Université deDjelfa

Faculté des Sciences Exactes et

Informatique
Laboratoire des Sciences et Informatique
des Matériaux

Dr. Abdelkrim NAAS

Physique des
semiconducteurs
( T RAVAUX P RATIQUES )

Cycle : LMD
Niveau : 3ime Licence
Option : Physique des Matériaux
 Sommaire

Avant propos 2

Conseils sur le déroulement de l’expérience 3

Rappels utiles 4

Travaux pratiques

1. Mesure du Gap d'un semi conducteur 7

2. Mesure de la résistivité et la conductivité d'une 14

couche mince par la méthode des 4 pointes

3. Caractéristiques courant-tension d'une jonction PN 24

4. Effet de la température sur la caractéristique 33

courant-tension d'une jonction PN

5. Effet Hall 38

6. Effet Zener 45

Annexes

Annexe 1 Aide sur Origin 50

Annexe 2 Certificat Wafers Silicium 59

Annexe 3 Oxyde d’indium-étain ITO 60

1
 Avant propos

Ce fascicule de travaux pratiques est destiné

principalement aux étudiants de la 3ème année Licence Physique des
Matériaux. Il peut également être utilisé avec profit par tout
étudiant suivant un cours de semiconducteurs. Il contient la
description de six travaux pratiques (6 TPs) à travers lesquels,
l’étudiant devrait vérifier et approfondir ses connaissances
théoriques d’une part et acquérir un savoir faire expérimental
d’autre part, et ce dans un domaine aussi passionnant que celui des
matériaux et en particulier des semiconducteurs.

L’ensemble de ces travaux pratiques est réalisable avec des

moyens simples que tout laboratoire de mesures en dispose. Les
résultats obtenus sont comparables à ceux issus d’éxperiences
mettant en œuvre des équipements spécialisés et onéreux.

Chaque expérience décrite comporte 3 parties : le but de

manipulation qui en définit les objectifs de façon claire, précise et
quantifiable, une partie théorique qui consiste en un rappel
théorique du sujet de l’expérience et une partie pratique dans
laquelle est décrit le mode opératoire

2
 Conseils sur le déroulement de
l’expérience

Au cours des manipulations, des précautions sont nécessaires à

prendre :

- Sécurité : il est important avant toute manipulation de vérifier

que l’ensemble des appareils n’est pas alimenté (les
équipements en mode off).
- Avant le lancement des mesures, laisser d’abord l’enseignant
vérifier le montage.
- Certains échantillons sont sensibles et peuvent être facilement
contaminés au toucher ; porter des gants ou/et utiliser la pince
spéciale.
- Certains échantillons sont fragiles ; faire attention pendant
leur manipulation.
- Vérifier toujours les calibres des appareils de mesures.
- Pour le tracé des courbes, il est obligatoire d’utiliser l’outil
informatique (utilisation du logiciel Origin ou autres comme
Excel)

A l’issue de chaque expérience un rapport doit être rédigé. Ce

rapport contient :

- Une page de garde qui porte le nom de l’étudiant, le numéro

de TP, le titre de l’expérience et l’année en cours.
- Une petite introduction où l’étudiant indique le but de la
manipulation.
- Une description théorique,
- La réponse aux questions demandées.
- Une conclusion qui résume/discute les résultats obtenus.

3
 Rappels utiles

Constantes physiques
Vitesse de la lumière c = 2, 99792458 . 108 m.s−1
Charge élémentaire e = 1, 60219 . 10−19 C
Nombre d’Avogadro NA = 6, 02204 . 1023 mol−1
Constante des gaz parfaits R = 8, 3144 J.K−[Link]−1
Constante de Faraday F = 96 484 [Link]−1
Constante de Boltzmann kB = 1, 38066 . 10−23 J.K−1
Constante de Planck h = 6, 62617 . 10−34 J.s
Masse de l’électron me = 9, 10953 . 10−31 kg
Masse du neutron mn = 1, 675 . 10−27 kg
Masse du proton mp = 1, 673 . 10−27 kg
Permittivité du vide ε0 = 8, 85419 . 10−12 F.m−1
Perméabilité du vide µ0 = 4 π . 10−7 H.m

Unités particulières
1eV = 1, 60219 . 10−19 J
ℏ =1,054590.10-34J.s
1pm =10-12m
1 Å =10-10m
1nm = 10-9m
1µm =10-6m
1cm = 10-3m
Conversions

E = hν, λ = c ν , E = k B T

4
Lecture d’une valeur d’un appareil
Pour lire une valeur sur un appareil électrique analogique
(Ampèremètre ou Voltmètre par exemple), on doit avoir :
- Le calibre, qui est la plus forte valeur mesurable par l’appareil.
L’appareil comporte plusieurs calibres. Le manilleur calibre
choisi est celui où l’aiguille est sur le maximum de l’échelle du
cadran.
- L’échelle est le nombre de divisions sur le cadran.
- La lecture est la valeur sur laquelle se positionne l’aiguille.
- la valeur réelle à mesurer est donnée par la relation suivante :

𝐶𝑎𝑙𝑖𝑏 𝑟𝑒 𝑥 𝐿𝑒𝑐𝑡𝑢𝑟𝑒
𝑉𝑎𝑙𝑒𝑢𝑟 𝑚𝑒𝑠𝑢𝑟 é𝑒 =
𝐸𝑐ℎ𝑒𝑙𝑙𝑒

IMPORTANT : Au début de la manipulation, si on ne connait

pas l’ordre de grandeur de la valeur à mesurer, on prendra
toujours le calibre le plus fort. Si la déviation de l’aiguille est trop
faible, on diminuera le calibre jusqu’à ce qu’on puisse faire
mesure dans la moitie supérieure du cadran de l’appareil.

Incertitudes sur les mesures

Il n’y a pas d’appareil juste. Nous ne pouvons pas donc être certains
de l’exactitude d’une valeur lue; il y a une incertitude sur chaque
lecture qui ne peut être qu’évaluée.
Plusieurs causes d’erreurs interviennent dans le résultat d’une
mesure comme :
- Causes d’erreur grossières : échantillon mal placé, mauvais
contacte, bornes mal serrées, mauvaise méthode de
mesure, …
- Causes théoriquement prévisibles mais difficiles à estimer :
mesure à une température autre que la température

5
 d’étalonnage, le seul fait d’introduire l’appareil de mesure
dans un circuit change son état.

Erreurs de résultats de mesurages

On appelle erreur de mesurage la discordance entre les résultats de

mesurage et la valeur de la grandeur mesurée. Différentes erreurs
de causes variées sont rencontrées :
- Erreur systématique : c’est erreur qui reste constante en
valeur absolue en signe lorsque plusieurs mesures d’une
même grandeur fixe sont réalisées dans les mêmes
conditions, leurs causes peuvent être connu ou non.
- Erreur aléatoire : c’est une erreur que varie de façon
imprévisible en valeur absolue et en signe lorsqu’on effectue
un grand nombre de mesures d’une même grandeur dans
des conditions pratiquement identique.
- Erreur parasite : c’est une erreur souvent grossière qui
résulte d’une exécution incorrecte de la mesure. Elle peut
être due à une fausse lecture, ou encore au mauvais emploi
d’un instrument.

Notions d’incertitude
• Incertitude absolue :
C’est le maximum Δ𝑥 de l’écart que nous risquons d’avoir entre la
vraie valeur 𝑥𝑣 et la valeur 𝑥0 mesurée.
• Incertitude relative :
C’est le rapport de l’incertitude absolue Δ𝑥 par la valeur
mesurée 𝑥0.
Δ𝑥
𝑖𝑛𝑐𝑒𝑟𝑡𝑖𝑡𝑢𝑑𝑒 𝑟𝑒𝑙𝑎𝑡𝑖𝑣𝑒 =
𝑥0

6
 TP1

Mesure du Gap d'un semi-conducteur

I. But
- Mesure de Gap Eg d'un semi conducteur
- Identification du semi conducteur

II. Rappel théorique

Un semi-conducteur est un matériau qui a les caractéristiques

électriques d'un isolant, mais pour lequel la probabilité
qu'un électron puisse contribuer à un courant électrique, quoique
faible, est suffisamment importante. En d'autres termes,
la conductivité électrique d'un semi-conducteur est intermédiaire
entre celle des métaux et celle des isolants.

Le comportement électrique des semi-conducteurs est

généralement modélisé à l'aide de la théorie des bandes d'énergie.
Selon celle-ci, un matériau semiconducteur possède une bande
interdite suffisamment petite pour que des électrons de la bande de
valence puissent facilement rejoindre la bande de conduction. Si
un potentiel électrique est appliqué à ses bornes, un faible courant
électrique apparait, provoqué à la fois par le déplacement des
électrons et par celui des « trous » qu'ils laissent dans la bande de
valence. Il y à des semiconducteurs intrinsèques qui sont purs et
des semi-conducteurs extrinsèques qui sont des semi-conducteurs
dopés

7
Dans ce travail pratique, Nous allons étudier une thermistance du
commerce CTN constituée d’un semiconducteur dopé. Le semi-
conducteur peut être de type n si la conduction est assurée par les
électrons libérés par les donneurs, ou de type p si la conduction est
assurée par les trous crées pas les accepteurs. La figure 1 montre le
modèle simplifié de la structure des bandes de ces deux types.

Figure 1 : Bandes d’énergie des semiconducteurs n et p

Le niveau d’énergie en pointillé est celui des impuretés qui dopent

le semi conducteur. Pour la suite des explications nous supposerons
que la thermistance est constituée d’un semi conducteur de type n.
Le cas d’une thermistance de type p se traite de la même façon.

Aux basses températures, mais suffisantes quand même (kT>∆E), les

donneurs libèrent leur électron dans la bande de conduction.
Lorsque toutes les impuretés sont ionisées, la densité de porteurs
libres devient indépendante de la température, et donc la

8
résistance aussi. La conduction est alors dite extrinsèque car elle est
assurée par les dopants.

A plus haute température (kT>Eg/2), des paires électron-trou se

créent directement au milieu de la bande interdite par excitation
thermique, produisant chacune un électron dans la bande de
valence et un trou dans la bande de conduction. Ce mécanisme
devient rapidement prépondérant. La conduction est alors dite
intrinsèque. Ce mécanisme suit la loi de Boltzmann (nombre
d’électrons libres créés ~ exp(−Eg / 2kT) ) par conséquent la
résistance varie en :

R = R0 exp(Eg / 2kT)

Pour mettre ces comportements de la thermistance en évidence on

trace ln(R)=f(1/kT). (Figure 2)

Figure 2 : Variation de la résistance de la thermistance avec la

température

9
Ordre de grandeur: gap des semiconducteurs usuels:

Eg(Ge)=0.7eV, Eg(Si)=1.1eV, Eg(GaAs)=1.4eV, Eg(GaP)=2.3eV,

Eg(CdS)=2.4eV

III. Travail pratique:

Expérience 1

Mesure de gap d’un semiconducteur d’une CTN

La figure 3, montre le montage expérimental a réalisé.

Figure 3 : Synoptique du montage expérimental

Matériel:

- Thermistance CTN
- Plaque chauffante + thermomètre
- Ohm mètre
- Bucher + eau+ glace+ acétone

10
Plonger la thermistance dans un bain thermostaté. Tous les cinq
degrés environ, pour chaque valeur de la température noter la
valeur de la résistance à l’aide d’un ohmmètre.

Faire ensuite une mesure de la résistance à 0°C en prenant de la

glace fondante. Prendre de la glace arrosée d’acétone pour faire
une mesure entre –20°C et –30°C.

1) Compléter le tableau ci-dessous

T (°C)

R(Ω)

1/Tx10-3
(K-1)

Faire une mesure de 15 points

2) Tracer la droite ln(R)=f(1/kT). Déterminer la pente.

3) Comparer la valeur mesurée avec la valeur tabulée. Déduire la

nature du semiconducteur.

Expériences 2

Mesure de gap d’un échantillon type ITO

La figure 4 montre le montage synoptique de l'expérience.

11
 A
C
B E F
A Echantillon

G
D
H
V

V
Figure 4 : Synoptique du montage expérimental exp 2

Une plaquette comporte un dispositif permettant de chauffer par

effet joule l’échantillon de l’oxyde d’indium dopé à l’étain nommé
ITO (bornes E et F). Un thermocouple cuivre type k, placé au
niveau de l’échantillon, permet de mesurer la température (bornes
G et H)

La relation permettant la conversion entre la tension aux bornes du

thermocouple Vth et la température est:
Vth (mV )
T (K ) = +T (K )
−3 ambiante
40.10
1) Réaliser une montée en température progressive en jouant sur la
tension de chauffage. Mesurer la tension aux bornes de
l’échantillon ainsi qu'aux bornes du thermocouple.

12
Compléter le tableau ci-dessous:

VGe (V)

Vth (mV)

TGe (K)

1/Tx10-3 (K-1)

2) Représenter ln (V)=f(1/T)

3) Interpréter l'allure de la courbe selon la théorie

4) Mesurer Eg de l’échantillon en se basant sur la partie théorique

du 1ièr paragraphe

5) Conclusions

13
 TP2

Mesure de la résistivité et la conductivité d'une

couche mince (semiconducteur) par la méthode
des 4 pointes

I. But:

- Caractérisation électrique d'une couche mince d'un

semiconducteur
- Détermination du type du semi conducteur,
- Mesure de la résistivité et de la conductivité du
semiconducteur par la méthode des 4 pointes.

II. Expérience 1

II.1 Objectif

Détermination du type du semiconducteur par la méthode de la

pointe chaude

Les échantillons semiconducteurs sont des wafers circulaires de

silicium de différents dopages.

Cette technique est utilisée pour déterminer le type de conductivité

d'un semi-conducteur avant même de déterminer la concentration
des porteurs. (Figure 1)

14
 Galvanomètre Galvanomètre
Pointe chaude Pointe froide

Type P Type n

Figure 1 : Schéma expérimental du montage du de la pointe chaude

L'outillage nécessaire pour effectuer cette expérience est très

simple : composé d’un fer à soudé et d’un galvanomètre.

II.2 Travail demandé

- Chauffer la pointe de l'une des électrodes d'un

milliampèremètre par un fer à soudé ou une allumette.
- Appliquer les deux électrodes à la surface du semiconducteur,
l'aiguille subit une déviation qui indique le type des porteurs
majoritaires.
- Si la déviation de l'aiguille est vers le sens positif cela implique
que le semiconducteur est type P si non si c'est vers le sens
négatif donc le semiconducteur est de type n. pour l'ensemble
des échantillons classifier ceux qui sont type p ou type n.
- Explique le principe sur lequel est basée cette expérience.

III. Expérience 2

III.1 Objectif

Mesure de la résistivité et de la conductivité du semiconducteur par

la méthode des quatre pointes.

15
III.2 Rappel théorique:

La méthode 4 pointes est utilisable pour mesurer la résistivité d’une

couche mince. La technique consiste a placé 4 pointes dont 2
traverse un courant I et les deux autres, on mesure la tension V
(figure 2) et par application de la loi d'Ohm, on peut déterminer la
résistance carrée R□.

La résistance carrée à pour unité de mesure Ω.cm.

Figure 2 principe de la mesure 4 pointes

Le développement du formalisme mathématique conduit à:

dr  2s dr 
dr = 
rd
et R =
d 
s r
=
l
ln 2

16
 V 
R=
Or, et R= =
I d
Pour des échantillons épais (épaisseur t >> à la surface s)

V
R = 2s
I

Pour des couches minces (épaisseur t<<s)

V = 4.53
V
R=
ln(2)I I

Le coefficient 4.53 est un coefficient correcteur qui n'est valable

que si la distance entre les pointes est très petite par rapport à la
longueur et la largeur de la couche.

III.3 Dispositif expérimental

Le dispositif est constitué d'un porte wafer (figure 3-a) avec sonde à
4 pointes (figure3-b), le kit est de marque JANDEL (Multiposition
Wafer Probe).

Un courant I fourni par un générateur de courant (source de

courant) est délivré aux pointe 1 et 4 et une tension est mesuré par
un voltmètre de précision à travers les pointes 2 et 3.

17
 a Figure 4
b

1 2 3 4

Pointe en tungstène
Figure 3 Dispositif du porte wafer porte wafer (marque JANDEL
(Multipostions Wafer Probe).

La source de courant est délivrée par un Source Mètre type

KEITHLEY 2400 (figure 4) et la mesure de la tension est effectuer par
multimètre numérique de précision.

Figure 4 : Source Mètre KEITHLEY 2400

18
La figure 5, montre une image du montage complet de l’expérience
des 4 pointes

Figure 5 : Image de l’expérience des 4 pointes

III.4 Travail demandé

III.4.1 Utilisation de l'appareil KEITHLEY 2400:

Deux fonctions : multimètre de grande précision et source mètre. La
figure 6, illustre la face avant de cet appareil.

Figure 6 : Face avant du Source Mètre

19
La fonction Multimètre : Ampèremètre I, Voltmètre V, Ohm mètre
Ω et Wattmètre FCTN

Pour choisir une fonction, il suffit appuyer sur le bouton où le

symbole est écrit

Application 1:

- Brancher aux bornes Input/Output HI et LO une résistance R

- Appuyer sur le bouton Ω (coté MEAS) puis le bouton ON/OFF
- L’afficheur indique la valeur de la résistance, comparer les
deux valeurs.
La fonction source mètre :

Application 2:

Keithley comme Source de tension :

- Brancher aux bornes Input/Output HI et LO un voltmètre

numérique
- Appuyer sur le bouton V (coté SOURCE)
- Appuyer sur Edit (bouton bleu) pour générer une tension, sur
l’afficheur Vsrc choisir la valeur voulue, pour cela il faut choisir
le rang de la tension V, mV ou µV en appuyant sur les touches
RANGE (choisir 1.5V comme exemple pour éditer cette valeur
on utilise les touches LOCAL/REL, FILTER/LIMIT … où il est
indiquer les chiffres).
- Appuyer sur le bouton ON/OFF, comparer les résultats.

Application 3:

Keithley comme Source de courant:

- Brancher aux bornes Input/Output HI et LO un ampèremètre

en série avec une résistance de protection de 1KΩ
- Appuyer sur le bouton I (coté SOURCE)

20
- Appuyer sur Edit (bouton bleu) pour générer une tension, sur
l’afficheur Isrc choisir la valeur voulue, pour cela il faut choisir
le rang du courant A, mA ou µA en appuyant sur les touches
RANGE (choisir 1O5mA comme exemple pour éditer cette
valeur on utilise les touches LOCAL/REL, FILTER/LIMIT … où il
est indiquer les chiffres).
- Appuyer sur le bouton ON/OFF, comparer les résultats.

Application 4:

Programmation d’une variation linéaire d’une série de valeurs de

tension en output

- Appuyer sur la touche SOURCE V

- Appuyer sur CONFIG puis SWEEP
- Choisir TYPE (voir bas de l’afficheur où est indiqué TYPE
SWEEP-COUNT..) puis appuyer sur ENTER
- Choisir STAIR puis ENTER, l’afficheur indique la première
valeur choisir 0V puis ENTER, l’afficheur indique la dernière
valeur STOP choisir 1V puis ENTER,
- L’afficheur indique le pas d’incrémentation STEEP, on fait une
variation de 100mV puis appuyer sur ENTER après sur EXIT
- Brancher le voltmètre et appuyer sur ON/OFF pour exécuter le
programme et en fin appuyer sur SWEEP voir le résultat de la
variation de V sur le voltmètre. (même l’afficheur de source
mètre indique cette variation.

Programmation d’une variation linéaire d’une série de valeurs de

Courant en output

- Appuyer sur la touche SOURCE I

- Appuyer sur CONFIG puis SWEEP
- Choisir TYPE (voir bas de l’afficheur où est indiqué TYPE
SWEEP-COUNT..) puis appuyer sur ENTER

21
- Choisir STAIR puis ENTER, l’afficheur indique la première
valeur choisir 0 mA puis ENTER, l’afficheur indique la dernière
valeur STOP choisir 100V puis ENTER,
- L’afficheur indique le pas d’incrémentation STEEP, on fait une
variation de 10mV puis appuyer sur ENTER après sur EXIT
- Brancher l’ampèremètre (choisir le bon calibre) et appuyer sur
ON/OFF pour exécuter le programme et en fin, appuyer sur
SWEEP voir le résultat de la variation de I sur l’ampèremètre.
(même l’afficheur de source mètre indique cette variation.

III.4.2 Mesure de la conductivité du semiconducteur

Vous disposer d'une série de wafers de semiconducteur silicium

dont les caractéristiques sont données en annexe

1) Relier la sortie 1 du KEITHLEY (ou de la source de courant) aux

bornes courant du support de wafer de la figure 4,
2) Relier la sortie 2 du KEITHLEY (ou de voltmètre) aux bornes
tension du support de wafer
3) Faire glisser un wafer dans la plaque qui les porte du support
wafer (prenez soin a ne pas toucher le wafer avec la main,
utiliser la pince ou les gants)
4) Ouvrir le compresseur à air pour maintenir le wafer et faire le
contacte des 4 points à l'aide du poignet. (Le contact se fait
délicatement car il est fragile)
5) Programmer une série de courants (nombre de mesures 10
Points)
6) A l’aide du voltmètre relever les tensions V en complétant le
tableau ci-dessous
7) Changer la position des pointes pour chaque mesure
(4positions)
8) Refaire le même travail pour les autres wafers.
9) Tracer pour chaque wafer la courbe V=f(I). En traçant la ponte,
déduire la valeur de la résistance R puis déterminer la
résistivité et la conductivité de l'échantillon (remarque la

22
 résistivité est obtenue en se basant sur le diamètre et
l'épaisseur de l'échantillon voir annexe)
10) Comparer les résultats obtenus avec les données indiquées par
le constructeur

I (mA)

Vposition1(mV)

Vposition2(mV)

Vposition3(mV)

Vposition4(mV)

23
 TP3

Caractéristiques courant-tension d'une

jonction PN

I. But
- Caractéristique directe et inverse d'une jonction brute jonction
de laboratoire.
- Effet des contactes sur les propriétés de conduction.
- Caractéristique directes et inverse d'une diode commerciale.
- Etude comparative entre les différentes caractéristiques.

II. Rappel théorique

II.1 Formation d'une jonction PN

En juxtaposant une zone dopée P et une zone dopée N à l'intérieur
d'un cristal de semiconducteur, comme sur la figure 1, on obtient
une jonction PN.

Dans la pratique on peut par exemple partir d'un monocristal de

silicium dopé P à la surface duquel est déposé une fine couche d'un
corps pentavalent (phosphore ou arsenic). En chauffant le cristal à
une température suffisante, comprise entre la température de
fusion du corps déposé et celle du monocristal, des atomes du corps
déposé pénètrent dans le cristal par diffusion et créent une zone N.

24
 Figure 1 : Jonction PN

La zone de transition

De part et d'autre de la jonction, les porteurs majoritaires (électrons

et trous) s'attirent et se recombinent ; leurs charges s'annulant il y a
raréfaction des porteuses donc fortes diminutions de la
conductibilité dans une zone (la zone de transition) de très faible
épaisseur (de l'ordre du micron). Entre les deux zones habitées par
des ions de polarités contraires s'établit une différence de potentiel.

La jonction PN s'apparente à un condensateur dont le diélectrique

serait la zone de transition ou zone de charge d'espace et les zones
P et N les armatures (voir figure 2).

Figure 2 : Modèle de la jonction PN montrant la

zone de transition

25
II.2 Symboles
Le dipôle constitué par le cristal de semiconducteur divisé par la
jonction PN est une diode dont l'anode correspond à la zone P et la
cathode à la zone N.

Le symbole d'une jonction est sur la figure 3

Anode Cathode

• Symbole électrique d'une diode

• Symbole commerciale

Figure 3 : Symbole de la
jonction PN

Dans le laboratoire, on utilise 3 types de jonction: brute sans

contactes métalliques, brute avec contactes métalliques et jonction
commerciales (diode commerciale) (voir figure 4)

3 4
2
6

1
5

Figure 4 : Echantillons des différentes jonctions PN

26
 On note :
1-> Diode sans contactes
2 -> Diode face contacte en Al
3-> Diode face arrière sans contacte ohmique
4-> Contacte Ohmique en or
5- > Anode en or
6- > Diode commerciale

II.3 Polarisation d’une diode

Une diode peut être polarisée sous deux formes : Une polarisation
en directe où l’anode est à la borne positive de la tension d’entrée,
la cathode à la borne négative de la tension Ve (figure5 a).

Une polarisation en inverse où l’anode est à la borne négative de la

tension d’entrée, la cathode à borne positive de la tension Ve
(figure 5 b).

a Polarisation directe b Polarisation inverse

Figure 5 : Schéma électrique de la polarisation directe et inverse

d’une diode

27
II.4 Modélisation mathématiques

Le courant I traversant la diode est lié à la différence de potentiel V

par la relation :

I =I sexp(qV /KT )−1

Dans le cas de la polarisation directe on note et ; la relation de I

devient :

I d =I sexp(qVd /KT )−1

mais dans le cas de la polarisation inverse le courant I et la tension

V s’inversent et devienne −Ii et −Vi :

I i =I s1−exp(−Vi /E )

II.5 Caractéristiques courant-tension

Le graphe de la figure 6 illustre la caractéristique courant-tension de

la diode dans les deux sens (directe et inverse) avec:

• Elle est de 0.3V pour le Germanium et de 0.7V pour le Silicium.

• La résistance dynamique est l’inverse de la d’un point de
fonctionnement, elle est donnée par :

 =U )I = I 0

I

28
 ID
Polarisation
directe

-VD VD
Vp
Polarisation
inverse

-ID

Figure 6 : Caractéristiques courant-tension I(V) d’une

jonction PN
Travail demandé

Réaliser le montage de la figure 5a pour la polarisation directe et le

montage de la figure 5b pour la polarisation inverse. Ajouter un
ampèremètre en série et un voltmètre aux bornes de la jonction en
respectant la polarité des appareils.

La figure 7 montre une image du kit expérimental.

Figure 7 : Montage expérimental pour l’étude des

caractéristiques I(V) d’une jonction PN

29
 III.1 Jonction brut sans contactes des deux cotés

(Cas de l’échantillon 1 de la figure 5)

1) Compléter les tableaux suivants

Polarisation directe

Vsource 0.2 0.4 0.6 0.8 1 2 3 5 8 10 11 12

(V)

Vd (V)

Id
(mA)

Polarisation inverse

Vsource -10 -20 -50 -70 -80 -100 -120 -130 -140 -150
(V)

Vd (V)

Id (mA)

2) Refaire les mesures pour une autre jonction du wafer (une

autre diode pour augmenter la précision de la mesure.
3) Tracer I=f(V) des deux jonctions pour la polarisation directe et
inverse dans un même repère.
4) Que pouvons dire sur l’allure (courbes) des deux
polarisations ?

30
III.2 Jonction brut avec contacte métallique et sans
contacte ohmique

Le contacte métallique de la jonction: l'anode en aluminium pas de

contacte ohmique en face arrière du wafer (cathode)

1) Refaire les mêmes mesures que pour le premier cas

(polarisation directe et inverse)
2) Refaire les mesures pour une autre jonction (diode) du même
wafer.
3) Tracer I=f(V) des deux jonctions pour la polarisation directe et
inverse dans un même repère.
4) Déduire la tension seuil pour laquelle I augmente rapidement.
5) Que pouvons dire pour le cas de la polarisation inverse.

III.3 Jonction brut avec contacte métallique et contacte

ohmique

Les contactes métalliques de la jonction: l'anode en aluminium et la

cathode en or

1) Refaire les mêmes mesures que pour le premier cas

(polarisation directe et inverse)
2) Refaire les mesures pour une autre jonction (diode) du même
wafer.
3) Tracer I=f(V) des deux jonctions pour la polarisation directe et
inverse dans un même repère.
4) Déduire la tension seuil pour laquelle I augmente rapidement.
5) Que pouvons dire pour le cas de la polarisation inverse.

31
III.4 Diode commerciale

1) Tracer I=f(V) pour la polarisation directe et inverse dans un

même repère.
2) Déduire la tension seuil pour laquelle I augmente rapidement.
3) Que pouvons dire pour le cas de la polarisation inverse ?
4) Traces sur le même repère les profils de l’ensemble des
jonctions pour le cas de la polarisation directe seulement.
5) Que pouvons conclure sur ce résultat ?

32
 TP4

Effet de la température sur la caractéristique

courant-tension d'une jonction PN

I. But

- Etude de l'effet de la température sur la caractéristique courant-

tension I(V) d'une diode à jonction

II. Rappel théorique

La température de fonctionnement est un paramètre fondamental

dans la détermination du fonctionnement des dispositifs à
semiconducteurs.

Dans le cas de la jonction PN le courant de saturation est

essentiellement dû aux porteurs minoritaires générés par agitation
thermique. Ce courant de saturation sera donc particulièrement
sensible à la température.

L'effet de la température sur la caractéristique directe est

déterminé par les relations suivantes:

𝑞𝑉𝑗
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 𝑒𝑥𝑝 −1
𝑘𝐵

33
 −𝑘𝑔0
𝐼𝑆 = 𝐾𝑇 𝑒𝑥𝑝
𝑚
avec :
2𝑘𝑇

Où : m=2 pour le Germanium, m=1.5 pour le Silicium et m=1.5 pour

L'arséniure de Gallium.

Pour trouver l'influence de la température sur la caractéristique de

la jonction on dérive l'expression simplifiée du courant soit :

𝐼 = 𝐼 𝑆𝑒𝑥𝑝 𝑉
𝑘𝑉 𝑇

𝑘𝑇
avec 𝑉𝑇 =
𝑞

Le développement de ce formalisme conduit à:

𝑑 𝐼𝑆
𝑑𝑇
représente la variation du courant inverse en fonction de la
température.
𝑑𝑉
Cherchons maintenant la variation lorsque le courant I est
𝑑𝑇
maintenu constant (à l'aide d'un circuit extérieur) soit 𝑑𝐼 = 0 dans l'expression
précédente.

34
Le calcul donne :

𝑑𝑉
≈ 2.5𝑚𝑉/°𝐶
𝑑𝑇

La figure 1 montre l'allure de I=f(V) pour différentes températures.

Figure 1 : Allure de I=f(V) pour différentes températures

III. Dispositif expérimental

Le kit expérimental est réalisé au niveau du laboratoire, il comprend

un four à température réglable de l'ambiant jusqu'à 100°C. La diode
est introduite dans ce four, l'anode et la cathode sont reliées au
système de mesure (générateur de tension variable, voltmètre et
ampèremètre. La figure 2 montre le montage.

35
 Figure 2 : Dispositif expérimental du kit qui étudier l’effet de la
température sur la caractéristique I(V) de la jonction PN

La figure 3 représente le schéma synoptique du kit.

Rp
A
Thermostat

Four
Vsourc
V

Echantillon

Figure 3 : Synoptique du kit expérimental

36
IV. Travail demandé
1) Introduire l'échantillon dans le four en respectant la polarité
(polarisation directe).
2) Compléter les tableaux pour des températures fixes.

T1= température ambiante (20à25°C)

Vsource 0.2 0.4 0.6 0.8 1 2 3 5 8 10 11 12

(V)

Vd (V)

Id
(mA)

T2=……°C

Vsource 0.2 0.4 0.6 0.8 1 2 3 5 8 10 11 12

(V)

Vd (V)

Id
(mA)

1) Refaire les mesures pour plusieurs températures (4 à 5), les

températures sont changeables et réglables à l’aide du
potentiomètre thermostat.
3) Dans un même graphe tracer l'allure de I=f(V) pour l'ensemble
des températures.
𝑑𝑉
4) Déterminer 𝑑𝑇
comparer la valeur mesurée ave la valeur
théorique.
5) Conclusions.

37
 TP5

Effet Hall

I. But

Ce travail permet la détermination des caractéristiques électriques

d’un semiconducteur par utilisation de l’effet Hall telles que:

- La détermination de la tension et de la résistance Hall d’un

semiconducteur,

- la détermination de la mobilité du semiconducteur,

- le Calcul de la concentration du semiconducteur.

II. Rappel théorique

Principe de l’effet Hall

Si un courant I parcourt une plaque conductrice ou semi-

conductrice de section rectangulaire, et si cette plaque est
traversée par un champ magnétique 𝐵 perpendiculaire à sa grande
surface et à la direction du courant, une tension appelée tension de
Hall apparaît entre les deux côtés de la plaque (phénomène observé
par Hall en 1879).

38
 Figure 1 : Effet Hall sur un échantillon de section rectangulaire.

Considérons un semi-conducteur extrinsèque dopé n. Soient (Oz) la

direction de 𝐵 , (Oy) la direction de la largeur de la plaque et (Ox) la
direction de sa longueur. On a les relations suivantes :

𝑗 = −𝑛. 𝑒. 𝑣 = 𝜎. 𝐸𝐿

où j est la densité de courant, e la charge de l’électron, n leur

densité (nombre d’électrons par unité de volume) et v = μe·EL la
vitesse moyenne des porteurs de charge. EL est le champ électrique
longitudinal de la plaque et μe est la mobilité des électrons, c’est-à-
dire la vitesse moyenne dans la direction du champ et cela pour un
champ unité. Le courant traverse la plaque dans le sens des x
positifs et par conséqunt les électrons dans le sens des x négatifs.

Suite à l’application du champ magnétique 𝐵, les électrons sous

l’action de la force de Lorentz 𝐹 = −𝑒𝑣 ⋀𝐵 vont se déplacer suivant
la direction (Oy) et s’accumuler sur la surface du parallélépipède
située dans cette direction. Suite au départ des électrons, des
charges positives s’accumulent sur la surface opposée. Il y a donc
création d’un champ électrique transverse, 𝐸𝑇 , qui permet à la
force électrique d’équilibrer la force de Lorentz :

39
 −𝑒 . 𝐸 𝑇 − 𝑒. 𝑣 ⋀𝐵 = 0

d’où : 𝐸 𝑇= − 𝑣 ⋀𝐵 = 1
𝑛.
𝑗 ⋀𝐵 = −𝜇𝑒 . (𝐸𝐿 ⋀𝐵

Le champ électrique s’écrit :𝐸: (EL,ET , 0) = (Ex,Ey, 0), le champ

magnétique B : (0, 0,Bz), et la densité de courant ~j = (jx, 0, 0).

En utilisant les composantes des vecteurs, il vient :

1
𝐸 = − 𝜇 .𝐸 𝐵 =− 𝑗 .𝐵
𝑦 𝑒 𝑥𝑧
𝑛. 𝑒 𝑥 𝑧

Le coefficient de Hall, RH, est alors défini par le rapport :

𝑅 = 𝐸𝑦 = − 1
𝐻 𝐽 𝑥 .𝐵𝑧 𝑛𝑒

Si 𝑙 est la largeur de la plaque et 𝑑 son épaisseur, on a :

𝐼 = 𝑗𝑥 . 𝑑. 𝑙

et
𝑉𝐻 = 𝑙. 𝐸𝑦

Le coefficient de Hall peut donc s’exprimer d’une façon générale en

fonction des grandeurs facilement mesurables:

𝑉 𝐻 .𝑑
𝑅𝐻 =
𝐼.𝐵𝑧

La mobilité Hall des charges est quant à elle donnée par :

𝜇𝐻 = 𝑅𝐻 . 𝜎0

40
III. Travail pratique

III.1 Matériel

- Module porte échantillon.

- Echantillon en silicium de forme rectangulaire sur lequel
est déposé des contactes en or (Eg=1.12eV).
- Générateur de champ magnétique (ensemble de deux
bobines reliées par un entrefer.
- Source de tension pour alimentation des bobines.
- Source de tension DC pour généré un courant dans le
semiconducteur.
- Teslametre.
- Sonde Hall tangentielle.
- Voltmètre.
- Ampèremètre.
- Tripode pour fixation de la sonde et le module.
- Fils de connections.
L’image de la figure 2 montre le dispositif expérimental

Figure 2. Image du kit expérimental de l’effet Hall

41
III.2 Travail demandé

1) Faire le câblage des figures 3a et 3b

- Câblage du module de Hall qui porte l’échantillon

Echantillon
3
A
1 2
Rp 4 Module de Hall

S
VH
Fig ure 3-a

- Câblage de la source du champ magnétique

Bobine1 Bobine2

Figure 3-b

Le montage global est celui de la figure 2. La sonde de qui mesure le

champ magnétique doit être relié au Teslametre.

42
NB

- Le changement de signe du champ magnétique (champ

négatif ou positif) se fait par inversion de la polarisation au
niveau de la source (S) de tension qui alimente les deux
bobines.
- Le changement du sens de courant dans l’échantillon se
fait lui aussi par inversion de la polarité au niveau de la
source de tension qui alimente l’échantillon.
- N’oublier pas d’inverser la polarisation de l’ampèremètre
dans le cas de changement de signe de courant.
- Avant de faire un changement de polarisation de la tension
que se soit pour le module ou les bobine il faut remettre
les tensions des alimentations à zero (0Volt).

2) Variation de V=f(I) pour un champ nul (B=0T) :

• Brancher le voltmètre aux bornes de (1 et 2) au niveau du

module porte échantillon (figure 3a), pour un champ
magnétique nul, varier le courant I de la source, et enregistrer à
chaque valeur l’indication du voltmètre. Compléter le tableau ci-
dessous.

I (mA) 0 1 2 4 6 8 10 15 20 25 30

• Tracer la courbe I(V), commenter le résultat obtenu.

3) Variation de VH=f(I) pour B= constant :
• Brancher le voltmètre aux bornes 3 et 4 (figure 3 a), faire varier
le courant de la source et compléter le tableau ci-dessous pour
B=0T puis pour B=172mT.

43
 I (mA)

-30

-25

-20
-15
-10
-5
0
5
10

15

20

25

30
VH (mV)

• Tracer les courbes VH=f(I), comparer les deux courbes. Déduire

le facteur de proportionnalité α entre VH et I puis établir la
relation entre la tension Hall et le courant qui traverse
l’échantillon.

4) Variation de V=f(B) pour I constant :

Pour I= 20mA puis pour I=30mA, compléter le tableau ci-dessous :

B (mT) 250 200 180 150 125 100 75 50 0

VH (mV)

Tracer les courbes VH=F(B) pour les deux cas de I. Etablir la loi
linéaire de VH= f(B).

En se basant sur la relation de RH (partie théorique) et les

dimensions de l’échantillon, calculer la résistance de Hall RH.

l
5) La conductivité  0 est obtenue par la relation : 0=
R.A
avec l la longueur de l’échantillon, A la surface et R la résistance
de l’échantillon on déterminant les dimensions de l’échantillon
utilisé, calculer  0 et déduire la mobilité  H .

NB

Les dimensions des échantillons utilisés sont mesurées par les outils
de mesures : Pied à coulisse et le Balmer

44
 TP6

Effet Zener

I. But
- Chercher les caractéristiques statiques de la diode Zener pour
les deux cas de polarisations ; directe et inverse.
- Effet Zener.
- Tension Zener.
- Effet de la nature du matériau et de son dopage sur la tension
Zener.

II. Bases théoriques

II.1 Définition

Une diode Zener est un assemblage de deux semiconducteurs dont

les propriétés électriques ont été découvertes par le physicien
américain Clarence Zener. Contrairement à une diode
conventionnelle qui ne laisse passer le courant électrique que dans
un seul sens, le sens direct, les diodes Zener sont conçues de façon
à laisser également passer le courant inverse, mais ceci uniquement
si la tension à ses bornes est plus élevée que le seuil de l'effet
d'avalanche. Ce seuil en tension inverse (tension Zener) est de
valeur déterminée pouvant aller de 1,2 V à plusieurs centaines de
volts.

Une diode Zener est une conséquence de la polarisation inverse

d’une diode simple (jonction PN) et qui donne un effet dit Zener.

45
L’objectif primordial de la diode Zener est de stabilisé les tensions
continues à une tension fixe nommée tension Zener.

II.2 Symboles :

La diode Zener est symbolisée comme suit (figure 1) :

Anode Cathode
- Symbole électrique d’une diode

- Symbole technologique DZ

- Figure 1 : Symbole de la
jonction PN
II.3 Polarisation de la diode Ziner
Une diode Zener peut être polarisée directement ou inversement.
Une polarisation en directe où l’anode est à la borne positive de la
tension d’entrée, la cathode à la borne négative de la tension Ve.
(figure 2).

a Polarisation directe b Polarisation inverse

Figure 2 : Schéma électrique de la polarisation directe et inverse

d’une diode Zener

46
II.4 Caractéristiques courant-tension
La figure (3) montre l’allure du courant en fonction de la tension aux
bornes de la diode Zener. Dans le cas de la polarisation directe la
diode fonctionne en mode normal comme une simple diode, par
contre si la polarisation est en inverse, on remarque que la tension
est presque constante et indépendante du courant. Cette
caractéristique explique l’effet Zener.
VZ est une tension seuil dans la polarisation inverse. Elle est appelée
tension Zener, ca valeur est fixée par le constructeur. Si par
exemple cette tension est fixée à 1V ; donc VZ =1V.

ID

Polarisation
directe

VZ VD
IZ
Polarisation
inverse

-ID

Figure 3 : Caractéristiques courant-tension I(V) d’une

diode Zener

47
 III. Travail demandé

III.1 Polarisation directe

On dispose de 3 diodes Zener différentes, les mesures serrant faites
pour chaque diode
1) Réaliser le montage de la figure (1-a) avec l’insertion d’un
ampèremètre en série avec la résistance R de protection et un
voltmètre en parallèle à la diode DZ (à choisir) pour relever la
caractéristique courant-tension aux bornes de la diode. Ve est un
générateur de tension variable.

Pour chaque diode, varier graduellement la tension d’entrée

compléter le tableau ci-dessous.
(V)
Ve
0
0.2
0.4
0.6
0.8
2
5
10
20
30
50
80
100
140
160
(mA)
I
VDZ
(V)

2) Tracer sur un même graphe les fonctions et I = f (VDZ )

pour le cas direct pour l’ensemble des diodes.
3) Comparer le résultat théorique avec ce résultat expérimental.
4) Conclusion1 : déduction des différences existantes entre les 3
diodes et les éléments responsables de l’ensemble des différences
observées.

III.2 Polarisation inverse

1) Réaliser le montage de la figure (1-b) avec l’insertion d’un
ampèremètre en série avec la résistance R et d’un voltmètre en
parallèle à la diode DZ.

48
2) Varier graduellement la tension d’entée et compléter pour
chaque valeur Ve, le tableau ci-dessous2 : (même travail pour
chaque diode).
(V)
Ve
0
-10

-15

-20

-30

-40

-60

-80

-100

-120

-140

-160

-180
(mA)
I
(V)
VDZ

3) Tracer sur un même graphe les fonctions et I = f (VDZ ) pour

le cas inverse pour l’ensemble des diodes.
4) Conclusion2 : déduction des différences existantes entre les 3
diodes et les éléments responsables de l’ensemble des
différences observées.
5) Déduire VZ pour chaque diode.
6) Expliquez théoriquement comment varier la tension V Z pour
chaque Zener.

49
Annexe 1

Aide sur l’utilisation du logiciel ORIGIN

I. Introduction

Origin est un logiciel de traitement et d'analyse de données

scientifiques pour environnement Microsoft Windows développé
par OriginLab. Il permet notamment de tracer des courbes, des
graphes 2D et 3D et possède des fonctions d'analyse et
d’interpolation. Il est aussi capable d'importer des fichiers de divers
formats tels que Excel, ASCII, Mathematica ou SigmaPlot, et
d'exporter les graphes sous format JPEG, GIF, Tiff etc.
A ce niveau, nous nous limitons à quelques applications

La version disponible choisie et disponible c’est origin 6.1, son

utilisation est facile.

II. Aide sur l’utilisation

Dans ce paragraphe, nous essayons de donner le maximum d’aide

utile et nécessaire pour le bon déroulement des travaux pratiques.
Il est impossible de présenté tout le help sur Origin.
Nous essayons de présenter les points suivants :
- Premier contact avec Origin ;
- remplir un tableau de valeurs ;
- tracer des graphes ;
- tracer plusieurs courbes sur un même repère ;
- analyser (Fit) des courbes ;
- copier un graphe sur une page Word.

50
A l'ouverture du l'logiciel Origin 6.1 après installation, une interface
apparait (image ci-dessous)

Barre de menu

Barre des icônes

Tableau dans lequel on

introduit les valeurs

- Sur le tableau on fait introduire les valeurs des mesures. Le nom

du tableau est nommé par défaut Data1.
- On peut ajouter un autre tableau en cliquant juste sur l'icône
qui se trouve dans la barre des icônes.

- Pour nommé le tableau il suffit de

cliquer à droite la sourie, une fenêtre
apparait sur laquelle est indiquée
Rename, faire un clique une boite de
dialogue apparait vous pouvez après
donner un nouveau nom.

51
- Après introduction des valeurs (Origin considère par défaut la
première colonne comme axe des abscisses et la seconde
colonne comme axe des ordonnées.
- Pour le plot (tracer la courbe), En sélectionne la colonne B(Y)
pour indiquer que c'est bien l'axe des y. après on clique sur Plot
de la barre de menu (voir interface principale).

- Une fenêtre s'ouvre où il y a toute une série de choix des styles

des courbes:

52
 • Line indique que la courbe est continue;
• Scatter indique que la courbe est présentée par des points
seulement;
• Line + Scatter indique que la courbe est l'ensemble des
points relies entre eux

En se limite à ces trois formes.

- Après le choix d'un modèle de courbe (exemple line+Scatter) un

graphe nommé par défaut Graph1 apparait automatiquement.

- Sur ce graphe on peut faire des modifications comme par

exemple:
• Donner des titres aux axes x et y. faire un double clique sur
X Axis Title ou sur Y Axis Title.
• Changer l'échelle des axes par double clique sur l'axe lui-
même (soit x ou y), une boite de dialogue apparait sur
laquelle vous pouvez faire les changements voulus.

53
 X commence de 0.5
et termine à 5.5
Ces valeurs sont
modifiables

Les mêmes modifications peuvent êtres réalisées pour l'axe

des Y, il suffit simplement cliquer sur l'icône Vertical si la boite
de dialogue est ouverte ou bien de cliquer sur l'axe des Y.
cliquer sur OK après les modifications.
• Ajouter un texte sur le graphe par simple clique sur l'icône
da barre des icônes.

• Changer la forme et la couleur des points de la courbe par

un double clique sur le point lui-même, une boite de
dialogue apparait où vous pouvez faire les changements
voulus. Amuser vous avec cette boite et voir les
changements possibles et c'est à vous de découvrir.

54
Tracé de plusieurs courbes dans un même graphe

Dans des cas, il est important de tracer plusieurs courbes dans un

même graphe pour voir la différence par exemple. Il y a deux cas
possible:

- Cas où l'ensemble des courbes ont la même abscisse: Dans ce

cas on peut ajouter à notre tableau plusieurs colonnes en
cliquant à gauches sur la sourie prêt du tableau, et une fenêtre
apparait sur laquelle est indiquée Add New Column. Pour tracer
l'ensemble des courbes il suffit de sélectionner toutes les
colonnes choisies pour Y et faire ensuite le plot.
- Cas où l'ensemble des courbes n'ont pas la même abscisse: dans
ce cas introduit les valeurs de chaque courbe dans un tableau
propre à elle, puis on fait le plot de l'une des courbes.

55
 Sur la partie supérieure de la fenêtre du graphe une petite icône
en gris sur laquelle est affichée un numéro. Sur cette icône on
réalise un clique à droite de la sourie et une fenêtre appâtait sur
laquelle est indiquée Add/remove Plot. Cliquer sur cette
instruction et une boite de dialogue s'ouvre dont le titre est
Layer 1. sélectionner data2_b puis l'ajouter à LayerContents par
simple clique sur le bouton =>, puisOK.

Le résultat est l'ensemble des courbes dans un même graphe.

56
Analyse d'une courbe

Origin offre la possibilité d'analyser les profils obtenus par

régression ou par interpolation (c'est le fit des courbes). Pour ce
faire cliquer sur Analysis de la barre de menu, une fenêtre s'ouvre;
plusieurs possibilités apparaissent dont Fit fait partie. Cliquer sur fit,
on trouve plusieurs formes de fit: lineaire, polynomial,…il suffit de
choisir le bon fit selon l'allure observée.

Comme exemple d'aide; Soit la courbe représentée par les étoiles

(figure ci-dessous), on faisant un fit polynomial, une fenêtre montre
l'ordre du fit, dans ce cas nous choisissons l'ordre 2 car les points
peuvent donner un polynôme du second degré. Le résultat trace le
profil de notre fit, en bas Origin donne les paramètres du fit: la
fonction mathématique, les coefficients A, B1 avec les erreurs
d'approximation (figure ci-dessous). Un bon fit si R le résidu tend
vers ±1

57
Copie de graphe dans Word

Origin offre la possibilité d'exporter les graphes dans word. La

procédure est simple, il suffit de cliquer (coté droit de la sourie)
dans le coté inferieur de la page ou se trouve la graphe (la position
sur laquelle apparait la fenêtre de choix (voir figure ci-dessous)).
Cliquer sur Copy page, puis dans la page word tapé l'instruction
Coller ou Ctr V. la coure est sur la page du texte word.

58
Annexe 2

Certifficat Wafers Silicium

Le tableau ci-dessous donne les caractéristiques des wafers de
silicium utilisés dans les expériences :

unité Wafer 1 Wafer 2 Wafer Wafer Wafer Wafer

(6D) (9U) 3 (9B) 4 (7T) 5 (7R) 6 (9R)
Mode FZ CZ CZ CZ CZ CZ
d’élaboration
Type N P P N N N
Dopant P B B P P P
Résistivité Ω.cm 60-110 3-10 0,4- 1-30 1,3- 19-35
0,5 1,8
Diamètre mm 50,8±0.3 50,8±0.3 50,8± 50,8± 50,8± 50,8±
0.3 0.3 0.3 0.3
Épaisseur µm 200± 25 200± 25 300± 280± 280± 300±
25 25 25 25
Orientation 100 100 100 100 100 100
Face poli poli poli poli poli poli
Face N poli poli N poli N poli N poli N poli
EPd <100 <100 <100 <100 <100 <100

59
Annexe 3

Oxyde d’indium-étain ITO

L'oxyde d'indium-étain (ou oxyde d'indium dopé à l'étain ou ITO
pour l'appellation anglaise : Indium tin oxide) est un mélange
d'oxyde d'indium(III) (In2O3) et d'oxyde d'étain (IV) (SnO2), dans la
proportion massique typique de 90 % du premier et 10 % du
second. Ce composé est incolore et transparent en couches minces,
de jaunâtre à gris sous forme massique.
La caractéristique principale de l'oxyde d'indium-étain est sa
combinaison de conductivité électrique et de transparence optique.
Cependant, un compromis doit être atteint lors du dépôt de films,
l'augmentation de la concentration de porteurs de charges
induisant une hausse de conductivité du matériau, mais une perte
de sa transparence.
Les couches minces d'ITO sont le plus souvent déposées sur des
surfaces par évaporation par faisceau d'électrons, dépôt physique
par phase vapeur ou autres techniques de dépôt par vaporisation.

- L’ITO est caractérisé par une faible résistivité, qui peut

atteindre 10-4 Ω.cm
- L’ITO est caractérisé par une large bande interdite, directe,
qui varié entre 3,5- 4,3eV

60