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Electronique générale I
Licence de Physique S5
Série 2
Transistors bipolaires : Fonction amplification
Exercice 1 : EC
Soit le montage amplificateur de la figure 1, dans lequel le
transistor T est de type NPN, polarisé en émetteur commun. 11IB
1- Tracer la droite de charge statique. Sachant que le point RC
de fonctionnement est au milieu de cette dernière, R1
donner ses coordonnées : (IC0, VCE0, IB0, VBE0). B T
2- Calculer la résistance R1.
3- On supprime R2. Quelle est la nouvelle valeur de R1 R2 RE
pour conserver le même point de fonctionnement.
RC=0.6KΩ, RE=0.4KΩ, R2=5KΩ, EC=12V, β=100
Figure 1
Exercice 2 :
Ec IC
Soit un transistor NPN monté en émetteur commun et polarisé par pont RC
de base, comme l’indique la figure ci-contre:
R1
1- Déterminer la tension EB et la résistance RB du générateur placé à
l’entrée du transistor T (point base B), équivalent à la polarisation IB
par pont de base B
2- Déterminer graphiquement les coordonnées du point de repos.
3- Calculer la puissance consommée par le transistor T VBE
IE
R2
On donne : EC = 12V ; R1=30kΩ ; R2=10 kΩ et Rc=0.2 kΩ
Caractéristiques du transistor : β=100 ; VBE=0.6V
Figure 2
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Exercice 3 :
Soit le réseau de caractéristiques d’un transistor (montage émetteur commun), donné.
Déterminer le type du transistor (NPN ou PNP) et la nature de son matériau.
1- Tracer IC = f(IB) pour VCE = 5 V et VCE = 15 V.
2- Tracer l'hyperbole de dissipation maximale, PMAX =200 mW. .
3- Déterminer le gain en courant β pour IC = 5 et 10 mA.
4- Déterminer IC et VBE pour IB = 66 µA et VCE = 15 V.
5- Déterminer VCE et VBE pour IB = 96 µA et IC = 13 mA.
6- Déterminer en régime dynamiques, les paramètres hybrides de ce transistor dont le point
de fonctionnement est celui défini à la question 6. Représenter son schéma équivalent.
Vcc
Exercice 4 :
RC
Le transistor NPN de la figure 4 fonctionne en régime linéaire.
R1
1- Calculer la tension aux bornes de la résistance RE.
2- Calculer RE pour avoir un courant IE = 2 mA.
3- Montrer que le montage se comporte comme une source de IB
courant, vis à vis de la résistance RC, tant que le transistor
fonctionne en régime linéaire. Quelles sont les valeurs de Rc
permises ?
RE
VBE = 0,7 V ; VCE sat = 0,2 V ; β>>1; Vz0=2V;
Vcc = + 15 V
Figure 4
Exercice 5 :
Soit un transistor NPN monté en émetteur commun,
comme indiqué sur la figure 5.
Les caractéristiques du transistors sont RC C2
RB
:β=100 ;VBE=0.7V C1
1- Donner les rôles des condensateurs C1 et C2. T
2- Représenter le schéma électrique du montage en E
e(t)=Em sin(t) ZL
régime statique
3- Quel est le type de cette polarisation et préciser ses
intérêts.
4- Déterminer les coordonnées du point de Figure 5
fonctionnement du transistor T.
On donne : E = 12V, Rc=1kΩ, RB=100 kΩ.
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Exercice 6 :
Soit le montage de la figure 6, dans lequel le transistor
T est de type NPN. Ec
1- Donner les rôles des condensateurs CL et CB.
2- Donner le schéma équivalent du montage en
régime dynamique, aux basses fréquences et
aux faibles signaux
3- Déterminer alors ses caractéristiques
dynamiques et donner son schéma équivalent
réduit (amplificateur).
On donne : Rc =1kΩ, RE=0.51kΩ, β=100
Figure 6
Exercice 7:
1- Donner les schémas équivalents en régime dynamique (basses fréquences et signaux
faibles), des circuits donnés ci-dessous :
+E + EE
C E
Cc R1 Rc
R1 Rc
C2
C1 C1
C2
RL RL
e R2 RE e R2 RE
CE
(a) (b)
2- Déterminer alors leurs caractéristiques dynamiques et donner leurs schémas
équivalents réduits (amplificateurs).
3- Reprendre les mêmes questions dans le cas où le condensateur C du circuit de la figure
b est déconnecté
4- Tracer la réponse en fréquences .du circuit de la figure (b) dans les cas où seront pris en
considération:
- les condensateurs de liaisonC1 et C2
- Le condensateur de découplage CE
- Les condensateurs de liaison et de découplage
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AN : EC = 12V ; R1=30kΩ ; R2=10 kΩ , RE=0.5 kΩ, Rc=0.2 kΩ et RL=2 kΩ
Caractéristiques du transistor : β=100 , h11=0.5 kΩ, 1/h22 =50 kΩ et h12=0
C1=C2=1µF, CE= 0.5µF
Exercice 8 :
L’amplificateur en cascade de la figure ci-dessous es réalisé par l’association d’un montage
émetteur commun et d’un montage base commune. Les 2 transistors ayant été polarisés par une
source continue et possédant les mêmes caractéristiques dynamiques.
1- Donner le schéma équivalent du montage en régime dynamique , aux faibles signaux et
aux fréquences moyennes.
2- Déterminer alors les caractéristiques dynamiques du montage amplificateur et donner
son schéma équivalent réduit.
3- Donner aux fréquences basses, l’expression de la fonction de transfert T=v2/e, sachant
qu’à ces fréquences, les condensateurs de découplage ont des impédances négligeables
et se comportent comme des court-circuit.
4- Tracer le diagramme de Bode de T() dans le domaine des basses et moyennes
fréquences.
+E
C
R3 Rc C2
T' V2 RL
CB
R2
T
C1
e V1 R1 RE CE
E= 12V ; R1=5kΩ ; R2=6 kΩ , R3 =7 kΩ, RE=1kΩ, Rc=2 kΩ, R0=0.5 kΩ C1= C2= 5µF
Caractéristiques du transistor : β=100 , h11=0.6 kΩ, 1/h22 =0 kΩ et h12=0
Exercice 9 :
Le schéma de la figure ci contre représente un amplificateur à deux étages couplé par un
condensateur C2=10µF et chargé en sortie par une résistance RL=1kΩ. Le transistor T monté en
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émetteur commun, est chargé par la résistance d’entrée Re2 du montage collecteur commun,
construit avec T'.
I- Etude en régime statique :
Donner le schéma du montage en régime statique et déterminer les coordonnés des
points de fonctionnement des 2 transistors sachant que ces derniers se trouvent aux
milieux de leurs droites de charge statique.
II- Etude en régime dynamique :
1- Donner le schéma équivalent du montage en régime dynamique, aux signaux
faibles et aux fréquences moyennes.
2- Déterminer alors les caractéristiques dynamiques de l’amplificateur et donner
son schéma amplificateur réduit.
III- Réponse en fréquences :
1- En supposant que le condensateur de découplage se comporte comme un court-
circuit aux fréquences basses :
a- Donner la fonction de transfert T= v2/e du montage amplificateur dans le
domaine des basses fréquences.
b- Mettre T sous une forme standard et déterminer ses fréquences
caractéristiques.
c- Tracer le diagramme de Bode de T=v2/e dans le domaine des basses et
moyennes fréquences. (seront prs en comptes les condensateurs de liaison
seulement) +E
C
R2 Rc R'2 R'c
C2
C3
C1
v2 R0
e v1 R1 RE R'E
CE
E= 12V ; R1=20kΩ ; R2=82 kΩ , RE=1kΩ, Rc=2 kΩ, R'2=0.2 MΩ , R'E=1kΩ, R'c=2
kΩ,et R0=1 kΩ; C1= C2= C3= 10µF
Caractéristiques du transistor : β=100 , h11=1 kΩ, 1/h22 =0 kΩ et h12=0
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