Chapitre II Modélisation et commande de système photovoltaïque

connecté au réseau

II.1 Introduction

Dans ce chapitre, on fournira des modélisations et commande détaillée des différentes parties
du système photovoltaïque connecté au réseau électrique comme suit:

 Modélisation du module photovoltaïque.

 Modélisation du Convertisseur DC-DC (boost).
 Principe de la recherche du point de puissance maximale (MPPT).
 Les techniques MPPT basées sur le principe de la logique floue.
 Régulation de bus continu.
 Modèle du réseau.
 Modélisation de l’onduleur triphasé avec la commande.

II.2 Modélisation du module photovoltaïque

De nombreux modèles mathématiques de modules photovoltaïques, ont été d développes,

dont le est l'obtention de la caractéristique courant-tension et puissance-tension pour l'analyse et
l'évaluation des performances des systèmes photovoltaïques [7].

II.2.1 Cas d'une cellule idéale

Dans le cas idéal, la cellule d'une jonction PN soumise à l'éclairement photovoltaïque peut
être schématisée par un générateur de courant Iph en parallèle avec une diode délivrant un
courant selon la figure (II.1), qui représente le circuit équivalent d'une cellule solaire idéale [7].

Figure (II.1) : Schéma équivalent d'une cellule idéale

 L'équation retenue de ce modèle est :

Ipv=Iph−Id (II.1)

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 Le courant Iph est assimile au courant Icc avec Vpv=0, courant de court-circuit.

Iph=
[ Icc + Ki∗( Tc−Tref ) ]∗E (II.2)
Eref

 Ki : Coefficient de température du court-circuit de la cellule (Ampères/K)

 Tc : Température de la cellule en kelvin
 E : L'éclairement absorbe par la cellule
 Eref : L'éclairement de référence (1000 w/m2)

Vd
Id=I 0(e −1) Vt (II.3)

 I0 : Courant de saturation de la diode

BKT
Vt = (II.4)
q

 Vt : Tension thermique
 B : Facteur d'idéalité
 K : Constant de Boltzmann (1,38.10−23 J/K)
 q : Charge de l'électron (1,6.10−19 C)

II.2.2 Cas d'une cellule réelle

Le schéma équivalent de la cellule photovoltaïque réelle tient compte l'effet résistifs

parasites dues à la fabrication et représente sur la figure (II.2). Ce schéma équivalent est
constitué d'une diode (d) caractérisant la jonction, une source de courant (Iph) caractérisant le
photo-courant, une résistance série (Rs) représentant les pertes par effet Joule, et une résistance
shunte (Rp) caractérisant un courant de fuite enter la grille supérieure et le contact arrière qui est
généralement très supérieure a (Rs) [7].

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Figure (II.2) : Schéma équivalent d'une cellule photovoltaïque réelle.

Le courant de sortie d'une cellule photovoltaïque se met sous la forme mathématique suivant :

Ipv=Iph−I 0−Ip (II.5)

 Ipv : Courant générer par la cellule photovoltaïque

 Iph : Photo courant créé par la cellule (proportionnel au rayonnement incident)
 Id : Le courant circulant dans la diode

Vd
Vt
Id=I 0(e −1) (II.6)

[ (
Eg 1 1
)]
( )
3 −
T BK Tn T
(II.7)
I 0=I 0 r ( e −1)
Tn

 I0r : Le courant de court-circuit de la cellule a la température et l'éclairement de référence

 T : Température de jonction des cellules PV[°K]
 B : Facteur d'idéalité de la jonction
 Eg : Energie de gap [ev]
 Rs : Resistance série symbolise la résistance de masse du matériau semi-conducteur, ainsi
les résistances ohmiques et de contact au niveau des connexions des cellules
 Vpv : La tension de sortie
 Ip : Le courant circulant dans la résistance Rp
 Rp : Resistance shunt représente les fuites autour de la jonction p-n et sur les coins de
cellule.

En substituant les équation (II.6 ; II.7) dans l'équation (II.5), le courant Ipv devient :

[( ]
)−1 − Vpv+ Ipv . Rs
Vpv + Ipv .Rs

Ipv=Iph−I 0 e
Vt
(II.8)
Rp

Vpv + Ipv . Rs
Ip= (II.9)
Rp

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II.3. Modèle à une diode (simple exponentielle) :

Le fonctionnement d’un module photovoltaïque est décrit par le modèle « standard » à une
diode, établit par Shokley pour une seule cellule PV, est généralisé à un module PV en le
considérant comme un ensemble de cellules identiques branchées en série ou en parallèle [8].

Figure (II. 3) : Schéma équivalent d’une cellule PV modèle à une diode.

La résistance série (Rs) est due à la contribution des résistances de base et du front de la
jonction et des contacts face avant et arrière.
La résistance parallèle (Rsh) rend compte des effets, tels que le courant de fuite par les bords de
la cellule, elle est réduite du fait de la pénétration des impuretés métalliques dans la jonction
(surtout si cette pénétration est profonde).

Ce circuit peut être utilisé aussi bien pour une cellule élémentaire, que pour un module ou
un panneau constitué de plusieurs modules.

La caractéristique I-V du générateur PV est basé sur celle d’une cellule élémentaire
modélisée par le circuit équivalent de la figure (2-3) (largement utilisé).
Ce circuit comporte une source de courant dépendante de l’éclairement et une diode en parallèle,
ainsi qu’une résistance série Rs et parallèle (shunt) Rsh pour tenir compte des phénomènes
dissipatifs au niveau de la cellule. Ce modèle appelé aussi modèle à quatre paramètres ; il a été
proposé par Townsend et Beckmann [8].

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Le courant fourni par la cellule I à partir de loi des nœuds est donné par [8] :

I =Iph−Id−Ish (II.10)

Le courant traversant la diode Id est donné par :

Id=Is[exp ( AKT )
q (V −Rs . I )
−1] (II.11)

Est le courant dérivé par la résistance shunt Ish à partir de loi des mailles est donné par :

V + Rs . I
Ish= (II.12)
Rsh

Remplaçant les relations (2.10), (2.11) dans la relation (2.9), on a :

[ (
I =Iph−Is exp
AKT )
q ( V −Rs . I )
]
−1 −
V + Rs . I
Rsh
(II.13)

 I : Courant fourni par la cellule [A].

 V : Tension à la borne de la cellule [V].
 Iph : photo-courant [A], proportionnel à l’irradiance Ø, avec correction selon T.
 Is : Courant de saturation de la diode [A], dépendant de la température.
 Rs : Résistance série [Ω].
 Rsh : Résistance shunt (ou parallèle) [Ω].
 q : Charge de l’électron = 1,602. 10−19 [C] coulomb.
 k : Constante de Boltzmann = 1,38. 10−23 [J/K].
 A : Facteur de qualité de la diode.
 T : Température effective de la cellule [Kelvin].

Il faut noter que ces deux résistances (Rs et Rsh) sont liées à la technologie
d’élaboration des électrodes. Il faut minimiser Rs de telle sorte que Rsh soit très important.

Le photo-courant Iph varie avec l’irradiance, il est déterminé par rapport à des valeurs
données aux conditions de référence :

Ф
Iph= .[ Iph−ref + µIcs . ( T −Tref )] (II.14)
Фref

Et Фref : Irradiance effective et de référence [W/m²]. Ф

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- T et Tref : Température effective et de référence [K].

- µIcs : coefficient de température du photo-courant (ou courant de court-circuit), il est souvent

donné par le fabricant, il est en général positif mais très faible.

Le courant de saturation de la diode est supposé variable avec la température selon

l’expression :

( ) .exp ⁡[( qA..EgK ) .( Tref1 )−( T1 )]

3
T
Is=Is−ref (II.15)
Tref

- Eg : Energie de ‘gap’ de la cellule. (Silicium cristalline Eg = 1,12 eV, (Silicium

amorphe Eg = 1,7 eV, Di séléniure de cuivre et d’indium CIS = 1,03 eV, Tellurure de
cadmium CdTe = 1,5 eV).

Les conditions de référence Ф et Фref sont les conditions extérieures pour les quelles
sont spécifiées les données de base utilisées pour l’établissement du modèle (Vco, Ico, Vmax,
Imax), se sont soit les spécifications du fabricant, toujours données aux STC (Standard Test
Conditions, 1000 W/m², 25°C, spectre AM1,5), soit des valeurs issues d’une mesure du module.

II.4. Modèle à deux diodes (double exponentielle) :

Dans ce cas, deux diodes ont été utilisées pour représenter les phénomènes de
polarisation de la jonction PN. Ces diodes symbolisent la recombinaison des porteurs
minoritaires, d’une part en surface du matériau et d’autre part dans le volume du matériau.
Le schéma du générateur photovoltaïque devient dans le cas de la figure (II.4) [8].

Figure (II.4) : Schéma équivalent d’une cellule PV modèle à deux diodes.

Le courant fourni par la cellule I à partir de loi des nœuds est donné par :

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I =Iph−Id 1−Id 2−Ish (II.16)

Les courants traversant les diodes Id1, Id1 est donné par :

Id 1=Is1[ exp ( q ( VA−Rs

1 KT )
.I )
−1] (II.17)

Id 2=Is 2 [exp ( A 2 KT )
q ( V −Rs . I )
−1] (II.18)

Le courant dérivé par la résistance shunt Ish est donné par :

V + Rs . I
Ish= (II.19)
Rsh

Remplaçant les relations (II.17), (II.18), (II.19) dans la relation (II.16) on a :

[ (
I =Iph−Is 1 exp
q ( V −Rs . I )
A 1 KT ) ] [ (
−1 −Is 2 exp
A 2 KT )
q ( V −Rs . I )
]
−1 +
V + Rs . I
Rsh
(II.20)

II.5 Modélisation du Convertisseur DC-DC (boost)

Comme on peut le constater sur les courbes ci-dessus, l’extraction de la puissance maximale
du générateur PV passe par une adaptation de l’impédance d’entrée du coté de cette source, et
dont le fameux convertisseur DC-DC, de type boost, à liaison directe, adopté dans ce travail est
le plus utilisé. Autres architectures utilisent à leur tour des convertisseurs buck-boost ou les
convertisseurs Buck [9].

Un convertisseur boost, ou hacheur parallèle, est une alimentation à découpage qui

convertit une tension continue en une autre tension continue de valeur plus grande. La figure II.5
présente le schéma de base de tel convertisseur, où le principe de fonctionnement est divisé en
deux parties différentes suivant l'état de l’interrupteur (dans ce qui suit on considère une
conduction continue) [9].

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Figure (II.5) : Schéma descriptif d’un convertisseur DC-DC boost

Etape 1 :

Lorsque l'interrupteur S est fermé (état passant), le courant dans l’inductance va augmenter,
et une énergie sous forme magnétique est stockée. La diode est donc bloquée, et la charge sera
déconnectée [9].

Figure (II.6) Circuit électrique équivalent de la première étape

La loi des mailles à l’entrée produit :

dL
Ve=L (II.21)
dt

A la fin de l'état passant, le courant IL augmente d’une valeur ΔILon, exprimée par :

∝T ∝T
Ve . dt Ve . ∝. T
ΔILon= ∫ dIL=∫ = (II.22)
0 0 L L

Où α est le rapport cyclique, qui représente la fraction de la période T lorsque l’interrupteur S est
passant. 0<α<1.

Etape 2 :

Lorsque

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l’interrupteur est ouvert, l’inductance est alors en série avec le générateur et sa tension va
s’ajouter à celle du générateur : C’est l’effet survolteur. L’énergie cumulée dans l’inductance va
être donc transférée vers la capacité [9].

Figure (II.7): Circuit électrique équivalent de la deuxième étape

L’évolution du courant IL est alors synthétisée ainsi :

dL
Ve−Vs=L (II.23)
dt

La variation du courant IL durant l'état bloqué sera donc égale à :

( 1−∝ ) .T ( 1−∝ ) . T
( Ve−Vs ) dt ( Ve−Vs ) ( 1−∝ ) .T
ΔILoff = ∫ dIL= ∫ L
=
L
(II.24)
0 0

La quantité d'énergie emmagasinée dans chacun de ces composants est la même au début et à la
fin d'un cycle de fonctionnement. Par conséquent, le courant IL est le même au début et à la fin
de chaque cycle de commutation. Ce qui permet d’écrire :

Ve .∝ .T ( Ve−Vs ) ( 1−∝ ) .T
ΔILon + ΔILoff = + (II.25)
L L

Le rapport entre Vs et Ve sera donc obtenu ainsi :

Vs 1
= (II.26)
Ve 1−∝

II.6 Principe de la recherche du point de puissance maximale (MPPT):

Il existe un point de fonctionnement ou la puissance débitée est maximale. L'optimisation

consiste à réaliser ce point en permanence en agissant de façon automatique sur la charge vue par

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le générateur cette adaptation de charge dans le principe s'effectue en générale à l'aide d'un
convertisseur statique dans les pertes doivent être aussi faibles que possible et qui peut, par
ailleurs, assurer une fonction de mise en forme d'un générateur de sortie, différentes attitudes
peuvent être envisagées quant à la commande de l'adaptateur [10].

Ce type de commande est souvent nommé « Recherche du Point de Puissance Maximum »

ou bien « Maximum Power Point Tracking » (MPPT).

La (figure II.8) représente une chaîne élémentaire de conversion photovoltaïque

élémentaire associée à une commande MPPT.

Pour simplifier les conditions de fonctionnement de cette commande, une charge DC est
choisie. Comme nous pouvons le voir sur cette chaîne, dans le cas de la conversion solaire.
L'adaptateur peut être réalisé à l'aide d'un convertisseur DC-DC de telle sorte que la puissance
fournie par le GPV corresponde à la puissance maximale (P max) qu'il génère et qu'elle puisse
ensuite être transférée directement à la charge [10].

Figure (II.8): Chaine élémentaire de conversion photovoltaïque

La technique de contrôle communément utilisée consiste à agir sur le rapport cyclique de

manière automatique pour amener le générateur à sa valeur optimale de fonctionnement qu'elles
que soient les instabilités météorologiques ou variations brutales de charges qui peuvent
survenir.

La (figure II.9) illustre trois cas de perturbations. Suivant le type de perturbation, le point
de fonctionnement bascule du point de puissance maximal PPM1 vers un nouveau point P1 de
fonctionnement plus ou moins éloigné de l'optimum.

 Pour une variation d'ensoleillement (cas a),

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Il suffit de réajuster la valeur du rapport cyclique pour converger vers le nouveau point de
puissance maximum PPM2.

 Variations de température de fonctionnement du G PV (cas b).

Bien qu'il faille également agir au niveau de la commande.

 Pour une variation de charge (cas c),

On peut également constater une modification du point de fonctionnement qui peut retrouver une
nouvelle position optimale grâce à l'action d'une commande.

En résumé, le suivi du PPM :

Est réalisé au moyen d'une commande spécifique nommée MPPT qui agit essentiellement sur le
rapport cyclique du convertisseur statique (CS) pour rechercher et atteindre le PPM du GPV. Il
existe plusieurs principes de fonctionnement des commandes MPPT plus ou moins performantes
basées sur les propriétés du GPV [10].

Figure (II. 9): Recherche et recouvrement du point de puissance maximale

II.6.1 Les techniques MPPT basées sur le principe de la logique floue

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La commande basée sur la logique floue (dans la littérature anglo-saxonne Fuzzy Logic
Control) est de plus en plus populaire grâce à l’évolution des microcontrôleurs. L’avantage de
cette technique est qu’elle peut fonctionner avec des valeurs d’entrées peu précises et qu’elle n’a
pas besoin de modèle mathématique de grande précision. De plus, elle peut traiter des non
linéarités. Le principe d’une commande floue se base sur deux variables d’entrées qui sont
l’erreur E et le changement d’erreur ΔE et une variable de sortie Δα (variation du rapport
cyclique). La valeur de la variable de sortie, qui pilote le convertisseur statique pour rechercher
le PPM, est déterminée à l’aide d’une table de vérité et de l’évolution des paramètres d’entrée
[11].

En général, la commande logique floue comprend donc trois étapes communément nommées
dans la littérature :

 La fuzzification,
 la lecture de la table de vérité,
 la défuzzification

Durant la fuzzification, les variables d’entrées numériques sont converties en variable

linguistique pouvant prendre les cinq valeurs suivantes :

 NB: Negative Big,

 NS: Negative Small,
 ZE: Zero,
 PS: Positive Small,
 PB: Positive Big.

Comme le montre la structure de base de la commande logique floue illustrée en (figure II.15)

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Figure (II.10): Structure de base de la commande floue

Les paramètres d'entrées E et ΔE sont liées aux équations suivantes

P ( n ) −P (n−1)
E (n)=
V ( n ) −V (n−1)
(II.27)

∆ E ( n )=E ( n )−E (n−1) (II.28)

En fonction de leurs évolutions et d'une table de vérité comme indiquée dans le tableau (II -1),
Une valeur est attribuée au paramètre de sortie ΔD.

Tableau (II.1):
Exemple d'une table de vérité pour une commande logique floue.

La variable linguistique assignée à Δα, dépend des différentes combinaisons entre E et ΔE.
Par exemple, si les variables d’entrée (E et ΔE), ont comme valeur PB et ZE correspondant à un
point de fonctionnement très éloigné du PPM, d’après la table de vérité la valeur donnée à la
variable de sortie Δα est PB, ce qui implique une forte variation positive du rapport cyclique pour
atteindre le PPM. En résumé, les variations du rapport cyclique dépendent de la différence de
position entre le point de fonctionnement et un PPM. Ainsi, dès que ce dernier s’approche du
PPM, les incréments appliqués à Δα s’affinent jusqu’à atteindre le PPM.[11]

La défuzzification, consiste à convertir cette fois, une variable linguistique en variable

numérique. Cette étape ne s’applique qu’à la variable de sortie Δα, afin de pouvoir piloter le
convertisseur de puissance pour atteindre le PPM [11].

En résumé, cette méthode s’avère être très performante lors de changement des conditions
climatiques, cependant sa précision en statique est fortement liée à la complexité de la table de
vérité employée entraînant la nécessité du choix obligatoire d’un microcontrôleur ayant une
grande capacité de calculs tenant compte des nombreuses disparités des paramètres électriques
du panneau. Ici, typiquement, cette commande peut présenter les meilleures performances en

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termes de précision et de rapidité de recouvrement de PPM mais elle entraîne obligatoirement

une consommation énergétique non négligeable liée au microprocesseur ainsi qu’un surcoût [11].

II.7 Régulation de bus continu

Dans cette partie, on expose la régulation de la tension du bus continu par de commande à
base de régulateur de type PI, dans le but de le rendre toujours constant, quels que soient
changements du rayonnement solaire (température, éclairement). La tension du bus continu Vdc
est influencée par les variations du courant de sortie du convertisseur DC/DC, Ipv image des
changements du rayonnement solaire. Cette tension peut aussi augmenter en cas de saturation du
courant injecté au réseau (creux de tension ou court-circuit à la sortie de l’onduleur). Dans cette
section, on s’intéresse au fonctionnement normal, où le courant de sortie de l’onduleur reste
encore dans sa limite admissible.

Pour identifier les paramètres de contrôle ; l’équation (II.29,30,31,32,33) exprime l’état de la

tension du bus :

I pvs−I ond =I c (II.29)

1
C∫ c
V dc = I .dt (II.30)

1
d V dc = . I . dt (II.31)
C c

d V dc 1
= . Ic
dt C
(II.32)

d V dc
C =I c (II.33)
dt

La figure II.16 montre le schéma bloc de cette régulation via le courant d’onduleur (Iond),
alors que le courant Ipvs, dépendant des conditions climatiques variables, est considéré comme
une perturbation à surmonter.

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Figure (II.11): Schéma bloc de la régulation du bus continu.

II.7.1. Calculer les paramètres de régulateur PI :

Dans cette régulation classique, la synthèse du contrôleur est déduite selon la chaine directe, et
où la déduction des gains Kp et Ki est déduite par placement des pôles [12].

Figure (II.12): Régulation du

bus continu par un PI classique.

La fonction du transfert du système en boucle fermé est déduite ainsi :

Qui peut se mettre sous :

Ki
C . K p . P+
C
F ( P )=
2 Ki
P + K p . P+
C
(II.34)

En choisissant une équation caractéristique désirée de type pôle double  :

Fdes ( p )=¿ ¿ (II.35)

Les Kp et Ki, sont déduits par égalisation des équation (II.34) et (II.35) :

4
K p= (II.36)
τ

4C
K i= (II.37)
τ2

2
Avec ¿ : pôle double, et  : constant de temps désiré.
τ

II.8 Modèle du réseau :

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Dans notre système, l’onduleur de tension est lié au réseau électrique triphasé via un filtre
inductif. Les équations dynamiques de la liaison du convertisseur avec le filtre inductif et le
réseau sont décrits par [6] :

{
dIa
Va=IaRr + Lr +E1
dt
dIb
Vb=IbRr + Lr + E2 (II.38)
dT
dIc
Vc=IcRr + Lr +E3
dt

Où (Rr + jLr) désignent l’impédance sommaire côté réseau.

II.8.1 Modélisation de l’onduleur triphasé

L’onduleur de tension impose à sa sortie un système de tensions sous forme de créneaux modulés
en largeur d’impulsions (MLI ou PWM en anglais). On place alors entre chaque sortie de l’onduleur et
chaque phase du réseau (onduleur monophasé ou triphasé) une inductance qui joue le rôle de filtre et
permet à l’onduleur de fournir au réseau des courants quasi sinusoïdaux [12].

Le rôle de l’onduleur triphasé est de faire transiter la puissance de la source PV vers le

réseau. Il se compose en fait de trois bras de commutation, composés à leur tour de deux cellules
comportant chacune une diode et un transistor en antiparallèle. En mode commandable, le bras
est un commutateur à deux positions qui permet d’obtenir à la sortie deux niveaux de tension
[12].

Figure (II.13): Schéma de l’onduleur de la tension

L’onduleur est modélisé en associant à chaque bras une fonction logique F qui détermine ses
états de conduction :

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{
'
F 1= 1 si S'1 passant et S 1 ouvert .
0 si S 1 passant et S 1 ouvert .

{
'
F 2= 1 si S '2 passant et S 2 ouvert .
0 si S 2 passant et S 2 ouvert .

{
'
F 3= 1 si S '3 passant et S 3 ouvert .
0 si S 3 passant et S 3 ouvert .

Les tensions composées à la sortie de l’onduleur sont liées aux fonctions de connexion F via les
équations suivantes :

Vab=Vdc( F 1−F 2) (II.39)

Vbc=Vdc(F 2−F 3) (II.40)

Vca=Vdc (F 3−F 1) (II.41)

Par voie conséquence les tensions simples Va, Vb, Vc sont alors synthétisées ainsi [13] :

Vdc
Va= (2 F 1−F 2−F 3) (II.42)
3

Vdc
Vb= (2 F 2−F 1−F 3) (II.43)
3

Vdc
Vc= (2 F 3−F 1−F 2) (II.44)
3

En définitif, l’équation matricielle suivante permet de modéliser l’onduleur de tension à deux

niveaux :

[] [ ][ ]
Va Vdc 2 −1 −1 F 1
Vb = −1 2 −1 F 2 (II.45)
3
Vc −1 −1 2 F 3

Iond=F 1. Ia+ F 2. Ib+ F 3. Ic (II.46)

II.8.2 Stratégie de contrôle d’onduleur :

Les courants de sortie, du côté AC de l'onduleur, sont contrôlés à l'aide d’une commande
vectorielle qui nous assure le contrôle indépendant du flux de puissance active et réactive entre
l'onduleur et le réseau et par conséquent, le courant injecté dans le réseau a une faible distorsion
qui est pratiquement en phase avec la tension du réseau. En d'autres termes, le convertisseur

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contrôle le flux d'énergie vers le bus alternatif de telle sorte à maintenir la tension du bus continu
constante, ainsi que le facteur de puissance de sortie à proximité de l'unité [13].

La figure II.19 montre une représentation simplifiée du convertisseur côté réseau qui
comprend un condensateur à courant continu, un onduleur MLI de trois phases, et les
impédances séries qui s'interfacent à la sortie du convertisseur et à l’entrée du réseau.

Figure (II.14): Dispositif de conversion côté réseau.

Les équations de tension dans la figure II.15 peuvent être écrites en utilisant la loi de Kirchhoff :

[][ ][ ] [ ]
ia −Rf 0 0 ia ea−Va
d
Lf ib = 0 −Rf 0 . ib + eb−Vb (II.47)
dt
ic 0 0 −Rf ic ec−Vc

La transformation des équations de tensions dans la référenceciel d q par les matrices de Park
données :

Lf
[][
d id
= −Rf
][ ] [
Lf . ω . id + ed−Vd
dt iq −Lf .ω −Rf iq eq−Vq ] (II.48)

Pour assurer un contrôle découplé de la puissance active et la puissance réactive, ou qui est sur la
base (II, 48), la tension de sortie de l'onduleur dans le repère de référence d q doit être [13].

ed =Lf ( e d−ref −ω .iq ) +Vd

(II.49)
eq=Lf ( e q−ref −ω . id ) +Vq

En substituant (II, 48) dans (II.49), les équations découplées du système peuvent être réécrite
comme suit :

[ ]
−Rf
0
[]
d id
dt iq
=
Lf
0
−Rf
. [idiq ]+[ edeq−ref
−ref
] (II.50)
Lf

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La puissance active et la puissance réactive pourraient être contrôlées respectivement par

id et iq. Par conséquent, les règles de contrôle de (II.45) peuvent être complétées par la définition
des boucles fermées comme suit [13].

(
V d −ref = K p 1+
Ki 1
S )
.(i d −ref −i d−mes )
(II.57)
(
V q −ref = K p 2 +
Ki1
S )
. (e q−ref −i q−mes )

La Figure II.20 montre le schéma de commande de l'onduleur connecté au réseau basée sur
l'algorithme de commande vectorielle.

Figure (II.15). Schéma de la commande entre l’onduleur et le réseau.

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II.9 Conclusion

Dans ce chapitre, on a présenté une modélisation et commande explicite du système

photovoltaïque connecté au réseau électrique. Il est composé de module PV connecté en série
avec un convertisseur DC-DC boost est commandé par MPPT à base la logique floue, qu'on a
choisie parmi de nombreux types MPPT pour leur précision et leur efficacité, afin d’élever la
tension optimale du générateur à une tension convenable du bus continu, qui connecté en série
avec onduleur triphasé est contrôlé par une commande avec régulateur PI pour injecter la
puissance de PV au réseau électrique.

Dans le chapitre prochain, on discutera les résultats de modélisation des diffèrent parties de
système qui nous avons étudié dans ce chapitre.

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