TRAVAUX PRATIQUES
N° 2
• Dinin René Lothaire BAZIE
• Moussa Steve Belvin SANOGO
• Coumba KANTE
• Audrey Anastasie NGUESSIE NGUEDIE
Table des matières
I. Partie théorique ............................................................................................... 4
I. 1. Etude statique ............................................................................................. 4
I. 2. Etude dynamique ........................................................................................ 6
II. Partie Pratique .............................................................................................. 8
II.1. Etude statique ............................................................................................. 8
II.2 Etude dynamique ...................................................................................... 13
Liste des figures
Figure 1 : Schéma Équivalent du montage en régime statique ............................. 4
Figure 2 : Schéma équivalent du transistor en étude dynamique .......................... 7
Figure 3 : Réalisation du montage en régime statique .......................................... 9
Figure 4 : valeur de VCE mesurée au voltmètre. .................................................... 9
Figure 5 : valeur de VBE mesurée au voltmètre. .................................................. 10
Figure 6 : valeur de VBM mesurée au voltmètre. ................................................. 10
Figure 7 : valeur de VAB mesurée au voltmètre................................................... 11
Figure 8: Montage du shunt afin de mesurer Ic ................................................. 12
Figure 9 : Mesure de IC avec le voltmètre ........................................................... 12
Figure 10 : Réalisation du montage ci-dessus. .................................................... 14
Figure 11 : Réglage de la tension Ue .................................................................. 15
Figure 12 : Visualisation de Ue (Bleu) et Us(Rouge). ........................................ 15
Figure 13 : Mesure de Ue avec au voltmètre A................................................... 16
Figure 14 : Mesure de Us avec le voltmètre B .................................................... 16
Figure 15 : schéma équivalent du montage ......................................................... 17
TP 2 : TRANSISTOR BIPOLAIRE
Montage en émetteur commun
I. Partie théorique
I. 1. Etude statique
Pour le montage de la figure 1 déterminons le point de fonctionnement.
Figure 1 : Schéma Équivalent du montage en régime statique
Type de montage : Émetteur commun relié à la masse par une résistance.
Type de polarisation : Pont de base.
Type de transistor : NPN
𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐶𝐸
Déterminons le point de fonctionnement P ( )
𝐼𝐵
𝐼𝐶
Hypothèse : Transistor fonctionnant en régime linéaire :
VBE =0,6V ; IC=βIB et 0< VCE <UB
On a β =250 et UB =15V
*Calcul de VBM
Pour se faire Négligeons le courant de base par rapport à celui traversant les
résistances R1 et R2.
La loi des diviseurs de tension permet d'écrire :
R2.UB
𝐕𝐁𝐌 = (R2+R1)
AN
33∗15
𝐕𝐁𝐌 = (33+220)
; 𝐕𝐁𝐌 = 1.96V
*Calcul de IB :
La loi des mailles appliquée à la maille d’entrée permet d'écrire :
VBM-VBE=R4.IE ; d’ou
VBM−Vbe
I𝐄 = ; or IE = IC+IB
R4
VBM−Vbe
I𝐂 + I𝐁 =
R4
VBM−Vbe
I𝐁 (𝟏 + 𝛃) =
R4
VBM−Vbe VBM−Vbe
I𝐁 = = 𝒄𝒂𝒓 𝛃 + 𝟏⁓ 𝛃
R4(𝟏+𝛃) R4(𝛃)
AN :
1.96−0.6
I𝐁 = I𝐁 = 𝟖µ𝑨
680∗250
*Calculons VCE :
Appliquons la loi des mailles à la maille de sortie :
Ub – R3Ic- VCE - R4IE=0
VCE = Ub – Ic(R3+R4)
AN
VCE = 15– 250(3.92k -680)
VCE =5.84V
*Calculons IB :
IC= βIB => IB=2mA
𝑉𝐵𝐸 = 0,6
𝑉𝐶𝐸 = 5.8𝑉
Donc le point de fonctionnement P ( 𝐼𝐵 = 8 )
µ𝐴
𝐼𝐶 = 2𝑚𝐴
0< VCE <15 : hypothèse vérifiée, le transistor est en régime linéaire
I. 2. Etude dynamique
Pour le montage de la figure 2, réalisons le schéma équivalent :
Figure 2 : Schéma équivalent du transistor en étude dynamique
*Calculons Ze et Zs
*Ze :
𝑉𝑒
Ze = ; posons RB= R1//R2,
𝐼𝑒
𝑉𝐵𝑀 𝑉𝐵𝑀
On a : 𝐼𝑒 = +
𝑅𝐵 𝑟𝑏𝑒 +𝑅4 (1+𝛽)
𝑉𝐵𝑀 𝑅𝐵 ( 𝑟𝑏𝑒 +(1+𝛽)𝑅4 )
=
𝐼𝑒 𝑟𝑏𝑒 +𝑅4 (1+𝛽)
AN
28695.65 (3250 +(250)680 )
Ze =
28695.65 + 3250+680∗250
Ze=24631,79Ω
*Zs :
𝑉𝑠
Zs = |𝐼𝑒 = 0
𝐼𝑠
Zs =R3 ZS=3.92KΩ
*AV
𝑉𝑠
A𝑽 or V𝒔 = −𝛽𝑅3 ∗ 𝐼𝐵 et V𝑬 = [𝑟𝑏𝑒 + 𝑅4 (1 + 𝛽)] ∗ 𝐼𝐵
𝑉𝑒
−𝛽𝑅3
A𝑽 = [𝑟
𝑏𝑒 +𝑅4 (1+𝛽)]
AN
−250∗3.92𝑘
A𝑽 = [3250+251∗680] A𝑽 = −𝟓. 𝟔𝟑
II. Partie Pratique
II.1. Etude statique
Reliez un expérimentateur à l'interface UniTr@in-I et insérez la carte
d'expérimentation circuits à Transistors SO4203-7N , réaliser le montage ci-
dessous avec le module I.
Figure 3 : Réalisation du montage en régime statique
1. Ouvrons le voltmètre B et réglons le pour mesurer :
-La tension VCE entre les bornes X14-X15 appliquée au collecteur et à
l’émetteur du transistor :
Figure 4 : valeur de VCE mesurée au voltmètre.
-Valeur de la tension VBE
Figure 5 : valeur de VBE mesurée au voltmètre.
-La tension VBM
Figure 6 : valeur de VBM mesurée au voltmètre.
Déduction de IR2
𝑉𝐵𝑀 1.67
I𝑹𝟐 AN I𝑹𝟐 I𝐑𝟐 = 𝟓𝟎. 𝟔µ𝑨
𝑅2 33000
-Valeur de V𝑨𝑩
Figure 7 : valeur de VAB mesurée au voltmètre.
Déduction de IR1
𝑉𝐴𝐵 12.5
I𝑹𝟏 AN I𝑹𝟏 I𝐑𝟏 = 𝟓𝟔. 𝟖𝟏µ𝑨
𝑅1 220000
Déduction de I𝑩
I𝑩 = I𝑹𝟏 − I𝑹𝟐 AN I𝑩 = 𝟓𝟔. 𝟖𝟏 − 𝟓𝟎. 𝟔
I𝐁 = 𝟔. 𝟐µ𝑨
2.Mesurons Ic au niveau des bornes X5-X6 à l’aide d’un shunt
Figure 8: Montage du shunt afin de mesurer Ic
Avec le shunt nous avons d’abord choisit la résistance appropriée afin
d’effectuer une mesure correcte.
Nous avons donc choisi une valeur de résistance R =100Ω.
Figure 9 : Mesure de IC avec le voltmètre
I𝐂 = 𝟏. 𝟔𝟑𝒎𝑨
2. Calculons le coefficient d’amplification β
𝐼𝐶 1630
𝛽= AN 𝛽=
𝐼𝐵 6.2
𝛽 = 262.90
II.2 Etude dynamique
Relions un Expérimenteur à l'interface UniTr@in-I et insérez la carte
d'expérimentation Circuits à transistors SO4203-7E.
2.1 Réalisons le schéma ci-dessous
Figure 10 : Réalisation du montage ci-dessus.
Ue est obtenue avec le générateur de fonctions.
Réglages de Ue
Tension 1:10, 45%
Générateur de fonctions ;Fréquence 1kHz Mode
SINE ; Power ON
2.2 Ouvrons l’oscilloscope et adoptons les réglages suivants
A volt/div 2000mV AC
Rouge,
B volt /div 1V AC
Oscilloscope
Bleu,
Time/div 200 μs, Mode
X/T, Tigger B,
Figure 11 : Réglage de la tension Ue
*Visualisons Ue et Us
Figure 12 : Visualisation de Ue (Bleu) et Us (Rouge).
Ue et Us sont déphasés de π degrés
*Mesurons :
La tension d’entrée Ue
Figure 13 : Mesure de Ue avec au voltmètre A
La tension de sortie Us
Figure 14 : Mesure de Us avec le voltmètre B
Déduction de Av
𝑈𝑠 2.4
|A𝑽 | = =| | |𝐴𝑣| = 5.71
𝑈𝑒 0.42
2.3 Le schéma équivalent du montage
Figure 15 : schéma équivalent du montage
Calculons Av en considérant trouver en à la question 1.4
𝑈𝑠
A𝑽 = or U𝒔 = −𝛽𝑅3 ∗ 𝐼𝐵 et U𝑬 = [𝑟𝑏𝑒 + 𝑅4 (1 + 𝛽)] ∗ 𝐼𝐵
𝑈𝑒
−𝛽𝑅3
A𝑽 =
[𝑟𝑏𝑒 + 𝑅4 (1 + 𝛽)]
AN
−250∗3.92𝑘
A𝑽 = [3250+251∗262.90] A𝑽 = −𝟓. 𝟒𝟓
2.4 Comparons Av théorique à Av pratique
Le coefficient d’amplification en tension (Av) théorique est égale à -5.63,
alors que celui calculer en pratique est de l’ordre de -5.45.
Cette différence de valeur peut s’expliquer par le fait que la valeur de β (le
coefficient amplification statique, intervenant dans le calcul de Av) est
fonction de la température du milieu ambiant ; c’est ainsi que lors de son
calcul dans le cas pratique à la question 3 de l’étude pratique, nous avons
trouvé 262.90, valeur différente de celle théorique (250) d’où Av pratique #
Av théorique. L’une des autres raisons qui pourrait expliquer cette différence
serait les erreurs de manipulations.
