.
• Il n’y pas d’ordre à grande échelle mais il peut y avoir un arrangement à faible
distance.
• Les propriétés optiques des liquides sont très proches de celles milieux condensés.
On peut définir une constante diélectrique.

I.1.3 Solides
Les atomes, molécules et ions sont proches les uns des autres, mais ils sont fixes. Ils
vibrent autour de positions d’équilibre moyennes. La cohésion des solides et la liaison
entre atomes viennent de forces répulsives et attractives, avec une contribution forte
des forces électriques entre charges. Dans les solides, le rôle de la structure électronique
est prépondérante.

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2 Chapitre I. Structure de la matière

a Amorphes ou verres

On parle plutôt d’amorphes quand il s’agit de métaux et de verres pour les oxydes
et isolants. On parle souvent de "liquide figé à un moment". Ils se caractérisent par les
propriétés suivantes
• Pas d’ordre à grande distance
• Ordre à courte distance formé par les liaisons chimiques
• Isolants électriques (ou très mauvais conducteurs pour les métaux amorphes)
Les verres sont énormément utilisés dans l’industrie de l’optique et de la fibre op-
tique.
Ils sont en général transparents dans le visible. Il s’agit souvent de silice (Si02 ) qui est
transparente dans la zone 200-2000nm avec un indice de l’ordre de 1.45 (à 1% sur toute
la gamme). L’absorption et la diffusion sont faibles (<0.2dB/km). L’absorption dans
l’UV est due aux transitions électroniques et dans l’IR aux transitions vibrationnelles.
Il existe d’autres oxydes K2 03 , Al2 O3 , K2 O, CaO, BaO, P bO, P2 O5 , T i02 dont les in-
dices varient entre 1.45 et 1.9 dans le visible. Pour augmenter l’indice, on rajoute des
composants dans les verres, au prix d’une absorption plus grande dans l’UV (Cr3+
dans Al2 O3 : rubis, matériau laser)

b Cristaux

Il s’agit de solides avec des structures constituées d’atomes ordonnés dans un réseau
périodique à 3 dimensions. Les propriétés de symétrie jouent donc un rôle essentiel.
• Les cristaux peuvent être classés en fonction de la liaison qui assure leur cohé-
sion. Il est nécessaire d’avoir des forces attractives et répulsives pour assurer
un équilibre. Les atomes subissent des forces attractives à longue distance (par
exemple force de Coulomb ) et des forces répulsives à courte distance dues par
exemple à l’interaction entre les couches pleines des atomes en "contact".
• Un solide est stable si son énergie totale (potentielle + cinétique ) est plus faible
que l’énergie du même nombre d’atomes libres. La différence d’énergie entre ces
deux états est l’énergie de cohésion.
• On définit l’énergie de cohésion, comme l’énergie à dépenser pour séparer
les constituants d’un cristal en atomes ou molécules infiniment éloignés les uns
des autres (passage de l’état solide à l’état gazeux)

I.2 Les liaisons

I.2.1 Liaison ionique ou électrovalente

La liaison ionique ou électrovalente est formée par une paire d’atomes possédant une
grande différence d’électronégativité qui donnent pour l’un, un ou plusieurs électrons
pour former un ion chargé positivement (cation). L’autre atome capte ces électrons
pour former un ion chargé négativement (anion). La liaison résulte de l’attraction de
Coulomb entre le cation et l’anion. Exemple : NaCl

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I.2. Les liaisons 3

I.2.2 La liaison covalente

Une liaison covalente est une liaison attractive dans laquelle deux atomes partagent
deux électrons d’une de leurs couches de valence (couche externe non pleine) afin de
former un doublet d’électrons liant les deux atomes. Il s’agit d’une liaison très forte
qui lit des atomes équivalents ou des atomes différents mais avec une électronégativité
faible.

I.2.3 La liaison hydrogène

La liaison hydrogène est une force intermoléculaire impliquant un atome d’hydro-
gène et un atome électronégatif comme l’oxygène, l’azote et le fluor. La force d’une
liaison hydrogène est plus faible d’un ordre de grandeur environ que celle d’une liaison
covalente et plus forte que celle d’une liaison de van der Waals. Exemple : liaisons
hydrogène entre molécules d’eau

Figure I.1 – Liaisons hydrogène entre molécules d’eau

I.2.4 La liaison de Van der Waals

La liaison de Van der Waals est une interaction électrique de faible intensité de type
dipôle-dipôle électrique. Aucun électron n’est mis en commun entre les deux atomes.
Elle varie en r17 . Elle décroit donc très vite mais est importante à l’échelle des dipôles
et atomes. Elle ne peut se comprendre bien que dans le cadre de la physique quantique.
Elle fait intervenir 3 termes.
— Effets d’orientation ou effet Keesom Il s’agit d’une interaction électro-
statique attractive ou répulsive entre deux multipôles permanents selon leurs
orientation

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4 Chapitre I. Structure de la matière

— Effet d’induction ou effet Debye. Il s’agit d’une interaction entre des mo-
lécules polaires et des molécules polaires ou non polaires : le dipôle électrique
permanent d’une molécule polaire crée un champ électrique qui déforme le nuage
électronique d’une autre molécule polaire ou apolaire voisine pour former alors
un moment dipolaire induit.
— Effet de dispersion ou effet London : Il s’agit d’interaction attractives entre
molécules neutres non polaires. A chaque instant, les électrons en mouvement
continu confèrent à leur molécule un moment dipolaire non nul. Ce moment
dipolaire instantané induit un moment dipolaire dans une molécule voisine

I.3 Les différents types de cristaux

I.3.1 Les cristaux ioniques (N aCl, LiF, M gO, Al2 O3 , ...)

Ces cristaux associent des atomes (métaux alcalins) très électropositifs et des
atomes (halogènes) très électronégatifs. Il s’agit d’une interaction électrostatique de
coulomb, très forte (plusieurs eV). La liaison est assurée par un transfert d’électrons
qui assure des couches pleines aux atomes. On a donc alternativement des atomes char-
gés + et -. Dans un cristal ionique, les anions et les cations s’attirent mutuellement
dans toutes les directions de l’espace. La liaison ionique n’est pas dirigée ni localisée.
Il n’y a pas de paires d’atomes liés. Ces matériaux ont une faible conductivité et sont
de bons isolants électriques.

propriétés optiques.
Ces cristaux sont transparents dans le visible ou l’IR. L’absorption dans l’UV est liée
à la rupture des liaisons coulombiennes. Les absorptions dans l’IR sont souvent dues
aux phonons.

On dope souvent ces matériaux avec des impuretés (Cr, Cu, Nd...) qui modi-
fient fortement les propriétés optiques. Des matériaux tels que Al2 O3 : Cr (rubis) ou
Y3 Al2 O2 : N d3+ (Nd :YAG, ou grenat d’ytterbium dopé néodyme) sont couramment
utilisés dans les lasers.

I.3.2 Les cristaux covalents (Si, Ge, Cdiamant )

Les cristaux covalents sont des cristaux macromoléculaires dans lesquels les nœuds
du réseau sont occupés par des atomes ou des groupements d’atomes.
Ces matériaux sont des isolants à basse température. On peut augmenter leur conducti-
vité soit par dopage avec des impuretés (As, P), soit par rupture de la liaison hydrogène.

Propriétés optiques.
Il s’agit de semi-conducteurs à faible gap, transparents dans l’IR. Seul le diamant a un
gap à 2.4 eV (516 nm) et est transparent dans le visible.

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I.3. Les différents types de cristaux 5

I.3.3 Les cristaux iono-covalents (GaAs, InP)

Ces matériaux sont les matériaux de l’optoélectronique. Il s’agit d’atomes ayant un
nombre d’électrons de valence différents avec N 1 + N 2 = 8. La charge électrostatique
de la liaison est placée du coté de l’atome le plus électronégatif (Ga+ As− ). Le gap de
ces matériaux est plutôt dans l’UV.

I.3.4 Les cristaux moléculaires

Les nœuds des cristaux moléculaires sont occupés par des molécules simples : (H2 ,
N2 , O2 , I2 , CO2 , H2 O). Les molécules simples qui constituent ces cristaux molécu-
laires ont la même structure qu’à l’état gazeux. Les liaisons entre molécules sont plutôt
faibles, de type van der Waals (H2 , N2 , O2 , I2 , neige carbonique=CO2 ) ou hydrogène
(glace H2 O).
Il s’agit donc d’un arrangement de molécules neutres faiblement liées (on peut obtenir
aussi la forme amorphe). Il peut s’agir de chaînes carbonées soit saturées soit conju-
guées (protéines, acides aminés, molécules organiques). Ces cristaux peuvent être assez
compressibles.
Propriétés optiques.
Ces cristaux ont des propriétés optiques comparables aux molécules en terme de bande
d’absorption et de transparence dans le visible. Ces cristaux lorsqu’ils sont formés de
chaines carbonées absorbent souvent dans le visible. Ils sont aussi utilisés pour les
propriétés d’émission dans le visible (polyfluorène et LED organique par exemple).

I.3.5 Cristaux liquides

a Structure d’un cristal liquide
Les cristaux liquides sont des matériaux intermédiaires entre l’état solide et l’état
liquide. On dit que leur phase est mésomorphe. Ils sont formés de molécules allongées
orientées suivant un certain ordre. Il présentent les caractéristiques suivantes
• Ils ont la fluidité des liquides
• Ils présentent un certain ordre à deux ou trois dimensions.
• On peut distinguer plusieurs phases selon le degré d’ordre
— Smectique ordre stratifié
— Nématique (ordre d’orientation)
— Cholesterolique (nématique hélicoidal)
— Colonnaire

b Anisotropie optique dans un cristal liquide

• Les propriétés optiques dépendent de l’orientation et de la phase cristalline.
Ce sont des cristaux optiquement anisotropes. Compte tenu de la forme des
molécules d’un cristal liquide, on peut définir un indice optique n0 pour le petit
axe et un indice ne pour le grand axe des molécules.
• Le changement de phase peut être induit par le courant ou la tension électrique,
la température, l’environnement. On peut donc contrôler la transmission, l’ab-
sorption et même la diffraction en fonction de la température et d’un champ ap-

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6 Chapitre I. Structure de la matière

Figure I.2 – Cristaux liquides

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I.4. Classification périodique des éléments 7

pliqué. En modifiant l’indice extraordinaire, on induit un changement de phase

pour une onde polarisée incidente sur le cristal liquide.

c Anisotropie optique dans un cristal liquide

Les cristaux liquides sont utilisés dans les afficheurs, les écrans, en tant que modu-
lateur spatiaux de lumière de phase ou d’intensité (SLM-Spatial Light Modulator). On
dispose pour cela d’une matrice planaire de cristaux liquides nématiques qui possèdent
un axe ordinaire (petit axe) et un axe extraordinaire (grand axe). En appliquant une
tension, l’orientation des molécules de cristaux liquides est modifiée, ce qui induit un
changement de l’indice extraordinaire.

On peut utiliser un SLM comme modulateur spatial d’intensité par exemple de la

façon suivante : On éclaire cette cellule avec une onde incidente dont la polarisation
est à 45◦ de l’axe des molécules. Au repos, les deux composantes de polarisation ortho-
gonales de l’onde voient des indices n0 et ne différents. On peut faire en sorte que sans
appliquer une tension, le déphasage acquis entre les deux composantes de polarisation
de l’onde après sa propagation dans la cellule soit de π si bien que le SLM est une
lame λ/2. La polarisation de l’onde incidente a tourné alors de 90◦ et on peut placer
un polariseur en sortie afin qu’il laisse passer toute la lumière. Quand on applique une
tension sur un pixel du SLM, l’indice extraordinaire change et on induit une variation
de phase différente de celle obtenue sans tension. Chaque pixel du SLM ne peut alors
plus être assimilé à une λ/2 et l’intensité transmise est ainsi modifiée. On réalise donc
un modulateur spatial d’intensité.
On peut aussi réaliser un modulateur de phase en prenant une polarisation de l’onde
incidente le long du grand axe des molécules.
Cela peut être utilisé entre autre pour façonner spatialement des faisceaux optiques.

I.4 Classification périodique des éléments

I.4.1 Orbitales atomiques
Chaque orbitale atomique est définie par 3 nombres quantiques entiers (n, `, m), n
correspond à l’énergie de l’électron, ` correspond à son moment angulaire (ou azimutal)
et m correspond à sa projection sur une direction définie. Chaque orbitale peut être
1
occupée par deux électrons de spin opposé s = ± . On montre que 0 ≤ ` ≤ n − 1 et
2
que −` ≤ m ≤ `. Pour chaque valeur de `, on a donc 2` + 1 , chacune pouvant être
occupée deux électrons de spin opposés. On attribue à chaque valeur de ` une lettre,
les sous couches les plus profondes étant celles de ` le plus important.
• Une sous-couche s, ` = 0 peut contenir jusqu’à 2 électrons
• Une sous-couche p, ` = 1 peut en contenir jusqu’à 6
• Une sous-couche d, ` = 2 peut en contenir jusqu’à 10
• Une sous-couche f, ` = 3 peut en contenir jusqu’à 14
• Une sous-couche g, ` = 4 peut en contenir jusqu’à 18
Une couche électronique n peut donc contenir au plus 2n2 électrons. Les couches
électroniques n sont elles aussi repérées par des lettres n = 1, 2, 3, ... correspond à

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8 Chapitre I. Structure de la matière

Figure I.3 – Spatial Light Modulator

Figure I.4 – classification périodique de Mendeleiev

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I.4. Classification périodique des éléments 9

K, L, M, O, P... La couche de valence d’un atome est la dernière couche électronique,

partiellement ou complètement remplie. Elle est caractérisée par le nombre quantique
principal le plus élevé de l’atome associé à un moment angulaire `. Ce sont les électrons
de cette couche, dits électrons de valence qui sont impliqués dans les liaisons chimiques.

I.4.2 Classification
Dans la classification périodique de Mendeleiev, les atomes sont rangés par numéro
atomique croissant, en mettant sur la même colonne les atomes ayant des propriétés
chimiques similaires, donc de couche de valence similaires.
Sur une même colonne sont représentés les atomes ayant sur leur couche externe le
même nombre d’électrons (ou pour la colonne 18 par exemple une couche externe sa-
turée). Une ligne correspond au nombre quantique n de la couche externe (K, L, M, ...).
M est donc la 3ème ligne. La première colonne correspond à un seul électron de va-
lence donc à une sous couche s (` = 0). La configuration électronique d’un atome est
donnée de manière condensée en ne donnant que les électrons de la couche de valence.
Les électrons de cœur, donc les couches pleines de nombre quantique inférieur, sont
représentées par le gaz rare correspondant. Par exemple pour le calcium (Ca) : [Ar]4s2
. 4 correspond au nombre quantique n le plus élevé (O), s correspond au moment
angulaire ` = 0 et 2 au nombre d’électrons dans la sous couche s.

Une couche de valence ne peut pas avoir plus de 8 électrons (sauf pour la première
ligne où le maximum est 2 électrons) car pour n = 1 seul ` = 0 est possible. Il s’agit
de la règle de l’octet Une couche de valence est alors dit pleine. Elle correspond à la
structure ns2 np6 . Cette structure électronique qui correspond à celle des gaz nobles
correspond à une stabilité maximum. Les atomes correspondant à des gaz nobles sont
sur la dernière colonne 18.
La colonne 1 celle des alcalins qui peuvent facilement leur unique électron de la couche
de valence, correspond à la structure ns1
Les colonnes 1, 2, puis 13 à 18, possèdent 1 à 8 électrons dans leur couche de valence
(d = 0).
La régle de Klechkowski indique que les sous-couches électroniques des atomes neutres
dans l’état fondamental se remplissent
• par ordre croissant de n + `
• Par ordre croissant de valeur de n pour des sous-couches ayant des valeurs de
n + ` égales.
Par conséquent, pour un même nombre quantique principal n, les sous-couches d
et f (donc à partir de n = 3) , peuvent être incomplètes alors que les sous-couches pet
s sont pleines.

Les colonnes 3 à 12, dites celles des métaux de transition font intervenir les sous-
couches d. On trouve par exemple pour le zinc Zn : [Ar] 4s2 3d10, qui trouve bien sur
la 4ème ligne correspondant à n = 4 de sa couche de valence.
Cette règle est bien suivie pour les élement des blocs s et p. Elles est moins vraie
pour les blocs d et f . En effet la règle de Klechkowski ne fait intervenir que les énergie

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10 Chapitre I. Structure de la matière

Figure I.5 – Règle de remplissage de Klechkowski

des non quantique principaux et azimutaux sans faire intervenir le spin qui compte
aussi dans l’énergie des électrons. La règle de Hund fait intervenir la somme des spins
A titre d’exemple sur cette 4ème ligne basée sur [Ar], K : 4s1 , Ca : 4s2 , Scandium
Sc : 4s2 3d1 , ..., Co : 4s2 3d7 . On a pour N i : 4s2 3d8 ou N i : 4s1 3d9 . Le cuivre métal
noble est Cu : 4s1 3d1 0 puis le zinc , Zn : 4s2 3d1 0. On remarque là que pour le
Cuivre (et une des conformation du Nickel, la structure électronique fait =intervenir
une couche d comlète et un seul électron s.

I.4.3 Les métaux

Pour les métaux, les électrons des couches externes non pleines sont quasiment
libres. Leur distribution dans l’espace est uniforme (sauf au voisinage immédiat des
atomes chargés de la conduction). Dans les métaux, il y a interaction des coeurs (noyaux
+ couches internes) avec la mer d’électrons de conduction, ce qui assure une bonne
cohésion . On distingue les métaux alcalins (Na, Ng, Al), et les métaux de transition.
Les métaux alcalins n’ont qu’une charge superficielle. Ils peuvent donc être vus comme
des ions positifs dans une mer d’électrons.
Les métaux de transition (Co, Ni) ont des couches électroniques profondes de niveaux
d (voire f) incomplètes.
Les métaux pauvres, situés entre les métalloides et les métaux de transition ont un côté
métallique assez peu marqué. Les métalloides sont intermédiaires entre les métaux et
les non métaux. Les couches les plus profondes (d) des métaux nobles (Cu, Ag, Au)
sont complètes. Les électrons libres sont de type s (4s1 , 5s1 , 6s1 ) . Les métaux nobles
résistent à la corrosion et à l’oxydation.

I.4.4 Les propriétés optiques

Les propriétés optiques des métaux résultent à la fois des électrons liés des couches
pleines et des électrons libres des couches externes. Les propriétés optiques et particu-
lier d’absorption dépendent beaucoup de l’état de cristallinité du métal. De manière

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I.5. Propriétés physiques et optiques dans un cristal 11

Figure I.6 – classification périodique pour les métaux

générale, on a absorption dans tout le domaine spectral (transition interbande et in-

trabande). La réflexion est forte dans l’IR. A l’inverse, elle est très faible dans l’UV où
l’absorption est forte. Dans le visible la réflexivité est forte en dessous de la fréquence
plasma.

L’excitation collective du gaz d’électrons dans un métal est appelé un mode de

plasmon. Ceux ci peuvent être en volume ou en surface.

I.5 Propriétés physiques et optiques dans un cristal

I.5.1 Symétrie cristalline

La symétrie (macroscopique) du cristal différente de la symétrie (microscopique) de
l’atome lève les dégénérescences entre niveaux. Des transitions interdites dans l’atome
peuvent devenir autorisées dans un cristal.
La symétrie du cristal est à l’origine de l’anisotropie optique (voir le cours d’optique
anisotrope). Dans un cristal, on applique le principe de Neumann : toutes les propriétés
physiques doivent avoir au moins la symétrie du cristal.

On peut aussi lever la symétrie en appliquant un champ électrique ou magnétique

externe (Effet Stark/Zeeman mais aussi electro-optique). Cette levée de dégénérescence
peut être due au champ local du cristal.

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12 Chapitre I. Structure de la matière

I.5.2 Niveaux d’énergie

a Bandes électroniques

Dans un cristal, la proximité des atomes entraine un recouvrement des orbitales

atomiques. On crée ainsi des bandes d’énergie qui remplacent les niveaux d’énergie
discrets de l’atome. On absorbe sur une plage de fréquence plutôt que sur une raie.

Figure I.7 – modèle simplifié des niveaux du Na

Dans un cristal, les états électroniques sont délocalisés et possèdent l’invariance

translationnelle du cristal.

b Bandes vibroniques

Les vibrations du solide élargissent les niveaux électroniques. On couple ainsi les
états discrets électroniques à un continuum d’états vibroniques. On parle aussi d’élar-
gissement par les phonons. Pour un cristal, la vibration du réseau donne lieu à des
modes de vibration délocalisés qu’on appelle les modes de phonons.

I.5.3 Statistique de Fermi-Dirac

Le remplissage des bandes d’énergie par les électrons est gouverné par la loi de
Fermi Dirac . A l’équilibre thermodynamique, on appelle fe (E) la probabilité d’occu-
pation par les électrons du niveau d’énergie E.

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

I.5. Propriétés physiques et optiques dans un cristal 13

1
fe (E) = (I.1)
E − EF
1 + exp( )
kB T

Figure I.8 – Statistique de fermi-dirac

A température nulle, tous les électrons ont une énergie inférieure au niveau de
Fermi Ef .

Si le niveau de Fermi se trouve au milieu d’une bande (bande de conduction) le

matériau présentera un aspect métallique. Si la bande de valence est pleine, et s’il
existe un gap entre le dernier niveau occupé et le premier niveau vide, nous sommes
alors en face d’un semi- conducteur ou isolant.
Dans le chapitre suivant, nous étudierons les isolants ou diélectriques, les métaux
puis dans le dernier chapitre essentiellement les semi-conducteurs.

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

14 Chapitre I. Structure de la matière

Figure I.9 – nature des matériaux en fonction du niveau de Fermi

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Chapitre II
Électromagnétisme de la matière

II.1 Equations de Maxwell

II.1.1 Dans le vide
Dans le vide, les équations de Maxwell s’écrivent sous la forme
→
−
−−→→
− ∂B →
−
Rot E + = 0 (II.1)
∂t
→
−
Div B = 0 (II.2)
→
− ρlib
Div E = (II.3)
ε0
→
−
−−→→
− 1 ∂E −→
Rot B − 2 = µ0 jlib (II.4)
c ∂t
→
− →
−
Les champs E et B sont appelé respectivement champ électrique et champ magnétique.

II.1.2 Champs et charges en milieu matériel

a Charges et courants liés
Dans les milieux matériels, ces expressions se compliquent car la matière a une
distribution des charges et de courants non homogènes au niveau microscopique (au
niveau de l’atome ou de la molécule). On distingue des charges dites libres, qui peuvent
se déplacer librement dans le matériau, sou l’effet d’un champ électrique (par exemple
électrons libres d’un métal, électrons issus de la couche périphérique d’un atome). A
contrario d’autres charges, typiquement celle que l’on peut rencontrer dans les isolants
ne peuvent se déplacer que dans une région restreinte autour de leur atome. On a
ainsi des charges liés, qui sous l’action d’un champ électrique, se déplacent à proximité
de leur atome, et qui créent une polarisation au niveau macroscopique (à l’échelle
caractéristique du solide comportant un grand nombre d’atomes ou de molécules).
On parle aussi de courants libres et de courants liés. Dans un milieu matériel on
−→
distingue ainsi les charges ρlib et courants = jlib libres, des charges et courants
liés (ou de polarisation) à la matière. Les charges et courants libres sont contrôlées

15

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

16 Chapitre II. Électromagnétisme de la matière

par l’expérimentateur. On les appelle aussi "abusivement" les charges extérieures. Les
−→
charges et courants de polarisation ρpol et jpol sont la réponse de la matière qui, en
général, est opposée aux champs qui lui donnent naissance.
−→
On a alors pour les densités totales de charges ρtot et de courant jtot .

ρtot = ρlib + ρpol (II.5)

−→ −→ −→
jtot = jlib + jpol (II.6)

Pour traduire la distribution non homogène des champs et des courants, on intro-
→
− −
→
duit la polarisation du système P et l’aimantation M . Ces grandeurs traduisent la
densité de dipôles électriques (respectivement magnétiques) dans la matière qui est
induite par le champ électrique (magnétique).
On peut alors exprimer la polarisation, en faisant intervenir la densité de charges
liée (ou de polarisation) sous la forme suivante
→
−
Div P = −ρpol (II.7)
→
−
P peut être vu comme la densité volumique de dipôles dans la matière. On s’attachera
→
−
plus loin dans ce chapitre à décrire le sens physique de P
→
−
On peut aussi exprimer le flux des charges liées. En particulier en notant J la
R→
− →
densité de courant, avec I = J • − n dS, on peut écrire
→
−
−−→−
→ −→ ∂ P
RotM = jpol − (II.8)
∂t

b Champ électrique et polarisation

La polarisation est induite par le chap électrique. En régime linéaire, on montre
→
−
qu’on peut exprimer la polarisation du milieu P sous la forme
→
− →
−
P = 0 χ E (II.9)

où χ est appelé susceptibilité diélectrique.

→
−
On peut alors introduire une nouvelle grandeur, l’induction électrique D, reliée au
→
− →
−
champ électrique E . Cette induction (appelée aussi excitation) électrique D qui prend
en compte la densité de la matière et sa polarisation est très utile en électromagnétisme
→
−
de la matière. Elle peut s’écrire sous la forme suivante qui relie le champ électrique E ,
→
− →
−
le déplacement électrique D et la polarisation P
→
− →
− → −
D = 0 E + P (II.10)
1
0 est la permittivité du vide ( 4π0
= 9109 )

En définissant la permittivité diélectrique r qui vérifie r = 1 + χ, on peut alors

écrire l’induction électrique sous la forme
→
− →
−
D = 0 r E (II.11)

La grandeur  = 0 r est appelée permittivité absolue.

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

II.1. Equations de Maxwell 17

• Remarque En effet, à partir des équations précédentes, on peut écrire une relation
entre l’induction électrique et la polarisation
→
− εr → −
D= P (II.12)
εr − 1
→
−
D est créé par les charges libres qui induisent une polarisation et donc des charges de
polarisation. Par conséquent, pour avoir des charges de polarisation, on doit avoir des
charges libres.

• Susceptibilité diélectrique
Au niveau microscopique, la susceptibilité est liée à la polarisabilité électrique des
atomes et molécules. En général, la susceptibilité et la permittivité (ou constante)
diélectrique sont des tenseurs. Elles dépendent ainsi à la fois de la direction de propa-
gation et de la polarisation du champ excitateur, par rapport aux directions des axes
cristallographiques du matériau. Ce point est extrêmement important dans le cadre de
l’optique non linéaire et de l’optique en milieu anisotrope. Néanmoins, dans la majorité
des cas abordés dans ce cours, nous considérerons la susceptibilité diélectrique comme
une grandeur scalaire. C’est l’hypothèse d’isotropie.
Il ne faut pas confondre l’isotropie et l’homogénéité. Dans un milieu non homogène la
susceptibilité dépend de la position et on écrit χ(r) où r est la variable d’espace.
Dans le cadre de ce cours, les milieux seront souvent aussi homogènes.

c Aimantation en milieu matériel

→
−
On peut de même introduire l’excitation magnétique H reliée au champ magnétique
→
− −
→
B et à l’aimantation M par la relation ci-dessous
→
− →
− − →
B = µ0 ( H + M ) (II.13)
−→
L’aimantation M est l’équivalent au niveau magnétique de la polarisation électrique
→
− →
− →
− →
− →
−
P . De la même façon, B et D ainsi que H et E jouent des rôles équivalents.
On définit la susceptibilité magnétique χM de la façon suivante
−
→ →
−
M = χM H (II.14)
En introduisant la perméabilité relative µr = 1 + χM on peut alors écrire
→
− →
−
B = µ0 µr H (II.15)
On appelle perméabilité absolue, la grandeur µ = µ0 µr .
→
− →
−
Ainsi, on peut relier, le champ magnétique B , l’excitation magnétique H et l’ai-
−
→
mantation M par les relations ci-dessous.
−
→ →
− 1 1
M = (µr − 1) H = (1 − )B (II.16)
µ0 µr
Dans la suite de ce cours, nous supposerons que les milieux sont non magnétiques
soit µr = 1

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

18 Chapitre II. Électromagnétisme de la matière

II.1.3 Equations de Maxwell dans les milieux matériels

a Relations structurelles
Dans les milieux matériels, un couple de relations, les relations structurelles, ne
sont pas modifiées.
→
−
−−→→− ∂B →
−
Rot E + = 0 (II.17)
∂t
→
−
Div B = 0 (II.18)

Ces équations ont comme conséquence la continuité de la composante tangentielle de

→
− →
−
E et la continuité de la composante normale de B .

Démonstration Soit une interface infinie plane entre deux milieux diélectriques. On
choisit un repère tel que la direction z soit normale à cette surface et que le plan (O, x, y)
corresponde à l’interface. On considère un rectangle dont deux cotés sont perpendicu-
laires, et deux sont parallèles à l’interface, et dont les deux cotés perpendiculaires à
l’interface pourront alors avoir une longueur qui tend vers 0. La discontinuité du milieu

Figure II.1 – Continuités de la composante tangentielle du champ E et de la compo-

sante normale du champ B à l’interface

se passant à l’interface, on peut considérer que les champs varient peu en-dehors de
l’interface. Par conséquent, si A est une composant de E ou de B on peut estimer que
∂A ∂A ∂A
∂x u ∂y u 0. De la même façon, on suppose que ∂t ne varie pas significativement à
la traversée de l’interface.

Discontinuité du champ magnétique on utilise la relation

→
−
Div( B ) = 0 (II.19)

soit
∂Bx ∂By ∂Bz
+ + =0 (II.20)
∂x ∂y ∂z

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

II.1. Equations de Maxwell 19

Compte tenu des approximations présentées plus haut, on peut en déduire que
∂Bz
=0 (II.21)
∂z
→
−
par conséquent, Bz2 − Bz1 = 0. La composante normale à l’interface de B est donc
conservée. On peut écrire
−
→ − →
n1→2 · (B2 − B1 ) = 0 (II.22)

Discontinuité du champ électrique En utilisant la relation structurelle Max-

−−→→ − −
→ →
− −−→→
−
well Faraday (Rot E + ∂∂tB = 0 ), on peut donc écrire, Rot E u 0 . Le théorème de
Stockes relie la circulation d’un vecteur le long d’une coule C au flux de son rotationnel
le long de la surface S limitée par la courbe C
− →
→ − −−→→− → −
Z Z
E ·d l = Rot E · d S (II.23)
C S
→
−
La circulation du champ E le long du rectangle C est donc nulle. En faisant tendre
vers 0 la longueur des deux côtés du rectangle perpendiculaire à l’interface, on démontre
la continuité de la composante tangentielle du champ électrique .
−
→ − → →
−
n1→2 ∧ (E2 − E1 ) = 0 (II.24)

b Equations de Maxwell associées aux sources (libres)

−→
En définissant la densité de charges libres ρlib et la densité de courant libre jlib , on
peut écrire les relations de Maxwell liant le champ aux charges
→
−
Div D = ρlib (II.25)
→
−
−−→→
− ∂D −→
Rot H − = jlib (II.26)
∂t
→
− →
−
On voit ainsi l’origine de l’appellation excitation pour D et H qui sont directement
reliées aux sources libres de charges et de courant.

c Autre forme des équations de Maxwell reliant le champ aux charges

totales
Il est ainsi possible d’exprimer de nouveau les équations de Maxwell en faisant
intervenir les charges et courant totaux .
→
− 1
Div E = ρtot (II.27)
0
→
−
−−→→− 1 ∂E −→
Rot B − 2 = µ0 jtot (II.28)
c ∂t
En conclusion pour résoudre un problème d’électromagnétisme de la matière
→
− →− →− − → −→
— soit on travaille avec D, H , P ,M , ρlib et jlib ,
→
− →− −→
— soit on travaille avec E , B , ρtot et jtot et donc avec les charges de polarisation
−→
ρpol et jpol .
Les deux approches sont équivalentes.

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

20 Chapitre II. Électromagnétisme de la matière

II.1.4 Calcul des densités de charges induites

a Charges surfaciques pour un conducteur
Dans un conducteur, on considère que des électrons sont libres et qu’ils peuvent
donc se déplacer "librement dans la matière". Quand on applique un champ électrique
extérieur, on crée une charge surfacique σ. Celle-ci crée un champ induit qui s’oppose
au champ extérieur appliqué. A l’équilibre, il n’y a plus de déplacement de charges.
La résultante du champ électrique est donc nulle en volume dans le conducteur et il
n’y a pas de charges macroscopiques en volume (ρtot = 0). Par contre il y des charges
surfaciques. En considérant la symétrie du système, à la surface du métal, le champ
est perpendiculaire à la surface. Avec le théorème de Gauss, on montre qu’il vérifie la
relation
→
− σ−
E = → n (II.29)

−−→ −−−−→ −−→ → −
(Eext + Einduit = Eint = 0 )

Cela est bien sûr compatible avec la création de charges induites à une surface
conductrice, qui elles mêmes induisent un champ qui se superpose au champ incident.
Le raisonnement ci dessous permet de l’illustrer dans ce cas simple.

Figure II.2 – (a) champ créé par une surface plane infinie et chargée avec la charge
surfacique σ , (b) champ créé par deux plans infinis chargés avec la des charges sur-
faciques +σ et −σ, (c) champ créé par un champ externe incident sur un conducteur.
Dans cette figure σ > 0

• Champs créées à une interface plane infinie en surface et infiniment

mince, chargée en surface
On considère un plan infini en surface (et infiniment fin), chargé par une densité
surfacique σ. En exploitant les symétries du système et en faisant un théorème

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

II.1. Equations de Maxwell 21

de Gauss, on montre que des champs perpendiculaires et opposés sont générées

par ce plan de part et d’autre. Ils ont comme amplitude 2σ0
—
• Champs créées par deux plans infinis en surface (et infinimement
fins) chargés en surface avec des charges opposées
On montre que le champ entre les deux plans est non nul et d’amplitude σ0 . A
l’extérieur, de cette zone, il est nul
• Onde incidente sur une plaque métallique, infinie latéralement et
d’épaisseur non nulle.
L’onde E apliquée par l’exterieur induit les charges superficielles +σ et −σ sur
les surfaces. Avec le théorème de superposition, on voit que le champ est nul au
sein du conducteur et égal à E à l’extérieur. Nous voyons là que les charges de
polarisation, créent un champ qui s’oppose au champ extérieur qui a créé ces
charges de polarisation.

b Charges de surfacique polarisation dans un milieu diélectrique

Calculons maintenant la densité surfacique de polarisation (= de charges liées) à
l’interface entre un milieu polarisé et le vide. On considère deux milieux 1 et 2 et une
interface plane entre eux. Par simplification on considère que le milieu 2 est le vide. Le
→
−
milieu 1 est un diélectrique. Dans le milieu 1, sans charges libres, la polarisation P est
uniforme et dans une direction perpendiculaire à l’interface. Par conséquent ρpol est
nul dans le volume du milieu 1 ainsi que dans le milieu 2 qui est le vide. On considère
à l’interface entre les deux milieux, une petite surface dS plane incluse dans un petit
volume parallélépipédique dont les faces sont parallèles ou orthogonales à l’interface.
Ce volume est limité par la surface dΣ. On cherche à calculer la densité de polarisation
surfacique σpol sur la surface dS .
Le théorème de Green Ostrogradski nous permet d’écrire les relations
→
− − −
→ →
Z Z
−Div P dτ = − P • dΣ (II.30)

Par conséquent, on peut écrire

→
− − −
→ →
Z Z Z
Qint,pol = ρpol dτ = −Div P dτ = − P • dΣ (II.31)

où dΣ est la surface qui limite le volume. Qint est la charge incluse dans le volume.
Nous avons ici l’expression d’un théorème de Gauss avec la polarisation.
Compte tenu de la symétrie du système on peut écrire
→
− →
−
Z Z
− P • dΣ = −P • −
n−
→
ext dS (II.32)

La charge de polarisation du volume étant uniquement en surface peut s’écrire sous la

forme Z
Qint,pol = σpol dS (II.33)
En identifiant les termes, on trouve la relation finale reliant la densité surfacique de
charge à la polarisation
→
− −−→
σpol = P • −n1→2 (II.34)

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

22 Chapitre II. Électromagnétisme de la matière

De manière plus générale, on peut montrer en prenant une petite surface

que cette relation est générale.

c Calcul des charges surfaciques libres et totales à une interface

A partir de la relation précédente de Mawxwell-Gauss reliant l’excitation électrique
→
− →
−
aux sources (Div E = ρεtot
0
et Div D = ρlib ), on peut avec la relation de Green Ostro-
gradski démontrer le théorème de Gauss
→
− −−
→ →
Z Z Z
Qlib,int = ρlib dτ = Div( D)dτ = D dΣ (II.35)

Sur une interface plane entre deux milieux, compte tenu de la symétrie du système
on peut alors démontrer la (dis)continuité de la composante normale de de l’excitation
→
− →
−
D et du champ E électriques.

Figure II.3 – théorème de Gauss à proximité d’une surface plane

On montre donc que

−→ − →
n1→2 • (D2 − D1 ) = σlib (II.36)
−
→ − → σtot
n1→2 • (E2 − E1 ) = (II.37)
0
Ces relations peuvent être généralisées. En effet, on peut considérer
des volumes suffisamment petits pour que l’interface puisse être considérée
comme plane.

II.2 Polarisation des milieux matériels

II.2.1 Du microscopique au macroscopique
On appelle atome, tout ensemble de charges liées entre elles, tel que des ions en
solution, les molécules d’un gaz ou d’un liquide, des ions dans un cristal ionique. Sous
l’influence d’un champ, un atome neutre voit le barycentre de ses charges + et - se
séparer. On crée ainsi un dipole → −p On appelle →−℘ le moment dipolaire total de la
distribution de charges qui vérifie la relation
→
−
℘ = Σ→
−
p (II.38)

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

II.2. Polarisation des milieux matériels 23

→
−
On a défini P comme la polarisation volumique (moment dipolaire en volume). Cette
grandeur s’exprime en Cm−2 . On peut donc écrire
→
−
Z
→
−
℘ = P dτ (II.39)

ici le volume est moyenné à l’échelle de distribution volumique qu’il représente.

On définit ici plusieurs échelles. L’échelle microscopique est celle des atomes. Cela cor-
→
−
respond à l’échelle du dipôle → −p . La valeur locale moyenne sur laquelle on calcule P
de l’ordre de la dizaine de nm, est très grande devant la distance microscopique et très
petite devant la dimension caractéristique du système.

Pour passer des dipôles à une polarisation macroscopique, on définit sur un tout
petit volume dV la polarisation. On a
→
−
P dV = ΣdV →
−
pi . (II.40)

dV doit être assez grand pour qu’on puisse comptabiliser un grand nombre de dipôles
→
−
mais assez petit pour que P soit défini sur un volume homogène.
On peut donc faire le lien entre le dipôle et les grandeurs macroscopiques P, ρ, σ.

II.2.2 Champ macroscopique et champ local

a Champ macroscopique, dit "champ des équations de Maxwell"
Le milieu sous l’influence d’un champ électrique se polarise. Il crée lui-même un
−−→
champ électrique induit Eind dû aux charges de polarisation (sur la surface extérieure
du matériau ou dans le volume considéré) qui s’ajoute au champ extérieur au matériau
appelé aussi champ appliqué Ea . On peut alors écrire, à l’échelle macroscopique, le
→
− −−−−→
champ résultant E ou Emacro sous la forme
→
− −−−−→ − → −−→
E = Emacro = Ea + Eind (II.41)
−−→ −
→
En général le champ induit Eind s’oppose au champ appliqué Ea .
→
−
Le champ macroscopique E est le champ moyen sur une distance grande devant la
distance qui dépare deux éléments polarisables. Typiquement il s’agit de dimensions
grandes par rapport à l’élément polarisable mais petites à l’échelle de la taille caracté-
ristique de la physique considérée, typiquement la longueur d’onde. Dans les probléma-
tiques, dans le domaine optique que nous considérerons ici, cette échelle caractéristique
est de l’ordre de 10 − 100nm.
→
−
Ce champ macroscopique E est celui qui apparait dans les équations de
→
− →
−
Maxwell précédentes et qui vérifie entre autre la relation P = ε0 χ E .

b Champ local
Il s’agit dans cette partie de s’intéresser au champ qui peut s’appliquer sur une
molécule , donc à une échelle plus petite. Dans un diélectrique où les distances sont

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

24 Chapitre II. Électromagnétisme de la matière

grandes devant les distances inter atomiques, on peut considérer que le champ ma-
croscopique des équations de Maxwell et le champ agissant sur une molécule ou un
atome sont équivalents. Dans le cas de la matière dense, cette approximation n’est
plus valable. A l’échelle locale, donc à des échelles plus petites que cette échelle ma-
−−→
croscopique, le champ local Eloc agissant sur un élément polarisable, typiquement une
→
−
molécule, diffère en général du champ macroscopique E . L’échelle locale est une échelle
intermédiaire entre l’échelle macroscopique et l’échelle microscopique de la molécule et
de son cortège électronique.

c Champ interne sur une molécule

−−→
Dans un solide dense, chaque molécule subit un champ interne Eint , dû à la po-
larisation des molécules voisines, et qui se superpose au champ macroscopique moyen
→
− −−→
E . Le champ local Eloc peut être vu comme comme la superposition de ce champ
électrique macroscopique et de ce champ interne.
−−→ → − −−→
Eloc = E + Eint (II.42)
−−→
Le champ interne Eint est la superposition de deux termes
−−→ −−−−→ −→
Eint = Eproche − EP (II.43)
−−−−→
où Eproche est la contribution effective des molécules proches de la molécule considérée,
−→
et EP est la contribution de ces mêmes molécules traitées dans l’approximation des
champs macroscopiques (ou des équation de Maxwell). Si le volume contenant ces mo-
lécules proches est suffisamment grand pour qu’il y ait un grand nombre de molécules,
→
−
mais suffisamment petit, on peut considérer que la polarisation P dans le volume y
−→
est uniforme et calculer dans le cadre de Maxwell le champ EP .
Autrement dit, pour des zones dont la distance reste faible de la molécule considé-
rée, on remplace la contribution des molécules proches qu’on aurait calculé avec les
−→ −−−−→
équations de Maxwell EP par la contribution effective des molécules Eproche .

d Le modèle de Lorentz
Le modèle de Lorentz est le modèle le plus utilisé pour calculer le champ local, tout
particulièrement pour les molécules non polaires.

d.1 Calcul du champ créé par la matière proche . Dans ce modèle, on fait
l’hypothèse que sous l’action du champ, la molécule ne se déplace très peu par rapport
à sa position d’équilibre. Si le site d’équilibre dans le cristal est un centre de symé-
−−−−→ → −
trie cubique , on montre que, pour des raisons de symétrie, Eproche = 0 en tout site
d’équilibre. Cette hypothèse est complètement valable dans les matériaux isotropes tels
que les cristaux cubiques, et les matériaux amorphes. Dans les autres cas, la valeur du
−−−−→ →
−
champ Eproche , quand elle est tabulée est très faible devant E et a donc une contri-
−−−−→
bution faible. Autrement dit, on suppose que le champ Eproche associé à une région de

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

II.2. Polarisation des milieux matériels 25

matière très proche et dont le centre O est pris comme étant la molécule sur lequel
−−→
agit le champ, a une contribution minimum dans le champ local Eloc .
On peut donc écrire
−−→ → − −→
Eloc = E − EP (II.44)
−→
Il faut donc calculer maintenant la contribution EP de l’élément proche de polarisation
→
−
moyenne P .

d.2 Calcul du champ créé par une polarisation uniforme .

Dans un modèle 3D, on considère une boule diélectrique de centre O, de rayon r0 . r0 est
choisi grand devant la distance moyenne d qui sépare deux éléments polarisables mais
→
−
faible à l’échelle des variations du champ macroscopique E . Son volume est donc petit
à l’échelle macroscopique mais grand à l’échelle microscopique. On peut considérer que
→
− −→ −−−→
la polarisation P y est uniforme, permettant ainsi de calculer EP = Eboule .

Figure II.4 – boule diélectrique de polarisation uniforme

−−−→
Dans les lignes suivantes, nous calculons ce champ Eboule . On calculera d’abord le
−−−→
champ au centre O de la sphère et on approximera le champ Eboule par la valeur du
champ en O.
−−−→
• TD : Calcul du champ Eboule créé au centre d’une sphère uniformé-
→
−
ment polarisée de polarisation P .
On a
→
− −
σpol = P  →
n = P cosθ (II.45)
Pour des raisons de symétrie, le champ est suivant z. On peut alors calculer EO
Z Z π
σdS
Eboule = − cos θ (II.46)
0 4πε0 r2
Cette expression peut aussi s’écrire sous la forme
P cos2 θr2 sin θ
Z Z π
Eboule = − dθdϕ (II.47)
0 4πε0 r2
en posant le changement de variable u = cos θ on peut écrire
Z −1
2πP
Eboule = u2 du (II.48)
4πε0 1

le champ vérifie donc

P
Eboule = − (II.49)
3ε0

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

26 Chapitre II. Électromagnétisme de la matière

−−−→
• TD : Calcul du champ Eboule créé dans le volume d’une sphère uni-
→
−
formément polarisée de polarisation P .
Un calcul différent permet de calculer le champ dans la boule en utilisant le
principe de superposition.
On commence par calculer le champ créé par une boule de densité homogène de
charge ρ, de rayon R, et de centre O. Compte tenu de la symétrie du système, on
peut prouver en effectuant des symétries par rapport à des plans qui conservent
−−−→
la distribution de charge et le point M, que le champ E(M ) est suivant le vecteur
→
− −− −→
ur (E(M ) = (E(M )→ −
ur ). La distribution de charge étant invariante en θ et ϕ,
on peut montrer que le champ ne dépend que de la coordonnées r (invariance,
E(M ) = E(r)).
−−−→
Par conséquent on peut écrire E(M ) = E(r)→ −
ur . Il est alors possible de faire un
théorème de Gauss en choisissant comme surface de Gauss une sphère centrée
en O. On montre ainsi que à l’intérieur de la boule, pour r < R,
−−→
−−→ ρr →− ρOM
E(r) = ur = (II.50)
3ε0 3ε0

Figure II.5 – boule diélectrique de densité volumique de charges ρ

On considère maintenant deux boules identiques , de centre O+ et O− , de

rayon R, et de densité volumique de charges opposées +ρ et −ρ et décalées de
la distance δ. En utilisant le principe de superposition , on montre que dans
l’espace commun à l’intérieur des sphères, E est constant et vaut
−−−−→
−−→ ρO+ O−
Eint = (II.51)
30
Le champ est donc constant dans la zone de recouvrement, à l’intérieur des
sphères.
On peut remarquer que, en dehors des limites des deux sphères, ce système
−
→ →
−
est équivalent à une seule boule constituée de dipôles dp = ρdτ δ égaux et

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

II.2. Polarisation des milieux matériels 27

uniformément répartis. On peut donc ainsi définir la moyenne volumique de ces

→
−
dipôles P qui sera uniforme sur la boule. C’est le premier calcul qui a été fait,
à la main, où la valeur du champ a été calculée au centre. On montre ainsi qu’à
l’intérieur de la boule uniformément polarisée, le champ est uniforme.
FIN du TD

Nous pouvons donc en déduire que

→
−
−−→ → − P
Eloc = E + (II.52)
30
→
−
On rappelle que E est le champ électrique des équations de Maxwell.
→
−
On peut exprimer cette relation de manière légèrement différente, en exprimant P en
→
−
fonction de E
→
− →
−
P = 0 (r − 1) E (II.53)
On peut alors exprimer le champ local en fonction du champ macroscopique
−−→ r + 2 →
−
Eloc = E (II.54)
3

II.2.3 Polarisabilité
−−→
On définit le champ local Eloc et →
−p le dipôle induit. La polarisabilité d’un atome
α s’exprime sous la forme
→
− −−→
p = 0 αEloc (II.55)
En général la polarisabilité est un tenseur.

a Relation de Clausius Mosotti

Cette relation permet de relier la susceptibilité diélectrique et la polarisabilité dans
le cas du modèle de Lorentz. Elle s’applique pour des molécules non polaires (ie sans
dipôle permanent) dans le cas de gaz dense ou de liquide.
Dans un premier temps, on considère un ensemble d’atomes ou molécules, de polari-
sabilité α caractérisés par les dipôles →
−p tous identiques et dont la densité volumique
est N . On peut écrire alors les deux équations ci dessous
→
− −−→
P = N→
−
p = N 0 αEloc (II.56)
→
− →
−
P = 0 χ E (II.57)

or
→
−
−−→ → − P
Eloc = E + (II.58)
30
On trouve ainsi l’expression de la susceptibilité

Nα
χ= (II.59)
0 − N α3

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

28 Chapitre II. Électromagnétisme de la matière

en introduisant la constante diélectrique r = 1 + χ, on peut alors exprimer la polarisa-

bilité r en fonction de la constante diélectrique. C est la relation de Clausius Mosotti.
Elle relie les grandeurs microscopique et macroscopique.
Nα r − 1
= (II.60)
3 r + 2

b Relation de Clausius Mosotti pour un ensemble de dipôles différents

Ce raisonnement peut être étendu au cas d’un ensemble de dipôles potentiellement
différents référencés par l’indice i. On appelle Ni la densité volumique de dipôles pi .
On peut alors écrire les relations suivantes
→
− −−→
pi = 0 αi Eloc (II.61)
→
−
P = ΣN →
i i
−
p (II.62)
(II.63)
On peut en déduire
χE
Eloc = (II.64)
ΣNi αi
On en déduit alors la relation de Clausius Mosotti pour un ensemble de dipôles de
différents type,
ΣNi αi
χ= (II.65)
1 − 1/3ΣNi αi
r − 1
ΣNi αi = 3 (II.66)
r + 2
Cette relation relie la polarisabilité d’un ensemble d’atomes à la permittivité relative
εr

c Relation de Onsager
Dans les milieux avec moment dipolaire, on ne peut plus négliger la réaction de
l’élément de polarisation. On écrit alors (E = Emacro )
Eloc = Eonsager = gE + f P (II.67)
avec
3r
g= (II.68)
2r + 1
2r − 1
f= (II.69)
2r + 1

II.3 les différents types de polarisabilité

II.3.1 Les isolants
La réponse au champ électrique induit une polarisation de la matière qui peut avoir
plusieurs origines

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

II.3. les différents types de polarisabilité 29

•
• Polarisation électronique. Il s’agit de la modification du nuage électronique
d’un atome sous l’effet d’un champ. Il y a création d’un dipôle.
• Polarisation atomique(ou ionique). Les atomes se déplacent dans les liai-
sons par rapport à leur position d’équilibre hors champs et créent ainsi des
dipôles.
• Polarisation d’orientation. Ce mécanisme nécessite l’existence de dipôles
permanents, qui vont sous l’action du champ se réorienter.
• Polarisation par déplacement macroscopique. Le champ électrique induit
des déplacements macroscopiques à l’échelle du matériau. C’est par exemple ce
que l’on observe pour d’une jonction pn, ou de conducteurs.

Dans cette partie, nous nous intéresserons qu’aux 3 premiers cas. On peut alors écrire
la permittivité relative sous la forme

r = 1 + χe + χa + χo (II.70)

Figure II.6 – origine physique de la polarisation suivant le domaine spectral

Dans le domaine que nous étudions, c’est souvent la polarisabilité électronique qui
joue le plus grand rôle.

II.3.2 Polarisabilité électronique

• TD : Modèle de Mossoti. Calcul de la polarisabilité électronique d’un
atome

Pour aller plus loin dans la description microscopique, on peut aller au delà de la
relation de Clausius Mossoti qui relie la polarisabilité atomique (microscopique)
à la susceptibilité relative (macroscopique).
Nous allons ici calculer dans un modèle simple la polarisabilité électronique dans

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

30 Chapitre II. Électromagnétisme de la matière

Figure II.7 – susceptibilités diélectriques suivant le domaine spectral

le cas où le système est à l’équilibre dans l’état stationnaire. On considère

donc un atome neutre avec son nuage électronique. On appelle q = Ze la charge
totale positive du noyau. On suppose que les charges positives sont concentrées
au niveau du noyau, considéré comme ponctuel ici. On suppose que la densité
électronique est uniforme en volume sur une sphère de rayon R centrée sur le
noyau. On définit donc ρe la densité volumique de charges électroniques. Elle
vérifie donc
−Ze
ρe = 4 3 (II.71)
3 πR
−−→
Lorsque que cet atome est soumis à un champ local Eloc , les barycentres des
−−→
charges + et - se décalent. Avec un champ Eloc orienté vers la droite, les charges
positives se déplacent vers la droite et les charges négatives vers la gauche. On
appelle r la distance entre les barycentres des charges et →−
u le vecteur unitaire
dont la direction passe par les deux barycentres de charges et orienté du bary-
centre des charges négatives vers celui des charges positives. On crée ainsi un
dipôle →
−p qui vérifie
→
−p = qr→ −u (II.72)
q = Ze pris positif est la charge.
On suppose qu’au premier ordre la densité volumique de charge ρe n’est pas
modifiée par le champ local et est juste déplacée. On peut maintenant calculer
le champ Ee créé par la densité de charges électronique que l’on suppose être de
symétrie sphérique sur ce volume. On peut alors écrire le théorème de Gauss sur
une sphère de rayon r (mais qui n’inclue pas le point correspondant au noyau).
On peut donc écrire
4πr3 ρe
4πr2 Ee = (II.73)
3ε0
On en déduit donc l’expression du champ dû à la densité de charges électriques

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

II.3. les différents types de polarisabilité 31

Ee
ρe r −Zer
Ee = = (II.74)
3ε0 4πε0 R3
Le noyau subit donc à l’équilibre une force de résultante nulle et qui s’exprime
comme la somme de la force exercée sur les charges positives par le champ local
et par la densité de charge électronique
Zer
Ze(Eloc − Ee ) = Ze(Eloc − )=0 (II.75)
4πε0 R3
On peut donc en déduire la valeur du champ local à proximité du noyau
Zer
Eloc = (II.76)
4πε0 R3
Le dipôle qui peut s’écrire sous la forme → −p = Ze→ −r , peut aussi maintenant
s’exprimer sous la forme suivante
p = 4πε0 R3 Eloc (II.77)
On en déduit ici la polarisabilité électronique d’un atome de rayon R
αe = 4πR3 (II.78)
FIN du TD

La polarisabilité électronique augmente avec le nombre de couches.

Pour l’hydrogène R = 0.5A et αe,exp = 810−30 m3 .
On trouve avec la relation de Mossoti αe,M ossoti = 210−30 m3 . Même avec un
modèle aussi simplifié, l’ordre de grandeur est bien respecté. Par la suite nous
montrerons que la polarisabilité est dispersive (ie elle dépend de la fréquence).

• Polarisabilité électronique des ions

La polarisabilité électronique des anions est en général plus grande que celle des
cations car les électrons sont en général moins liés au noyau dans les anions. La
polarisabilité ionique peut être décrite de manière similaire à la polarisabilité
électronique. Elle augmente avec la taille de l’ion.
• Quand faut-il considérer le champ local Nous connaissons maintenant
l’expression de la polarisabilité électronique dans un cas simple. Nous pouvons
→
−
maintenant calculer le champ E créé par une molécule de dipole → −p sur une
autre située à la distance d. On peut écrire
p α0 E αE
Edipole (d) = = = (II.79)
4π0 d3 4π0 d3 4πd3
En utilisant l’expression approchée de la polarisabilité ci dessus, on peut en
déduire que
R3
Edipole (d) = E 3 (II.80)
d
où R est le rayon de la densité électronique de la molécule. Comme R << a,
le champ du dipôle Edipole est négligeable devant le champ E. On peut donc
en déduire que Eloc = E Par conséquent pour un milieu suffisamment dilué, le
champ local peut être approximé par le champ macroscopique.

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

32 Chapitre II. Électromagnétisme de la matière

II.3.3 Polarisabilité atomique ou ionique

−−→
Quand une molécule (NaCl par exemple) est soumise à un champ local Eloc , les
anions et cations se déplacent de manière opposées et des dipôles sont induits dans le
milieu. L’atome se déplace par rapport à l’édifice cristallin. Le milieu reste globalement
neutre mais des dipôles sont induits. Si on appelle → −
ri le déplacement des cations par
rapport aux anions, on peut écrire
→
−
pi = qi →
−
ri (II.81)

On peut alors décrire la polarisabilité comme la somme de la polarisabilité électronique

et atomique. On peut donc écrire le dipôle sous la forme
→
− −−→
p = (αa + αe )ε0 Eloc (II.82)

Ce raisonnement est surtout pertinent dans le cadre de molécules apolaires (ayant un

centre de symétrie) (H2 , O2 , Cl2 , CO2 ).
Pour des molécules polaires (H2 O, N H3 )), le moment dipolaire permanent est en géné-
ral supérieur au moment dipolaire induit. Quand les molécules ont un moment dipolaire
permanent, on s’intéresse alors donc à la polarisation d’orientation.

II.3.4 Polarisabilité d’orientation

On suppose que que des molécules en concentration N peuvent tourner librement
dans un fluide. Les molécules ont un moment permanent p0 = qa. a est la distance
interatomique de l’ordre de 1 angström. On estime que p0 = 10−29 C.m. On définit une
unité, le debye, pour les moments dipolaires. (1debye = 31 10−30 C.m).
Sans appliquer un champ extérieur, les molécules et donc leurs dipôles permanents → −p
→
−
sont orientés de manière aléatoire. On peut alors écrire la polarisation P sous la forme
→
− →
−
Z
P = N→
−
p dΩ = 0 (II.83)

→
− →
−
Sous l’action d’un champ électrique E , chaque molécule subit le moment → −
p0 ∧ E .
Les molécules ont tendance à s’aligner suivant le champ (pour annuler le moment). On
choisit donc comme référence des angles polaires θ la direction du champ E. L’agitation
thermique, elle, cherche à assurer l’isotropie des molécules. On peut donc calculer
−→ →
−
l’orientation moyenne des molécules. On appelle Pw la projection de la polarisation P
→
− →
−
sur l’axe aligné avec le champ E = E →−
w. →−
w est le vecteur unitaire colinéaire avec E .
−
→
Pw = N →
−
w phcosθi (II.84)

On cherche donc à calculer la valeur de Pw . Dans un milieu isotrope où la seule

force sur les dipôles est due au champ, la polarisation sera alignée selon la direction
→
− −→
du champ électrique. On a donc P = Pw .
On décrit la statistique par une distribution de Boltzmann.
L’énergie du dipôle dans le champ est
→
−
U = −→
−
p • E = −pEcosθ (II.85)

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

II.4. Les isolants en régime sinusoidal 33

Figure II.8 – Fonction de Langevin

Compte tenu de la distribution de Boltzmann, on peut écrire

U
dΩcosθe− kT
RR
hcosθi = U (II.86)
dΩe− kT
RR

avec
dΩ = sinθdθdϕ (II.87)
On en déduit U
dθsinθcosθe− kT
R
hcosθi = U (II.88)
sinθdθe− kT
R

−U pE
On pose t = kT = −ψcosθ avec ψ = kT on trouve alors

1 tet dt
R
hcosθi = R t (II.89)
ψ e dt

Il s’agit de la fonction de Langevin L(ψ). On trouve donc

1
hcosθi = coth(ψ) − = L(ψ) (II.90)
ψ
Cette fonction tend vers 1 quand ψ tend vers l’infini. Toutes les molécules sont
→
−
donc orientées à fort champ ou à faible température. On a alors P = N p→−
w.
ψ
Quand ψ << 1, sous faible champ, ou forte température, alors L(ψ) → 3 . Sous faible
champ on a donc
→
− N p2 →
−
P = E (II.91)
3kT

II.4 Les isolants en régime sinusoidal

Nous nous intéressons maintenant non plus à la réponse statique mais à la ré-
ponse du matériau à une excitation sinusoidale. Les électrons étant plus légers peuvent
répondre à un champ oscillant de plus grande fréquence que les atomes et molécules.

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

34 Chapitre II. Électromagnétisme de la matière

II.4.1 Modèle de l’électron élastiquement lié ou modèle de Lorentz

L’objectif de ce modèle est de calculer la réponse d’un dipôle →−p à une excitation
sinusoidale.
On raisonne sur un électron particulier dans un état quantique donné. On suppose qu’il
se trouve dans un puits de potentiel à symétrie sphérique. Pour simplifier les notations
et éviter la notation vectorielle, on considère un modèle à 1 dimension. L’électron se
trouve au voisinage de req avec Vmin = V (req ). Sa position est repérée par rapport au
noyau, considéré comme immobile. On écrit maintenant les équations du mouvement
de l’électron et on cherche des solutions en ei(−ωt+kr)
d2 →
−r −−→ −−→ →
−
m 2 = −gradV (r) − mγ → −
v − eEloc − e→−
v ∧B (II.92)
dt
Nous faisons quelques hypothèses simplificatrices
• B ∼ Ec si bien que v∧B v
E ∼ c << 1 car les électrons ne sont pas relativistes. On
néglige donc la force de Laplace devant la force de Lorentz.

• r varie sur des distances de l’angström très faible devant la longueur d’onde.
Donc e−ikr est une constante qu’on choisit égale à 1 avec un choix de phase
adéquat.

• L’amplitude du mouvement induit est très faible car les champ externes sont
très faibles devant les champs intramoléculaires. En effet P = ε0 cE 2 S. Pour
une puissance laser de 1mW envoyé sur un matériau de 1mm2 de de surface, on
obtient un champ E = 300V m−1 . Le champ intramoléculaire Eintra = 4πεq0 a2 .
En prenant a distance intramoléculaire de l’ordre de 10−10 m, on trouve Eintra =
1.51010 V m−1
• Par souci de simplification, nous considérerons dans le modèle développé ici
que le milieu est suffisamment peu dense pour que Eloc ∼ E où E est le champ
macroscopique. L’approximation Eloc ∼ E valable pour un milieu peu dense est
valable pour |χ|  3. En effet Eloc = E + 3P0 = E(1 + χ3 ). Ce modèle approché
dans le cas des milieux dense fournira néanmoins une bonne approximation de
la constante diélectrique.
Dans ces hypothèses, le champ extérieur est une faible perturbation et nous cherchons
la position de l’électron sous la forme r(t) = req (t) + r1 (t) où req est la position
d’équilibre et r1 la perturbation.
On peut donc développer V (r) au voisinage de req .
∂V 1 ∂2V
V (r) = V (req ) + (r − req )( )req + (r − req )2 ( 2 )req (II.93)
∂r 2 ∂r
En r = req , il s’agit d’un minimum de potentiel et dans la deuxième partie de l’équation
précédente, le deuxième terme ( ∂V∂r )req est nul. On peut donc écrire

V (r) − V (req ) 1 ∂2V

gradV = = (r − req )( 2 )req (II.94)
r − req 2 ∂r
On exprime ce gradient sous la forme
gradV = mω02 (r − req ) (II.95)

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

II.4. Les isolants en régime sinusoidal 35

où on appelle ω0 la fréquence propre de l’oscillateur. On peut donc écrire

d2 r dr
m 2
= −mω02 (r − req ) − mγ − eE (II.96)
dt dt
donc on déduit au premier ordre la perturbation r1
d2 r1 dr1
m 2
= −mω02 r1 − mγ − eE (II.97)
dt dt
Nous cherchons des solutions forcées en e−iωt . Le champ local et la position vont
s’exprimer sous la forme

r1 = r1 e−iωt (II.98)
−iωt
E = Ee (II.99)

On peut donc exprimer la solution forcée sous la forme

eE 1
r1 (ω) = (II.100)
m ω − ω02 + iγω
2

II.4.2 Susceptibilité diélectrique

Le dipôle p = −er1 peut alors s’exprimer sous la forme

−e2 E 1
p(ω) = (II.101)
m ω − ω02 + iγω
2

Si N est le nombre d’électrons par unité de volume, on peut alors exprimer la densité
de polarisation volumique (ou polarisation) P = N hpi

−N e2 E 1
P = (II.102)
m ω − ω02 + iγω
2

On peut alors écrire

P = ε0 χE = ε0 (χ0 + iχ00 )E (II.103)
On pose la fréquence plasma
N e2
ωp2 = (II.104)
mε0
On en déduit les expressions de la susceptibilité réelle
ωp2 (ω02 − ω 2 )
χ0 = (II.105)
(ω02 − ω 2 )2 + γ 2 ω 2
et de la susceptibilité imaginaire
ωp2 ωγ
χ00 = (II.106)
(ω02 − ω 2 )2 + γ 2 ω 2

Quelques commentaires

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

36 Chapitre II. Électromagnétisme de la matière

Figure II.9 – dispersion des parties réelles et imaginaires de la constante diélectrique

— La susceptibilité réelle est une fonction dispersive qui s’annule en ω = ω0 .

— Pour ω → ∞ la susceptibilité tend vers 0. Le milieu n’arrive plus à suivre.
ω2
— en ω = 0, χ0 (0) = ωp2 et χ00 (0) = 0. E et P sont en phase.
0
ωp2
— A la résonance, ω = ω0 , χ0 = 0 et χ00 = ω0 γ . E et P sont en quadrature.

II.4.3 Constante diélectrique

On peut aussi exprimer la constante diélectrique  = 0 r qui comporte aussi une
partie réelle( 0r = 1 + χ0 ) et une partie imaginaire ( ”r = χ”).
On peut donc écrire
ωp2 (ω02 − ω 2 )
0r = 1 + 2 (II.107)
(ω0 − ω 2 )2 + γ 2 ω 2
et
ωp2 ωγ
00r = (II.108)
(ω02 − ω 2 )2 + γ 2 ω 2
Dans beaucoup de matériaux, il n’y a pas qu’un seul type d’oscillateurs mais plu-
2
sieurs. On peut alors écrire : r (ω) = 1 + Σ( −Nie 1
m0 ω 2 −ω 2 +iγ ω )0i i

a Dispersion de la constante diélectrique

On peut étudier la constante diélectrique  en fonction de la fréquence ω.
• La constante diélectrique réelle est une fonction dispersive .
• En dehors de la zone autour de la résonance, la constante diélectrique réelle
χ0 croit avec la fréquence ω. La zone autour de la résonance, où la susceptibilité
diélectrique décroit est appelée zone abnormale.
• la constante diélectrique imaginaire 00 est toujours positive et présente une
résonance en ω = ω0 . Cette courbe de résonance est une lorentzienne de largeur
γ.

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

II.4. Les isolants en régime sinusoidal 37

• Quand il n’y a pas de frottements γ = 0 ou pas de dissipation de l’énergie,

00 → 0.
• Pour ω → ∞ la partie réelle 0 de la constante diélectrique tend vers 1, alors que
la partie imaginaire 00 tend vers 0. Le matériau ne répond plus à la fréquence
ω.
• Loin des résonances, on peut négliger γω devant (ω02 − ω 2 ). 00r est donc négli-
geable devant 0r − 1. On peut écrire

ωp2
0r = n2 = 1 + (II.109)
ω02 − ω 2

b Modèle de Cauchy Schwartz

On suppose qu’on est dans la zone de transparence (loin de la résonance). On néglige
donc γω devant (ω02 − ω 2 ). L’indice et la constante diélectrique sont donc purement
réels. On peut alors écrire
ωp2
n2 = 1 + 2 (II.110)
ω0 − ω 2
soit
λ20 λ2
n2 = 1 + ωp2 (II.111)
4π 2 c2 λ2 − λ20
On trouve ainsi la relation de Sellmeier avec plusieurs oscillateurs

Ai λ2
n2 = 1 + Σ (II.112)
λ2 − λ20i

c Absorption et constante diélectrique imaginaire

L’échange d’énergie par unité de temps entre un électron se déplaçant à la vitesse
→
− →
−
v et le champ électromagnétique peut s’exprimer comme PE→e = −e→ −v · E.
Pour une distribution d’un grand nombre de charges, en considérant les valeurs moyennes,
→
−
on peut alors exprimer cette puissance en terme de densité de courant j en rempla-
→
−
çant −e→ −
v par j dV où dV est un volume infinitésimal.
− −
→ →
On peut écrire alors en passant en notation complexe dPE→e = j · E ∗ dV .

On peut ainsi écrire que la puissance PE→e échangée par unité de volume est
1 − −
→ →
PE→e = Re( j · E ∗ ) (II.113)
2
La densité de courant peut s’exprimer en fonction de la polarisation par la relation
→
− −
→ −
→ →
− →
−
j = ∂∂tP = 0 (r − 1) ∂∂tE . On peut ainsi écrire que j = −iω0 (r − 1) E La puissance
dissipée par les électrons excités est donc égale à
ω0
Pe→E = − Im(r )|E|2 (II.114)
2
On voit ainsi que c’est la puissance imaginaire de la constante diélectrique
qui est responsable de la dissipation.

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

38 Chapitre II. Électromagnétisme de la matière

d Lien entre l’indice et la constante diélectrique

En combinant les équations de Maxwell, dans un milieu non magnétique et sans
courant libres
→
−
−→→ − ∂B →
−
rot E + = 0 (II.115)
∂t
→
− →
−
−→ B µ0 ∂ D →
−
rot = 0 (II.116)
− ∂t
on peut en déduire la relation de dispersion

ω2
k 2 = r (II.117)
c2
où c2 = µ010 .
On peut donc écrire
ω
k = ñ (II.118)
c
où ñ est l’indice complexe ñ = n + iκ qui vérifie ñ2 = r On peut alors écrire les
équations

0r = n2 − κ2 (II.119)
”r = 2nκ (II.120)

Inversement on peut exprimer les deux composantes de l’onde complexe en fonction

des composantes réelles et imaginaires de la constante diélectrique. On peut également
exprimer l’indice complexe (ñ = n + iκ)
r
1 q 02
n= ( r + r ”2 + 0r ) (II.121)
2
r q
1
κ= ( 02 2 0
r + r ” − r ) (II.122)
2
On retrouve là que κ, l’indice imaginaire est gouverné par ”r . En effet
• si ”r  0r , alors 2κ2 = ”r
”2r
• si ”r  0r , alors 2κ2 = 2 0
r
On peut aussi s’intéresser à la propagation d’une onde dans un milieu. Le terme
ñ zω κ zω n zω
propagatif d’une onde s’exprime en ei c = e− c ei c .
Par conséquent l’onde sera propagative dans le matériau si la partie imaginaire de
l’indice κ est nulle ou négligeable face à l’indice réel n. La partie imaginaire κ de
κωz
l’indice donne l’atténuation de l’amplitude de l’onde, qui s’exprime en e− c . On peut
z
donc exprimer l’attenuation en énergie de l’onde sous la forme e− δ . La longueur
caractéristique de l’atténuation δ est appelée aussi épaisseur de peau dans les
conducteurs. Elle est égale à
c λ0
δ= = (II.123)
2ωκ 4πκ
où λ0 est la longueur d’onde dans le vide. l’épaisseur de peau traduit les pertes dans
le matériau lors de la propagation.

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

II.4. Les isolants en régime sinusoidal 39

Voilà à titre d’exemple les valeurs pour le verre (BK7), dont la réponse est quasiment
plate sur toute la gamme du visible et jusqu’à 2, 5µm. Pour λ = 600nm. il est dit dans
cette gamme transparent car ”r  0r
• n = 1.51 et κ = 10−8
• 0r = 2.2991 et ”r = 310−8

Enfin, on peut exprimer le coefficient de réflexion à une interface entre un milieu

d’indice ñ et un milieu d’indice 1, sous incidence nulle.

1 − ñ
r= (II.124)
1 + ñ
Le coefficient de réflexion en intensité est alors

(n − 1)2 + κ2
R = rr∗ = (II.125)
(n + 1)2 + κ2

e Bande interdite
• La constante diélectrique s’annule en deux valeurs. La première est très proche
de résonance et vérifie ωl1 > ω0 . La deuxième correspond à une fréquence plus
élevée appelée ωl2 .
• La constante diélectrique est toujours positive, sauf dans la gamme de fréquence
ωl1 < ω < ωl2 , où elle est négative. Dans cette zone, l’indice complexe est
essentiellement imaginaire ñ = iκ et les ondes qui s’y propagent sont des ondes
évanescentes. Il s’agit d’une bande interdite d’énergie.

TD : Calcul de la réponse diélectrique d’un cristal biatomique

Soit une chaîne linéaire de N mailles qui ont pour longueur d, contenant 2 ions
par maille, de charge respective + e et - e et de masse respective m et M. On repère
les mailles par l’indice n. On désigne par un et vn les déplacements, par rapport à
leur position moyenne, des ions positif et négatif de la nième maille. On suppose que
l’énergie potentielle d’origine élastique des ions s’écrit sous la forme
N h
AX i
U= (un − vn )2 + (un − vn−1 )2 (II.126)
2 n=1

On rappelle que la force s’exerçant sur l’ion de masse m et à la position n dérive du

potentiel et peut s’écrire sous la forme

∂U
Fnu = − (II.127)
∂un

On veut décrire comment ce cristal se couple à la lumière, dont la longueur d’onde est
supposée grande devant les dimension du cristal, et donc très grande devant la maille.
Dans ce contexte, on peut estimer que chaque ion voit le même champ E0 e−iωt et au

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

40 Chapitre II. Électromagnétisme de la matière

sein de chaque type d’ions, tous on la même réponse. On cherche donc des solutions
sous la forme

un = u0 e−iωt (II.128)
−iωt
vn = v0 e (II.129)

1. Écrire les équations différentielles du mouvement de chaque type d’ions

2. Écrire les relations liant u0 , v0 , E0 , ω et A
3. En déduire les valeurs de u0 et v0
4. Calculer le dipôle induit par le champ au niveau d’une maille puis la polarisation
ionique induite P . Montrer qu’elle s’exprime en fonction de ωt2 = 2A µ où µ la
1 1 1
masse réduite vérifie µ = m + M . On admettra que la polarisation induite due
au mouvement des ions est la seule qui intervient.
5. On suppose que le champ E0 vue par les ions est proportionnel au champ
macroscopique E des équations de Maxwell. On notera E0 = βE. Calculer
l’induction électrique D
6. En déduire la constante diélectrique relative r (ω). Calculer la valeur ωl pour
laquelle r (ωl ) = 0. tracer la fonction (ω).
7. existe-t-il des ondes se propageant dans le cristal ayant une fréquence ω avec
ωt < ω < ω l ?

Eléments de correction
2)
! ! !
−mω 2 + 2A −2A u0 1
2 · = eE0 (II.130)
−2A −M ω + 2A v0 −1

3)

1
C −1 = T ransposée(Com(C)) (II.131)
detC
avec les élements de la comatrice de C qui s’expriment de la façon suivante

(ComC)i,j = (−1)i+j Det(Ai,j ) (II.132)

où Ai,j est la matrice obtenue à partir de C en rayant la ième ligne et la j ème colonne. 4)

−eE0 1
u0 = 2 2A
(II.133)
m ω − µ
eE0 1
v0 = 2 2A
(II.134)
M ω − µ
(II.135)

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

II.5. Les conducteurs en régime sinusoïdal 41

5)
e
P = (u0 − v0 ) (II.136)
d
6)

e2 β
r (ω) = 1 + (II.137)
0 dµ(ωt2 − ω 2 )
6)

e2 β
ωl2 = ωt2 + (II.138)
0 µd

II.5 Les conducteurs en régime sinusoïdal

II.5.1 Modèle de Drude Lorentz
Un métal comporte une large densité d’électrons libres qui proviennent de la bande
de valence des atomes. On peut le considérer comme un plasma car il comprend un
nombre égal d’ions positifs et d’électrons libres. La force de rappel responsable de
la résonance pour les isolants, disparait alors. On peut donc reprendre le modèle de
Lorentz en supprimant la force de rappel mais en gardant les frottements. Pour alléger
les expressions, on considère encore un milieu 1D. On écrit donc des grandeurs scalaires
et non vectorielles.

a Expression de la constante diélectrique

On considère comme précédemment que le milieu est suffisamment peu dense pour
que Eloc ∼ E.

d2 r dr
m 2
= −mγ − eE (II.139)
dt dt
On trouve donc
r = re−iωt (II.140)

E = Ee−iωt (II.141)

On peut donc exprimer la solution forcée sous la forme

eE 1
r(ω) = 2
(II.142)
m ω + iγω

le dipôle p = −er peut alors s’exprimer sous la forme

−e2 E 1
p(ω) = 2
(II.143)
m ω + iγω

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42 Chapitre II. Électromagnétisme de la matière

Si N est le nombre d’électrons par unité de volume, on peut alors exprimer la densité
de polarisation volumique (ou polarisation) P = N hpi
−N e2 E 1
P = (II.144)
m ω 2 + iγω
On définit la fréquence plasma ωp comme
N e2
ωp2 = (II.145)
m0
On peut alors écrire la polarisation sous la forme
1
P = −0 ωp2 E (II.146)
ω 2 + iγω
Or
→
− →
− →
− → −
D = (ω) E = 0 E + P (II.147)
La constante diélectrique s’écrit alors
1
(ω) = 0 (1 − ωp2 ) (II.148)
ω2 + iγω
on peut introduire le temps τ de relaxation entre deux collisions
1
τ= (II.149)
γ
On peut donc ainsi écrire une autre expression de la constante diélectrique en fonction
du temps de relaxation entre deux collisions
iωp2 τ 1
(ω) = 0 (1 + ) (II.150)
ω 1 − iωτ
On peut extraire les parties réelles 0r et imaginaires r ” de la constante diélectrique
relative.
ωp2 τ 2
0r = 1 − (II.151)
1 + ω2τ 2
ωp2 τ
”r = (II.152)
ω(1 + ω 2 τ 2 )

b Frottements négligeables
On considère tout d’abord le cas où les frottements (ou collisions) sont
négligeables. On suppose donc que les propriétés optiques de ces conducteurs sont
dues à des électrons complètement libres, où les collisions sont rares. On pose donc
γ = 0.
On peut alors écrire la constante diélectrique relative sous la forme
ωp2
r (ω) = 1 − (II.153)
ω2
La constante diélectrique est alors purement réelle. Il est alors possible de distinguer
3 cas différents.

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

II.5. Les conducteurs en régime sinusoïdal 43

Figure II.10 – Réflexion à incidence nulle sur un métal (sans frottements)

• ω = ωp , r (ω) = 0

• ω < ωp , r (ω) < 0. L’indice ñ est alors imaginaire pur (n = 0 et ñ = iκ). Il n’y a
pas de propagation dans le matériau. On peut calculer le coefficient de réflexion
en intensité sous incidence nulle : R = | 1−ñ 2
1+ñ | = 1. Le métal est complement
réfléchissant.

• ω > ωp , r (ω) > 0. L’indice ñ est alors réel (κ = 0 et ñ = n). Il y a propagation

dans le métal qui n’absorbe pas car on a supposé γ = 0. En effet les métaux
sont transparents dans l’UV. On peut calculer la réflexion sous incidence nulle
2
à l’interface : R = (n−1)
(n+1)2
. Une petite partie de la lumière est réfléchie. Pour
ω → ∞, n → 1 et R → 0

Voilà quelques valeurs typiques de la fréquence plasma pour les métaux.

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44 Chapitre II. Électromagnétisme de la matière

ωP
Métal N 2π λP
−18 −3 15
10 m 10 Hz nm
Cu 8.47 2.61 115
Ag 5.86 2.17 138
Au 5.90 2.18 238
Al 18.1 3.82 79
Li(77K) 4.70 1.95 154
Na(5K) 2.65 1.46 205
K(5K) 1.40 1.06 282
Rb(5K) 1.15 0.96 312
Cs(5K) 0.91 0.86 350

c Frottements non négligeables

Cependant même si ce modèle donne des résultats qualitativement satisfaisants, le

changement abrupt de comportement à ω = ωp n’est pas physique. Dans la partie sui-
vante, nous étudierons le comportement d’un métal dans ces conditions plus réalistes.

II.5.2 Constante diélectrique des métaux réels

a Ordres de grandeur

Dans la suite on ne néglige plus les frottements (γ 6= 0). Il faudra maintenant pour
évaluer la constante diélectrique comparer ωτ à 1.
Typiquement pour les métaux courants, la densité d’atomes est de 1028 − 1029 m−3 et
les fréquence plasmas ωp sont dans l’ultraviolet. Le taux de collisions γ = τ1 est de
l’ordre de 1014 Hz.Nous avons donc

ωP >> γ (II.154)

Pour cette valeur de γ = 1014 , on trouve que la valeur de λ limite pour laquelle ωτ = 1
est donnée pour λ = 20µm On peut par exemple calculer ωτ dans différentes gammes
de fréquences
• Pour λ = 100µm, ωτ = 210−1 , et pour λ = 1cm, ωτ = 210−6 . Donc dans l’IR
lointain, ωτ << 1.
• pour λ = 1µm, ωτ = 20. Donc Donc dans le visible et l’UV, ωτ >> 1
Dans la suite, nous étudierons le comportement des métaux dans les cas suivants
nous avons deux limites
• Infrarouge lointain : ω << γ et donc ω << ωp
• visible et UV ω >> γ dans les deux cas : ω > ωp et ω < ωp

b Expression du coefficient de réflexion

Dans ce cas, la constante diélectrique relative r et l’indice ñ sont complexes.

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II.5. Les conducteurs en régime sinusoïdal 45

La réflexivité R sous incidence nulle à une interface air-métal étant donnée par la
relation suivante,
(n − 1)2 + κ2
R= (II.155)
(n + 1)2 + κ2
peut s’écrire sous la forme
4n
R=1− (II.156)
n2 + κ2

c Les métaux dans l’infrarouge lointain

Nous sommes dans la situation où ωτ << 1. τ est ’court’ et les frottements consi-
dérés comme importants.
On peut alors écrire

0r ∼ 1 − ωp 2 τ 2 (II.157)
1 − 0r
|”r | = | | >> |1 − 0r | (II.158)
ωτ
donc ici dans l’IR, |r ”| >> |0r |
on peut alors écrire
s r
|r ”| 1
n∼κ=| = ωp τ >> 1 (II.159)
2 2ωτ
On peut alors écrire n ∼ κ et on en déduit
√
2 8ωτ
R=1− =1− (II.160)
n ωp τ

On définit la conductivité thermique σ0 . Pour des raisons qui seront expliquées dans
la suite, elle s’exprime sous la forme σ0 = 0 ωp2 τ . La réflexivité sous incidence nulle
sur le métal peut alors s’écrire sous la forme
√ r
ω
R=1− 80 (II.161)
σ0
Il s’agit de la relation de Hagen-Rubens, valable dans l’infrarouge lointain.
Dans l’infrarouge lointain, la réflexivité sera donc proche de 1.
De plus, la partie imaginaire de l’indice ñ peut être importante, si bien que la partie
de l’onde qui ne sera pas réfléchie sera rapidement absorbée par le métal lors de sa
propagation. L’onde pourra pénétrer sous une très faible épaisseur δ que l’on appelle
aussi épaisseur de peau.
Cherchons maintenant à expliciter l’épaisseur de peau. l’onde qui se propage s’exprime
en
ñω nω κω
E = Aei c z = Aei c z e− c z (II.162)
En considérant l’épaisseur de peau δ comme l’épaisseur pour laquelle le champ a décru
d’un facteur 1e , on peut écrire
c
δ= (II.163)
κω

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46 Chapitre II. Électromagnétisme de la matière

d Les métaux dans le visible et l’UV

On considère maintenant que ωτ >> 1. Dans ce cas les frottements peuvent
être considérés comme négligeables.

ωp2
0r = 1 − (II.164)
ω2
ωp2 1
”r = 2 (II.165)
ω ωτ
(II.166)

On remarque que ” << 0 dans l’UV et le visible. On peut calculer l’indice par
la relation
0 2 ωp2
r = ñ = 1 − 2 (II.167)
ω
• si τ1 << ω < ωp , alors 0r < 0. L’indice est imaginaire pur. ñ = iκ et R = 1.
L’onde ne pénètre pas dans le métal qui est complètement réfléchissant.
• si ω > ωp , 0r < 0. L’indice est réel ñ = n. Le métal est transparent dans cette
gamme de longueurs d’onde. On a aussi R < 1. Pour des grandes valeurs de
la fréquence, quand ω >> ωp , R → 0. Aux fréquences intermédiaires, le métal
réfléchit partiellement la lumière et une partie de la lumière sera donc transmise
dans le métal. En haute fréquence, toute la lumière sera transmise dans le métal.

e métaux réels
On peut écrire pour des métaux réels dans l’UV

ωp2
0 = st − (II.168)
ω2
où st intègre toutes les autres contributions. En effet, le modèle de Drude-Lorentz
donne une bonne description du phénomène mais est moins précis dans l’UV.
st est un terme phénoménologique qui permet de continuer à utiliser le modèle de
Drude-Lorentz. Dans une description plus complète, il faut prendre en compte l’ab-
sorption intrabande. L’introduction du terme st permet de traduire cet effet. on a
st−or = 8, st−Ag = 9.

La figure ci-dessous illustre la réflexion sur un métal réel ici, l’aluminium Pour les
fréquences faibles, où ω < ωp , le métal est réfléchissant avecR ≈ 1. Pour les fréquences
plus forte, où ω > ωp , le métal est réfléchissant avecR ≈ 0. Le modèle de Drude donne
une allure très satisfaisante, mais on voit que la réflexivité est plus petite que 1 pou
des fréquences ω < ωp . On voit de plus un pic à 1.5eV . Ces observations ne peuvent
s’expliquer par le modèle de Drude. Il faut prendre en compte les transitions inter-
bandes du métal.

Le modèle de Drude ne traite que des électrons libres.

Pour les métaux alcalins, ne comportant que un électron en couche s et ayant des
sous-couches pleines, le modèle de Drude marche très bien. On trouve des longueurs

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II.5. Les conducteurs en régime sinusoïdal 47

Figure II.11 – Réflexion à incidence nulle sur de l’aluminium. trait fin : cas idéal sans
frottement ; Pointillé : τ = 8f s, cette valeur est extraite de la conductivité à fréquence
nulle ; trait épais : expérience (sans frottements). Figure issue de Fox, Optical properties
of solids

d’onde pour le seuil de transmission (λth−U V ) très proche de celle obtenue pour la
fréquence plasma.

Métal λth−U V (nm) λp

Li 205 154
Na 210 205
K 315 282
Rb 360 312
Cs 440 350
La situation est assez différente pour les métaux nobles.

Les métaux nobles Cu, Ag, Au sont des atomes avec des couches 3d, 4d, et 5d
complètement pleines et avec un seul électron dans les bandes 4s, 5s, et 6s respective-
ment. Leur configuration électronique s’exprime sous la forme ...d10 s1 . Pour les métaux
nobles, la réponse est essentiellement due à ces électrons s de la bande de valence. Ce-
pendant, la bande d proche de la surface est à l’origine d’un environnement hautement
polarisé. Les bandes d pleines sont à très proche énergétiquement et proches du niveau
de Fermi.
On écrit par exemple, la structure électronique du cuivre sous la forme [Ar]3d10 4s1 .
La couched est pleine mais il y a un électron dans la couche s. Les 11 électrons de va-
lence remplissent complètement la couche 3d, et l’électron restant, l’électron s remplit
la moitié de la couche 4s. Il existe donc des transitions dites interbandes des niveau
occupés de 3d en dessous du niveau de Fermi vers le niveau inoccupé de 4s au-dessus
du niveau de Fermi. C’est cette absorption interbande qui fait que la réflectivité est
inférieure à 1 pour des fréquences bien inférieures à la fréquence plasma.

Pour l’argent ([Kr]4d10 5s1 ) et l’or ([Xe]4f 14 5d10 6s1 ), les transitions interbandes

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48 Chapitre II. Électromagnétisme de la matière

Figure II.12 – densité d’état pour les bandes 3d et 4s d’un métal de transition comme
le cuivre. D’après Fox, Optical properties of solids

sont aussi importantes compte tenu du gap faible entre les bandes d, pleines, et le
niveau de Fermi. Dans l’or l’absorption interbande intervient à une longueur d’onde
légèrement au dessus de celle du cuivre. C’est cette absorption interbande qui lui donne
sa couleur jaune, et non pas la fréquence plasma du modèle de Drude-Lorentz. Dans
l’argent, l’absorption interbande est autour de 4 ev, si bien que la réflexivité reste
grande dans tout le domaine visible.

Enfin les semi-conducteurs dopés contiennent des porteurs libres. Ils peuvent être
décrits par un modèle de Drude-Lorentz (en remplaçant la masse, par la masse effec-
tive). A cela se rajoute l’absorption par les impuretés qui fait des transition hydrogé-
noides fines.

II.5.3 Constantes diélectriques des métaux nobles

On s’intéresse là aux métaux réels. On considère ici les métaux nobles Or (Au),
Argent (Ag) et Cuivre (Cu). Les données sont issues du site web (https ://refractivein-
dex.info/)

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II.5. Les conducteurs en régime sinusoïdal 49

a Or-Au
• Dans l’infra-rouge lointain

Figure II.13 – indice (n)en rouge et coefficient d’extinction (κ) en bleu pour l’or dans
l’infrarouge. n etκ sont proches . D’après https ://refractiveindex.info/

• Dans le visible/proche UV

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50 Chapitre II. Électromagnétisme de la matière

Figure II.14 – constantes diélectriques réelles (0r ) et imaginaire (00r ) pour l’or dans
l’UV proche et le visible.

Figure II.15 – indice (n)en rouge et coefficient d’extinction (κ) en bleu pour l’or dans
l’UV proche et le visible. D’après https ://refractiveindex.info/

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II.5. Les conducteurs en régime sinusoïdal 51

b Argent-Ag

Figure II.16 – a)indice (n) en rouge et coefficient d’extinction (κ) en bleu pour l’argent
dans l’UV proche et le visible. b)indice (n) pour l’argent

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52 Chapitre II. Électromagnétisme de la matière

c Cuivre

Figure II.17 – indice (n) en rouge et coefficient d’extinction (κ) en bleu pour le cuivre
dans l’UV proche et le visible

d Aluminium
Ici la constante diélectrique de l’aluminium, métaux dit pauvre, se comporte dif-
féremment des constantes diélectriques de métaux nobles (or et Argent). Sa structure
électronique ([N e]3s2 3p1 ) est aussi très différente, avec 3 électrons de valence.

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II.5. Les conducteurs en régime sinusoïdal 53

Figure II.18 – Constantes diélectriques réelle(1 )en haut et imaginaire (2 ) en bas
pour l’or, l’argent et l’aluminium , dans l’UV proche et le visible

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54 Chapitre II. Électromagnétisme de la matière

II.5.4 Conductivité
a Relation entre la conductivité et la constante diélectrique
Au lieu de résoudre l’équation du mouvement en r, on le résout en v = ṙ.
On peut alors écrire
dv
m = −mγv − eE (II.169)
dt
or
v = ve−iωt (II.170)
−iωt
E = Ee (II.171)
On obtient alors la solution forcée.
−eτ 1
v(t) = E(t) (II.172)
m 1 − iωτ
→
−
Par ailleurs nous savons que la densité volumique de courant j s’écrit sous cette forme
→
− →
−
j = σ E = −N e→ −
v (t) (II.173)
On définit la conductivité électrique statique σ0 comme
N e2 τ
σ0 = = 0 ωp2 τ (II.174)
m
On peut donc en déduire le lien entre la conductivité et la constante diélectrique
σ0
σ(ω) = (II.175)
1 − iωτ
soit
σ(ω)
(ω) = 0 (1 + i ) (II.176)
0 ω
La conductivité et la constante diélectrique traduisent donc la même physique.

b Profondeur de pénétration en basses fréquences

On considère ici le régime des très basse fréquences pour lesquelles ωτ << 1. Dans
ce cas ”r >> 0r et n ∼ κ. On a alors
s r
|r ”| 1
κ= = ωp τ (II.177)
2 2ωτ
Le vecteur d’onde k s’exprime de la façon suivante :
ω
k = (n + iκ) (II.178)
c
La profondeur de pénétration ou épaisseur de peau dans le métal correspond à la
longueur pour laquelle l’intensité du champ a été diminuée de e12 . Par conséquent pour
une onde E = E0 ei(kz−ωt) , l’épaisseur de peau s’exprime sous la forme ci dessous
s
c 2
d= = (II.179)
κω ωσ0 µ0

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II.5. Les conducteurs en régime sinusoïdal 55

II.5.5 Oscillation de volume pour un gaz d’électrons

On étudie le cas où la constante diélectrique est nulle.

a Onde longitudinale
→
−
L’équation de Maxwell-Gauss, vérifie (r Div E = 0). On peut l’exprimer sous la
→
− → − →
− →
−
forme r k • E = 0. Si r 6= 0, alors k et E sont perpendiculaires. L’onde est dite
transverse.
Par contre quand r = 0, l’onde n’est plus transverse. En effet, on a alors des solutions
→
−
avec un champ E non nul.
→
−
On sait de plus que Div B = 0. L’équation Maxwell-Ampère
−−→→
− ω → − →
−
Rot B + i 2 r E = 0 (II.180)
c
−−→→− →
− →
− →
−
implique que Rot B = 0 . On déduit de ces deux équations que B = 0 quand la
constante diélectrique est nulle. L’onde est purement électrique.
Une onde plane progressive sinusoidale de la forme E = Aei(kr−ωt) obéit à la relation

k ∧ E = ωB = 0 (II.181)
→
− →
−
Par conséquent E et k sont parallèles. On voit ainsi que si la constante diélectrique est
nulle, les solutions aux équation de Maxwell sont des ondes électriques longitudinales
→
− → −
( k // E ).

b Modèle microscopique du plasmon de volume

On sait qu’un gaz d’électrons libres, dont on néglige les collisions, a une constante
ω2
diélectrique r = 1 − ωp2 . Quand εr = 0, on a alors ω = ωp
On cherche cette fois ci la réponse des électrons à une excitation longitudinale. On
suppose qu’on a un déplacement complet de la position u du gaz d’électrons par rapport
au réseau des ions. On a donc des charges surfaciques σ. Celles-ci peuvent s’exprimer
sous la forme σ = N eu où N est la densité de charge. On crée ainsi un champ E qui

Figure II.19 – déplacement des électrons-plasmon de volume

s’oppose à l’excitation
σ
E= (II.182)
0

Electromagnétisme dans la matière, masters LuMI et MIO, version 2021/2022

56 Chapitre II. Électromagnétisme de la matière

On peut alors écrire l’équation du mouvement d’un électron se déplaçant collectivement

de u.
d2 u N eu
m 2 = −e (II.183)
dt 0
En résolvant
q cette équation, on trouve une onde oscillante évoluant à la fréquence
e2
ω = ωp = N m0 . Il s’agit d’un plasmon de volume (degré de liberté=3D). Pour l’argent,
la fréquence plasmon est de 15,9 eV. On n’y a pas accès en optique pour des raisons
de fréquence et parce que c’est une onde longitudinale.
Le plasmon de volume est donc une onde longitudinale qui ne peut pas être excitée
par une onde electromagnétique incidente (mais par exemple par impact d’électrons).

c Oscillation plasma du gaz libre d’électrons

Cette fois ci la constante diélectrique n’est pas nulle. Les ondes électromagnétiques
→
−
sont transverses et de vecteur d’onde k .On cherche une solution à l’équation des ondes

→
− → − ∂2D
∇ ∧ ∇ ∧ E = −µ0 2 (II.184)
∂
On en déduit l’équation de dispersion

ω2
k 2 = (ω) (II.185)
c2
ω2
Dans le cas des métaux sans frottements, on a r = 1 − ωp2 . Pour ω < ωp , la constante
diélectrique est négative et il n’y pas de propagation. Pour ω > ωp , il y a propagation
d’onde dans le métal (dites plasmas) avec la relation de dispersion suivante

ω 2 = ωp2 + k 2 c2 (II.186)

Les plasmons existent donc en volume (ou dans un espace à 3 degrés de liberté -3D)
dans les métaux sans frottements, ou lorsque ceux-ci sont négligeable (pour les hautes
fréquences, dans le visible-UV par exemple).
On définit aussi les plasmons polaritons de surface (SPP)(oscillation collective d’élec-
trons à l’interface entre un métal et un diélectrique) (degrés de liberté : 2D) et un
plasmon localisé (oscillation collective pour une nanoparticule) (∼ OD).

II.5.6 Oscillation de plasmon de surface sur une surface plane

On cherche là une solution à une oscillation à l’interface métal diélectrique. Comme
toujours tout peut être déduit des équations de Maxwell et, en considérant des ondes
planes, ici de l’équation de Helmholtz. On suppose ici une surface dont la normale a z
comme coordonnée.
∇2 E + k02 r (z)E = 0 (II.187)
On cherche une onde qui se propage à l’interface et qui a donc la formeE(x, y, z) =
E(z)eikx x . On suppose que l’interface est isotrope en (x, y) et on oublie la dépendance
→
−
en y. Le vecteur d’onde k n’a donc pas de composante en y.

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II.5. Les conducteurs en régime sinusoïdal 57

L’équation de Helmhotz s’écrit alors sous la forme

∂ 2 E(z)
+ (k02 r (z) − kx2 )E = 0 (II.188)
∂z 2
On peut définir les modes TM (transverse magnétique ou modes p) qui sont tels
que seuls les modes Ex , Ez et Hy sont non nuls et les modes TE (transverse électrique
ou modes s) tels que seuls les modes Hx , Hz et Ey sont non nuls. On résout ces équa-
tions dans les cas T E et T M La zone 1 de l’espace est le diélectrique et la zone 2 est
dans le métal. On sait donc que r,1 > 0 et r,2 < 0. Dans les deux cas on considère
des constantes diélectriques réelles.

On considère d’abord le mode T M . Le calcul des modes se ramène à un cal-

cul de continuité des champs H// et D⊥ à l’interface donc ici de Hy et 1 Ez .
De cette condition de continuité, on montre que
k z1 r,1
=− (II.189)
kz2 r,2
On peut extraire des relations de Helmhotz aussi les relations suivantes
ω2
kz21 = kx2 − r,1 (II.190)
c2
et
ω2
kz22 = kx2 −
r,2 (II.191)
c2
Après quelques calculs, on en déduit les deux relations suivantes.
s
ω 1
k z1 = r,1 (II.192)
c r,1 + r,2
et s
ω 1
kz2 = − r,2 (II.193)
c r,1 + r,2
On peut extraire la valeur du vecteur d’onde pour une onde se propageant à l’interface
s
ω r,1 r,2 (ω)
kx = (II.194)
c r,1 + r,2 (ω)
Pour que l’onde soit propagative, il faut que kx soit un réel ; Or r,2 < 0 donc si
|r,2 | > r,1 , on a bien une onde propagative suivant x.
De la même façon on montre que kz est imaginaire. L’onde est donc évanescente en z.
On appelle plasmon polariton de surface (SPP) l’onde propagative mi-photonique, mi
électronique qui se propage alors à la surface.

Il y a résonance lorsque la norme du dénominateur | 1 + 2 (ω) | est nulle ou

2
minimum. Sans amortissement, r,2 = 1 − ωω2 . On en déduit alors à la résonance, les
p
relations suivantes
ωp
ω = ωsp = √ kx → ∞ (II.195)
1 + 1

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58 Chapitre II. Électromagnétisme de la matière

Figure II.20 – plasmon polariton de surface

ωsp est appelé fréquence de plasmon de surface

On peut donc tracer le diagramme de dispersion d’une onde plasmon de surface

propagative.
Nous avons vu que la fréquence de résonance d’un gaz libre d’électrons, quand les
frottement sont négligeables, donc à haute fréquence, s’exprimait sous la forme

ω 2 = c2 k 2 + ωp2 (II.196)

Sur la figure ci dessous, nous représentons la courbe de dispersion d’une onde

électromagnétique dans le volume d’un métal (sans pertes) et à l’interface diélectrique-
métal.

Figure II.21 – Courbe de dispersion des ondes pouvant se propager dans un conduc-
teur ou a son interface avec un diélectrique

On observe ici la courbe de dispersion d’un SPP et de l’onde propagative dans le

milieu diélectrique se se coupent pas (sauf à fréquence nulle). Il faudra donc utiliser

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II.5. Les conducteurs en régime sinusoïdal 59

des méthodes spécifiques pour pouvoir exciter des plasmons de surface.

On peut remarquer

II.5.7 Plasmon de surface dans une nanoparticule

On considère là une nanoparticule métallique dont la taille est beaucoup plus petite
que la longueur d’onde électromagnétique. On peut alors exciter un dipole sous l’action
d’un champ. Si on considère une nanophère de rayon R d’un matériau conducteur de
constante diléectrique m placé dans un diélectrique de constante diélectrique d , on
montre que la polarisabilité α de la nanoparticule s’exprime sous la forme
d − m
α = 4πR3 (II.197)
d + 2m
C’est une extension de la relation de Clausius Mosotti précédemment vue.
On obtient une résonance de plasmon quand le dénominateur | d + 2m | est nul ou
au moins minimum.
Le champ à proximité, en champ proche, de la nanoparticule est intense.

Figure II.22 – champ électrique à la résonance plasmon d’une particule métallique

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