Université Sidi Md Ben AbdallahGénie électrique Génie électrique

Est Fès

I
R I R
RD
Pf
Vo U Vo
D VS
La diode U
Fig. 4 Vo 4-b : Circuit équivalent

V0 – R.I = VAK = U
1 – La diode : un dipôle non linéaire
1.5 – Modélisation des diodes réelles
1.1 – Diode idéale
I I I Plusieurs modèles sont utilisables pour les diodes à jonction
I C’est un dipôle électrique unidirectionnel dont les bornes sont P-N. Dans tous ces modèles on suppose la résistance
I Anode
l’anode (A) et la cathode (K). 1/Rd
dynamique de la diode constante et égale à RD.
En polarisation directe c’est-à-dire si UA > UK la résistance de la
U Cathode
diode est nulle. Elle se comporte alors comme un interrupteur fermé. On peut prendre RD = 0 et VS  0, RD  0 et VS = 0, RD  0
U
En polarisation inverse (UA < UK), on a: R =  . La diode est Vs
Fig. 5
Vs
et VS  0. (Voir fig. 4-b)
équivalente à un interrupteur ouvert.
Fig. 1
Une diode idéale ne dissipe donc aucune puissance. 2 – Redressement du courant alternatif
1.2 – Diode réelle à semi-conducteur 2.1 – Redressement simple alternance
La diode, présentant une résistance pratiquement infinie lorsqu’elle est polarisée en inverse, peut être
I mA L’anode est la zone P d’une jonction P-N. La zone de type N est la
utilisée pour obtenir un courant unidirectionnel à partir d’un courant alternatif tel que le courant
cathode. En polarisation inverse, le courant inverse est très faible
sinusoï dal.
P mais il croît rapidement avec la température de la jonction.
En polarisation directe, au-delà de la tension de seuil (VS  0,6 V U
U pour le silicium), la diode est conductrice. On peut définir en chaque R D
V moyen
point P de la caractéristique une résistance statique (trait bleu) : S t
nA U seuil e = Vsin t U
Fig. 2 RS = V/I et une résistance dynamique (trait vert) : rD = dV/dI.
Ru
Au-delà de la tension de seuil, la résistance dynamique est sensiblement constante.
Fig. 6

1.3 – Association de diodes Dans le circuit de la figure 6, la diode est passante quand le potentiel de son anode est supérieur
 – En série : la caractéristique du dipôle équivalent s’obtient graphiquement en considérant que la de 0,6 V à celui de sa cathode. Si on néglige les effets dus à la tension de seuil, la charge Ru est
tension aux bornes de l’ensemble est la somme des tensions aux bornes des deux diodes. (Fig. 3) traversée par du courant uniquement pendant les alternances positives.
On peut aussi utiliser cette construction pour étudier l’association d’une diode avec un autre On pose : RT = Rdiode + Rgéné
dipôle passif comme par exemple une résistance pure. e = V.sint = RT .I + U
Or : e = (RT + RU).I
I
D Si e > 0 Rdiode  0 donc U = e.RU /(RU + RT )
D1
Si e < 0 Rdiode   donc U = 0
D2
Pour une tension sinusoï dale dont une seule alternance est redressée, la valeur moyenne de la
Deq
tension est égale à:
Fig. 3
U T/ 2
1 T / 2 V  2V V
U   V. sin t .dt   cos t   
 – En parallèle : on peut utiliser une construction analogue en considérant cette fois qu’il y a T 0 T  0 2 
T
additivité des courants dans les deux dipôles. L’association en parallèle des deux diodes ne présente T
aucun intérêt pratique car tout le courant traverse la diode dont la tension de seuil est la plus faible. 2.2 – Redressement double alternance
 – Avec 2 diodes
1.4 – Point de fonctionnement d’une diode
Pour procéder au redressement des deux alternances, il faut utiliser un transformateur ayant deux
On utilise la droite de charge du générateur. L’intersection de cette droite avec la caractéristique enroulements secondaires identiques reliés en série et qui délivre deux tensions opposées : e1 = V.sin
de la diode donne le point de fonctionnement. t et e2 = – e1. Le point commun aux deux enroulements sert de référence de potentiel.

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D1 résistance de la charge est assez grande pour pouvoir négliger le courant de décharge dans RU
U
V moyen devant le courant de charge.
e1
I t Cliquez ici pour voir une animation du fonctionnement du circuit.
e2 Décharge du condensateur :
Ru U Dès que VA < VK , le générateur est isolé de la charge par la
D2 U diode qui est bloquée. Le condensateur se décharge dans RU
Fig. 7 avec une constante de temps RU.C.
t
La qualité du filtrage est d’autant meilleure que le courant de
Si e1 > 0 alors e2 < 0 : la diode D1 conduit et la diode D2 est bloquée. Lors de la demi- décharge est faible : il faut utiliser des condensateurs de capacité
alternance suivante, la situation est inversée. Le courant dans la charge Ru est unidirectionnel. Dans élevée pour obtenir une constante de temps de décharge aussi
ce montage, la tension inverse maximum supportée par chaque diode est 2V. (la tension inverse élevée que possible.
supportée par la diode bloquée est e1 + e2)
2V 2
En régime sinusoï dal on a : U  2 VEff
  Ondulation résiduelle :
Le calcul rigoureux de l’amplitude des variations de la tension de sortie est souvent impossible.
Puisque I(t) = C.dV(t)/dt, on a, en supposant I(t) constant :
 – Avec 4 diodes
La méthode précédente ne nécessite que deux diodes mais impose l’utilisation d’un dV = (I / C).dt
transformateur spécial à point milieu. L’utilisation de 4 diodes permet l’emploi d’un transformateur Comme valeur de dt, on peut prendre la période du phénomène. Cette estimation est pessimiste car
conventionnel. Ce montage constitue le pont de Graëtz. Il est commercialisé sous la forme d’un la charge du condensateur débute avant la fin de la période. L’ordre de grandeur de la tension
dispositif compact muni de 4 bornes. Pendant chaque alternance 2 diodes sont conductrices : la I
d’ondulation est donc VOnd  pour un redressement simple alternance d’une tension de
chute de tension dans le pont vaut 2 fois la tension seuil. C. f
fréquence f. L’ondulation est nulle si la charge est infinie car le condensateur reste alors chargé à la
Mais dans ce cas, chaque diode n’est soumise en inverse
tension crête. Il est possible d’améliorer le « lissage » de la tension de sortie en utilisant un
qu’à la tension V.
redressement double alternance et en utilisant un filtre plus complexe (cellules en PI, en T, en L
– + Il n’est pas indispensable d’utiliser un transformateur mais
comportant également des résistances ou des inductances) ou en faisant suivre les cellules de
alors il n’y a plus d’isolation galvanique entre le secteur et
redressement et de filtrage par une cellule active nommée « régulateur de tension ».
le reste du montage.
Ru Sur la figure, le trait en grisé indique le parcours du courant pendant les
U 2.4 – Doubleurs de tension
alternances positives.
Les flèches en pointillés correspondent aux alternances négatives. Il existe différents dispositifs utilisant des diodes et qui permettent d’obtenir une tension redressée
Fig. 8
d’amplitude supérieure à la valeur maximum de la tension d’alimentation sinusoï dale. Comme
exemple, décrivons le doubleur Latour.
Le condensateur supérieur se charge pendant les alternances
2.3 – Filtrage U
positives et le condensateur inférieur pendant les alternances
La tension obtenue après redressement est unidirectionnelle mais elle n’est pas continue. Le négatives. En sortie, la tension est de l’ordre de deux fois la tension
signal obtenu est périodique ; il contient une composante continue (la valeur moyenne du signal) et d’alimentation. En prenant, comme potentiel de référence, le point
U
des harmoniques que l’on désire annuler : on fait suivre la cellule de redressement par un filtre qui commun aux deux condensateurs, on dispose d’une alimentation
supprime les hautes fréquences. symétrique  U
Le filtrage le plus simple fait appel à un seul condensateur placé en parallèle sur la charge et qui Fig. 10
se comporte comme un réservoir d’énergie.
Période de charge du condensateur :
3 – Autres applications des diodes
Dès que VA > VK la diode est passante : le La liste suivante qui n’est pas limitative donne un aperçu des nombreuses applications des diodes
R D Ru condensateur se charge rapidement car la résistance dans les montages électroniques.
e = Vsin t de la diode est très inférieure à celle de la charge. On  Détection (Fig. 11a)
C U peut définir la constante de temps de charge  La diode transmet en sortie les tensions positives supérieures à sa tension de seuil. A cause de cet
c = C.Rdiode. La tension crête atteinte aux bornes du effet de seuil, les diodes sont rarement utilisées seules dans les circuits détecteurs. On peut ajouter au
fig 9 condensateur est égale à V – VAK : on admet que la signal étudié une composante continue qui placera la zone de travail de la diode au-delà du seuil.

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Alim.
5V
n’y a pas de minoritaires dans un métal). On peut donner à la jonction une surface importante ce qui
autorise le passage de courants intenses.
E S
E
+12 V 4.4 – Diodes varicaps
Accu 3,6 V
a b c d La zone vide de porteurs d’une jonction polarisée en inverse voit son épaisseur augmenter si on
Fig. 11 augmente la tension inverse. Cette zone joue le rôle du diélectrique d’un condensateur. Si l’épaisseur
 Porte logique (Fig. 11b) de cette zone augmente la capacité diminue car C= .S/e. On obtient un condensateur dont la
En cas de coupure de l’alimentation principale, un accumulateur de sauvegarde prend C1
capacité est fonction de la tension inverse appliquée selon une loi du type : C  C0 
automatiquement le relais et alimente la charge. 1  2 Vinv
 Ecrêteur (Fig. 11c) Si on insère une telle diode dans un circuit oscillant, on peut régler la fréquence de résonance du
La charge du montage figure le circuit d’entrée d’un amplificateur dont la tension d’entrée doit circuit en agissant sur la tension de commande de la diode au lieu d’agir mécaniquement sur un
impérativement rester inférieure à 1 V. Tant que la tension d’entrée reste inférieure à la tension de condensateur variable.
seuil, les diodes présentent une impédance infinie. Si la tension de seuil est dépassée une des deux
diodes entre en conduction et protège ainsi des surcharges l’entrée de l’amplificateur. 4.5 – Diodes Zener
 Protection de contact (Fig. 11d)  – Caractéristiques
L’ouverture d’un circuit inductif pose le problème du courant de rupture qui dégrade les contacts Si l’épaisseur de la jonction est faible et si le taux de dopage est important, on obtient des diodes
à cause de la création d’un arc entre ceux-ci. La diode montée en parallèle sur la bobine permet la qui présentent un courant inverse intense au-delà d’une valeur VZ de la tension inverse qui est la
dissipation de l’énergie emmagasinée dans celle-ci et protège ainsi les contacts. tension de coude ou de Zener.
Le claquage inverse de la jonction résulte soit d’un claquage
par avalanche par ionisations dans la zone de déplétion par les
4 – Diodes spéciales porteurs, soit d’un claquage par effet Zener qui correspond au
4.1 – Diodes à faible capacité passage des électrons de la bande de valence à la bande de
La jonction P-N polarisée en inverse se comporte comme une capacité. Cette capacité parasite de conduction sous l’effet du champ électrique.
la diode perturbe son fonctionnement en haute fréquence. Pour réduire la capacité on diminue la Si la construction de la diode permet la dissipation de la
surface de la jonction (diodes à pointe d’or ou à microjonction). La capacité ainsi obtenue est une puissance dégagée, le claquage est réversible. On obtient
fraction de picofarad. alors une diode Zener. Sa caractéristique directe est identique
à celle d’une diode classique.
4.2 – Diodes de commutation Pour les diodes Zener avec VZ  6 V, la résistance
dynamique est voisine de quelques ohms et le coude très
Pour une diode polarisée, il y a concentration des porteurs minoritaires de part et d’autre de la Fig. 12
brutal. (claquage par avalanche). Pour VZ < 6 V le coude est
jonction. Les concentrations sont différentes pour une polarisation en direct ou en inverse. Lors
arrondi car il y a claquage par effet Zener. Si VZ est très supérieur à 6 V la résistance dynamique
d’une transition, les porteurs en excès doivent retraverser la jonction (temps de déstockage). Puis le
augmente. Selon le courant débité, la tension aux bornes de la diode sera d’autant plus stable que la
passage d’un état à l’autre nécessite le temps que les nouveaux minoritaires mettent à diffuser à
résistance dynamique de celle-ci sera faible. Les diodes tunnels sont des diodes Zener dont le
travers la jonction (temps de transition). La durée totale de l’inversion (temps de recouvrement tR)
dopage est si grand que la tension inverse est nulle. Leur caractéristique présentant une zone de
peut atteindre 1 µs pour les diodes de puissance. Pour les diodes de commutation rapide (tR  1 ns),
pente négative ces diodes sont utilisées dans des circuits oscillateurs.
on utilise de l’or comme dopant afin de diminuer la durée des temps de recombinaison des porteurs
de charges.  – Stabilisation de tension
Il est possible de réaliser un stabilisateur de tension en utilisant une diode Zener. On suppose que le
4.3 – Diodes Schottky courant inverse IZ dans la diode est tel que le point de fonctionnement est situé dans la partie linéaire
Les fils de connexion avec la jonction de la diode doivent former des liaisons non directionnelles de la caractéristique. Il est alors possible de modéliser la diode par l’association d’une source de
(ohmiques). Ceci est réalisé en créant une zone très dopée (N+ ou P+) au voisinage du conducteur tension VZ en série avec une résistance RZ (résistance dynamique inverse de la diode).
métallique. Dans les diodes Schottky, la jonction P-N est remplacée par la
jonction d’un métal avec un semi-conducteur peu dopé (de type N car les
R Iz Iu R Iz Iu
porteurs sont plus mobiles). Si le métal (anode) est positif par rapport à la zone Rz
N (cathode) la jonction est conductrice. Cette diode qui ne fait intervenir qu’un E U E
seul type de porteurs, présente une capacité beaucoup plus faible que les diodes classiques. Ces Dz U
Ru Vz Ru
diodes ont une faible tension de seuil ( 0,25V) et elles ont des temps de recouvrement très brefs (il
Fig. 13 Fig. 14

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Remplaçons le générateur (tension E et résistance R) et la résistance de charge par leur équivalent

Ru R. Ru
Thévenin : ET  E ; RT  .
R  Ru R  Ru

I Le point de fonctionnement de la diode est obtenu en cherchant

RZ = 0 RZ > 0 l’intersection de sa caractéristique U = VZ + RZ.IZ avec la droite de
PF charge d’équation U = ET – RT .IZ.
U On retrouve graphiquement le fait que le système ne fonctionne que
VZ ET si ET > VZ.

Rz = 0. Si la charge varie, (stabilisation amont) les courants dans la charge et dans la diode varient
mais U reste constant car la pente de la droite de charge varie. De même si la tension du générateur
varie (stabilisation aval) U reste également constant car la droite de charge se déplace parallèlement à
elle-même.
Rz  0. U varie avec les paramètres extérieurs. Pour la stabilisation aval (variation E = e de E), on
peut déterminer u= U en recherchant les intersections de la caractéristique avec les droites de
charge qui correspondent aux valeurs extrêmes de E. Il est plus efficace d’étudier le schéma
équivalent au montage en régime de petits signaux. Le générateur est remplacé par un générateur de
f.e.m. E = e, la diode par sa résistance RZ puisque VZ est constant.
u = U = r.i
R avec r = Ru.RZ /(Ru + RZ) et i = e/(R + r)
e u Comme RZ est petit, r  RZ. On en déduit :
Rz Ru u = e.RZ /(R + RZ)
La stabilisation est d’autant meilleure que RZ est petite.
Fig 16

REMARQUES :
La puissance (PZ = UZ.IZ) dissipée dans la diode doit toujours rester inférieure à la puissance
maximale autorisée. VZ varie avec la température et pour certaines applications, il est nécessaire
d’en tenir compte.
Il est possible d’obtenir une stabilisation beaucoup plus efficace en utilisant des montages à
transistors ou des régulateurs tripodes intégrés.

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