Université Cadi Ayyad 31 Décembre 2019
Faculté des Sciences Semlalia
Département de Physique
Fillière: SMP/S5
Contrôle: Electronique Analogique
Durée: 2 heures
Exercice I : (3 Points)
On considère le circuit de la figure suivante ( Figure.1) , on suppose que l’amplificateur opérationnel est
idéal.
+
Figure.1 A
- R3
Ue
Us
R1 R2
R4
1. Exprimer Us en fonction de Ue et des résistances. 1
2. Que devient cette expression si on prend : R1=∞. 1
3. Quel est le rôle de ce montage ? 1
Exercice II : Les trois parties I, II et III sont indépendantes. (10 Points)
On considère le montage amplificateur de la figure ci-dessous (Figure.2).
On donne: = 150, RB= 170 k, RC= 400 , RE=600 , RL= 1 k et VCC = 15V.
VCC
RC C2
Figure.2 RB is
C1
ie
RL
Rg vs
ve
eg RE
CB
I-Étude statique :
La tension base-émetteur du transistor est: VBE0= 0,6V. On néglige le courant de base devant le
courant du collecteur (>>1).
1. Donner le schéma en statique de l’amplificateur. 0.5 0.5 0.5 0.5
2. Déterminer le point de fonctionnement du transistor : IB0, IC0 et VCE0 .
II-Étude dynamique en Basses fréquences (BF) :
Les paramètres du schéma dynamique du transistor sont: h11, , h12 = 0 et h22 = 0.
1. Quel est le type du montage (EC, CC ou BC)? 0.5
2. On suppose parfaites les liaisons par les condensateurs C1, C2 et CB :
a. Donner le schéma dynamique faibles signaux du montage en BF. 1
𝒗
b. Déterminer le gain en tension en charge AV = 𝒔 1
𝒗𝒆
c. Déterminer l’impédance d’entré du montage Ze 0.5
d. Déterminer l’impédance de sortie Zs 0.5
e. En déduire le gain en courant Ai 0.5
3. Maintenant, on souhaite étudié l’effet de la capacité CB , on suppose que seul les liaisons par
les condensateurs C1 , C2 sont parfaites. :
a. Donner le nouveau schéma dynamique faibles signaux du montage en BF. 0.5
v
b. Déterminer le nouveau gain en tension en charge AV = v s 1
e
c. Quelle est la fréquence de coupure du montage 0.5
III-Étude dynamique en Hautes fréquences (HF):
1. Donner le schéma équivalent dynamique du montage en hautes fréquences On suppose que.
Les paramètres naturels sont : rb’c, Cb’c, rb’e , Cb’e et ( ou gm) . rbb’=0 et 1/rce =0. 1
2. Donner l’expression du gain en tension en fonction des éléments du montage et des paramètres
naturels. On notera Zb’e l’impédance rb’e//(1/jCb’e) et Zb’c l’impédance rb’c//(1/jCb’c) 1
Exercice III : (7 Points)
Soit le montage amplificateur à transistor à effet de champ donné par le schéma ci-dessous (Figure.3) .
On considère que les liaisons par les condensateurs C1, C2 et CS sont parfaites aux fréquences de travail.
VDD
RD C2
Figure .3
C1 is
rg
ie
RS1 Vs RL
eg
Ve RG
RS2
CS
1. Quel est le type de ce montage ? 0.5
2. Donner le schéma dynamique, faibles signaux, du montage en Basse Fréquence ( On suppose
que 1/rds=0). 1
𝒗𝒔
3. Déterminer le gain en tension en charge 𝑨𝒗 = 1
𝒗𝒆
4. Déterminer l’impédance d’entré du montage Ze 1
5. Déterminer l’impédance de sortie Zs 1
6. Déterminer le gain en courant. 1
7. Maintenant On tiendra compte dans le schéma équivalent du transistor à effet de champ de la
résistance rds (rds≠0). Déterminer le nouveau gain en tension. 1.5
