Faculté des Sciences-Département de physique –Master 1

Cours : Propriétés Physiques des Solides

Enseignant : Prof. Bouzabata B.
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Série I - TD- Chapitre 1- --- Modèle de l’électron presque libre

Rappel :

Les électrons dans un solide sont plongés dans un potentiel du aux autres électrons
et aux atomes ou ions ( si l’on considère les électrons de valence, z par atome ). Lorsque le
potentiel est considéré comme faible ( cas de certains métaux ) , on peut améliorer les
résultats du modèle de l’électron libre et expliquer certaines propriétés physiques du solide
comme l’existence d’isolants , etc.. Ces propriétés sont généralement étudiées à partir de la
relation de dispersion Ɛ(k), déduite de la résolution de l’équation de Schrödinger, où les
électrons sont presque libres , c’est-à-dire se déplaçant dans un potentiel faible.

Les solutions de cette équation ( discutée et développée dans le cours pour un réseau
linéaire d’atomes (1D), chapitre 1) se résument à :
- relation de dispersion Ɛ(k) est celle obtenue pour des électrons libres : Ɛ(k)
est proportionnelle à k2 (courbe parabolique) lorsque k est relativement loin de la limite des
zones de Brillouin.
- proche et à la limite des zones de Brillouin , Ɛ(k) s’écarte de façon symétrique
de la valeur Ɛ (k ⋍ k0 à la limite de la zone ) de 2Vijk = Ɛ0+ - Ɛ0- . Cette bande interdite
0

implique que Ɛ(k) est limitée à des bandes séparées par une bande Interdite et explique
que certains solides peuvent être des isolants ou des conducteurs. La forme de Ɛ(k) (courbe
diminuant ) explique aussi le comportement de certains alliages (alliages d’Heusler type Cu-
Zn) avec des transitions de structures cristallographiques.
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Exercice 1
N atomes sont alignés le long d’un axe x’x, équidistants de a. Les électrons ( z par
atome) se déplacent le long de l’axe sous l’influence d’un potentiel V(x) faible.
a) Tracer la 1ère zone de Brillouin et la courbe de dispersion E(k) ( calculée dans le
cours, Chap. 1) prévue et l’énergie de Fermi .
b) Montrer que si z est pair , le solide est électriquement un isolant , à T= 0 K .En fait
cette règle admet des exceptions notamment dans certains oxydes de métaux.

Exercice 2
Considérons une surface de solide composé d’ un réseau carré de N atomes
(N=NxNy) séparés par une distance a= 2.7 Å. Les atomes sont divalents et les électrons
presque libres se déplacent le long de (x,y) sous un potentiel faible .
 a) Tracer la 1ère zone de Brillouin et la courbe de dispersion E(k) prévue dans les
directions ГX(00----10) et Г M(00----11). Sachant que les bandes interdites sont
Xc-Xv= 2V10 et Mc-Mv =2V11 , étudier les conditions pour lesquelles le solide est
isolant ou conducteur.
b) Dans le cas conducteur, tracer l’allure de la surface de Fermi .
c) A.N : avec 2V10 = 4 eV et2V11 = 2 eV , est-il conducteur ou isolant ?

Exercice 3
Le film de type réseau rectangulaire est aussi observé dans les solides . Prenons un
réseau rectangulaire de maille a= 3 Å et b= 4 Å avec un motif composé d’un atome
d’espèce A (0,0) et un atome d’espèce B(1/2,1/2). La molécule AB a 2 électrons presque
libres se déplaçant sur le réseau.

a) Tracer son réseau réciproque, sa 1ère zone de Brillouin, et la relation de dispersion

Ɛ(k) dans les directions ГX (00---10), Г Y (00---01) et ГM (00----11).
b) Déterminer les conditions pour lesquelles ce solide est isolant ?
c) Dans le cas conducteur, tracer la surface de Fermi et préciser la localisation des
électrons et des trous.
d) Etudier le cas ou les atomes A et B sont chimiquement identiques et que z=2 par
atome. Comment est la surface de Fermi ?

Exercice 4-
Les changements de phase dans les alliages de substitution sont dus aux
changements de l’énergie aux limites des zones de Brillouin. Cas de l’alliage CuZn.
La substitution d’atomes de Zn ( ayant 2é /atome) aux atomes de cuivre provoque un
accroissement du rayon de la surface de Fermi (kF) et de l’énergie électronique de l’alliage .
L’action du potentiel V ( r ) crée une diminution de cette énergie lorsque la surface de Fermi
entre en contact avec la 1ère zone de Brillouin et une nouvelle structure cristallographique
apparait .
Etudions l’alliage Cu1-x Zn x avec Cu (pur : cfc) , a= 3.6 Å, z= 1 ) lorsque des atomes de Zn
(pur :h.c ; z=2) sont substitués aux atomes de Cu. L’alliage passe de la phase α (cfc) à la
phase β (cc) puis à la phase 𝜸 (structure cubique) .
a) Calculer le rayon de la surface de Fermi kF du Cu .
b) Quel est son réseau réciproque et calculer la distance k M (dans l’espace réciproque)
qui sépare le centre de la 1ère zone de Brillouin de sa face la plus proche.
c) Quel est le nouveau rayon de la surface de Fermi de l’alliage Cu 1-x Zn x .
d) Quelle est la concentration (x0) du Zn pour laquelle la surface de Fermi touche la
limite de 1ère zone de Brillouin (transition de phase α → β ) . Quel est alors l’alliage
Cu1-x0 Znx0 .
e) L’alliage Cu1-x0 Znx0 est cc (phase β) et de maille a1 . Quelle est la nouvelle distance
minimale (k’M ) entre le centre de la nouvelle 1ère zone de Brillouin et la face la plus
 proche. Quelle est la concentration x1 pour laquelle l’alliage subit une nouvelle
transition ( de β à 𝜸 ) et l’alliage Cu 1-x1 Zn x1 .
f) On suppose que la substitution du zinc aux atomes de cuivre ne change pas le
paramètre cristallin et que le rayon des atomes considérés sphères dures est
constant dans les phases α et β.
- Etablir la relation entre a et a1 .
- Evaluer les énergies du gaz d’électrons libres ( T= 0°K) relatifs à N atomes
des phases α (Uα) et β (Uβ ). Tracer ces énergies en fonction de la
concentration x et expliquer qualitativement les changements de phase.

Série II - Chap. 2 et 3 -Conductivités électrique et thermique des matériaux.

Exercice 1 :
a) Donner les valeurs de la résistivité électrique ρ d’un :
bon métal ; conducteur moyen ;mauvais conducteur ; du meilleur isolant
électrique.
b) Prenons le cas du cuivre (Cu,z=1 ;cfc ;a=3.61 Å ; ƐF= 7 eV ; θD= 315°K)
-Calculer la densité électronique. Dépend-elle de la température ?
-Estimer le temps de relaxation à la température ambiante.
- Estimer le libre parcours moyen (T= 300°K) et a-t-il la même valeur à T=20°K ?
c) Tracer ρ (T) pour le cuivre et expliciter les phénomènes prédominants de
conduction électrique à T= 700, 200 et 20 °K.

Exercice 2 :
Certains complexes ( par exemple de Platine K2Pt(CN)4Br0.3,2H2O) conduisent le
courant le long des chaînes Pt-Pt et sont isolants le long des axes perpendiculaires. Ils sont
donc conducteurs unidimensionnels. Pour calculer leur conductivité , on prendra un axe x’x
composé de N atomes monovalents séparés par une distance a = 5 Å. Les électrons se
déplacent le long de cet axe et ont un libre parcours moyen de 50 Å . Le solide est constitué
de rangées identiques parallèles à x’x.

a) Calculer la densité des états électroniques g(Ɛ ) ( réseau linéaire 1D)

b) Estimer la chaleur spécifique électronique Ce
c) Sachant que la chaleur spécifique du réseau C R = (π2/3).NkB. (T/θD) , comparer Ce
à CR en calculant le rapport Ce/CR.
d) Evaluer la résistivité du solide constitué de l’axe x’x de N atomes et de rangées
identiques parallèles le long des axes z’z et y’y.
e) La loi de Wieddemann-Frantz est- elle toujours valable ?
Exercice 3 :

a) De quoi dépend la conductivité thermique (𝝹 ) d’un matériau.

b) Donner des valeurs de 𝝹 d’un :
bon métal ; bon , moyen ou mauvais conducteur thermique ; du meilleur
isolant thermique.
c) Tracer la variation du rapport 𝝹e/σ.T et expliquer les variations de ce
rapport .
d) Estimer le libre parcours moyen d’un électron transportant de la chaleur
(cas du Cu).
e) Estimer le libre parcours moyen d’un phonon transportant de la chaleur
( cas du diamant carbone ).
Exercice 4 :
a) Calculer σ du Cu et de l’Al ( Al ; cfc ; a= 4.04 Å ; z= 3) à T= 300 °K. Peut-on
donner une estimation à T= 700°K ?
b) Calculer 𝝹e du Cu à T= 300°K.
c) Estimer la conductivité résiduelle ( σr ) si une mesure de sa résistivité donne
une valeur de 6. 10-8 Ω.m
d) Comparer la variation de σ (T) du métal Cu avec celle d’un semiconducteur (Si)
e) Tracer 𝝹e (T) et 𝝹r (T) et préciser les phénomènes des variations.

Exercice 5 : Semiconducteurs
En utilisant les hypothèses développées dans le cours (Chap.2 ; bande de structure
d’un semi conducteur :Bv et Bc , Ɛ= 0 (origine) : énergie du sommet de la bande de valence ,
Ɛg énergie du gap, densité d’états électroniques de type électron libre et approximation
( IƐF –Ɛ I >> kBT ) :
a) Calculer nc et montrer que nc= B1.(kT) 3/2. 𝑒 −( Ɛg-ƐF)/kT
b) Calculer pv et montrer que pv = B2. .(kT) 3/2. 𝑒 −( ƐF)/kT
c) De quoi dépend le produit np.
d) Evaluer B1 et B2 , n et p pour les cas suivants :
Si ( T= 300°K) avec me*=mt*= 0.2 me ; Ɛg= 1 eV
Ge (T= 300°K) avec me*=mt*= 0.1 me ; Ɛg= 0.6 eV
e) Calculer ƐF du cas du semi conducteur intrinsèque
f) Sachant qu’il est technologiquement difficile d’obtenir un cristal avec moins
de 1011 impuretés /cm3 , peut on avoir un Si ou un Ge intrinsèque ?
g) Calculer ou estimer la conductivité σ du :
- Ge si les mobilités sont 𝜇e = 𝜇t = 3000 cm2/V.s
- Si si les mobilités sont 𝜇e = 𝜇t = 1200 cm2/V.s