REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE

MINISTERE DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR

ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE

UNIVERSITE MOHAMED SEDDIK BEN YAHIA - JIJEL

FACULTE DES SCIENCES ET DE LA TECHNOLOGIE
DEPARTEMENT D’ELECTRONIQUE

TRAVAUX PRATIQUES
Destiné aux étudiants de Master 1
Spécialité : Microélectronique
Filière : Electronique

Polycopié de Travaux Pratiques :

Conception des circuits intégrés

analogiques MOS

TP MIC19 Présenté par : ZIGHA Chemseddine

ANNEE 2020
Sommaire

Introduction au Logiciel PSpice .............................................................................................................. 1

TP1 : Initiation au logiciel PSPICE : Simulation d’un amplificateur inverseur …………………..……….2

TP2 : Simulation et Analyse des Caractéristiques d’un Transistor MOS…………….....………………...12

TP3 : Simulation et Analyse d’un Amplificateur à Source commune ......................................................14

TP4 : Simulation et Analyse d’un Amplificateur Source de Courant .......................................................15

TP5 : Initiation au Logiciel MICROWIND Dessin de Masque d’un Transistor MOS…….…………….16

ANNEXE………………………………………………………………………………………………….19

Avant-propos

Ce polycopié se trouve être un support pédagogique de travaux pratiques, destiné aux

étudiants de Master1 assurées au département d’électronique. Ce polycopié regroupe un certain
nombre de circuits analogiques étudiés dans les différents chapitres du cours conception des
circuits intégrés analogiques MOS. L’objectif de ces TP est d’implémenter sous PSPICE les
différents circuits pour les simuler, les analyser et mieux les comprendre.

Attention !!!

Ce produit pédagogique numérisé est la propriété exclusive de

l'université de JIJEL. Il est strictement interdit de la reproduire à des fins
commerciales. Seul le téléchargement ou impression pour un usage
personnel (1 copie par utilisateur) est permis.

ZIGHA CHEMSEDDINE
Travaux pratiques MIC19 conception des circuits intégrés analogiques MOS

Introduction au Logiciel PSpice

PSICE est pour programme de simulation pour les circuits de simulation accent. Il s’agit
d’un simulateur de circuit électronique. Il est utilisé pour concevoir et prédire le comportement
des circuits électroniques analogiques et numériques. Il existe deux types de versions.

 PSICE : Il est utilisé pour les ordinateurs personnels.

 HSPICE: Il est utilisé pour les stations de travail ou les ordinateurs à haute puissance.

 Types d’analyse avec pspice

Etant sa bibliothèque comporte de nombreux composants électroniques comme les transistors, et

beaucoup d’autres. Ainsi, vous pouvez facilement simuler de nombreux circuits électroniques en
connectant facilement ces composants intégrés les uns avec les autres. Comme vous le savez,
dans l’ingénierie électrique et électronique, vous avez toujours besoin d’une analyse des circuits
AC et DC. Ainsi, vous pouvez effectuer les types d’analyse suivants avec l’aide de ce logiciel.
 Analyse linéaire et non linéaire des circuits AC
 Analyse linéaire et non linéaire des circuits DC
 Analyse du bruit des circuits
 analyse de sensibilité des circuits
 Divers types d’analyse des formes d’ondes électriques

Certains des principaux composants sont donnés ci-dessous:

 Sources de tension ac
 Sources de tension DC
 Composants électroniques passifs (résistances, condensateurs, inducteurs, commutateurs)
 Transistors
 Mosfets
 Portes numériques

 Structure de fichier du circuit de simulation

Comme vous le savez pour tous les types de logiciels, il existe un type de format d’entrée et un
type de format de sortie à un fichier utilisé pour ce logiciel. Fichier d’entrée pour ce logiciel de
conception de circuit est «. CIR ». Lorsque nous appuyons sur le bouton de simulation. Le fichier
OUT est généré et. Le fichier BIN est exécuté sur l’ordinateur. Ce n’est pas une affaire sensible.
Vous devez donner un nom unique à chaque composant. Les composants en double ne laisseront
pas la simulation fonctionner. Vous devez également affecter un nœud de référence à chaque
circuit pour lequel vous souhaitez simuler le circuit. Vous devez créer à nouveau netlist si vous
avez apporté des modifications au circuit.

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Travaux pratiques MIC19 conception des circuits intégrés analogiques MOS

TP1 : Initiation au logiciel PSPICE

Simulation d’un amplificateur inverseur
La sortie de l’amplificateur inverseur est la forme inversée du signal d’entrée comme le
nom l’indique multiplié par le facteur de gain et est à 180 degrés hors phase en cas d’entrée
sinusoïdale. Un diagramme de circuit simple d’un amplificateur d’inversion

Fig.1 : Amplificateur d’inversion

La sortie d’un amplificateur d’inversion est donnée dans la figure ci-dessous,

Fig. 2 : Sortie de l’amplificateur inverseur

1. Simulation d’amplificateur non-inverseur PSPICE

La sortie de l’amplificateur in non inverseur est la même que le signal d’entrée multiplié
par le facteur de gain et est en phase en cas d’entrée sinusoïdale. Un diagramme de circuit simple
d’un amplificateur non inverseur est indiqué dans la figure ci-dessous,

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Travaux pratiques MIC19 conception des circuits intégrés analogiques MOS

Fig.3 : Amplificateur non-inverseur

La sortie d’un amplificateur non inversant est donnée dans la figure ci-dessous,

Fig.4: Sortie de l’amplificateur non inverseur

 Explication avec exemple de simulation dans PSPICE

Concevoir un circuit simple d’un amplificateur inverseur et non-inversion avec quelques

détails fournis est laissé pour vous comme un exercice. Ouvrez le gestionnaire de conception
PSPICE sur votre PC en tapant le gestionnaire de conception dans la barre de recherche. Du
gestionnaire de conception cliquez sur le bouton schématique d’exécution pour ouvrir un
nouveau schéma blanc comme indiqué dans la figure ci-dessous,

Fig.5 : Ouverture de Pspice

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Travaux pratiques MIC19 conception des circuits intégrés analogiques MOS
Après avoir ouvert le nouveau schéma avant de sauter dans la conception d’abord
enregistrer le schéma en cliquant sur le bouton de fichier dans le coin supérieur gauche, puis en
sélectionnant enregistrer afin que nous puissions y accéder à tout moment à l’avenir. Reportez-
vous à la figure ci-dessous,

Fig.6 : Schéma de sauvgarde

Cliquez sur l’icône obtenir une nouvelle pièce (get new part) à la barre supérieure de la fenêtre
schématique afin de rechercher les composants nécessaires à la conception de circuits.

Fig.7: Obtenir une nouvelle pièce

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Travaux pratiques MIC19 conception des circuits intégrés analogiques MOS
Dans la nouvelle fenêtre get new part, tapez 'Opamp' il affichera un amplificateur
disponible dans PSPICE. À partir de cette liste, sélectionnez un opamp simple comme indiqué
dans la figure ci-dessous,

Fig.8 : Placement d’opamp

Encore une fois ouvrir la fenêtre get new part, sélectionnez la résistance 'R' de la liste donnée,
puis cliquez sur place & fermer comme indiqué dans la figure ci-dessous

Fig.9 : placement de la Résistance

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Travaux pratiques MIC19 conception des circuits intégrés analogiques MOS
Encore une fois ouvrir la fenêtre get new part, sélectionnez la tension Vsin de la liste donnée,
puis cliquez sur place & fermer comme indiqué dans la figure ci-dessous

Fig.10: Placer la tension

L’étape suivante consiste à placer un terrain, faire la même chose à nouveau et dans le type de
pièce Gnd et sélectionner la mise à terre, puis cliquez sur place & fermer comme indiqué dans la
figure ci-dessous.

Fig.11: Mise à terre

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Travaux pratiques MIC19 conception des circuits intégrés analogiques MOS

Les composants placés dans la fenêtre schématique sont indiqués dans la figure ci-dessous,

Fig.12: Composants placés

Cliquez sur l’icône Draw Wire à la barre supérieure de la fenêtre schématique afin de connecter
les composants déjà placés pour la conception du circuit

.
Fig.13 : Fil de dessin
Connectez tous les composants pour compléter le diagramme de circuit comme indiqué dans la
figure ci-dessous,

Fig.14 : Diagramme complet de circuit

En haut de la fenêtre schématique, cliquez sur le bouton Marqueur de tension/niveau comme,
comme indiqué dans la figure ci-dessous,

Fig. 15 : Marqueur de tension

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Travaux pratiques MIC19 conception des circuits intégrés analogiques MOS
Placez-le à la résistance de sortie et au nœud d’entrée comme indiqué dans la figure ci-dessous,

Fig.16 : Marqueur de tension placé

La prochaine étape consiste à définir les attributs de l’alimentation de tension sinusoïdale

d’entrée. Double clic sur l’alimentation d’entrée que vous avez connectée dans le circuit
précédemment et réglez la valeur de la tension de l’alimentation à 5V et la tension OFF à 0
comme indiqué dans la comme indiqué dans la figure ci-dessous,

Fig.17 : Attributs de l’alimentation

La prochaine étape consiste à ajuster les propriétés des simulations afin de produire le graphique
de la tension au niveau du marqueur. Cliquez sur l’analyse (analysis), puis cliquez sur Le
programme d’installation (setup) comme indiqué dans la figure ci-dessous,

Fig.18: Configuration de l’analyse

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Travaux pratiques MIC19 conception des circuits intégrés analogiques MOS
Une fenêtre apparaîtra, cliquez sur le bloc transitoire sur la fenêtre et ajuster les propriétés
de la fenêtre en fonction de votre exigence, se référer à la figure ci-dessous

Fig.19 : Propriétés transitoires

Si nous sommes intéressés à vérifier la tension sur un fil spécifique en dépit de le vérifier à un
nœud, double clic sur le fil et auberge de la fenêtre qui apparaissent en conséquence, tapez le
nom du fil que vous voulez l’étiqueter avec, comme indiqué dans la figure ci-dessous,

Fig. 20 : Étiquetage des fils

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Travaux pratiques MIC19 conception des circuits intégrés analogiques MOS
Maintenant vient la partie de simulation, cliquez sur l’analyse à la barre supérieure de la fenêtre
schématique, puis cliquez sur simuler comme indiqué dans la figure ci-dessous,

Fig. 21 : Simulation

Une fenêtre schématique apparaîtra montrant la tension à travers la résistance de charge comme
indiqué dans la figure ci-dessous,

Fig. 22 : Sortie sur un amplificateur d’inversion

La sortie du circuit est conforme à la sortie prévue. Un amplificateur inveseur comme son nom
l’indique inverse la tension appliquée du côté d’entrée de l’amplificateur opérationnel, et
l’ampleur de la sortie est amplifiée en fonction du gain de l’amplificateur ajusté avec les
résistances reliées à elle. Comme l’alimentation d’entrée est connectée au côté inverseur de
l’amplificateur, c’est-à-dire le côté négatif de l’amplificateur, d’où la tension à la sortie est à 180
degrés opposée de la phase de l’entrée.

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Travaux pratiques MIC19 conception des circuits intégrés analogiques MOS
Déplaçons nous maintenant vers l’amplificateur non-inverseur, le diagramme de circuit d’un
amplificateur non-inverseur, simulé dans le schéma de PSPICE est montré dans la figure ci-
dessous.

Fig.23 : Amplificateur non inverseur

Lorsque ce circuit est simulé en fonction des attributs de configuration discutés dans la
simulation de circuit non-inverseur, la sortie à la suite de la simulation de circuit est indiquée
dans la figure ci-dessous,

Fig.24 : Amplificateur non inverseur

La sortie de l’amplificateur non inverseur est en phase avec l’entrée et son amplitude est
augmentée ou diminuée en fonction du gain de l’amplificateur.

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Travaux pratiques MIC19 conception des circuits intégrés analogiques MOS

TP2 : Simulation et Analyse des Caractéristiques d’un Transistor

MOS
1. Introduction:
L'objectif de ce TP est de réaliser, à travers l'étude des comportements des transistors MOS,
une initiation au langage de simulation analogique SPICE.

fichier de description du circuit "*.cir"

L’écriture du fichier spice ce fait dans un éditeur de texte quelconque, on choisi pour
l'exemple la simulation de la caractéristique statique Id=f(Vgs) d'un transistor Nmos. Voici le
schéma de principe

Ce qui donne le fichier de description suivant : "[Link]"

* transistor Nmos
**********************
* fichier techno
.include [Link]

* Schema du circuit (netlist)

Vds 2 0 dc 3.3V
Vgs 1 0 dc 1V
M1 2 1 0 0 modn L=0.6U W=2.5U

* simulation
.dc Vgs 0 3.3v 50mV
.end
On remarquera que :
- La techno est définie par la commande .include
- Pour le transistor l’ordre des connections ainsi que les paramètres sont donnés par
Mxx drain grille source substrat options

- La ligne : .dc Vgs 0 3.3v 50mV signifie que l’on fait une simulation statique avec une variation
de Vgs entre 0 et 3.3 volts avec un pas de 50mv

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Travaux pratiques MIC19 conception des circuits intégrés analogiques MOS
2. caractérisation des transistors NMOS et PMOS

On souhaite obtenir les caractéristiques courant/tension Ids = f(Vds, Vgs) des transistors
NMOS et PMOS pour un procédé de fabrication 0.6 micron. Les paramètres définissant le
comportement électrique des transistors sont définis sur la figure.
Les tensions d’alimentation nominales sont VSS = 0V et VDD = 3.3 V.
Pour les simulations, on prendra:
- Ln = 0.6 micron
/ Wn = 3.0 micron
- Lp = 0.6 micron
/ Wp = 6.0 micron

 Ids fonction de Vgs

Tracer, pour les deux types de transistors, la courbe Ids (Vds,Vgs) pour Vds constant = VDD,
et pour Vgs variant entre VSS et VDD. Déterminer graphiquement les tensions de seuil Vtn et Vtp
des deux types de transistors.

 Ids fonction de Vds

Tracer, pour les deux types de transistors, la courbe Ids (Vds,Vgs), pour Vgs constant et pour
VDS variant entre VSS et VDD. On tracera ces courbes pour différentes valeurs de Vgs (on prendra
par exemple, Vgs = 1V, Vgs = 2V, Vgs = 3V, et Vgs = VDD) Identifier les régimes linéaire et
saturé des deux types detransistor MOS.

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Travaux pratiques MIC19 conception des circuits intégrés analogiques MOS

TP 3 : Simulation et Analyse d’un Amplificateur à Source

Commune
L’objet de ce TP est de familiariser les étudiants avec la polarisation et l’étude
dynamique des transistors MOS (ici NMOS) lorsqu’ils sont utilisés en amplification. Le circuit
étudié, présenté figure ci-dessous, est un amplificateur source commune à un transistor : un
NMOS. La finalité de ce montage est pédagogique, un circuit réel aurait très probablement une
architecture différente. La particularité, il y’à le fait que la polarisation soit réalisée avec une
2ème source de tension VPOL, en plus de la polarisation principale.
VPOL VDD

RD

RPOL IDS

Cliaison G D Vout

Vin gnd VDS

Liste des composants ;
- transistor NMOS,
- RD=1 kΩ, résistance de drain,
- RPOL=10 kΩ, résistance de polarisation.
- Cliaison=2,2 µF, capacité de liaison.
On Réalisation Le montage sur le schématique PSPICE, On prendra VDD=10 V.

1. Polarisation (DC) du montage.

On souhaite polariser le montage de telle sorte que V out = VDS = VDD/2.

- donner les valeurs de IDS et VGS correspondantes.
- Pour quelle valeur de VPOL obtient-on cette polarisation ?
- Justifier le choix de Cliaison (valeur et technologie de la capacité).
- Tracer la caractéristique IDS=f(VDS) du transistor pour la valeur de VGS. (vous tracerez
la caractéristique pour VDS : 0 – 9V.
- En déduire également la résistance RDS du NMOS dans la zone linéaire du régime triode.
- Tracer la caractéristique IDS=f(VGS) du transistor pour VDS = 5 V = cte.
- En déduire gm la transconductance du NMOS au point de polarisation.

2. Fonctionnement dynamique (AC) de l’amplificateur

Connecter l’entrée Vin de l’amplificateur à une tension sinusoïdale d’amplitude ~ 50 mV

à la fréquence 1 kHz.
- Relever la forme du signal de sortie Vout.
- Que se passe-t-il lorsque l’amplitude du signal sinusoïdal augmente peu ? fortement ?
- Remplacer la résistance RD=1 kΩ par 2,2 kΩ. Reprendre les deux questions précédentes

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Travaux pratiques MIC19 conception des circuits intégrés analogiques MOS

TP 4 : Simulation et Analyse d’un Amplificateur Source de Courant

Soit la cellule CMOS donnée ci-dessous.

Données concepteur :
 Largeur des transistors M1 et M2 : W1=W2=100μm ;
 Tous les transistors sont à la longueur minimale L=L min=10μm ;
 VDD=5V. Paramètres fondeur :
 NMOS : VTO=1V ; KP=20e-6 ; LAMBDA=0.01 ; TOX=200e-10 ; CGDO=200e-12 ;
CGSO=200e-12
 PMOS : VTO=-1V ; KP=10e-6 ; LAMBDA =0.01 ; TOX=200e-10 ; CGDO=200e-12 ;
CGSO=200e-12
VDD

M3 M2

A vo

M4 vi M1

1. Polarisation

a) Dimensionnez les transistors M3 et M4 de façon à polariser le point A à 3V.

Aide à la résolution : M3 et M4 ne servent qu'à assurer la polarisation de la grille de M2 à la

valeur souhaitée. Pour déterminer le rapport des largeurs W3/W4 des transistors, il faut égaler
les expressions des courants des deux transistors. La relation liant VDD et les VGS des transistors
donne une seconde équation qui, combinée à la première, permet de trouvez la valeur du rapport
W3/W4. Sachant que la plus petite dimension possible pour un W est donnée par la dimension
Lmin du fondeur et sachant que l'on cherche à minimiser la surface de silicium, on en déduit les
valeurs numériques de W3 et W4.

b) Calculez les courants qui parcourent tous les transistors du montage.

c) Calculez la tension continue à appliquer sur la grille de M1 pour positionner la sortie V o à
VDD/2, en régime continu.
d) Calculez les paramètres gm et go des quatre transistors.
e) Simulation : Implantez le circuit sous pspice, simulez-le et vérifiez toutes les valeurs de
polarisation précédemment calculées

2. Régime dynamique

Implantez le circuit sous PSPICE et simulez-le. Utilisez la commande ".dc" pour tracer la
caractéristique de transfert (tension de sortie) / (tension d'entrée). Commentez.

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Travaux pratiques MIC19 conception des circuits intégrés analogiques MOS

TP 5 : Initiation au Logiciel MICROWIND

Dessin de Masque d’un Transistor MOS
1. Objectifs

- Familiarisation avec le Logiciel Microwind qui permet de designer et de simuler des

structures électroniques intégrées;
- Simulation et caractérisation du comportement statique et dynamique des
transistors;
- Familiarisation avec les divers procèdes et les effets d’échelle;
- Premiers contacts avec le dessin de masque, concept de la distance minimale, règles
de conception;
- Compréhension des différentes étapes de fabrication d’un CI, coupe et structures 3D
résultantes.

2. Technologie et règles de dessin

Les dessins d’un circuit ce fait sur une grille dont l’unité est le lambda. Cette unité est
égale à la moitié de la technologie, ainsi la longueur minimal du canal d’un transistor est
égale à 2λ. Les intérêts d’une telle unité sont :
– le changement facile de technologie ;
– la réutilisation des dessins ;
– la réduction des coû ts de dessin ;
– et qu’elle est utilisés par FreeScale.
En revanche il existe quelques inconvénients tels que :
– la production de dessins sous-optimaux ;
– et qu’elle n’est pas utilisée par tous les fondeurs.

Puisque dans notre cas nous utilisons une technologie 0, 25µm, lambda est égale à 0, 125µm.

3. Niveau modélisation

Il existe plusieurs modèles pour calculer les caractéristiques d’un transistor MOS, plus
le modèle ce veux proche du modèle réel plus sa complexité augmente. Ainsi MicroWind
implante différents modèles :
modèle de premier niveau : le modèle utilisé est défini à partir de la théorie du
transistor MOS idéal et valable uniquement pour des MOS de « grande dimension », c’est-à-
dire pour L > 10µm.
modèle de deuxième niveau : le modèle utilisé est défini à partir de phénomènes
physiques secondaires mais indispensables pour des technologies actuelles. MicroWind
préfère utilisé le modèle du troisième niveau.
modèle de troisième niveau : le modèle est défini à partir du modèle de niveau 2 par
linéarisation en incluant les effets de limitation des canaux étroits. Il est toute fois moins
proche de la physique mais plus facile à utiliser. L’un des apports principal par rapport

[Link] 16
Travaux pratiques MIC19 conception des circuits intégrés analogiques MOS
au modèle de niveau 1, est la présence d’une tension VDSsat à partir duquel IDS est
linéaire. Ce modèle est considéré comme obsolète à partir d’une technologie 0, 5µm.

modèle de niveau BSIM4 : le modèle est très proche des transistors actuels. Il tient
compte de la réduction des dimensions à l’échelle du nano-mètre et fait apparaı̂tre les
tensions de claquage. Dans la version « originale » de ce modèle, développé par Berkeley,
il existe 200 paramètres. MicroWind permet d’en modifier seulement une vingtaine.

4. Transistor N-MOS

a) Dessin

Lorsque nous avons dessiné un transistor N-MOS le plus petit possible la première fois,
nous nous sommes rendu compte que la taille minimale du transistor était principalement
dépendant de la taille minimale des contacts. En effet, comme nous pouvons le voir sur la
figure 5.1, on pourrait dessiner un transistor très petit, mais les contacts nous oblige à
agrandir ce dernier, comme on peut le voir à la figure 5.2.

F ig . 5.1 Transistor N-MOS minimal sans contacts

F ig . 5.2 Transistor N-MOS minimal avec contacts

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Travaux pratiques MIC19 conception des circuits intégrés analogiques MOS
b) Les différentes couches
Sur la figure 5.3, nous pouvons distinguer plusieurs couches :
– en bleu (mA1), le métal 1 ;
– en violet (co), le via du métal 1 jusqu’aux diffusions N + ;
– en rouge (po), le poly-silicium de la grille ;
– en vert (n+), les diffusions drain et source ;
– en gris (P-substrate), le substrat P −.

F ig . 5.3 Transistor N-MOS minimal vu en coupe

c) Simulation statique

d) tracer les caractéristiques d’un transistor N-MOS de taille 10×0,25µm, en fonction des
différents modèles que nous propose MicroWind.
e) les caractéristiques obtenue avec le modèle BSIM4 pour le meme transistor sont donnée
par les figures VOIR ANNEX.
Comparer Les figures des différents modèles avec le modèle complexe BSIM4, que
remarquez vous ? ×
×
N.B ×

Refaire le même travail pour le transistor P-MOS de la même manière que pour le transistor
N-MOS, nous nous sommes rendu compte que la taille minimal du transistor était
principalement dépendant de la taille minimale des contacts. Il existe toutefois une différence
importante, puisque le transistor P-MOS nécessite (dans notre cas) l’ajout d’un puits de
diffusion N + . Cela a pour conséquence d’utiliser une plus grande surface pour implanter un
transistor P-MOS sur MICROWIND.

[Link] 18
ANNEXE

ID(VDS ) pour un transistor N-MOS 10 × 0, 25µm, en BSIM 4

I D (VGS ) pour un transistor N-MOS 10 × 0, 25µm, en BSIM 4

[Link] 19
 ID(exp(VGS)) pour un transistor N-MOS 10 × 0, 25µm, en BSIM 4

VTH pour un transistor N-MOS 10 × 0, 25µm, en BSIM 4

[Link] 20