UNIVERSITE MOHAMMED PREMIER

ENSA – OUJDA

Année Universitaire 2021/2022

TD Electronique Analogique ITIRC3

Feuille d’exercices N°1

Ex. 1.
Soit le circuit suivant :
On donne : Eo=6V, R=1k R ID
Eo VD
La caractéristique de la diode
(à 300°K) est donnée sur la fig.5
1/ Trouver la résistance statique RD et la résistance Figure 1
dynamique rd de la diode pour ID1 =3,5mA et ID2 =1,5mA. Conclusion ?
2/ Donner la puissance dissipée par la diode :
a) En utilisant la méthode graphique.
b) En utilisant les modèles de la diode.
3/ Trouver la variation de VD au point de fonctionnement lorsque T passe de 300 à 400°K.
Ex. 2. Ve
On considère le montage suivant :
R
Données : rD =10  ; Vo = 0.6V, Ve = 5V
Rg C
ve(t)=0,1 Sin(.t)
Rg =1 k ; R =2 k  VS (t)
C = 10 F ; f = 1 kHz ve (t)

Figure 2
1/ Déterminer le courant et la tension statiques dans la diode IDo et VS.
2/ Déterminer la tension dynamique dans la diode vS.
3/ Donner l’expression complète de la tension s la diode VS (t).
Ex.3.
On dispose d’un GBF (supposé idéal) qui délivre la tension e(t)= 10 sin(t).
La diode, en silicium, étant représentée par son modèle à seuil.
R= 100 VA
1/ Donner la forme du signal de sortie s(t)
dans le cas du circuit de la figure 3 GBF e(t) RC =1 k s(t)
2/ Proposer un circuit qui permet E=4V
l’écrêtage bilatéral avec un niveau variable. Figure 3
Ex. 4.
Considérons le redresseur à pont suivant :
On donne : D1 D4
U
Ri =0 et R = 50 Ri
V(t) = Vm sint , D3
avec Vm=5V et f =50Hz V D2 R
Figure 4

1
1/ Déterminer les formes d’onde de la tension de sortie U(t) pour des diodes idéales.
2/ Calculer la valeur moyenne de la tension de sortie U(t).
3/ Donner la forme de la tension de sortie U(t) lorsqu’on tient compte de la tension de seuil des diodes.

Ex. 5 VA
Soit le circuit de la figure 5.
R i
On donne :
e Rc
Vz= 6V , Rz = 0. u
Rc=20 , R= 2
Figure 5

1/ Tracer la caractéristique de transfert u(e).

2/ Déterminer la plage de la tension d’entrée e dans laquelle il y a stabilisation sachant que la diode
Zéner assure la stabilisation pour : Izmin=10mA  Iz  zmax=700mA .

Ex. 6
Considérons le montage de la figure 5.
La caractéristique de la diode Zener est celle de la figure 6. On donne R= 100.
1/Déterminer les valeurs uo de u et io de i pour e= 12V Rc= Rco = 200.
2/ Pour des variations e =  3V autour de eo = 12V (Rco = 200), déterminer les variations u de u. En
déduire le taux de stabilisation amont F= u/e.
3/ Pour des variations Rc= 100 autour de Rco=200 (eo=12V), déterminer les variations u de u. En
déduire le taux de stabilisation aval (résistance de sortie du montage) Ro=u/i.

Ex. 7
On dispose d’un GBF qui délivre la tension e(t)= 10 sin(t).
Les diodes, en silicium, sont représentées par leur modèle à seuil.
Donner la forme du signal de sortie s(t) dans les cas suivants :
a- b-
R= 100 VA C VA

GBF e(t) RC =1 k s(t) GBF e(t) s(t)

Ex. 8 1:2
On considère le circuit suivant :
D1
25V
1/ Donner la forme de la tension VSec RC
Ve 0 C
à travers le bobinage secondaire
et aux bornes de RC lorsque l’excitation -25V
D2
ci-contre est appliquée au bobinage primaire.
2/ Quelle est la tension inverse de crête requise pour des diodes en silicium ?
3/ Calculer la valeur moyenne de la tension de sortie.

2
Ex. 9
On considère le montage de la figure 9 et on désire déterminer le graphe de la tension de sortie v s(t)
pour une excitation ve(t) triangulaire et périodique (f= 1kHz, Vmoy=0, Vcc=100V et ve(t=0)= -50V) (Fig.7)
- R1= R2= 1k
- E1= 30V et E2= 20V
A1 D1 K1 R2 A2

+ VA1 (t) R1 VA2 (t) D2

Ve (t) Vs (t)
 K2
-
E1 E2

Figure 9
I) Modèle idéal de la diode
1/ Donner l’état des diodes D1 et D2 à l’instant t=0.
2/ Donner la valeur de la tension vs(0) à l’instant t=0
A partir de l’instant t=0, la tension vs(t) augmente et l’analyse du circuit montre que la diode D1 devient
passante avant D2. On divise alors le fonctionnement du montage en 3 séquences ayant chacune son propre
schéma d’analyse.
Séquence 1 : D1 et D2 bloquées
Dans cette séquence, D2 est remplacée par un circuit ouvert. Afin de définir la tension ve(t1) qui rend
D1 juste conductrice, celle-ci doit être représentée par sa forme symbolique.
3/ a- Ecrire l’équation de la droite de charge de la diode D1.
b- Tracer la droite de charge à l’instant t=0 et donner le point de fonctionnement (PF).
c- Comment se déplace la droite de charge lorsque vs(t) augmente à partir de t=0 ?
d- En déduire la valeur de la tension d’entrée ve1=ve(t1) qui rend D1 conductrice.
e- Donner l’expression de la tension vs(t) dans cette 1ère séquence.
Séquence 2 : D1 passante et D2 bloquée
Pour les tensions ve(t)> ve1, D1 est passante alors que D2 est bloquée. La diode D1 est donc simulée par un
court-circuit alors que D2 est représentée sous sa forme symbolique dans cette séquence.
4/ a- Donner le nouveau schéma équivalent au montage et en déduire l’expression de la tension de
sortie vs(t) en fonction de ve(t) dans cette séquence.
b- Déterminer la valeur ve2(t2) qui rend la diode D2 juste passante.
Séquence 3 : D1et D2 passantes
Dans cette séquence, ve(t)> ve2 et les deux diodes sont passantes.
5/ a- Donner le nouveau schéma équivalent au montage et en déduire l’expression de vs(t).
b- Représenter l’évolution de vs(t) sur deux périodes.
II) Modèle linéarisé de la diode
Refaire l’étude précédente en simulant les diodes par leur modèle linéarisé (VD= 0.6V, rD= 10) :
- Le générateur d’attaque ve(t) évolue maintenant entre -10 et 10V (Fig. 8)
- Les résistances R1 et R2 sont égales à 10
- E1=E2= 2V

3
4
 t en ms
0 0,15 0,5 0,75 1 1,25 1,5

Figure 7

Ve(t) en volts

10

2
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1 t en ms
0

-2

-4

-6

-8

-10
Figure 8