Electronique Analogique Chap.

5 : Les transistors

Chapitre 5 :
Les TransisTors

I. Le transistor à jonction :
Le transistor bipolaire à jonction est un empilement de trois couches de Silicium, obtenues par diffusions
successives de dopants.
Les dispositifs en question sont ensuite complétés par trois plaquettes métalliques placées respectivement
sur les extrémités des zones latérales et sur le côté de la zone centrale. Elles sont désignées par les lettres E,
B, C.
Un exemple de structure est présenté à la figure ci-dessous. Le principe de fonctionnement s’applique à tous
les transistors bipolaires.
Deux types de transistors existent. On leur donne comme nom l’ordre d’empilement des couches soit PNP ou
NPN. La couche centrale porte le nom de la base (B), les couches externes sont l’émetteur (E) et le collecteur
(C).

C C

B B

E E

Les caractéristiques des deux types de transistors sont semblables, c'est-à-dire qu'ils fonctionnent de la
même façon. Toutefois, ils nécessitent des tensions de polarité contraire : le transistor NPN fonctionne
avec des tensions positives tandis que le transistor PNP fonctionne avec des tensions négatives. Dans le
symbole du transistor l’électrode qui porte la flèche est l’émetteur ; on voit sur la figure que les
symboles du PNP et NPN ne diffèrent par le sens de la flèche, qui indique le sens du courant
conventionnel (de P vers N) dans la jonction base-émetteur.
1.1. Courants à travers les jonctions :
On mesure les courants entre deux électrodes reliées à un générateur quand la troisième est
déconnectée.
En observant la figure 1, on remarque que les trois zones forment deux jonctions distinctes ; dans le
transistor NPN, l'émetteur et la base forment une jonction NP tandis que la base et le collecteur forment une
jonction PN.
Dans le cas du transistor PNP par contre, l'émetteur et la base forment une jonction PN tandis que la base et
le collecteur constituent une jonction NP.
Lorsque l’on n’applique aucune tension sur les électrodes du transistor, c'est-à-dire lorsque ses deux
jonctions ne sont pas polarisées, il s'y manifeste les mêmes phénomènes que l'on avait dans la jonction PN.
(Voir semi-conducteurs).
Chaque jonction est le siège d'une barrière de potentiel où la zone N est rendue plus positive que la zone P.
La barrière de potentiel a une valeur telle qu'elle permet le passage d'un flux de porteurs majoritaires égal
au flux des porteurs minoritaires. Ainsi le flux total des porteurs traversant chaque jonction est nul.
Pour le fonctionnement normal d'un transistor, qu'il soit du type PNP ou NPN, la jonction émetteur-base doit
être polarisée en direct tandis que la jonction collecteur-base doit être polarisée en inverse. La polarisation
des jonctions peut s'obtenir au moyen d'une pile raccordée de manière adéquate.
Pour polariser directement la jonction émetteur-base, la pile est raccordée comme le montre la figure 2-a
dans le cas d'un transistor PNP, ou bien de la manière indiquée figure 2-b dans le cas d'un transistor NPN.

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Dans les circuits ainsi constitués, de façon analogue à ce qui se passe dans une diode, il circule un courant
direct appelé courant d'émetteur et désigné par I E .
Pour polariser en inverse la jonction collecteur-base, la pile est raccordée comme le montre la figure 3-a
dans le cas d'un transistor PNP, ou bien de la manière indiquée figure 3-b dans le cas d'un transistor NPN.
Dans ces nouveaux circuits, on observe aussi ce qui se produit dans une diode, c'est-à-dire que l'on constate
la circulation d'un courant inverse appelé courant résiduel et désigné par I CBO .

Le courant résiduel I CBO , étant dû aux porteurs minoritaires, a une intensité très faible (c’est le courant de
saturation de la jonction collecteur base polarisée en inverse). Celle-ci, qui ne dépend pratiquement pas de la
tension appliquée à la jonction collecteur-base, est par contre largement tributaire de la température à
laquelle se trouve le transistor et de ses caractéristiques.
II. Principe de fonctionnement :
Le principe de fonctionnement du transistor bipolaire repose sur une dissymétrie des dopages et de
longueurs de diffusion
- l’émetteur est beaucoup plus dopé que la base.
- le collecteur est moins dopé que l’émetteur mais plus dopé que la base.
- le collecteur et l’émetteur sont sensiblement plus longs que la longueur de diffusion de leurs porteurs
minoritaires
2.1. Mode actif normal :
Le mode actif normal est obtenu en polarisant la jonction base-émetteur en direct et la jonction collecteur-
émetteur en inverse. Nous allons considérer le cas d’un transistor NPN, pour lequel il faut imposer les
conditions : VC  VB et V B  V E .
Nous supposerons également que les polarisations sont “franches”, c’est-à-dire VBE  VT et V BC  VT
 Effet transistor :
Dans le chap. 3, nous avons vu que le courant traversant une
jonction PN polarisée en inverse (courant de saturation inverse) a
les propriétés suivantes :
 il ne dépend pas de l’intensité du champ électrique
régnant dans la région de déplétion ;
 il est proportionnel à la densité des porteurs minoritaires
qui parviennent à la région de déplétion sans avoir subi de
recombinaison.
Le courant de saturation inverse étudié dans le chap. 3 était
d’origine thermique. Pour le transistor bipolaire à jonction en
mode actif normal, nous allons nous intéresser au courant de saturation inverse de la jonction collecteur-
base. La composante principale de ce courant est cette fois d’origine électrique et est contrôlée par la
jonction BE. Ainsi, la polarisation V BC maintient le champ électrique inverse requis au point 1 ci-dessus,
tandis que la densité des porteurs minoritaires qui parviennent au collecteur (point 2) est contrôlée par la
jonction BE.
Pour mieux comprendre ce mécanisme, examinons le schéma de principe du transistor de la figure ci
dessous et les différents processus dont il est le siège.
 Processus principaux :
Les processus prédominants sont les processus 1, 2 et 3.
 Processus 1 : la jonction BE, polarisée en direct, injecte des électrons de l’émetteur vers la base.
D’après les résultats du chap.3, la densité des porteurs injectés varie proportionnellement à exp(VBE / VT ) où
VT  kT / q est la tension thermique.

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 Processus 2 : les électrons injectés diffusent dans la base, où ils sont minoritaires. Quelques-uns de
ces électrons subissent des recombinaisons avec les trous, majoritaires dans la base.
 Processus 3 : les électrons qui ont traversé la base sans avoir subi de recombinaison parviennent è la
jonction BC, polarisée en inverse. Le champ électrique qui y règne les entraîne vers le collecteur.
L’effet transistor est l’effet par lequel le processus 1 conditionne le processus 3. En définitive, un transistor
bipolaire se présente comme deux jonctions fortement couplées, l’une « émettrice » de porteurs et l’autre
« collectrice »
 Processus secondaires
Un certain nombre de processus peuvent limiter l’influence du processus 1 sur le processus 3.
 Processus 4 : la base, polarisée positivement par rapport à l’émetteur, y injecte des trous.
 Processus 5 et 6 : la jonction BC, comme toute jonction polarisée en inverse, est également traversée
par un courant de saturation inverse d’origine thermique. Comme nous l’avons vu au chap. 3, les porteurs
minoritaires générés thermiquement au voisinage direct de la jonction peuvent la traverser par
entraînement dans le champ électrique interne (processus 5 : électrons générés dans la base ; processus 6 :
trous générés dans le collecteur). Ces processus se déroulant au voisinage de la jonction BC, ils ne sont pas
(en première approximation) affecté par la tension V BE .

2.2. Courants électriques :

Un modèle de premier ordre est obtenu en négligeant les processus 5, 6, qui sont sous-dominants sous les
hypothèses d’une polarisation franche. Le courant d’émetteur s’écrit :
I E  I En  I Ep (1)
où I En représente l’injection d’électrons dans la base (processus 1) et I Ep représente l’injection de trous
dans l’émetteur (processus 4). D’après les résultats du chap. 3, pour V BE  VT , on a : I En et I Ep sont
proportionnels à exp(VBE / VT ) (2)
V 
I E  I En  I Ep  I S  BE exp BE  (3)
 VT 
où I S  BE est le courant de saturation inverse de la jonction BE.
Afin de privilégier l’influence de la jonction BE sur le courant de collecteur, on construit le transistor de
façon telle que I En >> I Ep , par exemple en dopant fortement l’émetteur par rapport à la base.
Il est d’usage d’introduire la notion d’efficacité d’injection de l’émetteur, caractérisée par le facteur :
I En
  (4)
I En  I Ep
qui est inférieur à l’unité. Il s’en approche d’autant plus que le courant I En l’emporte sur le courant I Ep .
Le courant de collecteur est transporté par les électrons qui sont injectés par l’émetteur dans la base
(courant I En ) et la traversent sans subir de recombinaison. Si B est la probabilité de franchir la base, alors
on peut écrire : I C  B.I En (5)
Par la relation (4), on a : I C  B. ( I En  I Ep )  B I E (6)
Par conséquent, en éliminant I E à l’aide de (3), on obtient
 V
I C  B. ( I En  I Ep )  B. .I S  BE exp BE
 (7)
  VT
Ceci montre clairement que le courant I C est modulé par la tension V BE et ne dépend pas, en première
approximation, de la tension V BC .
Le courant de base alimente deux processus : d’une part l’injection de trous dans l’émetteur (processus4), ce
qui donne lieu au courant I Ep , et d’autre part l’alimentation en trous des recombinaisons avec les électrons
en transit dans la base (processus 2). La fraction des électrons qui sont injectés dans la base mais ne

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parviennent pas au collecteur vaut (1 − B). Dès lors, le courant de trous alimentant les recombinaisons dans
la base s’écrit (1−B) I En .
En regroupant les deux processus, I B a pour expression
I B  I Ep  (1  B ) I En (8)
Compte tenu des relations (1) et (), on constate que I B est également proportionnel à exp(VBE / VT ) . De
plus, en combinant (1) et (3.5), on vérifie la relation
I B  I E  IC (9)
C’est-à-dire la loi de Kirchhoff appliquée aux bornes du transistor.
2.3. Gains en courant :
Deux gains en courant caractérisent la qualité d’un transistor. Le premier, appelé rapport de transfert du
IC
courant ou gain  est donné par l’expression :   (10)
IE
D’après l’équation (5), on a :   B 1 (11)
L’écart par rapport à l’unité est une mesure de l’importance de l’effet transistor. En effet, le bon
fonctionnement du transistor requiert deux conditions :
1. les électrons subissent peu de recombinaisons dans la base, c’est-à-dire B est proche de l’unité ;
2. l’injection de trous dans l’émetteur est négligeable, ce qui se traduit par un facteur proche de l’unité.
Par conséquent, un transistor correctement dimensionné comporte une base courte (ce qui diminue le
temps de transfert et augmente B), qui est faiblement dopée par rapport à l’émetteur (cela a le double
avantage de rapprocher de l’unité et de diminuer le taux des recombinaisons dans la base).

Le deuxième gain en courant est le rapport d’amplification de courant entre base et collecteur ou gain  . Il
IC
s’écrit :   (12)
IB
IC / I E B 
En vertu des relations (5) et (9), on obtient :     (13)
1  I C / I E 1  B 1  
Ainsi, comme  ≃ 1, le gain  est un nombre très grand devant l’unité. Pour un transistor de faible puissance
(inférieure au watt), on rencontre typiquement des valeurs de  ≥ 100, ce qui correspond à  ≥ 0.99.
En résumé, en mode actif normal, l’accès base-émetteur est alimenté par un courant I B faible et une tension
V BE de l’ordre de 0.7V (la jonction BE est polarisée en direct). Pour l’accès collecteur- émetteur, nous avons
un courant I C beaucoup plus important (   1 ) et une tension VCE pouvant atteindre quelques volts.
Ainsi, le circuit d’entrée de puissance faible, Pin  V BE .I B module l’état électrique de l’accès de sortie dont la
puissance est plus importante, Pout  VCE .I C  Pin . C’est cette amplification de puissance qui fait du
transistor bipolaire à jonction un composant actif.
2.4. Transistor PNP en mode actif normal
Le fonctionnement du transistor PNP en mode actif normal
est similaire à celui d’un NPN, si ce n’est que les rôles des
régions P et N, ainsi que les rôles des électrons et des trous,
sont intervertis. Cela implique en particulier que les
courants et les différences de potentiel aux bornes des
jonctions changent de signe. Le schéma de principe et les
courants sont illustrés ci contre.

III. Caractéristiques Courant-tension

Revenons au transistor NPN et concentrons-nous sur les relations entre les différentes tensions et courants.
3.1. Montage pour le relevé des caractéristiques :

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Pour procéder au relevé des caractéristiques, on utilise le montage ci-dessous. Les paramètres d’entrée I B et
V BE sont maintenus constants et on mesure I C lorsque VCE varie. On constate avec ce montage l’influence
de la température sur les valeurs mesurées. Pour limiter l'auto-échauffement du transistor par le courant du
collecteur, il ne faut appliquer les tensions que pendant la durée de la mesure.

IC
A

RP R IB
A
V
VCE G2
G1=5V mV VBE

 Caractéristique I C  V BE et effet de la température

D’après l’équation (7), la caractéristique I C  V BE est celle d’une
jonction PN : pour un composant au silicium, le courant est
négligeable tant que VBE est négatif ou que V BE  0.5V . Il
augmente ensuite, d’abord lentement ensuite très rapidement aux
alentours de VBE  0.7V , comme représenté à la figure ci
dessous.
Tout comme dans une jonction PN, une augmentation de la
température à V BE constant induit un accroissement de la
concentration des porteurs minoritaires, et, par suite, une augmentation de I C . En pratique, on observe
qu’`a courant fixe et pour une large plage de température, la tension V BE diminue de 2 mV à chaque
augmentation de la température d’un degré Celsius,
 Caractéristique I C - VCE et effet Early
Dans le cas d’un transistor en mode actif normal, le modèle de premier ordre que nous avons exposé nous
donne un courant I C qui ne dépend pas de la tension VCE . En pratique cependant, l’effet Early introduit une
légère influence de VCE sur I C (à I B fixe). En effet, lorsque VCE
augmente, le volume
de la région de déplétion de la jonction BC augmente. En particulier, la
région de déplétion s’étend dans la base et en diminue la largeur. Par
conséquent, les électrons injectés par l’émetteur doivent parcourir une
distance plus courte avant d’être collectés, ce qui se traduit par un
accroissement du gain  . Ainsi, à I B fixe, l’effet Early conduit à une
augmentation de I C proportionnelle à celle d VCE . Empiriquement, on
tient compte de cet effet en modifiant l’expression de l’équation (7) en :
 V  V 
I C  I S exp BE  1  CE  (14)
 VT   V A 
où I S   .B.I S  BE . La tension d’Early V A est un paramètre variant
typiquement entre cinquante et la centaine de volts. La figure ci-dessous
montre un réseau de caractéristiques I C  f (VCE ) satisfaisant la loi (14)
pour différentes valeurs de V BE . Les segments des caractéristiques dans le
mode actif normal forment un faisceau de droites convergeant vers le
point (VCE , I C )  (V A ,0)
La figure suivante montre un réseau de caractéristiques I C  f (VCE )
pour une plage de tensions VCE plus importante que dans la figure
précédente (Par ailleurs, l’effet Early est négligé dans cette figure). On peut

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y voir apparaître le régime de saturation, pour des tensions VCE de quelques dixièmes de volts, ainsi qu’un
régime de blocage dans la région des faibles courants I B et I C . On peut également observer un régime de
claquage, survenant aux tensions VCE de plusieurs dizaines de volts. Notez que les transistors bipolaires à
jonction ne sont habituellement pas conçus pour fonctionner en claquage et peuvent donc être détruits.
 Variations du gain en courant en fonction de la température
La figure ci-contre montre un fait qu’il est important de garder à l’esprit : le gain
 varie de façon appréciable en fonction du courant I C et de la température.
Ainsi, à température fixe,  peut varier dans un rapport de un à deux pour un
I C variant entre 100 μA et 1 mA. A courant I C fixé,  peut varier dans un
rapport de un à trois pour une variation de température couvrant 100°C.
 Réseau de transfert en courant :
C’est le réseau I C  f I B  avec VCE comme paramètre (coefficient H 21 ).
Ce réseau est constitué par un éventail de courbes presque linéaires passant par le point I B  0 et
I C  I CE 0 ( I C  I B  I CE 0 ).
 Réseau d’entrée :
C’est le réseau I B  f VBE  avec VCE comme paramètre (coefficient H11
1
).
Dès que V BE est supérieur à 0,65 V, toutes les courbes sont pratiquement confondues car l’influence de la
tension de sortie sur le courant d’entrée est négligeable. La courbe est identique à la caractéristique d’une
diode qui est constituée par la jonction base-émetteur. Pour un transistor au silicium, V BE varie très peu et
reste voisin de la tension de seuil de la jonction base-émetteur soit 0,65V.
 Réseau de transfert en tension :
C’est le réseau VBE  f VCE  avec IB comme paramètre (coefficient H 12 ). On constate que les variations de
la tension de sortie sont sans effet sur la tension d’entrée.
IV. Les modes de fonctionnement d’un transistor bipolaire :
4.1. La notion de droite de charge :
Pour une polarisation quelconque, l’état électrique du transistor peut être
déterminé graphiquement sur base du réseau des caractéristiques
I C  f (VCE ) et de l’équation électrique dans la maille collecteur-emetteur,
qui est appelée droite de charge.
VCC  RC I C  VCE . Cette droite intercepte les axes du repère aux points :
I C  0 VCE , I C   VCC , 0 ,
VC  0 VCE , I C   0,VCC / R 
La droite D représente la relation entre le courant et la tension dans la maille
de sortie. Cette relation est linéaire car le circuit d’encadrement, constitué de
la source de tension et de la résistance RC, est un circuit linéaire.
4.2. Résolution du circuit par la méthode graphique :
Graphiquement, le point de fonctionnement du transistor est donné
par l’intersection entre la droite de charge et une des caractéristiques
I C  f (VCE ) du réseau de la figure ci-dessous. A chaque valeur de I B ,
imposé par la maille base-émetteur correspond une caractéristique du
réseau.
Nous allons à présent examiner sous quelles conditions un circuit
quitte le mode actif normal. Cela nous conduira à considérer deux
nouveaux modes de fonctionnement, qui sont les modes utilisés en
électronique numérique.

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4.3. Régime de saturation :

A mesure que le courant de base augmente, le courant I C augmente et la
caractéristique I C  VCE se déplace vers le haut. Ainsi, le point de
fonctionnement du circuit se déplace le long de la droite de charge vers les
faibles valeurs de VCE . Lorsque VCE passe en dessous de la tension de
saturation, VCE  VCE  sat où VCE  sat est de l’ordre de quelques dixièmes de
volts, le point de fonctionnement du circuit quitte la portion de la
caractéristique où I C ≈ constante (on néglige ici l’effet Early). C’est l’entrée en
régime de saturation, illustrée ci-contre. Le début de la saturation correspond à l’entrée en conduction de la
jonction BC. A mesure que VCE décroît, la tension VCB  VCE  V BE diminue et finit par s’annuler. A ce
moment, la jonction BC passe en polarisation directe.
En saturation, la jonction BE est polarisée en direct, avec une tension V BE ≈ 0.7V. Le seuil de saturation
VCE  sat vaut donc approximativement VCE  sat  VBE  VCB ≈ 0.7 − 0.5 = 0.2 V.
A mesure que la polarisation directe de la jonction BC devient plus franche, la tension VCE diminue.

4.4. Régime de blocage :

Considérons à présent le régime rencontré lorsque le courant I B d’un transistor
polarisé en mode actif normal s’approche de zéro. Comme en mode actif normal
I B  ex (V BE / VT ) la tension V BE s’approche également de zéro. La jonction BE
cesse d’injecter des électrons dans la base et le courant de collecteur chute
fortement. Par la méthode graphique, on en déduit que le point de
fonctionnement se trouve approximativement en : I C ≈ 0, et
VCE  VCC
Le transistor entre en régime de blocage, pour lequel les deux
jonctions sont inactives. C’est également le régime que l’on obtient
lorsque les deux jonctions sont polarisées en inverse. Le courant
I C correspond dans ce cas à un courant de saturation inverse
d’origine thermique, qui en pratique est très faible.
La table suivant résume les différents régimes de fonctionnement du transistor bipolaire `a jonction. Notez
que si l’on inverse les rôles joués par le collecteur et l’émetteur, on obtient un quatrième mode, le mode actif
inverse. Cependant, comme les transistors sont habituellement construits de fa¸con `a obtenir un gain 
important en mode actif normal, ce dernier régime est d’un intérêt pratique secondaire.
V. Paramètres en h, et circuit équivalent :
5.1. Définition des paramètres :
L’examen des caractéristiques du transistor montre des zones où son comportement est pratiquement
linéaire. Si l’on choisit le point de fonctionnement dans ces zones linéaires, on peut écrire que les variations
des grandeurs d’entrée et de sortie (notées variations avec des minuscules !) sont reliées par les relations :
 v BE   h11 h12   i B 
     
 iC   h21 h22   vCE 
Les paramètres hij de cette matrice hybride sont les dérivées des paramètres H ij au voisinage du point de
fonctionnement étudié.
5.2. Interprétation des paramètres :
 h11  v BE i B à VCE  cons tan te :
C’est la résistance d’entrée du transistor. C’est aussi la pente de la caractéristique d’entrée. On peut montrer

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
que h11 prend, pour un courant I C , la valeur : h11  26 ( h11 en  , I C en mA).
IC
 h21  iC i B à VCE  cons tan te :
C’est le gain en courant du transistor. Il est très voisin de  qui est la pente de la caractéristique de transfert
en courant.
 h22  iC vCE à I B  cons tan te :
C’est l’admittance de sortie du transistor. Elle est en général faible et correspond à la pente des
1
caractéristiques du réseau de sortie ; h22 est fonction du courant du collecteur ; h22 est de l’ordre de 20 k
pour des courants collecteurs de l’ordre de quelques milliampères.
 h12  v BE vCE à I B  cons tan te :
C’est la pente des caractéristiques du réseau de transfert en tension. Ce paramètre étant voisin de zéro
(typiquement 10 5 à 10 6 ) sera toujours négligé.
5.3. Schéma équivalent simplifié :
En fait, il existe des capacités entre les électrodes d’un transistor. Ces capacités sont faibles et présentent en
basses fréquences des impédances si grandes que l’on peut négliger leur effet. Par contre en hautes
fréquences, les impédances de ces capacités parasites modifient le fonctionnement du transistor.
Si on néglige les capacités entre les électrodes, on obtient le schéma équivalent suivant, valable uniquement
en basses fréquences, qui est la traduction graphique du modèle hybride du transistor. Il relie donc les
variations des grandeurs d’entrée et de sortie.
IB h11

On suppose que le transistor est placé à son point de

IC

fonctionnement, dans la zone linéaire des caractéristiques, par VBE h12.VCE h21.IB VCE

application de potentiels continus convenables sur les trois

h22

électrodes.
Cette opération se nomme la polarisation du transistor.
Comme h12 est voisin de 0 et que h 22 est petit, on peut encore IB IC

simplifier le schéma. Dans ce modèle, le transistor se ramène à un

circuit d’entrée qui la résistance h 11 et à un circuit de sortie constitué h11 h21.IB
VBE VCE

par un générateur de courant iC   .iB . Les variations du courant de

sorties sont égales à  fois celle courant d’entrée.
IB IE IC

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