M AT É R I AU X

Ti551 - Étude et propriétés des métaux

Étude des métaux

et des alliages :
état métallique
Réf. Internet : 42345 | 6e édition

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III
Cet ouvrage fait par tie de
Étude et propriétés des métaux
(Réf. Internet ti551)
composé de  :

Étude des métaux et des alliages : état métallique Réf. Internet : 42345

Données physico-chimiques sur les métaux et alliages Réf. Internet : 42530

Essais métallographiques des métaux et alliages Réf. Internet : 42343

Essais mécaniques sur les métaux et alliages Réf. Internet : 42531

Méthodes de caractérisation et d'analyse des métaux Réf. Internet : 42532

et alliages

Propriétés et usages des aciers et des fontes Réf. Internet : 42349

Aciers inoxydables, aciers réfractaires et aciers résistant au Réf. Internet : 42346

fluage

Métaux et alliages, matériaux magnétiques Réf. Internet : 42357

et multimatériaux

Matériaux métalliques avancés Réf. Internet : 42660

Bases de données : matériaux métalliques Réf. Internet : 42584

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IV
Cet ouvrage fait par tie de
Étude et propriétés des métaux
(Réf. Internet ti551)

dont les exper ts scientifiques sont  :

Pierre BARBERIS
Ingénieur de recherche, AREVA NP, Centre de recherche, Ugine

Jean-Pierre BIRAT
Consultant et gérant - IF Steelman, Semécourt, France

Yves BRÉCHET
Professeur des Universités à l'Institut National Polytechnique de Grenoble et à
l'Institut Universitaire de France, Ancien élève de l'École Polytechnique

Yannick CHAMPION
Directeur de recherche CNRS, ICMPE (Institut de chimie et des matériaux de
Paris-Est)

Joël COURBON
Professeur à l'INSA de Lyon, Ancien élève de l'École Polytechnique

Bernard JOUFFREY
École Centrale Paris, Laboratoire MSS-Mat, UMR-CNRS 8579

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V
Les auteurs ayant contribué à cet ouvrage sont :

Baya ALILI Mireille DEFRANCESCHI Dominique MANGELINCK

Pour l’article : M3045 Pour l’article : 25 Pour l’article : M14

Pierre BARBERIS Claude ESLING Charles-Henri de NOVION

Pour l’article : M3045 Pour les articles : M3040 – Pour les articles : M35 – M40
M3041 – M3042
Thierry BAUDIN Michel PEREZ
Pour l’article : M3045 Marc FIVEL Pour l’article : RE136
Pour les articles : M4016 – M4017
Charlotte BECQUART Louisette PRIESTER
Pour l’article : RE136 Samuel FOREST Pour les articles : M4011 –
Pour les articles : M4016 – M4017 M4012 – M4013
Marcel BERVEILLER
Pour l’article : M48 Pierre GUIRALDENQ Georges SAADA
Pour l’article : M55 Pour l’article : M45
Djamel BRADAI
Pour l’article : M3045 Fayçal HADJ-LARBI Robert SCHWARZER
Pour l’article : M3045 Pour l’article : M3040
Christophe CAUCHETEUR
Pour l’article : AF3565 Anne-Laure HELBERT Jany THIBAULT-PENISSON
Pour l’article : M3045 Pour l’article : M4011
Jean-Claude COURTIER
Pour l’article : 24 Nicole LEGENT Olivier THOMAS
Pour l’article : 23 Pour l’article : M14
Jean-Philippe COUZINIE
Pour les articles : M4012 – M4013 Gérard LESOULT André ZAOUI
Pour les articles : M58 – M59 Pour l’article : M48
Brigitte DÉCAMPS
Pour les articles : M4012 – M4013 Daniel LESUEUR
Pour les articles : M35 – M40

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VI
Étude des métaux et des alliages : état métallique
(Réf. Internet 42345)

SOMMAIRE
Réf. Internet page

Unités de mesure SI 23 9

Unités légales et facteurs de conversion 24 13

Classification périodique des éléments 25 15

L'état métallique. Propriétés atomiques M35 19

L'état métallique. Propriétés électroniques et physiques M40 27

État métallique. Déformation plastique M45 31

Modélisation de la déformation plastique des polycristaux M48 37

Texture et anisotropie des matériaux polycristallins. Cartographie par diffraction de M3040 41

Kikuchi
Texture et anisotropie des matériaux polycristallins. Formation des textures M3041 45

Technique ECAP. Aspects théoriques et applicatifs M3045 49

Texture et anisotropie des matériaux polycristallins. Propriétés des matériaux texturés M3042 53

Joints de grains. Théorie et expérimentation M4011 57

Le joint de grains réel. Influences de la température et de la chimie M4012 63

Le joint de grains réel. Effets mécaniques M4013 67

Plasticité cristalline et transition d'échelle : cas du monocristal M4016 71

Plasticité cristalline et transition d'échelle  : cas du polycristal M4017 77

Plasmons de surface : principes physiques et applications AF3565 81

Diffusion dans les métaux M55 85

Solidification. Cristallisation et microstructures M58 95

Solidification. Macrostructures et qualité des produits M59 101

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VII
Dynamique moléculaire appliquée aux matériaux RE136 109

Métallurgie pour la microélectronique à support silicium M14 113

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 Référence Internet
23

Unités de mesure SI

par Nicole LEGENT

Ingénieur du Conservatoire national des arts et métiers (CNAM)
Ingénieur en normalisation à l’Association française de normalisation (AFNOR)

1. Définitions générales .............................................................................. 23v2 — 2

2. Organismes responsables...................................................................... — 3
3. Système métrique .................................................................................... — 6
4. Système international d’unités SI ....................................................... — 7
5. Unités hors système ............................................................................... — 10
6. Définition des unités............................................................................... — 11
Pour en savoir plus ........................................................................................... Doc. 23v2

l’époque de la mondialisation, le système international d’unités, tel que

A nous le connaissons, paraît évident.
Ce dossier présente sa longue et intéressante histoire, vécue par des scienti-
fiques de renom, ses règles strictes et ses exceptions.
Parution : juillet 2006

Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie est strictement interdite.
© Techniques de l’Ingénieur 23v2 − 1

9
 Référence Internet
23

UNITÉS DE MESURE SI __________________________________________________________________________________________________________________

1. Définitions générales 1.5 Noms spéciaux

Les noms spéciaux sont les appellations de certaines unités déri-

1.1 Grandeur et unité vées (§ 1.15) adoptées par la Conférence générale des poids et
mesures (CGPM).

Une grandeur est l’attribut d’un phénomène, d’un corps ou d’une Exemple : le pascal est le nom spécial du newton par mètre carré.
substance, qui est susceptible d’être distingué qualitativement et
déterminé quantitativement. Ce terme grandeur peut se rapporter à
une grandeur dans un sens général, par exemple la longueur, le
temps, la masse, la résistance électrique, etc., ou à une grandeur 1.6 Système de grandeurs
particulière, par exemple la longueur d’une tige donnée, la résis-
tance électrique d’un échantillon donné de fil. Les grandeurs qui
peuvent être classées les unes par rapport aux autres en ordre crois-
sant (ou décroissant) sont appelées grandeurs de même nature. Un système de grandeurs est un ensemble de grandeurs (dans le
sens général) entre lesquelles il existe des relations définies. Il
L’unité de mesure est une grandeur particulière, définie et adop- s’applique à un domaine particulier, par exemple le système de
tée par convention, à laquelle on compare les autres grandeurs de grandeurs de la mécanique, ou à tous les domaines de la science et
même nature pour les exprimer quantitativement par rapport à cette de la technique.
grandeur.
Exemple : l’épaisseur, la circonférence et la longueur d’onde sont À un système de grandeurs donné, on fait habituellement corres-
des grandeurs de même nature ; leur unité SI de mesure (§ 4.2) est le pondre un système d’unités déterminé.
mètre.

1.7 Grandeurs de base

1.2 Métrologie et mesurage

La métrologie, qui est la science de la mesure, embrasse tous les Les grandeurs de base d’un système de grandeurs sont les gran-
aspects aussi bien théoriques que pratiques se rapportant aux deurs qui sont admises par convention comme étant fonctionnelle-
mesurages, quelle que soit l’incertitude de ceux-ci, dans quelque ment indépendantes les unes des autres.
domaine de la science et de la technologie que ce soit. Exemple : les grandeurs longueur, temps et masse sont générale-
Le mesurage est l’ensemble des opérations ayant pour but de ment prises comme grandeurs de base dans le domaine de la mécani-
déterminer la valeur d’une grandeur. que.

1.3 Étalon 1.8 Grandeurs dérivées

Un étalon est une mesure matérialisée, un appareil de mesure, un

matériau de référence ou un système de mesure destiné à définir, Les grandeurs dérivées d’un système de grandeurs sont les gran-
réaliser, conserver ou reproduire une unité ou une ou plusieurs deurs définies comme fonction des grandeurs de base de ce sys-
valeurs d’une grandeur pour servir de référence. tème.
Exemple : étalon de masse de 1 kg, étalon de fréquence à césium, Exemple : dans le système de grandeurs de la mécanique du
électrode de référence à hydrogène. paragraphe 1.7, où les grandeurs de base sont la longueur, la masse et
le temps, les grandeurs vitesse, force, pression, énergie, etc., sont des
grandeurs dérivées.

1.4 Symbole

Dans le domaine particulier des unités de mesure, un symbole est

1.9 Dimension d’une grandeur
un signe littéral conventionnel qui permet de représenter une gran-
deur ou une unité sous une forme simple.
Un symbole est généralement constitué d’une lettre, parfois La dimension d’une grandeur est l’expression qui représente une
d’une association de deux ou trois lettres, éventuellement avec un grandeur d’un système de grandeurs comme le produit de puissan-
indice. ces de facteurs représentatifs des grandeurs de base de ce système.

L’écriture des symboles est régie par des règles précises (§ 4.4.3). Exemple : dans le système de grandeurs de la mécanique du
La principale correspond à l’écriture des symboles de grandeurs en paragraphe 1.7 où les dimensions des grandeurs de base longueur,
italique et des symboles d’unités en droit. masse et temps sont représentées respectivement par L, M et T, la
dimension de la force est LMT−2.
Un symbole de grandeur ou d’unité ne doit pas être confondu
avec une abréviation ou un sigle.
Les unités de grandeurs qui ont la même dimension dans un sys-
Exemple : UA est le symbole de l’unité astronomique ; A est le tème donné peuvent avoir le même nom et le même symbole,
symbole de l’ampère. même si ces grandeurs ne sont pas de même nature.

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23v2 − 2 © Techniques de l’Ingénieur

10
 Référence Internet
23

_________________________________________________________________________________________________________________ UNITÉS DE MESURE SI

1.10 Équation entre grandeurs 1.17 Multiple ou sous-multiple

d’une unité
Une équation entre grandeurs représente la relation fonctionnelle
entre ces grandeurs. Elle s’écrit en utilisant les symboles des gran- On appelle multiple (ou sous-multiple) d’une unité de mesure,
deurs. Elle est indépendante du choix des unités de mesure. une unité de mesure plus grande (plus petite) formée à partir d’une
unité donnée selon des conventions d’échelonnement.
Exemple : l’un des multiples décimaux du mètre est le kilomètre ;
1.11 Grandeur sans dimension l’un des sous-multiple non décimaux de l’heure est la seconde.

Une grandeur sans dimension est une grandeur dont l’expression

dimensionnelle en fonction des dimensions des grandeurs de base 1.18 Unité légale
d’un système donné présente tous ses exposants nuls. On dit aussi
grandeur de dimension un.
Une unité de mesure est dite légale lorsque son emploi est pres-
Exemple : dilatation linéique relative e = ∆ᐉ ⁄ ᐉ 0 .
crit par un texte réglementaire (par exemple, décret sur les unités).

1.12 Système d’unités (de mesure) 1.19 Unité hors système

Un système d’unités (de mesure) est l’ensemble des unités cor-

Une unité de mesure hors système est une unité de mesure qui
respondant aux grandeurs d’un système de grandeurs donné.
n’appartient pas à un système d’unités donné.
Exemple : système international d’unités, SI ; système CGS.
Exemple : le jour, l’heure, la minute sont des unités hors système
pour le SI.

1.13 Système cohérent d’unités

1.20 Valeur d’une grandeur,
Un système cohérent d’unités est un système d’unités où les rela- valeur numérique d’une grandeur
tions entre les unités et les relations entre les grandeurs correspon-
dantes présentent les mêmes facteurs de proportionnalité. Dans un
tel système, les unités sont dites cohérentes. La valeur d’une grandeur est l’expression quantitative d’une gran-
deur particulière, généralement sous la forme d’une unité de
Exemple : les unités suivantes (représentées par leurs symboles) mesure multipliée par un nombre. Ce nombre est appelé valeur
font partie du système cohérent d’unités de la mécanique dans le SI : numérique de la grandeur.
m ; kg ; s ; m2 ; m3 ; Hz = s−1 ; m · s−1 ; m · s−2.
— longueur d’une tige : 5,34 m ;
— masse d’un corps : 0,152 kg.

1.14 Unité de base

L’unité de mesure de base est l’unité de mesure d’une grandeur

2. Organismes responsables
de base dans un système donné de grandeurs.
Exemple : les 7 unités de base du SI (§ 4.2.1). La responsabilité du domaine des unités de mesure incombe, à
différents titres et à différents niveaux, à un certain nombre d’orga-
nismes chargés de définir ces unités, d’en établir la réglementation,
d’en contrôler l’application, d’en assurer la normalisation.
1.15 Unité dérivée
Ces organismes se situent au plan international, au plan européen
et au plan national.
L’unité de mesure dérivée est l’unité de mesure d’une grandeur
dérivée dans un système donné de grandeurs.
Exemple : mètre cube, newton, pascal qui sont respectivement les 2.1 Bureau international des poids
unités des grandeurs dérivées volume, force, pression dans le SI. et mesures (BIPM), CGPM, CIPM

1.16 Unité composée Le Bureau international des poids et mesures (BIPM) a été créé
par la Convention du mètre signée à Paris le 20 mai 1875 et il est
situé au Pavillon de Breteuil à Sèvres, France. Son entretien est
assuré à frais communs par les États membres de la Convention du
On appelle unité composée une unité dérivée qui n’a pas reçu de
mètre. En août 2005, 51 États étaient membres de cette Convention.
nom spécial.
Le BIPM a pour mission d’assurer l’unification mondiale des mesu-
Exemple : kilogramme-mètre par seconde. res physiques.

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© Techniques de l’Ingénieur 23v2 − 3

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 Référence Internet
23

UNITÉS DE MESURE SI __________________________________________________________________________________________________________________

Le BIPM fonctionne sous la surveillance exclusive du Comité Dans le domaine des unités de mesure, le comité technique ISO/
international des poids et mesures (CIPM) composé de scientifiques TC 12 Grandeurs, unités, symboles, facteurs de conversion et tables
appartenant à des États différents. de conversion a élaboré la norme ISO 31 qui comporte 14 parties et
Le CIPM est placé sous l’autorité de la Conférence générale des qui définit les grandeurs, unités et symboles par domaine techni-
poids et mesures (CGPM) formée des délégués de tous les États que.
membres de la Convention du mètre et qui se réunit actuellement Le comité technique ISO/TC 12 a également établi la norme
tous les 4 ans. Les responsabilités de la CGPM sont : ISO 1000 qui décrit le système international d’unités SI et donne les
— de prendre les mesures nécessaires pour assurer la propaga- règles d’emploi des multiples et sous-multiples.
tion et le perfectionnement du Système international d’unités (SI), 25 pays participent activement aux travaux de ce comité techni-
forme moderne du système métrique ; que dont le secrétariat est géré depuis 1982 par la Suède.
— de sanctionner les résultats des nouvelles déterminations
métrologiques fondamentales ;
— d’adopter les décisions importantes concernant l’organisation
et le développement du BIPM. 2.4 Commission électrotechnique
La 1reCGPM s’est réunie en 1889 ; la 22e
s’est tenue en 2003. Les internationale (IEC), IEC/CE 25
décisions de la CGPM font l’objet de résolutions [1] à [9].
Le CIPM a institué, depuis 1927, dix Comités consultatifs destinés La Commission électrotechnique internationale (IEC) a été fondée
à la renseigner sur des questions spécialisées et à lui proposer des en 1906. C’est l’autorité pour les normes mondiales en ingénierie
recommandations pour coordonner les travaux internationaux électrique et électronique. L’IEC est composée en 2005 de 52 pays
effectués dans leurs domaines respectifs. membres.
Le réseau des mesures dans le monde est constitué d’un tissu de Le comité d’étude 25 de l’IEC, IEC/TC 25, Grandeurs et unités et
plus en plus complexe d’accords et d’échanges officiels et non offi- leurs symboles littéraux, a pour objet de préparer les normes inter-
ciels. nationales sur les grandeurs et unités à utiliser en technologie élec-
La Convention du mètre, par l’intermédiaire de la Conférence trique. Pour ces grandeurs et unités, ces normes peuvent donner
générale des poids et mesures, du Comité international des poids et leurs définitions, noms, symboles littéraux et utilisation, les rela-
mesures et du BIPM, fournit la base formelle et physique des mesu- tions dans lesquelles elles apparaissent et les signes et symboles
res sur laquelle se fonde tout le reste de l’activité internationale en utilisés avec ces grandeurs et unités.
métrologie pratique. Publications : IEC 60027, Symboles littéraux à utiliser en électro-
technique, parties 1 à 4 et leurs amendements.

2.2 Organisation internationale

de métrologie légale (OIML), BIML, CIML 2.5 Union internationale de physique pure
et appliquée (UIPPA), SUN
L’Organisation internationale de métrologie légale (OIML) est fon-
dée sur une convention internationale établie en 1955. En août 2005, L’Union internationale de physique pure et appliquée (UIPPA) a
elle comprenait 18 comités techniques, 60 pays membres et 53 pays été créée en 1922 à Bruxelles. Parmi d’autres, ses objectifs sont de :
membres correspondants. Les principaux objectifs de cette organi- — stimuler la coopération internationale en physique ;
sation intergouvernementale sont : — promouvoir des accords internationaux sur l’utilisation des
— de déterminer les principes généraux de la métrologie légale ; symboles, unités, nomenclature et normes.
— d’étudier les problèmes de métrologie légale de caractère Dans chaque pays, l’UIPPA est représentée par un comité natio-
législatif et réglementaire ; nal. En 2005, le nombre de pays membres de l’UIPPA est de 48.
— d’établir des modèles de projets de lois et règlements pour les L’ Assemblée générale dirige les travaux de l’Union, nomme le
instruments de mesure. Comité exécutif et établit les commissions convenables pour le tra-
Les instances de cette organisation sont : vail de l’Union.
— Le Bureau international de métrologie légale (BIML), situé à En 1931, la Commission pour les symboles, les unités et la
Paris, France ; nomenclature (Commission SUN) a été créée pour promouvoir un
— le Comité international de métrologie légale (CIML) ; accord international et faire des recommandations internationales
— la Conférence internationale de métrologie légale avec un cer- dans le domaine des symboles, des unités et de la nomenclature. En
tain nombre de comités techniques (Secrétariats pilotes et Secréta- 1987, l’UIPPA a décidé de fondre la Commission SUN avec sa
riats rapporteurs). Commission des Masses Atomiques et Constantes Fondamentales.
La plus récente publication est le document IUPAP 25 (1987), Sym-
Alors que la CGPM (§ 2.1) traite essentiellement des domaines de bols, Units, Nomenclature and Fundamental Constants in Physics,
la métrologie scientifique, l’OIML traite des questions de métrologie publiée en 1987 et rédigée par la Commission SUN-AMCO.
pratique et légale.
L’OIML publie des recommandations internationales.
2.6 Union internationale de chimie pure
et appliquée (IUPAC)
2.3 Organisation internationale
de normalisation (ISO), ISO/TC 12
L’Union internationale de chimie pure et appliquée (IUPAC), fon-
dée en 1919, est le comité international qui représente la chimie
Créée en 1947, l’ISO regroupe (en 2005) 99 comités membres parmi les autres disciplines des sciences. Ses objectifs sont de :
(dont la France représentée par l’AFNOR) et 36 membres correspon- — promouvoir une coopération continue parmi les chimistes de
dants. Elle publie principalement des normes internationales. ses pays membres ;

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23v2 − 4 © Techniques de l’Ingénieur

12
 Référence Internet
24

Unités légales et facteurs

de conversion

par Jean-Claude COURTIER

Ingénieur de l’École supérieure de physique et chimie industrielles (ESPCI)

1. Grandeurs, unités et symboles ............................................................. PE 24 - 1

2. Facteurs de conversion ........................................................................... — 13
Références bibliographiques .......................................................................... Doc. PE 24

ne unité de mesure est une grandeur particulière, choisie par convention

U pour pouvoir attribuer, par comparaison, des valeurs numériques à des
grandeurs de même nature.
Dans un système de grandeurs, lorsque les relations entre les unités sont les
mêmes que celles qui existent entre les grandeurs, on dit que le système d’uni-
tés ainsi formé est cohérent. C’est le cas pour le système international d’unités,
SI, pratiquement utilisé dans le monde entier et d’application légale en France.
Dans le passé, il n’en a pas toujours été ainsi. De très nombreuses unités, non
cohérentes, ont été utilisées. Certaines sont encore en usage, par exemple dans
le grand public aux États-Unis. C’est la raison pour laquelle le présent article
donne les facteurs de conversion pour les plus importantes unités hors SI, par-
fois encore utilisées.
En France même, quelques unités hors SI, souvent dans des domaines spécia-
lisés, peuvent légalement être utilisées. C’est le cas, par exemple, du carat métri-
que, dans le domaine des pierres précieuses, mais aussi de la minute, de l’heure,
du jour, dont l’usage continuera évidemment de subsister.
Parution : mai 1994

Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie est strictement interdite.
© Techniques de l’Ingénieur, traité Analyse et Caractérisation PE 24 − 1

13
 Référence Internet
24

_____________________________________________________________________________________________________________________________________

1. Grandeurs, unités Le tableau 1 indique uniquement les unités légales en France,

conformément aux décrets no 82-203 du 26 février 1982 et no 85-
et symboles 1600 du 31 décembre 1985 modifiant le décret no 61-501 du 3 mai
1961 modifié [1].

Tableau 1 – Unités légales

Multiples et sous-
Grandeurs Unités SI multiples décimaux Unités légales hors système
ayant un nom spécial

Sym-
Dimensions Noms et Valeurs
Noms boles Noms et symboles Noms et symboles Valeurs en SI (3)
(2) symboles en SI
(1)
Longueur , L mètre (m) mille (4) 1 852
Longueur d’onde λ L mètre (m)
Nombre d’onde σ L–1 mètre à la puissance
–1
moins un (m )
are (a) (5) 102
Aire, superficie A L2 mètre carré (m2)
hectare (ha) 104
GÉOMÉTRIE

Section efficace σ L2 mètre carré (m2) barn (b) 10–28

Volume V L3 mètre cube (m3) litre (L ou l) 10–3
tour (tr) 2π
grade (gon) π/200
Angle plan α A radian (rad) degré (o) π/180
minute (‘) π/10 800
seconde (‘’) π/648 000
Angle solide Ω Ω stéradian (sr)
Masse m M kilogramme (kg) tonne (t) 103 carat métrique (6) 2 × 10–4
unité de masse atomi-
Masse atomique ma M kilogramme (kg) que (u) 1,66054 × 10–27

Masse linéique ρ< L–1M kilogramme par mètre tex (tex)

(kg/m) 10–6
MASSE

kilogramme par mètre

Masse surfacique ρA L–2M 2
carré (kg/m )
ρ kilogramme par mètre
Masse volumique L–3M 3
cube (kg/m )

Volume massique v L3M–1 mètre cube par kilo-

3
gramme (m /kg)
ρB kilogramme par mètre
Concentration L–3M 3
cube (kg/m )
minute (min) 60
TEMPS

Temps t T seconde (s) heure (h) 3 600

jour (d) (7) 86 400
Fréquence f T–1 hertz (Hz)
(1) Les symboles des grandeurs sont ceux qui figurent dans les normes françaises.
(2) Les formules de dimensions sont établies à partir des grandeurs de base : longueur (L), masse (M), temps (T), intensité de courant électrique (I), température
thermodynamique (Θ), intensité lumineuse (J), quantité de matière (N), auxquelles sont ajoutées les grandeurs angle plan (A) et angle solide (Ω).
(3) Cf. norme X 02-051 [2]
(4) Ces unités sont uniquement utilisées pour les distances en navigation (maritime et aérienne).
(5) Ces unités ne sont utilisées que pour les surfaces agraires.
(6) Cette unité est utilisée dans le commerce des diamants, des perles fines et des pierres précieuses.
(7) Le symbole du jour est (d) sur le plan international, mais le symbole (j) est toléré en France.
(8) L’emploi du poise et du stockes devait être limité au 31 décembre 1985, le décret modificatif n’est pas (encore) paru.
(9) Cette unité est uniquement utilisée pour les pressions des fluides.
(10) Cette unité est uniquement utilisée pour la pression sanguine et la pression des fluides corporels.
(11) L’emploi des unités curie, rad et röntgen devait être limité au 31 décembre 1985, le décret modificatif n’est pas encore paru.

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PE 24 − 2 © Techniques de l’Ingénieur, traité Analyse et Caractérisation

14
 Référence Internet
25

Classification périodique
des éléments

par Mireille DEFRANCESCHI

Agrégée de chimie
Docteur d’état en sciences physiques

1. Atomes, éléments et isotopes............................................................ 25v3 - 2

2. Grandeurs définissant les atomes et les éléments ...................... — 2
2.1 Nom et symbole ........................................................................................ — 2
2.2 Numéro atomique ..................................................................................... — 3
2.3 Nombre de masse ..................................................................................... — 3
2.4 Masse atomique ........................................................................................ — 3
2.5 Configuration électronique ....................................................................... — 3
2.6 Rayon atomique......................................................................................... — 4
2.7 Potentiel d’ionisation et affinité électronique ......................................... — 4
2.8 Degrés d’oxydation ................................................................................... — 5
2.9 Électronégativité ........................................................................................ — 5
3. Classification périodique des éléments .......................................... — 6
3.1 Classification historique............................................................................ — 6
3.2 Classification périodique actuelle ............................................................ — 6
3.3 Les cases .................................................................................................... — 6
4. Utilisations de la classification périodique.................................... — 7
4.1 Familles chimiques.................................................................................... — 7
4.2 Prévision du nombre de liaisons covalentes que peut établir un atome — 8
4.3 Prévision de la charge des anions et des cations ................................... — 8
4.4 Énergie d’ionisation................................................................................... — 8
4.5 Variation de l’électronégativité dans le tableau périodique .................. — 9
4.6 Caractère redox.......................................................................................... — 9
4.7 Points d’ébullition et de fusion................................................................. — 9
5. Conclusion ............................................................................................... — 9
Pour en savoir plus ........................................................................................... Doc. 25v3

onsidérant que les propriétés des éléments chimiques ne sont pas le fruit
C du hasard et qu’elles varient de façon périodique en fonction de la masse
atomique des éléments représentés, Dmitri Ivanovitch Mendeleïev (1834-1907)
décrivit entre 1869 et 1871 un tableau comportant huit colonnes, dans les-
quelles étaient rassemblés des éléments possédant des propriétés voisines
classés par ordre de masse atomique croissante de haut en bas et dix neuf
lignes dans lesquelles les éléments étaient répartis par masse atomique crois-
sante de gauche à droite. La disposition faisait que, dans une même colonne,
ne figuraient que des éléments de propriétés chimiques voisines.
Cette classification périodique est différente de celle utilisée aujourd’hui mais
similaire dans son principe : elle propose une classification systématique des élé-
ments chimiques étroitement liée à la périodicité de leurs propriétés chimiques.
Le tableau périodique a connu de nombreux réajustements depuis la fin du
XIXe siècle, il s’est enrichi d’éléments naturels inconnus à l’époque de
Mendeleïev – mais que Mendeleïev avait prévus en laissant des cases vides
dans son tableau –, d’éléments artificiels jusqu’à prendre la forme que nous lui
connaissons aujourd’hui. C’est un classement universel, qui s’est enrichi de
Parution : mai 2013

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CLASSIFICATION PÉRIODIQUE DES ÉLÉMENTS ___________________________________________________________________________________________

données physiques et auquel peuvent être rapportés tous les types de comportements physique et chimique des élé-
ments. Actuellement, sa forme standard comporte 118 éléments, allant de 1H à 118Uuo.
Dans le tableau des éléments sont fournies diverses grandeurs physiques et chimiques, qui sont caractéristiques de
l’élément. Ces grandeurs sont des valeurs de référence, c’est-à-dire qu’elles ont été normalisées par différentes organi-
sations, comme l’Union Internationale de Chimie Pure et Appliquée (UICPA), aussi désignée par son nom anglais
IUPAC, et le National Bureau of Standards (NBS) ou encore le Committee on Data for Science and Technology
(CODATA). Ces grandeurs sont détaillées dans la suite.

1. Atomes, éléments de traces) a un nombre de masse égal à 14. Ils sont respectivement
notés 136 C et 146 C .
et isotopes Parmi les 118 éléments observés, 90 éléments se rencontrent dans
le milieu naturel, ce sont tous les éléments de numéro atomique infé-
Un atome est la plus petite partie constitutive des composés chimi-
rieur ou égal à 92, hormis le technétium 43Tc et le prométhium 61Pm.
ques, pouvant se combiner chimiquement avec d’autres. Cette notion
Sur ces 90 éléments, seuls 80 ont au moins un isotope stable (non
d’atome, connue depuis l’Antiquité, est la base des sciences de la
radioactif), ce sont tous les éléments de numéro atomique inférieur
matière modernes et principalement de la chimie. Bien qu’en chimie,
l’atome soit considéré comme l’entité insécable de base, dans ou égal à 82, c’est-à-dire jusqu’au plomb 82Pb, hormis le technétium
43Tc et le prométhium 61Pm. Parmi ceux-ci, seuls 14 n’ont qu’un seul
d’autres domaines, il n’est plus toujours considéré comme tel, depuis
les expériences de physique nucléaire ayant mis en évidence sa struc- isotope stable (par exemple le fluor, constitué exclusivement de l’iso-
ture au début du XXe siècle. Un atome est constitué d’un noyau tope 19F), les 66 autres en ont au moins deux (par exemple le carbone
concentrant plus de 99,9 % de sa masse, autour duquel se distribuent
est composé à hauteur de 98,90 % de 126 C et 1,10 % de 136 C ). Il existe
des électrons pour former un nuage 40 000 fois plus étendu que le
en tout 256 isotopes stables connus des 80 éléments non radioactifs
noyau lui-même. Le noyau est constitué de protons, chargés positive-
et une vingtaine d’isotopes faiblement radioactifs présents dans le
ment, et de neutrons, électriquement neutres. Les électrons sont en
milieu naturel (parfois avec une période radioactive tellement grande
interaction avec le noyau, tandis que les nucléons sont maintenus
qu’elle en devient non mesurable), certains éléments ayant à eux
ensemble au sein du noyau par l’interaction nucléaire forte. Le nuage
seuls plus d’une demi-douzaine d’isotopes stables (par exemple,
électronique est distribué sur des niveaux d’énergie quantifiés autour
du noyau définissant des couches et des sous-couches électroniques. l’étain 50Sn en a dix, d’occurrences naturelles fort variables).
Plusieurs atomes peuvent établir des liaisons chimiques entre Tous les isotopes d’un même élément occupent la même case
eux grâce à leurs électrons et, d’une manière générale, les proprié- du tableau périodique.
tés chimiques des atomes sont déterminées par leur configuration Alors qu’un élément chimique ne peut pas se transformer en un
électronique, laquelle découle du nombre de protons de leur autre élément par une réaction chimique, un élément chimique
noyau. Ce nombre est appelé numéro atomique, il est noté Z. peut se transformer en un autre élément par une réaction
On appelle élément chimique, ou simplement élément, un nucléaire appelée transmutation.
atome ou un ensemble d’atomes et les ions monoatomiques dont
les noyaux ont le même nombre de protons. Les atomes étant
électriquement neutres, ils comptent autant d’électrons, chargés
négativement, que de protons, chargés positivement, de sorte que
2. Grandeurs définissant
le numéro atomique représente également le nombre d’électrons
des atomes d’un élément donné. Ce nombre Z est appelé le
les atomes et les éléments
numéro atomique de l’élément. Les propriétés chimiques sont
déterminées par la configuration électronique de l’atome, elles 2.1 Nom et symbole
dépendent directement du numéro atomique.
Les symboles sont pour la plupart arrêtés depuis longtemps,
Au total, 118 éléments chimiques ont été observés à ce jour, de sauf pour les éléments instables découverts récemment, pour les-
numéro atomique allant de 1 à 118. Un élément chimique ne peut quels l’IUPAC propose une nomenclature systématique. Cette
pas se transformer en un autre élément par une réaction chimique, nomenclature est doublée d’une symbolique à 3 lettres (une capi-
comme formulé pour la première fois par Lavoisier en 1789. tale et deux minuscules). À chaque chiffre (de 0 à 9) des unités du
Deux atomes dont le noyau contient le même nombre de pro- numéro atomique est attribué une lettre (0 = N comme Nil, 1 = U
tons mais un nombre différent de neutrons sont dits isotopes de comme Un...). À l’élément 103 est ainsi attribué le symbole Unt et
l’élément chimique défini par le nombre de protons de ces atomes. le nom unniltrium et au dernier élément connu (Z = 118) est attri-
Un atome est couramment désigné par son symbole chimique, bué le nom d’ununoctium, son symbole est Uuo. Les éléments de
complété par son nombre de masse A (égal au nombre de Z = 104 à 112 ont, en plus du symbole à 3 lettres, reçu des noms et
nucléons de l’atome) placé en haut et à gauche du symbole. Par donc des symboles chimiques, en suivant une recommandation de
exemple, le carbone 12 de nombre de masse A = 12 est noté 12C. 2002 de l’UICPA, qui préconise de nommer les nouveaux éléments
en référence à « un concept mythologique, un lieu, un pays, une
Il est d’usage de compléter cette écriture par le numéro atomique propriété ou un scientifique ». On a ainsi le rutherfordium (Z = 104,
Z, placé en bas et à gauche du symbole. Le carbone 12 est ainsi noté symbole Rf), le dubnium (Z = 105, symbole Db), le seaborgium
12 C . L’élément carbone a deux autres isotopes, le plus abondant
6 (Z = 106, symbole Sg), le bohrium (Z = 107, symbole Bh), le has-
(1,10 %) a un nombre de masse égal à 13 et l’autre isotope (à l’état sium (Z = 108, symbole Hn), le meitnerium (Z = 109, symbole Mt),

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____________________________________________________________________________________________ CLASSIFICATION PÉRIODIQUE DES ÉLÉMENTS

le darmstadtium (Z = 110, symbole Ds), le roentgenium (Z = 111, La masse atomique d’un type d’atome donné (c’est-à-dire d’un iso-
symbole Rg) et le copernicium (Z = 112, symbole Cn). tope précis) est définie par la masse d’une mole de tels atomes (la
Les éléments 114 et 116 viennent de recevoir un nom officiel, ils mole étant définie par le nombre d’atomes contenus dans 12,000... g
sont respectivement appelés Flerovium (symbole Fl) et Livermo- de carbone 12, soit N ≈ 6,02214179 × 1023 atomes). D’un point de vue
rium (symbole Lv). Ces noms viennent d’être formellement recon- pratique, on n’utilise quasiment jamais des isotopes purs lors de
nus, conjointement par l’IUPAC et l’IUPAP ; ils respectent la tradition réactions chimiques. On utilise les éléments chimiques en général.
en honorant le laboratoire Flerov (qui fait partie de l’institut de On définit donc la masse atomique d’un élément, c’est-à-dire celle du
recherches nucléaires de Dubna en Russie) où des éléments super- mélange isotopique constaté sur Terre. La masse atomique d’un élé-
lourds sont synthétisés. Georgiy N. Flerov (1913 – 1990) était un ment est égale à la somme du produit de la masse atomique des dif-
physicien de renom ayant contribué, entre autres, à la découverte férents isotopes, par leur abondance naturelle.
de la fission spontanée de l’uranium en 1940, et ayant plus générale- La masse atomique d’un élément chimique est ainsi la moyenne
ment travaillé en physique des ions lourds. Quant à l’élément 116, des masses atomiques de ses isotopes au prorata de leur présence
son nom honore le Lawrence Livermore National Laboratory (Cali- dans la nature. Ce choix offre un intérêt pratique évident : il per-
fornie), laboratoire dont les chercheurs ont œuvré dans de nom- met de calculer précisément les masses en jeu lorsqu’on considère
breux domaines de la physique nucléaire et ont plus des échantillons non purifiés de l’élément chimique, c’est-à-dire
particulièrement permis de fabriquer l’élément 116 en collaboration dans la situation expérimentale la plus courante.
avec le laboratoire de Dubna. Les recommandations sont publiées
Ainsi, la valeur du carbone n’est pas de 12 u comme l’on pour-
dans [1]. Dans ces conditions les noms de ununquadium et unun-
rait s’y attendre, mais un peu plus à cause de la présence du car-
hexium deviennent désuets. Notons de plus que la recherche se
bone 13 (1,1 %) et des traces de carbone 14.
concentre aujourd'hui sur les éléments 119 et 120, mais aucun labo-
ratoire n’est encore parvenu à mettre en évidence de tels éléments. De ce qui précède, on comprend qu’on ne peut définir de masse ato-
mique que pour les éléments dont on connaît la composition isotopi-
Nota : L’IUPAP est l’Union Internationale de Physique Pure et Appliquée (International
Union of Pure and Applied Physics).
que naturelle : à défaut d’une telle composition isotopique, on retient le
nombre de masse de l’isotope connu ayant la période radioactive la
plus longue, ce qu’on indique généralement en représentant la masse
2.2 Numéro atomique atomique obtenue entre parenthèses ou entre crochets (c’est le cas, par
exemple, du francium ou du polonium). Cette masse atomique est celle
Le numéro atomique d’un élément, noté Z (en référence à l’alle- portée dans les cases de la classification périodique.
mand Ordnungszahl ), est égal au nombre de protons contenus
dans les noyaux des atomes de cet élément, mais aussi au nombre
d’électrons contenus par ces mêmes atomes. Les propriétés 2.5 Configuration électronique
chimiques d’un élément étant déterminées avant tout par sa
configuration électronique, on comprend que le numéro atomique L’ensemble des électrons d’un atome à plusieurs électrons
soit la caractéristique déterminante d’un élément chimique. s’organise en niveaux d’énergie, et cela de la même façon pour
Le numéro atomique définit entièrement un élément : connaître tous les atomes. Les électrons se répartissent, de façon indiscer-
le numéro atomique revient à connaître l’élément. Il est généra- nable, dans ces niveaux et seule leur organisation globale a un
lement omis avec les symboles chimiques, mais toujours présent sens. La configuration électronique d’un atome est la répartition
dans la classification périodique puisque c’est lui qui détermine des électrons sur les couches de différents niveaux d’énergie.
l’ordre de rangement des éléments. L’état d’un atome est défini par quatre nombres quantiques : n le
nombre quantique principal, ℓ le nombre quantique secondaire, m
le nombre quantique magnétique et s le nombre quantique de
2.3 Nombre de masse spin. Les cases quantiques (représentées par des carrés ou des
traits horizontaux) schématisent les orbitales qui contiennent les
Le nombre de masse d’un élément, noté A, est égal au nombre de électrons représentés par des flèches. Les niveaux énergétiques ne
nucléons (protons et neutrons) contenus dans les noyaux des atomes dépendent que des deux nombres quantiques n et ℓ .
de cet élément. Si tous les atomes d’un élément donné ont par défini-
tion le même nombre de protons, ils peuvent en revanche avoir des Chaque valeur de n définit une couche électronique, de sorte
nombres différents de neutrons, et donc des nombres de masse diffé- que tous les électrons possédant le même nombre n appartiennent
rents, ce qu’on appelle des isotopes. Le nombre de masse n’a généra- à la même couche. Les couches sont désignées par un symbole :
lement aucune incidence sur les propriétés chimiques des atomes,
car il n’affecte pas la configuration électronique ; un effet isotopique n = 1.......couche K
peut néanmoins être observé pour les atomes légers, c’est-à-dire le n = 2.......couche L
lithium 3Li, l’hélium 2He et surtout l’hydrogène 1H, car l’ajout ou le n = 3.......couche M
retrait d’un neutron dans le noyau de tels atomes entraîne une varia-
tion relative significative de la masse de l’atome, qui affecte la cinéti- n = 4.......couche N
que des réactions chimiques et l’intensité des liaisons chimiques. n = 5.......couche O
Pour les autres éléments, en revanche, le nombre de masse n’a prati- n = 6.......couche P
quement pas d’influence sur leurs propriétés chimiques.
n = 7.......couche Q
Le nombre de masse n’affectant pas les propriétés chimiques des
éléments, il est généralement omis avec les symboles chimiques, Chaque valeur de ℓ définit une sous-couche électronique. Des
sauf lorsqu’il s’agit de distinguer les isotopes d’un élément donné. électrons possédant à la fois la même valeur de n (appartenant
donc à la même couche) et la même valeur de ℓ appartiennent à
une même sous-couche. Les sous-couches sont également dési-
2.4 Masse atomique gnées par un symbole :

L’unité de masse atomique, u – éventuellement ua –, est définie ℓ = 0.......sous-couche s

comme étant exactement le douzième de la masse d’un atome de
12C, au repos, et pris dans son état fondamental : ℓ = 1.......sous-couche
ep
ℓ = 2.......sous-couche d
1 u ≈ 1,660538921 (73) × 10−27 kg ℓ = 3.......sous-couche f

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M35

L’état métallique
Propriétés atomiques

par Charles-Henri de NOVION

Ingénieur Civil des Mines, Docteur ès Sciences
Ingénieur à la Section d’Étude des Solides Irradiés
au Centre d’Études Nucléaires de Fontenay-aux-Roses (CEN-FAR)
et Daniel LESUEUR
Ingénieur des Arts et Manufactures, Docteur ès Sciences
Ingénieur à la Section d’Étude des Solides Irradiés au CEN-FAR

1. Structure atomique ................................................................................. M 35 - 2

1.1 Rappels de cristallographie ........................................................................ — 2
1.2 Structure cristalline des métaux purs ........................................................ — 3
1.3 Les alliages. Considérations thermodynamiques..................................... — 5
1.4 Solutions solides terminales ...................................................................... — 6
1.5 Solutions solides intermédiaires et composés intermétalliques............. — 8
1.6 Métaux liquides et alliages amorphes ....................................................... — 10
2. Défauts de structure dans les métaux et alliages .......................... — 11
2.1 Défauts ponctuels ........................................................................................ — 11
2.2 Création et élimination des défauts ponctuels.......................................... — 15
2.3 Défauts linéaires (dislocations) .................................................................. — 16
2.4 Défauts de surface ....................................................................................... — 19
2.5 Défauts de volume....................................................................................... — 22
3. Diffusion atomique.................................................................................. — 22
3.1 Généralités ................................................................................................... — 22
3.2 Autodiffusion dans les métaux purs .......................................................... — 23
3.3 Hétérodiffusion et diffusion dans les alliages ........................................... — 24
4. Transformations avec changement de phase .................................. — 25
4.1 Considérations générales ........................................................................... — 25
4.2 Transformations à l’état solide ................................................................... — 27
Pour en savoir plus ......................................................................................... Doc. M 35
Parution : juillet 1979 - Dernière validation : décembre 2019

ans cet article, nous traiterons de la structure et des propriétés atomiques

D des métaux et alliages.

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© Techniques de l’Ingénieur, traité Matériaux métalliques M 35 − 1

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M35

L’ÉTAT MÉTALLIQUE ____________________________________________________________________________________________________________________

1. Structure atomique Une structure cristalline peut être décrite par une répétition
régulière dans tout l’espace de parallélépipèdes identiques : les
mailles. L’ensemble des sommets de ces parallélépipèdes, ou
Les cristaux métalliques naturels présentent des formes géomé- nœuds, définit une abstraction mathématique, le réseau cristallin.
triques relativement simples, limitées par des plans, et sont connus Chaque maille du réseau contient un groupe d’atomes (éventuelle-
depuis des siècles. On peut également en fabriquer en laboratoire, ment un atome unique) constituant le motif. Les arêtes de la maille
par exemple par croissance à partir d’un germe placé dans une solu-
tion solide sursaturée. Par diffraction de rayons X, neutrons ou élec- définissent trois vecteurs a , b et c , appelés vecteurs de transla-
trons, on montre que la structure microscopique de tels cristaux est tion fondamentaux du réseau, et trois axes Ox , Oy , Oz , appelés
celle de réseaux périodiques tridimensionnels d’atomes : on parle
alors de structure cristalline. Une des preuves les plus spectaculaires axes cristallins, et qui peuvent servir d’axes de coordonnées
de cette structure cristalline est constituée par les images de pointes (figure 2). Les longueurs a, b et c et les angles entre axes sont les
métalliques obtenues par les microscopes à émission (figure 1). paramètres cristallins. Deux nœuds quelconques du réseau sont
toujours reliés par un vecteur :
En réalité, les échantillons métalliques usuels ne ressemblent
pas à des cristaux mais, si leur surface est correctement préparée
T = n1 a + n2 b + n3 c
et examinée sous le microscope optique, on observe une structure
granulaire appelée microstructure. La diffraction de rayons X avec n 1 , n 2 et n 3 trois entiers.
montre que chacun de ces grains est un cristal de surface
irrégulière : l’échantillon est alors dit polycristallin. Dans le cas Une maille élémentaire du réseau cristallin peut également être
d’un métal pur, les grains ont des formes et des tailles voisines, définie comme le plus petit volume délimité par les plans média-
mais des orientations variées. Taille et forme de grains dépendent teurs des vecteurs joignant un nœud du réseau à tous les autres :
des traitements thermiques et mécaniques antérieurs. Les tailles c’est la cellule de Wigner-Seitz. Chacun des types de réseau ren-
typiques de grains métalliques varient du micron au millimètre. contré dans la nature est classé suivant ses éléments de symétrie
Lorsque les grains ont des orientations privilégiées, on dit que le et constitue un réseau de Bravais.
métal possède une texture et ses propriétés ne sont alors plus iso-
tropes.
Il existe 14 réseaux de Bravais :
Nota : les notions de cristallographie et de thermodynamique, sur lesquelles s’appuie ce
paragraphe, sont développées dans les articles spécialisés du traité Sciences fondamen- — cubique (simple, centré, à faces centrées) ;
tales. Le lecteur pourra aussi se reporter à l’article Métallographie par diffraction des rayons — hexagonal ;
X, des électrons et des neutrons [M 100] du présent traité. — trigonal ou rhomboédrique ;
— tétragonal ou quadratique (simple, centré) ;
— orthorhombique (4 systèmes) ;
1.1 Rappels de cristallographie — monoclinique (2 systèmes) ;
— triclinique.

1.1.1 Géométrie de la structure cristalline Tout plan passant par trois nœuds du réseau est appelé plan
réticulaire. Ce plan est déterminé si l’on connaît les coordonnées
Il est fait ici appel à la notion de cristal parfait, c’est-à-dire abs- (x1 , 0, 0), (0, y1 , 0) et (0, 0, z1) de ses intersections avec chacun des
traction faite des défauts cristallins qui seront étudiés dans le trois axes cristallins (figure 2). L’orientation d’un plan est en géné-
paragraphe 2. ral caractérisée par des indices de Miller h, k et  , définis comme
les trois plus petits nombres entiers formant entre eux les mêmes
rapports que 1/x1 , 1/y1 et 1/z1 ; h, k et  sont entiers positifs, néga-
tifs ou nuls ; un indice négatif – h se note h .
Exemple : dans le système cubique, les faces du cube sont
dénommées (100), (010) et (001).
Les indices d’une direction dans un cristal sont les plus petits
nombres entiers formant entre eux le même rapport que les
composantes d’un vecteur colinéaire à la direction considérée : par
exemple, la diagonale d’une maille cubique se note <111>. Dans le
cas particulier des cristaux cubiques, la direction < hk > est per-
pendiculaire à la famille de plans parallèles entre eux ( hk  ) , et la
distance entre plans réticulaires ( hk  ) les plus proches est :

d hk  = a 冫 h 2 + k 2 +  2

Habituellement, chaque atome i dans une maille est repéré par

ses coordonnées ui , vi , wi , exprimées en fractions des paramètres
a, b et c ; par exemple, les centres des faces du cube (1/2 1/2 0),
(1/2 0 1/2) et (0 1/2 1/2).

1.1.2 Diffraction par les structures cristallines

La détermination de la structure cristalline peut se faire par dif-

fraction de rayons X, neutrons ou électrons. Si la longueur d’onde
λ du rayonnement incident est de l’ordre de grandeur des distances
interatomiques (≈ 1 Å, soit 0,1 nm), une part de ce rayonnement est
Figure 1 – Micrographie à émission d’ions
diffusée dans des directions bien particulières de l’espace. Le spectre
d’une pointe d’alliage fer-aluminium (d’après [1])

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M 35 − 2 © Techniques de l’Ingénieur, traité Matériaux métalliques

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M35

___________________________________________________________________________________________________________________ L’ÉTAT MÉTALLIQUE

Figure 3 – Diffraction par une structure cristalline

a * e s t p e r p e n d i c u l a i r e a u p l a n f o r m é p a r b et c , e t

a * ⋅ a = 2π .
Figure 2 – Motif et mailles d’un réseau cristallin
La cellule de Wigner-Seitz du réseau réciproque est appelée pre-
mière zone de Brillouin. À titre d’exemple, le réseau réciproque
de diffraction consiste en un réseau de taches correspondant d’un réseau cristallin cubique à faces centrées est cubique centré
chacune à une famille de plans réticulaires ( hk  ) . La position de et réciproquement.
ces taches sur le spectre de diffraction permet alors de déterminer La principale propriété du réseau réciproque est la suivante : un
les paramètres cristallins par l’intermédiaire de la célèbre relation diagramme de diffraction est une carte du réseau réciproque dans
de Bragg : laquelle chaque nœud ( h , k ,  ) correspond à une réflexion du dia-
n λ = 2 d hk  sin θ gramme de diffraction, donc à une famille de plans réticulaires du
cristal.
avec n (nombre entier) ordre de diffraction,
2θ
angle entre le rayonnement incident et le rayonnement
diffusé vers une tache de diffraction particulière 1.2 Structure cristalline des métaux purs
(figure 3).
En outre, l’analyse des intensités intégrées des taches de diffrac-
tion permet de déduire le motif. La plupart des métaux présentent plusieurs structures cristallines
en fonction de la température : on parle de formes et de transfor-
Toutes les structures cristallines de métaux purs et un grand
mations allotropiques. Ces structures sont en général simples, par
nombre de structures d’alliages ont été déterminées par diffraction
exemple les structures cubique centrée (cc), cubique à faces centrées
de rayons X, d’électrons ou de neutrons. On notera seulement
(cfc) et hexagonale compacte (hc) qui sont représentées sur la
l’importance croissante de la diffraction de neutrons, malgré son
figure 4.
coût élevé et la nécessité d’échantillons de volume important. En
effet, cette technique est irremplaçable pour l’étude de la structure — Dans le système cubique centré, la maille cubique comporte
cristalline d’alliages contenant des éléments légers (C, N, O, par un atome au centre et un à chaque sommet, soit deux atomes en
exemple) ou deux éléments voisins du tableau périodique, indis- propre (les atomes à chaque sommet étant communs à huit mailles).
cernables aux rayons X (aluminium et magnésium, par exemple, La maille élémentaire, contenant un atome, est rhomboédrique. Un
ou fer et cobalt). plan tel que BED correspond aux indices de Miller (111) et BCHE
Nota : les techniques de diffraction sont décrites dans les articles spécialisés du traité à (110).
Analyse et caractérisation. — Dans le système cubique à faces centrées, la maille cubique
comporte un atome à chaque sommet et un au milieu de chaque
face, ce qui correspond à quatre atomes par maille. La maille élé-
1.1.3 Réseau réciproque mentaire est également rhomboédrique et contient un atome.
— Dans le système hexagonal compact, la maille élémentaire
La notion de réseau réciproque intervient constamment dans les contient deux atomes et est un prisme droit à base losange
problèmes de détermination de structures cristallines aussi bien (GBAFG ’B ’A ’F ’ sur la figure 4c ). Mais on considère plus souvent
que dans la description des propriétés électroniques des métaux le prisme droit à base hexagonale de volume triple du précédent.
(théorie des bandes, cf. article L’état métallique. Structure électro- Sa hauteur est c = a 8 冫 3 , a étant la longueur du côté de l’hexa-
nique et propriétés physiques [M 40]). gone de base. La maille hexagonale comporte un atome à chaque
Les vecteurs de base a * , b * et c * du réseau réciproque d’un sommet du prisme, un au centre de chaque base et en plus trois
réseau cristallin sont définis comme suit : atomes (M, N et P ) dans le plan situé à mi-distance des deux
bases, et qui se projettent (parallèlement aux génératrices du
b ∧ c c ∧ a a ∧ b prisme) aux centres des triangles équilatéraux tels que AGB. Dans
a * = 2π ----------------------------------- , b * = 2π ----------------------------------- , c * = 2π ----------------------------------- les systèmes hexagonaux, on utilise en général quatre indices de
a ⋅(b ∧ c ) a ⋅(b ∧ c ) a ⋅(b ∧ c ) Miller h, k,  , m, pris respectivement par rapport à GB, GD, GF et
la hauteur GG ’ ; h, k et  ne sont donc pas indépendants, mais
avec a ∧ b produit vectoriel de a et b ,  = – ( h + k ). Le plan de base est alors désigné par (0001) et un
a ⋅(b ∧ c ) produit mixte de a , b et c . plan tel que ABA ’B ’, dit plan prismatique de première espèce, est
noté ( 1100 ) .

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L’ÉTAT MÉTALLIQUE ____________________________________________________________________________________________________________________

Figure 5 – Plans atomiques compacts superposés

C, les plans A, B et C étant décalés les uns par rapport aux autres
(figure 5) : un empilement tel que ABABAB... constitue un cristal
hexagonal compact et un empilement tel que ABCABC... un cristal
cubique à faces centrées. Certains métaux de terres rares, tel le
gadolinium, sont décrits par un empilement plus complexe : ABA-
CABAC... Dans tous les cas, la fraction de volume total occupé par
les sphères est maximale et égale à 0,74.
Figure 4 – Mailles des réseaux cristallins courants Le rapport c /a pour l’empilement hexagonal compact de sphères
est 8 冫 3 = 1,633 ; par convention, nous continuerons à appeler
hexagonaux compacts des cristaux pour lesquels le rapport c /a est
■ Principaux métaux de structure simple
un peu différent de cette valeur théorique (titane : c /a = 1,59 ; zinc :
● Métaux cc : c /a = 1,85).
— alcalins (Li, Na, K, Rb, Cs) ; Dans ces deux systèmes (cfc et hc), chaque atome a 12 atomes
— métaux de transition de milieu de série (V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, plus proches voisins ; on dit que la coordinence des atomes est 12.
Feα) ; Les deux systèmes diffèrent toutefois dans leur nombre de seconds
— formes allotropiques de haute température de beaucoup de voisins. On comprend que les énergies de cohésion des deux
métaux (Tiβ, Zrβ, Hfβ, Uγ, Feδ, Mnδ,...) ; systèmes soient très voisines : dans le sodium et le lithium on peut
— Ba. passer de la structure hc (stable à 77 K) à la structure cfc par écrouis-
● Métaux cfc : sage à froid.
— métaux nobles (Cu, Ag, Au) ; Par contre, la structure cubique centrée ne peut être considérée
— métaux de fin de série de transition (Ni, Rh, Pd, Ir, Pt) ; comme compacte : le remplissage de l’espace par les sphères
— Pb, Ca, Sr, Al, Feγ, Ce, Th. atomiques est de 68 %. La coordinence n’est que de 8. On peut
● Métaux hc : malgré tout considérer le cristal comme un empilement de plans
— quelques métaux divalents (Be, Mg, Cd, Zn) ; atomiques, mais non compacts : par exemple empilement ABABAB
— métaux de début de série de transition (Tiα, Zrα, Hfα, Sc, Y, La) ; de plans (110).
— Coα, Tc, Re, Ru, Os, Tlα ; De telles descriptions de structures cristallines en superposition
— Li et Na à basse température (77 K). de plans atomiques sont fondamentales pour la description des
phénomènes de plasticité.
■ Quelques métaux ont des structures moins simples
Remarque : la notion de rayon métallique doit être regardée avec quelques précautions :
Par exemple, le mercure, l’antimoine et le bismuth sont rhombo- en effet, l’atome ne peut être considéré comme une sphère incompressible. Cette notion
peut néanmoins être de quelque utilité pour aider à résoudre des structures cristallines
édriques, le gallium orthorhombique , l’indium quadratique à faces d’alliages, localiser des impuretés interstitielles, etc. Elle est a priori définie comme la moitié
centrées. La plupart des terres rares présentent une variante de la de la distance interatomique entre premiers voisins, mais a l’inconvénient d’être trouvée
structure hexagonale compacte. Certains métaux de transition (Mnα) plus faible si la coordinence est plus faible : par exemple le rayon métallique de Feα (cc) est
et d’actinides (U, Np, Pu) présentent des structures complexes à basse de 1,26 Å, alors que celui de Feγ (cfc) est de 1,29 Å.
température. En particulier, le plutonium présente six formes allo- En fait, dans les métaux, la liaison est assurée de manière collective par un gaz d’élec-
trons de conduction et la notion de rayon de la sphère métallique r0 défini par :
tropiques de la température ambiante à son point de fusion (640 oC),
certaines étant extrêmement compliquées : le Puα est monoclinique 3 volume du cristal
( 4 冫 3 )π r 0 = ----------------------------------------------------
à 16 atomes par maille. nombre d′atomes

paraît plus satisfaisante : r0 est pratiquement le même pour Feα et Feγ : 1,43 Å. Le rayon
Si l’on assimile les atomes à des sphères indéformables en métallique ne doit pas être confondu avec le rayon atomique (atome libre) ou avec les divers
contact les unes avec les autres dans le solide, on peut montrer rayons ioniques (le rayon d’un ion croît avec sa charge négative). Il varie de manière assez
que les structures cfc et hc correspondent à des empilements aussi complexe dans le tableau périodique : d’une part, il augmente quand on passe d’une période
à la suivante ; d’autre part, dans une période donnée, il a plutôt tendance à décroître quand
compacts que possible de telles sphères : en effet, chaque plan le nombre d’électrons de valence croît : il y a alors moins d’électrons de couches internes
(111) d’un cristal cfc ou chaque plan de base (0001) d’un cristal hc pour faire écran au potentiel positif du noyau.
peut être considéré comme une couche compacte d’atomes, On rappelle que 1 Å = 0,1 nm.
chaque atome sphérique étant en contact avec ses six voisins. Les
cristaux sont constitués d’empilements alternés de tels plans A, B,

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___________________________________________________________________________________________________________________ L’ÉTAT MÉTALLIQUE

1.3 Les alliages. Considérations température, des phases qui ne sont pas des phases d’équilibre
(phases métastables) si le système ne peut évoluer pour des raisons
thermodynamiques cinétiques vers son état d’équilibre.
Dans l’industrie, où l’on utilise peu de métaux purs, les alliages Dans les conditions métallurgiques usuelles, la pression n’inter-
sont essentiels. Nous allons exposer quelques idées à leur sujet, en vient pas (pression atmosphérique). Pour les systèmes à deux
nous limitant aux alliages binaires, mais on les transposera facile- constituants, tel Cu-Zn, il reste donc deux paramètres : température
ment au cas d’alliages plus complexes. et composition.
Deux corps, A et B, peuvent être miscibles en toutes proportions Les conditions thermodynamiques de solubilité ou d’apparition
(solutions solides continues), sinon former des phases intermé- de démixtion dans un alliage A-B à une température donnée T sont
liées aux valeurs de l’enthalpie libre de dissolution ∆G corres-
diaires. À titre d’exemple, la figure 6 représente le diagramme de
pondant à l’équation chimique :
phases Cu-Zn. Les phases aux deux extrémités, α et η, s’appellent
solutions solides terminales : dans la phase α on a ajouté des atomes nA atomes de A + n B atomes de B → nA + n B atomes en solution
de zinc au cuivre pur, sans en modifier la structure cristalline. Les
autres phases de la figure 6 (β, γ, δ, ε) sont dites solutions solides On considère une solution totalement désordonnée A-B, A et B
intermédiaires. Lorsque la composition des phases intermédiaires étant soit deux liquides, soit deux métaux de même structure cris-
est bien définie ou ne varie que dans des limites très étroites, on talline, et on suppose que les énergies de liaison UAA , UBB et UAB
dit que A et B forment un composé intermétallique caractérisé en (qui sont négatives) sont limitées aux atomes proches voisins et indé-
général par une formule moléculaire Ax By , bien que son domaine pendantes de la composition. L’enthalpie libre de dissolution est
de stabilité puisse couvrir un certain intervalle de concentration. Les définie par :
solutions solides intermédiaires sont séparées entre elles, ou des ∆G = ∆H – T ∆S
solutions solides terminales, par des zones biphasées (cf. articles
Diagrammes d’équilibre : alliages binaires [M 70] et alliages ter- avec ∆H enthalpie (voisine de l’énergie interne de dissolution),
tiaires [M 76]). ∆S entropie de dissolution (∆S est positif et passe par un
Les phases observées dans les diagrammes d’équilibre, ainsi que maximum à nA = nB = 1/2).
leurs domaines de composition sont déterminés par un principe de L’expression de ∆H s’écrit :
base de la thermodynamique : pour un système chimique compre-
nant plusieurs constituants en des proportions déterminées, à une ∆H = nAB [UAB – 1/2 (UAA + UBB)]
température et une pression données, l’état d’équilibre est unique
avec nAB nombre de liaisons A-B.
et est celui pour lequel son enthalpie libre G est minimale. On peut
évidemment observer dans certaines conditions, surtout à basse

Figure 6 – Diagramme de phases

des alliages Cu-Zn

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Quatre cas peuvent se présenter en fonction du signe de ∆H

(figure 7) :
a ) ∆H = 0 : il y a solution solide idéale, totalement désordonnée.
b ) ∆H < 0, c’est-à-dire UAB < 1/2 (UAA + UBB ) < 0 : les atomes A ont
tendance à s’entourer d’atomes B et réciproquement. Cela influe sur
les nombres de liaisons nAA , nBB , nAB . On parle alors d’ordre à
courte distance.
c ) ∆ H  0 : chaque atome a tendance à s’entourer d’atomes de
même type, et il s’ensuit une tendance à la ségrégation. Tant que
∆G reste négatif, c’est-à-dire que la valeur de ∆H n’est pas trop élevée,
la solution solide reste toutefois complète et continue entre A et B
comme dans les deux cas précédents.
d ) ∆ H  0 : la très rapide variation de ∆S au voisinage des élé-
ments purs A et B explique que ∆G y soit toujours négatif, ce qui
correspond aux domaines de solutions solides terminales. Par
contre, il y a démixtion entre les compositions x1 et x2 . En effet,
l’énergie libre d’un mélange x1-x 2 , représentée par le segment de
droite L1L2 , est plus basse que celle de la solution.
L’apparition d’un composé défini intermétallique ou d’une solu-
tion solide intermédiaire dans un diagramme d’équilibre est due à
l’existence pour ce composé d’une courbe d’enthalpie libre présen-
tant un minimum assez accusé, situé dans les régions centrales du
diagramme d’équilibre. Sur la figure 8, nous reportons les courbes
d’enthalpies libres à la température T1 des diverses phases d’un
diagramme d’équilibre présentant des phases intermédiaires : on
peut en déduire les concentrations pour lesquelles les alliages sont
monophasés ou biphasés.
Figure 7 – Variation de l’enthalpie libre de dissolution
Certaines mesures thermodynamiques permettent d’obtenir des
en fonction de la composition d’une solution homogène A-B
grandeurs telles que les enthalpies libres partielles molaires, et de
reconstituer à partir de là les diagrammes d’équilibre. Parmi les
méthodes possibles, signalons les mesures de tension de vapeur à
haute température, les mesures de forces électromotrices de pile,
ou l’étude d’équilibres chimiques réversibles entre l’alliage et une
phase gazeuse de composition appropriée. Des modèles de ther-
modynamique statistique utilisant ces grandeurs mesurées comme
données ont permis de reconstituer avec succès certains dia-
grammes binaires, de les prolonger dans certains domaines où ils
ne peuvent être déterminés expérimentalement et, surtout, de
calculer les diagrammes ternaires ou quaternaires, dont l’étude
expérimentale est fastidieuse.

1.4 Solutions solides terminales

Il s’agit de mélanges intimes à l’échelle atomique qui peuvent se

produire de deux façons. Les atomes du métalloïde ou du métal B
peuvent entrer en solution dans le métal A (souvent appelé matrice),
soit en se substituant aux atomes A (solution solide de substitution),
soit en se plaçant dans les interstices du réseau cristallin de A (solu-
tion solide d’insertion). On peut distinguer ces deux types de solu-
tions solides par des mesures combinées de densité et de paramètre
cristallin (par diffraction de rayons X).

1.4.1 Solutions solides d’insertion

Les atomes insérés doivent évidemment être très petits. Cette

condition limite presque toujours les possibilités aux éléments H,
B, C, N et O. Pratiquement, il faut que le rayon de l’atome interstitiel
ne dépasse pas 59 % de celui de la matrice A. Les solutions solides
interstitielles sont surtout rencontrées dans les métaux de transition
(ou de terres rares, ou d’actinides). Cela est sans doute dû à la facilité
de créer une liaison covalente de forte énergie entre les orbitales
de valence d d’un métal de transition et les orbitales s et p (cf. article Figure 8 – Enthalpies libres de dissolution
L’état métallique. Structure électronique et propriétés physiques dans le diagramme de phases A-B à la température T1
[M 40]) des atomes légers précités. Dans les métaux alcalins, beau-
coup plus électropositifs, il y a tout de suite tendance à former un
composé ionique tel que Li+ H–. Les solutions solides interstitielles

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ont toujours un caractère métallique marqué. De manière générale,

les impuretés d’insertion ont de très fortes influences sur les pro-
priétés physiques des métaux, en particulier sur les propriétés de
déformation plastique, de conductivité électrique et de supra-
conductivité, ainsi que de diffusion atomique.
Les sites interstitiels des réseaux cfc, cc et hc sont représentés
sur la figure 9. Dans les trois cas, deux types de sites, dits octaé-
driques ou tétraédriques sont possibles.
Dans les métaux cfc, les sites octaédriques qui sont les milieux
des arêtes et le centre du cube, sont de symétrie cubique et ont
pour rayon 0,15 a ; les sites tétraédriques, centres des petits cubes
huitièmes de la maille cubique, ont une symétrie cubique et un
rayon plus petit : 0,08 a. Les valeurs de ces rayons dans le fer γ
(0,55 et 0,29 Å respectivement) peuvent être comparées aux rayons
covalents du carbone (0,77 Å) et de l’hydrogène (0,30 Å). Il est clair
que, dans les métaux cfc, ce sont les sites octaédriques qui sont
occupés par les impuretés de métalloïde, à l’exception peut-être de
l’hydrogène dans certains cas (à forte concentration dans le
palladium).
Dans les métaux hc, les sites octaédriques et tétraédriques ont la
même symétrie que dans les métaux cfc.
Dans les métaux cc, les sites octaédriques sont les milieux des
arêtes et les centres des faces ; leur symétrie est quadratique.
L’octaèdre d’atomes de métal environnant le site est très aplati.
L’insertion d’un atome de métalloïde dans un tel site nécessite de
déplacer fortement deux atomes, mais pratiquement pas les quatre
autres. Au contraire, dans les sites tétraédriques de symétrie éga-
lement quadratique et situés dans des positions telles que
(1/2, 0, 1/4), il faut déplacer d’une quantité plus faible quatre atomes,
mais dans les directions denses. Le problème de la localisation des
interstitiels dans les métaux cubiques centrés n’est pas encore tota-
lement résolu. Les concentrations sont en général trop basses et les
facteurs de diffusion des rayons X par les atomes légers sont trop
faibles pour qu’une analyse par diffraction X puisse résoudre le pro-
blème. Dans le cas du carbone dans le fer α, il s’agit probablement
des sites octaédriques, comme le montrent :
— l’étude de la structure cristalline de la martensite, solution
sursaturée en carbone du fer α, déformé quadratiquement ;
— l’interprétation des expériences de frottement interne, où l’on
mesure le retard à la déformation d’un monocristal soumis à une
contrainte uniaxiale, retard dû à la redistribution d’une fraction
d’impuretés (ici le carbone) dans les sites octaédriques favorable-
ment orientés par rapport à la contrainte (effet Snoeck).
Par contre, pour l’hydrogène dans le niobium, les mesures de dis-
tribution spatiale et en énergie des particules canalisées montrent
une occupation des sites tétraédriques.
Les solutions solides interstitielles peuvent présenter des phéno-
mènes d’ordre (§ 4.2.2) : par exemple, le carbone dissous dans le Figure 9 – Sites interstitiels octaédriques et tétraédriques
tantale peut s’ordonner pour donner une phase Ta64 C. dans les mailles des réseaux courants

— facteur d’électronégativité : lorsque les deux éléments A et B

1.4.2 Solutions solides de substitution ont des électronégativités très différentes, ils ont une forte ten-
dance à former des phases intermédiaires stables, ce qui réduit
Un métal B est soluble en forte proportion dans un métal A lorsque leur solubilité réciproque (par exemple le soufre dans les métaux) ;
les atomes de A et B ne sont pas trop différents. Hume-Rothery a
— facteur de valence : ce facteur est très favorable si A et B ont
précisé les facteurs favorables à cette solubilité par des règles
la même valence ; moins si celle de B est plus forte que celle de
semi-empiriques dites règles de Hume-Rothery, chaque facteur
A ; encore moins si celle de B est plus faible. C’est pourquoi, dans
apparaissant comme une condition nécessaire mais non suffisante :
les alliages de deux métaux, celui de forte valence est toujours
— facteur de taille : si les rayons atomiques de A et de B dif- plus soluble dans celui de faible valence que l’inverse : cela tient
fèrent de plus de 15 %, la solubilité de B dans A est réduite. essentiellement à ce que la cohésion est assurée par les électrons
À titre d’exemple, le facteur dimensionnel est favorable pour les de conduction, et augmente avec le nombre de ces électrons (cf.
solutions de Si, Be, Al, Ga et Zn dans Cu, dont les solubilités atomiques article L’état métallique. Structure électronique et propriétés phy-
maximales vont de 11,6 à 38,3 % ; défavorable pour Cd et Mg, dont siques [M 40]). Par exemple, la solubilité du silicium (valence 4)
précisément les solubilités ne sont que de 2,1 et 7 % respectivement dans le cuivre (valence 1) est de l’ordre de 10 atomes % alors que
(cf. article Diagrammes d’équilibre : alliages binaires [M 70] et alliages celle de Cu dans Si est inférieure à 1 atome %.
tertiaires [M 76]) ;

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M40

L’état métallique
Propriétés électroniques et physiques
par Charles-Henri de NOVION
Ingénieur Civil des Mines, Docteur ès Sciences
Ingénieur à la Section d’Étude des Solides Irradiés
au Centre d’Études Nucléaires de Fontenay-aux-Roses (CEN-FAR )
et Daniel LESUEUR
Ingénieur des Arts et Manufactures, Docteur ès Sciences
Ingénieur à la Section d’Étude des Solides Irradiés au CEN-FAR

1. Structure électronique des métaux et alliages ............................... M 40 - 3

1.1 Généralités sur la liaison cristalline ........................................................... — 3
1.1.1 Rappel sur la structure électronique des atomes ............................ — 3
1.1.2 Liaisons chimiques ............................................................................. — 3
1.2 Théorie de l’électron libre ........................................................................... — 4
1.2.1 Théorie de Drude ................................................................................ — 4
1.2.2 Théorie de Sommerfeld ..................................................................... — 5
1.2.3 Densité des états................................................................................. — 6
1.3 Théorie des bandes ..................................................................................... — 7
1.3.1 Généralités .......................................................................................... — 7
1.3.2 Approximation des électrons presque libres ................................... — 7
1.3.3 Généralisation au cas d’un potentiel périodique quelconque ........ — 8
1.3.4 Conducteurs et isolants...................................................................... — 8
1.4 Cohésion métallique.................................................................................... — 9
1.5 Structure électronique des défauts ............................................................ — 9
1.5.1 Énergie de surface des métaux ......................................................... — 10
1.5.2 Défauts ponctuels ............................................................................... — 10
1.6 Théorie des alliages..................................................................................... — 11
2. Propriétés physiques des métaux et alliages .................................. — 11
2.1 Propriétés thermiques................................................................................. — 11
2.1.1 Vibrations du réseau cristallin ........................................................... — 11
2.1.2 Capacité thermique des solides ........................................................ — 13
2.1.3 Dilatation thermique........................................................................... — 14
2.1.4 Conductivité thermique..................................................................... — 14
2.2 Propriétés de transport électroniques ....................................................... — 14
2.2.1 Masse effective d’un électron dans un cristal .................................. — 14
Parution : juillet 1979 - Dernière validation : décembre 2019

2.2.2 Résistivité électrique des métaux et alliages ................................... — 15

2.2.3 Supraconductivité............................................................................... — 15
2.2.4 Effet Hall. Conductivité thermique électronique.
Pouvoir thermoélectrique .................................................................. — 16
2.3 Propriétés magnétiques .............................................................................. — 17
2.3.1 Origine des moments magnétiques atomiques et ioniques........... — 17
2.3.2 Magnétisme des métaux.................................................................... — 18
Références bibliographiques ......................................................................... — 19

e lecteur se reportera utilement aux articles spécialisés, en particulier les

L articles Mécanique quantique [A 196] et Phénomènes de transport [A 247],
du traité Sciences fondamentales. Par ailleurs, certaines notions développées
dans le présent exposé interviennent également dans les articles Physique des
dispositifs électroniques [E 1 100] du traité Électronique.

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L’ÉTAT MÉTALLIQUE ____________________________________________________________________________________________________________________

Notations et Symboles Notations et Symboles

Symbole Définition Symbole Définition

B induction magnétique ne nombre d’électrons de conduction par unité de

Br induction rémanente volume
C raideur p moment atomique intrinsèque
Cp capacité thermique à pression constante r distance à un point
CV capacité thermique à volume constant r0 rayon d’équilibre
E énergie totale rs rayon métallique
Ec énergie cinétique t temps
E0 énergie de bas de bande de conduction u déplacement
EF énergie de Fermi modes longitudinal et transversaux d’une onde
u  , u t1 , u t2 de vibration
ES travail de sortie
Es énergie de surface  vitesse
 vitesse moyenne
 champ électrique
υF vitesse de Fermi
F force υg vitesse de groupe
H champ magnétique υϕ vitesse de phase
Hc champ coercitif α coefficient de dilatation linéaire
K conductivité thermique β coefficient de dilatation volumique
L dimension d’un cristal θp température de Curie paramagnétique
M masse atomique κ susceptibilité magnétique
λ longueur d’onde
M aimantation µ moment magnétique
N nombre total d’atomes µ perméabilité magnétique
N (E ) densité d’états électroniques µ0 perméabilité du vide
P distribution statistique µF potentiel chimique du gaz d’électrons
R constante des gaz parfaits ν fréquence
RH constante de Hall ρ résistivité
S pouvoir thermoélectrique ρ0 résistivité résiduelle
T température absolue ρph résistivité de phonons
Tc température critique de supraconduction ρe densité électronique
TC température de Curie ferromagnétique Σ énergie du système
TD température de Debye σ conductivité électrique
TE température d’Einstein τ temps de relaxation
U énergie de cohésion χθ compressibilité isotherme
U potentiel électrique χM susceptibilité magnétique molaire
V énergie potentielle Ψ fonction d’onde
V volume ω pulsation
a distance interatomique ωc pulsation de coupure du spectre de phonons
c vitesse du son ωD pulsation de Debye
e charge élémentaire ωE pulsation d’Einstein
, h /2 π constante réduite de Planck
i – 1 nombre imaginaire Notations cristallines
cc cubique centré
i intensité de courant
cfc cubique à faces centrées
j densité de courant
hc hexagonal compact
k vecteur d’onde
kB constante de Boltzmann Notations quantiques

kF vecteur d’onde de Fermi n , , m , s nombres quantiques de l’électron dans un atome

 libre parcours moyen nx , n y , n z , s nombres quantiques de l’électron dans un cristal
m masse de l’électron s, p, d, f orbitales électroniques
m* masse effective moyenne de l’électron
On rappelle que 1 eV/atome ≈ 96,5 kJ/mol.

On rappelle que 1 eV/atome ≈ 96,5 kJ/mol.

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___________________________________________________________________________________________________________________ L’ÉTAT MÉTALLIQUE

1. Structure électronique distance du noyau dix fois plus élevée que celle du maximum de
l’état fondamental 1 s (figure 1). Quand on réunit des atomes pour
des métaux et alliages former un corps solide, les électrons des couches les plus internes
se comportent donc à peu près comme dans l’atome libre et les
formes de leurs orbitales ne sont guère changées. Par contre, les
1.1 Généralités sur la liaison cristalline électrons de valence, plus externes (tel 3 s1 pour le sodium), voient
leurs énergies et leurs trajectoires très modifiées par rapport à ce
L’ensemble des propriétés d’un métal, comme de tout corps solide, qu’elles sont dans l’atome libre. Suivant la nature des atomes mis
est essentiellement déterminé par la distribution des noyaux et des en présence, on observera plusieurs types de liaisons chimiques.
électrons de valence des atomes qui le constituent. Par exemple, la ■ Les atomes de gaz rares, ayant des couches complètes, s’ionisent
cohésion d’un solide est toujours due à l’attraction électrique entre très difficilement et conservent donc leur individualité et leur neu-
noyaux chargés positivement et électrons chargés négativement. tralité quand on les met en contact. Pourtant, à l’exception de
Les effets magnétiques sont beaucoup plus faibles ; les rôles des l’hélium, ils cristallisent à basse température. La faible énergie de
interactions de gravitation et des interactions nucléaires sont cohésion, de l’ordre de 0,1 eV/atome (ou 10 kJ/mole), provient de ce
négligeables. que, par suite du mouvement des électrons, les centres de gravité
Un solide est stable si son énergie est inférieure à la somme des des charges positives et négatives ne coïncident qu’en moyenne
énergies des atomes le constituant, quand ils sont infiniment dans le temps : chaque atome présente un dipôle instantané. L’inter-
éloignés les uns des autres. L’énergie de cohésion U d’un solide, posi- action entre les dipôles est dite liaison de Van der Waals.
tive, est définie à 0 K par :
■ Un atome monovalent s’ionise facilement (par exemple :
U = énergie totale des atomes libres – énergie du cristal Na → Na+ + e– en perdant son électron 3 s1). Au contraire, un atome
où manque un électron sur une couche (tel le fluor) a une affinité élec-
La distribution des noyaux dans un corps solide et leur tendance
tronique élevée et s’ionise spontanément en présence d’un électron
à former la plupart du temps un réseau cristallin ont été étudiées
(par exemple : F + e– → F–). Dans un mélange équiatomique de ces
dans l’article L’état métallique. Propriétés atomiques [M 35].
deux types d’atomes, des électrons sont transférés des atomes élec-
Comment se distribuent les électrons, et quel est leur rôle dans les
tropositifs sur les atomes électronégatifs. L’énergie d’interaction
propriétés physiques ? Cette distribution dépend en premier lieu de
globale du système d’ions ainsi formé est positive si les ions cristal-
la structure électronique des atomes individuels.
lisent (par exemple selon la structure NaCl), la cohésion du solide
étant due aux interactions électrostatiques entre ions. C’est la liaison
ionique, où les énergies de cohésion sont de l’ordre de 6 eV/atome.
1.1.1 Rappel sur la structure électronique
des atomes ■ Les éléments du milieu du tableau périodique (tels C, Si, Ge) ou
certains éléments électronégatifs (tel Cl) mettent en commun des
En première approximation, les électrons d’un atome libre sont électrons de sorte que la densité de charge électronique soit élevée
distribués en couches caractérisées par deux nombres n et  appelés dans la région située entre les atomes. La liaison covalente ainsi
respectivement nombres quantiques principal et azimutal, et sont formée est directionnelle et d’énergie très élevée (environ
10 eV/atome). Le chlore solide est constitué de molécules Cl2 cova-
répartis sur des niveaux d’énergies quantifiées E n  . n est un entier
lentes liées entre elles par des liaisons de Van der Waals. Au
positif (  1 ) ; le nombre  , entier compris entre 0 et n – 1, carac- contraire, dans les cristaux de carbone (diamant) ou de silicium, tous
térise la variation angulaire de densité du nuage électronique ; les les atomes sont liés entre eux par des liaisons covalentes.
états électroniques correspondant à  = 0, 1, 2 et 3 sont dénommés
■ Les atomes électropositifs mis ensemble ont tendance à perdre
respectivement s, p, d et f. D’après le principe de Pauli, sur chaque
leurs électrons de valence qui sont mis en commun et se comportent
niveau d’énergie E n  , l’atome peut comporter 2 ( 2 + 1 ) électrons comme un gaz. Cette liaison métallique est décrite dans les para-
au plus, caractérisés par le nombre quantique magnétique m graphes 1.2, 1.3 et 1.4. L’énergie de cohésion des métaux simples,
(pouvant prendre des valeurs entières entre –  et +  ), et le nombre pour lesquels l’approximation ci-dessus est valable, est de l’ordre de
quantique de spin s, égal à + 1/2 ou – 1/2. Pour chaque état élec- 1 à 2 eV/atome. Mais pour les métaux de transition (titane, fer, ...) les
tronique ( n  ms ) la probabilité de présence de l’électron en un couches internes d participent également à la liaison en y ajoutant
des contributions de type covalent et Van der Waals : l’énergie de
2
point r est donnée par le carré de sa fonction d’onde, Ψ ( r ) , obte- cohésion est alors plus élevée, de l’ordre de 5 à 10 eV/atome.
nue par résolution de l’équation de Schrödinger. Une configuration ■ La plupart des composés comprenant plusieurs types d’atomes
électronique d’un atome libre décrit la distribution des électrons dans présentent des liaisons mélangeant certains des caractères
les différents états d’énergies quantifiées E n  . La configuration ci-dessus. Les alliages métalliques ordonnés ont souvent un carac-
fondamentale correspond à l’état d’énergie minimale de l’atome, les tère covalent. Certains sulfures présentent tout à la fois des carac-
électrons occupant les niveaux E n  de plus basses énergies en tères métalliques, covalents et ioniques. Nous ne ferons que
respectant le principe de Pauli. mentionner la liaison hydrogène.
Remarque : les différentes interactions attractives entre atomes permettent d’expliquer
Exemples de quelques configurations d’atomes libres : la formation de corps solides à basse température, et en particulier de métaux. Mais que se
passe-t-il lorsqu’on rapproche de plus en plus les atomes considérés ? L’énergie du système
— hydrogène 1 s1 (1 électron dans l’état n = 1, = 0 ) ; s’élève de nouveau par suite de la répulsion entre noyaux positifs et par suite du principe
— carbone 1 s 2 2 s 2 2 p 2 (couches 1 s et 2 s pleines, couche 2 p de Pauli qui interdit à deux électrons de même spin de se trouver au même endroit dans un
partiellement remplie) ; état quantique semblable. L’existence de cette énergie de répulsion à courte distance
explique qu’il y ait une distance interatomique pour laquelle l’énergie du solide est
— néon 1 s 2 2 s 2 2 p 6 (3 sous-couches exactement remplies) ; minimale (§ 1.4), et qui correspond à l’état stable effectivement observé.
— sodium 1 s 2 2 s 2 2 p 6 3 s1.
Dans ce qui suit, la structure électronique de la liaison métallique
est décrite selon deux principaux modèles (figure 2) : le modèle des
électrons libres (§ 1.2) et le modèle des bandes (§ 1.3), le second
1.1.2 Liaisons chimiques
constituant d’ailleurs une extension du premier.
Pour un atome donné, l’extension spatiale d’un état électronique
croît avec son énergie : par exemple dans l’ion potassium, le maxi-
mum de densité électronique de l’état excité 3 s se situe à une

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L’ÉTAT MÉTALLIQUE ____________________________________________________________________________________________________________________

Exemple : le sodium (§ 1.1.1) peut mettre en commun les électrons

3 s, relativement peu liés, à raison de un par atome. Dans cette descrip-
tion, le sodium métallique est constitué d’un empilement d’ions Na+
baignant dans ce gaz d’éléctrons libres. Pour N ions, le gaz comprend
ici N électrons. Dire que ces électrons sont libres revient à faire l’approxi-
mation, à vrai dire surprenante, qu’ils sont sans interaction entre eux ni
avec les ions Na+.
On peut définir plus précisément deux approximations :
— approximation A : le potentiel des ions est remplacé par sa
moyenne spatiale ;
— approximation B : l’action des autres électrons du métal sur
l’électron considéré est remplacée par celle de leur moyenne spatiale
et temporelle ; un électron ne sent pas le mouvement des autres
électrons.
La seule action des ions métalliques est donc d’élever, sur la sur-
face du cristal, une barrière de potentiel qui retient les électrons dans
le métal, afin que celui-ci reste électriquement neutre. La figure 2a
présente ce puits de potentiel : V est égal à V0 constant (et par
exemple nul) dans le métal et égal à VS (> 0) à l’extérieur. On dit
que les électrons sont dans une boîte.

Si l’on dispose un champ électrique  sur les bords de la boite,

chaque électron (de charge – e ) est soumis à une force constante
– e  . Pour éviter de voir les électrons prendre un mouvement uni-
formément accéléré, Drude introduisit un mécanisme de relaxation
destiné à ce qu’à l’équilibre les électrons aient une vitesse moyenne
finie : un électron de vitesse nulle au temps t0 est accéléré entre les
temps t0 et t0 + 2 τ (τ temps moyen de relaxation) ; au temps t0 + 2 τ,
l’électron est stoppé puis il repart. Sa vitesse est ainsi une fonction
Figure 1 – Probabilité de présence électronique P (r ) du temps en dents de scie.
dans les couches sphériques d’épaisseur dr à une distance r au noyau On sait maintenant que cette relaxation est liée aux chocs des
pour quelques fonctions d’onde électroniques électrons sur les ions hors de leur site (agitation thermique) ou sur
dans l’ion potassium K+ (d’après [11]) les défauts de réseau.
La vitesse moyenne d’entraînement est donc :
eτ
υ = – ----------
m
avec m masse de l’électron (9,1 × 10–31 kg).
Il en résulte une densité de courant :
2
ne e τ
j = – n e υ e = ---------------- 
m
avec n e nombre d’électrons de conduction par unité de volume.
Cette densité de courant est proportionnelle au champ (loi d’Ohm).
La conductivité électrique du métal ( σ = j 冫 ) est égale à :
2
ne e τ
σ = ---------------
-
m
Figure 2 – Énergie potentielle V dans un métal
en fonction de la position r
Cette formule importante restera valide même dans une théorie
quantique du métal. Celle-ci permettra de préciser le mécanisme
de la relaxation, donc d’évaluer τ.
1.2 Théorie de l’électron libre Un second succès de la théorie de Drude a été d’expliquer la loi
expérimentale de Wiedemann et Franz (1873) selon laquelle, à une
température donnée, le rapport K / σ (avec K conductivité thermique)
1.2.1 Théorie de Drude est le même pour tous les métaux. Cette loi, en indiquant que plus
un métal conduit le courant, plus aussi il conduit la chaleur, donna
Dès le début de ce siècle, on avait compris que les métaux, élé- à Drude l’idée que l’agent caloporteur était également l’électron
ments situés dans la partie gauche de la classification périodique libre (§ 2.2.4).
des éléments, possédant quelques (un, deux, trois) électrons de
valence, pouvaient mettre ces électrons en commun et constituer
ainsi un gaz d’électrons libres.

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État métallique
Déformation plastique
par Georges SAADA
Ancien élève de l’École Polytechnique
Docteur es sciences, LEM CNRS ONERA, Chatillon, France

1. Comportement plastique en déformation uniaxiale ................ M 45v3 – 2

1.1 Déformation uniaxiale ........................................................................ — 2
1.2 Comportement mécanique ................................................................ — 2
1.3 Observations expérimentales ............................................................ — 3
2. Mécanismes de déformation ........................................................ — 4
2.1 Élasticité du cristal parfait ................................................................. — 4
2.2 Défauts ponctuels............................................................................... — 5
2.3 Défauts d’empilement (DE) ................................................................ — 6
2.4 Dislocations ........................................................................................ — 6
2.5 Mobilité des dislocations ................................................................... — 12
3. Écoulements plastiques................................................................. — 13
3.1 Hétérogénéité temporelle et spatiale des écoulements plastiques .. — 13
3.2 Écoulement plastique déterminé par la mobilité des dislocations .. — 13
3.3 Écoulement plastique déterminé par la résistance
de la microstructure au glissement des dislocations ....................... — 14
4. Exemples........................................................................................... — 17
4.1 Diverses classes de matériaux ........................................................... — 17
4.2 Métaux purs ....................................................................................... — 17
5. Contraintes internes....................................................................... — 19
5.1 Nécessité d’une description du champ de contraintes internes ...... — 19
5.2 Contraintes internes d’origine élastique ........................................... — 19
6. Plasticité des polycristaux............................................................ — 20
6.1 Importance de la nature granulaire du polycristal ............................ — 20
6.2 Incompatibilité plastique ................................................................... — 21
6.3 Limites des méthodes précédentes ................................................... — 22
7. Conclusion........................................................................................ — 22
8. Symboles et abréviations .............................................................. — 23
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. M 45v3

S oumis à une contrainte, un solide cristallin, par exemple un solide métal-

lique, se déforme de manière réversible tant que la contrainte appliquée
est inférieure à une valeur critique, dite limite élastique, ou limite d’élasticité.
Au-delà de cette contrainte critique, la déformation cesse d’être réversible :
une déformation, dite déformation plastique, subsiste après suppression de la
contrainte. Le solide finit par se rompre lorsque l’on poursuit la déformation.
La ductilité définit l’aptitude à tolérer une déformation plastique importante,
elle dépend à la fois de la nature du matériau et du type d’essai. Il est possible,
par exemple, de réduire par laminage en plusieurs passes, un bloc métallique
dont les dimensions sont de l’ordre du mètre à une plaque dont l’épaisseur est
de l’ordre de la fraction de millimètre, soit une déformation de l’ordre de 103,
alors qu’en traction uniaxiale, il est difficile d’atteindre une déformation à la
rupture supérieure à 1.
L’étude de la déformation plastique a sans doute eu pour origine le souci de
maı̂triser le formage et l’utilisation des métaux, et plus généralement des maté-
Parution : octobre 2017

riaux. De ce fait, elle a été longtemps empirique et ce n’est que depuis quelques

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ÉTAT MÉTALLIQUE –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

dizaines d’années qu’ont été élaborés les concepts nécessaires à la compréhen-

sion des phénomènes physiques se produisant lors des écoulements plasti-
ques. Pour les solides cristallins, auxquels nous nous limiterons dans cet
exposé, les mécanismes de base sont assez bien compris, mais la dynamique
des écoulements est mal connue, et constitue actuellement un axe de recherche
très actif.
Dans cet article, nous nous proposons de décrire aussi simplement que pos-
sible les mécanismes mis en jeu lors de la déformation plastique des métaux, et
plus généralement des solides cristallins.
Au paragraphe 2, nous analysons les mécanismes de déformation d’un point
de vue structural ; le paragraphe 3 décrit les aspects généraux des écoulements
plastiques. Des exemples précis sont donnés au paragraphe 4. Le paragraphe 5
analyse l’état de contrainte dans un solide déformé plastiquement. La plasticité
des polycristaux est analysée au paragraphe 6, suivi d’une brève conclusion.
Le lecteur trouvera en fin d’article un tableau des symboles et des abrévia-
tions utilisées.

constante. L’échantillon se déforme plastiquement. D’après

1. Comportement plastique l’équation (1) :
en déformation uniaxiale σɺ = − M εɺp
(3)
σ = σ * − M εp

4. l’essai de déformation à taux de contrainte imposé σɺ cons-

1.1 Déformation uniaxiale tant. D’après l’équation (1) :
Par souci de simplicité, et parce qu’elle est couramment utilisée, σɺ
nous nous limitons à la déformation uniaxiale en traction ou en εɺp = εɺt − (4)
M
compression à température constante. En supposant l’éprouvette
portée par l’axe Oz, les paramètres pertinents sont l’allongement
relatif ezz, et la contrainte en tension s zz, notés simplement e et s,
1.2 Comportement mécanique
pour simplifier l’exposé. Les différents types d’essai pratiqués Dans un essai de traction à vitesse de déformation imposée, à
sont : température constante, la déformation plastique présente les carac-
1. l’essai de déformation à taux de déformation imposé εɺt cons- téristiques suivantes :
tant : soient s la contrainte appliquée, ee la déformation élastique, a- un seuil de contrainte au-delà duquel la déformation cesse
ep la déformation plastique. La déformation totale de l’échantillon et d’être réversible qui définit la limite microélastique s m : la déforma-
est la somme de la déformation plastique et de la déformation élas- tion correspondante em est de l’ordre de 10-5. Ce seuil ne corres-
tique, seule génératrice de contraintes. En dérivant par rapport au pond pas toujours à une rupture marquée de la pente de la courbe
temps : de traction. Celle-ci se produit pour une déformation plus élevée
eM, et une contrainte s M, dite limite macroélastique. Le domaine
(
σɺ = E εɺt − εɺp ) (1) s’étendant entre em, et eM est le domaine de microplasticité,
d’extension très variable, négligeable pour les monocristaux cubi-
(
θ ≡ dσ /dεt = E 1 − εɺp / εɺt ) ques à faces centrées (cfc) purs. En revanche, pour des monocris-
taux cubiques centrés (cc) purs déformés à basse température,
avec E module d’Young, s M /s m peut être de l’ordre de 10. Pour les polycristaux, le transi-
q module tangent. toire élastique-plastique est souvent peu marqué ; la limite d’élasti-
cité est définie empiriquement comme la contrainte s M pour
Cette équation est correcte pour une machine infiniment dure. laquelle l’échantillon a subi une déformation plastique de 0,2 % ;
Dans la pratique, il faut tenir compte de la déformation de la b- l’activation thermique : dans la très grande majorité des cas, la
machine, ce qui conduit à remplacer E par un module composite limite d’élasticité décroı̂t avec la température. On observe parfois
M (§ 1.2 de [M 4 152]). un accroissement de la limite d’élasticité avec la température.
2. l’essai de fluage : l’échantillon est déformé jusqu’à une C’est le cas, par exemple, pour certains alliages ordonnés à base
nickel entre 300 et 1 000 K environ ;
contrainte s* maintenue constante. On mesure la déformation
plastique en fonction du temps. D’après l’équation (1) : c- la non-linéarité : la déformation plastique induit, en général,
une variation non linéaire de la limite d’élasticité, caractérisée par
εɺp = εɺt (2) le module tangent q. Le plus souvent, q décroı̂t de manière mono-
tone avec la déformation, tout en restant positif. On observe égale-
3. l’essai de relaxation : l’échantillon est déformé plastiquement ment une croissance de q, suivi d’une décroissance (monocristaux
jusqu’à une contrainte s*, puis la déformation totale est maintenue cfc de haute pureté) (figure 1). Beaucoup plus rarement, la

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–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– ÉTAT MÉTALLIQUE

Contrainte σ
Cission (MPa)

σs
300
σt

250
20 K

200
78 K

150 III

300 K
Déformation ε
100 σs limite d’élasticité supérieure
II
σt limite d’élasticité inférieure
50 I
Figure 2 – Courbe de traction d’un acier doux

0
La stabilité de la déformation implique que le durcissement com-
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 pense l’effet de la variation de section :
Glissement γ
Stade I : glissement facile θ−σ >0 (7)
Stade II : durcissement linéaire
Stade III : durcissement parabolique Il existe pratiquement toujours une valeur de la déformation
Les trois courbes correspondent à une même orientation cristalline pour laquelle l’écoulement cesse d’être stable. Cette perte de stabi-
lité se traduit par une localisation de la déformation dans une sec-
Le glissement et la cission représentent respectivement le cisaillement
tion de l’éprouvette. Celle ci se strictionne ;
et la contrainte résolue sur le plan et la direction de glissement (§ 2.4.2).
i- un comportement instable : pour une déformation à vitesse
imposée, le module tangent q est négatif dans certains intervalles
Figure 1 – Courbe de traction d’un monocristal cubique à faces de déformation. En fluage, l’instabilité se traduit par un accroisse-
centrées (Ni 99,98 %) ment de la vitesse de déformation. On observe une grande variété
de comportements instables, par exemple :
déformation plastique s’accompagne d’un adoucissement du  le maclage est un mode de déformation (§ 2.5.1) qui corres-
solide, q est négatif. En fluage, le durcissement est révélé par la pond au développement extrêmement rapide de bandes
décroissance de la vitesse de déformation, après la mise en dans lesquelles le glissement se localise ; il se traduit par
charge ; des hachures répétées sur la courbe de traction ;
d- la limite d’élasticité est une contrainte d’écoulement : elle  le crochet (figure 2) se produit surtout dans les alliages, parti-
varie de manière non linéaire avec la vitesse de déformation impo- culièrement dans les aciers ; à la limite d’élasticité, la
sée. De même, en fluage, la vitesse de déformation croı̂t avec la contrainte décroı̂t plus ou moins brutalement puis se stabilise
contrainte appliquée. La sensibilité à la vitesse de déformation S et le module tangent devient positif ; dans certains cas, le cro-
est définie par : chet est suivi d’un palier ;
S = ∂σ / ∂ln εɺt (5)  le phénomène Portevin-Le Chatelier (PLC) se traduit par des
oscillations de la contrainte sur la courbe de traction ; ces
oscillations apparaissent dans des domaines de température
Dans un grand nombre de cas, εɺt varie comme s m, m = s /S est et de vitesse de déformation bien déterminés ; le PLC est
appelé coefficient de sensibilité à la vitesse de déformation ; observé dans certains alliages légers.
e- la déformation plastique crée des défauts de structure, défauts
ponctuels et dislocations ; Un module tangent q > 0, et une sensibilité à la vitesse de défor-
mation S > 0 sont les facteurs de stabilisation de la déformation
f- la déformation plastique est un mécanisme irréversible et forte- plastique. La perte de stabilité est un corollaire de la localisation
ment dissipatif : l’énergie emmagasinée dans un échantillon de la déformation plastique.
déformé plastiquement n’est qu’une petite fraction (0,05 à 0,1) de
l’énergie nécessaire à la déformation ;
g- sauf cas spécifiques que nous mentionnons plus loin, la défor- 1.3 Observations expérimentales
mation plastique s’effectue à volume pratiquement constant : elle
s’effectue par cisaillement ou (et) par diffusion de défauts ponc- La déformation plastique s’accompagne de l’apparition sur la
tuels. Comme nous le verrons paragraphe 2, c’est surtout le pre- surface de lignes, dites lignes de glissement, parfois regroupées
mier mécanisme qui opère ; en bandes de glissement, observées par métallographie des surfa-
h- de ce fait, la section d’une éprouvette déformée en traction ces d’échantillons déformés.
uniaxiale décroı̂t avec la déformation : il en résulte un accroisse- Ces lignes indiquent que la déformation plastique s’effectue par
ment, d’origine géométrique, de la contrainte appliquée à glissement plan, le plus souvent selon des plans denses et le long
l’échantillon :
de directions denses. L’ensemble (vecteur de glissement, plan de
dσ = σdεp (6) glissement) constitue un système de glissement. Ceux ci ont été
déterminés dans la plupart des structures cristallines.

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ÉTAT MÉTALLIQUE –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

Il y a encore aujourd’hui une grande difficulté à décrire correcte- mécanique suffisamment petite correspond au comportement élas-
ment, même d’une manière statistique, la déformation plastique. tique parfait, linéaire ou non, mais toujours réversible et non dissi-
On se contente le plus souvent de définir une déformation plas- patif (§ 2.2).
tique locale comme la déformation moyenne sur une hauteur
grande par rapport à la distance entre lignes de glissement. Dans un cristal parfait, les atomes constituent un réseau pério-
dique tridimensionnel et vibrent autour de leur position d’équilibre
Certaines lignes ne traversent pas toute la surface de l’échantil- du fait de l’agitation thermique. Chaque atome se déplace dans un
lon, montrant que le glissement plan n’intéresse qu’une partie du puits de potentiel, qui intègre son interaction avec les autres ato-
plan. La limite entre la partie du plan qui a glissé et celle qui n’a mes du réseau. Il est minimal pour la position d’équilibre, que
pas glissé est une ligne de dislocation. nous choisissons comme origine des coordonnées. Dans une
La technique des figures d’attaque permet de révéler le point approximation à une dimension, nous écrivons (figure 3) :
d’émergence des dislocations. Elle est limitée à l’observation de
densités de dislocation (longueur totale des lignes de dislocation
par unité de volume) inférieures à 108 m-2. Elle révèle que la den- (
V ( x , 0, 0) = V0 + ∂ 2V / ∂x 2 )0 (x 2 / 2) + (∂ 3V / ∂x 3 )0 (x 3 / 6) + … (8)
sité de dislocations augmente très rapidement avec la déformation,
dès que la contrainte dépasse la limite macroélastique, et met en
évidence la très forte hétérogénéité de la déformation. Cette description est un cas particulier de l’étude des phonons.
La microscopie électronique en transmission (MET) permet Dans l’approximation harmonique, valable pour de petits dépla-
d’observer l’évolution de la distribution des dislocations à l’inté- cements, le développement est arrêté au terme en x2. La propaga-
rieur de lames dont l’épaisseur varie d’une dizaine à quelques cen- tion d’une perturbation causée par un atome que l’on écarte de sa
taines de nanomètres. L’aire photographiée est de l’ordre du micro- position d’équilibre se traduit par la propagation d’ondes élasti-
mètre carré. Le volume de matière correspondant à un cliché est ques. Lorsque la fréquence de vibration est inférieure à 10 MHz, la
donc de l’ordre de 10-10 mm3, le nombre total de clichés publiés longueur d’onde est grande devant la distance interatomique, la
est inférieur à 107. Donc les observations obtenues dans le monde dispersion et la dissipation sont négligeables, les ondes planes se
entier, depuis qu’existe la MET, portent sur moins d’un mm3 de propagent avec une célérité c :
matière ; il convient donc d’être prudent quant à l’universalité des
conclusions que l’on peut en tirer. 1/ 2
c = (K c / ρv ) (9)
De surcroı̂t, la représentativité des observations n’est pas tou-
jours facile à établir car les effets de surface sur les écoulements
plastiques sont importants, et rien ne garantit la stabilité de la avec rv masse volumique du matériau élastique,
sous-structure lors de la préparation de la lame mince.
Kc module d’élasticité, proportionnel à la dérivée
D’une manière très générale, la sous-structure de dislocations seconde du potentiel pour le mode de vibra-
n’est ni homogène ni stable, la densité moyenne de dislocations
tion considéré, c’est-à-dire à la courbure du
présentes dans le cristal augmente rapidement avec la déforma-
potentiel.
tion, passant de 1010 à 1014 m-2. Typiquement, la distribution est
très hétérogène au début de la déformation plastique, et on assiste
à la formation de bandes de dipôles de dislocations. Puis, une À fréquence nulle, pour une petite déformation fixée du cristal,
sous-structure de plus en plus dense et homogène se développe, l’énergie libre est une fonction quadratique de la déformation ; les
lorsque plusieurs systèmes de glissement sont actifs. Cette sous- coefficients du développement (les modules élastiques) correspon-
structure se réarrange ensuite en cellules, la densité de dislocations dent à la courbure du potentiel au voisinage de la position d’équi-
étant plus élevée dans les parois qu’à l’intérieur des cellules. libre. Cette situation se rapporte à de petits déplacements réversi-
Les figures présentées au paragraphe 7 illustrent ces remarques. bles des atomes autour de leur position d’équilibre et à des
Des hétérogénéités plus fortes peuvent apparaı̂tre sous forme de propagations d’onde de basse fréquence. Elle est le cadre de l’élas-
canaux macroscopiques dans lesquels la densité de dislocations ticité linéaire.
est extrêmement faible. Cela se produit par exemple dans les ban-
des de cisaillement, ou en fatigue, ou encore lors du cisaillement
de précipités. V(x)
L’hétérogénéité de la déformation aboutit parfois à une localisa-
tion du glissement qui peut se traduire par un changement de
signe du module tangent, signifiant une instabilité de l’écoulement.
Par exemple, les macles résultent de la propagation d’un front
séparant le cristal originel d’un cristal en relation de macle.
La bande de Lüders correspond aussi à un front séparant un
domaine déformé plastiquement, d’un domaine non déformé.
Le PLC correspond à la germination successive de bandes dans les-
quelles la déformation est localisée.

2. Mécanismes
de déformation
O x
2.1 Élasticité du cristal parfait La courbe en tireté représente l’approximation harmonique.
V0 = 0
Un monocristal parfait est un empilement triplement périodique
d’atomes, vibrant autour de leur position d’équilibre du fait de
l’activation thermique. La réponse d’un tel système à une excitation Figure 3 – Représentation schématique d’un puits de potentiel

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–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– ÉTAT MÉTALLIQUE

Dans cette approximation, contraintes et déformations sont liées Un solide de module d’Young E, soumis, à l’instant t = 0, à une
par la relation : contrainte de compression homogène s 0 selon Oz, de faible inten-
sité, que l’on maintient ensuite constante (figure 5a), présente une
σij = Cijkl εkl (10) déformation axiale homogène e0 (figure 5b). Nous avons
(figure 5c) :
(nous utilisons systématiquement la règle de sommation sur les
indices répétés). σ0 = E ε0 (11)
Les modules d’élasticité (on dit aussi modules élastiques) Cijkl
sont déterminés par la structure électronique et les symétries du Le cube se transforme alors en un parallélépipède. L’énergie du
réseau cristallin. cristal est abaissée lorsque les atomes de carbone sautent dans
Les termes d’ordre supérieur à 2 dans le développement (8) sont les sites X et Y. À l’équilibre, cela se traduit par un surcroı̂t de défor-
dits termes anharmoniques. Des approximations plus fines tenant mation selon Oz, que nous notons (e1 – e0). Toutefois, les sauts ato-
compte de ces termes mettent en évidence des couplages entre miques ne sont pas instantanés. La fréquence de saut vs d’un
ondes élastiques. atome est donnée très généralement par la relation :
Même parfaitement pur, un monocristal réel comporte des
v s = v D exp ( − ΔGs /kT ) (12)
défauts dont l’ensemble constitue la microstructure : défauts ponc-
tuels (lacunes et interstitiels) (§ 2.2), défauts plans (défauts d’empi-
lement) (§ 2.3), défauts linéaires (dislocations) (§ 2.4 et 2.5). avec DGs enthalpie libre d’activation de saut,
Le déplacement irréversible de ces défauts sous l’effet d’une
contrainte appliquée se traduit par une déformation irréversible k constante de Boltzmann,
avec dissipation d’énergie. Un polycristal est composé de grains T température absolue,
cristallins désorientés dont les modes de déformation sont diffé-
rents, accolés par des interfaces, dites joints de grains. vD ª 1013s-1 fréquence de Debye.

On montre alors que la déformation axiale s’écrit :

2.2 Défauts ponctuels
ε = ε1 + ( ε1 − ε0 ) exp ( − t / t s ) (13)
2.2.1 Effets élastiques et anélastiques
Pour la description de ces défauts, le lecteur se reportera utile- avec ts constante de temps qui, dans ce cas précis, est
ment au livre de Bénard, Michel, Philibert et Talbot [1]. égale à 6v s−1.
Les défauts ponctuels perturbent localement le potentiel, donc
les modules d’élasticité moyens, et déforment la matrice. Ils sont σ σ
de ce fait sources de contraintes internes.
Lorsque le champ de déformation autour d’un défaut ponctuel a σ0 σ0 d
n’a pas une symétrie sphérique, l’application d’une contrainte ou
d’une déformation uniaxiale induit des phénomènes d’anélasticité,
de relaxation ou de frottement interne, thermiquement activés.
Par exemple, dans un alliage fer-carbone, les atomes de carbone t θ t
sont soit au centre des faces, soit au centre des arêtes. La figure 4 ε ε
indique sommairement la distribution des atomes dans ce dernier
cas, auquel nous nous limitons. En l’absence de contraintes appli-
quées, les atomes se répartissent en nombre égal sur les sites X, Y, b ε1 ε1 e
ou Z, un site X est un site sur une arête parallèle à Oz. Le champ de ε0 ε0
déformation associé à un atome sur un site X est plus intense le
long de l’arête Oz que dans le plan perpendiculaire à Ox.
t θ t
σ σ
z

σ0 B C
c f

ε0 ε1 ε A D ε

a application d’une contrainte constante σ0 à l’instant t = 0

x
b variation de la déformation en fonction du temps
y c courbe contrainte-déformation
d application d’une contrainte σ0 constante pendant l’intervalle
de temps (0, θ)
e variation de la déformation en fonction du temps
f cycle de déformation
AB t = 0 BC 0 < t < θ
fer carbone
CD t = θ DA θ < t < +∞

Figure 4 – Site interstitiel dans un alliage fer-carbone Figure 5 – Comportement anélastique d’un cristal

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M48

Modélisation de la déformation
plastique des polycristaux

par Marcel BERVEILLER

Ingénieur INSA (Institut national des sciences appliquées) de Lyon
Docteur ès sciences
Professeur à l’École nationale d’ingénieurs de Metz, Laboratoire de physique
et mécanique des matériaux
et André ZAOUI
Docteur ès sciences,
Ingénieur civil de l’École des mines de Paris
Directeur de recherche au Centre national de la recherche scientifique
Professeur à l’École polytechnique

1. Comportement plastique du monocristal ......................................... M 48 - 2

1.1 Gradient de vitesse, taux de glissement et mouvement de dislocations — 3
1.2 Analyse thermodynamique – Forces motrices et forces critiques .......... — 4
1.3 Relation de comportement pour le monocristal ....................................... — 4
2. Comportement du polycristal .............................................................. — 5
2.1 Principe des méthodes d’homogénéisation (indications)........................ — 5
2.2 Modèles à base d’inclusions....................................................................... — 6
2.3 Modèle autocohérent .................................................................................. — 6
2.4 Extensions .................................................................................................... — 8
3. Applications .............................................................................................. — 8
4. Conclusions ............................................................................................... — 10
Pour en savoir plus ............................................................................ Doc. M 48

i l’essentiel des bases physiques de la plasticité des métaux et alliages est

S maintenant bien identifié et compris, la prédiction quantitative du
comportement plastique d’un métal polycristallin demeure, malgré les progrès
importants réalisés dans ce domaine ces dernières décennies, un champ de
recherche encore très ouvert. La difficulté d’une telle modélisation a plusieurs
origines, notamment :
— la nature fortement non linéaire des phénomènes attachés à la plasticité et
donc des équations les décrivant, ceci quels que soient l’échelle adoptée ou le
mécanisme décrit (par opposition à l’élasticité linéaire où l’on peut écrire
simplement : σ = C : ε ) ;
— le caractère complexe et varié des mécanismes physiques à prendre en
compte : création, mouvement, annihilation et stockage de dislocations,
empilement sur les joints de grains, rotations des réseaux cristallins, formation
de sous-structures cellulaires, création de défauts ponctuels, frottement du
réseau... ;
— l’intervention simultanée de plusieurs échelles caractéristiques (quelques
dislocations, les cellules, les grains...), contribuant chacune, de manière spéci-
fique, à la réponse macroscopique ;
— l’amplitude considérable que peuvent avoir les déformations plastiques et
Parution : mars 1997

les modifications importantes de l’état métallurgique du matériau qui y sont

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M48

MODÉLISATION DE LA DÉFORMATION PLASTIQUE DES POLYCRISTAUX ___________________________________________________________________________

associées : textures cristallographiques et morphologiques, « hétérogénéisation

plastique » par formation de cellules... De sucroît, ces modifications dépendent
fortement du trajet de chargement suivi (rétreint, expansion, traction uniaxiale...).
On pourrait tenter un passage continu de la dislocation au polycristal... Mais
si le comportement statique d’une dislocation ou même d’une distribution
continue de dislocations est bien connu, il n’en va pas de même de celui du
système complexe et évolutif de dislocations en interaction qu’il faudrait
prendre en compte pour parvenir jusqu’à l’échelle du polycristal. C’est la raison
pour laquelle les promoteurs du passage du monocristal au polycristal (Sachs,
Taylor et d’autres) ont conçu une approche plus globale, se situant d’emblée à
l’échelle des grains et ne décrivant qu’indirectement, de façon moyenne, le
comportement collectif des dislocations intragranulaires par l’intermédiaire du
glissement plastique cristallographique.
Les concepts de cission réduite et de cission critique introduits par Schmid
ont alors permis le développement de ce qu’on appelle depuis la plasticité cris-
talline, approche selon laquelle le comportement des grains est décrit par des
relations entre les cissions sur différents systèmes de glissement et leurs glis-
sements plastiques. Il reste ensuite à effectuer, dans le cadre de la mécanique
des milieux continus, la transition d’échelle entre le niveau qu’on peut dire
« mésoscopique » (le grain) et le niveau macroscopique de l’élément de volume
polycristallin, en prenant en compte les interactions intergranulaires, l’architec-
ture du polycristal (forme, orientation et disposition relative des grains, texture
cristallographique...) et leur évolution.
Cet article s’éfforce de donner une vision succincte et synthétique de l’état
actuel du savoir-faire en matière de modélisation de la déformation plastique
des métaux polycristallins dans le cadre de l’approche de la plasticité cristalline.
Le paragraphe 1 est consacré à la modélisation du comportement du monocris-
tal et on présente, dans le paragraphe 2, la transition d’échelle du monocristal
au polycristal, en mettant l’accent sur la méthode autocohérente, bien adaptée
à la morphologie des polycristaux. Enfin, on rapporte quelques résultats repré-
sentatifs obtenus à partir d’une telle démarche et on les compare à des données
expérimentales (§ 3), avant de conclure sur les perspectives ouvertes dans ce
domaine.

1. Comportement plastique introduites (§ 1.2) ; une synthèse permet alors de décrire, en termes
mécaniques, la réponse d’un élément de volume cristallin à un char-
du monocristal gement donné (§ 2.2).
Au vu de la complexité de l’état disloqué d’un cristal (empile-
ments, cellules, enchevêtrements de dislocations...), l’analyse
De nombreux mécanismes physiques peuvent être responsables cinématique adoptée dans le cadre de la plasticité cristalline se
d’une déformation inélastique des métaux : diffusion de défauts contente d’une description grossière, fondée sur la notion de glisse-
ponctuels, création, mouvement et annihilation de dislocations, ment plastique cristallographique, qui recouvre de manière très
maclage, glissement aux joints de grains, transformations de globale la réalité microstructurale des distributions de disclocations
phase... La déformation inélastique correspondant à la plasticité et de leur évolution.
classique résulte, avant tout, des mécanismes athermiques asso- Nota : pour les études générales sur la plasticité des métaux et le comportement
ciés au mouvement irréversible des dislocations (par opposition au statique des dislocations et des distributions continues de dislocations, le lecteur se repor-
tera aux références [19] [1] [2].
mouvement réversible à l’origine de l’anélasticité ). À l’échelle du
monocristal ou d’un grain d’un polycristal, échelle très grande par
rapport aux longueurs caractéristiques que l’on peut attacher aux
dislocations, l’écoulement plastique résulte de mouvements collec- 1.1 Gradient de vitesse,
tifs de dislocations sur des plans de glissement cristallographique.
La multiplication des dislocations au cours de la déformation plas- taux de glissement
tique et les interactions qui s’établissent entre elles, régissent et mouvement de dislocations
l’écrouissage (tant « isotrope » que « cinématique »), lié aux
contraintes internes associées aux dislocations.
Considérons un cristal (monocristal ou grain d’un polycristal)
La démarche développée ici part d’une analyse cinématique intro-
possédant N systèmes de glissement facile définis chacun par la
duisant les variables décrivant le processus de plastification (§ 1.1)
normale unitaire n g au plan de glissement et la direction unitaire de
et se complète d’une approche thermodynamique définissant les
glissement m g. Les vecteurs m g sont colinéaires aux vecteurs de
forces motrices et critiques associées aux variables cinématiques

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__________________________________________________________________________ MODÉLISATION DE LA DÉFORMATION PLASTIQUE DES POLYCRISTAUX

Burgers b g = bmg , où b est le module du vecteur de Burgers des Cette décomposition fait apparaître les tenseurs symétriques et
dislocations susceptibles de glisser sur ces systèmes. Une ligne de antisymétriques :
dislocation plane glissant dans son plan peut être considérée g 1 g g g g
comme la frontière L g d’un élément de surface S g, de normale uni- R ij = --2- ( m i n j + m j n i ) 

taire n g, au travers de laquelle la discontinuité de déplacement des  (11)
particules est uniforme et caractérisée par le vecteur de Burgers b g 1 g g g g
S ij = --2- ( m i n j – m j n i ) 
g
tel que b g · n g = 0. 
Cette transformation peut être décrite par le tenseur βp défini en qui ne dépendent que de l’orientation du réseau cristallin ; les
tout point par : variables γ g décrivent l’état d’activité plastique des systèmes de
p g g g glissement g.
β ij ( r ) = b i m j δ ( S ) (1)
De même que la présence d’une dislocation s’accompagne d’une
où la distribution δ (S ) est reliée à la distribution ponctuelle de Dirac réponse élastique du milieu, définie par les champs de défor-
par la relation : mations et de rotations élastiques associées à la dislocation, auquel
s’ajoute éventuellement l’effet des contraintes appliquées, de même
δ (S) = 冕 δ ( r – r ′ )d S ′ (2) le champ βp (r ) ne peut, en général, pas subsister seul : il détruirait
S en tout point la continuité de la matière qui y réagit par une transfor-
mation élastique, suivie par le réseau. Le champ correspondant, de
Si de nombreuses dislocations de même vecteur de Burgers b g et
de surface de coupure de même vecteur normal n g sont présentes
e e 1 e e
taux β̇ ( r ) , se compose d’une partie symétrique ε̇ ij = --- ( β̇ ij + β̇ ji ) ,
dans un volume V, la valeur moyenne de βp s’y écrira : 2
qui représente le taux de déformation (élastique) du réseau, et d’une
1 e
p g g1
β ij = b m i n j ----
V
冕V
δ (S ) d V
g
(3)
e
2
e
partie antisymétrique ω̇ ij = --- ( β̇ ij – β˙ ji ) , taux de rotation élastique.

Le champ total, soit β (r ) = βp (r ) + βe (r ), assure la compatibilité

En introduisant le glissement plastique moyen sur V pour le géométrique et préserve la continuité du milieu ; lui seul dérive
système g : d’un champ de déplacement : c’est le gradient de la transformation
totale dont βp (r ) et βe (r ) sont respectivement les parties plastique
γ
g 1
= b ----
V
冕 δ ( S ) dV
g
(4) et élastique.
V Cette décomposition vaut également pour les vitesses et pour
on aboutit à : les parties symétrique et antisymétrique. On a donc les relations :
p g g g
β ij = γ m i n j (5)
e  p
β̇ = β̇ + β̇ 
En comptabilisant dans le volume V toutes les dislocations sur les 
e p
différents systèmes g, on aura par superposition : ε̇ = ε̇ + ε̇  (12)

ω̇ = ω̇ + ω̇ 
N e p

∑
p g g g
β ij ( r ) = γ mi nj (6)
g=1 À noter que l’on a souvent, notamment pour l’analyse des tex-
g tures cristallographiques, à comptabiliser une rotation du réseau
g δγ
Le taux de glissement plastique γ˙ = --------- sur le système g se cristallin qui n’est pas précisément reliée à une transformation
δt
déduit de (4) et (5) par : élastique et qu’il est nécessaire d’exprimer même quand on a
supposé un comportement de type rigide-plastique (c’est-à-dire
R
négligeant les déformations élastiques). On désignera alors par ω̇
g ∂ 1
γ˙ = b ------ -----
∂t V
冕 δ ( S ) dV
g
(7)
le taux de rotation du réseau cristallin R, avec, comme dans (12),
V R p
ω̇ = ω̇ + ω̇ . La loi de comportement du grain reliera le taux de
Cette relation, qui intègre les mécanismes de création et de mou- déformation ε̇ au taux de contraintes de Cauchy σ̇ . Il restera à
vement de dislocations, correspond à la relation d’Orowan. e R p
trouver les relations permettant de déduire ω̇ ou ω̇ de ω̇ , rela-
Le taux de variation de β p, soit : tions qui ne pourront être établies que dans le cadre d’un pro-
g blème aux limites, celui du polycristal, au paragraphe 2.
∑γ˙
p g g
β̇ ij = mi nj (8)
g

p
se décompose en un taux de déformation plastique ε̇ ij , donné 1.2 Analyse thermodynamique.
par : Forces motrices et forces critiques
N
1 p p g
∑ γ˙
p g
ε̇ ij = --2- ( β̇ ij + β̇ ji ) = R ij (9) L’analyse thermodynamique classique définit la dissipation volu-
g=1
mique D comme la différence entre la puissance volumique des
avec R ij tenseur d’orientation efforts extérieurs P = σeij ε̇ ij et le taux de densité volumique
et un taux de rotation plastique ω̇ ij , défini par :
p d’énergie libre ẇ = σ ij ε̇ ij où σij désigne la contrainte de Cauchy.
En tenant compte de (9) et (12), on aboutit à :
N
1 p p g
∑ γ˙
p g p g g g
∑γ˙ ∑τ
g
ω̇ ij = --2- ( β̇ ij – β̇ ji ) = S ij (10) D = σ ij ε̇ ij = σ ij R ij = γ˙ (13)
g=1

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Texture et anisotropie des matériaux

polycristallins
Cartographie par diffraction de Kikuchi

par Robert SCHWARZER

Professeur retraité de l’Université de Clausthal, Allemagne

et Claude ESLING
Professeur émérite de l’Université de Lorraine, France

1. Méthodes d’investigation des textures locales ........................ M 3 040v2 – 2

1.1 Mesures optiques – Microscope à platine universelle ...................... — 2
1.2 Diffraction d’électrons ........................................................................ — 2
1.2.1 Diffraction de Kikuchi .............................................................. — 3
1.2.2 Indexation des diagrammes de Kikuchi .................................. — 3
1.2.3 Résolution spatiale en TKD et BKD ......................................... — 6
1.2.4 Qualité du diagramme et déformation du réseau .................. — 6
2. Mesure de l’orientation individuelle des grains
et microscopie d’orientation ........................................................ — 7
2.1 Acquisition de diagrammes de transmission de Kikuchi .................. — 7
2.2 Acquisition de diagrammes de rétrodiffusion de Kikuchi
d’un système EBSD ............................................................................ — 8
2.3 Détecteur EBSD comme détecteur d’images multizone ................... — 9
2.4 Évaluation des images de contraste de canalisation d’électrons ..... — 12
2.5 Diagrammes de blocage des ions ..................................................... — 12
3. Préparation des échantillons pour la mesure d’orientations
individuelles ..................................................................................... — 13
3.1 Techniques matérialographiques conventionnelles de préparation
des échantillons ................................................................................. — 13
3.1.1 Préparation pour la TKD .......................................................... — 13
3.1.2 Préparation pour l’EBSD ......................................................... — 13
3.1.3 Méthodes de préparation des échantillons ............................ — 14
3.2 Ablation et polissage par bombardement ionique ........................... — 14
3.3 Analyse 3D de la microstructure ....................................................... — 14
4. Conclusion........................................................................................ — 14
5. Glossaire ........................................................................................... — 15
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. M 3 040v2

e nombreux matériaux technologiques et solides naturels ont une struc-

D ture polycristalline ou au moins partiellement cristalline. Leurs propriétés
dépendent à la fois de la structure de l’agrégat polycristallin et des propriétés
des cristaux individuels. La défaillance d’un matériau est souvent causée par
une microstructure hétérogène et des défauts locaux, auquel cas la connais-
sance de la texture globale est d’une utilité très limitée. Au contraire, il est
très utile de disposer d’une haute résolution spatiale pour déterminer les orien-
tations locales, de connaı̂tre les gradients d’orientation à l’intérieur des grains et
Parution : décembre 2021

les désorientations entre les grains, et aussi d’avoir accès à certains paramètres
caractéristiques des joints des grains.

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TEXTURE ET ANISOTROPIE DES MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

Les développements de la diffraction des électrons sont détaillés, en mettant

l’accent sur les méthodes actuelles particulièrement pertinentes pour l’analyse
de la texture en science des matériaux. Depuis 2000, de nombreuses applica-
tions ont été publiées dans des domaines tels que la métallurgie et la science
des matériaux, la géologie structurale et la biominéralisation, qui ne peuvent
être présentées en détail dans cet article. Les dispositifs expérimentaux sont
brièvement évoqués. Les limitations dues à la résolution spatiale et à la taille
des grains sont discutées. Le volume du cristal qui contribue à un diagramme
de Kikuchi n’est que de 0,1 mm3. La préparation de surfaces propres, raisonna-
blement plates et exemptes de revêtements étrangers par polissage métallogra-
phique et fraisage ionique, est donc particulièrement importante, mais souvent
difficile.
Le lecteur trouvera en fin d’article un glossaire des sigles et des termes
utilisés.

1. Méthodes d’investigation 1.2 Diffraction d’électrons

des textures locales Actuellement, les matériaux fortement déformés, la superplasti-
cité, les matériaux à grains micrométriques et les nanomatériaux,
les couches minces, la microélectronique et les transformations de
phase présentent un grand intérêt technique. En réponse à cette
1.1 Mesures optiques – Microscope demande, des techniques de microscopie électronique à haute
à platine universelle résolution d’identification des phases et de cristallographie quanti-
tative ont été développées [2] [3]. La cristallographie électronique
Une première tentative d’élargir l’approche de la connaissance présente l’avantage unique, par rapport à la cristallographie à
de la microstructure a été la stéréologie, basée sur la microscopie rayons X et à neutrons, de pouvoir observer directement à la fois
optique, mais traditionnellement sans tenir compte de la structure l’espace réciproque (par diffraction) et l’espace réel (par imagerie)
cristalline. Les avantages de la microscopie optique comprennent de la même zone de l’échantillon.
une grande disponibilité, l’observation de la microstructure à faible
grossissement, la mesure de la forme, de la taille et du réseau des Deux méthodes classiques de diffraction dans le MET, à savoir la
joints de grains, et la discrimination de phase. Les inconvénients de diffraction en faisceau parallèle sur une zone sélectionnée (SAD :
cette technique comprennent une faible résolution et une informa- Selected Area Diffraction SAD) et la diffraction des électrons en fais-
tion très partielle en termes de cristallographie. ceau convergent (CBED : Convergent Beam Electron Diffraction), sont
La plus ancienne technique de mesure des orientations individuel- d’une utilité limitée pour la microscopie d’orientation, principalement
les de cristallites dans les matériaux polycristallins est la méthode en raison de leur faible résolution spatiale. En revanche, la diffraction
optique en lumière polarisée [1]. Dans un microscope optique muni de Kikuchi en transmission (TKD : Transmission Kikuchi Diffraction)
de polariseurs croisés et possédant une large ouverture angulaire, et la diffraction de Kikuchi en rétrodiffusion (BKD : Backscatter Kiku-
l’indicatrice optique de cristaux optiquement anisotropes peut être chi Diffraction) [3] sont des techniques qui présentent une meilleure
visualisée. En utilisant de plus une platine universelle (U-stage), au résolution spatiale, car elles utilisent un faisceau finement focalisé
moyen de laquelle l’échantillon peut subir trois rotations indépendan- formant une sonde ponctuelle sur l’échantillon. La mesure par MET
tes, chaque cristal peut être amené à une orientation standard par de la figure de pôle par diffraction électronique et par diffraction
une rotation g. En rapport avec cette méthode, trois types de cristaux d’électrons en précession (PED : Precession Electron Diffraction)
peuvent être distingués : d’une part et la détermination de l’orientation par contraste de cana-
– cristaux optiquement isotropes (par exemple : cubiques) ; lisation (CHORD : Chanelling Orientation Determination) d’autre part
– cristaux optiquement uniaxiaux (par exemple : de nombreux utilisent respectivement un faisceau primaire basculant et un échan-
cristaux hexagonaux) ; tillon basculant. Les techniques de cartographie d’orientation sont
– cristaux optiquement biaxiaux (par exemple : cristaux de basse généralement automatisées. La diffraction électronique permet d’étu-
symétrie). dier la texture locale jusqu’à l’échelle microscopique. La diffraction de
Kikuchi automatisée avec l’interprétation des données sous forme de
La méthode optique en lumière polarisée ne fonctionne pas dans cartes d’orientation des cristaux est connue sous le nom de Microsco-
le premier cas. Dans le deuxième cas, la direction d’un seul axe pie d’Orientation (OM : Orientation Microscopy). Elle permet un pro-
peut être obtenue, celle de l’axe optique ; cette méthode a été utili- grès majeur dans la caractérisation quantitative de la microstructure.
sée et l’est toujours pour la détermination des textures des quartzi-
tes. En principe, l’orientation complète peut être obtenue dans le Un examen complet de l’ensemble de l’état de l’art dépasserait
troisième cas. Cependant, cette méthode n’a pas su trouver un les limites d’un court aperçu, c’est pourquoi il est prévu ici d’exami-
domaine d’application plus large. Les mesures optiques ont été ner de plus près deux aspects particuliers de la diffraction de Kiku-
supplantées par les méthodes basées sur la diffraction des élec- chi : l’un étant la résolution spatiale et l’autre les limites pratiques
trons rétrodiffusés. de la technique imposées par la taille du grain et l’état de surface.

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––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– TEXTURE ET ANISOTROPIE DES MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS

1.2.1 Diffraction de Kikuchi laquelle l’orientation du cristal peut être déterminée à partir de la
géométrie d’un diagramme. La convergence du faisceau primaire
En 1928, Seishi Kikuchi a rapporté la première observation d’un n’a que peu d’importance, mais le volume cristallin sondé doit
type unique de diagramme de diffraction en transmission à travers être presque parfait. En revanche, la position des réflexions de dif-
de feuilles minces de cristal de mica [4] et également en mode de fraction dans la SAD est fixée par rapport à la direction du faisceau
rétrodiffusion à partir de surfaces de clivage d’un cristal massif de primaire. Si l’on veut déterminer l’orientation du cristal à partir des
calcite [5]. Ces diagrammes ont ensuite été nommés diagrammes diagrammes SAD, une mesure de l’intensité est nécessaire.
de transmission ou de rétrodiffusion de Kikuchi (TKP : Transmis-
sion Kikuchi Pattern et BKP : Backscatter Kikuchi Pattern). Au 2dhkl sin ϑhkl = n λ loi de Bragg (1)
cours des décennies suivantes, les physiciens ont concentré leurs
travaux expérimentaux de préférence sur la TKD, pour des raisons
liées aux instruments. La BKD a peu attiré les chercheurs en science λ = h / p = h/ 2 m q U longueur d’onde de Broglie (2)
des matériaux, alors que la technique dite RHEED (Reflection High
Energy Electron Diffraction) à incidence presque rasante du fais- avec dhkl distance interréticulaire,
ceau primaire a trouvé quelques applications en physique des soli-
des. La technique de rétrodiffusion a été discutée en détail [6] [7]. n ordre de diffraction (nombre entier),
Venables et collaborateurs [8] [9] ont fixé une caméra vidéo au h constante de Planck,
MEB pour observer les diagrammes. Ils ont inventé le nouveau
terme EBSP (Electron BackScatter Patterns) pour BKP. p moment de l’objet quantique,
Depuis les vingt-cinq dernières années des systèmes entièrement m masse au repos de l’objet quantique (si néces-
automatisés ont été développés pour l’acquisition et l’indexation saire la masse au repos doit être corrigée de
des diagrammes de Kikuchi. Un MEB avec un balayage de l’échan- manière relativiste),
tillon contrôlé par ordinateur a été utilisé en 1993 [10]. Le balayage q charge élémentaire de l’objet quantique,
numérique du faisceau a été réalisé pour le MEB en 1997 [11] et
U tension d’accélération (en V).
pour le MET en 1998 [12].
De nombreuses abréviations et acronymes différents ont été utili- Une bonne approximation pour la longueur d’onde l des élec-
sés pour désigner les différentes techniques et diagrammes de dif- trons de faible à moyenne énergie est :
fraction de Kikuchi : diffraction de Kikuchi par transmission (TKD),
diffraction de Kikuchi par rétrodiffusion (BKD), diffraction de Kikuchi
6,6 ⋅ 10−34 J ⋅ s V
par rétrodiffusion des électrons (BEKD). Bien que la BKD définisse λ = h/ 2 m q U ≈ ≈ 15
, ⋅ nm (3)
plus précisément la technique et soit directement liée à la TKD, 2 ⋅ 9,1⋅ 10−31 kg ⋅ 1,6 ⋅ 10−19 C ⋅ U U
l’acronyme EBSD (Electron BackScatter Diffraction) est largement
accepté dans la littérature pour désigner les systèmes commerciaux À partir de U ª 80 kV, la correction relativiste doit être appliquée
comprenant à la fois le matériel et le logiciel. Les diagrammes de et la formule devient un peu plus compliquée. La correction n’est
canalisation des électrons (ECP) ont été précédemment appelés dia- pas nécessaire pour la microscopie à balayage (U < 30 kV), et pour
gramme de Coates ou diagramme de type Kikuchi. La cartographie la microscopie électronique à transmission uniquement pour les
automatisée de l’orientation des cristaux (ACOM : Automated Crys- mesures de précision.
tal Orientation Mapping) ou également sous le nom de la microsco-
& Pour indexer un diagramme de Kikuchi, et par conséquent déter-
pie d’orientation OM sont couramment utilisées pour désigner la
représentation intuitive de la microstructure en attribuant des cou- miner l’orientation du réseau cristallin et la phase du grain sous le
leurs spécifiques d’orientation aux grains et aux joints de grains faisceau, il suffit de connaı̂tre les positions et les largeurs de certai-
(figure 1). OIM (Orientation Imaging Microscopy) est une marque nes bandes du diagramme. Les caractéristiques géométriques d’un
déposée de l’un des vendeurs ; son utilisation à la place de l’EBSD diagramme, en particulier les positions, les lignes médianes, les lar-
dans les publications scientifiques est donc déconseillée. Après que geurs et les profils des bandes, sont extraites par reconnaissance
le MEB soit devenu courant dans les laboratoires, la diffraction de automatique de motifs. La localisation des lignes, dont certaines
Kikuchi au MEB a reçu une attention croissante de la part des spé- sont fractionnées, est difficile. La transformation de Hough (HT) [13]
cialistes des matériaux, si bien qu’aujourd’hui, l’EBSD est considé- est souvent utilisée pour l’évaluation d’images binaires. Cependant,
rée comme l’outil de choix pour l’analyse de l’orientation cristallo- les diagrammes de diffraction étant des images en niveaux de gris,
graphique à une échelle submicronique. la transformation de Hough a été modifiée. C’est un cas particulier
de la transformation générale de Radon (RT) [14]. La localisation de
lignes droites peut donc être réduite à la recherche de pics isolés, ce
1.2.2 Indexation des diagrammes de Kikuchi qui est numériquement beaucoup plus facile.
Les caractéristiques des diagrammes de Kikuchi sont des bandes & Généralement, les positions des 5 à 10 bandes les plus étroites et
disposées régulièrement sur un fond continu. Elles sont délimitées
les plus intenses d’un diagramme sont fournies à la routine d’inde-
par des lignes droites (figure 2). Strictement parlant, les bords des
xation. Lorsque plusieurs bandes d’un diagramme ont été locali-
bandes de Kikuchi sont des hyperboles formées par l’intersection du
sées, le processus d’indexation se réduit à une comparaison de la
cône de Kossel avec le plan du détecteur. Un diagramme peut être
géométrie du diagramme avec les positions des plans du réseau
interprété comme une projection gnomonique du réseau cristallin
dans la maille élémentaire. Le calcul est effectué dans des program-
sur un détecteur plan. Le point d’impact du faisceau primaire sur la
mes informatiques qui utilisent des tables de recherche des familles
surface de l’échantillon, ou plus précisément le volume d’interaction
de réseaux diffractants (tables de réflecteurs, angles interplanaires
dans le grain, est le centre de la projection. On peut donc imaginer et intensités diffractées) pour le système de réseau considéré. Avec
que les plans du réseau s’étendent jusqu’à couper l’écran aux lignes un matériau multiphasé, le programme tente d’indexer le dia-
médianes de leurs bandes de Kikuchi associées. Les « étoiles » aux gramme avec tous les réseaux cristallins supposés, et accepte
croisements des bandes correspondent aux axes de zones du cris- comme vraie la solution pour laquelle le diagramme calculé à
tal. La distribution de l’intensité dans le diagramme est simulée rebours (théorique) correspond le mieux au diagramme mesuré
très précisément par la théorie dynamique de la diffraction. (discrimination de phase). À partir des diagrammes indexés, les
La largeur d’une bande est égale à deux fois l’angle de Bragg Jhkl orientations des cristallites sont obtenues par calcul élémentaire
(équation (1)). La ligne médiane correspond à la trace du plan du des angles d’Euler liées à la maille élémentaire du grain ou des indi-
réseau de diffraction de Bragg et semble donc être strictement ces de Miller des directions de référence. L’orientation cristallogra-
fixée au réseau cristallin. C’est la base de la grande précision avec phique du grain est décrite soit en notation (hkl)[uvw], soit par

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M3040

TEXTURE ET ANISOTROPIE DES MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

111

Al6013
001 011
111
(hkl)

001 011
111
[uvw]

entre des tôles d’aluminium différentes

001 011

Cordon de soudure au laser

(hkl) 111

001 011
111
[uvw]

001 011

111
(hkl)

001 011
111
[uvw]
Al5038

001 011

10 μm (hkl) [uvw] PQ

Les deux zones affectées thermiquement et la zone de soudure ont presque la même texture (à l'exception
des statistiques des grains), alors que leurs microstructures sont très différentes.

Figure 1 – Figures de pôles inverses, cartes d’orientation des cristaux et carte de qualité du diagramme (PQ) d’un joint de soudure laser

M 3 040v2 – 4 Copyright © - Techniques de l’Ingénieur - Tous droits réservés

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M3041

Texture et anisotropie des matériaux

polycristallins
Formation des textures
par Claude ESLING
Professeur émérite à l’Université de Lorraine
Laboratoire d’Étude des Microstructures et de Mécanique des Matériaux & Laboratoire
d’Excellence DAMAS, Université de Lorraine, Metz, France
Cet article est la réédition actualisée de l’article [M 605] intitulé « Texture et anisotropie
des matériaux » paru en 1997, rédigé par Hans-Joachim Bunge et Claude Esling.

1. Origines et caractéristiques principales des textures

cristallines ........................................................................................ M 3 041 – 2
1.1 Origines et symétries des textures .................................................... — 2
1.2 Prévision des textures ........................................................................ — 4
1.3 Formation de texture dans les produits semi-finis et finis ............... — 4
1.4 Inhomogénéité des procédés de production .................................... — 5
2. Formation de texture lors de procédés particuliers ................ — 6
2.1 Déformation plastique ....................................................................... — 6
2.1.1 Approche théorique de la déformation plastique .................. — 6
2.1.2 Détermination expérimentale des mécanismes
de la déformation plastique .................................................... — 7
2.2 Recristallisation primaire ................................................................... — 9
2.2.1 Exemple de la recristallisation primaire d’alliages Fer-Nickel — 10
2.2.2 Exemple de la recristallisation de l’alliage d’aluminium 1050 — 10
2.3 Transformation de phase ................................................................... — 12
2.3.1 Approche théorique de la transformation de phase .............. — 12
2.3.2 Modélisation de la transformation de phase sur un acier
HSLA ........................................................................................ — 12
3. Conclusion........................................................................................ — 13
4. Glossaire ........................................................................................... — 14
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. M 3 041

’importance scientifique et industrielle de la maı̂trise des textures des maté-

L riaux polycristallins est due aux conséquences des textures :
– sur la formabilité des métaux en feuille,
– et sur la mise en forme et les propriétés d’alliages très anisotropes, notam-
ment les matériaux hexagonaux comme le zinc, le zirconium ou le titane.
L’optimisation de la texture du produit fini permet d’améliorer ses propriétés
d’usage. Des exemples remarquables sont les tubes de gainage pour le com-
bustible nucléaire, les tôles magnétiques douces, les matériaux magnétiques
durs, les supraconducteurs à haute température critique, les substrats cérami-
ques et beaucoup d’autres. L’alliage d’aluminium 1050 (composé à 99,5 % d’alu-
minium ou aluminium A5) est communément utilisé en tôlerie où les exigences
de résistance sont modérées, notamment pour sa conductivité électrique éle-
vée. En particulier, la fabrication de condensateurs électrolytiques nécessite le
développement d’une texture cube très prononcée. L’alliage austénitique
Fe-Ni36% dénommé « Invar‚ » est utilisé dans des dispositifs électroniques
en raison de son faible coefficient de dilatation thermique et de ses bonnes pro-
Parution : février 2016

priétés magnétiques. À cet effet, il est avantageux d’avoir une importante

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TEXTURE ET ANISOTROPIE DES MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

fraction d’orientation cube. L’acier micro-allié de haute résistance HSLA (High

Strength Low Alloy) obtenu par coulée en bande mince présente un grand inté-
rêt industriel, notamment parce que le durcissement est obtenu par précipita-
tion et affinement de la taille de grains.
Cet article détaille les mécanismes selon lesquels une texture cristallogra-
phique se forme dans les matériaux. Il suit ainsi l’article [M 3 040] « Définitions
et techniques expérimentales » qui détaille les outils permettant de déterminer
quantitativement les textures cristallographiques. Il sera lui-même suivi par l’ar-
ticle [M 3 042] « Propriétés des matériaux texturés » qui donne des outils pour
calculer les grandeurs anisotropes des matériaux polycristallins et pour optimi-
ser les propriété d’usage de ces matériaux.

Ces classes peuvent être subdivisées plus avant, selon les

1. Origines et caractéristiques particularités de la structure cristalline. Par exemple, si nous consi-
principales des textures dérons les métaux de base, les trois catégories principales sont les
cubiques à faces centrées (c.f.c.), les cubiques centrés (c.c.), les
cristallines hexagonaux compacts (h.c.), au sein desquelles des subdivisions
ultérieures peuvent être faites selon des paramètres distinctifs
additionnels. Ces subdivisions sont plus particulièrement :
– métaux c.f.c. :
1.1 Origines et symétries des textures  type Cu avec une énergie de faute d’empilement élevée,
La texture et les autres paramètres structuraux des agrégats  type laiton avec une énergie de faute d’empilement basse ;
polycristallins sont formés par toutes sortes de procédés de trans-
formation solide, qui se déroulent tout au long de l’histoire du – métaux h.c. de rapport c/a (a, c paramètres du réseau
matériau. Ces procédés sont plus particulièrement : cristallin) :
– la cristallisation à partir d’un état non cristallin : vapeur,  inférieur,
liquide, verre (solide amorphe) ;  idéal si égal à la valeur de la compacité idéale (1,633),
– la déformation plastique : glissement, maclage, diffusion ;  supérieur.
– la recristallisation : primaire (statique, par activation ther-
mique), secondaire, grossissement de grain ; Si un procédé physique s’effectue au cours du procédé de pro-
– la transformation de phase : par diffusion, par transformation duction, alors sa symétrie est celle de l’outil, par exemple la
martensitique ;
– la rotation rigide des particules : due à des forces mécaniques,
électriques ou magnétiques.
Procédé de formation

Chacun de ces procédés peut avoir différentes symétries, en

particulier : Rotation rigide
– isotropie ; Recristallisation
– axiale ;
– orthorhombique ; Transformation de phase
– monoclinique ;
– triclinique. Déformation plastique

Un autre facteur important, influençant la formation de textures, Subdivision interne Cristallisation primaire
est la structure cristalline. Tous les procédés se produisant dans les
cristaux doivent respecter la symétrie cristalline. Par conséquent, la Structure cristalline
texture résultante doit également posséder cette symétrie. Les tex- Uniaxiale (fil, barre)
tures peuvent ainsi être classifiées dans un cadre tridimensionnel é
éd Biaxiale (tôle)
composé d’un procédé de formation, d’une structure cristalline et oc
pr Triaxiale (emboutissage profond)
d’une symétrie de procédé, comme le montre la figure 1 et 3. La du
symétrie cristalline signifie, du point de vue des textures, la classe rie Cisaillement
ét
cristalline, c’est-à-dire l’un des 32 groupes ponctuels de symétrie. m
Sy
De plus, beaucoup de paramètres additionnels de structure cristal-
line influencent le procédé de formation de texture et donc les tex- c.f.c. c.c. h.c. autres
tures résultantes. Chaque point, dans le cadre tridimensionnel de la
figure 1, représente en fait un domaine au sein duquel une subdi- À l’intérieur de chacun de ces types de base, des sous-classifications
vision permet de distinguer de nombreux types de texture qui dif- peuvent être faites selon des paramètres supplémentaires.
fèrent par la nature même du matériau, par exemple :
– les métaux (incluant les composants intermétalliques) ;
– les céramiques (incluant les matériaux géologiques) ; Figure 1 – Classification des types de textures selon les trois
– les matériaux organiques (incluant les polymères). paramètres principaux

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––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– TEXTURE ET ANISOTROPIE DES MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS

Tableau 1 – Symétries envisageables pour certains

B
procédés de production
C
A Procédé Symétrie

Laminage de tôle

tôle entière orthorhombique

Perpendiculairement aux plans de miroir, se trouvent des axes binaires.
couche centrale orthorhombique
a éléments de symétrie :
– un plan miroir A dans le plan médian de la tôle,
couche excentrée monoclinique
– ensemble de plans miroirs parallèles B contenant
la direction de laminage, Filage de tubes monoclinique
– ensemble de plans miroirs parallèles C contenant
la direction transverse. Tréfilage

fil entier axiale

Monoclinique fibre centrale axiale

fibre excentrée orthorhombique (monoclinique)

A A
Extrusion

Orthorhombique section circulaire (cf. tréfilage)

section non circulaire monoclinique (triclinique)

b le plan miroir A est valable particulièrement pour : Forgeage

– toute l’épaisseur de la tôle,
– une petite couche symétrique par rapport au plan médian de la tôle. local triclinique
Ce plan n’est pas valable pour une couche excentrée par rapport
au milieu de la tôle. global (isotrope)

Figure 2 – Symétrie orthorhombique du procédé de laminage d’une Recuit

tôle
discontinu isotrope
symétrie orthorhombique des cylindres du laminage illustrée en
figure 2. D’autres symétries rencontrées fréquemment dans les continu axiale
procédés de production sont citées dans le tableau 1.
Galvanisation
Le premier des procédés mentionnés ci-dessus, la cristallisation
à partir d’un état non cristallin, est réellement un procédé de forma- électrogalvanisation axiale
tion de texture. Tous les autres opèrent sur une texture déjà exis-
tante (qui peut être, ou non, aléatoire). Par conséquent, tous les galvanisation à
autres procédés sont des procédés de transformation de texture orthorhombique
chaude
qui modifient la texture existante. Cela peut être écrit de la façon
symbolique suivante : Laminage de profilés alterné unidirectionnel
f fin (g ) = M ⋅ f init (g ) (1) total orthorhombique monoclinique
où M symbolise un opérateur de modification dépendant du type dans les axes orthorhombique monoclinique
de procédé et de la symétrie de l’outil.
Si la texture initiale est aléatoire, alors la symétrie d’échantillon hors axes monoclinique triclinique
de la texture finale est celle de la symétrie de l’outil. Si la symétrie
initiale n’est pas aléatoire, alors la texture finale prend une symé- Laminage croisé tétragonale
trie qui est la plus haute sous-symétrie commune à la texture ini-
tiale et à l’outil. À vrai dire, cela signifie que souvent il n’y a pas axiale
de symétrie (« symétrie triclinique »). Par exemple, dans le formage Emboutissage profond
de métaux en feuilles, la symétrie du plan de la feuille peut être monoclinique
(selon la forme)
conservée, mais d’autres symétries dans ce plan peuvent être per-
dues. Alors la sous-symétrie commune sera monoclinique. Le triclinique
modificateur M peut également être aléatoire, il peut donc avoir
une symétrie isotrope. Cela peut être supposé pour la plupart des
À strictement parler, cela n’est pas vrai pour le recuit continu,
procédés de traitements thermiques, s’ils sont effectués sans gra-
pour lequel une symétrie axiale d’outil doit être supposée.
dient de température. Par conséquent, les textures de recristallisa-
tion héritent généralement de la symétrie de la texture de déforma- Dans la pratique, l’une des symétries M ou f init(g) parvient à
tion à partir de laquelle elles se sont développées. dominer ; le cas de la symétrie de M par exemple à la suite de

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TEXTURE ET ANISOTROPIE DES MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

déformations plastiques élevées, la symétrie de la texture initiale Si le matériau subit plusieurs traitements thermiques, alors on
n’est alors pratiquement plus visible. D’un autre côté, dans les doit également considérer la transformation de phase a Æ g.
lignes de recuit continu, la symétrie axiale du four n’est pas sou- Chacun de ces paramètres peut modifier la texture selon l’équa-
vent respectée. tion (6). On doit également prendre en considération que certains
de ces procédés peuvent être répétés alternativement, par exemple
la déformation et la recristallisation.
1.2 Prévision des textures
Un processus modifiant la texture peut être linéaire ou non 1.3 Formation de texture
linéaire selon le type de texture. Cela signifie que si la texture ini- dans les produits semi-finis et finis
tiale est formée de deux composantes (ou plus), alors on pourra
avoir : L’influence des procédés de production sur la texture finale mon-
trée dans l’équation (6) s’applique à toutes les étapes de la produc-
M ⋅ (f1 + f2 ) = M ⋅ f1 + M ⋅ f2 linéaire (2) tion, depuis le matériau brut jusqu’au produit fini. Le procédé peut
souvent être divisé en deux segments :
– production de semi-fini (métaux en feuille, etc.) ;
M ⋅ (f1 + f2 ) ≠ M ⋅ f1 + M ⋅ f2 non linéaire (3) – production des pièces finies (pièces automobiles, etc.).

Le premier cas est réalisé (du moins avec une bonne approxima- & La texture des produits semi-finis joue souvent un rôle impor-
tion) dans la déformation plastique. On peut admettre le second tant dans les étapes de fabrication ultérieures. L’exemple le plus
cas pour la plupart des procédés de recristallisation. Dans le pre- frappant est l’anisotropie plastique des tôles pour emboutissage
mier cas, chaque orientation individuelle de cristallite g0 peut être profond, décrite par exemple par les valeurs des coefficients d’ani-
considérée comme une composante de texture. Il est alors suffisant sotropie r et Dr. Ce problème est particulièrement important dans
de savoir comment le procédé fonctionne pour chaque orientation l’industrie de l’acier et de l’aluminium produisant des tôles pour
cristalline individuelle g0. La partie essentielle de l’équation (1) est emboutissage profond. La figure 4 présente schématiquement la
alors la texture formée à partir de chaque orientation individuelle formation de texture à travers toute la ligne de production de feuil-
g0 : les d’aluminium. La texture finale est alors responsable des pro-
priétés d’emboutissage profond décrites en termes de coefficients
f fin (g , g0 ) = M ⋅ g0 (4) d’anisotropie de Lankford r et Dr dans les articles [M 3 180] [M 3 181].
En vue de contrôler ces propriétés, on peut utiliser une mesure de
et la texture finale totale est l’intégrale sur les textures partielles texture en ligne, comme illustré sur la figure 4 de l’article [M 3 040].
formées à partir de toutes les orientations de la texture initiale : & La texture du produit fini peut jouer un rôle dans les propriétés
d’usage de cette partie. Des exemples remarquables sont les tubes
f fin (g ) = ∫ [M ⋅ g0 ] ⋅ f init (g, g0 ) ⋅ dg0 (5)
de gainage pour le combustible nucléaire, les tôles magnétiques

Cette relation est d’une grande importance technologique pour

la conception de textures (texture design). Elle permet aisément
d’estimer comment évolue la texture finale lorsque la texture ini- Liquide
T (ºC)
tiale est modifiée. Pour les procédés non linéaires tels que la recris-
tallisation, la situation est nettement plus difficile. Dans ce cas,
l’interaction entre les différentes orientations g0 de la texture ini- 1
tiale domine. Une expression simple comme l’équation (4) n’existe
pas dans ce cas. Il est alors difficile d’estimer comment la texture 2
finale (texture de recristallisation) évolue lorsque la texture initiale
(texture de déformation) est modifiée. L’exemple le plus frappant 3
pour cela est la grande différence entre les textures de recristallisa-
tion du cuivre et du laiton, alors que les textures de déformation γ
respectives présentent au moins une certaine similitude (la compo- %C
sante (110) [112]).
L’équation (1) décrit les changements de texture dus à un pro-
cédé. Les textures de la plupart des matériaux réels sont obtenues
4 Transformation martensitique
grâce à l’application successive de plusieurs (parfois même de Diffusive
α
nombreux) procédés différents, chacun d’eux pouvant avoir sa pro-
pre symétrie d’outil. Par conséquent, la formation de texture dans 5
pratiquement tous les produits technologiques doit être symbolisée
sous la forme : 6

f fin (g ) = MN ⋅ … ⋅ M3 ⋅ M2 ⋅ M1 ⋅ f init (g ) (6)

(% en masse)
En guise d’exemple, la figure 3 illustre les procédés physiques se
1 cristallisation à partir du bain fondu
produisant lors de la production de tôles d’acier. Ceux-ci sont
2 déformation plastique dans l’austénite
notamment : 3 recristallisation dans l’austénite
– solidification en l’état d,
4 transformation de phase γ → α :
– transformation de phase d Æ g, – éventuellement avec une décomposition à deux phases
– déformation dans l’état g, – transformation diffusive ou martensitique
– recristallisation dans l’état g, 5 déformation plastique dans la ferrite
– transformation de phase g Æ a, 6 recristallisation dans la ferrite
– déformation dans l’état a,
– recristallisation dans l’état a. Figure 3 – Procédés de formation de texture possibles dans les aciers

M 3 041 – 4 Copyright © - Techniques de l’Ingénieur - Tous droits réservés

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M3045

Technique ECAP
Aspects théoriques et applicatifs

par Fayçal HADJ-LARBI

Maı̂tre de Recherche
Centre de développement des technologies avancées, Baba Hassen,
Alger, Algérie

Baya ALILI
Directeur de Recherche
Faculté de Physique, université des Sciences et de la Technologie Houari Boumediene,
Alger, Algérie

Djamel BRADAI
Directeur de Recherche
Faculté de Physique, université des Sciences et de la Technologie Houari Boumediene,
Alger, Algérie

Anne-Laure HELBERT
Maı̂tre de Conférences
Institut de Chimie Moléculaire et des Matériaux d’Orsay, UMR CNRS 8182,
Université Paris-Sud,
Université Paris-Saclay, France

et Thierry BAUDIN
Directeur de Recherche au CNRS
Institut de Chimie Moléculaire et des Matériaux d’Orsay, UMR CNRS 8182,
Université Paris-Sud,
Université Paris-Saclay, France

1. Matériaux à grains ultra fins et nanostructurés....................... M 3 045 – 2

2. Présentation de la technique ECAP ............................................ — 3
3. Microstructures produites – Propriétés ..................................... — 6
4. Recuit post-ECAP et effets sur les propriétés .......................... — 6
5. Modélisation et simulation de l’ECAP ........................................ — 7
6. Facteurs influençant les propriétés des matériaux déformés
par ECAP........................................................................................... — 8
7. Sécurisation de l’installation expérimentale ............................ — 11
8. Avantages de la technique ............................................................ — 11
9. Applications des matériaux issus de l’ECAP............................. — 11
10. Mise en œuvre de l’ECAP à l’échelle industrielle ..................... — 12
11. Conclusion et perspectives........................................................... — 12
12. Glossaire ........................................................................................... — 13
13. Sigles ................................................................................................. — 13
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. M 3 045
Parution : septembre 2018

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TECHNIQUE ECAP ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

C et article traite d’une technique particulière de déformation plastique

sévère (connue aussi sous l’appellation anglaise SPD pour Severe Plastic
Deformation) appelée ECAP (Equal-Channel Angular Pressing). Il est bien connu
que les opérations de mise en forme par déformation plastique modérée
s’accompagnent d’un affinement microstructural bénéfique au matériau poly-
cristallin, dans le sens où elles améliorent plusieurs de ses propriétés (mécani-
ques, électriques, magnétiques, etc.). Les méthodes de déformation dites sévè-
res qui ont été proposées au début des années 1970 pour l’ECAP sont arrivées à
atteindre un degré d’affinement granulaire inégalé par les déformations plasti-
ques conventionnelles, d’où l’engouement de la communauté scientifique pour
ces techniques SPD très prometteuses.
Dans ce qui suit, sont présentés les matériaux métalliques (métaux purs ou
alliages) à grains ultra fins et nanostructurés, ainsi que la limite des procédés
classiques de déformation plastique. Ensuite, la technique ECAP et quelques
aspects expérimentaux sont détaillés. Les microstructures produites et les effets
du recuit post-ECAP sont également décrits. La modélisation et la simulation du
comportement (de la microstructure, de la texture et de la réponse mécanique)
lors et/ou après ECAP sont exposées. Les facteurs qui influencent les propriétés
des matériaux hyperdéformés par ECAP sont précisés. Enfin, la sécurisation de
l’installation expérimentale de l’ECAP, les avantages de cette technique, ainsi
que les applications des matériaux issus de l’ECAP et la mise en œuvre de
l’ECAP à l’échelle industrielle, sont discutés.
Pour de plus amples informations et des détails plus poussés, le lecteur est
invité à lire les articles de revues spécialisées sur les techniques d’hyperdéfor-
mation en général et la technique ECAP en particulier, ainsi que les actes des
congrès et conférences dédiés à ce domaine. Tous ces ouvrages sont listés en
partie documentation de cet article.
De plus le lecteur trouvera en fin d’article un glossaire et une liste des sigles
utilisés.

L’augmentation de la limite d’élasticité due à l’affinement granu-

1. Matériaux à grains ultra laire est illustrée par la relation de Hall-Petch [9] qui se présente
fins et nanostructurés sous la forme d’une loi en puissance :

σ y = σi + k yd n

avec sy limite d’élasticité,

On appelle matériaux à grains ultra fins les matériaux polycris-
tallins ayant une taille de grains submicronique (de 0,1 à 1 mm). si contrainte de friction,
Pour leur part, les matériaux avec une taille de grains nanomé- d taille des grains,
trique (inférieure à 100 nm) sont dits matériaux nanocristallins ou
nanomatériaux, ou encore nanostructurés [1] [2] [3]. De même ky constante du matériau,
composition chimique que les matériaux conventionnels de struc- n = - 1/2 [10].
ture à plus gros grains, les matériaux nanostructurés présentent
pourtant des propriétés nettement différentes [4] [5]. En effet, les Le paramètre d décrit directement l’importance des joints de
changements structuraux affectent, de façon significative, plu- grains qui influencent fortement les propriétés mécaniques des
sieurs propriétés mécaniques et physiques des matériaux [6]. matériaux nanocristallins en jouant le rôle d’obstacles au mouve-
Une dureté et une résistance mécanique élevées, une superplasti- ment des dislocations. Il est à noter que cette loi demeure valable
cité [7] et un comportement tribologique intéressant sont autant seulement pour des tailles de grains supérieures à une certaine
de caractéristiques recherchées pour des applications spécifiques. limite critique dc. En effet, il a été démontré qu’en dessous d’une
L’affinement de la taille des grains conduit à l’amélioration de cer- taille de grains située selon la littérature entre 20 et 50 nm [10] [11]
taines de ces propriétés mécaniques comme la microdureté, la [12] [13] [14] [15], l’exposant n de la loi de Hall-Petch devient posi-
limite d’élasticité et la résistance à la traction [8]. tif [15]. On parle alors de relation inverse de Hall-Petch, où le

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–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– TECHNIQUE ECAP

matériau à grains de taille inférieure à dc est le siège d’un adoucis-

sement plutôt que d’un durcissement. Notons que certains maté-
riaux nanostructurés combinent une microdureté élevée et une
bonne ductilité [16] [17], ce qui est rarement conciliable dans les
matériaux de microstructure à gros grains. Toutefois, les remarqua-
bles propriétés physico-mécaniques des matériaux nanocristallins
se dégradent lors des recuits qui causent une croissance des
grains.
Les opérations de mise en forme traditionnelles (comme l’extru-
sion, l’étirage, le laminage, l’emboutissage…) font appel à la défor-
mation plastique s’accompagnant d’un affinement microstructural
qui améliore certaines propriétés physiques et/ou mécaniques des
matériaux solides polycristallins. Les réductions multiples de la
section de la pièce, associées à ces procédés, conduisent à des
contraintes et des déformations non uniformes. Les déforma-
tions équivalentes imposées aux matériaux par les techniques de
déformation plastique conventionnelle sont en général de l’ordre
de 2 à 3 [18].
Valiev [19] a formulé trois conditions pour établir que le matériau
obtenu est à grains ultra fins (UFG pour Ultra Fine Grains) en
volume (c’est-à-dire que la déformation affecte tout le volume du
matériau) :
– (i) le matériau à grains fins doit posséder, en prédominance,
des joints de grains à grands angles de désorientation (HAGB
pour High Angle Grain Boundary), car c’est la seule configuration
susceptible d’apporter des propriétés uniques aux matériaux
hyperdéformés ;
– (ii) la microstructure doit être homogène à travers tout le Figure 1 – Photographie d’une coupe de la matrice du procédé ECAP
volume ; cette homogénéité microstructurale est d’une très grande avec un angle interne de 90 et un angle externe de 37 (§ 2.2)
importance pratique puisqu’elle permet d’accroı̂tre le potentiel (d’après [22])
d’utilisation du matériau déformé ;
– (ii) les grandes déformations plastiques imposées ne doivent Une déformation plastique est alors engendrée, par cisaillement
pas générer des dommages internes ou des fissures. simple, dans une petite portion de la pièce à déformer, au niveau
Il est évident que les procédés classiques de déformation plas- du plan d’intersection des deux canaux. La pièce est ensuite
tique ne peuvent satisfaire ces exigences. Des méthodes de défor- extraite de la matrice et tournée d’un certain angle par rapport à
mation plastique spéciales ont dû être développées pour répondre son axe longitudinal avant sa réinsertion dans la matrice (§ 6.4).
aux besoins industriels et aux exigences drastiques imposées pour L’opération est répétée autant de cycles qu’il faut pour atteindre
l’optimisation des propriétés. C’est dans ce contexte que des procé- une grande déformation et un affinement microstructural [23].
dés spécifiques de déformation plastique sévère [20] ont été propo- La figure 2 montre des photographies correspondantes à des
sés pour devenir des procédés de production usuels. Toutefois, échantillons de l’alliage Cu-1%Cr-0,1%Zr (% massique) avant et
l’intégration effective de ces nouveaux procédés à la production à après déformation par 1, 4, 8 et 16 passes ECAP avec la route Bc
grande échelle n’est pas encore à l’ordre du jour (§ 10). (§ 6.4) [22].
À la sortie de chaque passe, l’état de surface est détérioré.
De plus, la pièce est cisaillée d’un certain angle (égal à la moitié
de l’angle interne de la matrice). Ces deux effets empêchent la
2. Présentation pièce d’être ré-extrudée comme telle. Des opérations d’usinage
de la technique ECAP sont donc nécessaires entre les différentes passes, ainsi que le
décapage de la surface pour éliminer le lubrifiant. Lors de la défor-
mation par ECAP, le chauffage de la pièce n’est pas systématique.
Cela dépend du matériau constituant la pièce et de l’angle d’extru-
Historiquement, l’ECAP a été inventée par Vladimir Segal et ses sion. Certains matériaux se prêtent facilement à la déformation à
collaborateurs dans les années 1970 à Minsk, dans l’ancienne température ambiante (comme l’aluminium et ses alliages), alors
Union Soviétique et décrit par Segal lui-même en 1981 [21]. À la que d’autres sont plus durs (comme le cuivre et ses alliages) et
place de l’expression ECAP, certains auteurs utilisent le terme nécessitent donc un chauffage. Un angle interne de la matrice infé-
ECAE, où la lettre « E » renvoie à Extrusion. Quatre traductions pos- rieur à 90 peut également nécessiter le chauffage de la pièce pour
sibles de l’ECAP sont utilisées : (i) extrusion coudée à aires égales, faciliter son écoulement plastique.
(ii) déformation en canaux déviés, (iii) extrusion dans un canal
angulaire et enfin (iv) extrusion en canal coudé.
2.2 Déformation฀équivalente
2.1 Principe de la méthode Selon une approche analytique [24] basée sur la configuration
géométrique de la matrice donnée sur la figure 3a, la déformation
Le principe de la technique ECAP repose sur une déformation équivalente imposée après N passes est donnée par l’équation (1) :
confinée par cisaillement. Un échantillon de forme parallélépipé-
dique ou cylindrique (typiquement, ces échantillons ont une sec- 2N Φ
εN = cot (1)
tion d’une dizaine de millimètres et une longueur comprise entre 3 2
40 et 120 mm) est contraint à passer, sous l’effet de la pression
d’un piston, dans une matrice coudée et de dimensions fixes L’angle interne F est formé par l’intersection des deux canaux de
(figure 1). la matrice (figure 3a).

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M3045

TECHNIQUE ECAP ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

3
État initial Ψ = 0º
Ψ = 15º
2,5 Ψ = 30º
Ψ = 45º
1 passe Ψ = 60º

Déformation à N = 1
2

1,5

1
4 passes Φ = 135º

0,5

0
40 60 80 100 120 140 160 180
8 passes
Φ (º)

Figure 4 – Variations de la déformation équivalente (à N = 1) en

fonction de l’angle interne F avec différentes valeurs de Y

16 passes
Il est à remarquer qu’à partir de l’équation (2), on retrouve
l’équation (1) lorsque l’angle externe Y est nul. Comme cela a été
proposé par Valiev et al. [1], ainsi que par Furuno et al. [25], la
représentation graphique de l’équation (2) pour un seul passage
Figure 2 – Photographies des échantillons de l’alliage Cu-1%Cr-0,1%Zr (N = 1) à travers la matrice est donnée sur la figure 4. Elle permet
avant déformation et après déformation par ECAP (d’après [22]) une compréhension visuelle simple de la dépendance de la défor-
mation équivalente en F et Y. Il est à noter que pour une valeur
fixe de F, la déformation est d’autant plus faible que Y est impor-
tant. Toutefois, pour des valeurs de F supérieures à 135 , la défor-
mation n’est plus sensible aux variations de Y. En termes de défor-
mation imposée, il pourrait être avantageux de réaliser l’ECAP avec
un angle interne de la matrice inférieur à 90 , mais des pressions
très élevées seraient alors requises pour déformer avec succès les
Φ Φ pièces [1].

ψ Exemple : de l’aluminium pur ainsi qu’un alliage Al-Mg-Sc ont été

hyperdéformés par ECAP avec des matrices d’angle interne de 60
et de 90 [25]. De fines microstructures ont été obtenues, avec
notamment des tailles de grains de 1,1 mm et 1,2 mm pour l’alumi-
nium pur hyperdéformé respectivement avec des angles internes de
60 et 90 , et des tailles de grains de 0,3 mm et 0,36 mm pour l’alliage
Al-Mg-Sc.
a avec ψ nul b avec ψ non nul
Malgré cet avantage apparent de l’emploi d’une matrice d’angle
Figure 3 – Schéma de la matrice de la technique ECAP avec deux interne inférieur à 90 , un compromis doit donc être trouvé entre la
angles F et Y
valeur de la déformation recherchée par passe et les valeurs de F et
de Y qui puissent faciliter la réalisation de la matrice et la mise en
En pratique, cet angle est pris entre 45 [25] et 157,5 [1]. Dans le œuvre expérimentale de l’essai, tout en évitant la fissuration des
cas où F est égal à 90 , la déformation équivalente vaut 1,15 pour pièces déformées.
un seul passage à travers la matrice, soit une déformation de 11,5
pour 10 passes. En réalité, les matrices possèdent deux angles d’in- L’influence de chacun de ces deux paramètres F et Y sur les pro-
tersection entre les deux canaux (figure 3b), l’un interne, noté F et priétés des matériaux hyperdéformés par ECAP sera revue plus en
l’autre externe, noté Y. détail dans les paragraphes 6.1 et 6.2.
L’angle Y décrit la courbure externe des deux canaux. Cet angle Bien sûr, il est plus facile de déformer par ECAP une pièce consti-
peut varier de 0 à p - F [26]. Une formulation (équation (2)), plus tuée d’un matériau très dur en ouvrant l’angle interne de la matrice
générale de la déformation équivalente, a donc été proposée [26] à plus de 90 .
pour tenir compte de cette géométrie de la matrice. Cette équation
montre que les angles F et Y sont deux paramètres importants
dans la détermination de la quantité de déformation appliquée à Exemple : il a été montré qu’il n’était pas possible de déformer du
la pièce à déformer : tungstène de pureté commerciale à travers une matrice de 90 à
1 273 K sans fissurer la pièce à déformer. Au contraire, d’excellents
N   Φ Ψ  Φ Ψ résultats ont été obtenus à la même température d’extrusion avec un
εN = 2 cot  2 + 2  + Ψ / sin  2 + 2   (2) angle interne de 110 [27].
3 

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M3042

Texture et anisotropie des matériaux

polycristallins
Propriétés des matériaux texturés
par Claude ESLING
Professeur émérite à l’Université de Lorraine
Laboratoire d’Étude des Microstructures et de Mécanique des Matériaux & Laboratoire
d’Excellence DAMAS, Université de Lorraine, Metz, France

Cet article est la réédition actualisée de l’article [M 605] intitulé « Texture et anisotropie
des matériaux » paru en 1997, rédigé par Hans-Joachim Bunge et Claude Esling.

1. Anisotropie macroscopique.......................................................... M 3 042 – 2

1.1 Moyennes du premier ordre sur les textures .................................... — 3
1.2 Moyennes d’ordre supérieur ............................................................. — 3
1.2.1 Moyenne de Voigt-Reuss-Hill .................................................. — 3
1.2.2 Modèles autocohérents ........................................................... — 4
1.2.3 Modèles de type cluster .......................................................... — 4
1.3 Facteurs de texture et d’anisotropie .................................................. — 4
1.4 Propriétés de rang 4 dans les matériaux cubiques ........................... — 6
1.5 Anisotropie plastique ......................................................................... — 7
1.5.1 Expression du travail de déformation plastique .................... — 7
1.5.2 Contrainte uniaxiale – Coefficient d’anisotropie r .................. — 8
1.5.3 Contrainte biaxiale – Courbes limites d’écoulement
plastique .................................................................................. — 9
1.5.4 Modèle de Taylor ..................................................................... — 9
2. Propriétés des joints de grains .................................................... — 11
3. Optimisation des microstructures et des propriétés
par application de champs magnétiques ................................... — 11
4. Conclusion........................................................................................ — 12
5. Glossaire ........................................................................................... — 13
6. Symboles .......................................................................................... — 14
7. Remerciements ................................................................................ — 15
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. M 3 042

C et article termine une série de trois consacrés aux textures cristallographi-

ques dans les matériaux polycristallins. Après l’article sur les techniques
et méthodes de la description des textures [M 3 040], celui sur les mécanis-
mes de formation des textures [M 3 041], celui-ci vise à étudier les propriétés
des matériaux possédant une texture cristallographique. La texture, de même
que d’autres paramètres structuraux, comme par exemple les joints de grains,
peut fortement influencer les propriétés des matériaux polycristallins. En fait,
les propriétés des matériaux dépendent de multiples paramètres, tels que la
structure cristalline, la composition chimique des phases, l’orientation cristal-
line et les défauts de réseau. Cet article ne traite que de l’influence de l’orienta-
tion cristalline sur les propriétés des matériaux, c’est-à-dire de l’effet dû à
la texture et aux grandeurs texturales d’ordre élevé, les autres influences possi-
Parution : septembre 2017

bles étant considérées comme acquises. L’orientation cristalline influence

les propriétés des matériaux via l’anisotropie cristalline : dépendance des
propriétés par rapport à la direction cristallographique. Les industriels sont

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M3042

TEXTURE ET ANISOTROPIE DES MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

intéressés notamment par les propriétés mécaniques qui déterminent le com-

portement lors de la mise en forme et la tenue en service. Or, les propriétés
des matériaux polycristallins ne sont pas les simples moyennes arithméti-
ques des propriétés des monocristaux. Les grains monocristallins, qui sont
les constituants élémentaires du matériau, ne sont pas indépendants les uns
des autres, mais au contraire corrélés par l’ensemble de l’édifice polycristallin.
La propriété physique moyenne inclut toutes les influences liées à la structure
de l’édifice polycristallin.
Le lecteur trouvera en fin d’article un tableau des symboles utilisés.

1. Anisotropie macroscopique

En particulier, trois influences différentes impactant les proprié-

tés physiques des matériaux polycristallins peuvent être distin-
guées comme le montre schématiquement la figure 1 :
– anisotropie macroscopique ;
– discontinuité des propriétés à travers les joints de grains ; Microanisotropie Microanisotropie
– propriétés particulières des joints de grains. des cristaux du matériau

L’article décrit de façon détaillée comment l’anisotropie macro- a la répartition non aléatoire des orientations cristallines
scopique apparaı̂t comme la moyenne des anisotropies microsco- peut conduire à une anisotropie macroscopique du matériau.
piques pondérées par le poids statistique des différentes orienta-
tions cristallines, c’est-à-dire pondérées par de la fonction de
densité des orientations de la texture. g1 g2 g3 g4 Cristallites

L’anisotropie des propriétés physiques dans les monocristaux

peut s’exprimer de deux façons particulières : dépendance direc-
Discontinuité
tionnelle et dépendance de l’orientation [1] [2] [3].

& Dépendance directionnelle

Les propriétés qui sont mesurées le long d’une direction peuvent
être décrites en traçant le long de cette direction une longueur pro-
portionnelle à leur valeur numérique. Cela est illustré par l’exemple
du module d’Young E(h) tracé en fonction de la direction crystal- g1 g2 g3 g4
line h (figure 2). La loi de Hooke, reliant les contraintes s(h) aux Orientation des cristaux
déformations élastiques e(h), peut donc s’écrire :
b les anisotropies des cristallites, orientées différemment,
σ (h ) = E (h ) ⋅ ε (h ) ; E = E (h ) = E ⎡⎣h1 h 2 h 3 ⎤⎦ (1) donnent lieu à des discontinuités de propriétés à travers
les joints de grains.
& Dépendance de l’orientation
Les propriétés élastiques peuvent également être décrites au
moyen de tenseurs :

σij = Cijkl ⋅ εkl (2) Propriété des joints de grains

la sommation portant sur les indices muets répétés k et l, confor-

mément à la convention d’Einstein. L’équation (2) est généralement
rapportée aux axes cristallins KB. Si nous voulons considérer des
grandeurs moyennes pour des cristaux ayant différentes orienta-
Δg1 Δg2 Δg3
tions g, nous devons alors rapporter les composantes des tenseurs
pour tous ces cristaux à un même système de coordonnées macro- Différence d’orientations
scopique KA (figure 4 de [M 3 040]). La transformation du système au travers des joints de grains
de coordonnées cristallin KB vers le système de l’échantillon KA est
c les joints de grains peuvent avoir des propriétés déviant de celles
donnée par la formule de transformation tensorielle (ici de rang 4). du matériau massif à l’intérieur des cristallites.
Cijkl (g ) = Cmnop
0 ⋅ gim ⋅ g jn ⋅ gko ⋅ glp (3)

où les g ij sont les composantes de la matrice d’orientation du Figure 1 – Trois aspects différents de l’anisotropie cristalline dans
réseau cristallin local d’après l’équation (3) de [M 3 040]. les matériaux polycristallins

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––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– TEXTURE ET ANISOTROPIE DES MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS

R est le rang de la propriété, identique au rang du tenseur corres-

[001]
pondant lorsque cette propriété peut être décrite par un tenseur ;
les propriétés élastiques sont de rang R = 4. Les moyennes (4)
et (5) prennent alors la forme :
h
R N(λ )
µ
E (y ) = ∑ ∑ e λ K λµ (y ) (8)
λ = 0 ν =1

[010]
M(λ ) µ µν
eλ C λ
[100]
e µλ = ∑ 2λ + 1
(9)
µ =1
a une propriété qui ne dépend que d’une direction peut être mesurée
dans un échantillon monocristallin prélevé dans la direction h.
R M(λ ) N (λ )
C λµν (ijkl ) ⋅ C λµν
C ijkl = ∑∑ ∑ 2λ + 1
(10)
λ = 0 µ =1 ν =1

La plupart des propriétés physiques sont de rang R faible, si bien

que les équations (8) et (9) ne contiennent qu’un nombre limité de
termes. Les rangs de diverses propriétés sont énumérés dans le
h tableau 1. Il convient de noter que toutes les propriétés de second
ordre sont isotropes dans les cristaux cubiques et ne sont donc pas
influencées par la texture.

1.2 Moyennes d’ordre supérieur

Les équations (4) et (5) constituent des moyennes du premier
ordre, on suppose donc que chaque cristallite ou élément de
b surface représentative du module de Young du fer volume contribue à l’anisotropie comme s’il n’était pas influencé
par les cristaux voisins dans l’agrégat. À strictement parler, cela
n’est jamais vrai dans un agrégat polycristallin. Cependant, il existe
Figure 2 – Illustration d’une propriété dépendant de la direction de nombreux cas où les moyennes de premier ordre constituent
des approximations satisfaisantes. Les approximations d’ordre
supérieur prennent en compte l’interaction entre les cristaux ou
1.1 Moyennes du premier ordre éléments de volume voisins. Par conséquent, elles dépendent non
sur les textures seulement de la texture, mais également de grandeurs texturales
d’ordre supérieur appropriées. Cela pose deux problèmes :
Les deux types de fonctions de propriétés (1) et (2) sont moyen- – quelles sont les grandeurs texturales d’ordre supérieur appro-
nées avec respectivement les deux types de fonctions de texture priées pour une propriété physique particulière et quelles sont les
A(h, y) (équation 47 et f (g), équation 7, de [M 3 040]) : interactions avec les cristaux voisins ?
Nota : y définit une direction dans l’échantillon (macroscopique), alors que h définit – comment mesurer ces grandeurs ?
une direction dans un réseau cristallin (microscopique).
Ces deux problèmes ne connaissent pas de solutions générales.
1
∫ E (h ) ⋅ A (h, y ) dh ; dh =
E (y ) = 
4π
sin θ dθ dγ (4) Ainsi, on a proposé certaines moyennes d’ordre supérieur, qui sont
des hypothèses (la plupart du temps de façon implicite) à propos
des grandeurs texturales d’ordre supérieur adéquates.
1
∫ Cijkl (g ) ⋅ f (g ) dg ; dg =
Cijkl = 
8π 2
sin φ dφ dφ1 dϕ2 (5)
1.2.1 Moyenne de Voigt-Reuss-Hill
Les propriétés élastiques peuvent être exprimées de deux façons
Il est particulièrement commode d’exprimer ces deux fonctions en
équivalentes :
termes de développement en série (respectivement (56) et (55)
dans [M 3 040]). À cet effet, les fonctions de propriétés E(h) et Cijkl(g)
doivent également être exprimées de cette façon. On écrit : σij = Cijkl ⋅ εkl ; εij = Sijkl ⋅ σkl ; Sijkl = ⎡⎣Cijkl ⎤⎦ −1 (11)

R M( λ)
Les tenseurs Cijkl des constantes (ou rigidités) élastiques et Sijkl
E (h ) = ∑ ∑ eλµ K λµ (h ) (6)
λ = 0 µ =1
des compliances élastiques sont inverses l’un de l’autre et peuvent
être calculés l’un à partir de l’autre [4] [5]. Cependant, le calcul de la
moyenne du premier ordre donne un résultat différent selon qu’on
R M(λ ) N (λ ) l’applique à Sijkl ou à Cijkl (équation (5)). Ces moyennes du premier
Cijkl (g ) = ∑ ∑ ∑ Cλµν (ijkl ) ⋅Tλµν (g ) (7) ordre sont appelées moyennes de Voigt et de Reuss respective-
λ = 0 µ =1 ν =1 ment. Plus l’anisotropie élastique est grande, plus cette différence
augmente. La figure 3 présente les courbes calculées du module
où eλµ et C λµν (ijkl ) sont des constantes décrivant la propriété phy- d’Young dans le plan de laminage pour Al, Fe et un alliage CuZnAl
sique du monocristal, en l’occurrence, les propriétés élastiques. hautement anisotrope. Il apparaı̂t que la différence augmente avec

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M3042

TEXTURE ET ANISOTROPIE DES MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

Tableau 1 – Rang R de certains propriétés physiques anisotropes

Ordre de la dépendance
Propriété anisotrope Relation entre :
directionnelle (rang de la propriété)

Pyroélectricité Température Polarisation électrique 1

Dilatation thermique Température Déformation 2

Conductivité thermique Gradient de température Densité de flux thermique 2

Conductivité électrique Champ électrique Densité de courant électrique 2

Susceptibilité diélectrique Champ électrique Déplacement électrique 2

Perméabilité magnétique Champ magnétique Induction magnétique 2

Diffusion Gradient de concentration Courant de diffusion 2

Piézoélectricité Contraintes mécaniques Polarisation électrique 3

Magnétostriction Champ magnétique Déformation 4

Photoélasticité Contrainte Indice de réfraction 4

Élasticité linéaire Contrainte Déformation 4

Élasticité non linéaire 6

Énergie magnétocristalline Direction Énergie (6)

l’anisotropie. Selon Hill, les moyennes suivantes de ces deux cas paramètres sur les propriétés élastiques macroscopiques effectives
limites peuvent être utilisées : du cuivre. Un modèle cluster utilisé en élasticité ne serait ni un
cas ‘Voigt’ (tous les grains du polycristal ont la même déformation)
1⎡ −1 ni un cas ‘Reuss’ (tous les grains ont la même contrainte). Si dans
C ijkl = C ijkl + ⎡⎣S ijkl ⎤⎦ ⎤⎥
2 ⎢⎣ ⎦ (12)
une application spécifique tous les clusters considérés par le
−1 ⎤
modèle reçoivent la même déformation élastique et si on dispose
1⎡
S ijkl = ⎢S ijkl + ⎡⎣C ijkl ⎤⎦ ⎥ d’un moyen pour calculer le tenseur de contrainte moyen (mais
2⎣ ⎦ exact) de chaque cluster, le théorème de Voigt s’appliquerait à cet
ensemble de clusters, donnant une valeur plus précise de la
Mais là encore, ces deux moyennes ne sont pas strictement iden- contrainte moyenne de l’ensemble des clusters que le modèle de
tiques. Le schéma de calcul de moyennes selon l’équation (12) peut Voigt. Pour des cas simples dans lesquels les tenseurs de
alors être itéré jusqu’à ce qu’il converge vers une moyenne unique. contrainte n’ont qu’une composante non nulle, celle-ci serait plus
De nombreuses autres techniques empiriques de calcul de moyen- petite que celle de l’approche Voigt et plus grande que l’approche
nes ont également été proposées. Reuss. Des raisonnements similaires s’appliquent au modèle de
Reuss.
1.2.2 Modèles autocohérents D’autres modèles, autocohérents ou de type cluster, ont égale-
La moyenne de Kröner [6] est obtenue en résolvant le problème ment été utilisés pour l’anisotropie plastique, en remplacement de
l’hypothèse de Taylor de premier ordre, à savoir l’homogénéité de
limite pour l’inclusion monocristalline dans un environnement
la déformation. Il est intéressant de noter que les interactions des
polycristallin, éventuellement anisotrope. Les propriétés de ce
grains sont particulièrement fortes dans les matériaux ferromagné-
milieu homogène équivalent sont les moyennes sur la texture des
tiques et ferroélectriques.
valeurs ainsi obtenues pour les orientations individuelles (modèle
autocohérent ou self consistent). Cette méthode est mieux fondée
que l’hypothèse de Hill, mais elle suppose néanmoins une struc- 1.3 Facteurs de texture et d’anisotropie
ture particulière de l’agrégat, telle que les corrélations des orienta-
tions selon leur position soient aléatoires. Si nous négligeons la forme de la dépendance directionnelle et
ne conservons que sa valeur absolue, alors l’anisotropie peut être
1.2.3 Modèles de type cluster caractérisée par le rapport entre les valeurs maximale et minimale
de la propriété physique considérée :
Des approximations d’ordre encore plus élevé sont obtenues en
utilisant la fonction d’agrégat complète (équation (1) de [M 3 040]) Emax
A −1 (13)
plutôt que les paramètres statistiques (modèles de type cluster) Emin
(figure 4).
L’anisotropie macroscopique d’un matériau peut alors être expri-
Le modèle de cluster peut être utilisé avec différentes formes de
mée par l’anisotropie microscopique et un facteur de texture T sous
grains, ainsi que pour toute distribution des orientations gi sur les
la forme :
positions xi au sein du cluster. Cela permet d’approximer une
grande variété de fonctions d’agrégat g(x) différentes (équation (1) (14)
Amacro = Amicro ⋅T 0 ≤T ≤ 1
de [M 3 040]). La figure 5 montre l’influence de certains de ces

M 3 042 – 4 Copyright © - Techniques de l’Ingénieur - Tous droits réservés

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M4011

Joints de grains
Théorie et expérimentation
par Louisette PRIESTER
Docteur en sciences physiques – Professeur émérite
Université Paris XI Orsay
ICMPE/UMR 7182 CNRS Thiais

et Jany THIBAULT-PENISSON
Docteur en sciences physiques – Directeur de Recherches CNRS
IM2NP/UMR 6242 CNRS, Université Paul Cézanne Marseille

1. Contexte ........................................................................................... M 4 011 – 2

2. Description géométrique............................................................... — 2
2.1 Paramètres géométriques .................................................................. — 3
2.2 Bicristallographie ............................................................................... — 3
2.2.1 Notion de coı̈ncidence ............................................................. — 4
2.2.2 Réseau DSC.............................................................................. — 4
2.3 Limites de la description géométrique .............................................. — 5
2.3.1 Relation d’interface.................................................................. — 5
2.3.2 Joint de flexion/joint de torsion .............................................. — 5
2.3.3 Plan du joint de grains ............................................................ — 5
2.4 Géométrie d’un joint de grains et énergie intergranulaire ............... — 5
2.4.1 Énergie et paramètres géométriques macroscopiques .......... — 6
2.4.2 Énergie et paramètres géométriques microscopiques .......... — 6
2.5 Mesure des paramètres géométriques .............................................. — 7
2.5.1 Rotation relative entre deux cristaux ...................................... — 7
2.5.2 Plan du joint de grains ............................................................ — 7
2.5.3 Translation rigide ..................................................................... — 8
3. Description mécanique : dislocations intrinsèques................. — 8
3.1 Modèle de Read et Shockley : joint de faible désorientation ........... — 9
3.2 Généralisation à tout joint de grains ................................................. — 9
3.2.1 Approche continue de Frank et Bilby ...................................... — 9
3.2.2 Approche discrète de Bollmann .............................................. — 9
3.3 Limites de la description mécanique ................................................. — 11
3.4 Observation des dislocations intrinsèques ....................................... — 11
4. Structure atomique des unités structurales ............................. — 12
4.1 Modèle des unités structurales.......................................................... — 12
4.2 Modèle « unités structurales/dislocations intrinsèques » ................ — 14
4.3 Limites du modèle d’unités structurales ........................................... — 14
5. Simulations et observations atomistiques ................................ — 15
5.1 Simulations ........................................................................................ — 15
Parution : juin 2010 - Dernière validation : juin 2019

5.1.1 Méthodes ................................................................................. — 15

5.1.2 Conditions aux limites ............................................................. — 16
5.1.3 Potentiels et approximations .................................................. — 16
5.2 Observations en METHR .................................................................... — 17
6. Structure électronique................................................................... — 18
7. En conclusion .................................................................................. — 18
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. M 4 011

es joints de grains dans un matériau cristallin sont des interfaces homopha-

L ses, c’est-à-dire situées entre deux cristaux de même structure et de même

Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie

est strictement interdite. – © Editions T.I. M 4 011 – 1

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M4011

JOINTS DE GRAINS ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

composition. Les interfaces hétérophases entre deux cristaux de structures dif-

férentes, ou appartenant à des matériaux différents, a priori plus complexes,
ont donné lieu antérieurement à des approches qui leur sont spécifiques. Elles
peuvent cependant être abordées avec les mêmes concepts et les mêmes outils
que ceux utilisés pour les joints de grains.
Ainsi, cet article consacré aux interfaces homophases peut servir de base à la
compréhension de tout type d’interface, et ce dans différents matériaux cristal-
lins : métaux, céramiques, semi-conducteurs…
Les interfaces constituent des éléments majeurs de la microstructure d’un
matériau et jouent un rôle primordial dans la plupart de ses propriétés
d’emploi.

1. Contexte 2 cm 2 mm 1 mm

Le présent article est consacré au joint de grains parfait dont les

différentes descriptions sont présentées de manière historique.
Celles-ci se sont développées séparément, parfois de manière
contradictoire. Finalement, les divergences ont été dépassées, l’en-
semble des approches converge vers une théorie cohérente des
joints de grains. Vue à l’œll Vu en Microscopie optique Vu en OIM(EBSD)
a lingotin b microstructure c mésostructure
Dans un premier temps, le joint est défini et décrit géométrique- à l'échelle de la
(macrostructure)
ment en utilisant les outils de la bicristallographie (extension de la microscopie optique
cristallographie au bicristal).
Cristal 1 0,5 nm
S’agissant d’un défaut par rapport au monocristal, un joint se joints de
forme par introduction de déformations locales dont l’organisation grains
conduit à un second mode de description « mécanique » du joint
de grains en termes de dislocations. Cristal 2
La description atomique fait l’objet de la troisième approche,
1 mm
étroitement associée à la précédente, sachant qu’un défaut cristal-
lin est toujours une rupture de périodicité dans l’arrangement Vu en M.E.T. Vu en METHR
atomique. d microstructure e bicristal
électronique (structure atomique)
Enfin, pour comprendre des changements de cohésion d’un joint
en présence d’un soluté (ou impureté), ou pour expliquer les pro-
priétés électriques spécifiques de certains joints, une description Figure 1 – Observations des joints de grains à diverses échelles
électronique doit compléter les approches précédentes. Pour
chaque type d’approche, ses limites et ses méthodes d’étude sont – l’existence de jonctions triples entre joints qui imposent une
précisées. contrainte à chacun d’entre eux et qui, par ailleurs, ont leurs pro-
pres comportements ;
& Les descriptions des joints de grains présentées ici sont valables
– les joints de grains forment un ensemble dans le polycristal, où
quelle que soit la taille des grains, pourvu qu’elle soit supérieure à
la distribution des divers types de joints doit influer sur le compor-
0,1 micromètre. En deçà, on atteint le domaine des nanocristaux où
tement global du matériau.
le volume occupé par les joints de grains est largement supérieur à
celui du volume des grains et où la région intergranulaire est
encore mal connue. Une bonne connaissance des joints de grains requiert donc
une approche multi-échelles allant de l’atome à l’échantillon
 Les descriptions concernent tout d’abord le joint de grains par- polycristallin (figure 1).
fait soit construit à partir des données cristallographiques pour les
simulations soit isolé dans un bicristal de géométrie et de chimie
bien contrôlées. À l’instar des divers arrangements atomiques
dans les cristaux, les atomes s’organisent différemment dans les
régions intergranulaires conduisant à divers types de joints. 2. Description géométrique
 La connaissance du cristal parfait est nécessaire pour décrire
ses défauts et comprendre le cristal réel. De même, la connaissance
du joint de grains parfait permet d’aborder le joint réel, le plus sou- Dans une région où il y a interpénétration de deux structures
vent situé dans un polycristal. Plusieurs problèmes se posent en périodiques, il est logique d’envisager la préservation d’un certain
pratique : ordre « géométrique ». Déterminer cet ordre requiert, tout d’abord,
– la description des défauts intergranulaires et leur rôle dans les de préciser les paramètres de la transformation qui relie les deux
propriétés du joint de grains ; cristaux.

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À partir de là, on peut décrire le réseau du bicristal qui, à l’instar – le plus souvent l’axe est incliné par rapport au plan du joint, ce
du réseau du cristal et de ses imperfections, permet d’approcher la dernier est dit « mixte » ;
structure et les défauts de structure du joint. Mais, un joint n’existe – l’orientation cristallographique du plan du joint dans chaque
qu’en présence d’un plan, il est nécessaire de prendre en compte la cristal permet de distinguer les « joints symétriques » {kkl}1  {kkl}2
position de ce plan dans la région intergranulaire pour décrire com- des « joints asymétriques » {kkl}1 π {kkl}2. Mais, cette distinction
plètement l’objet « joint de grains ». n’est valable qu’à une échelle relativement grossière, une transla-
Pour plus de détails sur cette description, le lecteur pourra tion rigide t d’un plan dans un cristal par rapport au plan de
consulter les références [1], [2] et [3]. mêmes indices dans l’autre cristal induit une rupture de symétrie à
l’échelle atomique en préservant un plan de joint identique dans les
deux cristaux.
2.1 Paramètres géométriques Par ailleurs, un plan rectiligne à l’échelle mésoscopique est sou-
vent composé de facettes aux échelles microscopique et nanosco-
Un joint de grains sépare deux cristaux reliés l’un à l’autre par pique (figure 3), [3].
une équation de la forme :
Toute terminologie appliquée aux joints de grains est donc
x2 = ( A / t ) G1 x1 (1) ambiguë si l’échelle à laquelle on l’applique n’est pas précisée.

avec x1 et x2 vecteurs définissant des points homologues

dans les cristaux (1) et (2), 2.2 Bicristallographie
A transformation linéaire homogène, & Lors de la formation d’un bicristal, les atomes de chacun des
t vecteur de translation rigide du cristal (2) par cristaux conservent leur position loin du plan du joint. Cependant,
rapport au cristal (1), des relaxations interviennent au voisinage de ce plan, permettant
G1 toute opération du groupe d’espace du cristal de préserver au mieux deux invariants : le réseau du cristal et un
(1). réseau commun aux deux cristaux dit « réseau de coı̈ncidence ».

& Neuf paramètres géométriques ou degrés de liberté sont néces-

saires pour décrire un joint de grains (tableau 1, figure 2) :
– 6 paramètres précisent l’opération d’interface qui relie les deux
cristaux (équation (1)) : t
 3 paramètres macroscopiques pour la transformation A,
 3 paramètres microscopiques pour le vecteur de translation
rigide t ;
– 3 paramètres définissent le plan de l’interface : 2 paramètres
macroscopiques définissent son orientation, donnée par la normale a rotation d'un angle q b translation d'un cristal
d'un cristal par par rapport à l'autre
n au plan, et 1 paramètre microscopique précise sa position par d'un vecteur t
rapport à l'autre
une distance d sur la normale.
& Dans les systèmes cubiques où A est toujours une rotation R :
– 1 paramètre macroscopique donne l’angle de rotation q ;
– 2 paramètres sont les cosinus directeurs de l’axe de la rotation
[uvw]. n

& Pour les joints de grains dans les matériaux de symétrie non
cubique, la transformation A est généralement le produit d’une
rotation par une déformation. Un défaut d’empilement correspond
à une translation rigide seule.
 Une terminologie particulière s’applique aux joints de grains c inclinaison (définie par n) d formation d'un bicristal
et position du plan joint par rejet des atomes
selon les orientations relatives de l’axe de la rotation [uvw] et du de chaque cristal d'un
plan du joint {hkl} : côté ou de l'autre du
joint de grains
– si l’axe de rotation est contenu dans le plan du joint, on obtient
un joint de flexion ;
– s’il est perpendiculaire à ce plan, c’est un joint de torsion ; Figure 2 – Différentes positions d’un cristal par rapport à l’autre

Tableau 1 – Les neufs degrés de liberté d’un joint de grains

Paramètres macroscopiques Paramètres microscopiques

Nombre Type Nombre Type

2 Axe de rotation [uvw] 2 Translation dans le plan du joint t1 et t2

Opération d’interface
1 Angle de rotation q 1 Expansion normale au plan t3

Position du plan d
Plan d’interface 2 Orientation du plan du joint n 1
d<n

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JOINTS DE GRAINS ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

Plan de joint

(212)1//(767)2

(767)1//(212)2 Σ = 5 ( θ = 36°9 <100>)

Figure 4 – Maille de coı̈ncidence d’un bicristal de structure cubique

délimitée par les nœuds bicolores communs aux deux cristaux
10 nm 1 nm
a vue en MET b en haute résolution
Le plan du joint est composé de “larges” facettes (L ≈ 50 nm), elles
- mêmes formées de facettes beaucoup plus petites.
En haute résolution, une facette large apparaît formée de parties
asymétriques, de plan {111} dans le cristal C1 et de plan {331} dans
le cristal C2, et de petites parties symétriques de plan {332} dans
chaque cristal.

Figure 3 – Observation d’un bicristal de nickel en MET et par haute

résolution

2.2.1 Notion de coı̈ncidence

Le réseau de coı̈ncidence, nommé de manière ambiguë « réseau
de sites de coı̈ncidence » (CSL), est formé en considérant les
nœuds (et non les sites atomiques) communs aux réseaux des Réseau I
deux cristaux.

Mathématiquement, il résulte de l’intersection des sous-grou- Réseau II

pes de translation des réseaux T1 et T2 des cristaux :

CLS = T1 ∩ T2
Pour la maille en trait plein (UU’) : σ1 = 87, σ2 = 26 et la
déformation nécessaire pour parfaire la coïncidence ε = 0,014.
Pour la maille en pointillés (VV’) σ1 = 39, σ2 = 12, ε = 0,039
Ce réseau est caractérisé par un indice de coı̈ncidence S égal au On utilise le symbole « s » pour caractériser une coïncidence
rapport entre le volume de la maille de coı̈ncidence et le volume de bidimensionnelle et Σ pour une coïncidence tridimension-
la maille primitive du cristal. S est aussi l’inverse de la densité de nelle.
nœuds communs dans la maille de coı̈ncidence (figure 4). C’est
un entier, impair pour les matériaux cubiques, qui varie d’une
manière discontinue avec q. Figure 5 – Représentation de deux mailles multiples possibles
donnant lieu à deux relations de coı̈ncidence approchée dans le plan
du joint (0001) // (1011) dans l’alumlne rhomboédrique
Bien que la notion de coı̈ncidence soit purement géométrique
et ne recouvre aucune signification physique, les joints de
grains sont souvent, – par commodité – caractérisés en se réfé- multiples des cristaux. Cependant, une coı̈ncidence dite « appro-
rant à cette notion. chée » peut être définie, lorsqu’une maille multiple M1 du cristal
(1) est sensiblement superposée par rotation à une maille multiple
M2 du cristal (2). Une légère déformation est alors nécessaire pour
& Dans le cas de la symétrie cubique, une relation de coı̈ncidence parfaire la superposition. La transformation A (équation (1)) qui
tridimensionnelle exacte existe quelle que soit la rotation autour relie la maille (1) à la maille (2) consiste alors en une rotation R sui-
d’un axe d’indices rationnels. Dans ce cas, la transformation A de vie d’une déformation D et deux indices sont souvent requis pour
l’équation (1) est simplement une rotation R. définir la coı̈ncidence (figure 5) [4].
& En revanche, pour les matériaux de symétrie autre que cubique, Un joint réel peut être approximé à deux joints voisins d’indices
hexagonale ou rhomboédrique, par exemple, seules quelques rares de coı̈ncidence approchée différents, moyennant des déformations
rotations autour de l’axe de symétrie, sénaire ou ternaire, condui- différentes. Seule une analyse approfondie du joint permet de pré-
sent à des relations de coı̈ncidence exacte, valables quel que soit ciser la structure adoptée.
le rapport c/a entre les vecteurs unitaires. Pour tout autre axe de
rotation, des relations de coı̈ncidence dites « spécifiques » n’exis- 2.2.2 Réseau DSC
tent que pour des valeurs très précises du rapport c/a qu’aucun
matériau réel ne possède exactement. Il en résulte qu’aucun angle Le sigle DSC provient de la terminologie anglaise originale « Dis-
de rotation ne permet de superposer exactement deux mailles placement Shift Complete ». Plus récemment et plus explicitement,

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Par exemple la croissance d’un bicristal S3 dans un matériau CFC

se fait suivant un axe <110>, la description appropriée est alors
70 53 <110>.
Parmi toutes les descriptions équivalentes, il en existe générale-
ment une (ou plusieurs) d’angle de rotation 180 <uvw> qui a un
intérêt particulier car elle indique le (les) plan(s) de symétrie du joint
de grains. Ainsi, le joint S3 est décrit par 180 <111> ou autour de
<211>, les plans {111} et {211} étant les plans de symétrie des macles
dans le système cubique.

& Des tables donnant les descriptions équivalentes des joints coı̈n-
cidents (S ł 101) ont été établies pour le système cubique [5] et
pour les systèmes hexagonaux et rhomboédriques, en prenant en
compte différentes valeurs du rapport c/a ([6], [7]).
a S5 b S 13
Nota. Par la suite, pour des raisons de simplification, on appellera « désorientation »
Réseaux DSC (traits fins) associés à deux mailles de coïncidence. toute relation d’orientation équivalente entre deux cristaux.
Ces réseaux découpent les côtés des mailles de coïncidence en cinq et
treize, respectivement
b1 et b2 sont les vecteurs élémentaires du réseau DSC. 2.3.2 Joint de flexion/joint de torsion
Un troisième vecteur b3 est normal (ou sensiblement normal) au plan
de la figure. L’existence de descriptions équivalentes entraı̂ne une ambiguı̈té
pour caractériser le caractère de flexion, ou de torsion, d’un joint
de grains. Tout joint dans un matériau centro-symétrique peut être
Figure 6 – Réseaux DSC associés à deux mailles de coı̈ncidence décrit comme un joint de flexion symétrique de plan {hkl}, ou
comme un joint de torsion d’angle 180 autour de <HKL>, ou
encore comme un joint mixte autour d’un axe équivalent par symé-
on l’associe à « Displacement Symmetry Conserving ». En effet, trie à <HKL>.
une translation du réseau de coı̈ncidence égale à un vecteur du Toutes les descriptions sont aussi valables géométriquement. Si
réseau DSC laisse le réseau CSL inchangé. on ne connaı̂t pas le mode d’élaboration d’un joint de grains quel-
conque (c’est généralement le cas dans un poly-cristal), et en
Le réseau DSC est le réseau union des sous-groupes de trans- l’absence d’informations sur sa structure (voir § 3 et § 4), rien ne
lation des deux réseaux cristallins : DSC = T1 ∪ T2 . permet de préciser le caractère « flexion/torsion » de ce joint.
C’est donc le réseau de translation du bicristal qui définit les
vecteurs de Burgers des dislocations parfaites des joints de
grains [1]. 2.3.3 Plan du joint de grains
Observé en microscopie optique ou en balayage, le plan du joint
La figure 6 montre les vecteurs de base du réseau DSC dans le apparaı̂t souvent courbe. Cet aspect résulte des nombreuses facettes
plan de deux joints de torsion, S = 5 et S = 13. L’intensité des vec- qui généralement le composent, visibles aux échelles plus fines (cf.
teurs élémentaires du réseau DSC diminue lorsque l’indice de coı̈n- figure 3). Il est donc souvent impossible de caractériser un plan de
cidence augmente. Cependant, les vecteurs de Burgers des disloca- joint unique. On ne peut le faire que pour un plan moyen qui n’a
tions intergranulaires ne sont pas nécessairement élémentaires, ils aucun sens physique. En effet, c’est le plan du joint à l’échelle ato-
peuvent correspondre à des combinaisons linéaires des vecteurs mique qui détermine la structure fine et l’énergie d’un joint de grains.
de base.
Lorsque le joint est asymétrique, {hkl}1 π {hkl}2, son orientation
est précisée par l’angle j entre son plan et celui du joint symé-
2.3 Limites de la description géométrique trique de même désorientation.

2.3.1 Relation d’interface

& L’orientation relative de deux cristaux (équation (1)) n’est pas 2.4 Géométrie d’un joint de grains
unique. Elle s’exprime par n’importe laquelle des transformations et énergie intergranulaire
A « équivalentes » déduites l’une de l’autre par une opération de
symétrie du cristal. La présence d’un joint de grains entraı̂ne une augmentation de
l’énergie de l’ensemble bicristallin par rapport à celle du cristal par-
Exemple : la macle S3 dans le système cubique peut résulter fait. L’énergie libre Ej ou g d’un joint de grains, souvent exprimé en
d’une des rotations suivantes : 60 autour de <111>, 70 53 autour mJ.m–2, est donnée pour un matériau pur par :
de <110> ou encore 180 autour de <111> ou <211>.
Pour la symétrie cubique, les rotations équivalentes pour décrire la ∂G
rotation relative entre le cristal (1) et le cristal (2) sont au nombre γ = (2)
∂AT ,P
N = 1 152 = (24 x 24 x 2).
avec G énergie libre de Gibbs,
Par convention, on caractérise le joint de grains par sa déso- A aire du joint de grains
rientation (Nota) qui correspond au plus petit angle de rotation
autour d’un axe situé dans le triangle stéréographique standard. T température maintenues
 constantes
P pression 
& La notion de désorientation n’a aucune signification particulière.
Une autre description peut avoir un sens plus physique. En présence de solutés, les variables de composition (potentiels
chimiques mi) sont également maintenues constantes.

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M4012

Le joint de grains réel

Influences de la température
et de la chimie
par Jean-Philippe COUZINIÉ
Docteur en Métallurgie et Matériaux – Maı̂tre de Conférences
Université Paris-Est Créteil (UPEC)
ICMPE/MCMC/CNRS, 94320 Thiais

Brigitte DÉCAMPS
Docteur en Sciences Physiques – Directeur de Recherche CNRS
CSNSM/IN2P3
Université Paris-Sud XI, 91405 Orsay

et Louisette PRIESTER
Docteur en Sciences Physiques – Professeur émérite
Université Paris-Sud XI, 91405 Orsay
ICMPE/MCMC/CNRS, 94320 Thiais

1. Joints de grains en température.................................................. M 4 012 – 2

1.1 Changement de phases solide/solide aux joints de grains .............. — 2
1.2 Fusion aux joints de grains................................................................ — 3
2. Interactions entre défauts ponctuels et joints de grains :
la ségrégation .................................................................................. — 5
2.1 Aspects thermodynamiques de la ségrégation d’équilibre .............. — 5
2.1.1 Modèles basés sur la thermodynamique classique ............... — 5
2.1.2 Modèles basés sur la thermodynamique statistique ............. — 6
2.2 Ségrégation et paramètres géométriques des joints de grains ....... — 6
2.3 Ségrégation et structures atomiques des joints de grains ............... — 8
2.4 Quelques moyens d’étude de la ségrégation.................................... — 9
2.4.1 Étude indirecte de la ségrégation par métallographie ........... — 9
2.4.2 Spectroscopie d’électrons Auger ............................................ — 9
2.4.3 Microscopie électronique et méthodes analytiques
associées .................................................................................. — 10
2.4.4 Sonde atomique tomographique ............................................ — 12
2.4.5 Méthodes numériques d’étude de la ségrégation .................. — 13
3. De la ségrégation à la précipitation intergranulaire ............... — 14
4. Conclusion........................................................................................ — 15
Parution : septembre 2012 - Dernière validation : juin 2019

Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. M 4 012

e présent article est consacré au joint de grains réel : il fait suite à l’arti-
L cle [M 4 011] auquel le lecteur doit nécessairement se référer pour bien
comprendre les dénominations appliquées aux joints de grains ainsi que les
questions développées dans le présent contexte.
Dans un premier temps, le joint est soumis à des effets de température qui
peuvent changer sa structure d’équilibre, voire provoquer une fusion du joint à
une température inférieure à la température normale de fusion du matériau.
Puis, sont abordés les processus de transport vers le joint de grains des
défauts ponctuels, lacunes et atomes en insertion ou en substitution, éléments
d’alliages ou impuretés, leur densité étant généralement plus grande aux joints
de grains qu’en matrice. C’est le phénomène de ségrégation intergranulaire qui

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LE JOINT DE GRAINS RÉEL ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

affecte non seulement la structure et l’énergie d’un joint de grains, mais aussi
ses défauts et leurs comportements. Les différences de chimie entre joints peu-
vent gommer totalement leurs différences géométriques.
Enfin, étroitement dépendante de la ségrégation, et difficile à différencier de
celle-ci à ses tout débuts, la précipitation préférentielle d’une seconde phase
aux joints de grains d’une phase initiale (ou phase-mère) joue également un
rôle important sur les propriétés d’emploi des matériaux.
Considérer les effets de la température et de la chimie sur les structures des
joints de grains nous rapproche du matériau réel. Cette démarche doit être
complétée par des considérations mécaniques [M 4 013] afin de comprendre,
voire de contrôler, le rôle des joints de grains dans les comportements de
l’ensemble polycristallin.

1. Joints de grains
en température
Un joint de grains, de structure différente des cristaux avoisi- S = 11A
nants, peut être considéré comme une phase à deux dimensions. [311]1
Il est donc approprié d’envisager des changements de phases (de
phase solide à phase solide, ou de phase solide à phase liquide)
propres à cette structure. De manière générale, les changements M–
de phases aux joints peuvent être de deux types [1] ; soit ils ne
mettent pas en cause la géométrie du joint, mais modifient sa T
structure de cœur, soit ils impliquent un changement de désorien-
tation et/ou de plan du joint. M+

T
1.1 Changement de phases solide/solide
aux joints de grains [233]1

Sous l’effet d’une élévation de température, des changements

Atomes noirs
portant sur les paramètres géométriques peuvent se manifester
par l’apparition de facettes dans le plan du joint, par la dissociation
de ce plan ou par une transition rugueuse [2]. Les phénomènes
sont réversibles. De tels changements peuvent aussi apparaı̂tre
sous l’effet d’une ségrégation.
Des changements possibles de la structure de cœur (donc en ter-
mes d’unités structurales) d’un joint de grains (§ 4 de [M 4 011]) S = 11B
sont prédits par l’existence de différentes structures atomiques
d’énergies voisines. Ces structures sont envisagées par le modèle
et déduites des simulations. M–
Ainsi, dans la série des joints de flexion symétriques autour de T
<110> du silicium et du germanium, tous deux de structure cubique
diamant, le joint S = 11 {332} présente deux structures A et B. Ces
M+
deux structures sont respectivement décrites par les pério-
des M− TM+ T et M− TM+P −M+ TM−P + (figure 1), leurs énergies dif- P–
-2
fèrent peu (d’environ 12 mJ.m , soit 2,5 à 3 % de leurs énergies
M+
dans Si et Ge) [3].
La structure A est stable à basse température dans le silicium, T
alors que la structure B apparaı̂t à haute température. Dans le ger-
manium, la situation est inversée. Après maintien à 850  C, suivi M–
d’une trempe qui bloque le changement de phase, la structure
observée, stable à 850 C, est uniquement formée d’unités A. Le P+
Atomes noirs
même recuit, suivi d’un refroidissement lent qui autorise la trans-
formation de phase, conduit à une alternance d’unités B′ et B´´
(moitiés de l’unité B, respectivement M− TM+P − et M+ T M−P + ,
Figure 1 – Les deux structures possibles A et B simulées et observées
symétriques l’une de l’autre par rapport au plan du joint en microscopie électronique en transmission à haute résolution
(figure 2) [4]. des joints S = 11 {332} dans le silicium et le germanium [3]

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––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– LE JOINT DE GRAINS RÉEL

3
0,1 nm
2

–1

–2

–3
–3 –2 –1 0 1 2 3
x [a0]
a T = 1 000 K

–1

–2

–3
–3 –2 –1 0 1 2 3
a structure du joint b structure du joint après
après recuit à 850 °C recuit à 850 °C suivi d'un x [a0]
b T = 1 400 K
suivi d'une trempe refroidissement lent
Plan normal au plan (110) du joint de torsion G = 11 (G, indice
Figure 2 – Images en microscopie électronique en transmission de coïncidence planaire).
à haute résolution montrant le changement de structure du joint Les lignes horizontales indiquent la largeur structurale du joint.
S = 11 {332} dans le germanium [4] La densité d’atomes mobiles donne un aperçu de la largeur
de diffusion.
Comme c’est le cas pour les variations des paramètres géométri-
ques, des changements de la structure atomique d’un joint de Figure 3 – Position des atomes se déplaçant d’au moins une distance
grains résultent non seulement de l’effet de la température, mais entre sites voisins dans un joint de torsion du palladium, pendant
très souvent de la ségrégation de solutés dans des sites interstitiels un temps donné de simulation [10]
ou substitutionnels de leurs unités structurales (§ 2.3).
leurs interprétations ambiguës. Signalons l’observation de réseaux
de dislocations dans des joints portés à des températures très voi-
1.2 Fusion aux joints de grains sines de la température de fusion [2], qui vient contredire une inter-
prétation d’un désordre du joint par un élargissement et une inter-
L’existence d’un phénomène de pré-fusion, c’est-à-dire une trans- pénétration des cœurs des dislocations intrinsèques [6]. De
formation de la phase solide au joint de grains en phase liquide manière indirecte, des études du glissement intergranulaire [7] [8]
avant la température normale de fusion du matériau, reste objet et de la migration des joints [9] révèlent l’existence d’une tempéra-
de controverses. Les joints de flexion de courte période très ordon- ture de transition Tc séparant deux types de comportement du
nés ne semblent pas subir ce phénomène cependant, sous l’effet joint. En particulier, l’énergie d’activation du glissement intergranu-
de la température, des sauts atomiques peuvent se produire pou- laire pour T < Tc est comparable à celle de l’autodiffusion au joint
vant induire des changements de structure. Le questionnement de grains, alors qu’elle devient voisine de celle de la diffusion en
reste ouvert concernant les joints de grains généraux de forte déso- volume pour T > Tc [8]. Mais, dans les deux cas, on ne peut exclure
rientation qui présentent une structure moins dense. des effets d’impuretés qui, même en doses extrêmement faibles,
sont connues pour influer notoirement sur le glissement et la
& Tout d’abord, des simulations des propriétés thermodynamiques
migration.
mettant l’accent sur les grandeurs d’excès montrent que, pour plu-
sieurs joints de flexion symétriques, une discontinuité apparaı̂t & En l’absence de preuves expérimentales, la simulation en dyna-
dans l’évolution de l’enthalpie libre et dans celle du volume mique moléculaire apparaı̂t comme un outil de choix de l’évolution
d’excès avec la température, traduisant une transition du premier des structures intergranulaires avec la température. Une étude par
ordre à température inférieure à TF (température de fusion du simulation de plusieurs joints de grains dans le palladium montre
matériau). Le joint cristallin est remplacé par un joint fortement qu’il existe une transition des énergies de diffusion aux joints de
désordonné “semblable” à une couche liquide, qui préserve cepen- grains d’un régime basse température à un régime haute tempéra-
dant une bonne cohérence entre les cristaux avoisinants [5]. ture [10]. Au-dessus d’une température critique Tc, d’autant plus
Les études expérimentales des évolutions de la structure d’un élevée que le joint est de faible énergie, on constate une accéléra-
joint au voisinage du point de fusion du matériau sont délicates et tion notoire de la diffusion le long de l’interface (figure 3).

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M4012

LE JOINT DE GRAINS RÉEL ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

x [a0]

–2

–4 –2 0 2 4
y [a0]
a T = 1 000 K

x [a0]
a la vue selon [001] montre b la vue selon [170] montre
toutes les trajectoires des la trajectoire d’un seul atome
2 atomes et révèle bien le caractère
quasiment liquide du joint au
niveau des unités structurales
La boîte de simulation contient 16 plans (001) avec 920 atomes.
0

Figure 5 – Vues des trajectoires des atomes sur 90 ps à 1 700 K

–2 pour le joint de grains S = 25 (710) [001] (16 26) du silicium [14]

En effet, les simulations utilisent généralement des conditions

aux limites périodiques impliquant la présence de deux joints de
–4 –2 0 2 4 grains dans la boı̂te de calcul. Ces conditions sont mal adaptées
y [a0] aux études d’un phénomène intervenant à haute température (dif-
b T = 1 400 K fusion, changement de phases…) car une migration des deux joints
peut se produire conduisant à leur annihilation. Dans ce cas, la
Les carrés délimitent deux mêmes régions à deux temps configuration atomique extrêmement proche du point de fusion
différents illustrant la formation puis la disparition d'amas thermodynamique ne peut pas être décrite.
très mobiles.
& Des conditions aux limites anti-périodiques dites de « Möbius »
Figure 4 – Vues instantanées des atomes mobiles à 1 000 K ont été proposées [13], qui permettent de n’introduire qu’un seul
dans le plan (110) du joint de torsion G = 11 prises avec 100 000 pas joint dans la boı̂te de calcul limitant ainsi les artefacts. L’utilisation
de simulations d’écart entre les vues (a) et (b) [10] des conditions de Möbius a permis, entre autres, de bien mettre en
évidence des phénomènes de pré-fusion dans un joint particulier,
Pour préciser le mécanisme qui régit la diffusion au-dessus de Tc, le joint S = 25 {710} <001> dans le silicium [14]. Notons d’emblée
l’évolution temporaire de la configuration des atomes diffusant que la température de fusion thermodynamique du silicium simulé
dans le plan du joint est suivie à différents temps de la simulation : dans cette étude est de l’ordre de 1 700 K, très proche des 1 687 K
des amas du “type liquide”, de grande mobilité, sont continûment du vrai silicium, mais le nombre d’atomes impliqués dans les simu-
créés avant de disparaı̂tre tandis que d’autres se forment ailleurs lations étant limité (de l’ordre du millier), et en l’absence de surfa-
dans le joint (figure 4). ces, le système simulé ne fond qu’à des températures très supé-
Lorsque la température augmente, les amas coalescent pour for- rieures à TF.
mer à TF une couche confinée de liquide. Cependant, l’épaisseur du Un désordre dynamique apparaı̂t vers 1 100 - 1 200 K (environ
joint reste finie jusqu’à TF en accord avec la conclusion de non- 30 % plus bas que TF). Dès 1 600 K, et plus nettement à 1 700 K
existence d’une pré-fusion au joint de grains [11]. (donc bien en dessous de la température de fusion du système
Il est important de noter que la température de transition Tc d’un simulé), on observe une diffusion spontanée de type liquide le
mécanisme de diffusion “type solide” à un mécanisme “type long d’un cylindre parallèle à l’axe de flexion (figure 5). Cette diffu-
liquide” n’est pas atteinte par les joints de basse énergie qui pré- sion reste limitée dans les directions perpendiculaires à cet axe.
serve un ordre à courte distance jusqu’à TF. Dans cette simulation à 1 700 K, la pré-fusion reste donc localisée
& Dans un article de revue des études par simulation des structu- à la zone de cœur du joint. Au-delà de 1 800 - 1 900 K, cette zone
s’étend au volume : il ne s’agit plus de pré-fusion mais de fusion
res des joints de grains à température supérieure à 0,4 TF [12], un
commençant par la zone la plus fragile.
accord se dégage sur l’existence d’une transition de la structure
périodique vers une structure désordonnée de plusieurs joints de Cet exemple très intéressant reste cependant isolé par rapport à
grains de flexion symétriques, à une température voisine de 0,5 TF, d’autres joints de flexion dans le silicium, simulés avec la même
l’épaisseur de la région désordonnée augmentant avec la tempéra- technique de conditions aux limites [14]. La question de la pré-
ture. Mais les résultats ne concordent pas sur l’existence d’une pré- fusion au joint ne serait donc pas une question susceptible d’être
fusion, les divergences pouvant résulter des données prises en tranchée de manière universelle : elle dépend des joints considérés,
compte dans la simulation et des conditions aux limites utilisées. et probablement de leur état de pureté.

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66
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M4013

Le joint de grains réel

Effets mécaniques
par Jean-Philippe COUZINIÉ
Docteur en Métallurgie et Matériaux – Maı̂tre de Conférences
Université Paris – Est Créteil (UPEC)
ICMPE / MCMC / CNRS, 94320 Thiais

Brigitte DÉCAMPS
Docteur en sciences physiques – Directeur de Recherche
CNRS CSNSM/IN2P3
Université Paris-Sud XI, 91405 Orsay

et Louisette PRIESTER
Docteur en sciences physiques – Professeur émérite
Université Paris-Sud XI, 91405 Orsay
ICMPE / MCMC / CNRS, 94320 Thiais

1. Dislocations extrinsèques ............................................................. M 4 013 – 2

1.1 Définition et caractéristiques d’une dislocation extrinsèque ........... — 2
1.2 Formation et accommodation des dislocations extrinsèques .......... — 3
1.2.1 Processus ................................................................................. — 3
1.2.2 Modèles d’accommodation des dislocations extrinsèques ... — 5
2. Interactions entre dislocations de matrice et joints
de grains ........................................................................................... — 6
2.1 Moyens d’étude des réactions de dislocations aux joints de grains — 6
2.1.1 Caractérisation des dislocations intergranulaires
par microscopie électronique en transmission ...................... — 6
2.1.2 Microscopie électronique in situ pour l’étude
des phénomènes de relaxation aux joints de grains ............. — 7
2.1.3 Microscopie électronique en transmission à haute
résolution pour l’étude des réactions aux joints de grains ... — 8
2.1.4 Simulations des réactions d’interactions aux joints
de grains .................................................................................. — 8
2.2 Quelques études d’interactions entre dislocations et joints
de grains ............................................................................................. — 8
2.2.1 Études des réactions en MET champ clair et champ faible ... — 8
2.2.2 Caractérisation des dislocations intergranulaires
par la méthode de Marukawa et Matsubara ........................... — 9
2.2.3 Caractérisation des dislocations intergranulaires
par simulation de contraste .................................................... — 10
Parution : septembre 2012 - Dernière validation : juin 2019

2.2.4 Processus de relaxation aux joints de grains

par microscopie électronique en transmission in situ ........... — 12
2.2.5 Interactions dislocation/joint de grains par microscopie
électronique en transmission à haute résolution ................... — 12
2.2.6 Étude des interactions dislocations/joint de grains
par simulation .......................................................................... — 13
3. Dislocations extrinsèques et ségrégation ................................. — 14
4. Joints de grains et propriétés mécaniques des matériaux..... — 15
5. En conclusion .................................................................................. — 16
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. M 4 013

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M4013

LE JOINT DE GRAINS RÉEL ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

e présent article est le deuxième consacré au joint de grains réel : il fait suite
L à l’article [M 4 011] auquel le lecteur doit nécessairement se référer pour
bien comprendre les dénominations appliquées aux joints de grains ainsi que
les questions développées dans le présent contexte. Il complète une première
approche des défauts chimiques, ponctuels et volumiques [M 4 012], pour se
consacrer aux défauts linéaires résultant des transferts de contraintes mécani-
ques entre joints de grains et cristaux, ou directement de l’effet de contraintes
extérieures.
Les interactions des dislocations de matrice avec un joint de grains portent le
joint dans un état hors équilibre. Ces interactions sont étudiées principalement
par microscopie électronique en transmission et par simulation ; les méthodes
spécifiques à l’étude des joints sont explicitées avec, à chaque fois, un exemple
d’application à un cas particulier d’interaction. Le retour d’un joint vers l’état
équilibré se fait via des processus de relaxation des contraintes intergranulai-
res, étudiés par microscopie électronique in situ et comparés aux processus
prédits par différents modèles.
Défauts ponctuels et défauts linéaires interagissent dans les joints comme
c’est le cas en matrice : les effets réciproques des interactions entre dislocations
extrinsèques et ségrégation sont abordés avec leurs conséquences sur le com-
portement du joint de grains.
Enfin, le but final en science des matériaux est de comprendre les répercus-
sions de ces phénomènes structuraux sur les propriétés des joints de grains et
de là les propriétés de l’ensemble du matériau. Cet aspect ne peut être présenté
avec toute sa complexité dans le cadre de cet article, seuls quelques repères
sont donnés ouvrant la voie à toute une série d’études qui restent à entrepren-
dre. La compréhension des liens entre mécanismes à l’échelle élémentaire et
comportement macroscopique du matériau en est toujours à ses
balbutiements.
Notons enfin que ces approches concernant le joint de grains ou interface
homophase peuvent être aisément étendues aux interfaces hétérophases
(entre deux phases ou deux matériaux différents).
Ces considérations des réactions des joints de grains à une sollicitation méca-
nique et des ensembles qu’ils forment dans les polycristaux peuvent ouvrir la
voie à une “ingénierie des joints de grains”.

1. Dislocations extrinsèques 1.1 Définition et caractéristiques d’une

dislocation extrinsèque
Tout défaut cristallin correspond à une rupture de périodicité.
Lors de la déformation plastique ou lors de la recristallisation, les Lorsque le joint est décrit en termes de réseau périodique de dislo-
dislocations des cristaux interagissent avec les joints de grains et for- cations intrinsèques (§ 3 dans [M 4 011]), une dislocation extrin-
ment à l’intérieur de ceux-ci des dislocations isolées hors équilibre sèque détruit la périodicité de ce réseau (figure 1a). Son vecteur
qui perturbent le réseau de dislocations intrinsèques d’équilibre (§ 3 de Burgers be n’entre pas dans la densité de vecteur de Burgers
dans [M 4 011]). Provenant le plus souvent des cristaux avoisinants, donnée par l’expression de Frank et Bilby [2] [3] qui relie cette den-
mais aussi directement de la contrainte appliquée au matériau, ces sité d’équilibre B à la rotation q entre cristaux (§ 3.2.1 dans [M 4 011]).
dislocations viennent donc de l’extérieur du joint et sont pour cela Pour une relation fixe entre cristaux, le contenu en dislocations
nommées dislocations extrinsèques. Plus rarement, des sources de intergranulaires devient localement B′ tel que :
dislocations intergranulaires peuvent être activées dans le joint, le
terme “extrinsèque” fait alors référence à la non appartenance au B + be = B ' (1)
réseau d’équilibre des dislocations générées par ces sources.
Ces dislocations ont dans le joint de grains un rôle équivalent à Lorsque le joint est décrit en termes d’unités structurales (§ 4
celui des dislocations dans les cristaux ; contrairement aux disloca- dans [M 4 011]), une dislocation extrinsèque correspond à une rup-
tions intrinsèques structurales, elles possèdent des champs élasti- ture de périodicité de l’arrangement de ces unités associée à un
ques de déformation à grande distance. Pour une description détail- manque ou à un surplus d’une (ou plusieurs) de ces unités
lée des dislocations extrinsèques, le lecteur peut se référer à [1]. (figure 1b). Le lien entre les descriptions d’une dislocation

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––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– LE JOINT DE GRAINS RÉEL

extrinsèque par référence au réseau de dislocations intrinsèques et

en termes d’unités structurales est schématisé sur la figure 1c.
Le vecteur de Burgers d’une dislocation extrinsèque parfaite est
un vecteur de translation du bicristal. Pour un joint de grains
donné, il est égal à un vecteur du réseau DSC (Displacement Shift
Complete) (§ 2.2.2 dans [M 4 011]) du joint de coı̈ncidence le plus
proche, pas nécessairement élémentaire : be = bDSC ou be = SbDSC.
Pour déterminer le vecteur de Burgers d’une dislocation intergra-
nulaire, on trace un circuit de Frank (figure 15 dans [M 4 011])
autour de la dislocation dans le joint de grains en utilisant,
comme pour une dislocation dans un cristal, la convention FS/RH
(pour Finish to Start / Right Hand) ; en microscopie électronique
en transmission, la ligne de dislocation est orientée du bas vers le
haut de la lame mince.
Il existe aussi des dislocations intergranulaires partielles résul-
tant de deux états de translation différents d’une région à une
autre d’un joint ou de l’existence de plusieurs structures possibles
d’un même joint.

B
Une dislocation extrinsèque est le plus souvent associée à une
marche structurale dans le plan du joint et prend alors le nom de
int “déconnexion”. La marche résulte du déplacement des atomes de
part et d’autre du plan du joint. Si la dislocation intergranulaire est
100 nm parfaite, la structure du joint reste inchangée de part et d’autre de
la marche qui correspond simplement alors à une translation de
a en haut, des dislocations extrinsèques (à fort contraste) provoquent vecteur s de l’origine du réseau DSC. À des vecteurs de Burgers
un déplacement du réseau intrinsèque de dislocations primaires (d’où égaux et opposés, correspondent des marches de hauteur égale :
le décalage des lignes en pointillés) dans un joint de torsion [001]
de faible angle dans l'or ; en bas, une longue dislocation extrinsèque la combinaison de deux dislocations qui s’annihilent conduit alors
B coupe le réseau de dislocations secondaires dans un joint de flexion à la formation d’une marche “pure” de hauteur 2h. Cette dernière
proche de S =11 {311} dans le nickel peut aussi résulter de l’élaboration d’un bicristal par soudage ou
de considérations thermodynamiques (diminution de l’énergie de
Cn CI surface). Une marche pure dans le plan d’un joint de grains ne pré-
A
sente pas de caractère de contrainte.
B Le caractère “marche” d’une déconnexion doit être pris en
compte lorsqu’on aborde les aspects thermodynamique et ciné-
tique de l’accommodation des dislocations extrinsèques. À titre
A
d’exemple, la décomposition d’une dislocation intergranulaire
peut être favorisée, si on considère uniquement le gain d’énergie
A
élastique de la réaction, et ne pas se produire si les marches des
B produits susceptibles de se former entraı̂nent une augmentation
de l’énergie de surface. Ces marches constituent des freins au glis-
sement intergranulaire, mais peuvent être des sites favorables à
D B l’émission et l’absorption d’atomes lors de la migration du joint
de grains.

A
1.2 Formation et accommodation
A des dislocations extrinsèques
B L’entrée d’une dislocation dans un joint de grains, pour former
une dislocation extrinsèque, requiert une diminution de l’énergie
A totale impliquant l’énergie élastique et l’énergie de cœur des deux
défauts. Elle constitue donc un phénomène de relaxation pour le
b structure atomique du joint c une dislocation extrinsèque introduit système “joint/cristal”. Cependant, le joint lui-même est porté dans
de grains S = 11 {332} du nickel une rupture de périodicité dans la un état hors équilibre. Le cumul de plusieurs dislocations extrinsè-
constituée de deux unités D structure d'un joint de grains décrite ques conduit alors à une accumulation de contraintes dans le joint
du joint S = 3 {111} et de deux en termes de dislocations intrinsèques
unités E du joint S = 9 {221}. Le
qui bloque l’entrée de nouvelles dislocations (et donc la déforma-
primaires ( ) et secondaires ( ) ou
manque d'une unité D à deux tion du matériau) et qui entraı̂ne sa rupture si une relaxation des
en termes d'unités structurales A et B,
endroits (voir flèches) indique la dislocation D correspond ici à une contraintes ne peut intervenir.
la présence d'une dislocation unité B en plus
extrinsèque de vecteur de 1.2.1 Processus
Burgers égal à un vecteur du
réseau DSC du joint S = 11 La formation et l’accommodation d’une dislocation extrinsèque
dans un joint de grains impliquent les mêmes processus :
– combinaison de la dislocation de matrice avec une dislocation
Figure 1 – Dislocations extrinsèques observées en microscopie préexistante (intrinsèque ou extrinsèque) dans le joint ;
électronique en transmission conventionnelle, à haute résolution, – décomposition de la dislocation de matrice en produits dont les
puis décrites dans le modèle « unité structurale/dislocation vecteurs de Burgers sont ceux du réseau DSC. Le terme décompo-
intergranulaire » sition est utilisé de préférence à dissociation car, contrairement à ce

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LE JOINT DE GRAINS RÉEL ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

A
bi bi bi a
1
3
2
4
b3 = bm + b2
be
bm
b 4 = b m + b1 + b2
b e = bm + b i
bc 10 nm
B
bg
a ligne AB en dents de scie dans b analyse des vecteurs de Burgers
un joint de grains de torsion des segments b3 et b4 de la
de faible angle contenant dislocation extrinsèque qui montre
un réseau (sous forme de grille) qu'ils résultent de la combinaison
de dislocations intrinsèques d'une dislocation de matrice avec
a combinaison de b décomposition c transmission de une ou deux dislocations intrinsèques
cette dislocation en produits glissiles la dislocation de de vecteurs b1 et b2
avec une dislocation bg et sessiles bc matrice d'un cristal
intrinsèque bi dans le joint à l'autre avec résidu
Figure 3 – Combinaison entre une dislocation extrinsèque
be dans le joint
et un réseau de dislocations intrinsèques dans un joint de torsion
de faible angle [1]
Figure 2 – Formation d’une dislocation extrinsèque par réaction d’une
dislocation de matrice de vecteur de Burgers bm avec un joint de grains

qui intervient dans les cristaux, la réaction conduit à des disloca-

tions parfaites du joint de grains ;
– transmission de la dislocation ou d’un de ses produits de
décomposition dans le cristal voisin (éventuellement dans le cristal
d’origine par un phénomène de réflexion).
La figure 2 illustre la formation d’une dislocation extrinsèque.
On rappelle qu’une dislocation glissile a son vecteur de Burgers a la dislocation entre dans b elle se décompose en une dislocation
contenu dans le plan du joint qui est le plan de glissement d’une le joint glissile b1 et une dislocation sessile b2
dislocation intergranulaire ; une dislocation sessile a un vecteur de
Burgers perpendiculaire au plan du joint, elle ne peut donc se
déplacer que par montée dans le joint.
Ces processus sont activés thermiquement ; leurs cinétiques dif-
fèrent selon qu’il s’agit de la formation d’une dislocation extrin-
b1
sèque ou de la relaxation (ou accommodation) des contraintes qui
conduit le joint vers un nouvel état d’équilibre. À température
ambiante, les processus sont plutôt lents ; l’entrée d’une disloca-
tion de matrice dans un joint exige généralement de fortes
contraintes. Une dislocation dans un joint peut conserver le vecteur c la dislocation b1 se déplace par glissement
dans le plan du joint
de Burgers bm du cristal, ce dernier pouvant toujours être considéré
comme la somme de vecteurs du réseau DSC ; il s’agit alors d’une
Figure 4 – Simulation de l’entrée puis de la décomposition d’une
dislocation “fraı̂che” introduite dans le joint à température basse et dislocation de matrice dans un joint S = 9 du fer [4]
dont la ligne se trouve à l’intersection de son plan de glissement
avec le plan du joint de grains. À température élevée, les processus
sont plus rapides mais, dans les deux cas, leur intervention et leur
cinétique dépendent du type de joint dans lequel ils se produisent g = 220
comme on le verra sur quelques exemples au § 2.2.4.
& La combinaison entre une dislocation de matrice de vecteur de
Burgers bm et un réseau de dislocations intrinsèques de vecteurs A A B
b1 et b2 dans un joint de torsion de faible angle dans l’or est illus- B
trée sur la figure 3 ; les segments de la dislocation extrinsèque AB 0,5 mm
(en dents de scie) ont des vecteurs de Burgers qui sont des combi-
naisons de bm avec b1 et b2. Comme en matrice, toute combinaison Figure 5 – Micrographies électroniques en champ clair montrant
doit conduire à une diminution de l’énergie élastique stockée au la décomposition de deux dislocations A et B dans un joint de grains
joint [1]. Un autre exemple concernant la combinaison d’une dislo- S = 3 dans l’aluminium après un maintien d’un mois à température
cation d‘un cristal avec une dislocation extrinsèque est donné sur ambiante [6]
la figure 19 (voir § 2.2.4).
& Le processus de décomposition d’une dislocation de matrice Le schéma proposé par la simulation se trouve bien confirmé par
entrant dans un joint conduit souvent à la formation d’une disloca- l’étude en microscopie électronique en transmission à haute réso-
tion glissile bg qui peut se déplacer rapidement dans le joint et lution de l’entrée, suivie de la décomposition, d’une dislocation
d’une dislocation sessile bc. La simulation par dynamique molécu- dans un joint S = 9 du silicium (§ 2.2.5 et figure 21) [5]. La réaction
laire d’une telle réaction a été réalisée pour un joint S = 9 dans le est un peu plus complexe car, dans le silicium, les dislocations de
fer CC (figure 4) [4]. matrice sont dissociées.

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M4016

Plasticité cristalline et transition

d’échelle : cas du monocristal

par Marc FIVEL

Agrégé de mécanique de l’École normale supérieure de Cachan
Docteur en mécanique - Chargé de recherches au CNRS
Institut national polytechnique de Grenoble
et Samuel FOREST
Ingénieur civil de l’École des mines de Paris
Docteur en sciences et génie des matériaux - Chargé de recherches au CNRS
École nationale supérieure des mines de Paris

1. Simulations à l’échelle atomique ........................................................ M 4 016 - 3

1.1 Potentiels interatomiques ........................................................................... — 3
1.2 Modèles de dynamique moléculaire.......................................................... — 4
1.3 Conditions aux limites et conditions initiales en plasticité ...................... — 4
1.4 Dépouillement des résultats ....................................................................... — 5
1.5 Difficultés numériques ................................................................................ — 5
1.6 Exemples de simulations atomiques ......................................................... — 5
2. Simulations de dynamique des dislocations. Cas des CFC ......... — 6
2.1 Composants d’un modèle 3D ..................................................................... — 6
2.2 Quelques applications................................................................................. — 8
2.3 Limites actuelles .......................................................................................... — 9
3. Simulation du monocristal : lois de comportement
à variables internes ................................................................................. — 10
3.1 Densités de dislocations : les bonnes variables internes ? ...................... — 10
3.2 Thermomécanique de la plasticité cristalline............................................ — 10
3.3 Lois de comportement ................................................................................ — 12
3.4 Aspects numériques.................................................................................... — 16
3.5 Application au calcul de structures monocristallines............................... — 17
Pour en savoir plus ........................................................................................... Doc. M 4 018

es matériaux cristallins sont par nature hétérogènes. On distingue, par

L exemple, les polycristaux constitués d’agglomérats de grains monocris-
tallins dans lesquels des lignes de défauts, les dislocations, propagent des
cisaillements sur des plans cristallographiques. Cette hétérogénéité spatiale
conduit à développer des modélisations différentes à chacune des échelles
impliquées. L’avénement d’une puissance informatique toujours plus perfor-
mante (on peut actuellement compter sur une vitesse des microprocesseurs
doublée tous les dix-huit mois) a stimulé le développement d’outils numé-
riques sophistiqués dédiés à la simulation du comportement mécanique des
matériaux. À chaque échelle d’étude, un effort important a été porté sur la mise
en place de modèles fiables adaptés aux diverses situations rencontrées lors
des procédés de mise en forme et des conditions en service des composants
industriels (figure A). Petit à petit, chaque modèle devient de plus en plus per-
formant : le volume qu’il est possible de simuler ainsi que le temps physique
Parution : mars 2004

sont toujours plus importants. On constate désormais un recouvrement entre

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© Techniques de l’Ingénieur M 4 016 − 1

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M4016

PLASTICITÉ CRISTALLLINE ET TRANSITION D’ÉCHELLE : CAS DU MONOCRISTAL ____________________________________________________________________

les capacités des différents modèles à simuler la réponse de volumes de taille

fixée pendant un temps physique donné.
Même s’il est encore utopique de penser simuler le processus de mise en
forme par emboutissage à partir de simulations atomiques ou même à partir de
la dynamique des dislocations, on constate tout de même que l’on peut, d’ores
et déjà, « remonter » les échelles d’espace et de temps de manière continue, par
exemple en réalisant des simulations spécifiques dont les résultats serviront à
asseoir un modèle à l’échelle supérieure. On observe également que, à l’échelle
des milieux continus, les lois de comportement phénoménologiques laissent
peu à peu la place à des relations de comportement déduites des mécanismes
physiques à l’origine de la déformation plastique tels que les mouvements de
dislocations. Cette transition d’échelle entre la dynamique d’une ligne de dislo-
cation et le comportement d’un milieu continu pour lequel les variables internes
sont généralement les densités de dislocations sur les différents systèmes de
glissement implique une moyenne et donc une statistique sur tous les événe-
ments potentiels ainsi qu’une homogénéisation sur un volume arbitraire. Cela
conduit finalement à des relations de comportement toujours plus ou moins
phénoménologiques. Il en est de même pour les techniques d’homogénéisation
modélisant le passage du monocristal au polycristal.
Le présent article est consacré à la modélisation numérique du compor-
tement de matériaux cristallins, principalement métalliques, à différentes
échelles à l’aide d’outils numériques spécifiquement adaptés en insistant sur
les applications potentielles de ces outils, leurs capacités à reproduire la défor-
mation plastique des cristaux mais également leurs limitations intrinsèques.
Après une description des modèles de simulations à l’échelle atomique,
comme la dynamique moléculaire, et des applications concernant l’étude de la
déformation plastique des métaux, l’article aborde les modèles numériques du
comportement collectif de populations de dislocations pour lesquels les entités
simulées sont les lignes de défauts. Puis, le comportement du monocristal est
décrit en présentant deux modèles : le premier utilise comme variables inter-
nes les densités de dislocations sur les systèmes de glissement tandis que le
deuxième est purement phénoménologique mais remarquablement bien
adapté pour traiter des chargements complexes.
Dans un second article [M 4 017], nous traiterons le cas du polycristal.

Microscopie électronique à balayage

Microscopie électronique en transmission

Œil
Microscopie optique

Microscopie à haute résolution Macrographie

Techniques d'homogénéisation
103
Temps (s)

1 Modèles
monocristallins Modèles
polycristallins
10–3
Mécanique des
milieux continus
10–6

Dynamique
10–9 moléculaire
molécualire
mol
Dynamique
des dislocations

10–12
Figure A – Représen-
tation schématique des
10–11 10–9 10–7 10–5 10–3 10–1 possibilités de simuler
10–10 10–8 10–6 10–4 10–2 1 et d’observer le
Espace (m) comportement plastique
Les frontières tracées en traits continus représentent les limites de d’un volume de matière
validité des modèles. Les traits en pointillé montrent la position actuelle de taille donnée pendant
des limites imposées par la puissance des calculateurs (taille mémoire un temps physique
ou temps de calcul). (dans le cas de
simulations dynamiques)

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M 4 016 − 2 © Techniques de l’Ingénieur

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M4016

___________________________________________________________________ PLASTICITÉ CRISTALLLINE ET TRANSITION D’ÉCHELLE : CAS DU MONOCRISTAL

Notations et symboles Notations et symboles

Symboles Désignation Paragraphe Symboles Désignation Paragraphe

E pot Énergie potentielle 1.1 qs Variable interne associée à 3.2.2

l’écrouissage isotrope
NA Nombre d’atomes du système 1.1
xs Contrainte interne d’écrouissage 3.2.2
Fi Vecteur force agissant sur l’atome i 1.2 cinématique
r i (t ) Vecteur coordonnées de l’atome i 1.2 as Variable interne associée 3.2.2
à l’instant t à l’écrouissage cinématique
b Vecteur de Burgers 2.1 ; 3.1 τµ Contrainte athermique à longue 3.3.1
bs Vecteur de Burgers du système s 2.1 ; 3.1 distance

b Norme du vecteur de Burgers 2.1 τ* Contrainte thermiquement activée 3.3.1

à courte distance
ns Vecteur normal au plan de 2.1 ; 3.2.1
glissement du système s υD Fréquence de Debye 3.3.1
⑀p Tenseur de déformation plastique 2.1 ; 3.2.1 ∆G 0 Énergie d’activation maximale 3.3.1
␣ Tenseur densité de dislocations 3.1 ∆V* Volume d’activation 3.3.1
ρs Densité scalaire de dislocations 3.1 k Constante de Boltzmann 3.3.1
pour le système s
T Température 3.3.1
ρG Densité de dislocations 3.1
d’accommodation géométrique ρm Densité scalaire de dislocations 3.3.1
mobiles
ρS Densité de dislocations 3.1
distribuées aléatoirement γ˙0 Vitesse de déformation initiale 3.3.1
F Tenseur gradient de la 3.1 n Sensibilité de la contrainte à la 3.3.1
transformation vitesse de déformation
ms Direction de glissement 3.1 dsu Coefficient d’écrouissage entre les 3.3.1
systèmes s et u
γ Quantité de glissement plastique 3.2.1
(cisaillement) asu Coefficient d’interaction 3.3.1
␴ Tenseur des contraintes de 3.2.1 géométrique entre les systèmes s
Cauchy et u

⑀ Tenseur de déformation 3.2.1 K Nombre moyen d’obstacles 3.3.1

franchis avant arrêt
⑀e Tenseur de déformation élastique 3.2.1
yc Distance d’annihilation entre 3.3.1
τc Cission résolue critique 3.2.2 dislocations de signes opposés
Vecteurs et tenseurs sont désignés en gras et on utilise la notation Vecteurs et tenseurs sont désignés en gras et on utilise la notation
indicielle dans les équations lorsque c’est nécessaire. On doit effectuer la indicielle dans les équations lorsque c’est nécessaire. On doit effectuer la
somme sur les indices répétés. Le produit tensoriel est noté3. Le tenseur somme sur les indices répétés. Le produit tensoriel est noté3. Le tenseur
identité d’ordre deux est noté 1. identité d’ordre deux est noté 1.

1. Simulations à l’échelle — la liaison ionique que l’on retrouve par exemple dans les
céramiques (MgO, Al2O3) ou dans les cristaux ionique (NaCl,
atomique CsCl) ;
— la liaison covalente qui se rencontre dans les polymères et le
diamant (liaison carbone-carbone) et également dans les semi-
Ce paragraphe décrit les notions fondamentales des modèles de conducteurs utilisés en microélectronique Si, Ge, GaAs ;
dynamique moléculaire utilisés pour traiter la plasticité des — la liaison métallique caractéristique des métaux (Cu, Al, Ag,
métaux. Le lecteur désireux d’en connaître davantage sur la Na, Fe, Mo, Ta, Ti...).
méthode peut consulter la référence [1] parue dans les Techniques
À ces trois liaisons fortes s’ajoutent deux liaisons plus faibles :
de l’Ingénieur.
— la liaison de Van der Walls à l’origine de la cohésion des cris-
taux de gaz rares (Ar, Ne, Xe, Kr) ;
1.1 Potentiels interatomiques — la liaison hydrogène responsable de la cohésion de la glace et
que l’on rencontre également entre chaînes de polymères.
Les propriétés physiques et mécaniques des matériaux décou- Modéliser la déformation plastique des cristaux à l’échelle de
lent directement de leur structure atomique et de la nature des l’atome nécessite de modéliser les énergies d’interaction agissant
liaisons entre atomes. On distingue cinq familles de liaisons entre les différents constituants du matériau sachant qu’il s’agit
interatomiques : presque toujours d’une combinaison des différentes liaisons. Ces

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PLASTICITÉ CRISTALLLINE ET TRANSITION D’ÉCHELLE : CAS DU MONOCRISTAL ____________________________________________________________________

lisant la mécanique classique de Newton. L’énergie potentielle

totale d’un système s’écrit alors :
4
φ /4ε NA NA
ext
3 E pot = ∑ Ei  r1 , r2 , ..., rN  + ∑ f i ⋅ ui
A
(4)
i =1 i =1
2
avec r 1, r 2, ..., rN vecteurs définissant la position des atomes,
1 ext
fi force extérieure agissant sur l’atome i,
0 ui déplacement induit sur l’atome i, mesuré par
rapport à une position de référence.
–1
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4
On définit les forces agissant sur chaque atome comme l’opposé
du gradient de l’énergie totale par rapport à la position de l’atome
r / r0
concerné :
NA
∂E ∂ E j  r 1 , r 2 , ..., r NA  ext
Figure 1 – Potentiel de paire de type Lennard-Jones F i = – --------- = –
∂ ri ∑ ------------------------------------------------------
∂ ri
-+f i (5)
j =1

Deux types de simulations sont alors possibles : les simulations

énergies, appelées potentiels interatomiques, sont au cœur des statiques, également appelées simulations à 0 K et les simulations
modèles numériques de dynamique moléculaire présentés au dynamiques. Les premières permettent de calculer la configuration
paragraphe 1.2. De façon générale, les potentiels interatomiques à l’équilibre d’un système. Ces configurations sont obtenues en
comportent un terme de répulsion à courte distance complété par minimisant l’énergie potentielle du système [équation (4)], par
un terme d’attraction à plus grande distance. La répulsion entre exemple en utilisant la méthode du gradient conjugué.
atomes provient du principe quantique d’exclusion de Pauli et se
modélise de façon phénoménologique par une fonction rapide- Les simulations dynamiques permettent de suivre l’évolution
ment décroissante, typiquement en 1/r 12 ou exp (– αr ) où r est la temporelle des configurations en résolvant pas à pas l’équation de
distance entre atomes. Le terme d’attraction, quant à lui, dépend Newton (principe fondamental de la dynamique) :
de la nature de la liaison. Dans le cas simple des gaz rares, ce
d 2 ri ( t )
terme s’écrit sous la forme 1/r 6, ce qui donne lieu au potentiel de F i ( t ) = m i ----------------------
- (6)
Lennard-Jones (figure 1) : dt 2
r 0 12 r0 6
φ ( r ) = 4 ε ------
r
– ------
r      (1) avec mi masse de l’atome i.
À chaque pas de temps incrémenté de dt, la position de chaque
avec ε ajusté à partir de l’énergie de cohésion, atome est réévaluée grâce à un algorithme de type « différences
r0 ajusté à partir du paramètre de maille du cristal. finies ». Ainsi, par exemple, l’algorithme de Verlet donne la position
au temps t + dt de la particule i en fonction de sa position aux deux
L’énergie potentielle du cristal s’écrit comme la somme sur tou- pas de temps précédents selon une loi d’ordre quatre :
tes les paires atomiques de leur énergie d’interaction :
Fi ( t )
NA NA r i ( t + d t ) = 2 r i ( t ) – r i ( t – d t ) + ---------------- d t 2 + o ( d t 4 ) (7)
1 mi
E pot = -----
2 ∑ ∑ φ ( r ij ) (2)
i =1 j =1, j ≠ i
La température du système peut être définie à partir de
avec rij distance entre l’atome i et l’atome j. considérations fondées sur l’énergie cinétique.
Dans le cas plus compliqué des métaux, les potentiels de la
famille de Lennard-Jones, également appelés potentiels de paires,
ne suffisent pas. Ils sont par exemple incapables de reproduire le 1.3 Conditions aux limites
fait que, pour un métal de structure cubique, les coefficients d’élas- et conditions initiales en plasticité
ticité C 44 et C 12 du tenseur de Cauchy sont différents et ils ont
tendance à surestimer l’énergie de formation de lacunes. Ce type ■ Conditions aux limites
de limitations intrinsèques des potentiels de paires a motivé le
développement de potentiels semi-empiriques dit à « N corps » Pour toute simulation de dynamique moléculaire, il faut porter un
dont les plus utilisés sont ceux de la méthode de l’atome entouré soin particulier à la définition des conditions aux limites à imposer
[Embedded Atom Method (EAM)] [2]. Pour ces potentiels, un terme à la boîte de simulation. Ces dernières conditionnent les résultats,
complémentaire F (ρi ), appelé terme d’immersion, est ajouté. Il notamment lorsqu’il s’agit d’étudier la dynamique de défauts tels
modélise le comportement non local du gaz d’électrons représenté que les dislocations qui engendrent des champs de contrainte et de
par sa densité ρi : déformation à longue distance (évoluant en 1/r ). Les conditions
périodiques consistent à placer le système atomique dans un milieu
NA NA NA NA infini en l’entourant d’images périodiques de lui-même. Dans le cas
1
E pot = -----
2 ∑ ∑ φ ( r ij ) + ∑ F ( ρi ) avec ρi = ∑ r ij (3) d’une boîte de simulation contenant des dislocations, cela revient
i =1 j =1, j ≠ i i =1 j =1, j ≠ i donc à simuler un arrangement périodique de la microstructure
étudiée, ce qui peut être pénalisant. Des conditions de surface libre
peuvent également être imposées. Cela nécessite simplement de ne
pas mettre d’atomes au-delà de la position de la surface libre. Il faut
1.2 Modèles de dynamique moléculaire cependant s’assurer que les potentiels utilisés reproduisent bien le
comportement de la surface libre. Enfin, il est possible d’imposer
La dynamique moléculaire permet de déterminer la trajectoire des conditions de bords fixes en fixant arbitrairement certaines
temporelle d’un ensemble d’atomes en interaction constituant un composantes du vecteur déplacement des atomes concernés. Cette
petit volume de matière soumis à un chargement extérieur en uti- condition permet, par exemple, d’imposer un chargement extérieur.

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___________________________________________________________________ PLASTICITÉ CRISTALLLINE ET TRANSITION D’ÉCHELLE : CAS DU MONOCRISTAL

■ Conditions initiales simulation « classique » comportant quelques dizaines de milliers

La plupart des études de déformation plastique de métaux de pas d’intégration, il est par conséquent raisonnable de ne simuler
menées par dynamique moléculaire consistent à calculer l’évo- que des temps de l’ordre de la picoseconde (10–12 s). Cette limitation
lution temporelle de la position des atomes d’une boîte de simu- est actuellement un blocage pour simuler les mécanismes thermi-
lation contenant des défauts et soumise à un chargement. Pour quement activés tels que le glissement dévié des dislocations ou
cela, il est nécessaire d’introduire les lignes de défauts dans un encore la diffusion de défauts ponctuels tels que les lacunes ou les
cristal initialement parfait en appliquant le processus de Volterra à interstitiels.
l’ensemble des atomes de la boîte de simulation. Ces derniers sont
alors déplacés dans la position donnée par la théorie élastique afin
de se rapprocher de la configuration minimisant l’énergie du sys- 1.6 Exemples de simulations atomiques
tème. Une étape de minimisation d’énergie (méthode statique) est
ensuite réalisée afin d’obtenir une structure à l’équilibre qui servira
de condition initiale pour la simulation dynamique.
1.6.1 Jonctions entre dislocations

Dans les monocristaux cubiques à faces centrées parfaits, les

1.4 Dépouillement des résultats principaux obstacles au glissement des dislocations sont les dislo-
cations elles-mêmes. Lorsque deux lignes de dislocations se
Les techniques de dynamique moléculaire simulant l’évolution rencontrent, elles peuvent réagir et se combiner pour former une
dynamique de la position de tous les atomes contenus dans une ligne de défaut pour laquelle le vecteur de Burgers est la somme
boîte de simulation, il est nécessaire de définir une méthode de des vecteurs des deux lignes en interaction. Cette réaction n’a lieu
visualisation permettant de n’afficher que les atomes définissant les que si la configuration résultante est énergétiquement favorable. Le
positions des lignes de défauts dans le cristal. On doit donc définir segment de jonction obtenu peut alors entraver le glissement des
un critère spécifiant si un atome est proche d’une zone perturbée. deux brins en présence, engendrant une augmentation de la
On peut, par exemple, utiliser un critère énergétique : seuls les contrainte qu’il est nécessaire d’appliquer pour maintenir la vitesse
atomes pour lesquels l’énergie potentielle est supérieure à une de déformation imposée. Ces jonctions sont les principaux méca-
valeur seuil sont affichés. On peut également définir un critère nismes responsables de l’écrouissage « forêt » sur lequel repose
géométrique : les atomes affichés sont ceux pour lesquels le voisi- bon nombre de modèles de type milieux continus (cf., par exemple,
nage proche est éloigné de l’environnement idéal d’un cristal § 3.3.1). Il est possible d’étudier par dynamique moléculaire toute
parfait. Ces deux techniques permettent de distinguer les atomes la série des réactions possibles entre lignes de dislocations [7] [8].
contenus dans le cœur des dislocations partielles et ceux à l’inté- La figure 2 montre l’exemple d’une jonction calculée dans une boîte
rieur de boucles de dislocation. La deuxième technique a l’avantage de simulation de taille 12 nm × 22 nm × 20 nm. Deux lignes de dis-
de fonctionner même lorsque l’énergie du système est bruitée par locations parfaites (non dissociées) de longueur 24 nm ont été intro-
un effet de la température. duites, chacune débouchant sur deux faces opposées de la boîte.
Chaque ligne de dislocation fait un angle de soixante degrés avec
la ligne d’intersection entre les deux plans de glissement et débou-
1.5 Difficultés numériques che sur deux faces opposées de la boîte de simulation. La dislo-
cation dessinée dans le plan horizontal a un vecteur de Burgers
[ 101 ] et glisse sur le plan (111) tandis que le deuxième brin est du
Le nombre d’atomes qu’il est possible de simuler ne cesse d’aug-
type [ 101 ] ( 111 ). Des conditions aux limites de bords fixes sont
menter avec la puissance toujours croissante des ordinateurs. En
appliquées sur toutes les faces de la boîte de simulation, ce qui a
utilisant des machines massivement parallèles, il est désormais pos-
pour effet d’ancrer les brins de dislocations à leurs extrémités. La
sible de traiter 109 atomes [3]. Les volumes impliqués restent néan-
configuration obtenue en minimisant l’énergie de la structure est
moins petits puisque, si l’on considère un volume atomique typique
donnée figure 2a . Chaque brin de dislocation s’est dissocié en seg-
des métaux cubiques à faces centrées de 0,01 nm 3, 109 atomes
ments partiels qui ont réagi entre eux. Un segment de jonction de
couvrent un volume total correspondant, par exemple, à une boîte
type Lomer a été formé le long de la ligne d’intersection entre les
de simulation cubique de 215 nm de côté. On est donc encore loin
deux plans de glissement. Le vecteur de Burgers associé à ce brin
de pouvoir simuler des volumes comparables à celui des grains
est [110]. Ce vecteur n’est contenu dans aucun des deux plans de
d’un polycristal, c’est-à-dire supérieurs à (1µm)3.
glissement des brins initialement mis en présence. Le segment de
D’autre part, cette taille réduite des systèmes étudiés implique jonction est donc sessile. Il s’agit d’un des mécanismes possible
que les densités de dislocations simulées sont généralement d’ancrage de dislocations. On constate également sur la figure 2a
gigantesques : dans l’exemple présenté au paragraphe 1.6.1, la den- que les deux extrémités de la jonction ne se comportent pas de
sité de dislocations est de 9 × 1015 m–2, ce qui correspond à des manière équivalente. Le nœud de gauche est dissocié alors que
situations réelles marginales. Il faut par conséquent être prudent celui de droite ne l’est pas. Des simulations de la même réaction
quant à l’interprétation des résultats obtenus dans ces conditions. menées à la même échelle par un code nodal de dynamique des
Une façon de gérer des volumes plus importants consiste à dislocations prenant en compte les partiels montrent la même asy-
construire un modèle hybride utilisant les techniques de dynamique métrie (figure 2b ). On en déduit que la forme de la jonction à l’équi-
moléculaire aux endroits du cristal où des défauts (dislocations) libre est principalement imposée par les champs élastiques des
sont apparus et la mécanique des milieux continus aux endroits lignes de dislocations et donc que les interactions de cœur ont une
pour lesquels il n’est pas nécessaire d’utiliser une description faible influence sur la forme de la jonction.
atomique. Une nouvelle génération de modèles est actuellement en
plein développement utilisant généralement des techniques d’élé-
ments finis pour lesquelles un maillage est directement associé aux 1.6.2 Essai de nanoindentation
positions des atomes pour les zones traitées en dynamique molé-
culaire tandis que, pour le reste de l’espace, chaque élément Les techniques d’indentation à faibles échelles sont de plus en
contient plusieurs atomes, réduisant ainsi le nombre de degrés de plus utilisées pour analyser le comportement local des matériaux.
liberté du système [4] [5] [6]. Cet essai non destructif consiste à appliquer sur une surface une
De même que le volume simulable par dynamique moléculaire pointe généralement pyramidale afin d’en déduire une dureté
est restreint, l’échelle de temps est également très limitée puisque locale. Les résultats obtenus (courbe de charge, microdureté)
le pas de temps est de l’ordre de la femtoseconde (10–15 s). Une restent cependant difficiles à interpréter du fait de la complexité des

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M4017

Plasticité cristalline et transition

d’échelle : cas du polycristal

par Marc FIVEL

Agrégé de mécanique de l’École normale supérieure de Cachan
Docteur en mécanique - Chargé de recherches au CNRS
Institut national polytechnique de Grenoble
et Samuel FOREST
Ingénieur civil de l’École des mines de Paris
Docteur en sciences et génie des matériaux - Chargé de recherches au CNRS
École nationale supérieure des mines de Paris

1. Comportement du polycristal .............................................................. M 4 017 - 2

1.1 Calcul d’agrégats multicristallins ............................................................... — 2
1.2 Le polycristal : les différents niveaux d’hétérogénéité............................. — 2
1.3 Modèles simplifiés et homogénéisation.................................................... — 4
1.4 Aspects numériques.................................................................................... — 5
1.5 Applications ................................................................................................. — 5
1.6 Limites actuelles .......................................................................................... — 8
2. Modélisation et simulation des effets d’échelle ............................. — 8
2.1 Lois d’échelles : effet de la taille des grains .............................................. — 8
2.2 Durcissement associé à la courbure de réseau cristallin ......................... — 9
2.3 Modèles à gradient de variables internes ................................................. — 10
2.4 Applications ................................................................................................. — 10
Pour en savoir plus ........................................................................................... Doc. M 4 018

ans l’article [M 4 016], des lois de comportement élastoviscoplastique ont

D été établies pour le monocristal à partir de changements d’échelles,
depuis l’atomistique jusqu’à la mécanique des milieux continus en passant par
la dynamique des dislocations. Elles sont utilisées dans ce second article pour
prévoir la réponse mécanique des polycristaux ainsi que les effets d’échelle
observés dans de nombreux alliages métalliques.
Dans un premier temps, des méthodes de simulation d’agrégats polycris-
tallins ainsi que les principes fondamentaux des méthodes d’homogénéisation
sont présentés en détail. Les applications proposées concernent la modéli-
sation de la distorsion des surfaces de charge, l’étude du comportement des
polycristaux sous chargements multiaxiaux et l’influence des joints de grain sur
les hétérogénéités de déformation intragranulaire.
Enfin, on montre les limites de l’approche continue classique lorsqu’il s’agit
de reproduire des effets d’échelle couramment observés en métallurgie phy-
sique. La dynamique des dislocations permet de rendre compte de nombre
d’entre eux, notamment l’effet Hall-Petch. Il est toutefois possible de décrire
certains de ces effets à l’aide d’une approche de type milieu continu généralisé,
par exemple en incorporant dans la modélisation la notion de courbure du
réseau cristallin et son effet sur l’écrouissage.
La plupart des grandeurs, notations et symboles utilisés dans cet article ont
été introduits et définis dans l’article [M 4 016].
Parution : juin 2004

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M4017

PLASTICITÉ CRISTALLIN E ET TRAN SITION D’ÉCHELLE : CAS DU POLYCRISTAL ______________________________________________________________________

tement les différences de comportement du revêtement lorsque le

1. Comportement rapport de la taille de grain dans le plan de la tôle et de l’épaisseur de
du polycristal la couche, varie en fonction des traitements de recristallisation.

Dans ce paragraphe, on distinguera dans un premier temps le 1.2 Le polycristal : les différents niveaux
cas de structures constituées de deux à quelques dizaines de
grains, avant d’aborder le problème du comportement mécanique
d’hétérogénéité
de l’élément de volume polycristallin (VER).
Le passage au polycristal massif nécessite une représentation tri-
dimensionnelle de la morphologie polycristalline. Une mosaïque de
Voronoï comme sur la figure 1a est une bonne approximation de
1.1 Calcul d’agrégats multicristallins grains issus de la solidification [60]. Une orientation cristalline est
attribuée de manière aléatoire à chaque cellule de Voronoï en
Le calcul de la réponse mécanique de bi et multicristaux est respectant toutefois une texture globale ou locale donnée. La repré-
possible en attribuant à chaque grain les lois de la plasticité cris- sentativité de l’élément de volume donné dépend du nombre de
talline décrites dans l’article [M 4 016] et en attribuant à chacun son grains pris en compte dans la modélisation, du contraste de pro-
orientation cristallographique précise. Des conditions de continuité priété entre les différentes familles de systèmes de glissement
du déplacement et du vecteur traction sont imposées aux joints de (cissions résolues critiques du basal, pyramidal... pour la structure
grain. Les joints de grain peuvent néanmoins être le siège d’un hexagonale), de la texture, du chargement et des conditions aux
comportement plus complexe qui sera abordé au paragraphe 1.5.4. limites appliquées à ce volume. En métallurgie physique, on estime
La différence d’orientation cristalline entre deux grains voisins qu’une section contenant une trentaine de grains est suffisante pour
conduit à d’importantes incompatibilités de déformation qui se tra- atteindre un comportement homogénéisé de polycristal [61]. Des
duisent par le développement d’un champ complexe hétérogène de calculs par éléments finis ont confirmé cette estimation dans le cas
déformation et de contrainte. Les techniques d’EBSD ( Electron de fils de cuivre en torsion [62]. Lorsque le nombre de grains dans
Back-Scatter Diffraction ) permettent d’obtenir une cartographie des la section du fil est faible, la déformation a tendance à se localiser
orientations initiales et en cours de déformation des multicristaux dans une section affaiblie par des orientations plus favorables au
étudiés. Le maillage par éléments finis des grains individuels est glissement.
délicat car on ne connaît que les joints de grain débouchant sur les
■ Selon la théorie de l’homogénéisation, trois types de conditions
faces de l’éprouvette. Si celle-ci ne contient qu’un à deux grains
aux limites privilégiées peuvent être appliquées au bord de l’élé-
dans l’épaisseur, la géométrie des grains peut être décrite de
ment de volume polycristallin V considéré, comme celui représenté
manière approximative sans avoir besoin de détruire l’échantillon.
figure 1a.
Le maillage de chaque grain doit comporter suffisamment d’élé-
ments tridimensionnels pour garantir que la solution obtenue est ● Conditions de déformation homogène au contour :
aussi proche que possible de la solution à convergence. Cela ui = Eij xj , ∀x ∈ ∂V (1)
conduit à nouveau à des tailles de problème non linéaire
élevées [54]. avec E champ de tenseur de déformation donné et uniforme,
Les méthodes expérimentales disponibles fournissent un grand ∂V contour du volume V,
nombre d’informations permettant de quantifier la qualité de la u déplacement du point matériel.
simulation numérique à l’aide des modèles continus de mono-
Il s’ensuit que la déformation moyenne au sein du volume solli-
cristal. L’EBSD fournit les champs de rotation de réseau cristallin,
cité est égale à E :
les méthodes de grilles ou de corrélation d’images livrent certaines
composantes du champ de déformation et la diffraction aux
rayons X permet d’accéder aux contraintes résiduelles locales si les
1
<⑀ > = -----
V
冕 ⑀ dV = E
V
(2)
grains sont assez gros. Dans [55], l’utilisation du rayonnement syn-
On définit alors la contrainte macroscopique par :
chrotron a permis de descendre à des échelles de mesure de défor-
mation élastique locale de l’ordre de 20 µm. Une technique
d’imagerie a été développée pour déterminer une cartographie
1
⌺ = -----
V
冕 ␴ dV
V
(3)
complète au sein d’un grain du champ de déformation élastique et
de rotation de réseau. ● Conditions de périodicité :
La confrontation calcul/expérience tant au niveau global qu’au ui = Eij xj + υi , ∀x ∈ V (4)
niveau local confirme le pouvoir prédictif du modèle de plasticité
continue dans le cas d’éprouvettes bi ou multicristallines, au moins où la perturbation ␷ est périodique. Les vecteurs traction de deux
lorsque la taille de grain ne descend pas au-dessous de quelques points homologues sur deux faces opposées du cube élémentaire
centaines de micromètres [54] [55] [56] [57] doivent être opposés pour garantir l’équilibre. Les relations (2) et (3)
sont valides dans ce cas aussi.
Ces résultats s’appliquent en particulier au cas des revêtements
multicristallins, dont la portée industrielle est beaucoup plus impor- ● Conditions de contrainte homogène au contour :
tante. Les revêtements de galvanisation au trempé des tôles d’acier,
σij ni = Σij nj , ∀x ∈ ∂V (5)
par exemple, sont constitués de grains plats d’une largeur pouvant
atteindre 50 0 µm dans le plan pour une épaisseur de couche avec ⌺ champ de tenseur de contrainte donné et uniforme,
d’environ 10 µm [58]. Le revêtement d’alliage de zinc est donc mono- n normale extérieure en tout point du contour.
cristallin dans l’épaisseur. Sa déformation est largement dictée par
celle du substrat lors de sollicitations mécaniques de traction ou Cette condition implique que la moyenne des contraintes sur V
d’emboutissage et se distingue significativement du comportement est égale à ⌺ [équation (3)]. On définit alors la déformation
du zinc polycristallin massif par l’activation d’un plus grand nombre macroscopique par la relation (2).
de systèmes de glissement (glissement basal, pyramidal et
prismatique [59]). Le calcul par éléments finis d’un ensemble de Ces conditions ne représentent certainement pas les conditions
grains d’un tel revêtement, dont les orientations individuelles sont au bord réelles auxquelles est soumis le volume considéré au sein
déterminées par EBSD, rend bien compte de ces observations expé- de l’éprouvette sollicitée. Elles permettent toutefois d’imposer une
rimentales. La modélisation permet en particulier de décrire correc- déformation ou contrainte moyenne à un élément de volume.

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______________________________________________________________________ PLASTICITÉ CRISTALLIN E ET TRAN SITION D’ÉCHELLE : CAS DU POLYCRISTAL

a élément de volume constitué de 200 grains b intensité du glissement basal c intensité du glissement pyramidal ⌸2
(la couleur rouge correspond à (la couleur rouge correspond à
un glissement supérieur à 1 %) un glissement supérieur à 0,05 %)

Figure 1 – Calcul d’un agrégat polycristallin de zinc allié soumis à une traction moyenne de 0,5 %

Lorsque le volume est assez grand, la réponse en contrainte ou

déformation ne dépend plus du type de conditions aux limites
400
Contrainte axiale (MPa)

choisies.
350
■ Trois niveaux d’analyse permettent d’exploiter ces calculs, révé-
lant les différents niveaux d’hétérogénéités au sein de l’élément de 300
volume polycristallin [63].
250
● Comportement moyen du polycristal
La courbe de traction moyenne d’un agrégat polycristallin de 200
200 grains (alliage INCO600, structure cfc) est donnée pour deux 150
types de conditions aux limites en déformation et contrainte impo-
sée sur la figure 2. La texture est isotrope. Le comportement de cha- 100
que point au sein de chaque grain est décrit par des lois de
comportement élastoplastique cristallin. On constate que les deux 50
réponses sont quasi identiques, ce qui indique que le volume 0
considéré est représentatif, du moins pour l’essai de traction 0 0,002 0,004 0,006 0,008 0,01 0,012 0,014 0,016
considéré. On montre en effet que les conditions en déformation Déformation axiale
(resp. contrainte) homogène au contour fournissent une borne
supérieure (resp. inférieure) des propriétés apparentes du volume modèle autocohérent
étudié [48]. Un nombre significativement plus grand de grains peut éléments finis : déformation homogène au contour
être nécessaire pour d’autres matériaux, textures et chargement. éléments finis : contraintes homogènes au contour
Cette courbe de traction macroscopique est comparée à la prédic-
tion d’un modèle simplifié d’homogénéisation parmi ceux qui
Les réponses obtenues pour deux types de conditions aux limites
seront évoqués au paragraphe 1.3. différentes sont comparées à celle d'un modèle simplifié
● Moyennes par grain d'homogénéisation

Les courbes de contrainte/déformation axiales moyennes par

grain donnent une image bien différente du polycristal (figure 3). Figure 2 – Courbe de traction moyenne obtenue pour un agrégat
On voit que pour une contrainte (resp. déformation) macroscopique polycristallin contenant 200 grains de l’alliage INCO600
de 400 MPa (resp. 1,5 %), les contraintes moyennes par grain
varient de 250 MPa (resp. 1,2 %) à 550 MPa (resp. 2 %). Si l’on ras-
semble tous les grains ayant une orientation voisine en une phase
cristallographique du polycristal et que l’on calcule la moyenne des taculaire. Elle est illustrée dans le cas des deux grains de la figure 4
contraintes et déformations sur ces grains, on se rapproche des esti- ayant des orientations différentes. Pour un niveau de déformation
mations des modèles simplifiés d’homogénéisation tels que le axiale moyenne dans l’agrégat de 1,5 %, les états de contrainte
modèle autocohérent. Une telle comparaison exige toutefois un (resp. déformation) locale varient de 30 MPa (resp. 1 %) à 600 MPa
nombre plus important de grains dans la simulation. (resp. 2,6 %) pour le grain 1. On constate que la dispersion s’accroît
avec la déformation moyenne imposée. À noter que l’élasticité a été
● Comportement intragranulaire prise isotrope localement par simplicité, de sorte que les hétéro-
La dispersion des états de contrainte et déformation au sein d’un généités observées ne sont dues qu’aux incompatibilités plastiques
même grain à un instant de chargement donné est tout à fait spec- entre grains.

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AF3565

Plasmons de surface : principes

physiques et applications

par Christophe CAUCHETEUR

Docteur en sciences de l’Ingénieur
Chercheur qualifié du FRS-FNRS à la Faculté polytechnique de l’université de Mons,
Belgique

1. Perspective historique et définition des plasmons de surface AF 3 565 - 2

1.1 Perspective historique .............................................................................. — 2
1.2 Définition, modélisation et excitation des plasmons de surface .......... — 2
2. Conditions d’excitation des plasmons de surface
à une interface planaire métal-diélectrique................................... — 3
2.1 Équations de Maxwell .............................................................................. — 3
2.2 Équations constitutives ............................................................................ — 3
2.3 Conditions aux limites .............................................................................. — 3
2.4 Équations d’onde ...................................................................................... — 4
2.5 Plasmons à une seule interface ............................................................... — 5
2.6 Génération de plasmons de surface........................................................ — 6
2.7 Systèmes multicouches............................................................................ — 7
3. Techniques d’excitation des plasmons de surface
à une interface planaire métal-diélectrique................................... — 8
3.1 Couplage par prismes............................................................................... — 8
3.2 Couplage par réseaux de diffraction ....................................................... — 10
3.3 Couplage par guides d’onde .................................................................... — 10
3.4 Couplage par fibres optiques ................................................................... — 10
3.5 Influence du choix du métal ..................................................................... — 11
4. Plasmons de surface localisés........................................................... — 11
4.1 Taille des particules .................................................................................. — 11
4.2 Forme des particules ................................................................................ — 11
4.3 Milieu environnant .................................................................................... — 12
4.4 Couplage interparticule ............................................................................ — 12
5. Quelques applications.......................................................................... — 12
5.1 Réfractométrie fine ................................................................................... — 12
5.2 Biocapteurs................................................................................................ — 13
5.3 Spectroscopie Raman exaltée de la surface ........................................... — 13
6. Conclusion............................................................................................... — 13
Pour en savoir plus ........................................................................................ Doc.AF 3 565

ans les métaux, il existe des ondes particulières appelées ondes plasma,
D qui correspondent à une oscillation de la densité de charges. Ces ondes
possèdent une structure longitudinale, autrement dit le vecteur d’onde qui leur
est associé est parallèle au champ électrique. Elles ne peuvent donc pas être
générées optiquement, compte tenu de la structure transverse de l’onde électro-
magnétique lumineuse. Il est cependant possible de lever cette contrainte à
l’interface entre un métal et un diélectrique, pour peu qu’une onde évanescente
présentant une composante longitudinale soit générée à cette interface. Le
mode mixte lumière/oscillation plasma ainsi engendré constitue alors le
Parution : juillet 2014

plasmon. En pratique, le couplage entre l’onde plasma et la lumière n’est

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PLASMONS DE SURFACE : PRINCIPES PHYSIQUES ET APPLICATIONS _________________________________________________________________________

possible que moyennant un accord des vitesses de phase des deux ondes. Cette
condition s’obtient lorsque les vecteurs d’onde sont identiques le long de l’inter-
face. Un moyen simple et efficace de générer une onde évanescente propice au
couplage avec le plasmon est de travailler en réflexion interne totale dans un
prisme dont une face est recouverte d’une couche nanométrique métallique.
Lorsque la lumière incidente est couplée avec l’onde plasmonique, il n’y a plus
de lumière réfléchie compte tenu du fait que l’énergie lumineuse transférée vers
le plasmon se dissipe dans le métal. Cette dissipation est liée à la partie imagi-
naire de la constante diélectrique du métal et se traduit par une certaine largeur
de résonance. Les ondes de plasmons de surface étant très sensibles aux chan-
gements d’indice de réfraction du milieu diélectrique extérieur, elles sont
naturellement exploitées pour faire de la réfractométrie fine. Les principales
applications incluent la mesure de constantes diélectriques des métaux, la réali-
sation de capteurs (bio)chimiques, la spectroscopie...
Ce principe physique, dont les premières observations remontent à plus de
100 ans, a été abondamment étudié et documenté. De nombreux ouvrages
détaillent le principe de fonctionnement des ondes de plasmons de surface et
leur utilisation. Ce dossier a pour objectif de présenter au lecteur le principe
physique sous-jacent à la génération de plasmons de surface dans les fibres
optiques. Il s’attarde ensuite sur les principales configurations utilisées pour
l’excitation de plasmons de surface. Des exemples concrets de réalisation sont
finalement discutés.

1. Perspective historique était due à l’excitation des plasmons de surface [6]. La même
année, E. Kretschmann et H. Raether ont démontré l’excitation de
et définition des plasmons plasmons à la surface d’un prisme illuminé sous un angle critique
pour obtenir une réflexion interne totale [7]. Ces travaux pionniers
de surface ont établi une méthode simple et efficace d’excitation des plas-
mons de surface, permettant de les exploiter à différents
escients [8]. À la fin des années 1970, ils furent notamment
Dans cette première partie de l’article, après un bref aperçu employés pour la caractérisation de films minces [9] et l’étudede
historique, nous passons en revue les principales caractéristiques processus chimiques à l’interface métallique. Ils sont dorénavant
des plasmons de surface, que nous détaillerons ensuite dans les utilisés comme socles de base pour la réalisation de
autres sections. (bio)capteurs [10] ainsi que pour la spectroscopie [11].

1.1 Perspective historique 1.2 Définition, modélisation et excitation

des plasmons de surface
La première observation documentée des ondes plasmoniques
de surface date de 1902 et résulte des travaux de R.W. Wood. Ce Il existe plusieurs terminologies pour les plasmons de surface
dernier a illuminé un réseau de diffraction métallique avec de la dans la littérature technologique. Le terme « polaritons » (SPP
lumière blanche (ou polychromatique) et constaté des anomalies pour surface plasmon polaritons ou PSP pour plasmon surface
dans le spectre de diffraction, prenant la forme de bandes sombres polaritons ) est couramment usité et présente l’avantage d’insister
étroites [1]. Quelques dizaines d’années plus tard, le travail théori- sur le lien entre l’excitation électronique dans un solide que
que de U. Fano a permis de conclure que ces anomalies étaient constitue un plasmon et son champ électromagnétique associé.
associées avec l’excitation d’ondes électromagnétiques de surface On retrouve également les termes « ondes de plasma de surface »
sur la tranche du réseau de diffraction [2]. En 1952, D. Bohm et D. (SPW pour surface plasmon waves ), oscillations de plasma de
Pines introduisent le plasma d’électrons dans un solide métallique surface (SPO pour surface plasmon oscillations ) et ondes électro-
pour expliquer les pertes d’énergie dues aux électrons rapides pas- magnétique de surface (SEW pour surface electromagnetic
sant à travers un feuillet métallique [3]. Ils appelèrent cette excita- waves ). Dans la suite de cet article, nous emploierons toujours la
tion un plasmon. Aujourd’hui, ce type d’excitation est plutôt terminologie de base, à savoir plasmons de surface (SP pour
qualifié de plasmon de volume, pour se distinguer des plasmons surface plasmons ).
de surface. Bien que les ondes électromagnétiques de surface Il existe également plusieurs définitions pour les plasmons de
aient d’abord été abordées par A. Sommerfeld et J. Zenneck, surface, la plupart étant incomplètes. Le suffixe « on » indique un
R. Ritchie fut le premier à introduire le terme « plasmons de rattachement à la mécanique quantique et témoigne que les
surface » en 1957 en étendant les travaux de D. Bohm et D. Pines plasmons de surface possèdent des propriétés de particules,
aux interfaces métalliques [4]. En 1958, T. Turbadar observa une incluant donc des énergies et moments spécifiques. Ainsi, peut-on
forte chute de réflectivité en illuminant un film mince métallique définir une plasmon de surface comme une excitation à l’interface
déposé sur un substrat [5]. Il ne relia toutefois pas cet effet avec entre un premier milieu présentant une permittivité négative et des
les plasmons de surface. C’est en 1968 qu’A. Otto expliqua les porteurs de charge libres (un métal) et un second milieu de permit-
résultats de T. Turbadar en démontrant que la perte de réflectivité tivité positive. Cette excitation est une oscillation collective de

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_________________________________________________________________________ PLASMONS DE SURFACE : PRINCIPES PHYSIQUES ET APPLICATIONS

charges surfaciques et se comporte comme une particule présen-

tant une énergie discrète ainsi qu’un moment. Cela étant, la majorité 2. Conditions d’excitation
des propriétés des plasmons de surface peuvent être dérivées des
équations électromagnétiques classiques, comme nous le résume-
des plasmons de surface
rons dans la suite de cet article. Il s’agit en effet d’un mode électro-
magnétique fondamental à l’interface entre un matériau de
à une interface planaire
permittivité négative et un autre de permittivité opposée, présentant métal-diélectrique
une fréquence déterminée et mettant en jeu une oscillation électro-
nique de charges surfaciques. Se pose alors la question de l’utilisa-
tion ou pas de la description classique. Il en ressort l’analyse Cette section résume le formalisme mathématique permettant
suivante. Si les matériaux supportant les plasmons de surface sont de décrire les plasmons de surface.
suffisamment larges pour être décrits par une fonction diélectrique
(permittivité), l’approche électromagnétique classique peut être
employée de manière satisfaisante. En pratique, il a été montré 2.1 Équations de Maxwell
qu’une constante diélectrique décrit précisément des milieux dont
les dimensions minimales avoisinent les 10 nm. Pour les milieux Le champ électromagnétique dans le vide est représenté en
dont la taille se situe entre 1 et 2 nm, on fait appel à une constante termes de deux vecteurs, le champ électrique E et le champ
diélectrique dépendant de la taille [12]. Pour une discussion magnétique B. La présence de matière dans l’espace occupé par
détaillée à propos des effets de taille dans les petits agrégats métal- ces vecteurs requiert d’introduire trois autres vecteurs, D, H et J,
liques, le lecteur est invité à consulter les références [13] et [14]. respectivement appelés déplacement électrique, champ magnéti-
Comme nous l’avons compris, le formalisme mathématique que dans la matière et densité de courant électrique. Ces vecteurs,
permettant de décrire les plasmons de surface repose sur les dont les composantes sont exprimées dans un repère cartésien
équations de propagation des ondes électromagnétiques, égale- orthonormé (x, y, z ), sont reliés par les équations suivantes (deux
ment appelées équations de Maxwell. Le paragraphe 2 ci-après équations scalaires et deux équations vectorielles) :
détaille le formalisme dans le cas d’une interface métal-diélectri-
que. Pour les interfaces doubles, un peu plus sophistiquées, le lec- ∇ ⋅D = ρ (1)
teur est invité à consulter les références [15] [16].
L’approche la plus couramment utilisée pour exciter des ∇ ⋅B = 0 (2)
plasmons de surface est celle du couplage de lumière dans un
prisme exploitant la méthode de réflexion interne totale (ATR pour ∂B
attenuated total reflection ). Il existe deux géométries, celle dite de ∇×E = − (3)
∂t
Kretschmann et l’autre dite d’Otto. La configuration d’Otto emploie
un prisme d’indice de réfraction élevé dont une des faces est
couverte d’une couche diélectrique de quelques microns ∂D
∇×H = J + (4)
d’épaisseur, elle-même recouverte d’une fine couche métallique. ∂t
Lorsque de la lumière est incidente vers cette face du prisme avec
un angle supérieur à l’angle critique, une onde évanescente est pro- où ρ est la densité de charges électriques libres.
duite à l’interface entre le prisme et le milieu diélectrique. Elle peut
se coupler avec un plasmon de surface à l’interface entre le milieu
diélectrique et la couche métallique, lorsque la constante de 2.2 Équations constitutives
propagation de l’onde évanescente et celle du plasmon sont
identiques. La configuration de Kretschmann exploite le même prin-
cipe mais, dans ce cas, une face du prisme est directement recou- Les relations suivantes peuvent être établies :
verte d’une couche métallique nanométrique et le plasmon se
propage à l’interface entre cette couche et le milieu diélectrique D = ε0 εrE (5)
externe. Cette configuration est plus avantageuse en pratique,
compte tenu que le plasmon peut dans ce cas révéler des change- B = µ 0 µr H (6)
ments d’indice du milieu extérieur. Cela explique donc pourquoi elle
est plus rencontrée en pratique et pourquoi elle est implantée dans
des dispositifs commerciaux comme le Biacore (société suédoise J = σE (7)
qui fait désormais partie du groupe GE Healthcare). La résolutionré-
fractométrique est de l’ordre de 10–7 UIR (unité d’indice de réfrac- avec ε0 permittivité électrique dans le vide,
tion) dans la mesure de l’indice de réfraction externe. Citons εr constante diélectrique relative,
également la possibilité d’exciter des plasmons grâce à un réseau
µ0 perméabilité magnétique dans le vide tandis,
de diffraction. Dans cette méthode, la lumière véhiculée dans un
diélectrique excite un réseau de diffraction métallique. Enfin, les µr perméabilité magnétique relative,
fibres optiques se positionnent désormais comme une alternative σ conductivité.
efficace à l’excitation des plasmons car, contrairement aux appro-
ches basées sur les prismes, elles rendent possible l’interrogation
déportée dans de très faibles volumes [17]. Ces différentes métho-
des feront l’objet d’une description dans le paragraphe 3. 2.3 Conditions aux limites
Le paragraphe 4 abordera le cas particulier des plasmons de
Afin d’obtenir une description complète du champ électroma-
surface localisés, lesquels sont obtenus dans le cas de particules
gnétique, il convient d’ajouter aux quatre équations de Maxwell et
métalliques dont la taille est inférieure à celle de la longueur
aux trois équations constitutives, un ensemble de quatre équations
d’onde de la lumière d’excitation.
appelées conditions aux limites. Ces équations imposent des res-
Enfin, le paragraphe 5 présentera quelques applications trictions au champ électromagnétique à l’interface frontière entre
contemporaines des plasmons de surface, en spectroscopie et deux milieux. Appelons N12 un vecteur unité pointant d’un
pour la réalisation de capteurs (bio)chimiques. Les principes de milieu (1) vers un milieu (2) perpendiculaire à une section infinité
fonctionnement et leur utilité seront décrits. simale de l’interface entre ces deux milieux. Les équations

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M55

Diffusion dans les métaux

par Pierre GUIRALDENQ

Professeur des universités à l’École Centrale de Lyon (ECL)
et au Conservatoire National des Arts et Métiers (Centre Associé de Lyon)
Directeur de Recherches à l’ECL

1. Diffusion à l’état solide.......................................................................... M 55 - 2

1.1 Généralités ................................................................................................... — 2
1.2 Mécanismes élémentaires de la diffusion ................................................. — 3
1.3 Courts-circuits de diffusion......................................................................... — 6
1.4 Diffusion chimique. Étude des couples de diffusion ................................ — 9
2. Diffusion dans les métaux liquides .................................................... — 12
2.1 Modèles de diffusion................................................................................... — 12
2.2 Valeurs d’autodiffusion ............................................................................... — 13
3. Diffusion des gaz dans les métaux ..................................................... — 13
4. Diffusion en régime forcé ..................................................................... — 13
4.1 Diffusion dans un gradient de concentration............................................ — 14
4.2 Diffusion sous pression............................................................................... — 14
4.3 Diffusion en présence d’un gradient de température (thermotransport) — 15
4.4 Diffusion en présence d’un champ électrique........................................... — 15
4.5 Diffusion sous irradiation............................................................................ — 16
4.6 Diffusion sous l’effet des ultrasons............................................................ — 16
5. Méthodes d’étude de la diffusion ....................................................... — 16
5.1 Généralités ................................................................................................... — 16
5.2 Principe du calcul......................................................................................... — 16
5.3 Méthodes physiques d’analyse des coefficients de diffusion à l’état
solide ............................................................................................................ — 18
5.4 Mesure de la diffusion des gaz dans les métaux ...................................... — 20
5.5 Mesure de la diffusion dans les métaux liquides ..................................... — 20
6. Données numériques sur la diffusion ................................................ — 21
6.1 Relation entre les constantes d’autodiffusion et d’autres propriétés
physiques ..................................................................................................... — 21
6.2 Diffusion des impuretés (hétérodiffusion à dilution infinie) .................... — 24
6.3 Diffusion dans les alliages concentrés....................................................... — 26
6.4 Diffusion dans les composés à propriétés particulières ......................... — 28
6.5 Diffusion des gaz dans les métaux............................................................. — 29
6.6 Diffusion dans les alliages amorphes ........................................................ — 29
6.7 Diffusion dans les matériaux nanocristallins ............................................ — 30
7. Quelques applications des phénomènes de diffusion................... — 30
7.1 Études de base en Métallurgie-Physique .................................................. — 30
7.2 Études à caractère appliqué........................................................................ — 33
Pour en savoir plus........................................................................................... Doc. M 56

a diffusion dans les métaux constitue un chapitre important de la

L Métallurgie-Physique : elle est la base même des phénomènes macrosco-
piques observés au terme d’un traitement thermique pour améliorer les pro-
priétés de volume ou de surface (par un traitement de surface) et, d’une façon
générale, elle contrôle l’évolution d’un matériau dès qu’interviennent le temps
Parution : avril 1994

et la température.

Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie est strictement interdite.
© Techniques de l’Ingénieur, traité Matériaux métalliques M 55 − 1

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DIFFUSION DANS LES MÉTAUX ___________________________________________________________________________________________________________

La diffusion a été observée au départ sur des cas simples pour comprendre
les mécanismes au niveau du réseau cristallin et pour déterminer les paramètres
physiques qui la caractérisent (coefficients de diffusion, énergies d’activation,
facteurs de fréquence).
Aujourd’hui, les valeurs numériques propres à de nombreux systèmes (métal
pur, impuretés dans un métal pur, alliages binaires, alliages ternaires, etc.)
permettent de comprendre les applications possibles et existantes de ces
recherches dans des domaines tels que le frittage, les traitements de surface,
le soudage, la corrosion : connaissant les constantes de diffusion, on peut prévoir
déjà dans des cas simples (carburation des aciers par exemple) les temps et les
températures de traitement thermique.
Toutefois, en pratique, les paramètres mis en jeu sont souvent multiples : par
exemple, dans une opération de soudage, pour prévoir la diffusion, il faudrait
tenir compte à la fois du gradient de température, du champ électrique, des
affinités chimiques, des mouvements du métal liquide. Aussi, cet article a donc
pour but de séparer l’analyse des différents paramètres afin de mieux saisir
leur importance dans les phénomènes de transport.

1. Diffusion à l’état solide 1.1.1 Lois de la diffusion

Nota : le lecteur se reportera utilement, dans le traité Sciences fondamentales, à l’article

1.1 Généralités Phénomènes de transport [A 247].

Les phénomènes de diffusion à l’état solide correspondent à des 1.1.1.1 Première loi de Fick
sauts effectués par les atomes dans les défauts du cristal, sous Considérons un flux J˙ d’atomes passant à travers une surface
l’effet de l’agitation thermique (cf. articles L’état métallique [M 30] unité, dans une direction x perpendiculaire à cette surface. Si l’on
[M 35] [M 40] [M 45] dans le présent traité). désigne par ∂c /∂x la variation du nombre d’atomes (ou de la
Alors que les vitesses de migration des atomes dans les gaz ou concentration) correspondant à ce flux par unité de temps, à
dans les liquides sont pratiquement visibles à l’échelle macros- travers la surface considérée, on obtient :
copique, il est rare sur un métal de voir, à la température ambiante,
∂c
l’évolution de ses propriétés par suite d’un phénomène de diffusion. J˙ = – D ------- (1)
Ce n’est qu’à haute température, entre Tf/2 et Tf , Tf étant la tem- ∂x
pérature de fusion, que le transport des atomes prend de avec D constante appelée coefficient de diffusion.
l’importance à grande distance dans le réseau cristallin. La diffusion
est un phénomène important, qui est à la base de tous les traite- Le signe moins indique que, physiquement, le flux d’atomes va
ments thermiques industriels conditionnant les propriétés structu- en sens inverse du gradient ∂c /∂x.
rales des matériaux en service. Cette relation exprime donc, en régime permanent, l’évolution
C’est en 1855 que les bases théoriques des phénomènes de dif- d’un ensemble hétérogène d’atomes mal répartis dans l’espace vers
fusion ont été établies par Fick : elles expriment, au même titre qu’un un état d’équilibre plus stable (ensemble homogène). Le coefficient
flux de chaleur ou qu’une densité de courant électrique, un flux D a pour équation aux dimensions : L2 T –1. Il s’exprime, dans le sys-
d’atomes dans une direction donnée du cristal. On est amené ainsi tème MKS, en m2 · s–1 ; mais l’usage international conserve l’unité
à définir une grandeur physique importante, appelée le coefficient du système CGS : cm2 · s–1 (1 cm2 · s–1 = 10–4 m2 · s–1).
de diffusion. Ce coefficient intervient dans deux lois fondamentales, La relation (1) est tout à fait comparable à la loi de propagation
appelées lois de Fick (§ 1.1.1). de la chaleur (loi de Fourier) ou à l’expression de la densité de
Les progrès réels dans ce domaine, c’est-à-dire dans la détermi- courant en fonction d’un champ électrique (loi d’Ohm).
nation des coefficients de diffusion, ne remontent toutefois qu’à une Remarque : d’un point de vue physique, le coefficient de diffusion ne donne aucune idée
des atomes migrant à un instant t et à une abscisse x donnés. En revanche, le produit
époque assez proche (1950 environ), après la mise au point de tech- D · c (§ 1.4.5), de dimensions M L–1 T –1, représente bien une quantité d’atomes parcourant
niques nouvelles d’analyses, telles que les radioéléments artificiels une distance unité par unité de temps.
ou la microanalyse électronique, et plus récemment ESCA, Auger,
SIMS, SDL, etc. (cf. articles spécialisés dans les traités Électronique 1.1.1.2 Deuxième loi de Fick
ou Analyse et Caractérisation).
Elle exprime non plus un régime permanent de diffusion, mais
un régime transitoire où l’on suppose ∂c /∂t ≠ 0. La variation de la
concentration c en fonction du temps est alors définie par la
relation :
∂c ∂ ∂c
∂t ∂x ∂x 
------- = ------- D ------- 
Sous sa forme la plus générale, la deuxième loi de Fick doit
s’écrire :
∂c
∂t
∂
 ∂c
∂x  ∂y
∂
 ∂c
∂y  ∂z
∂

∂c
------- = ------- D x ------- + ------- D y ------- + ------- D z -------
∂x ∂z

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M 55 − 2 © Techniques de l’Ingénieur, traité Matériaux métalliques

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M55

___________________________________________________________________________________________________________ DIFFUSION DANS LES MÉTAUX

Si D est une constante quelle que soit la direction dans l’espace Il s’agit ici du domaine de températures où l’on observe, quand
(milieu isotrope), on peut écrire : il y a lieu, les phénomènes de précipitation intergranulaire (inter-
venant lors des traitements thermiques de revenu, cf. rubrique Trai-
2 2 2
tements thermiques, dans ce traité) ;
∂c
∂t ∂x

∂ c ∂ c ∂ c
------- = D ---------2- + ---------2- + ---------
∂y ∂ z2
-  = D ⋅ ∆ c = D ⋅ ∇2 c
■ à haute température (0,7 T f à T f ), enfin, la diffusion dans le
Cette équation ne peut s’appliquer en toute rigueur qu’aux phé- volume des grains prend de plus en plus d’importance par
nomènes d’autodiffusion, c’est-à-dire aux mouvements d’atomes croissance exponentielle du nombre de défauts : c’est le véritable
dans le propre réseau cristallin de ces atomes. phénomène de diffusion en volume (Dv , D0v , Qv ) qui correspond
généralement aux traitements d’homogénéisation.
Dans les métaux cubiques, les coefficients Dx , Dy , Dz sont
égaux. Dans les autres systèmes cristallins, la diffusion est aniso- Ces trois domaines ne sont évidemment pas séparés les uns des
trope (Dx ≠ Dy ≠ Dz ). autres. À des températures intermédiaires, ils peuvent coexister
simultanément, ce qui est une source de difficultés pratiques pour
déterminer les coefficients de diffusion intrinsèques Ds , Dj , Dv .
1.1.1.3 Loi d’Arrhénius
Le coefficient de diffusion D est caractéristique d’une mobilité à
une température définie. Ce phénomène, lié à l’agitation des atomes,
se modifie donc avec la température dans le même sens que la 1.2 Mécanismes élémentaires
concentration en défauts et l’entropie du système. Il obéit par de la diffusion
conséquent, comme tous les phénomènes activés thermiquement,
à une relation exponentielle, du type équation de Boltzmann.
Appelée pour l’état solide relation d’Arrhénius, elle s’écrit sous la Plusieurs cas sont à considérer suivant la nature des éléments
forme : présents et le type de réseau cristallin.
D = D0 exp (– Q/RT )
■ 1er cas : si l’on regarde des atomes A mobiles dans leur propre
avec Q eV/mole ou, dans le système CGS, cal/mole énergie réseau, on parle dans ce cas d’autodiffusion et l’on étudie par
d’activation du phénomène, conséquent l’interaction directe des atomes A avec les défauts du
(1 eV ≈ 0,38 × 10–19cal ≈ 1,6 × 10–19 J), réseau. C’est le problème du métal pur, sans addition ni impureté.
R (5,192 × 1019 eV · K–1 · mol–1 = 8,314 J · K–1 · mol–1) ■ 2e cas : si l’on observe la mobilité d’une impureté B dans le
constante molaire des gaz, réseau de A, on parle alors d’hétérodiffusion à dilution infinie des
T (K) température absolue de diffusion, atomes B. Ces derniers interagissent avec les atomes A et avec les
lacunes de A. C’est le problème des solutions solides très diluées.
D0 facteur de fréquence : il a les mêmes dimensions que D,
et sa valeur est celle du coefficient de diffusion ■ 3e cas : si la diffusion concerne une solution solide concentrée (cf.
pour 1/ T = 0, c’est-à-dire pour une température infinie. articles Solidification [M 58] [M 59] [M 786] dans le présent traité), il
Le sens physique de l’énergie d’activation et du facteur de fré- est nécessaire de considérer à la fois les différents types d’atomes
quence est donné par l’étude proprement dite du mécanisme de la A, B, etc., et leurs interactions propres avec les lacunes de la solu-
diffusion (§ 1.2). tion solide. Ce cas devient donc rapidement complexe en raison du
Nota : la norme NF X 02-108 recommande de symboliser l’énergie d’activation par E, nombre de coefficients de diffusion élémentaires qu’il faut prendre
en J · mol–1 ou eV · mol–1. Elle n’est que partiellement appliquée dans les études de diffu- dans les calculs (DA , D B , etc.).
sion dans les métaux.
Par exemple, pour une solution solide binaire A – B, contenant
CA atomes A et CB atomes B, on est amené à définir un coefficient
1.1.2 Principaux modes de diffusion de diffusion mutuelle (ou coefficient d’interdiffusion ) D˜ AB , lié pour
certaines concentrations précises (§ 1.4.3) aux coefficients DA et D B
Nous avons considéré jusqu’ici la diffusion dans l’ensemble d’un
par la relation :
cristal comme le mouvement d’atomes échangeant leurs positions
avec les lacunes ou d’autres défauts du réseau. D̃ AB = C A D B + C B D A
Si l’on considère maintenant le cas d’un solide polycristallin
DA et D B étant les coefficients de diffusion intrinsèques de A et B,
dans l’ensemble de l’échelle totale des températures, plusieurs
pour la composition binaire particulière. Étant donné que l’on fait
phénomènes importants peuvent exister :
intervenir ici la concentration de chaque élément, on parle dans ce
■ à basse température, loin de Tf (par exemple + 200 oC pour le cas de diffusion chimique (cas des fortes concentrations), étudiée
nickel qui fond vers 1 450 oC, et – 200 oC pour le gallium dont la au paragraphe 1.4.
température de fusion se situe vers 30 oC), il ne peut exister de Les deux premiers cas sont étudiés en général à l’aide des
mouvement atomique que dans les zones les plus libres du cristal, radioéléments artificiels, le dernier au moyen de couples de diffu-
c’est-à-dire en surface où des liaisons sont coupées. On parle alors sion et par des analyses ponctuelles (§ 1.4).
de diffusion superficielle, et la relation d’Arrhénius s’écrit :
Au niveau des mécanismes élémentaires, il y a lieu, en plus, de
Qs tenir compte de l’encombrement des atomes les uns par rapport aux
D s = D 0 s exp – ---------
RT   autres. En particulier, en hétérodiffusion, une impureté B dans une
matrice A peut occuper soit des sites interstitiels (§ 1.2.1), soit des
■ à température moyenne (0,3 à 0,5 Tf), un deuxième phénomène sites de substitution ; dans ce dernier cas, les mouvements
apparaît : il s’agit de la diffusion dans les zones les plus perturbées atomiques ne sont possibles que par l’intermédiaire des lacunes
du polycristal, c’est-à-dire les joints de grains (cf. articles L’état (§ 1.2.2).
métallique [M 30] [M 35] [M 40] [M 45]). Les atomes migrent alors
préférentiellement en échangeant leurs positions avec les défauts
du joint de grain. Il s’agit de la diffusion intergranulaire, à laquelle 1.2.1 Diffusion interstitielle
on peut rattacher une nouvelle loi d’Arrhénius :
Ce mécanisme intéresse des éléments de petits rayons ioniques,
Qj placés dans un réseau en position interstitielle. Ce n’est possible
D j = D 0 j exp – ---------
RT   qu’avec les éléments ayant un rayon inférieur à 0,1 nm (1Å), comme
le carbone, l’azote ou l’hydrogène dans le fer. L’atome interstitiel

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migre ainsi d’une position interstitielle à une autre position intersti- C’est Zener qui, le premier, a imaginé ce mécanisme. Il faut
tielle sans nécessiter une trop grande déformation du réseau appel pour cela à la concentration en lacunes et, par suite, aux
cristallin. A priori, dans ce mécanisme, la présence de lacunes n’est termes thermodynamiques correspondants ; en désignant par :
pas indispensable, mais leur présence ne peut évidemment qu’aider • ∆ Sf  l’entropie de formation des lacunes ;
la mobilité des atomes. Les coefficients de diffusion d’un élément
interstitiel seront donc toujours plus grands que ceux des atomes • ∆ S m  l’entropie de mouvement des lacunes ;
de la matrice qui les contient (dans un rapport égal à 104 – 105).
• ∆ Hf  l’enthalpie de formation des lacunes ;
Sous un angle thermodynamique, et en admettant en première
approximation que les lacunes n’interviennent pas, si l’on désigne • ∆ H m  l’enthalpie de mouvement des lacunes ;
par : • k la constante de Boltzmann.
• ∆G enthalpie libre associée à la diffusion, on peut écrire [1] [2] que la probabilité de saut, p, d’un atome d’un
• ∆Smi l’entropie associée au mouvement des atomes intersti- site donné à un autre site se définit comme un processus
tiels, statistique sous la forme :
• ∆Hmi l’enthalpie associée au travail isotherme nécessaire
pour déplacer un atome interstitiel d’une position
d’équilibre à une autre,
∆ Sm 
 
∆ Hm 

p = ν exp ---------------- exp – ----------------
k kT
 (2)
• a le paramètre cristallin de la matrice,
• k la constante de Boltzmann (k = 8,61 × 10–5 eV · K–1 avec ν fréquence de vibration de l’atome considéré autour de
= 1,38 × 10–23 J · K–1), sa position d’équilibre.
• ν la fréquence de vibration des atomes qui diffusent, De plus, la concentration en lacunes [ ] dans le réseau est
on montre que [1] : elle-même une exponentielle du même type [1] [2] :


∆G
D = a 2 ν exp – ---------
kT
∆S
 = a2 ν exp  --------------
k 
mi
exp  – --------------- 
kT
∆H mi
∆ Sf 
 
∆ Hf 

[ ] = exp ------------- exp – -------------
k kT
 (3)

Nota : la constante de Boltzmann k est liée à la constante molaire des gaz R (§ 1.1.1.3) Nota : l’indice f exprime ici le caractère associé à la formation du défaut et l’indice m,
par la relation : précédemment utilisé, toute grandeur physique associée au mouvement.
R = k · NA
C’est à partir des expressions (2) et (3) que la diffusion globale
avec NA (6,022 × 1023 mol–1) nombre d’Avogadro. d’une espèce donnée d’atomes sera caractérisée par le coefficient
Nous donnerons plus loin quelques exemples importants de de diffusion D et par la relation :
valeurs numériques pour la diffusion d’éléments interstitiels dans
les aciers (§ 6.2.2 et 7.2.7). Les pentes des droites expérimentales
D = f (1/T ), comme celles de la figure 30a, représentent le terme

∆ Sf  + ∆ Sm 
k
 
∆ Hf  + ∆ Hm 
D = a 2 ν exp ----------------------------------- exp – -----------------------------------
kT

∆ H mi / k ; les ordonnées à l’origine de ces mêmes droites
permettent de lire le coefficient D 0 = a 2 ν exp ( ∆ S mi / k ) et de avec a paramètre caractéristique de la maille cristalline élémen-
calculer, par suite, l’entropie de migration ∆Smi . taire supposée ici, pour simplifier, de symétrie cubique.
Cette relation sert de base aux calculs thermodynamiques de la
diffusion puisqu’elle caractérise, en termes d’énergie, le coefficient
1.2.2 Diffusion lacunaire D . L’expression a 2 ν exp ( ∆ S f  + ∆ S m  )/ k  , indépendante de la
température et appelée facteur de fréquence, ne dépend que des
Ce mécanisme concerne tous les cas classiques de diffusion
d’atomes de substitution (autodiffusion ou hétérodiffusion). En termes entropiques ∆ S f  et ∆ S m  .
raison de l’encombrement pris par chaque atome, la diffusion ne L’énergie d’activation du phénomène de diffusion est la somme
peut avoir lieu que s’il existe une lacune au voisinage immédiat de ( ∆ Hf  + ∆ Hm  ) .
l’atome qui doit migrer (figure 1), et ce dernier doit posséder, en
plus, une énergie suffisante pour quitter sa position d’équilibre et Le développement de la théorie lacunaire a permis de vérifier les
sauter dans la lacune. valeurs expérimentales de Q et D0 (§ 1.1.1.3).

Ordres de grandeur : en ce qui concerne les métaux cubiques

en autodiffusion en volume, on admet que D 0 est compris
entre 10 –1 et 10 cm 2 · s –1 . Les énergies d’activation sont
comprises entre 125 et 295 J/mol (≈ 8 × 1023 et 18 × 1023 eV).

Nous donnerons au paragraphe 6 quelques valeurs de ces

constantes, liées à d’autres propriétés physiques.

1.2.3 Diffusion par bilacunes ou multilacunes

Pour expliquer l’autodiffusion des métaux cc qui ne suivent pas

toujours, dans toute l’échelle de températures, une seule loi
d’Arrhénius, certains auteurs (Askill, [3]) ont proposé, pour les plus
Figure 1 – Configuration des sites atomiques les plus voisins hautes températures, la contribution de bi ou multilacunes. Ces
pour le saut élémentaire d’un atome dans une position lacunaire dernières augmenteraient donc considérablement les coefficients
pour le système cubique de diffusion.

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1.2.4 Diffusion par le mécanisme d’anneaux 1.2.5 Étude du caractère aléatoire de la diffusion.
Définition du facteur de corrélation
L’un des plus vieux modèles imaginés pour la diffusion correspond
à l’échange direct entre atomes voisins du cristal. Dans les structures Dans le mécanisme lacunaire, il n’est pas possible d’envisager
compactes (cfc, hc), il est énergétiquement très peu probable par que les sauts atomiques soient totalement aléatoires : en effet, si
suite des distorsions énormes qu’il produirait au passage d’un site l’on considère un atome qui vient de s’échanger avec une lacune
atomique à l’autre (figure 2). voisine, pour effectuer un second saut dans la même direction, il
faut que cet atome soit à nouveau à côté d’une nouvelle lacune, en
Une variante de ce modèle a consisté à supposer (Zener 1950)
position de proche voisin. Or, la concentration en lacunes restant
que plusieurs atomes participent simultanément au mouvement
relativement faible (10–4 au voisinage de la température de fusion),
par rotation dans un plan (ring mechanism ) (figure 3).
il y a de fortes chances pour que le second saut de l’atome considéré
Ce mouvement coopératif d’atomes entraîne donc des possibilités se produise en sens inverse avec la lacune initiale. Dans ces
d’échange sans qu’il soit nécessaire de faire intervenir les lacunes. conditions, le saut inverse du premier est, parmi tous les sauts
Ce mécanisme, proposé pendant longtemps pour les métaux possibles, celui qui est le plus probable et l’on est alors ramené à
cubiques centrés, n’a jamais reçu de véritables preuves expérimen- la configuration initiale. Au total, tout s’est passé comme s’il n’y
tales. Il est actuellement abandonné au profit du mécanisme lacu- avait pas eu diffusion.
naire (§ 1.2.2 et 1.2.3) dont les supports théoriques et expérimentaux
On est donc conduit à définir pour chaque structure un paramètre
sont aujourd’hui bien établis.
nouveau justifiant l’efficacité des sauts, c’est-à-dire un mouvement
dû à l’effet de non-indépendance entre sauts successifs, en
considérant un facteur dit de corrélation : f. Ce facteur se définit en
considérant le coefficient D réel et le coefficient D relatif à un phé-
nomène qui serait totalement aléatoire :
Dréel = f · Daléatoire
Ce coefficient f peut être déterminé expérimentalement par effet
isotopique, c’est-à-dire en mesurant les vitesses de diffusion de
deux isotopes d’un même élément. Ses valeurs sont données dans
le tableau 1. Des simulations peuvent également être imaginées
par des calculs informatiques [4]. (0)

Tableau 1 – Facteur de corrélation en autodiffusion,

en fonction du mécanisme et de la structure
Mécanisme Structure Valeur de f
cs


0,65
Figure 2 – Mouvement de deux atomes par échange direct, cc 0,72
et représentation de la barrière énergétique associée Lacunaire .......................................... cfc 0,78
à ce mouvement hc 0,78

Bilacunaire........................................ cfc 0,475

Interstitiel.......................................... cfc 1

1.2.6 Diffusion des impuretés à dilution infinie

Nota : se reporter également à l’article Phénomènes de transport [A 247], dans le traité
Sciences fondamentales.
Considérons une impureté B dans une matrice métallique A
cubique. Chacun de ces deux éléments est, en fonction de la tem-
pérature, l’objet, pour ses atomes, de mouvements de diffusion
(autodiffusion des atomes A et diffusion des atomes B dans le réseau
de A). Pour chaque espèce, on peut donc définir des lois
d’Arrhénius (§ 1.1.1.3) :
QA

D A = D 0A exp – ---------
kT
 et 
QB
D B = D 0B exp – --------
kT

Nota : on rappelle que R = k · NA .
En général, l’on observe une différence ∆Q = Q B – QA .
Figure 3 – Configuration des divers échanges interatomiques
possibles dans la théorie du mécanisme de diffusion par anneaux
(ring mechanism )

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En désignant par f B le facteur de corrélation de l’impureté B, on 1.3.1.1 Théories mathématiques en autodiffusion

montre que [5] [6], en première approximation :
1.3.1.1.1 Théorie de Fisher
7
ω 1 + ----- ω 3 Le calcul de Fisher [7] suppose l’existence d’un joint de grain
2
fB = ---------------------------------------- unique, perpendiculaire à une surface prise comme référence, à
7
ω 1 + ω 2 + ----- ω 3 partir de laquelle on fait diffuser un élément marqué, déposé en
2
couche mince (quelques micromètres) (figure 4).
où ω1 , ω2 et ω3 sont respectivement les fréquences de sauts : L’axe principal de diffusion est l’axe Oy , situé dans le plan
• ω1 entre une lacune ⵧ et le solvant A placé en premier partageant le joint (de largeur δ) en deux parties égales ; une
voisin de ⵧ et B ; diffusion secondaire se fait ensuite normalement à ce plan (diffusion
• ω2 entre une lacune ⵧ et l’impureté B ; en volume) suivant les axes Ox et Ox’.
• ω3 entre une lacune ⵧ et le solvant A, les atomes A étant Le calcul de la concentration de l’élément marqué qui diffuse
premiers voisins de la lacune seule. depuis la surface revient à considérer, à chaque profondeur, deux
f B est un terme qui intervenir dans l’expression de D B , qui prend contributions : l’une propre au joint au niveau de la largeur δ, l’autre
alors la forme : propre au volume de part et d’autre du joint. Il faut donc faire
QB intervenir simultanément les deux coefficients Dv et Dj . En supposant
D B = D 0B f B exp – --------
kT   la température suffisamment basse ( D v Ⰶ D j ) , Fisher a pu calculer
l’expression approchée de la concentration c (x, y, t ) :
Pour l’autodiffusion, f est indépendant de la température dans
les structures isotropes, alors que, pour l’hétérodiffusion, ce terme 1 η x
varie avec T puisque les fréquences de sauts sont thermiquement 
c ( x , y , t ) = c 0 exp – ----------- ⋅ -----------
π1 / 4 β1 / 2   1 – erf --------------------
2 Dv t 
activées :
avec c0 concentration initiale en surface (supposée constante
∆ H m ( ω1 ) ∆ H m ( ω2 )

ω 1 = ν 1 exp – ----------------------
kT

ω 2 = ν 2 exp – ----------------------
kT
  pendant l’expérience),
Dj ⋅ δ
∆ H m ( ω3 ) β = --------------------------- ,

ω 3 = ν 3 exp – ----------------------
kT
 2 Dv Dv t
y
η = --------------- ,
Dv t
En désignant par ∆ H m 0 l’enthalpie d’activation pour l’échange
d’un atome solvant A avec une lacune et par ∆ H f 0 l’enthalpie de

u
2
erf (u ) = --------- exp ( – x 2 ) d x
formation d’une lacune ( Q A = ∆ H m 0 + ∆ H f 0 ) , et en notant ∆ H m 1 π 0
l’enthalpie d’activation pour l’échange d’un atome soluté B avec une
En pratique, cette solution n’est applicable que pour des valeurs
lacune et ∆ H f 1 l’enthalpie d’interaction d’une lacune proche d’un
de β suffisamment grandes (β > 102) ; sinon, il est nécessaire
atome B ( Q B = ∆ H m 1 + ∆ H f 1 ) , on obtient : d’utiliser un calcul plus élaboré (§ 1.3.1.1.2 et 1.3.1.1.3).

∂ ln D B ∂ ln f 1.3.1.1.2 Théorie de Whipple

Q B = – k ------------------- = ∆ H m  1 + ∆ H f  1 – k -------------------
∂ ( 1/ T ) ∂ ( 1/ T ) Ce modèle [8] permet de résoudre le problème sans
k ∂ ln f approximation dans les calculs, laissant ainsi plus de possibilités
∆ Q = ( ∆ H m  1 – ∆ H m  0 ) + ( ∆ H f 1 – ∆ H f 0 ) – ------------------- pratiques dans le choix des températures pour les mesures, même
∂ ( 1/ T )
si la contribution de la diffusion en volume à partir du joint devient
∆ Q = ∆ Hm + ∆ Hf – FC importante. L’expression de la concentration est alors donnée par :

avec FC fonction de corrélation liée à T.

Si ∆Hf est négatif, les lacunes sont attirées par les atomes  2 Dv t
y

η
c ( x , y , t ) = c 0 1 – erf ------------------- + ------------
2 π
 1
Dj / Dv η2
σ –3/2 exp – --------
4σ  
d’impuretés ; elles sont repoussées si ∆Hf est positif.
( Dj / Dv ) – 1
Le Claire [5] a donné un large développement à ce modèle.
 1 – erf  ----12- Dj / Dv  x σ–1
- ⋅ ---------------- + -------------
-----------------------------
Dv t β    dσ
1.3 Courts-circuits de diffusion avec σ variable d’intégration.

On appelle courts-circuits de diffusion les phénomènes de

transport de matière faisant intervenir des défauts de très
grande dimension (joints de grains et surfaces), qui ont lieu en
particulier à des températures inférieures à 0,5 Tf (§ 1.1.2).

1.3.1 Diffusion aux joints de grains

Les joints de grains, régions où le réseau cristallin est particu-

lièrement perturbé, jouent un rôle important dans les phénomènes
de diffusion, en particulier dans le domaine 0,3 Tf - 0,5 Tf (§ 1.2).
L’analyse mathématique du phénomène permettant de mesurer Dj
s’est développée au moyen de calculs sur ordinateur [11] [12].
Figure 4 – Modèle de joint de grains séparant deux cristaux A et B
et profil du front de diffusion par ce joint et par le volume des grains

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1.3.1.1.3 Théorie de Suzuoka dont il faudrait tenir compte [18]. En particulier, si l’élément
Celle-ci est assez proche de celle de Whipple, mais elle suppose considéré présente des propriétés éloignées de celles du métal
des conditions initiales légèrement différentes en ce qui concerne solvant, comme c’est le cas pour les non-métaux (le soufre dans le
le comportement du joint de grains à l’instant t = 0. Suzuoka [9] cuivre par exemple), la diffusion est modifiée par la ségrégation inter-
pense qu’il faut considérer le joint, sur les premières couches, granulaire (cf. articles Solidification [M 58] [M59] [M 786] dans ce
comme un puits d’atomes de telle sorte que c 0 ne reste pas constant. traité). La mesure de la concentration après une telle expérience fait
Bien que ce raisonnement soit plus rigoureux que celui de Whipple, donc intervenir non seulement le produit Dj · δ, mais également un
les deux solutions restent très voisines pour les couches profondes, terme nouveau α, appelé coefficient de ségrégation. Le calcul, déduit
loin de la surface. de l’expérience, donne donc une expression complexe :
Dj · δ · α
1.3.1.1.4 Comparaison des différents modèles théoriques
α caractérise le rapport des concentrations de l’espèce atomique
La validité comparée de ces différentes solutions a été clairement étudiée au niveau du joint (Cj ) et dans le volume (Cv ), à l’équilibre.
présentée par Le Claire [10] : on peut dire que les résultats sont très
proches les uns des autres dans la mesure où β est grand (> 102), C’est seulement si le degré de ségrégation de l’élément qui dif-
c’est-à-dire si les essais sont effectués à basse température fuse est connu à chaque température, que l’on peut en déduire Dj .
( ⭐0,3 T f ) , de manière à minimiser la contribution de la diffusion en De telles expériences ont été réalisées sur des bicristaux par Moya
volume. et Cabané [19] et poursuivies jusqu’à ce jour par la même
équipe [20] [21].
Des calculs sur ordinateur de la fonction complexe de Whipple
ont permis, depuis quelques années, d’améliorer la précision des 1.3.1.3 Ordre de grandeur des énergies d’activation
mesures des coefficients de diffusion intergranulaire [11] [12].
L’énergie d’activation d’autodiffusion intergranulaire Qj est en
En pratique, la plupart des expériences ont porté sur des poly-
général plus faible que l’énergie d’activation d’autodiffusion en
cristaux et non sur un seul joint de grain. Les valeurs expérimen-
volume Q v (par exemple, pour le fer α : Q j = 168 kJ/mole ;
tales du produit Dj · δ ne sont donc souvent que des moyennes
Qv = 250 kJ/mole).
correspondant à des largeurs δ de joints de grains d’orientation
quelconque par rapport à la surface. Nous donnerons au paragraphe 6.1 quelques exemples en
liaison avec d’autres propriétés physiques.
1.3.1.1.5 Nouveaux concepts de la diffusion intergranulaire
1.3.1.4 Énergie des joints de grains
■ Guez [13] a proposé un nouveau modèle de diffusion aux Les échanges atomiques et lacunaires au niveau des joints de
interfaces, dans lequel le joint est un plan unique d’épaisseur nulle. grains et dans le volume avoisinant caractérisent à température
Les concentrations, rapportées à des unités de surface, sont à tout élevée le désordre de ces régions perturbées.
instant contrôlées par des échanges entre le joint et le volume, ces
échanges étant d’autant plus importants que les potentiels L’énergie thermique Ej , associée à ces perturbations intergranu-
chimiques des éléments qui diffusent sont différents. Complexe et laires, peut être reliée aux constantes Dj · δ et Dv en autodiffusion [22]
difficile à exploiter, ce modèle a eu le mérite de faire appel à un seul et [23] par une relation, dite de Borisov, du type (dans le cas d’un
et même formalisme pour traiter la diffusion et la ségrégation. mécanisme lacunaire) :
Toutefois, il ne donne aucune réalité physique au joint en tant que Dj ⋅ δ
kT
zone typiquement lacunaire. E j = ------------ m  ln ----------------- – ln m 
2 a ′2 a ′ ⋅ Dv
■ Benoist et Martin [14] ont également adopté la description du
joint d’épaisseur nulle tout en cherchant à analyser le mouvement avec δ largeur du joint,
aléatoire des atomes au voisinage de ce plan pour les différentes a’ distance moyenne des atomes à l’équilibre dans le joint
fréquences de saut selon les directions suivies par l’atome. Tout est (de l’ordre du paramètre cristallin pour un joint
expliqué ici en termes de fréquences de sauts, qui se substituent en quelconque),
particulier aux coefficients de ségrégation.
k constante de Bolzmann,
■ Plus récemment, Lemuet [15] et Biscondi [16] ont apporté un éclai- m nombre de couches atomiques formant le joint.
rage nouveau sur les sauts élémentaires des atomes dans les joints
de grains par l’étude de l’évolution de l’énergie locale associée à la Cette relation a permis de confirmer sur des métaux purs les
densité lacunaire du réseau à l’aplomb de chaque joint : il en résulte, valeurs de l’énergie des joints, trouvées par d’autres méthodes,
en particulier pour des bicristaux d’orientation prédéterminée, une telles que l’attaque thermique, c’est-à-dire par la mesure des
répartition des zones d’énergie élevée par lesquelles doivent se angles de raccordement entre la surface et les joints de grains, qui
produire les courants de diffusion préférentiels. Ces zones y débouchent, à l’équilibre thermique.
apparaissent comme des chemins arborescents et ramifiés dans le
plan du joint, d’où l’idée d’une très forte anisotropie dans le transport 1.3.1.5 Influence de la structure cristalline
atomique associé à certains courts-circuits à l’intérieur du joint. Sur le plan structural, contrairement à l’hypothèse de Fisher (et
Il est alors possible d’envisager la diffusion intergranulaire à la représentation donnée figure 4, les isotopes marqués et l’auto-
comme un phénomène obéissant à des règles de percolation dans radiographie ont permis de montrer que la diffusion intergranu-
des structures fractales [17]. laire présente un caractère anisotrope suivant l’orientation propre
du joint par rapport aux deux grains A et B qu’il sépare, et suivant
1.3.1.2 Hétérodiffusion intergranulaire l’orientation relative des deux cristaux adjacents.

Si l’élément qui diffuse présente des propriétés très proches de Exemple :

celles de l’élément solvant, il est possible d’utiliser les relations ■ Sur des bicristaux d’aciers inoxydables d’orientation prédéter-
précédentes et de déterminer un coefficient de diffusion Dj δ. On minée, mais présentant des joints asymétriques, il a été montré [24]
admet dans ce cas que le mécanisme de diffusion reste le même que l’autodiffusion intergranulaire du fer 59 dépend effectivement de
qu’en autodiffusion, et que les atomes échangent leur position avec l’orientation du joint, suivant le degré de cohérence de ce dernier
les défauts cristallins du réseau proche du joint ou avec ceux du joint. (figure 5).
Néanmoins, il existe une perturbation chimique du joint lui-même,

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■ En fonction de la désorientation θ entre les deux grains adjacents, On peut, comme pour la diffusion en volume, calculer un coeffi-
Haynes et Smoluchowski ont montré les premiers [25], sur des bicris- cient de diffusion superficielle Ds en supposant que le mouvement
taux de fer-silicium à 3 %, que l’autodiffusion du traceur ( 59Fe), carac- des atomes s’effectue au hasard. Chaque type de saut étant carac-
térisée par la profondeur de pénétration mesurée par comptage, reste térisé par une fréquence ωi et la longueur moyenne des sauts dans
toujours faible lorsque la désorientation est inférieure à 10 o . Elle la direction de la diffusion étant < dxi >, on écrit (article Phénomènes
augmente ensuite, passe par un maximum puis subit une décroissance de transport [A 247] dans le traité Sciences fondamentales) :
au voisinage de 50o. Le minimum observé autour de 53o (plan 210) n
corrobore la courbe d’énergie des joints de grains, calculée par 1
Schockley et Read en fonction de la désorientation (figure 6).
D s = -----
2 ∑ ωi < d xi > 2
i=1
En général, sur des polycristaux cfc ou cc, on ne remarque pas Les surfaces étant en général formées de marches et de gradins
de diffusion préférentielle le long des plans cohérents de macle (cf. plus ou moins complexes, les atomes en mouvement sur une surface
articles L’état métallique [M 30] [M 35] [M 40] [M 45]), d’énergie très n’auront pas toujours exactement le même nombre de premiers
faible [26]. En revanche, les sous-joints de polygonisation, décrits voisins, comme cela se produit pour un volume tridimensionnel.
suivant des modèles simples de dislocations, peuvent être l’objet
d’une diffusion sensible (Coulomb, Leymonie, Lacombe, [27]). De plus, l’état de surface se modifiant en fonction de la tempé-
rature par évaporation par exemple, le coefficient de diffusion ne
L’un des avantages importants de la méthode des radioéléments suivra pas en général une loi d’Arrhénius. En supposant toutefois
artificiels, appliquée à l’étude de la diffusion aux joints (§ 7.1.2), est que le phénomène reste isotrope (sauts ayant tous une même lon-
de pouvoir révéler la structure et la taille de grains existant à gueur) et qu’un seul mécanisme par lacune intervient (§ 1.2.2), Ds
haute température lors d’un traitement thermique, même lorsqu’il peut se mettre encore sous la forme :
s’agit d’une phase instable, transformée par la trempe après retour
à la température ambiante (figure 7). ∆ Sf + ∆ Sm ∆ Hf + ∆ Hm
  
D s = G ν s d 2 exp ----------------------------- exp – ------------------------------
k kT 
1.3.2 Diffusion superficielle
avec G facteur géométrique lié aux gradins de la surface,
1.3.2.1 Théorie d distance de saut.
Dans la mesure où l’atmosphère environnant la surface d’un
métal ne vient pas contaminer cette dernière (en opérant sous 1.3.2.2 Méthodes de calcul du coefficient Ds
ultravide par exemple), on admet que les différents défauts super- Les mesures expérimentales posent de nombreux problèmes car
ficiels au sens géométrique (lacunes, atomes ségrégés) vont plusieurs phénomènes de diffusion sont possibles pour le trans-
contribuer de manière comparable au mécanisme de transport port de matière d’une région à une autre : diffusion superficielle
(figure 8). directe, diffusion par le volume sous-jacent, diffusion par l’atmos-
phère (évaporation) puis recondensation.
Pour déterminer les coefficients de diffusion superficielle, il est
donc nécessaire d’opérer dans des conditions de température et de
pression activant essentiellement les mouvements atomiques en
surface. C’est un problème difficile qui n’a jamais été résolu en
toute rigueur. Une méthode intéressante permettant de juger
l’importance de l’évaporation est celle de l’évolution du rayon de
courbure d’une pointe métallique chauffée dans le faisceau d’un
microscope à balayage [29].
Deux types de méthodes sont essentiellement utilisées.

Figure 5 – Autoradiographie d’un bicristal d’acier austénitique

(Cr = 16 %, Ni = 14 %) après diffusion du fer 59 à 1 050 oC pendant
7 h, et abrasion de 30 ␮m à partir du dépôt

Figure 7 – Autoradiographie obtenue après abrasion de 20 ␮m

sur un échantillon de fer Armco recouvert initialement d’un dépôt
mince de fer 59, traité 2 jours à 1 050 oC et trempé à l’eau (d’après [28])

Figure 6 – Pénétration intergranulaire de fer radioactif Figure 8 – Schéma simplifié des modes de diffusion en surface
dans des bicristaux de fer-silicium, en fonction de l’angle
de désorientation à 770 et 810 oC (d’après [13])

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M55

___________________________________________________________________________________________________________ DIFFUSION DANS LES MÉTAUX

■ Les méthodes directes — l’autre à haute température, caractérisé par des valeurs éle-
On étudie, en fonction du temps et de la température, la vées de ces constantes :
redistribution d’un radioélément initialement déposé sur une région
0,8 Qv < Qs < 1,3 Qv 103 cm2 · s–1 < D0s < 107 cm2 · s–1
limitée de la surface. Le coefficient de diffusion Ds est alors calculé
à l’aide de l’équation de Fick (§ 1.1.1.2) qui correspond aux condi- Cela montre bien que plusieurs phénomènes physiques se
tions aux limites de l’expérience. Par exemple, dans le cas d’une superposent à haute température et qu’ils entravant la diffusion en
source cylindrique, relativement ponctuelle, on suivra en fonction surface.
du temps l’étalement de cette source conformément à l’équation :
∂c ∂2 c ∂ 2 c
 
------- = D s ---------2- + ----------
∂t ∂x ∂ y2
1.4 Diffusion chimique.
Étude des couples de diffusion
avec x et y coordonnées correspondant à deux directions sur la
surface. 1.4.1 Généralités
■ Les méthodes dynamiques
Nous venons de voir jusqu’ici les phénomènes associés à l’auto-
Le profil d’une surface se modifie en fonction du temps t pour diffusion, ou encore le cas d’une impureté très faiblement concentrée
réaliser un état d’énergie libre minimal. Ainsi, les fossés d’attaque dans une matrice métallique, qui diffuse sans modifier les propriétés
thermique formés à l’aplomb des joints de grains (§ 1.3.1.4) de base de cette matrice (dilution infinie).
permettent, par la méthode de Mullins et Winnegard [30] [31],
d’atteindre la valeur Ds . La largeur L du fossé d’attaque s’exprime Considérons maintenant le cas d’une matrice A à laquelle on
par la relation : ajoute par diffusion des concentrations de plus en plus élevées
d’un autre élément B. Cela est réalisé très simplement par chauf-
L ≈ (Bt )1/4 fage, après soudage ou placage sous pression, de deux échan-
Ds Es Ω 2 Ni tillons initialement purs de types A et B, que l’on appelle un couple
où B = ----------------------------
kT de diffusion.
Au cours du temps et en fonction de la température, il y aura
avec k constante de Boltzmann,
interpénétration des deux éléments A et B dans la zone de jonc-
Es énergie libre superficielle, tion, de part et d’autre de l’interface initiale x = 0, donc formation
Ω volume atomique correspondant, de solutions solides (B dans A et A dans B) étalées en
concentration suivant l’axe normal au plan de soudure (figure 9).
Ni nombre d’atomes par cm2 de surface.
Il existe donc ici deux courants de diffusion opposés J˙A et J˙B
Cette méthode a été utilisée pour mesurer l’autodiffusion super-
qui, au cours du temps, créent une véritable dissolution à l’état
ficielle du fer en phases α et γ [32].
solide des deux éléments A et B, dont les gradients vont s’étendre
Le microscope à champ ionique, travaillant avec de très fines de 0 à 100 %.
pointes d’un cristal (à rayon de courbure très faible), permet
L’étalement des concentrations en fonction du temps et de la
d’étudier, au niveau des marches cristallographiques, la migration
température va dépendre des caractéristiques du diagramme
d’atomes isolés ou de paires d’atomes. Cette méthode a été
d’équilibre A - B.
appliquée aux métaux réfractaires (W sur Rh, Mo sur W, Ir sur W [33]).
Nota : se reporter si nécessaire aux articles Solidification [M 58] [M 59] [M 786] et
Diagrammes d’équilibre [M 70] [M 76].
1.3.2.3 Influence de la structure cristalline
On suppose en général que Ds est constant, quelle que soit 1.4.2 Relation couples de diffusion binaire –
l’orientation des grains : en réalité, la vitesse de diffusion superfi- diagramme d’équilibre
cielle dans une direction cristallographique dépend de la densité
des atomes dans cette direction. 1.4.2.1 Les deux éléments A et B sont totalement solubles
Ainsi, déjà en 1953, l’étude de l’autodiffusion superficielle de à l’état solide (Cu et Ni par exemple) (figure 10a )
l’argent monocristallin à l’aide de l’isotope 110Ag avait permis de
Tout traitement thermique en condition isotherme (température θ )
montrer que la diffusion est bien isotrope si la surface libre du métal
du couple A - B conduit à deux gradients complémentaires de
est un plan (100) ou (111). Par contre, si ce plan est (110), la diffusion
concentration de 0 à 100 %, ayant une allure monotone. Toutefois,
est plus rapide le long d’une direction <110> que suivant <100> [31].
les deux métaux de base n’ayant pas forcément des coefficients de
On peut s’attendre à des résultats comparables avec d’autres métaux
diffusion identiques, malgré leur parenté proche (au niveau rayon
de même symétrie cristalline.
ionique, structure cristalline, etc.), il est normal que l’un des deux
envahisse plus rapidement la partie opposée du couple (J˙A > J˙B ) :
1.3.2.4 Ordre de grandeur des constantes de diffusion
il s’ensuit que les deux gradients ne seront pas centrés sur l’interface
D’une façon générale, pour un métal porté à une température T, initiale x = 0, mais déportés vers la droite, c’est-à-dire vers l’élément
l’importance des coefficients d’autodiffusion superficielle (Ds ) par qui diffuse le moins vite (figure 10b ).
rapport aux coefficients relatifs aux joints (Dj ) et au volume (Dv ) se
situe de la manière suivante :
Ds Ⰷ Dj Ⰷ Dv

Inversement, les énergies d’activation d’autodiffusion en surface

(Qs ) sont plus faibles qu’aux joints (Qj) et en volume (Q v )
(tableaux 4, 5 et 6).
On constate que, quels que soient les matériaux, il existe deux
domaines très différents dans les lois d’Arrhénius d’autodiffusion
superficielle :
— l’un à basse température, caractérisé par de faibles valeurs de
l’énergie d’activation et du facteur de fréquence : Figure 9 – Couple de diffusion formé par deux métaux purs A et B
Qs ≈ Qv /2 D0s ≈ 10–2 cm2 · s–1 avant la diffusion (t = 0) et pendant (t > 0)

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M58

Solidification
Cristallisation et microstructures
par Gérard LESOULT
Professeur à l’École Nationale Supérieure des Mines de Nancy
Ingénieur Civil des Mines

1. Croissance cristalline et solidification. Concepts de base .......... M 58 - 3

1.1 État solide et état liquide............................................................................. — 3
1.1.1 Mobilité de la matière ........................................................................ — 3
1.1.2 Dégagement de chaleur à la solidification ....................................... — 3
1.1.3 Contraction à la solidification ............................................................ — 3
1.1.4 Ségrégation chimique ........................................................................ — 4
1.2 Interface liquide/solide ................................................................................ — 4
1.2.1 Équilibre interfacial............................................................................. — 4
1.2.2 Cinétique interfaciale.......................................................................... — 4
1.3 Germination ................................................................................................. — 5
1.3.1 Germination homogène..................................................................... — 5
1.3.2 Germination hétérogène.................................................................... — 6
1.4 Croissance d’un solide monophasé non dendritique.
Concepts cinétiques .................................................................................... — 6
1.4.1 Transfert de matière ........................................................................... — 6
1.4.2 Transfert de chaleur............................................................................ — 7
1.5 Croissance stable d’un solide monophasé.
Aspects morphologiques et cinétiques ..................................................... — 7
1.5.1 Stabilité morphologique et surfusion chimique .............................. — 7
1.5.2 Théorie dynamique de la stabilité de l’interface plane ................... — 10
1.5.3 Courbure et surfusion à la pointe des dendrites.............................. — 11
1.6 Croissance d’un solide diphasé.
Aspects morphologiques et cinétiques ..................................................... — 11
1.6.1 Croissance eutectique lamellaire ...................................................... — 12
1.6.2 Modes de croissance dendritique ou eutectique
(systèmes multiconstitués) ................................................................ — 12
2. Solidification des alliages métalliques .............................................. — 13
2.1 Redistribution locale d’un soluté au sein d’une structure dendritique ... — 13
2.1.1 Ségrégation interdendritique dans les produits coulés :
solidification sans diffusion à l’état solide ....................................... — 13
2.1.2 Effets de la diffusion à l’état solide ................................................... — 14
2.2 Cas des alliages ternaires ........................................................................... — 16
2.2.1 Chemin de solidification .................................................................... — 16
2.2.2 Diagramme d’équilibre et nature du début de la solidification
pour des aciers inoxydables à 18 % de chrome............................... — 17
2.2.3 Cinétique et chemin de solidification des aciers inoxydables ........ — 17
2.2.4 Influence de la vitesse du front de solidification sur le mode
de solidification primaire des aciers inoxydables............................ — 19
2.3 Inclusions et dégagements gazeux ............................................................ — 19
2.3.1 Inclusions primaires ........................................................................... — 19
2.3.2 Inclusions secondaires dans les aciers ............................................. — 20
2.3.3 Dégagements de gaz pendant la solidification ................................ — 20
2.4 Dimensions des éléments structuraux à l’échelle de la dendrite ............ — 21
2.4.1 Distance entre branches de dendrites .............................................. — 21
2.4.2 Phases mineures et inclusions secondaires..................................... — 21
2.4.3 Densité d’axes primaires de dendrites (zone colonnaire) ............... — 22
2.5 Fontes de moulage ...................................................................................... — 23
2.5.1 Fontes grises à graphite sphéroïdal (fonte GS) ............................... — 23
Parution : octobre 1986

2.5.2 Traitement de modification des alliages Al-Si.................................. — 24

Références bibliographiques ......................................................................... — 28

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SOLIDIFICATION _______________________________________________________________________________________________________________________

n ce qui concerne l’élaboration des métaux, les opérations de coulée portent

E sur des quantités considérables : chaque année, dans le monde, près d’un
milliard de tonnes de métal sont solidifiées, en premier lieu des alliages ferreux
(aciers et fontes), en second lieu des alliages d’aluminium.
■ Les produits et demi-produits ainsi obtenus par solidification doivent répondre
à des exigences de qualité : absence de gros défauts internes tels que retassures
et porosités, absence de fortes hétérogénéités chimiques à l’échelle du produit
(ségrégations majeures), pour certaines pièces moulées : absence de micro-
porosités mal réparties, pour de nombreux demi-produits : aspects de surface,
etc. Les retassures, exemple typique de défaut à l’échelle du produit hérité de la
solidification, sont fortement influencées par la nature du procédé mettant en jeu
la solidification et par les conditions opératoires choisies pour un même procédé ;
il en est de même pour les criques, pour la texture des grains (colonnaire ou
équiaxe), pour la taille des grains, pour les microporosités, pour les ségré-
gations majeures, etc. La dernière partie de cet article : Macrostructures et
qualité des produits [M 59] est donc consacrée à la présentation des aspects
des produits coulés et des phénomènes liés à la solidification pour laquelle la
prise en compte des effets d’échelle est indispensable.
■ De fait et avant tout, les produits métalliques bruts de coulée, traités
thermiquement ou même transformés, sont fabriqués pour leurs propriétés
finales : aptitude à l’homogénéisation chimique, aptitude à la déformation
(emboutissage, etc.), propriétés mécaniques, résistance à la corrosion, etc. Ces
propriétés dépendent le plus souvent de la structure de solidification à petite
échelle, celle de la dendrite (entre 10 µm et 1 mm) ; cela est vrai non seulement
pour les produits bruts de coulée mais également pour les produits ayant subi des
traitements thermiques ou un corroyage. Pour connaître l’influence de l’étape de
solidification sur les propriétés des produits métalliques, il faut établir des
corrélations avec les caractères microstructuraux du métal coulé, à savoir
principalement : la dimension du grain de coulée, la finesse des ramifica-
tions dendritiques, la nature du premier solide formé (ferrite ou austénite
pour les aciers), la nature et l’intensité des ségrégations chimiques, la
présence de microretassures, microsoufflures ou inclusions. Le développe-
ment et la maturation des structures dendritiques d’une part, le développement
et l’homogénéisation des microségrégations avec leur cortège de phases
mineures d’autre part, sont l’objet essentiel du deuxième paragraphe de cet
article. Dans cette partie, le développement et le contrôle des structures eutec-
tiques des alliages de fonderie y tiennent une place à part, du fait de l’importance
des moyens d’actions qui leur sont spécifiques (traitement au magnésium pour
les fontes à graphite sphéroïdal, modification par le sodium pour les alliages
Al-Si).
■ En dernier ressort, ce sont les propriétés physico-chimiques des alliages métal-
liques liquides et des solides, cristallisés ou non, ainsi que celles des interfaces
liquide/solide correspondantes qui contrôlent le déroulement de la solidification
à l’échelle du micromètre, voire à l’échelle atomique. Le premier paragraphe de
ce texte est donc consacré à la présentation des propriétés physico-chimiques et
des processus élémentaires auxquels il sera souvent fait référence dans le
deuxième paragraphe, voire même dans la dernière partie Macrostructures et
qualité des produits [M 59].

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_______________________________________________________________________________________________________________________ SOLIDIFICATION

1. Croissance cristalline Nota : pour plus de détails sur ce sujet on consultera avec profit les articles Diffusion
dans les métaux [M 55] ; Données physico-chimiques des principaux métaux et métal-
loïdes. Viscosité [M 56] dans le présent traité.
et solidification.
Concepts de base 1.1.2 Dégagement de chaleur à la solidification
Le dégagement de chaleur à la solidification est considérable
1.1 État solide et état liquide (environ 270 MJ par tonne pour l’acier), d’autant plus considérable
que l’alliage est plus réfractaire. Les procédés de coulée et de
1.1.1 Mobilité de la matière fonderie sont donc d’abord des procédés conçus pour évacuer
rapidement d’importantes quantités de chaleur.
Comme son nom l’indique, la conséquence la plus évidente de Nota : pour obtenir des données sur les propriétés thermiques des principaux métaux
et alliages, on consultera par exemple l’article Données physico-chimiques des principaux
la solidification est la brutale chute de mobilité de la matière. métaux et métalloïdes. Densité [M 65] dans ce traité.
L’écoulement des métaux liquides purs près de leur point de fusion
Il est remarquable que les discontinuités de capacité thermique
est comparable à celui de l’eau à température ordinaire, caractérisé
massique c p et de diffusivité thermique Dθ [Dθ = λ/(ρ · cp ), où λ est
par un viscosité dynamique de l’ordre de 10–3 Pa · s (tableau 1). À
la conductivité thermique, ρ la masse volumique] au passage de l’état
l’état solide, les métaux et alliages possèdent une résistance à la
liquide à l’état solide soient relativement petites en regard de la varia-
traction élevée. Les métaux purs peuvent supporter des contraintes
tion correspondante d’enthalpie d’une part, de la discontinuité des
de l’ordre de 10 4 Pa près du point de fusion : l’effondrement de la
coefficients de diffusion chimique (tableau 1) d’autre part. Il est
résistance à la déformation des alliages industriels une centaine de
remarquable enfin que les diffusivités thermiques soient plus de cent
degrés au-dessous de la température de solidus n’est dû qu’à
fois supérieures aux coefficients de diffusion chimique les plus
l’apparition, dans des zones ségrégées, de films liquides qui sont
grands, même dans le liquide.
autant de zones faibles.
L’autodiffusion et la diffusion chimique des éléments d’alliage et
des impuretés sont plus lentes dans le solide que dans le liquide. 1.1.3 Contraction à la solidification
Le tableau 1 permet de comparer les coefficients de diffusion de
plusieurs solutés dans le fer liquide, la ferrite et l’austénite. Dans La plupart des métaux, se contractent à la solidification. Ce retrait
le liquide, les coefficients sont compris entre 10–9 m2/ s pour les de solidification, de l’ordre de 3 à 6 % suivant les métaux, souvent
éléments les plus lents et 10–7 m2/s pour l’hydrogène. L’éventail des aggravé par la contraction du solide accompagnant son refroidis-
valeurs est plus large pour la ferrite, il est maximal pour l’austénite. sement jusqu’à la température ambiante, entraîne l’apparition de
nombreux vides (microporosités, retassures, etc.) si le métal est
coulé sans précaution particulière. (0)

Tableau 1 – Viscosité dynamique de la phase liquide, coefficients d’autodiffusion

et coefficients de diffusion chimique de divers solutés dans le fer
Phases
Propriétés liquide ferritique (CC) austénitique (CFC) (3)
Viscosité dynamique à Tf (2) ......................................... (Pa · s) 5,03 × 10–3
D 0 ..................................... (m2/s) 4,3 × 10–7 0,23 5,8 × 10–4
Coefficient Q ..................................... (J/mol) 51 000 306 000 311 000
d’autodiffusion (1) D à Tf ................................ (m2/s) 1,4 × 10–8 3,4 × 10–10 (6,5 × 10–13)
(liquide à 2,5 % C)
Coefficient de diffusion (1) D0 ...................................... (m2/s) 2,59 × 10–7 3,73 × 10–7 2,26 × 10–5
Q ..................................... (J/mol) 50 200 76 900 152 000
N D à Tf ................................ (m2/s) 9,24 × 10–9 2,27 × 10 –9 (9,18 × 10–10)

D0 ...................................... (m2/s) 6,05 × 10–7 1,27 × 10–6 1,00 × 10–6

C Q ..................................... (J/mol) 49 200 81 400 113 000
D à Tf ................................ (m2/s) 2,32 × 10–8 5,72 × 10–9 (5,53 × 10–10)
D0 ...................................... (m2/s) 3,85 × 10–7 7,60 × 10–5 4,90 × 10–5
Mn Q ..................................... (J/mol) 69 500 225 000 276 540
D à Tf ................................ (m2/s) 3,83 × 10–9 2,57 × 10–11 (5,02 × 10–13)
D0 ...................................... (m2/s) 4,92 × 10–7 9,70 × 10– 4 3,44 × 10–5
Ni Q ..................................... (J/mol) 67 800 262 000 283 000
D à Tf ................................ (m2/s) 5,47 × 10–9 2,65 × 10–11 (2,47 × 10–13)
D0 ...................................... (m2/s) 3,25 × 10–7 1,09 × 10–7 1,12 × 10–6
H Q ..................................... (J/mol) 15 500 12 500 41 650
D à Tf ................................ (m2/s) 1,16 × 10–7 4,74 × 10–8 (7,05 × 10–8)
(1) D = D0 exp (– Q / RT ) (2) Tf température de fusion.
(3) Les valeurs entre parenthèses sont des valeurs extrapolées.
avec D0 facteur de fréquence
Q énergie d’activation
R = 8,314 J · K–1 mol–1 constante molaire des gaz.

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SOLIDIFICATION _______________________________________________________________________________________________________________________

La solidification de plusieurs alliages de fonderie, dérivés 1.2 Interface liquide/solide

d’alliages eutectiques simples, s’accompagne du dépôt de phases
non métalliques de faibles masses volumiques. Dans le cas de la
fonte grise par exemple, le dépôt de fer à partir du liquide correspond
1.2.1 Équilibre interfacial
à une contraction alors que le dépôt de graphite à partir du même
La tension interfaciale liquide/solide, γ / s , est une des grandeurs
liquide correspond à une dilatation. Le bilan est incertain : suivant
physico-chimiques qui régissent les conditions d’équilibre thermo-
la composition de la fonte, l’alliage peut se dilater ou se contracter
dynamique local entre liquide et solide à travers une interface de
à la solidification ; il en va de même pour les alliages de fonderie
forme quelconque caractérisée par sa courbure locale, κ. Pour un
Al-Si.
corps pur, quand la tension interfaciale liquide/solide est isotrope,
Nota : pour plus de données sur le sujet, on consultera l’article Données physico-
chimiques des principaux métaux et métalloïdes. Densité [M 65] dans ce traité. il existe une relation (dite relation de Gibbs Thomson) entre la
température d’équilibre local, Te , et la courbure locale :
s
1.1.4 Ségrégation chimique Vm
T e = T f – ----------- ⋅ γ  / s ⋅ κ (2)
∆ Sf
Une solution solide cristallisée en équilibre avec une solution
liquide contiendra généralement des éléments d’alliage en moins avec Tf température de fusion,
s
grande quantité que le liquide. Cette différence de composition Vm volume molaire du solide,
combinée à la lenteur de la diffusion chimique à l’état solide est à
∆Sf entropie de fusion molaire.
l’origine des diverses ségrégations observées dans les produits
coulés. Le tableau 2 donne pour le fer quelques valeurs de coefficient Le plus souvent, la différence [Tf – Te ] peut paraître négligeable :
s / elle est de l’ordre de 0,05 K pour le fer pur lorsque la courbure atteint
de partage, k i , rapport des titres massiques de soluté i à l’équilibre
2 × 105 m–1, ce qui correspond, pour une interface hémisphérique,
s 
dans le solide, w i , et dans le liquide w i , respectivement : à un rayon de courbure de 10 µm. Ce terme est pourtant prépon-
dérant dans l’étape de germination des cristaux solides (§ 1.3) et
s dans le contrôle de la stabilité morphologique des formes de crois-
s / w
ki = ---------i- (1) sance, planes, cellulaires ou dendritiques (§ 1.5). Le tableau 3 donne
wi s
la tension interfaciale γ / s ainsi que Tf , V m et ∆Sf pour quelques
Les valeurs du tableau 2 ne sont valables en toute rigueur que métaux purs. (0)
pour des alliages binaires à base de fer où le soluté est très dilué.
(0)
Tableau 3 – Caractéristiques volumique,
Tableau 2 – Coefficients de partage interfaciales et superficielles pour quelques métaux purs
à l’équilibre de divers solutés entre liquide et ferrite ␦ à la température de fusion
et pente de liquidus (1) à l’origine dans quelques systèmes
Tf s
binaires à base de fer ⌬Sf Vm ␥ / s ␥ / v
Métal
(K) (J · K–1 · mol–1) (cm3 · mol–1) (m · J · m–2) (m · J · m–2)
␦ / – mi
Soluté ki Ag 1 234 9,15 11,16 172 926
(K)
Al 933 11,48 10,59 158 865
H 0,297 (70 700) (2) Cu 1 356 9,78 7,61 237 1 286
N 0,281 (5 170) (2) Fe (δ ) 1 809 7,63 7,69 251 1 806
O 0,053 (5 500) (2) Ni 1 726 10,12 7,15 322 1 782
S 0,052 3 350 Pb 601 7,94 18,70 40 460
P 0,16 2 760
C 0,11 8 000
Mn 0,73 500 Contrairement aux métaux, les cristaux non métalliques comme
Si 0,77 1 300 le graphite ou le silicium, présents dans les alliages de fonderie déjà
Cr 0,94 190 cités, montrent de fortes anisotropies de tension interfaciale au
Al 0,7 300 contact de l’alliage liquide. Dans ce cas, encore plus nettement que
dans celui des cristaux métalliques, la présence d’éléments d’alliages
(1) Les pentes de liquidus sont exprimées ici en kelvins
ou d’impuretés peut fortement modifier la tension interfaciale γ / s

 
∂ TL et son degré d’anisotropie.
soit m i = ------------
-

∂ w i w i = 0
Les valeurs mesurées de tension interfaciale solide/liquide pour
les alliages métalliques sont cependant encore relativement peu
où TL est la température de liquidus de l’alliage de titre massique w i .
nombreuses [1].
(2) Valeur estimée.

La présence d’éléments d’alliage et d’impuretés modifie égale- 1.2.2 Cinétique interfaciale

ment la température de liquidus des alliages, T L , température de
solidification commencante : le tableau 2 donne quelques valeurs La solidification peut être décrite comme une chaîne de processus
∂ TL élémentaires se déroulant en série ; parmi eux, au niveau de l’inter-
δ
de pente de liquidus, m i = ------------- , utiles pour les solutés les plus face, on compte une réaction chimique hétérogène. Cette réaction

∂w i interfaciale ne peut progresser que sous l’effet d’une force motrice,
courants (teneur massique ⭐ 1 %) dans les alliages à base de fer souvent exprimée en terme d’écart de température par rapport aux
conditions d’équilibre (2). Dans le cas des métaux et alliages métal-
dans le cas d’un dépôt primaire de ferrite δ (article Diagrammes
liques industriels, cette force motrice est si faible qu’elle n’a pas
d’équilibre. Alliages binaires [M 70] dans ce traité).

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_______________________________________________________________________________________________________________________ SOLIDIFICATION

encore pu être mesurée avec précision ; il est cependant possible 1.3.1 Germination homogène
d’en donner un ordre de grandeur grâce à l’estimation suivante pour
plusieurs métaux purs : Pour une substance pure portée à la température T, un petit cristal
a ⋅ R ⋅ Tf sphérique n’aura tendance à se développer aux dépens du liquide
Te – T * ≈ -⋅v
----------------------- (3) environnant que si son rayon, r, est supérieur à un rayon critique,
D  ⋅ ∆ Sf rc , tel que :
s
avec T * température réelle de l’interface, 2γ / s V m
rc ≈ ----------------------------------
∆S (T – T )
- (4)
a distance de saut assimilée à une distance interatomique, f f
D  coefficient d’autodiffusion dans le liquide, En deçà de la valeur r = rc , le cristal a tendance à refondre.
v vitesse de progression de l’interface. La valeur rc correspond exactement aux conditions d’équilibre
Pour la plupart des métaux, le coefficient de proportionnalité entre thermodynamiques déjà présentées [formule (2)]. La figure 1 illustre
la surfusion cinétique, Te – T *, et la vitesse, v, est de l’ordre de la relation entre la taille critique des cristaux et la surfusion du liquide
1 K · s · cm–1 d’après la relation (3). Pour des vitesses de solidifica- pour le fer pur d’après l’estimation faite grâce à l’équation (4).
tion habituelles de l’ordre de 10–4 m/s (soit 36 cm/h), la surfusion Pour les métaux purs, la vitesse d’apparition spontanée des
cristaux sphériques de taille supérieure au rayon critique, rc , appelée
cinétique doit donc être de l’ordre de 10– 2 K, quantité tout à fait
vitesse de germination homogène et notée I (cm–3 · s–1), croît avec
négligeable en situation industrielle. De façon plus générale, mais
la surfusion du liquide, Tf – T comme suit :
peut-être moins licite, on a l’habitude de négliger la surfusion
cinétique devant toutes les autres surfusions, y compris la surfusion
 
∆ gc
due aux effets de courbure d’interface (Tf – Te ), déjà estimée plus I = 10 33 exp – ------------ (5)
kT
haut (2).
Ce qui est admis pour les métaux lorsqu’ils se solidifient dans des avec ∆gc enthalpie libre de formation de l’embryon critique :
conditions ordinaires pourrait être remis en cause, même pour les s 2

 
métaux, dans des conditions particulières telles que celles de la 16 Vm
solidification rapide. Il est possible que la situation soit totalement ∆ g c = -------- π ( γ / s ) 3 -----------------------------------
3 ∆ Sf ( Tf – T )
différente pour certaines phases non métalliques croissant à partir
des solutions métalliques comme on en rencontre dans les alliages La figure 2 illustre la variation de la vitesse de germination homo-
de fonderie (graphite dans les fontes grises, silicium dans les alpax). gène (courbe correspondant à α = 180o) avec la température, pour
Malheureusement dans tous ces cas, aucun résultat expérimental le fer pur. Elle montre que l’apparition spontanée de cristaux sphé-
n’est encore suffisamment bien étayé pour que l’on puisse avancer
des chiffres. riques de fer pur (I ⭓ 1 cm–3 · s–1) n’est probable qu’en présence de
surfusions de plusieurs centaines de degrés. De telles surfusions ont
Bien que l’effet de la cinétique interfaciale sur la température réelle pu être atteintes en laboratoire.
de l’interface soit le plus souvent imperceptible lors de la croissance
des cristaux métalliques à partir d’un bain fondu, l’anisotropie Quelques expériences, réalisées sur des alliages métalliques,
cristalline de la cinétique de croissance des cristaux, même métal- montrent que la germination homogène est déclenchée, dans ce
liques, n’est généralement pas négligeable. La vitesse de croissance cas, à des surfusions (calculées à partir du liquidus) de l’ordre de
normalement aux plans denses est plus faible que dans toutes les celles des métaux purs.
autres directions, à force motrice égale. Pour un cristal cubique à En l’état de l’art, les situations pratiques sont très rares où la
faces centrées, par exemple, les plans les plus lents, de type {111}, germination homogène joue un rôle important dans le cours de la
vont s’étendre latéralement et bientôt former des pyramides à solidification ; il est cependant possible qu’elle contribue à
symétrie carrée d’axes <001> ; le sommet de cette pyramide qui se l’obtention de structures micrographiques extrêmement fines dans
déplace sur un axe <001> sera le point dont la vitesse est la plus des grains de poudres d’alliages solidifiés rapidement, ainsi qu’à
grande. Ainsi peut être expliqué le fait que les axes et branches l’obention de solutions solides sursaturées par solidification rapide.
dendritiques des métaux à symétrie cubique sont parallèles à des
axes <001>.

1.3 Germination

Même quand l’état thermodynamique le plus stable est solide, la

résultante des variations d’enthalpie libre volumique et interfaciale
est positive pour les cristaux de faibles dimensions et empêche donc
la cristallisation spontanée à partir du liquide. Ainsi peut-on
maintenir du fer pur liquide à 300 degrés et plus au-dessous de son
point de fusion en prenant quelques précautions. On est souvent
gêné au laboratoire par le phénomène dit de retard à la solidification
ou surfusion lorsque l’on procède à des analyses thermiques sur de
faibles masses de métal pur.
La description schématique fournie par la théorie classique de la
germination rend compte qualitativement des diverses observations
possibles sur l’apparition des cristaux métalliques à partir de leur
propre liquide. Cette théorie suppose qu’il est possible de décrire
l’apparition des premiers cristaux microscopiques à l’aide des
concepts macroscopiques de la thermodynamique classique. Figure 1 – Rayon critique d’équilibre d’un cristal sphérique
avec son liquide en fonction de la surfusion dans le cas du fer pur

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M58

SOLIDIFICATION _______________________________________________________________________________________________________________________

1
avec f ( α ) = ----- ( 2 + cos α ) ( 1 – cos α ) 2
4
où nS nombre d’atomes de liquide au contact de la surface d’un
substrat actif par unité de volume,
nV nombre d’atomes de liquide par unité de volume,
α angle de raccordement entre le substrat et le cristal en
présence de liquide (figure 2).
L’angle α est déterminé par la condition d’équilibre mécanique
entre les trois tensions interfaciales :

γ /s , γ / S et γ s / S
où  représente le liqude, s le solide et S le substrat.
La fonction f (α) prend des valeurs inférieures à 10–3 pour des
angles de l’ordre de 15o. Si l’angle α est assez faible, la vitesse de
germination peut être appréciable pour des surfusions très faibles,
voire nulles. Quelques exemples de l’influence de α sur la vitesse I’
sont illustrés par la figure 2.
La vitesse de germination hétérogène dépend également de la
surface totale de substrat actif disponible par l’intermédiaire du
rapport nS /nV .
D’après la théorie invoquée ici, les propriétés de l’inoculant parfait
Figure 2 – Variation de la vitesse de germination homogène peuvent se résumer ainsi :
( ␣ = 180o) et hétérogène ( ␣ < 180o) en fonction de la température — il doit correspondre à un angle de contact faible entre les
initiale du liquide et dans différentes situations d’inoculation particules inoculantes et le solide à former, donc à une tension inter-
pour le fer pur (Tf = 1 811 K)
faciale liquide/substrat, γ / S , élevée et à une faible tension inter-
faciale solide/substrat, γ s /S ; la quantité γ s /S varie dans le même sens
On pourrait songer à tirer profit d’une surfusion importante dans que l’amplitude du décalage réticulaire entre solide et substrat ; par
des procédés industriels, l’abaissement de la température du métal ailleurs, elle décroît à mesure que l’affinité chimique entre solide et
liquide allant dans le sens d’une diminution des contraintes techno- substrat croît ;
logiques imposées, en particulier aux moules. Malheureusement on — de plus, l’inoculant doit être chimiquement stable dans le
voit encore mal comment réaliser, de façon reproductible, de liquide, finement divisé, et doit présenter une surface physiquement
grandes surfusions, par essence aléatoires, à l’échelle industrielle. active.
En pratique, le pouvoir prédictif précis de cette théorie est resté
1.3.2 Germination hétérogène très faible, souvent faute de connaître les grandeurs physico-
chimiques impliquées.
De fait, des surfusions de plusieurs centaines de degrés ne sont
jamais observées dans la pratique industrielle. Il est bien connu que
le métal liquide supporte rarement une surfusion de plus de quelques 1.4 Croissance d’un solide monophasé
degrés sans se solidifier. Des particules solides très fines, des agents
inoculants ajoutés volontairement, par exemple Ti B 2 pour
non dendritique. Concepts cinétiques
l’aluminium et l’aluminate de cobalt pour le nickel, les parois du
moule ou de la lingotière, des débris cristallins préexistants, peuvent
L’étape de création des premiers cristaux microscopiques étant
favoriser le déclenchement de la solidification. Dans les procédés
franchie, la solidification peut être décrite en termes de transfert de
de coulée continue, par exemple, le métal liquide est toujours en
matière et de chaleur à petite et à grande échelles. L’objet de ce
contact avec un front de solidification tapissé de dendrites ténues
paragraphe est de décrire ces transferts à petite échelle (quelques
qui sont projetées au sein du liquide sous l’effet de mouvements
mm) dans la région de l’interface liquide/solide, dans le cas d’une
de convection divers : ce processus peut être apparenté à un
interface plane progressant vers le liquide grâce à un refroidissement
ensemencement. Les abaques du type de celui de la figure1
côté solide.
fournissent déjà une condition sur la taille des débris cristallins
projetés pour qu’ils ne refondent pas.
La théorie classique de la germination permet de montrer que la 1.4.1 Transfert de matière
vitesse d’apparition spontanée des cristaux à partir du liquide en
présence de particules pouvant leur servir de substrat croît avec la Dans le cas le plus général, il est possible de distinguer quatre
surfusion du liquide suivant une loi analogue à celle établie pour zones du point de vue des transferts de matière (figures 3a et b ) :
la germination homogène. L’enthalpie libre de formation de
l’embryon sphérique critique, ∆gc , doit toutefois être remplacée par — le solide dans lequel seule la diffusion chimique est possible
une nouvelle quantité : et encore est-elle très lente ;
— l’interface qui est le siège des réactions chimiques hétérogènes
∆ g c′ = ∆gc · f (α) de solidification ;
correspondant à la formation d’un cristal en forme de calotte — une couche limite d’épaisseur δi dans le liquide où le soluté i
sphérique adhérant au substrat. Ainsi pour les métaux, la vitesse est transporté par diffusion ;
théorique de germination hétérogène peut être mise sous la forme : — enfin le reste du liquide où les transferts de masse se font par
convection.
n ∆ gc
I′
nV
S
≈ -------- 10 33 exp  – -----------
kT
- f (α)
 (6)

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M59

Solidification
Macrostructures et qualité des produits
par Gérard LESOULT
Ingénieur Civil des Mines
Professeur à l’École Nationale Supérieure des Mines de Nancy

1. Alimentation des lingotières et des empreintes de fonderie...... M 59 - 2

1.1 Généralités sur l’alimentation en liquide................................................... — 2
1.2 Coulabilité en fonderie ................................................................................ — 3
1.3 Transferts thermiques. Cas d’un métal pur ............................................... — 4
1.4 Transferts thermiques. Cas des alliages .................................................... — 5
1.5 Variations de volume à l’échelle du produit.............................................. — 7
2. Texture des grains de coulée et modes de cristallisation ............ — 8
2.1 Grains de coulée .......................................................................................... — 8
2.2 Zones de cristallisation dans les produits coulés en acier calmé............ — 9
2.3 Facteurs affectant le volume et la structure de la zone équiaxe.............. — 10
2.4 Schématisation de la formation de la zone équiaxe................................. — 12
3. Macroségrégations et mésoségrégations ......................................... — 12
3.1 Aciers effervescents coulés en lingots....................................................... — 12
3.2 Aciers calmés coulés en lingots et alliages non ferreux .......................... — 13
3.3 Faciès de ségrégation propres à la coulée continue de l’acier ................ — 14
3.4 Phénomènes élémentaires pouvant induire
des macro- ou des mésoségrégations....................................................... — 15
4. Microporosités et criques internes..................................................... — 19
4.1 Facteurs affectant la microporosité............................................................ — 19
4.2 Phénomènes élémentaires à l’origine de la microporosité
et moyens d’action ...................................................................................... — 20
4.3 Facteurs affectant la tendance à la crique ................................................. — 21
4.4 Phénomènes élémentaires impliqués dans le criquage à chaud ............ — 22
5. Importance de l’étape de solidification ..................................... — 23
5.1 La fonte ductile, produit révolutionnaire
dans la lignée des fontes grises moulées.................................................. — 23
5.2 Les pièces moulées « monograin », aboutissement de l’évolution
des procédés de fonderie de précision...................................................... — 24
5.3 Intérêt potentiel des conditions extrêmes de solidification très rapide.. — 26
Références bibliographiques ......................................................................... — 31

e nombreux caractères des produits coulés sont fortement influencés par

D la nature du procédé mettant en jeu la solidification et par les conditions
opératoires choisies pour un même procédé.
Pour prendre l’exemple le plus simple, celui des retassures dues à la contrac-
tion du métal accompagnant la solidification, on sait que ce défaut peut entraî-
ner le rebut de 15 à 20 % de l’acier coulé en lingotière statique si l’acier ainsi
coulé est calmé, c’est-à-dire désoxydé (§ 1.5.1). Dans la même lingotière, on
peut conduire, avec beaucoup de savoir-faire, la solidification effervescente du
même acier non préalablement désoxydé (solidification avec dégagement de
gaz CO). Le retrait de solidification peut être compensé alors par l’apparition de
soufflures régulièrement réparties dans le lingot (cavités fermées de faibles
Parution : octobre 1989

dimensions, non oxydées, dont les parois se ressoudent au laminage à chaud)

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SOLIDIFICATION _______________________________________________________________________________________________________________________

de sorte que le rebut de métal soit réduit à quelques pour-cent seulement

(§ 1.5.2). Lors de la solidification d’acier calmé, on peut aussi réduire l’étendue
de la zone affectée par le retrait de solidification en ménageant une masselotte,
réservoir de métal liquide qui permet d’alimenter en métal les zones en cours
de solidification (§ 1.5.1). On peut encore parler de masselotte entretenue lors
de la fabrication de lingots d’acier par refusion d’électrodes (refusion sous lai-
tier électroconducteur ou refusion sous vide) : le réservoir de métal liquide sur-
montant le lingot en cours de formation est renouvelé au fur et à mesure de
sa solidification grâce à la fusion contrôlée d’une électrode placée au-dessus
du lingot. La coulée continue fait appel à une troisième façon de maintenir un
réservoir de métal liquide en position d’alimenter la pièce en cours de solidifi-
cation, ici la billette ou la brame d’acier : une poche de métal liquide appelée
répartiteur surplombe le produit en cours de solidification et un robinet appelé
busette permet d’ajuster le débit de métal s’échappant du répartiteur à la
vitesse de solidification. Dans les deux derniers procédés, la retassure cesse
d’être un problème pour l’ingénieur (cf. article Coulée continue [M 7 810]
[M 7 812] [M 7 814] [M 7 816] dans le présent traité).
Cet article est consacré aux caractères qui, comme les retassures, se déve-
loppent à l’échelle du produit et pour l’étude desquels il faut prendre en compte
le procédé de coulée.

Le lecteur se reportera utilement à l’article [M 58] Solidification. Cristallisation et micro-

structures.

1. Alimentation plutôt qu’au niveau de la poche ou du répartiteur pour éviter les

risques de bouchage de la busette immergée par des inclusions
des lingotières d’alumine entraînées par l’acier calmé avant son arrivée dans la
lingotière. En fonderie, de la même façon, c’est autant que possible
et des empreintes de fonderie dans le moule que l’on réalise l’inoculation au ferrosilicium, néces-
saire après le traitement au magnésium pour la réalisation de pièces
moulées en fonte à graphite sphéroïdal (cf. [M 58]).
En abordant ce sujet, on doit évoquer la préparation et la mani-
pulation du métal liquide avant et pendant la coulée, dans la mesure Même lorsqu’il est impossible d’éliminer toutes les inclusions
où ces opérations sont souvent de la responsabilité de celui qui réa- avant l’entrée dans la zone où est provoquée la solidification, on peut,
lise la mise en forme par solidification, qu’il s’agisse de demi- dans certains cas, contrôler les mouvements du métal liquide pour
produits ou de pièces moulées. obtenir une répartition tolérable des inclusions dans le produit. C’est
le cas de la coulée continue d’acier où il est souhaitable d’éloigner
les inclusions de la surface des produits. On peut citer plusieurs
exemples de réalisations industrielles.
1.1 Généralités
■ La coulée continue centrifuge (CCC) est un procédé de coulée
sur l’alimentation en liquide continue de billettes rondes dans lequel le métal, liquide et solide,
est mis mécaniquement en rotation quasi uniforme. La rotation
Le métal liquide qui pénètre dans le dispositif de coulée est induit sur les inclusions une poussée centripète qui s’ajoute à celle
caractérisé par une analyse chimique et un niveau d’impuretés d’Archimède pour les faire décanter dans l’axe du produit où elles
résiduelles. Ce métal contient aussi des inclusions non métalliques sont collectées. Les produits de CCC ont une qualité de surface et
en suspension ; dans le cas des aciers, ce sont le plus souvent des une propreté sous-cutanée bien meilleures que les produits coulés
oxydes. Les opérations de transfert de métal liquide doivent être, sans rotation. Le résultat est le même quand la mise en rotation est
en général, conduites sans modifier la composition du métal et réalisée par un procédé magnéto-hydrodynamique.
sans augmenter le nombre des inclusions en suspension, voire en
le diminuant. ■ Dans le cas des brames, les mouvements du métal liquide peuvent
En ce qui concerne la composition du métal et la formation de être en partie maîtrisés par une conception adéquate des busettes
nouvelles inclusions endogènes, il faut donc protéger les jets de immergées. Les bonnes busettes conduisent à une pénétration du jet
métal liquide du contact avec l’atmosphère et/ou ménager des relativement peu profonde et provoquent un lavage du front de soli-
régimes de jets évitant la dispersion du métal liquide. De plus, en dification sur toute la largeur de la brame par des recirculations
ce qui concerne les inclusions exogènes, il faut éviter l’érosion des ascendantes du jet. Ces mouvements verticaux peuvent être ampli-
réfractaires au passage du métal liquide. En fonderie, il est envisa- fiés par des dispositifs magnéto-hydrodynamiques imitant les effets
geable de placer des filtres dans les systèmes d’alimentation pour de l’effervescence (§ 3.1).
diminuer le nombre d’inclusions dans la pièce moulée. L’obtention d’un état de surface correct est également une raison
Dans certains cas, la dernière phase du transfert du métal liquide pour maîtriser aussi bien les mouvements du métal liquide lors du
vers l’endroit où la solidification est provoquée peut être mise à profit remplissage d’une empreinte de moulage (éviter les projections,
pour modifier l’état du métal liquide au dernier moment. Ainsi peut- etc.) que la régularité du niveau du métal dans la lingotière en cou-
on préférer calmer l’acier coulé en continu au niveau de la lingotière lée continue.

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_______________________________________________________________________________________________________________________ SOLIDIFICATION

1.2 Coulabilité en fonderie

En fonderie, le choix d’un alliage pour réaliser une pièce moulée
consiste à trouver le meilleur compromis entre les propriétés
d’utilisation de la pièce, la facilité de mise en œuvre d’un alliage et
le prix. L’appréciation de la facilité de mise en œuvre d’un alliage
par moulage repose sur les résultats d’essais qui schématisent les
problèmes technologiques tels que la coulabilité ou la tendance à
la crique (§ 4.3).
Un bon alliage de fonderie doit conserver sa fluidité assez long-
temps après le début du remplissage de l’empreinte pour pouvoir
s’écouler correctement dans toutes les cavités du moule qu’il doit
remplir, en épousant fidèlement leur forme, même les plus déliées.
Cette aptitude est appréciée au moyen d’essais pratiques qui n’ont
d’autre but que de permettre la comparaison du comportement de
divers alliages dans des conditions standard de coulée (forme et
nature du moule). On peut, par exemple, employer un moule avec
une empreinte en forme de spirale ; les conditions de remplissage
au centre de la spirale sont maintenues constantes pendant l’essai
(énergie cinétique du métal entrant, hauteur hydrostatique, etc.).
On peut aussi aspirer du métal liquide dans un tube horizontal de
silice sous une dépression fixe. Dans tous les cas, la coulabilité est
repérée par la longueur de pénétration du métal, ⌳.
On observe que la coulabilité ainsi définie varie linéairement
avec l’écart entre la température de coulée et la température de
liquidus pour un alliage donné. Ainsi, à température de coulée
égale, plus le liquidus de l’alliage est bas, plus les pièces peuvent
être minces. Cette propriété éclaire l’intérêt du fondeur non seule-
ment pour les métaux à basse température de fusion, mais aussi
pour les alliages de composition eutectique (figure 1a ) [1].
Les eutectiques présentent un autre avantage : la coulabilité est
d’autant meilleure que l’intervalle de solidification réel, déjà défini
dans l’article précédent (cf. [M 58]), est faible. La figure 1b illustre
cette propriété pour les alliages fer-carbone en montrant l’évolu-
tion de la coulabilité en fonction de la composition de l’alliage, à
écart égal entre température de coulée et température de liquidus.
On peut comprendre ce comportement en se référant au mode de
cristallisation de l’alliage.
Dans le cas simple où le métal est introduit dans un tube horizontal,
cylindrique et de section circulaire, l’écoulement cessera quand la
solidification sera assez avancée dans une section pour bloquer la
progression du liquide.
Avec un métal pur peu surchauffé, la solidification commence
sur la paroi du tube, dès l’entrée ; le front de solidification est lisse
et le solide est constitué de cristaux colonnaires non dendritiques
(figure 2a ). Le canal liquide central finit par se boucher près de
l’entrée : l’écoulement cesse.
Dans le cas d’un alliage peu chargé, le front de solidification
n’est plus lisse, il est dendritique (cf. [M 58]). Par rapport au cas du
métal pur, à temps identique après le début de la coulée, la perte
de charge subie par le liquide est plus grande et la section efficace
du canal plus petite (figure 2b ). Vers la fin, les dendrites, même
peu développées, peuvent créer un feutrage du canal central à tra-
vers lequel le liquide résiduel passe difficilement : l’écoulement
cesse plus tôt à l’entrée du tube ; la coulabilité est plus faible que
pour le métal pur.
Dans le cas d’un alliage plus chargé correspondant à un intervalle
de solidification réel important, les cristaux dendritiques, même for-
més initialement sur la paroi du tube, sont emportés par le courant
de métal ; ils sont particulièrement gros et nombreux en tête de Figure 1 – Variation de la coulabilité, ⌳ ,
l’écoulement, où le refroidissement par le tube est le plus efficace en fonction de la composition pour les alliages Fe - C (d’après [1])
(figure 2c ). L’écoulement cessera par épaississement du métal loin
en aval de l’entrée du tube, contrairement aux cas précédents où
le bouchage était provoqué plutôt vers l’amont.

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Figure 2 – Séquences de solidification d’éprouvettes de coulabilité

(représentation schématique)

Enfin, dans le cas d’un alliage eutectique se solidifiant dans des

conditions où la croissance des deux phases est étroitement
couplée, le front de solidification apparaît lisse (cf. [M 58]), comme
pour le métal pur (figure 2a ).

1.3 Transferts thermiques.

Cas d’un métal pur
Dès le début de l’article précédent (cf. [M 58]), on a souligné
l’importance des transferts thermiques dans les opérations compre-
nant la solidification d’un métal. Le métal chaud étant versé dans
un moule (ou une lingotière), la chaleur sensible et la chaleur latente
de fusion de l’alliage sont progressivement évacuées à travers une
série de résistances thermiques vers le moule ou son environnement
jusqu’à complète solidification. La figure 3a schématise le profil de
température à un instant donné de la solidification d’un métal pur
coulé en lingotière.
Les principales résistances thermiques à considérer généralement
sont : le métal liquide, le métal solide, l’interface métal solide/moule,
le moule et l’interface moule/environnement. Suivant les procédés
de mise en forme par solidification, l’une ou l’autre de ces résistances
est prépondérante.

1.3.1 Contrôle par le moule

Dans de nombreux procédés de fonderie, le métal est bien meilleur
conducteur de la chaleur que le moule (moulage en sable, fonderie
de précision à cire perdue). La cinétique de refroidissement dépend
alors surtout des propriétés thermiques du moule. Mieux, sauf dans
le cas des moules carapaces relativement minces, il est possible de
considérer le moule comme semi-infini : l’extérieur du moule n’a pas
le temps de se réchauffer pendant la solidification. La figure 3b
montre le profil de température schématique à un stade du processus
où le métal est pratiquement arrivé à la température de fusion Tf .
Dans le cas d’un moulage en forme de plaque, l’épaisseur solidifiée
à partir d’une paroi, e, croît comme la racine carrée du temps :

2 T – 0T m
f m
e ≈ --------- s
- ⋅ λm ⋅ ρm ⋅ c p
- ⋅ ------------------------- ⋅ t (1)
π ∆ Hf ⁄ V m
s s
avec ∆ H f ⁄ V m = T f ⋅ ∆ S f ⁄ V m , enthalpie de fusion par unité de
volume, calculable grâce à
l’article [M 58],
0T m la température initiale du moule, Figure 3 – Profils de température schématiques à un instant
m de la solidification d’un métal pur coulé en lingotière ou en moule
λm, ρm et c p respectivement conductivité ther-
mique, masse volumique et capa-
cité thermique massique du moule.

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Une description aussi simple de la solidification n’est pas possible

pour des moulages aux formes complexes. La règle de Chvorinov
permet cependant aux fondeurs d’estimer le temps de fin de soli-
dification, tf , d’un élément de pièce de volume V et de surface
d’échange thermique A avec le moule comme suit :
2
V
t f = C ------
A 冢 冣 (2)

où C est une constante dépendant à la fois du métal et du moule.

Dans le cas d’une plaque d’épaisseur totale eT , on peut remarquer
que V /A = eT /2 et expliciter la constante C à l’aide de l’équation (1) :

s 2

冢 冣
π 1 ( ∆ Hf / V m )
C plaque = ----- × -----------------------------------
- -----------------------------
4 λm ⋅ ρ m ⋅ c m T f – 0T m
p

Le rapport V /A est parfois appelé module de la pièce ou de l’élé-

ment de pièce.

1.3.2 Contrôle par l’interface moule/métal

Figure 4 – Relations entre l’épaisseur solidifiée et le temps
pour différents procédés de coulée appliqués aux aciers
La coulée sous pression prend une importance croissante pour
les alliages à base de zinc et d’aluminium et, dans une moindre
mesure, pour les alliages à base de magnésium et de cuivre. Dans
ce cas, la résistance thermique de l’interface moule/métal joue un
1.3.4 Histoire thermique locale.
rôle primordial et le profil de température peut être simplifié à Front de solidification
l’extrême comme sur la figure 3c. La densité de flux thermique
extrait par le moule est proportionnelle à la différence de tempéra- Une des techniques les plus courantes pour suivre l’évolution
ture entre le métal coulé et le moule : thermique d’une pièce moulée (ou d’un lingot) en cours de solidi-
fication consiste à placer des couples thermoélectriques à inter-
Φ = – h (T f – T m ) valles réguliers à partir de la paroi du moule (ou de la lingotière)
et à enregistrer l’évolution de la température en des points fixes liés
où h est un coefficient de transfert, typiquement de l’ordre de au métal. La figure 5 illustre schématiquement comment se pré-
4 × 10–2 J · cm–2 · K–1 · s–1 pour la coulée sous pression. sente un ensemble de telles courbes dans le cas, par exemple, d’un
Dans ce cas, l’épaisseur solidifiée est proportionnelle au temps lingotin de fer pur coulé à une température supérieure de 20 oC à
écoulé : la température de fusion (θf = 1 536 oC). De la paroi au centre du lin-
got, tous les enregistrements θ (t ) présentent les mêmes caracté-
Tf – T m
e ≈ h ------------------------- t (3) ristiques : une décroissance monotone avec un point d’inflexion au
s
∆ Hf / V m niveau de θf . Quantitativement, les pentes dθ/dt, c’est-à-dire les
vitesses de refroidissement instantanées, sont plus faibles (pour
Pour une pièce de forme complexe, le temps de fin de solidifica- une même température) vers le centre. Sur aucun enregistrement
tion peut alors être estimé très grossièrement comme suit : on n’observe de palier strictement horizontal.
s De façon générale, dans le cas d’un métal pur, le changement d’état
∆ Hf / V m
tf ≈ --------------------------------
h ( Tf – T ) m
V
冢A 冣
- ------ (4)
liquide-solide en un point du métal se fait brutalement, au passage
d’un front de solidification réduit ici à une interface solide/liquide
lisse et épousant fidèlement les contours de l’isotherme θ = θf à
chaque instant. Alors, pour autant que la géométrie du lingotin soit
simple, les lois de progression du front présentées ci-avant décrivent
1.3.3 Contrôle par le métal solide correctement le processus, tant que le volume de métal liquide cen-
tral peut être considéré comme infini. La figure 6 représente sché-
Dans de nombreux cas, enfin, le transfert thermique est contrôlé matiquement la position de l’interface solide/liquide à différents
par la résistance thermique du métal solide dès que la peau solidi- temps après la coulée.
fiée est quelque peu épaisse (figure 3d ). C’est le cas de la solidifi-
cation de l’acier, en lingot comme en coulée continue. La loi de
progression de l’épaisseur solidifiée en fonction du temps est para-
bolique, comme dans le cas du contrôle par le moule : 1.4 Transferts thermiques.
Cas des alliages
e ≈E t (5)
où E est un coefficient dépendant des conditions de refroidisse- Ce qui vient d’être présenté à propos du métal pur a permis d’intro-
ment imposées à la surface du produit par le procédé [2]. duire simplement les concepts de temps de fin de solidification et
de module (§ 1.3.1) d’une pièce de fonderie. On a introduit également
Par exemple : dans le cas de l’acier, on trouve expérimentalement une distinction entre les procédés de coulée suivant la nature de la
les valeurs suivantes pour E exprimé en mm · min–1/2 : 15 à 20 pour la résistance thermique prédominante pour le contrôle de l’extraction
coulée en lingotière de fonte et 25 à 35 pour la coulée continue. de chaleur permettant la solidification du produit. Pour l’essentiel,
ces notions sont transposables immédiatement au cas de la soli-
La figure 4 illustre les résultats (1), (2), (3), (4) et (5) pour différents dification des alliages. Le concept de front de solidification, en
procédés de coulée appliqués aux aciers. revanche, doit être réexaminé, en relation d’ailleurs avec les mou-
vements de convection du liquide dans la zone centrale des produits.

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SOLIDIFICATION _______________________________________________________________________________________________________________________

Figure 7 – Courbes schématiques de refroidissement

d’un lingotin d’acier à 0,6 % de carbone

Figure 5 – Courbes de refroidissement schématiques 1.4.2 Zone pâteuse

d’un lingotin de fer pur
Conformément à ce qui a déjà été présenté à propos de la stabilité
morphologique de l’interface liquide/solide (cf. [M 58]), les condi-
tions thermiques de solidification dans un lingot sont telles qu’un
alliage, même très peu chargé en solutés, ne peut se solidifier que
sous forme dendritique (exception faite de quelques rares alliages
à structure eutectique régulière). Les caractères physico-chimiques
et morphologiques du mode de solidification dendritique ont déjà
été exposés (cf. [M 58]). Pour un acier à 0,6 % de carbone, par
exemple, il en découle que la solidification se déroule entre 1 484 oC,
température de liquidus, et 1 413 oC, température de solidus à
l’équilibre ; de plus, dans cet intervalle, il est possible d’associer à
chaque température une fraction solidifiée tenant compte de la redis-
tribution du carbone entre liquide et solide à l’échelle dendritique
(cf. [M 58]). La figure 8 montre l’évolution de la position et de l’épais-
seur de la zone pâteuse dans une situation analogue à celle illustrée,
pour le fer pur, par la figure 6. On notera en particulier comment
brusquement le front de solidification correspondant pratiquement
à l’isotherme liquidus disparaît 200 s environ après le début de la
solidification. Sur le même schéma est apportée la limite corres-
pondant à une fraction solide de 0,5.
La figure 9 permet de comparer schématiquement la forme et
l’étendue des zones pâteuses dans différentes situations de coulée :
Figure 6 – Progression schématique du front de solidification l’acier XC 70 en coulée continue, un acier très allié en refusion sous
après la coulée d’un lingot de fer pur laitier électroconducteur et un alliage d’aluminium en coulée semi-
continue ; pour l’acier coulé en continu, la profondeur de la zone
pâteuse, particulièrement importante, est une cause potentielle de
graves ségrégations majeures (§ 3.3). Sur cette figure, les distances
1.4.1 Histoire thermique locale sont apportées au rayon du produit correspondant R 0 .
Le fait de substituer un acier à 0,6 % de carbone au fer pur dans Dernier caractère important pour comparer les situations : le
l’expérience décrite au paragraphe 1.3.4 modifie qualitativement temps local de solidification complète, tsc , qui contrôle l’intensité
l’allure des courbes θ = θ (t ) correspondant aux points situés dans des microségrégations et la taille des microstructures à l’échelle des
la zone centrale du lingotin [3]. L’enregistrement réalisé à 6 cm de dendrites (cf. [M 58]) mais aussi, en partie, les ségrégations majeures
la paroi présente un long palier horizontal à un niveau de tempé- à l’échelle du produit (§ 3.2). La figure 10 permet de comparer deux
rature pratiquement confondu avec le liquidus de l’acier (figure 7). procédés très différents de solidification de l’acier : la coulée conti-
Tous les paliers ont la même origine de temps et se chevauchent nue et la refusion. La refusion permet de réduire fortement l’épais-
sur de longues périodes. Dans cette région du lingotin, tous les seur de la zone pâteuse à cœur tout en maintenant le temps local tsc
points arrivent simultanément à la température de liquidus, quelle dans des limites acceptables. Ce résultat est obtenu au prix d’une
que soit leur position par rapport à la lingotière : le concept de augmentation de l’énergie et du temps nécessaires pour solidifier
front de solidification perd son sens, il doit être relayé par celui de le métal.
zone pâteuse.

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_______________________________________________________________________________________________________________________ SOLIDIFICATION

Figure 8 – Développement schématique de la zone pâteuse Figure 10 – Relation entre le temps local de solidification complète
après la coulée d’un lingotin d’acier à 0,6 % de carbone et la production horaire pour différents procédés de coulée appliqués
aux aciers (d’après [27] [28])

1.5 Variations de volume

à l’échelle du produit
La solidification de tous les métaux, à l’exception des semi-
métaux, s’accompagne d’une contraction plus ou moins impor-
tante (3 à 6 %). La forme que prendra le métal après solidification
dépend à la fois du champ de gravité, des conditions de refroidis-
sement et de la composition chimique du métal.

1.5.1 Retassure et masselottage

Dans le cas du lingotin de fer pur évoqué précédemment, la soli-

dification de la pièce progresse grâce au mouvement d’un front
solide/liquide lisse de l’extérieur vers le centre du lingotin (§ 1.3.4).
Quand la paroi se recouvre de la première couche solide, le niveau
du métal liquide restant descend légèrement du fait de la contraction
à la solidification. Puis, de proche en proche, la solidification se pro-
page vers le centre, chaque couche solidifiée étant moins haute que
la précédente du fait de la contraction. À la fin de la solidification,
la surface supérieure du métal se présente comme un cratère et le
volume ainsi dégagé est appelé « retassure » (figure 11a ). Le cas
idéal décrit ici correspond à une solidification dans un moule conduc-
teur sans pertes thermiques par la partie supérieure. En pratique,
le phénomène peut être beaucoup moins voyant extérieurement,
mais au moins aussi grave pour l’usage ultérieur du produit, quand
une mince pellicule de métal solide, formée grâce au refroidissement
de la surface supérieure du lingot au cours des premiers stades de
la solidification, masque le vide de la retassure toujours présente
(figure 11b ). Ce qui est vrai au sommet d’un lingot est vrai dans
tout élément d’une pièce de fonderie.
Le masselottage des lingots ou des pièces de fonderie a pour
objectif de déplacer les retassures inévitables vers des zones exté-
Figure 9 – Étendue des zones pâteuses rieures aux parties utiles du produit. Dans son principe, cette opé-
dans différentes conditions de coulée ration consiste à adjoindre à certains éléments de la pièce (ou du
lingot) à solidifier sans retassure un volume supplémentaire de
métal dont les conditions de refroidissement seront telles qu’il
finira de se solidifier après solidification complète de l’élément de

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RE136

RECHERCHE

Dynamique moléculaire appliquée

aux matériaux
par Charlotte BECQUART et Michel PEREZ

Ce dossier a pour but de présenter une technique de simulation à l’échelle

atomique appelée dynamique moléculaire. Cette méthode mise au point
dans les années 1950 est de plus en plus utilisée, notamment dans le
domaine des matériaux. Après une brève présentation de la technique et
de ses points clefs, trois exemples sont proposés, choisis surtout pour leur
originalité. Le premier a trait à la modélisation du dommage d’irradiation
dans les matériaux de structure, les deux autres proposent des solutions
au problème principal de la dynamique moléculaire : temps simulé très
court. La première consiste à coupler la dynamique moléculaire avec une
autre méthode appelée Monte-Carlo cinétique. L’autre solution présentée ici
revient à faire de la dynamique moléculaire « gros grains ». Enfin, dans la
dernière partie de ce dossier, des perspectives et améliorations possibles
de la méthode sont décrites, ainsi que la description des principaux
logiciels de dynamique moléculaire utilisés par la communauté scientifique.

nombre d’opérations par seconde, est donc mainte-

Charlotte BECQUART est professeur à l’École nant à la portée des ingénieurs et des chercheurs.
nationale supérieure de chimie de Lille, labora-
toire de métallurgie physique et génie des maté- L’utilisation de la dynamique moléculaire (DM)
riaux (UMR 8517). et des méthodes de Monte-Carlo (MC) date des
années 1950, et l’intérêt pour ces techniques ne
Michel PEREZ est maître de conférences à cesse de croître dans la communauté des
l’Institut national des sciences appliquées de matériaux. Outre l’augmentation de la puissance
Parution : mars 2010 - Dernière validation : juin 2015

Lyon, laboratoire Matériaux, ingénierie et des moyens de calcul discutée plus haut, les raisons
sciences (UMR 5510). d’un tel engouement sont, d’une part, les avancées
récentes en théorie de la matière condensée (par
exemple, supraconducteurs, magnétorésistance
1. Introduction géante), et, d’autre part, les progrès spectaculaires
dans les techniques de caractérisation à l’échelle
Au cours des 70 dernières années qui ont vu un atomique (par exemple, microscopie haute résolu-
développement extraordinaire des outils de calcul, tion, sonde atomique tomographique...), qui vont
la puissance des ordinateurs a été multipliée par contribuer à revisiter dans les prochaines années,
1015. Depuis la naissance de ce que l’on peut appe- un grand nombre de concepts laissés en suspens
ler le premier ordinateur : le Zuse 1 en 1938, le dans le domaine de la métallurgie (transformation
nombre d’opérations décimales par seconde (Flops) de phase, plasticité...), mais aussi, plus largement,
a été multiplié par 1 000 tous les 15 ans ! en science des matériaux.
(figure 1). Actuellement, cette progression est Enfin, malgré ces progrès récents, l’échelle ato-
encore tellement rapide qu’un simple PC du mique reste encore difficilement accessible expéri-
commerce est équivalent, en termes de puissance mentalement dans de nombreux domaines (par
de calcul, aux supercalculateurs d’il y a une quin- exemple, dommage d’irradiation dans les
zaine d’années ! Réaliser des simulations à l’échelle constituants des centrales nucléaires, plasticité dans
atomique, qui nécessitent la réalisation d’un grand les matériaux polymères...). Les simulations à

1-2010 © Editions T.I. RE 136 - 1

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RE136

RECHERCHE

1.E+17
Earth
Simulator
mulato

1.E+14

1.E+11 Cray 2-8

Puissance (Flops)

1.E+08

Blue Gene
(IBM)
1.E+05
Babague
Zuse 3

1.E+02

1.E-01
1900 1920 1940 1960 1980 2000 2020
Année

Figure 1 – Évolution de la puissance des calculateurs en Flops (Floating operations per second) au cours du
dernier siècle

l’échelle atomique et, notamment, la dynamique alors de DM ab initio, mais le plus souvent (pour
moléculaire constituent alors un outil d’investigation des raisons de taille de système à simuler) elles
très précieux. dérivent d’un potentiel fixé empiriquement ; on
Le but de cet article est de : parle alors de DM classique.
– donner les clefs pour comprendre les bases de L’intégration des équations de mouvement doit se
la dynamique moléculaire ; faire numériquement, en choisissant un pas de
– présenter quelques exemples d’applications temps δt fini et en approximant les équations diffé-
récentes et originales ; rentielles par des équations aux différences finies. À
– fournir des pistes pour l’ingénieur ou le cher- partir de ces calculs, l’ordinateur prédit les nou-
cheur qui désire « se lancer » dans la dynamique velles positions, vitesses et forces de toutes les par-
moléculaire. ticules à l’instant t + δt. On peut ainsi remonter au
comportement d’un matériau : par exemple, mou-
vement et réarrangement des atomes/défauts...
2. Méthode Les échelles de taille et de temps accessibles par
la DM sont de l’ordre de quelques dizaines de nano-
2.1 Équations du mouvement mètres, et de quelques picosecondes. Les informa-
tions obtenues peuvent être, soit utilisables telles
La dynamique moléculaire (DM) classique est quelles (vitesse de propagation de dislocations,
fondée sur la mécanique newtonienne : les proprié- nombre et arrangement des défauts créés par irra-
tés d’un ensemble d’atomes ou particules sont diation...) ou comme données de départ pour des
déterminées en étudiant la trajectoire de chaque calculs à une échelle plus large (éléments finis par
particule au cours du temps. Pour cela, on applique exemple).
les lois de la mécanique classique aux atomes qui Les données d’entrée d’un calcul de DM sont
sont assimilés à une masse ponctuelle. On résout donc : un ensemble d’atomes, des potentiels inter-
donc simultanément, pour tous les atomes i d’un atomiques et, éventuellement, une série de
système, les équations classiques du mouvement : « contraintes » imposées par le milieu extérieur


(température, pression...).
fi = mi ai

2.2 Intégration des équations
où fi est la somme des forces s’exerçant sur du mouvement : qualités


l’atome i, mi sa masse et ai son accélération. Les d’un bon algorithme
forces d’interaction (ou le potentiel dont elles Le choix d’un algorithme d’intégration des équa-
dérivent) peuvent être obtenues à partir des pre- tions de mouvement est guidé par sa rapidité d’exé-
miers principes de la mécanique quantique, on parle cution, c’est-à-dire la possibilité d’avoir des pas

RE 136 - 2 © Editions T.I. 1-2010

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RE136

RECHERCHE

d’intégration δt les plus grands possibles tout en 2.3 Ensembles thermodynamiques :

conservant l’énergie du système : on se contente contraintes imposées
souvent de ∆E/E ≈ 10–4. Notons que le but d’un tel
algorithme n’est pas de prédire de façon exacte la par le milieu extérieur
trajectoire d’un atome particulier (la nature chao-
tique du mouvement à N-corps rend impossible cette 2.3.1 Ensemble NVE
prédiction), mais bien de prédire un comportement Par essence, la DM explore l’ensemble microcano-
d’ensemble, avec comme critère principal de nique NVE pour lequel le nombre d’atomes (N), le
convergence, la conservation de l’énergie. volume étudié (V) et l’énergie du système (E) sont
fixes. Pour les autres ensembles (canonique NVT,
L’algorithme le plus simple est celui mis au point isotherme-isobar NPT), on doit modifier les équa-
par Verlet [1] [2] qui dérive d’un développement de tions de Newton.


Taylor de ri (t ) :
2.3.2 Ensemble NVT
Pour travailler dans l’ensemble canonique NVT,





ri (t + δt ) = 2 ri (t ) − ri (t − δt ) + δt 2 ⋅ ai (t ) trois grandes méthodes sont utilisées : le scaling de


vitesse, le thermostat d’Andersen et le thermostat

r (t + δt ) − ri (t − δt ) de Nosé-Hoover.
vi (t ) = i
2δt Dans le scaling des vitesses, on calcule l’éner-
gie cinétique du système EK et celle que celui-ci
On constate que cet algorithme donne les posi-
tions à l’instant t + δt et les vitesses à l’instant t. devrait avoir EKConsigne et on multiplie toutes les
Pour pallier ce problème, des versions plus élabo- vitesses par le facteur adéquat : par exemple
rées de l’algorithme de Verlet ont été mises au
(EKConsigne /EK )1/2 .
point. Citons notamment le « leapfrog » [3], où l’on
calcule les vitesses au milieu du pas d’intégration, Pour le thermostat d’Andersen [6], le système
par exemple, en appliquant : est couplé avec un thermostat qui impose la tempé-
rature. Le couplage est représenté par des forces
stochastiques qui agissent de temps en temps sur

 δt 
 δt 
des particules sélectionnées au hasard. Entre les
vi  t +  = vi  t −  + δt ⋅ ai (t )
 2  2 collisions stochastiques, le système évolue à éner-
gie constante suivant les lois de Newton habituelles.



 δt 
xi (tt + dt ) = xi (t ) + δt ⋅ vi  t +  Pour le thermostat de Nosé-Hoover [7] [8], on
 2 introduit un terme de frottement ζ dans l’équation




du mouvement : mi ⋅ ai = fi − mi ζ ⋅ vi . Son évolution
ou bien le « Verlet vitesse » [4] qui prend la
forme suivante : temporelle est liée à la différence entre l’énergie
cinétique mesurée et l’énergie cinétique désirée :
ζɺ = (E − E Consigne )/Q , où Q détermine la rapidité
K K T T



1
de la réponse du thermostat.
ri (t + δt ) = ri (t ) + δt ⋅ vi (t ) + δt 2 ⋅ ai (t )
2


1

2.3.3 Ensemble NPT
vi (t + δt ) = vi (t ) + δt ⋅ [ai (t ) + ai (t + δt )]
2 Pour l’ensemble isotherme-isobare NPT, on peut
selon la méthode de Nosé-Hoover rajouter un degré
supplémentaire de liberté représentant le volume
où l’on calcule les nouvelles vitesses après avoir de la boîte. Ce volume V devient une variable dyna-
calculé les nouvelles positions et forces.
mique donnée par : Vɺ = (P − P Consigne )/QP où QP
Les autres familles algorithmes très utilisés sont détermine la rapidité de la réponse du barostat. Si
les algorithmes prédicteurs-correcteurs tels ceux l’on veut imposer, non pas une pression, mais un
mis au point par Gear [5]. Dans un premier temps, état de contrainte donné, une variante de la
on prédit les valeurs des positions, vitesses, accélé- méthode précédente consiste à introduire cette fois
rations, etc. par développement de Taylor. À partir neuf autres degrés de liberté qui correspondent aux
de ces nouvelles positions, on calcule les forces. De trois vecteurs définissant la boîte de simulation. Il
ces forces on déduit l’accélération que l’on compare s’agit de la méthode Parrinello-Rahman [9] [10].
alors à l’accélération obtenue par le développement Chaque degré de liberté est une variable dynamique
de Taylor et l’on applique un facteur correctif. qui évolue en fonction de l’état de contrainte désiré.
Le choix d’un algorithme résulte d’un compromis
entre rapidité et justesse. À titre d’exemple, l’algo- 2.4 Aspects techniques
rithme de Verlet est, de manière générale, plus
rapide, mais moins juste que les algorithmes type pré- 2.4.1 Conditions initiales
dicteurs-correcteurs. Il n’existe hélas pas de Les conditions initiales sont les positions et les
« recette » qui dicte le choix d’un algorithme et l’opti- vitesses correspondantes à la température à laquelle
mum dépend du problème traité. La meilleure straté- la simulation est faite. Les propriétés ne devant pas
gie consiste donc à tester les différents algorithmes en dépendre des conditions initiales, toute condition ini-
comparant le rapport justesse/temps de calcul. tiale raisonnable est en principe acceptable. Elles

1-2010 © Editions T.I. RE 136 - 3

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Métallurgie pour la microélectronique

à support silicium

par Dominique MANGELINCK

Directeur de Recherche au CNRS, Institut Matériaux,
Microélectronique Nanosciences de Provence IM2NP, Marseille, France

et Olivier THOMAS
Professeur à l’université d’Aix Marseille, Institut Matériaux,
Microélectronique Nanosciences de Provence IM2NP, Marseille, France

Cet article est la réédition actualisée de l’article intitulé « Métallurgie pour la

microélectronique à support silicium » paru en 2011, rédigé par Yves BRECHET,
Dominique MANGELINCK, Jean PHILIBERT et Olivier THOMAS.

1. La microélectronique emblématique des technologies

de pointe ........................................................................................... M 14v2 – 2
2. Incontournable présence des métaux......................................... — 3
2.1 Interconnexions .................................................................................. — 3
2.2 Contacts .............................................................................................. — 4
2.3 Barrières de diffusion ......................................................................... — 4
2.4 Puits de chaleur .................................................................................. — 4
2.5 Mémoires ............................................................................................ — 5
2.6 Au-delà de la miniaturisation : approche More than Moore ............ — 5
3. Nombreuses questions ouvertes.................................................. — 5
3.1 Électromigration ................................................................................. — 5
3.2 Effets de confinements sur la dynamique des défauts ..................... — 5
3.3 Contraintes internes, relaxation et endommagement ...................... — 6
3.4 Problèmes de diffusion/réaction ........................................................ — 6
3.5 Approche bottom-up : croissance des nanofils, nanoplots .............. — 6
3.6 Matériaux hors équilibre : phases métastables et amorphisation ... — 6
4. Besoin fort de compétences en métallurgie.............................. — 6
4.1 Diffusion, transformation de phase, thermodynamique
des interfaces ..................................................................................... — 6
4.2 Mécanique physique .......................................................................... — 7
4.3 Caractérisation fine ............................................................................ — 7
5. Conclusion........................................................................................ — 7
6. Glossaire ........................................................................................... — 7
7. Sigles ................................................................................................. — 7
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. M 14v2

a maı̂trise des matériaux est une composante essentielle du développement

L de la microélectronique. On n’a pu réaliser le premier transistor que lors-
qu’on a su élaborer un semiconducteur de pureté suffisante (germanium initia-
lement puis silicium), par une technique de purification appelée « refusion de
zone » et inventée… par un métallurgiste. Dans le contexte actuel de miniaturi-
sation des composants, un passage obligé est l’étude des nouveaux procédés et
matériaux, dont une grande partie est constituée de métaux et de leurs dérivés.
Les exigences de développements de gradients de composition chimique, qui ne
doivent pas évoluer dans le temps, imposent des barrières de diffusion de plus
Parution : juillet 2020

Copyright © - Techniques de l’Ingénieur - Tous droits réservés M 14v2 – 1

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MÉTALLURGIE POUR LA MICROÉLECTRONIQUE À SUPPORT SILICIUM –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

en plus performantes. Les interconnexions métalliques assurant le transport du

courant doivent présenter des résistivités de plus en plus faibles, ce qui oblige à
une maı̂trise parfaite des défauts structuraux. Les problèmes de connectique
imposent de contrôler tout l’attirail des technologies de soudage. Les densités
de courant mises en jeu et la réduction des échelles font de l’élimination de la
chaleur un enjeu majeur nécessitant le développement de nouveaux matériaux.
Il n’est pas un domaine des matériaux de la microélectronique qui puisse faire
l’économie d’une bonne connaissance de la métallurgie. Nous nous limitons
dans cet article à la métallurgie pour la microélectronique à support silicium ;
nous n’abordons pas les recherches dans les domaines optoélectronique, élec-
tromagnétisme, micro-ondes et antennes, même si ces problématiques sont
liées à celles de la microélectronique. L’implication de la métallurgie dans ce
secteur industriel est donc plus indispensable encore que ne le laissent penser
les quelques exemples utilisés ici pour l’illustrer.
Le lecteur trouvera en fin d’article un glossaire et un tableau des sigles
utilisés.

microfabrication de la microélectronique pour combiner plusieurs

1. La microélectronique puces entre elles afin de diversifier les fonctions des dispositifs.
emblématique La taille des composants diminue donc constamment et, depuis
la fin du XXe siècle, les dimensions caractéristiques sont de l’ordre
des technologies de pointe d’une fraction de micromètre ou même de quelques nanomètres
dans certaines directions. La fabrication de ces dispositifs a été
bien maı̂trisée jusqu’à maintenant, bien qu’elle constitue un défi
technologique exigeant des moyens de fabrication d’une finesse
et d’une précision considérables. C’est une des voies vers les
Le terme de microélectronique recouvre la production (et la nano-objets, qui s’inscrit dans l’évolution vers l’électronique minia-
conception) de circuits intégrés (réalisés généralement sur un turisée de demain, au-delà du « trait » de 10 nm qui constitue la
support semi-conducteur, principalement aujourd’hui le sili- norme actuelle.
cium) permettant la réalisation d’automates électroniques avec
de nombreuses applications (PC, téléphones mobiles, TV numé- Le secteur de la microélectronique est en mutation constante : la
rique, automobile, informatique industrielle, robotique, méca- majorité des matériaux et des technologies doivent être régulière-
nique…) et qui, aujourd’hui, grâce à une puissance de calcul en ment modifiés pour satisfaire les critères liés à la réduction de la
constante augmentation, permettent de produire de l’intelli- taille (figure 1). En effet, des verrous technologiques majeurs sont
gence artificielle. identifiés et impliquent une recherche avancée portant sur les
modifications du comportement des dispositifs lorsque leur taille
est réduite, et sur la mise en œuvre de processus physiques plus
Ce domaine a acquis la réputation d’être, par excellence, le efficaces. En effet, la miniaturisation d’un composant entraı̂ne en
domaine des technologies de pointe, celles qui ont rendu possible général la disparition même du processus physique sur lequel
la « civilisation de l’information ». La mythique Silicon Valley est repose la fonction du composant. Il faut donc, dans une première
emblématique de cette perception du grand public. Le secteur de approche, améliorer les dispositifs pour conserver leurs performan-
la microélectronique se caractérise par les progrès très importants ces (transistors à double grille, nouveaux substrats, nouveaux revê-
et sa très forte croissance depuis l’invention en 1947 [1], tout tements), puis attaquer des verrous de nature plus fondamentale
d’abord des premiers transistors, initialement sur support germa- en mettant en œuvre des dispositifs nouveaux comme les transis-
nium, rapidement supplanté par un support silicium. La pureté du tors à électron unique, fondés notamment sur les propriétés de
semiconducteur de départ obtenue par le procédé métallurgique spin. À l’inverse de cette approche « top-down », capable de pro-
de « refusion de zone » a été un élément clef de cette invention [2]. duire des objets de forme complètement contrôlée, il faut égale-
Ensuite, la première réalisation d’un microtransistor à effet de ment considérer l’approche « bottom-up », où les nano-objets
champ (MOSFET, metal-oxide semiconductor field-effect transistor) sont fabriqués par assemblage au niveau atomique, moléculaire
en 1960 a été déterminante [3]. Depuis cette origine et jusqu’à main- ou supramoléculaire, de préférence par auto-organisation dans
tenant, on a pu observer une croissance exponentielle soutenue, de des conditions bien contrôlées. Des propriétés entièrement nouvel-
presque tous les paramètres caractérisant ces produits (taille de gra- les, résultant de la taille très faible des objets, permettent de pro-
vure, nombre de transistors par cm2, vitesse de travail, etc.). La loi duire de nouvelles fonctions fondées sur le contrôle des structures
que G. Moore a édictée en 1965 [4], et qui prédisait une augmenta- à l’échelle atomique. Dès à présent, on peut citer :
tion d’un facteur 4 du nombre de transistors sur une puce tous les – l’électronique moléculaire, technologie alternative, dont les tran-
trois ans, a été à peu près respectée depuis lors [E 2 430] [NM 1 010]. sistors sont des nanotubes de carbone ou des molécules organiques ;
Une approche complémentaire dite « More than Moore » se déve- – le traitement quantique de l’information qui utilise des atomes
loppe également [E 2 382], elle consiste à utiliser les techniques de individuels ou des boı̂tes quantiques semi-conductrices.

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