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S Erie de Travaux Dirig Esn 2: Exercice 1

Le document présente trois exercices techniques sur des circuits électroniques. L'exercice 1 concerne des diodes dans un circuit, l'exercice 2 concerne un pont redresseur alimenté par une tension sinusoïdale, et l'exercice 3 concerne un montage avec un transistor NPN.

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S Erie de Travaux Dirig Esn 2: Exercice 1

Le document présente trois exercices techniques sur des circuits électroniques. L'exercice 1 concerne des diodes dans un circuit, l'exercice 2 concerne un pont redresseur alimenté par une tension sinusoïdale, et l'exercice 3 concerne un montage avec un transistor NPN.

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Série de travaux dirigés n◦2

Filière : Génie Mécanique


Niveau : 1ème année cycle ingénieur
Module : Électronique et Électrotechnique
Élément de module : Électronique
Année universitaire : 2020-2021

Exercice 1
la tension seuil des diodes est 0.6V. Leur résistance dynamique est considérée nulle.
On donne E1=30V, E2=10V, E3=15V, E=10V, et R=20 Ω

Q1. Montrer qu’une seule des trois diodes est passante et préciser laquelle ?
Q2. Déterminer l’intensité dans la résistance R ainsi que les tensions UD1 , UD2 et UD3 aux
bornes des diodes

Exercice 2
Le pont redresseur ci-dessous est alimenté par générateur qui délivre une tension sinusoı̈dale
alternative dont l’expression est : u(t) = 15V sin(100πt).
R = 100Ω, et la tension de seuil des diodes : VD = 0, 7V

Q1. Dessiner le pont en indiquant le sens du courant durant l’alternance positive


Q2. Dessiner le pont en indiquant le sens du courant durant l’alternance positive

Pr M. EL AZZAOUI Page : 1/2


Série de travaux dirigés n◦ 2 Systèmes à événements discrets

Q3. Déterminer la fréquence du réseau.


Q4. Tracer les formes d’onde de la tension (UR ) aux bornes de la résistance R et des courants
IR et ID3 .

Exercice 3
On considère le montage suivant avec un transistor NPN de gain en courant statique β = 100
et la tension entre la base et l’émetteur est de 0.7V

Q1. On désire avoir un courant de 100 mA dans la charge RL , quelle valeur de résistance RB
faut il choisir ?
Q2. Si on fait varier RB alors IB varie et donc IC varie aussi. Quelle est la valeur maximale
qu’on peut obtenir pour IC ? Quand est-ce que le transistor sera saturé ?
Q3. quelle est la valeur minimale de RB pour saturer le transistor ?

Pr M. EL AZZAOUI Page : 2/2

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